电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案

电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案
电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案

电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试

1.对于大注入下的直接辐射复合,非平衡载流子的寿命与(D )

A. 平衡载流子浓度成正比

B. 非平衡载流子浓度成正比

C. 平衡载流子浓度成反比

D. 非平衡载流子浓度成反比

2.有3个硅样品,其掺杂情况分别是:

甲.含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3

室温下,这些样品的电阻率由高到低的顺序是(C )

A.甲乙丙

B. 甲丙乙

C. 乙甲丙

D. 丙甲乙

3.题2中样品的电子迁移率由高到低的顺序是( B )

4.题2中费米能级由高到低的顺序是( C )

5. 欧姆接触是指( D )的金属一半导体接触

A. W

ms = 0 B. W

ms

< 0

C. W

ms

> 0 D. 阻值较小且具有对称而线性的伏安特性

6.有效复合中心的能级必靠近( A )

A.禁带中部

B.导带

C.价带

D.费米能级

7.当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时,其小注入下的少子寿命正比于(C )

A.1/n0

B.1/△n

C.1/p0

D.1/△p

8.半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A )

A.散射机构

B. 复合机构

C.杂质浓变梯度

D.表面复合速度

9.MOS 器件绝缘层中的可动电荷是( C )

A. 电子

B. 空穴

C. 钠离子

D. 硅离子

10.以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是( D )

A. Si

B. Ge

C. GaAs

D. GaN

二、解释并区别下列术语的物理意义(30 分,7+7+8+8,共4 题)

1. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量(7 分)

答:有效质量:由于半导体中载流子既受到外场力作用,又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用,使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后,可以很方便的解决电子的运动规律。(3分) 纵向有效质量、横向有效质量:由于k空间等能面是椭球面,有效质量各向异性,在回旋共振实验中,当磁感应强度相对晶轴有不同取向时,可以得到为数不等的吸收峰。我们引入纵向有效质量跟横向有效质量表示旋转椭球等能面纵向有效质量和横向有效质量。(4分)

2. 扩散长度、牵引长度与德拜长度(7 分)

答:扩散长度:指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离。由扩散系数

和材料非平衡载流子的寿命决定,即L =。(2分)

牵引长度:指的是非平衡载流子在电场ε作用下,在寿命时间内所漂移的距离,即L(ε) = εμ(2分)

德拜长度:它是徳拜在研究电解质表面极化层时提出的理论上的长度,用来描写正离子的电场所能影响到电子的最远距离。对于半导体,表面空间电荷层厚度随衬底掺杂浓度介电常数、表面电势等多种因素而改变,但其厚度的数量级用一个特称长度——德拜长度L

D

表示。(3分)

3. 费米能级、化学势与电子亲和能(8 分)

答:费米能级与化学势:费米能级表示等系统处于热平衡状态,也不对外做功的情况下,系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化,等于系统的化学势。处于热平衡的系统有统一的化学势。这时的化学势等于系统的费米能级。费米能级和温度、材料的导电类型杂质含量、能级零点选取有关。费米能级标志了电子填充能级水平。费米能级位置越高,说明较多的能量较高的量子态上有电子。随之温度升高,电子占据能量小于费米能级的量子态的几率下降,而电子占据能量大于费米能级的量子态的几率增大。(6分) 电子亲和能:表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需的的最小能量。(2分)

4. 复合中心、陷阱中心与等电子复合中心(8 分)

答:复合中心:半导体中的杂质和缺陷可以在禁带中形成一定的能级,这些能级具有收容部分非平衡载流子的作用,杂质能级的这种积累非平衡载流子的作用称为陷阱效应。把产生显著陷阱效应的杂质和缺陷称为陷阱中心。(4分)

等电子复合中心:在III- V族化合物半导体中掺入一定量与主原子等价的某种杂质原子,取代格点上的原子。由于杂质原子与主原子之间电性上的差别,中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心。带电中心吸引与被束缚载流子符号相反的载流子,形成一个激子束缚态。这种激子束缚态叫做等电子复合中心。(4分)

三、问答题(共20分,10+10,共二题)

1.如金属和一p型半导体形成金属-半导体接触,请简述在什么条件下,形成的哪两种不同电学特性的接触,说明半导体表面的能带情况,并画出对应的I-V曲线。(忽略表面态的影响)(10分)

答:在金属和p型半导体接触时,如金属的功函数为W m, 半导体的功函数为W s。

当W

m

<W s时,在半导体表面形成阻挡层接触,是个高阻区,能带向下弯曲;(3分)

当W

m >W s时,在半导体表面形成反阻挡层接触,是个高电导区,能带向上弯曲;(3分)

得分

对应的 I-V 曲线分别为:

(2分) (2分)

2.在一维情况下,描写非平衡态半导体中载流子(空穴)运动规律的连续方程为:

22p p p p p

E p p p p D E p g t x x x μμτ?????=---+????,请说明上述等式两边各个单项所代表的物理意义。(10分) 答:p t

??――在x 处,t 时刻单位时间、单位体积中空穴的增加数;(2分) 22p p D x

??――由于扩散,单位时间、单位体积中空穴的积累数;(2分) p p E p E

p x x

μμ??--??――由于漂移,单位时间、单位体积中空穴的积累数;(2分) p p τ?-――由于复合,单位时间、单位体积中空穴的消失数;(2分)

p g ――由于其他原因,单位时间、单位体积中空穴的产生数。(2分)

四、 计算题(共30分,15+15,共2题)

1、有一金属与n 型S i 单晶接触形成肖特基二极管,已知Wm=4.7eV ,Xs=4.0eV ,

Nc=1×1019cm -3,N D =1×1015cm -3,半导体的相对介电常数εr=12。若忽略表面态的影响,试计算在室温下:(ε0=8.85×10-14,q=1.6×10-19C )

① 半导体Si 的费米能级的位置;(3分)

②在零偏压时势垒高度与接触电势差;(4分)

③势垒宽度;(4分)

④在正偏压为0.2eV时热电子发射电流,设A*/A=2.1, A=120A/cm2. (4分)

解:(1)由N D=n0=N C可得:

E C-E F=K0T=0.026=0.17(eV)

(2)W S=X S+(E C-E F)=4.17(eV)

所以势垒高度:qV D=W m-W s=4.7-4.17=0.53(eV)

接触电势差:V D=0.53(eV)

(3)X d===2.6×10-5(cm)

(4)金属一边的势垒高度:q=qV D+E n=0.53+0.17=0.7(eV)

所以在V=0.2V时,

J=A*T2-1)

=2.1×120×3002-1)=8.4×10-2()

2.有一金属板与n型Si相距0.4μm,构成平行版电容器,其间的干燥空气的相对介电常数

εra=1,当金属端加负电压时,半导体处于耗尽状态。如图所示。N D=1016cm-3。

(15分)

①求耗尽层内电势的分布V(x);(7分)

②当Vs=0.4V时的耗尽层宽度X d和最大耗尽宽度X dm的表达式;(8分)

解:(1)根据耗尽层近似,空间电荷区的电荷密度为ρ(x)=qN D,故泊松方程可写为:

(1)

因半导体内电场强度为零,并假设体内电势为零,则右边界条件

ε(x)∣x-x

= -∣x = x d = 0 (2)

d

V∣

= 0 (3)

X=Xd

则由式(1)与(2)、(3)得

=(x d-x)

V(x)=

当x=0时,即为表面势Vs,即

V

=

s

(2)耗尽层宽度X d为

X d===2.3×10-5(cm) = 23(μm)

最大耗尽层宽度时的表面势V sm=2V B,即

V

==2×0.26×=0.697(V)

sm

X dm== 3.04×10-5(cm) = 30.4(μm)

半导体物理试卷b答案

一、名词解释(本大题共5题每题4分,共20分) 1. 直接复合:导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带,与价带中的空穴复合,这样的复合过程称为直接复合。 2.本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体称为本征半导体,它的电子和空穴数量相同。 3.简并半导体:半导体中电子分布不符合波尔兹满分布的半导 体称为简并半导体。 过剩载流子:在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下,半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴,超过热平衡浓度的电子△0和空穴△0称为过剩载流子。 4. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量 答:有效质量:由于半导体中载流子既受到外场力作用,又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用,使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后,可以很方便的解决电子的运动规律。 5. 等电子复合中心 等电子复合中心:在 V族化合物半导体中掺入一定量与主原子等价的某种杂质原子,取代格点上的原子。由于杂质原子与主原子之间电性上的差别,中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心。带电中心吸引与被束缚载流子符号相反的载流子,形成一个激子束缚态。这种激子束缚态叫做等电子复合中心。二、选择题(本大题共5题每题3分,共15分)

1.对于大注入下的直接辐射复合,非平衡载流子的寿命与(D ) A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2.有3个硅样品,其掺杂情况分别是: 甲.含铝1×10-153乙.含硼和磷各1×10-173丙.含镓1×10-173 室温下,这些样品的电子迁移率由高到低的顺序是(C )甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙D. 丙甲乙 3.有效复合中心的能级必靠近( A ) A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级 4.当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时,其小注入下的少子寿命正比于(C ) A.10 B.1/△n C.10 D.1/△p 5.半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A ) A.散射机构 B. 复合机构 C.杂质浓变梯度 D.表面复合速度 6.以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是( D )

(完整版)初三化学下学期期末考试试卷及答案

初三第二学期化学中考模拟试卷 相对原子质量:H—1 C—12 O—16 Ca—40 一、单项选择题(共20分) 27.生活中的以下物质不属于溶液的是()。 A.牛奶B.消毒酒精C.白醋D.蔗糖水 28.下列关于氢气的用途中,只利用了氢气的物理性质的是()。 A.充填探空气球B.作氢能源 C.作火箭燃料D.冶炼金属 29.在公共场所吸烟,会使周围的人被动吸“二手烟”。“二手烟”中含有一种能与人体血液中血红蛋白结合的有毒气体,该气体是()。 A.N2B.O2C.CO2D.CO 30.日常生活中加碘食盐中的“碘”是指()。 A.元素B.分子C.原子D.单质 31.下列物质中属于纯净物的是()。 A.雨水B.蒸馏水C.汽水D.自来水 32.走进新装修的房屋常有一股异味,利用有关分子的性质解释该现象,最合理的是()。 A.分子的质量很小B.分子在不断运动 C.分子间有间隙D.分子的体积很小 33.下面是几种农作物生长时对土壤要求的最佳pH范围:茶5—5.5;西瓜6;大豆6—7; 甜菜7—7.5。如果某地区经常下酸雨,以上农作物最不适宜种植的是()。 A.茶B.西瓜C.大豆D.甜菜 34.下列物质互为同素异形体的是()。 A.一氧化碳、二氧化碳B.白磷、红磷 C.冰、水D.天然气、甲烷 35.欲将20℃时的硝酸钠不饱和溶液转变为饱和溶液,可以采取的方法是()。 A.升高温度B.加入水 C.加入固体硝酸钠D.倒掉一半溶液 36.下列各组物质或其主要成分属于同一种物质的是()。 A.氢氧化铁、铁锈B.石灰石、生石灰 C.熟石灰、氢氧化钙D.纯碱、烧碱 37.某无色溶液能使紫色石蕊试液变蓝,则该溶液能使无色酚酞试液变()。 A.蓝色B.红色C.紫色D.无色 38.我国最新研制的高温超导材料氮化硼,经测定该化合物中两种元素的化合价之比为1:1,

半导体物理试卷b答案

半导体物理试卷b答案 Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-NNUUT-NUT108】

一、名词解释(本大题共5题每题4分,共20分) 1. 直接复合:导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带,与价带中的空穴复合,这样的复合过程称为直接复合。 2.本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体称为本征半导体,它的电子和空穴数量相同。 3.简并半导体:半导体中电子分布不符合波尔兹满分布的半导体称为简并半导体。 过剩载流子:在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下,半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴,超过热平衡浓度的电子△n=n-n 和空穴 称为过剩载流子。 △p=p-p 4. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量 答:有效质量:由于半导体中载流子既受到外场力作用,又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用,使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后,可以很方便的解决电子的运动规律。 5. 等电子复合中心 等电子复合中心:在III- V族化合物半导体中掺入一定量与主原子等价的某种杂质原子,取代格点上的原子。由于杂质原子与主原子之间电性上的差别,中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心。带电中心吸引与被束缚载流子符号相反的载流子,形成一个激子束缚态。这种激子束缚态叫做等电子复合中心。 二、选择题(本大题共5题每题3分,共15分) 1.对于大注入下的直接辐射复合,非平衡载流子的寿命与(D ) A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比2.有3个硅样品,其掺杂情况分别是: 甲.含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3室温下,这些样品的电子迁移率由高到低的顺序是(C ) 甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙

生物化学期末考试试题及答案-2汇总

《生物化学》期末考试题A 1、蛋白质溶液稳定的主要因素是蛋白质分子表面形成水化膜,并在偏离等电点时带有相同电荷 2、糖类化合物都具有还原性() 3、动物脂肪的熔点高在室温时为固体,是因为它含有的不饱和脂肪酸比植物油多。() 4、维持蛋白质二级结构的主要副键是二硫键。() 5、ATP含有3个高能磷酸键。() 6、非竞争性抑制作用时,抑制剂与酶结合则影响底物与酶的结合。() 7、儿童经常晒太阳可促进维生素D的吸收,预防佝偻病。() 8、氰化物对人体的毒害作用是由于它具有解偶联作用。() 9、血糖基本来源靠食物提供。() 10、脂肪酸氧化称B -氧化。() 11、肝细胞中合成尿素的部位是线粒体。() 12、构成RN A的碱基有A、U、G、T。() 13、胆红素经肝脏与葡萄糖醛酸结合后水溶性增强。() 14、胆汁酸过多可反馈抑制7a -羟化酶。() 15、脂溶性较强的一类激素是通过与胞液或胞核中受体的结合将激素信号传递发挥其生物() 、单选题(每小题1分,共20分) 二、单选题(每小题1分,共20分) 1、下列哪个化合物是糖单位间以a -1,4糖苷键相连:() A、麦芽糖 B、蔗糖 C、乳糖 D、纤维素 E、香菇多糖 2、下列何物是体内贮能的主要形式() A、硬酯酸 B、胆固醇 C、胆酸 D、醛固酮 E、脂酰甘油 3、蛋白质的基本结构单位是下列哪个:( ) A、多肽 B、二肽 C、L- a氨基酸 D、L- 3 -氨基酸 E、以上都不是 4、酶与一般催化剂相比所具有的特点是( ) A、能加速化学反应速度 B、能缩短反应达到平衡所需的时间 C、具有高度的专一性 D、反应前后质和量无改 E、对正、逆反应都有催化作用 5、通过翻译过程生成的产物是:() A、t RNA E、m RNA C、r RNA D、多肽链E、DNA 6、物质脱下的氢经NADH呼吸链氧化为水时,每消耗1/2分子氧可生产ATP分子数量() A、1 E、2 C、3 D、4. E、5 7、糖原分子中由一个葡萄糖经糖酵解氧化分解可净生成多少分子ATP ? () A、1 B、2 C、3 D、4 E、5 8、下列哪个过程主要在线粒体进行() A、脂肪酸合成 B、胆固醇合成 C、磷脂合成

六年级数学下册半期试卷及答案

六年级数学下册期中测试卷 (时限:90分钟 总分:100分) 一、填空(23分) 1.68.05%读作( ),百分之三点五写作( )。 2.( )÷8= 38 =24∶( )=( )%=( )(填小数)。 3.在一个比例中,两个外项的积是12,其中一个内项是23 ,另一个内项是( )。 4.把一个棱长3cm 的正方体木料削成一个最大的圆锥,这个圆锥的体积是( )。 5.在0.955、2425 、9.5%、0.95这四个数中,最小的数是( )。 6. 在2、3、4、6、9中选四个数写出一个比例:( )。 7.如果a ∶5=b ∶8(a,b 均不为零),那么a ∶b=( ),如果a ∶6=5∶3,那么a=( )。 8.乐乐把2000元钱存入银行,定期2年,年利率为3.75%,到期时她可得到本金和利息共( )元。 9.60吨比( )吨少14 ,比36kg 多1 3 是( )kg 。 10.如果y =15x ,x 和y 成( )比例;如果y = 15 ,x 和y 成( )比例。 11.六年级一班有50人参加数学考试,结果2人不达标,达标率是( )%。 12.一种商品,每件成本是500元,如果按获利20%定价,再打八折出售,每件亏损( )元。 13.一个底面直径和高都是6cm 的圆锥,它的体积是( )cm 3 ,比与它等底等高的圆柱的体积少( )cm 3 。 14.一个圆柱形木块的高度是8cm ,沿底面直径从中间切开,表面积增加了96cm 2 ,则原来圆柱的表面积是( )cm 2 ,体积是( )cm 3 。 二、判断(正确的在括号里打“√”,错误的打“×”)。(5分) 1.0.5米布用百分数表示是50%米。( ) 2.12 ∶1 3 和9∶6这两个比可以组成比例。( ) 3.圆柱的体积是圆锥体积的3倍。( ) 4.圆柱的底面半径扩大到原来的3倍,高缩小到原来的13 , 体积不变。( ) 5.实际距离一定,图上距离和比例尺成反比例。( ) 三、选择(将正确答案的番号填在括号里)。(5分) 1.甲数比乙数少20%,甲数与乙数的比是( )。 A .4∶5 B .5∶4 C .1∶8 D .8∶1 2.一个圆柱和一个圆锥的体积和底面积都相等,已知圆柱的高是6cm ,则圆锥的高是( )。 A .2cm B .3cm C .6cm D .18cm 3.下面各项中成反比例关系的是( )。 A .工作总量一定,工作时间和工作效率 B .正方形的边长和面积 C .长方形的周长一定,长和宽 D .三角形的高一定,底和面积 4.一个圆柱侧面展开后是正方形,这个圆柱的底面半径与高的 比为( )。 A .π∶1 B .1∶1 C .1∶2π D .2π∶1 5.下面( )中的四个数不能组成比例。 A .16,8,12, 6 B .8,3,12,42 C .14,2,13 ,7 3 D .0.6,1.5,20,50 四、计算(30分) 1. 直接写出得数。(3分) 27 × 58 = 18 ÷ 3 4 = 3.25+65%= 1-63%= 45÷45% = 35 × 62.5% = 2.计算,能简算的要简算。(9分) 24×( 62 . 5%+ 112 ) 1-( 512 + 56 )×30% 37 . 5% × 512 + 38 ×712 3.解方程。(9分) (1-15%)x = 34 18+30% x = 27 x -25% x =24 4.解比例。(9分) 34 ∶910 = x ∶35 x ∶0.8=0.25∶23 15 2.5 = 0.6 x x

半导体物理期末试卷(含部分答案

一、填空题 1.纯净半导体Si 中掺错误!未找到引用源。族元素的杂质,当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质;相应的半导体称 N 型半导体。 2.当半导体中载流子浓度的分布不均匀时,载流子将做 扩散 运动;在半导体存在外加电压情况下,载流子将做 漂移 运动。 3.n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态,当半导体掺入的杂质含量改变时,乘积n o p o 改变否? 不变 ;当温度变化时,n o p o 改变否? 改变 。 4.非平衡载流子通过 复合作用 而消失, 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ,寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关,对于强p 型和 强n 型材料,小注入时寿命τn 为 ,寿命τp 为 . 5. 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量, 扩散系数 是反映有浓度梯度时载 q n n 0=μ ,称为 爱因斯坦 关系式。 6.半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用,后者在 温度高 下起主要作用。 7.半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ;深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。 8、有3个硅样品,其掺杂情况分别是:甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下,这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。 9.对n 型半导体,如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准,那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件; T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件; 0≤-F C E E 为简并条件。 10.当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时,反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ,其种类为: 雪崩击穿 、和 齐纳击穿(或隧道击穿) 。 11.指出下图各表示的是什么类型半导体? 12. 以长声学波为主要散射机构时,电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 载流子的浓度梯度 。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是 电子不再完全局限在某一个原子上,而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点,因而电子可以在整个晶体中运动 。 二、选择题 1根据费米分布函数,电子占据(E F +kT )能级的几率 B 。 A .等于空穴占据(E F +kT )能级的几率 B .等于空穴占据(E F -kT )能级的几率 C .大于电子占据E F 的几率 D .大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C .价带顶 D .费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体,费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C .经过一极小值趋近E i D .经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零,则该半导体必定_D _。 A .不含施主杂质 B .不含受主杂质 C .不含任何杂质 D .处于绝对零度

物理化学期末考试试卷及答案10

期末试卷 课程名称: 物理化学A 考试时间: 120 分钟 考试方式: 闭卷 (开卷/闭卷) (卷面总分100分,占总成绩的 60 %) 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分 题分 10 20 8 10 10 10 20 12 核分人 得分 复查人 一、填空题(每小题2分,共10分) 1、实际气体的0???? ????=-H T J P T μ,经节流膨胀后该气体的温度将 。 2、从熵的物理意义上看,它是量度系统 的函数。 3、稀溶液中溶剂A 的化学势 。 4、在ξ-G 曲线的最低点处m r G ? ,此点即为系统的平衡点。 5、一定温度下,蔗糖水溶液与纯水达到渗透平衡时的自由度数等于 。 二、单项选择题(每小题2分,共20分) 1、在标准状态下,反应 C 2H 5OH (l )+ 3O 2(g) →2CO 2(g) + 3H 2O(g)的反应焓为 Δr H m Θ , ΔC p >0。下列说法中正确的是( ) (A)Δr H m Θ 是C 2H 5OH (l )的标准摩尔燃烧焓 (B)Δr H m Θ 〈0 (C)Δr H m Θ=Δr Um 0 (D)Δr H m Θ 不随温度变化而变化 2、当理想气体其温度由298K 升高到348K ,经(1)绝热过程和(2)等压过程,则两过 程的( ) (A)△H 1>△H 2 W 1W 2 (C)△H 1=△H 2 W 1W 2 3、对于理想气体的等温压缩过程,(1)Q =W (2)ΔU =ΔH (3)ΔS =0 (4)ΔS<0 (5)ΔS>0上述五个关系式中,不正确的是( ) (A) (1) (2) (B) (2) (4) (C) (1) (4) (D) (3) (5) 4、某过冷液体凝结成同温度的固体,则该过程中 ( ) (A) ΔS (环)<0 (B)ΔS (系)>0 (C)[ΔS (系)+ΔS (环)<0 (D)[ΔS (系)+ΔS (环)>0 5、已知水的两种状态A(373K ,101.3kPa ,g),B(373K ,101.3kPa ,l),则正确的 关系为( ) (A) μA =μB (B) μA >μB (C) μA <μB (D)两者不能比较 6、偏摩尔量集合公式∑== k 1 B B B n X X 的适用条件是 ( ) (A) 等温,等容各物质的量不变 (B) 等压,等熵各物质的浓度发生微小改变 (C) 等温,等容各物质的比例为定值 (D) 等温,等压各物质浓度不变 7、当产物的化学势之和等于反应物的化学势之和时,一定是 ( ) (A)Δr G m (ξ)<0 (B)(?G /?ξ)T ,p <0 (C)(?G /?ξ)T ,p >0 (D)(?G /?ξ)T ,p =0 8、放热反应 2NO(g)+O 2(g)→2NO 2(g) 达平衡后若分别采取以下措施⑴增加压力;⑵减小NO 2的分压;⑶增加O 2的分压;⑷升高温度;⑸加入催化剂,能使平衡向产物方向移动的是( ) (A) ⑴ ⑵ ⑶ (B) ⑷ ⑸ (C) ⑴ ⑶ ⑷ (D) ⑴ ⑷ ⑸ 9、已知纯A 和纯B 的饱和蒸气压p A *

0 ΔA>0 (B)ΔS>0 ΔA<0 (C)W<0 ΔG<0 (D)ΔH>0 ΔS<0 (E)ΔU>0 ΔG =0 得分 评卷人 得分 评卷人 得分 评卷人 得分 评卷人 准考证号和姓名必 须由考生本人填写 △△△△△△△ △△△△△△△ 该考场是 课混 考场。 混编考场代号: 考 座准 考 证 号 姓 名 ○ ○ ○ ○ ○ (装 订 线 内 不 要 答 题 ) ○ ○ ○ ○ ○ ○ △△△△△△△ △△△△△△△ 准考证号、 姓名、 学 院和专业必须由考生 本人填写 △△△△△△△ △ △△△△△△ 场 代 号: △△△△△△△△△△△△△△ 座位序号由考生本人填写 位 序 号 △△△△△△△ △△△△△△△ 姓 名 学 号 ○ ○ ○ ○ ○ (装 订 线 内 不 要 答 题 ) ○ ○ ○ ○ ○ ○ 学院 专业

二年级数学上半期测试题及答案

6 ③3 姓名 1、 2、 3、 4、 5、 7、 8、 2013—2014学年度二年级第一学期 数学期中试卷(西师版) 评分 班级 、想一想,我会填。(31分) 一个角有()个顶点,()条边。 一个因数是5,另一个因数是9,积是() 一条红领巾有( 6乘5列式为( 5个3相加的和是( )个角。 ), 5+5+5+5改写成乘法算式是 在O 里填上“ 7X 808X 7 6X 5+7035 数学书的封面有( 5与3的和是( )个直角。 或( ),口诀是 V ” “>”。 O 3X 3 5+6 X 5+505X 5 7 O 5X 6 X 806X 9 (1) 5X 8+8=( (2) 8+8+4+4= 9.() 里最大能填几? ( )X 8v 60 46 >( ) X 9 ( 、我会算。 4X 6 = 9X 7 = (10 分) 70-3 8 46+27 7 X 7 = 94-38 = 7+55 = 3X 1 = 5 X 6= 5 9X 6= 7 X 3= 4 4X 6+6= 7 X 9+7= 5 三、我能选正确的答案的序号(5分) 1、 一个三角板上有( ) ①1 ②2 2、 右图中有()个角, 个直角。 其中有( X 5 = X 9 = X 9-6 = X 2 = X 3 = X 5-3 = 3.21连续减( )次3, ①7 ②8 4.小明拿了两张5元和1张2元去超市想买一个文具盒,超市阿姨说: 一元就行了。”你知道文具盒要( )元。 ①11 ②12 5. 8只青蛙有( )条腿 ①16 ②32 才能得到 0。 ③9 “还 差 ③13 ③48 四、判断。(对的打“/,错的打“X” ,6 分) 角的边长越长,角就越大。 1. 2. 3. 4. 5. 6. 4和3相乘,可以写作4X 3,读作3乘4,可以用口诀三四十二计算。 两个数相乘,积一定比这两个数的和小。 直角一定比锐角 大。 三角板中最多有一个直角。 计算6X 3和3X 6可以用同一句口诀口 算。 五、按要求画一画。 1、用;表示下面的乘法算式。(6 分) 3 5X 4

半导体物理学期末复习试题及答案一

1.与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量 ( B )。 A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2.受主杂质电离后向半导体提供( B ),施主杂质电离后向半 导体提供( C ),本征激发向半导体提供( A )。 A. 电子和空穴 B.空穴 C. 电子 3.对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费 米能级会( B )。 A.上移 B.下移 C.不变 4.在热平衡状态时,P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为 常数,它和( B )有关 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 5.MIS结构发生多子积累时,表面的导电类型与体材料的类型 ( B )。 A.相同 B.不同 C.无关 6.空穴是( B )。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 7.砷化稼的能带结构是( A )能隙结构。 A. 直接 B.间接 8.将Si掺杂入GaAs中,若Si取代Ga则起( A )杂质作

用,若Si 取代As 则起( B )杂质作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心 9. 在热力学温度零度时,能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为 ( D ),当温度大于热力学温度零度时,能量比F E 小的 量子态被电子占据的概率为( A )。 A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 10. 如图所示的P 型半导体MIS 结构 的C-V 特性图中,AB 段代表 ( A ),CD 段代表(B )。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 11. P 型半导体发生强反型的条件( B )。 A. ???? ??=i A S n N q T k V ln 0 B. ??? ? ??≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??=i D S n N q T k V ln 0 D. ??? ? ??≥i D S n N q T k V ln 20 12. 金属和半导体接触分为:( B )。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 13. 一块半导体材料,光照在材料中会产生非平衡载流子,若光照

生物化学期末考试试题及答案_

《生物化学》期末考试题 A 一、判断题(15个小题,每题1分,共15分) 同电荷 2、糖类化合物都具有还原性 ( ) 3、动物脂肪的熔点高在室温时为固体,是因为它含有的不饱和脂肪酸比植物油多。( ) 4、维持蛋白质二级结构的主要副键是二硫键。 ( ) 5、ATP含有3个高能磷酸键。 ( ) 6、非竞争性抑制作用时,抑制剂与酶结合则影响底物与酶的结合。 ( ) 7、儿童经常晒太阳可促进维生素D的吸收,预防佝偻病。 ( ) 8、氰化物对人体的毒害作用是由于它具有解偶联作用。 ( ) 9、血糖基本来源靠食物提供。 ( ) 10、脂肪酸氧化称β-氧化。 ( ) 11、肝细胞中合成尿素的部位是线粒体。 ( ) 12、构成RNA的碱基有A、U、G、T。 ( ) 13、胆红素经肝脏与葡萄糖醛酸结合后水溶性增强。 ( ) 14、胆汁酸过多可反馈抑制7α-羟化酶。 ( ) 15、脂溶性较强的一类激素是通过与胞液或胞核中受体的结合将激素信号传递发挥其生物() ( )

A、麦芽糖 B、蔗糖 C、乳糖 D、纤维素 E、香菇多糖 2、下列何物是体内贮能的主要形式 ( ) A、硬酯酸 B、胆固醇 C、胆酸 D、醛固酮 E、脂酰甘油 3、蛋白质的基本结构单位是下列哪个: ( ) A、多肽 B、二肽 C、L-α氨基酸 D、L-β-氨基酸 E、以上都不是 4、酶与一般催化剂相比所具有的特点是 ( ) A、能加速化学反应速度 B、能缩短反应达到平衡所需的时间 C、具有高度的专一性 D、反应前后质和量无改 E、对正、逆反应都有催化作用 5、通过翻译过程生成的产物是: ( ) A、tRNA B、mRNA C、rRNA D、多肽链E、DNA 6、物质脱下的氢经NADH呼吸链氧化为水时,每消耗1/2分子氧可生产ATP分子数量( ) A、1B、2 C、3 D、4. E、5 7、糖原分子中由一个葡萄糖经糖酵解氧化分解可净生成多少分子ATP? ( ) A、1 B、2 C、3 D、4 E、5 8、下列哪个过程主要在线粒体进行 ( ) A、脂肪酸合成 B、胆固醇合成 C、磷脂合成 D、甘油分解 E、脂肪酸β-氧化 9、酮体生成的限速酶是 ( ) A、HMG-CoA还原酶 B、HMG-CoA裂解酶 C、HMG-CoA合成酶 D、磷解酶 E、β-羟丁酸脱氢酶 10、有关G-蛋白的概念错误的是 ( ) A、能结合GDP和GTP B、由α、β、γ三亚基组成 C、亚基聚合时具有活性 D、可被激素受体复合物激活 E、有潜在的GTP活性 11、鸟氨酸循环中,合成尿素的第二个氮原子来自 ( ) A、氨基甲酰磷酸 B、NH3 C、天冬氨酸 D、天冬酰胺 E、谷氨酰胺 12、下列哪步反应障碍可致苯丙酮酸尿症 ( ) A、多巴→黑色素 B、苯丙氨酸→酪氨酸 C、苯丙氨酸→苯丙酮酸 D、色氨酸→5羟色胺 E、酪氨酸→尿黑酸 13、胆固醇合成限速酶是: ( ) A、HMG-CoA合成酶 B、HMG-CoA还原酶 C、HMG-CoA裂解酶

高一上半期数学试题含答案

高一上期半期考试数学试卷 一、选择题: 1.已知集合M ={x |x <3},N ={x |22x >},则M ∩N = ( ) A .? B .{x |0<x <3} C .{x |1<x <3} D .{x |2<x <3} 2. 有五个关系式:①?≠ ?}0{;②}0{=?;③?=0;④}0{0∈;⑤ ?∈0 其中正确的有 ( ) A.1个. B.2个. C.3个. D.4个. 3.下列各组函数中表示同一函数的是( ) A .()f x x = 与()()2 g x x = B .()f x x = 与()3 3g x x = C .()f x x x = 与()()()2200x x g x x x ? >?=?- > B.c b a >> C.b a c >> D.a c b >> 6.下列函数为偶函数且在[)+∞,0上为增函数的是( ) A .y x = B .2y x = C .2x y = D .2x y -= 7.已知函数???>-≤=2 ),1(log 2 ,2)(2x x x x f x ,则))5((f f 的值为( ) A .1 B .2 C .3 D .4 8. 下 列 函 数 中 值 域 为 ) ,0(+∞的是 ( ) A. y =-5x B.y =(31 )1-x C.y =1)2 1(-x D.y =x 21- 9.若)(x f 是偶函数,其定义域为()+∞∞-,,且在[)+∞,0上是减函数,则 )2 5 2()23(2++-a a f f 与的大小关系是( ) O x y O x y O x y O x y A B C D

2009半导体物理试卷-B卷答案

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 B 卷 ( 120分钟) 考试形式: 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日 课程成绩构成:平时 10 分, 期中 5 分, 实验 15 分, 期末 70 分 一、填空题: (共16分,每空1 分) 1. 简并半导体一般是 重 掺杂半导体,忽略。 2. 处在饱和电离区的N 型Si 半导体在温度升高后,电子迁移率会 下降/减小 ,电阻 3. 4. 随温度的增加,P 型半导体的霍尔系数的符号 由正变为负 。 5. 在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,它们具有 杂质补偿 的作用,在制 造各种半导体器件时,往往利用这种作用改变半导体的导电性能。 6. ZnO 是一种宽禁带半导体,真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位,存在 氧空位的ZnO 半导体为 N/电子 型半导体。 7. 相对Si 而言,InSb 是制作霍尔器件的较好材料,是因为其电子迁移率较 高/ 8. 掺金工艺通常用于制造高频器件。金掺入半导体Si 中是一种 深能级 9. 有效质量 概括了晶体内部势场对载流子的作用,可通过回旋共振实验来测量。 10. 某N 型Si 半导体的功函数W S 是4.3eV ,金属Al 的功函数W m 是4.2 eV , 该半导

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 体和金属接触时的界面将会形成 反阻挡层接触/欧姆接触 。 11. 有效复合中心的能级位置靠近 禁带中心能级/本征费米能级/E i 。 12. MIS 结构中半导体表面处于临界强反型时,表面少子浓度等于内部多子浓度,表面 13. 金属和n 型半导体接触形成肖特基势垒,若外加正向偏压于金属,则半导体表面电 二、选择题(共15分,每题1 分) 1. 如果对半导体进行重掺杂,会出现的现象是 D 。 A. 禁带变宽 B. 少子迁移率增大 C. 多子浓度减小 D. 简并化 2. 已知室温下Si 的本征载流子浓度为310105.1-?=cm n i 。处于稳态的某掺杂Si 半导体 中电子浓度315105.1-?=cm n ,空穴浓度为312105.1-?=cm p ,则该半导体 A 。 A. 存在小注入的非平衡载流子 B. 存在大注入的非平衡载流子 C. 处于热平衡态 D. 是简并半导体 3. 下面说法错误的是 D 。 A. 若半导体导带中发现电子的几率为0,则该半导体必定处于绝对零度 B. 计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计 C. 处于低温弱电离区的半导体,其迁移率和电导率都随温度升高而增大 D. 半导体中,导带电子都处于导带底E c 能级位置 4. 下面说法正确的是 D 。 A. 空穴是一种真实存在的微观粒子 B. MIS 结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联 C. 稳态和热平衡态的物理含义是一样的

新物理化学下学期期末考试试卷A卷及其答案详解

新乡学院2009―2010学年度第一学期 《物理化学》期末试卷A 卷 课程归属部门:化学与化工学院 试卷适用范围: 级化学工程与工艺 班 .吉布斯吸附等温式 ( ),若一溶质加入纯水中后使表面张力降低,则该溶质在溶液表面发生( 正 )吸附。 .不论是电解池或是原电池,极化的结果都是使阳极电势( 更高),阴极电势( 更低 )。 . 的 水溶液,若 ,则平均离子活度 。 .常见的亚稳态有四种,它们分别是(过冷液体),(过热液体 ),(过饱和蒸气),( 过饱和溶液 )。 .在下图中画出 和 。 .振动配分函数计算公式引入的k h V ν =Θ 的量纲为( 或者温度 )。 .由玻尔兹曼公式可知,任意两个能级的玻兹曼因子之比,等于(该两能级分配的粒 子数之比 )。 合成氨反应 ( ) ( )→ ( )若反应在恒容条件下进行时,则其反应速率可表示为Υ ( 2H dc dt -; )或Υ ( 3NH dc dt ),两者之间的关系为( 2H dc dt - : 3NH dc dt : )。 碰撞理论的临界能C E 与Arrhenius 活化能a E 的关系为( a E C E 12RT ) 在( )的条件下,可以认为a E 与温度无关。 憎液溶胶在热力学上是不稳定的,它能相对稳定存在的原因是( 胶体粒子带电 ); ( 溶剂化作用)和( 布朗运动)。 .原电池在恒温、恒 压可逆放电, 与 的大小关系为 ( ) 。 > < 无法判断 .下列原电池中,其电池电动势与氯离子的活度无关的是( ) .一定体积的水,当聚成一个大水球或分散成许多水滴时,相同温度下,两种状态相比,以下性质保持不变的是( ) 表面吉布斯函数 表面张力 比表面 液面下的附加压力 .玻尔兹曼分布, 只适用于定域子系统; 只适用于离域子系统; 只适用于独立子系统; 只适用于相依子系统。 .酸碱催化的主要特征是( ) 反应中有酸的存在 反应中有碱的存在 反应中有电解质存在 反应中有质子的转移 某反应,当反应物反应掉 / 所需时间是它反应掉 / 所需时间的 倍时,该反应是( ) 一级反应 二级反应 三级反应 零级反应 反应 1k ?? → ① 2k ??→ ② 。已知反应①的活化能1E 大于反应②的活化能2E 以下措施中哪一种不能改变获得 和 的比例。( ) 提高反应温度 延长反应时间 加入适当的催化剂 降低反应温度 如果臭氧分解反应 3O → 2O 的机理是 3O 1 k ??→ 2O O ? O ? 3O 2 k ?? → 2O 请指出此反应对臭氧而言可能是( ) 一级反应 二级反应 级反应 零级反应 一、填空题(每小题 分,共 分) 二、选择题(每题 分,共 分) 院系 班 级 姓名 学号 (/)(/)T c RT c γΓ=-??

五年级语文上册半期考试试题及答案

2013-2014学年度第一学期期中测试题 一、看拼音写词语。(8分) zh ī ch ēng t ān l án y ú l è ān rán wú yànɡ ( )( ) ( ) ( ) b èi s òng c í xi áng di ǎn zhu ì óu du àn s ī li án ( ) ( ) ( ) ( ) 二、选择,在正确读音后面的打“√”。(6分) 盛饭(ch éng sh èng ) 娱乐(y ú w ú) 誊写(t éng y ǔ) 血液(xu è xi ě) 稀罕(h ǎn han ) 弯曲(q ū q ǖ) 三、把四个字的词语补充完整。(8分) ( )立地 呕心( ) ( )大物 浮想( ) 别出( ) 赞不( ) 喜出( ) ( )吞枣 四、选择题,选字填空。(8分) 1. 静 竞 境 ( )悄悄 环( ) ( )赛 ( )争 2. 帐 仗 丈 杖 拐( ) ( ) 单 ( )夫 打( ) 五、选择合适的词语填空。(5分) 爱护 爱惜 珍惜 1.他从小养成了( )公物的好习惯。 2.放学后他急匆匆地从学校赶回家,就开始做作业,他是多么的( )时间啊! ………………………………装…………………………………订………………………………线……………………………………

3.粮食是宝中宝,大家都要()粮食。 喜欢喜悦 4.看着丰收的庄稼,农民伯伯脸上露出了()的神情。 5.在我上小学的时候,我最()在校园的草地上背书。” 六、按照课文把下列句子补充完整。(8分) 1.书犹药也, 。 2.黑发不知勤学早, 。 3.落叶他乡树,。 4.,欲作家书意万重。 七、按要求改写句子。(8分) 1.面对敌人的威胁,我们不能束手就擒。(改为反问句) 2.他已经远走他乡,每年都很少回家几次。(修改病句) 3.在战场上,战士们与敌人展开视死如归的斗争。(缩写句子) 4.为了让生病的母亲安心治疗,我不得不放弃学业,外出打工。(改为肯定句) 八、根据课文内容填空并回答问题。(7分) 京口瓜洲一水间,钟山只隔数重山。

电子科技大学半导体物理期末考试试卷B试题答案

电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 B 卷 ( 120分钟) 考试形式: 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日 课程成绩构成:平时 10 分, 期中 5 分, 实验 15 分, 期末 70 分 一、填空题: (共16分,每空1 分) 1. 简并半导体一般是 重 掺杂半导体,忽略。 3. 5. 在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,它们具有 杂质补偿 的作用,在制 造各种半导体器件时,往往利用这种作用改变半导体的导电性能。 6. ZnO 是一种宽禁带半导体,真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位,存在 氧空位的ZnO 半导体为 N/电子 型半导体。 9. 有效质量 概括了晶体内部势场对载流子的作用,可通过回旋共振实验来测量。 10. 某N 型Si 半导体的功函数W S 是4.3eV ,金属Al 的功函数W m 是4.2 eV , 该半导体

和金属接触时的界面将会形成 反阻挡层接触/欧姆接触 。 11. 有效复合中心的能级位置靠近 禁带中心能级/本征费米能级/E i 。 12. MIS 结构中半导体表面处于临界强反型时,表面少子浓度等于内部多子浓度,表面 13. 金属和n 型半导体接触形成肖特基势垒,若外加正向偏压于金属,则半导体表面电 二、选择题(共15分,每题1 分) 1. 如果对半导体进行重掺杂,会出现的现象是 D 。 A. 禁带变宽 B. 少子迁移率增大 C. 多子浓度减小 D. 简并化 2. 已知室温下Si 的本征载流子浓度为310105.1-?=cm n i 。处于稳态的某掺杂Si 半导体 中电子浓度315105.1-?=cm n ,空穴浓度为312105.1-?=cm p ,则该半导体 A 。 A. 存在小注入的非平衡载流子 B. 存在大注入的非平衡载流子 C. 处于热平衡态 D. 是简并半导体 3. 下面说法错误的是 D 。 A. 若半导体导带中发现电子的几率为0,则该半导体必定处于绝对零度 B. 计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计 C. 处于低温弱电离区的半导体,其迁移率和电导率都随温度升高而增大 D. 半导体中,导带电子都处于导带底E c 能级位置 4. 下面说法正确的是 D 。 A. 空穴是一种真实存在的微观粒子 B. MIS 结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联 C. 稳态和热平衡态的物理含义是一样的 D. 同一种半导体材料中,电子迁移率比空穴迁移率高 5. 空间实验室中失重状态下生长的GaAs 与地面生长的GaAs 相比,载流子迁移率要

物化A试卷答案

暨 南 大 学 考 试 试 卷 一、选择题(共25小题,每小题1分,总共25分;请将 正确的选项填入题后的括号内) 1. ΔH =Q p 适用于下列哪个过程? ( ) (A) 理想气体从107 Pa 反抗恒压105 Pa 膨胀到105 Pa (B) 101325 Pa 下电解CuSO 4 (C) 0 ℃、101325 Pa 下冰融化成水 (D) 气体从298 K 、101325 Pa 可逆变化到373 K 、101325 Pa 2. 某绝热封闭体系在接受了环境所作的功之后,温度 ( ) (A) 一定升高 (B) 一定降低 (C) 一定不变 (D) 随接受功多少而定 3. 将某理想气体从温度T 1加热到T 2,若此变化为非恒容途径,则其热力学能 的变化ΔU 应为何值? ( ) (A) ΔU = 0 (B) ΔU = C V (T 2-T 1) (C) ΔU 不存在 (D) ΔU 等于其他值

4. 理想气体混合过程中,下列体系的性质,不正确的是 ( ) (A) >0 (B) =0 =0 ((D) =0C)S H G U ???? 5. 理想气体可逆定温压缩过程中,错误的有 ( ) =0 (B ) =0 (C ) <0 (D ) =0(A )S U Q H ???体 6. 理想气体自状态p 1V 1T 1恒温膨胀至p 2V 2T 1。此过程的ΔA 与ΔG 有什么关系? ( ) (A) ΔA >ΔG (B) ΔA <ΔG (C) ΔA =ΔG (D) 无确定关系 7. 糖可以顺利溶解在水中,这说明固体糖的化学势与糖水中糖的化学势比较,高低如何? ( ) (A) 高 (B) 低 (C) 相等 (D) 不可比较 8. 比较如下两筒氮气化学势的大小(γ为逸度系数), 答案应为 ( ) (A) μ1> μ2 (B) μ1<μ2 (C) μ1=μ2 (D) 不能比较其相对大小 9. 关于偏摩尔量,下面的说法中正确的是 ( ) (A) 偏摩尔量的绝对值都可以求算 (B) 系统的容量性质才有偏摩尔量 (C) 同一系统的各个偏摩尔量之间彼此无关 (D) 没有热力学过程就没有偏摩尔量 10. 已知下列反应的平衡常数:H 2(g) + S(s) = H 2S(s) ① K 1 ; S(s) + O 2(g) = SO 2(g) ② K 2 。则反应 H 2(g) + SO 2(g) = O 2(g) + H 2S(g) 的平衡常数为 ( ) (A) K 1 + K 2 (B) K 1 - K 2 (C) K 1·K 2 (D) K 1/K 2

九年级(下)半期考试数学试卷附答案

九年级(下)半期考试数学试卷 (全卷共五个大题,满分150分,考试时间120分钟) 题 号 一 二 三 四 五 总 分 满 分 40 24 24 40 22 150 得 分 一、选择题:(本大题10个小题,每小题4分,共40分)在每个小题的下面,都给出了代号为A 、B 、C 、D 的四个答案,其中只有一个是正确的,请将正确答案的代号填在题后的括号中. 1.3的倒数是( ) A .3 B . 13 C .-3 D .13 - 2.4 2 2x x ?的结果是( ) A .8 2x B .6 2x C .6 x D .7 2x 3.如图,直线12//,l l 34l l 、分别与12l l 、相交,则α∠为 ( ) A .150° B .140° C .130° D .120° 4.下列事件是确定事件的是( ) A .阴天一定会下雨 B .黑暗中从5把不同的钥匙中随意摸出一把,用它打开了门 C .打开电视机,任选一个频道,屏幕上正在播放新闻联播 D .在学校操场上向上抛出的篮球一定会下落 5.如图,AB 是O 的直径,30,2,ABC OA ∠== 则BC 长为( ) A .2 B .23 C .4 D .3 6.分式方程 3211 x x =-+的解是( ) A .5x =- B .5x = C .3x =- D .3x = 7.右图是一个由相同小正方体搭成的几何体的俯视图,小正方形中的数字表示该位置上的小正方体的个数,则这个几何体的主视图是( ) 8.如图,房间地面的图案是用大小相同的黑、白正方形镶嵌而成. l 1 l 2 l 3 l 4 α (3题图) 70° 120° A B C O (5题图)

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