一种低压低温漂的CMOS带隙基准源

一种低压低温漂的CMOS带隙基准源

肖明;吴玉广;唐华;张上洋

【期刊名称】《微计算机信息》

【年(卷),期】2006(000)11Z

【摘要】基于标准0.35umCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,与传统采用PTAT电压作为温度曲率校卫电压相比,获得了一个电路结构简单,性能更好的带隙基准源。使用Hspice进行仿真,仿真结果表明电路可以在-20-100℃范围内,平均温度系数约2ppm/℃,工作电压为1V 左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。

【总页数】3页(P.304-306)

【关键词】带隙基准源;曲率校正;温度系数;电源抑制比

【作者】肖明;吴玉广;唐华;张上洋

【作者单位】西安电子科技大学微电子所,陕西西安710071

【正文语种】英文

【中图分类】TN432

【相关文献】

1.一种低压低温漂的CMOS带隙基准源 [J], 肖明; 吴玉广; 唐华; 张上洋

2.一种双极型低压低温漂能隙基准源 [J], 蒋亚平; 刘卫中

3.一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究 [J], 樊艳; 王丽侠

4.一种低温漂、高精度CMOS带隙基准源设计[J], 王宇星; 曹校军; 姜盛瑜; 吴金

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