模拟电子技术基础-作业答案1

模拟电子技术课程作业

第1章半导体器件

1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。 (a)变宽 (b)变窄 (c)不变

2半导体二极管的主要特点是具有( b )。 (a)电流放大作用 (b)单向导电性

(c)电压放大作用

3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。 (a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压

4电路如图1所示，设D 1，D 2均为理想元件，已知输入电压u i =150sin ωt V 如图2所示，试画出电压u O 的波形。

20V

100V 0

u I

u i V

/ωt

D 2

D 1

40k Ω

150

u O

- 图1

图2

答案

u i V /ωt

150

ωt 10060

u i V /0

10060

5电路如图1所示，设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压u O 的波形，并说明t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。

u I2

R L

u O

t 1

t 2

D 1

D 2

图1

图2

u I1+

u I1/ V

-22

-2

u I2/ V

答案

t 1t 2

u O /V

-2

t 1:D 1导通，D 2截止

t 2:D 2导通，D 1截止

第2章基本放大电路

1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。

U CC

u o

U CC

()

a ()

b (c)

(d)

-u i

u i

u o

u i

u o

u i

++++

2图示电路，已知晶体管β=60，U BE

.V =07 ，R C k =2 Ω，忽略U BE ，如要将集电极电

流I C 调整到1.5mA ，R B 应取( a )。

(a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω

++C 2

C 1

R B

R C u o

u i

-+12V

3固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。 (a)增加

(b)减少 (c)基本不变

4分压式偏置放大电路如图所示，晶体T 的β=40，U BE

.V =07，试求当RB1，RB2分别

开路时各电极的电位（U B ，U C ，U E ）。并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。

R B1R B2

R C

R E R L u o u i T

C 1

C 2

C E

+U CC +12V

39.k Ω1k Ω

20k Ω

2k Ω

1k Ω

β=40

答案

(1)当R B1开路时，偏置电路如图1所示： U BE ＝0，I B =0，I C =0，I E =0 U B =0

U C =U CC =12V U E =0

此时晶体管处于截止状态。

(2)当R B2开路时，偏置电路如图2所示:

I U R R I I CS CC C E

BS CS

mA mA mA ≈

=≈

=12

3401β

I U R R I I B CC

B E

B BS mA mA

≈

++=

-+?=>()..11207

20411

0185β

此时晶体管处于饱和状态，U E ≈4V ，U B ≈4.7V ，U C ≈4V

β=40

R B1

R E

R C

+U CC

I B

R B R E

R C

+U CC

I B

i C

U BE

U E

U C

图1 图2

+12V

39.k Ω

2k Ω

1k Ω

20k Ω2k Ω1k Ω

+12V

U E

U B

U C

5放大电路如图所示,已知晶体管的输入电阻r

be k =1Ω，电流放大系数β=50，要求: (1)画出放大器的微变等效电路；

(2)计算放大电路输入电阻r i 及电压放大倍数A u 。

++ 2.5k Ω

2.5k Ω

1k Ω

22k ΩC E C 1+C 2

u o

u i R L R B2

R B1R C R E +12V

47.k Ω+

－+

－B

C E

答案

(1)

R C

r be

β b i i b

R L

R B1

R B2

u o

u i

i c

－

B C

(2)r R r R R R i B be B B B k =

==//.//07912Ω

A R R r u =-=-=-β

C L be //.//.50252

625 第三章多级放大电路

1由两管组成的无射极电阻R E 简单差动放大电路，欲在双端输出时能很好的抑制零点漂移必须使得( a )。

(a)电路结构对称，两管特性及对应的电阻元件参数相同。 (b)电路结构对称，但两管特性不一定相同。

(c)两管特性及对应的电阻元件参数相同，但电路结构不一定对称。 2在多级直接耦合放大电路中，导致零点漂移最为严重的是( a )。

(a) 第一级的漂移 (b)中间级漂移 (c)末级漂移

3在直接耦合放大电路中，采用差动式电路结构的主要目的是( b )。 (a)提高电压放大倍数 (b)抑制零点漂移 (c)提高带负载能力

4电路如图所示，微安表的读数为100 A μ，AB 支路的总电阻R L k =2Ω，

β1=β2=50,U BE .V =06，计算时忽略R p 的影响，且不计微安表的内阻。要求：(1)指出电路

的输入，输出方式；(2)电路是如何抑制零点漂移的？(3)计算输入电压u I 的大小。

R B R C

R C

R B R L

R P +

－

R E

μA

-6V

6V T 2

B A

u I 10k Ω

10k Ω

1k Ω51.k Ω

10k Ω

10k ΩT 1

解：(1)该电路为单端输入，双端输出。

(1) 由于电路的对称性，温度的变化对T1、T2两管组成的左右两个放大电路的影响是

一致的相当于给两个放大电路同时加入大小和极性完全相同的输入信号，在电路完全对称的情况下两管的集电极电位始终相同，差动放大电路的输出为零，从而抑制零点偏移。

(2) 该电路是双端输出，由于电路的对称性，负载电阻L R 中点电位始终为零电位，等

效于接地，故该电路差模的交流通路如图3-5.

A R R U U I E

B BE EE BQ μβ10102.5304.5101.5)501(210106.06)1(23

33≈?=??+?+?-=++-=

mA I I BQ EQ 51.0)1(=?+=β Ω=+=++=?++

=K I r EQ be 8.2260020051

.026

)501(20026)1(200β

R B

R C R C R B

R L /2

+ －

6 V T 2

B A u I T 1 R L /2

图3-5

Ω=+?=

K R R L

C 48.05

.0105

.0102

单端输入双端输出的差模放大倍数为875.18

.21048.0502//

-=+?-=+-=be B L

C ud r R R R A β

id od ud u u u u A =

则mV A R I A u u ud L A ud AB id 3.53875

.1101101003

6-=-???=?==-μ

因单端输入02=I u ，差模电压I I I I id u u u u u =-=-=021 即mV u u id I 3.53-==

5差动放大电路如图所示，问R E 对差模信号有无影响？为什么？

R C

R P

R E

R B 2

R B1

R B 2

u I 1

u I2

+U CC

R B1

T 2

T 1

U EE

u O

答：R E 对差模信号无影响。因为在输入差模信号时，由于u i1=u i2=u id /2,则T 1和T 2两管的电流和电压变化量总是大小相等、方向相反，流过射极电阻R E 的交流由两个大小相等、方向相反的交流i e1和i e2叠加而成，在电路完全对称的情况下，i e1=- i e2，i e1+ i e2=0。故R E 两端产生的交流压降为零，因此差模输入交流通路中射极电阻R E 被短路。

6电路如图所示，其中两个晶体管特性完全相同。试回答：(1)RE ，RC ，RZ 各起什么作用？(2)此电路是否能将交流信号u I 放大为u O ？(3)u I 和u O 的相位关系怎样，是同相还是反相？

R C

R E u o

+U CC

u I u Z

T 2

T 1

R Z

答：(1)RZ 起限制T2管的基极电流作用。 RE 起抑制零点漂移的作用。RC 起反相放大的

作用。

(2)该电路T1管的基极没有静态工作点，故只能放大交流信号I u 的正半周期。

(3) I u 和O u 的相位关系是反相的。

7 放大电路如图1所示，已知晶体管的r

be k =1 Ω，β=50要求：(1)试求放大电路的电压放大倍数，输入电阻，输出电阻；(2)画出微变等效电路；(3)设输出电压u o 的波形出现如图2的失真情况，试问改变偏流电阻R B 的大小能否消除失真？为什么？若负载电阻和输入信号均不变，怎样才能消除上述失真。

+3.3k Ω390k Ω

+ 1.2k Ω

u i u o R B R C

R L C 1

C 2

u o

+12V

－

+－

图1

图2

答：不会

第四章集成运算放大器

1从外部看，集成运放可等效成高性能的（ b ） A. 双端输入双端输出的差分放大电路 B. 双端输入单端输出的差分放大电路

C. 单端输入双端输出的差分放大电路 D 单端输入单端输出的差分放大电路 2集成运放的输出级多采用（ c ）

A 共射放大电路 B. 共集放大电路 C. 互补输出电路第5章放大电路的频率响应

1低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ a ）

(a) 耦合电容和旁路电容的存在 (b) 半导体管极间电容和分布电容的存在 (c)半导体管的非线性特性 (d) 放大电路的静态工作点不合适 2高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ b ）

(a) 耦合电容和旁路电容的存在 (b) 半导体管极间电容和分布电容的存在 (c)半导体管的非线性特性 (d) 放大电路的静态工作点不合适

第六章负反馈放大电路

1放大电路如图所示，R F 支路引入的反馈为( c )。 (a)串联电压负反馈 (b)串联电流负反馈 (c)并联电压负反馈

(d)正反馈

C 1

C 2

R F

+－

U CC

R C R S u S

u O

2两级放大电路如图所示，第二级与第一级之间的R F 支路引入的反馈为( a )。 (a)串联电压负反馈 (b)串联电流负反馈 (c)并联电压负反馈

(d)并联电流负反馈

+T 1

U CC

C E

T 2

R F

R C1R C2

R E2R E1

R B1

R B2

R 'B1

R 'B2

+-u i +-

u o

3 在串联电压负反馈放大电路中，若将反馈深度增加，则该电路的输出电阻将( a )。

(a)减小 (b)增加 (c)不变

4两级放大电路如图所示，欲引入级间并联电流负反馈，应将反馈电阻支路跨接在电路中的( A )。 (a)E 2，B 1之间 (b)E 2，E 1之间 (c)C 2，E 1之间

(d)C 2，B 1之间

5 两极阻容耦合放大电路如图所示，试指出其交流反馈支路及反馈的类型(电压，电流；串联，并联)，并在图上用瞬时极性判别反馈的极性(正，负反馈)。

+++

C 1

C 2

C 4

C 3

R 1R 2

R 3

R 4

R 5

R 6

R 9

R 8

R 7

u i

u o

+U CC

答案

R 3构成第一级串联电流负反馈

R 3，R 7构成级间串联电压负反馈

6某负反馈放大电路的开环放大倍数为50，反馈系数为0.02，问闭环放大倍数

为多少？

答案 2502

.050150

1=?+=+=

AF A A f

7电路如下图所示，试判断反馈极性(正，负反馈)和类型(含交直流反馈)。

C 1

C 3

C 2

T 1

T 2

u i －

R 1

R 5

R 2

R 4

u o －

R 3

+U CC

答：不会

第7章信号的运算

1运算放大器接成图示电路后，其输入输出方式为( c )。 (a)双端输入双端输出 (b)双端输入单端输出 (c)单端输入单端输出 (d)单端输入双端输出

u O

-∞＋

＋u I

R F

R 2

R 1

2集成运算放大器对输入级的主要要求是( B )。 (a)尽可能高的电压放大倍数 (b)尽可能大的带负载能力

(c)尽可能高的输入电阻，尽可能小的零点漂移 3集成运算放大器输出级的主要特点是( A )。 (a)输出电阻低，带负载能力强 (b)能完成抑制零点漂移 (c)电压放大倍数非常高

4集成运算放大器中间级的主要特点是( B )。 (a)足够高的电压放大倍数 (b)足够大的带负载能力 (c)足够小的输入电阻

5理想运算放大器的两个输入端的输入电流等于零，其原因是( b )。 (a)同相端和反相端的输入电流相等而相位相反 (b)运放的差模输入电阻接近无穷大 (c)运放的开环电压放大倍数接近无穷大

6比例运算电路如图所示，该电路的输入电阻为( b )。

(a)零 (b)R1 (c)无穷大

-∞＋

＋

R 1

u i

u o

R F

7具有高输入阻抗和接地负载的电压控制电流源电路如图所示，设图中R R R =+12，试证明：i u R L I =-21/。

-∞＋

＋

-∞＋

＋

i 2

i L

i 1u I

u O1

u O2

u O

R 1

R 2

R L

证明：图左边的运放是同相放大器，据“虚断”、“虚短”的特点有0==-+i i

-+==11u u u i 则有R i u u i o ?+=21 ① o i u R i u u +==?-221则22R i u u i o ?-= ②

图右边的运放是反相放大器，据“虚断”、“虚短”的特点有12o o u R

u -= 即12o o u u -=，由o o u R i u +?=112 即)(111o o u R i u +?-= ③ 把①②代入③得：)(22112R i u R i R i u i i ?-+?-=?+ ④ 整理④式i u R i R i R i 222112-=-?+??

i u R i R R i 2)(1122-=?+-? ⑤

由已知21R R R +=代入⑤式得i u R i R R R i 2)(112212-=?+-+?整理得：

i u R i i 2)(121-=?+ ， 1212R u i i i

-=+ ，

由于L i i i =+21，即12R u i i L -=证毕。

8电路如图所示，求负载电流i L 与电压u S 之间关系的表达式。

-∞＋

＋

i L

u O

R 1

R 2

R F

R L

u S

i F

i R 2

解：电路是反相放大器，据“虚断”、“虚短”的特点有0==-+u u ，1112R u R u u i i s

s R R =-==-

s F u R R u ?=

F s F F F R u R R R u i /1

?==

s F F

s s F s F s R F L u R R R R R u u R R R R u R u R R i i i ??-=-??=-?=

-=121121122/ 即s F

L u R R R R i ??-=

12 。

9试用集成运放组成运算电路，要求实现以下运算关系，请画出电路，并在图中

标出各电阻的阻值。 ① u 0=－5u I ② u 0=－2u I1－10u I2

答：①如图6-1：取用反相比例电路可得51

=R R

F ,选Ω=K R F 100则Ω=K R 201

Ω==K R R R F 7.16//'1 。

②如图6-2：取用反相求和电路可得

21=R R F 102

=R R F

,选Ω=K R F 100 Ω=K R 501,Ω=K R 102,Ω==K R R R R F 7.7////'21 。

- ∞

＋＋ u O

R' R 1

R F R 2 图6-2

u i2 u i1 50K Ω

100K

7.7K

10K Ω

- ∞

＋＋ u O

R’ R 1

R F 图6-1

u i1

100K Ω

20K Ω 16.7K Ω

第八章正弦波振荡电路

1自激正弦振荡器是用来产生一定频率和幅度的正弦信号的装置，此装置之所以能输出信号是因为( b )。 (a)有外加输入信号

(b)满足了自激振荡条件

(c)先施加输入信号激励振荡起来，然后去掉输入信号

2一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为A u ，反馈系数为F ，能够稳定振荡的幅值条件是( a )。

(a)||A F u >1 (b)||A F u <1 (c)||

A F u =1 3一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为A A u u =∠||

ψA ，反馈系数为 F F =∠||ψF ，该振荡器要维持稳定的振荡，必须满足( b )。 (a)||

A F u =>1，ψψπA F ()+=+21n (n=0，1，2，…) (b)||

A F u =1，ψψπA F +=2n (n=0，1，2，…) (c)||

A F u >1，ψψπA F ()+=-21n (n=0，1，2，…) 4电路如图所示，参数选择合理，若要满足振荡的相应条件，其正确的接法是(

B )。 (a)1与3相接，2与4相接 (b)1与4相接，2与3相接 (c)1与3相接，2与5相接

-∞＋

＋

R 2

R 1

5在图示文氏桥振荡电路中，已知R1=10 k Ω，R 和C 的可调范围分别为1~100 k Ω、0.001~1

μF 。

（1）振荡频率的可调范围是多少？（2）R F

的下限值为多少？

解：（1）RC 取最大值， Ω?=Ω=3

1010100K R F F C 61011-?==μ则振荡频率最小

Z o H RC f 59.110

11010014.321

216

31=?????==

-π RC 取最小值， Ω?=Ω=3

1011K R F F C 610001.0001.0-?==μ则振荡频率最大

Z o MH RC f 159.010001.010114.321

216

32=?????==

-π

所以，振荡频率的可调范围是Z Z MH H 159.0~59.1 。（1） RC 桥式振荡电路的电压放大倍数310

111>+=+=?

F R R R u A 得Ω>K R F 20 所以R F 的下限值为ΩK 20

6将图示电路合理连接，构成桥式（即文氏桥）正弦波振荡电路，并估算电路的振荡频率和

R1的最大值。

解：连接如下图：

电路的振荡频率为Z o H RC f 1591002.0105014.321

216

3=?????==

-π

RC 桥式振荡电路的电压放大倍数3100111

1>+=+

R R R u A F 得Ω

第九章功率放大电路

1无输出电容器的互补对称功率放大电路（OCL ），电源电压为±12 V ，输入正弦信号u i 的幅度足够大，则输出正弦波幅度最大约等于( a )。 (a)12V (b)24V (c)6V

2 OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( a )。 (a)T 1导通T 2截止 (b)T 1截止T 2导通 (c)T 1，T 2导通

T 1

T 2

R L

+12 V

-12 V

R 1

D 1D 2

R 2

u i

u o -

3欲提高功率放大器的效率，常需要( b )。 (a)增加电源供给的功率，减小动态输出功率 (b)增加动态输出功率，减小电源供给的功率 (c)设置静态工作点在接近饱和区处，增加静态电流I C

4 OTL 功率放大电路如图所示,该电路会产生( A )。 (a)饱和失真 (b)频率失真 (c)交越失真

T 1

T 2

C L

R L

u o +

u i

u CC u i

5 OCL 互补对称功率放大电路如下图所示，T1，T2为硅管,u i ≤0.2sin ωt V ，则输出u o 等于( B )。

(a)12sin ωt V (b)0.2sin ωt V (c)零

T 1

T 2

u o

u i

R L

--12V

+12V

6在图示OCL 电路中，已知T 1、T 2管的V

U CES 1=，电源电压为±9V ，负载电阻

R L =8 Ω，

试计算最大输出功率P om 及效率η。

解：V U CC 9=，V U CES 1= 最大输出功率W R U U R U P L CES CC L cem OM

48)19(21)(21)(2122max 2=-?=-?=?=

最大输出效率%709

194

14.34

=-?=-?=CC

CES CC U U U πη 。

7如图所示的电路中的晶体管的饱和压降的数值为V 3CES =U 、V 24CC =V 、Ω=8L R ，则最大输出功率和效率各为多少？晶体管的CM I 、(BR)CEO U 和CM P 应如何选择？

8如图所示电路中，已知V V CC 15=，1T 和2T 管的饱和管压降V U CES 3=，输入电压足够大。求：（1）最大不失真输出电压的有效值；（2）最大输出功率om P 和η。

V +CC

V -L

R +

Ω81

T 2

T 1

R 2

R 1D 2

D 3

R 4

R Ω5.05

R Ω

5.0i

u 答：（1）最大不失真输出电压有效值

U om ＝2

)(4L

CES CC L R R U V R +-?=V 99.72

5.0)

315(8≈+-? （2）最大输出功率和效率分别为

P om =W R U L

om 98.72

≈

负载电流最大值: i Lmax =

L CES CC R R U V +-4=

A 41.18

5.03

15≈+- 平均电流：i= i Lmax ×2/π=0.90A

电源的输出功率：P ovcc =V cc ×i=15×0.90=13.5W η=P om /P ovcc =7.98÷13.5=0.59=59%

第10章直流电源

1在整流电路中，二极管之所以能整流，是因为它具有( b )。 (a)电流放大特性

(b)单向导电的特性

(c)反向击穿的性能

2电路如图所示，该电路的名称是( c )。

(a)单相半波整流电路(b)单相桥式整流电路(c)单相全波整流电路

～

u 2

u 1

R L

D 1D 4D 2

D 3

u O +

3整流电路如图所示，变压器副边电压有效值为U 2，二极管D 所承受的最高反向电压是( B )。

(a)U 2

(b)22U (c)222U

～

u 2R L D i O

u O

4设整流变压器副边电压u U t 222=sin

ω，欲使负载上得到图示整流电压的波形，则需要采用的整流电路是( A )。

(a)单相桥式整流电路 (b)单相全波整流电路

(c)单相半波整流电路

π2π3π

u O

ωt 22

U 0

5整流电路如图所示，输出电压平均值U O 是18V ，若因故一只二极管损坏而断开，则输出电压平均值U O 是( B )。 (a)10V (b)20V (c)40V (d)9V

6整流电路如图所示，二极管为理想元件，变压器副边电压有效值U 2为10V ，负载电阻

R L =2k Ω，变压器变比k N N ==1210。

(1)求负载电阻R L 上电流的平均值I O ；(2)求变压器原边电压有效值U 1和变压器副边电流的有效值I 2；(3)变压器副边电压u 2的波形如图所示，试定性画出u O 的波形。

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ．减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

模拟电子技术基础习题册.docx

专业姓名学号成绩 1-1 、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。 1-2 、在单相桥式整流电路中，已知输出电压平均值U O（AV）＝15V，负载电流平均值 I L（AV）＝100mA。（1）变压器副边电压有效值U2≈ （2）设电网电压波动范围为±10％。在选择二极管的参数时，其最大整流平均电流 I F和最高反向电压 U R的下限值约为多少 1-3 、电路如图所示，变压器副边电压有效值为 2U2。（1）画出u2、u D 1和u O的波形；（2）求出输出电压平均值U O（AV）和输出电流平均值I L（（3）二极管的平均电流I D（AV）和所承受的最大反向电压AV）的表达式；U Rmax 的表达式。

1-4 、电路如图所示，变压器副边电压有效值U21＝50V，U22＝20V。试问：（1）输出电压平均值U O1（AV）和U O2（AV）各为多少（2）各二极管承受的最大反向电压为多少 1-5 、试在如图所示电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。 1-6 、已知稳压管的稳压值U＝6V，稳定电流的最小值I Zmin ＝ 5mA。求图所示电路中U和 U Z O1O2各为多少伏。

专业姓名学号成绩 I Zmin＝5mA，最大稳定电流1-7 、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流 I Zmax＝25mA。（1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值；（2）若U I＝ 35V 时负载开路，则会出现什么现象为什么 1-8 、电路如图所示。（1）分别标出u O1和u O2对地的极性；（2）u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流（3）当U21＝U22＝ 20V 时，U O1（AV）和U O2（AV）各为多少（4 ）当U2 1＝ 18V ，U2 2＝ 22V 时，画出u O1、u O2的波形；并求出U O1（AV）和U O2（AV）各为多少

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章

第3章多级放大电路自测题一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？若静态0O u =V ，则R c2=？，电压放大倍数为多少？

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的：本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材：杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社主要参考书目：康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社，张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社，谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，

陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社，孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社，谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社，绪论本章的教学目标和要求：要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点：放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。本章教学方式：课堂讲授本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法；介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳

模拟电子技术基础考试试题复习资料

第1页共5页一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的视为开路，视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、和耦合等。 7、晶体管是利用极电流来控制极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究。 9、理想运放的两个输入端虚断是指。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为。 12、通用集成运放电路由、、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是相输入端，否则该输入端是相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的，越大越好，越小越好。二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲课程名称：模拟电子技术基础教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授）学时：64学时一、课程的教学目标与任务通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。二、课程具体内容及基本要求（一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时）介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求（1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。（2）熟悉放大器模型和主要性能指标。

（3）了解反馈基本概念和反馈分类。（二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时）主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求（1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。（2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。（3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。（4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。（5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。（三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时）主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

模拟电子技术基础试题(1)

浙江理工大学《模拟电子技术基础》试题（1）一、填空（共30分，1分/空） 1、在本征半导体中加入价元素可形成N 型半导体，加入价元素可形成P 型半导体。 2、在一个交流放大电路中，测出某三极管三个管脚对地电位：①端为1.5V 、②端为4V 、③端为2.1V ，则①端为极、②端为极、②端为极，该管子为型。 3、集成运放实际上是一种高性能的直接耦合放大电路。通常由、、和等四部分组成。 4、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是。 5、为了增大放大电路的输入电阻，应引入负反馈；为了增大放大电路的输出电阻，应引入负反馈。 6、电路如图1.1所示，已知集成运放的开环差模增益和差模输入电阻均近于无穷大，最大输出电压幅值为±14V 。填空：电路引入了 (填入反馈组态)交流负反馈，电路的输入电阻趋近于，电压放大倍数=f u A 。设V U I 1=，则=O U ；若1R 开路，则O U 变为 V ；若1R 短路，则O U 变为 V ；若2R 开路，则O U 变为 V ；若2R 短路，则O U 变为 V 。图1.1 7、比例运算电路的输入电流等于零，而比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。 8、当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时，石英晶体呈；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英品体呈；其余情况下石英晶体呈。 9、已知电路如图1.2所示，电路中D 1和D 2管的作用是消除。图1.2 10、整流的目的是；直流稳压电源中滤波电路的目的是。二、判断题（20分，1分/题） 1、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） 2、所有二极管都不能正常工作在击穿区。（） 3、可以说任何放大电路都有功率放大作用。（） 4、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（） 5、阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立。（） 6、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。（） 7、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（） 8、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。（） 9、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。（） 10、放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。（） 11、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（） 12、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（）

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术基础第三版课后习题答案

一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-=== =-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。（2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时，视为短路，视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究。 9、理想运放的两个输入端虚短是指。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是。

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。（1）别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波

模拟电子技术基本练习题(解)

电子技术基础（模拟部分）综合练习题 2010-12-12 一．填空题：（将正确答案填入空白中） 1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。P型半导体是在本征半导体中掺入5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。 2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。 3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。 4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。 5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为49。 6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为0.99。 7．某三极管工作在放大区时，当I B从20μA增大到40μA，I C从1mA变成2mA。则该管的β约为 50。 8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于电压控制器件。其输入电阻很高。 9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。 10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。 11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。 12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路, 中间放大器, 输入级和输出级四部分组成。 13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络；稳幅电路和选频网络。 15．为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻，在放大电路中应引入电流串联负反馈。 16．PNP三极管基区中的多数载流子是电子。少数载流子是空穴。17．对于放大电路，所谓开环是指放大电路没有反馈支路。18．为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻，应引入电压串联负反馈。19．单相桥式整流电路中，设变压器的副边电压为V2，则输出直流电压的平均值为0.9V2。 20K CMR是指差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值。

模拟电子技术基础pdf

模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.360docs.net/doc/0616112785.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.360docs.net/doc/0616112785.html, 1，电子技术的发展，电子技术的发展，促进计算机技术的发展，使其“无处不在”，广泛用过的！广播和通信：发射机，接收机，公共地址，录音，程控交换机，电话，移动电话；网络：路由器，ATM交换机，收发器，调制解调器；行业：钢铁，石化，机械加工，数控机床；运输：飞机，火车，轮船，汽车；军事：雷达，电子导航；航空航天：卫星定位，监测医疗：伽马刀，CT，B超检查，微创手术；消费类电子产品：家用电器（空调，冰箱，电视，音响，摄像机，照相机，电子手表），电子玩具，各种警报器，安全系统HCH a https://www.360docs.net/doc/0616112785.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年，1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管，晶体管和集成电路的比较https://www.360docs.net/doc/0616112785.html,半导体组件的发展，贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，在1958年制造了集成电路，在1969年制造了LSI，在1975年制造了第一

个集成电路四个晶体管，而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测，集成度将提高10倍/ 6年，到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术！hch a tsin https://www.360docs.net/doc/0616112785.html,要记住的一些科学家！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的John Bardeen，William schockley和Walter bradain发明）在1947年11月底发明了该晶体管，并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年，他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后，他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。

模拟电子技术基础习题(全集) (1)

模拟电子技术基础习题第一章半导体二极管及其应用电路第二章半导体三极管及其放大电路第三章场效应晶体管及其放大电路第四章集成运算放大器第六章运放应用电路第七章功率放大电路第八章波形发生和变换电路第九章直流稳压电源第五章负反馈放大电路第十章晶闸管及其应用第十一章～第二十一章应用篇

第一章半导体二极管及其应用电路一、填空： 1．半导体是导电能力介于_______ 和_______之间的物质。 2．利用半导体的_______ 特性，制成杂质半导体；利用半导体的_______ 特性,制成光敏电阻，利用半导体的_______ 特性,制成热敏电阻。3．PN 结加正向电压时_______ ，加反向电压时_______，这种特性称为PN 结的_______ 特性。 4．PN 结正向偏置时P 区的电位_______N 区的电位。导体绝缘体掺杂光敏热敏单向导电截止高于导通

5．二极管正向导通的最小电压称为______ 电压，使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为_______ 电压.6．二极管最主要的特性是，使用时应考虑的两个主要参数是和_。 7．在常温下，硅二极管的死区电压约_______V ，导通后在较大电流下的正向压降约_______V 。死区单向导电击穿最大整流电流最大反向工作电压0.50.7

8．在常温下，锗二极管的死区电压约为_______V ，导通后在较大电流的正向压降约为_______V 。 9．半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越小，说明二极管的_______性能越好。 10．稳压管工作在伏安特性的________ 区，在该区内的反向电流有较大变化，但它两端的电压_ ______。 0.1V 0.3单向导电反向击穿基本不变

《模拟电子技术基础》考试试卷一_附答案_模电

模拟电子技术基础试卷一附答案一．（10分）设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出图（a）电路在v i=5sinωt V时的输出v o波形以及图（b）电路的输出电压V o1。（a）（b）二.（10分）放大电路如图所示。已知： R b1=62K，R b2=15K，R s=10K，R c=3K， R e=1K，R L=3K，C1=C2=10μ，C e=220μ， V CC=+15V，β=80，V BE=0.7V。 1.说明电路属于何种组态，画出该电路的直流通路；（5分） 2.计算该电路的静态工作点。（5分） 3.画小信号等效电路，求电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。 4.说明电路属于何种组态，三.（18分）放大电路如图所示。已知C足够大，场效应管的参数g m=0.8ms，R2=6.8KΩ，三极管的参数β=50，r be=0.5K，R3=90KΩ，R4=10KΩ，R5=4KΩ，R6=1.5KΩ，R L=4KΩ。 1.画出其小信号模型等效电路。（4分） 2.计算电路的电压放大倍数A v、输入电阻R i和输出电阻R o。（10分） 3.若R s=10K时，计算源电压放大倍数A vs，说明R6对电路频率响应的影响。（4分）

四.（12分）反馈放大电路如图示。 1.判断各电路中级间交流反馈的极性（要求在图上标出反馈极性）。（4分） 2.对于级间交流反馈为负反馈的电路，进一步判断反馈的类型，同时按深度负反馈的条件估算电路的闭环电压增益（写出表达式）。并简单说明电路对输入电阻，输出电阻的影响，对信号源内阻有什么要求？（8分）（a ）（b ）五.（10分）集成运算放大器构成的运算电路如图示，求电路的输出电压。 1.求出电路（a ）的输出电压。（4分） 2.在电路（b ）中，设t =0时v c =0，此时加入v i =1V ，求t =40ms 时v o =？（6分）（a ）（b ）六.（10分）电路如图所示，试用相位平衡条件判断哪个能振荡，哪个不能振荡（要求在电路中应标出i V ，o V ，f V 以及它们的瞬时极性）？对能振荡的电路写出振荡频率的表达式。（a ）（b ）七.（10分）比较器电路如图所示，设运放是理想器件。 1.求门限电压值V th ，并画出比较器的电压传输特性

《模拟电子技术基础》题库

《模拟电子技术基础》题库一、填空题 1-12（第一章） 1、杂质半导体有型和型之分。 2、PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。 3、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了__________电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN 结加的是__________电压。 4、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是，PN结具有特性。 5、发射结偏置，集电结偏置，则三极管处于饱和状态。 6、P型半导体中空穴为载流子，自由电子为载流子。 7、PN结正偏时，反偏时，所以PN结具有导电性。 8、反向电流是由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压。 9、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。 10当温度升高时，三极管的等电极电流I，发射结压降UBE。 11、晶体三极管具有放大作用时，发射结，集电结。 12、漂移电流是电流，它由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压。 13-19（第二章） 13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。 15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。 16、电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量_______，使输出电阻__________。 17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。 18、晶闸管阳极和阴极间加__________，控制极加适当的__________，晶闸管才能导通。 19、在输入V2单相半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压为V RM，负载电压为V O。 20-26（第三章） 20、甲类功放的最大缺点是_______； 21、双极型三极管是控制器件，场效应管是控制器件；结型场效应管的栅源极之间必须加偏置电压，才能正常放大工作。