W掺杂SiO2介孔材料的制备与表征

W掺杂SiO2介孔材料的制备与表征

苏赵辉;陈启元;李洁;刘士军

【期刊名称】《物理化学学报》

【年(卷),期】2007(023)011

【摘要】以非离子表面活性剂三嵌段共聚物P123为模板剂、正硅酸乙酯(TEOS)为硅源、钨酸钠(Na2WO4·2H2O)为钨源,通过水热法一步合成了W掺杂的二氧化硅介孔材料W-SiO2,并通过XRD、HRTEM、EDX、FT-IR、N2吸附-脱附等表征手段,考察了随着W含量增加,W-SiO2介孔材料结构的变化规律以及钨物种在材料中的存在状态.结果表明,当WO3含量w(WO3)约为10%时,W-SiO2中的钨物种是高度分散进入介孔骨架,形成W-O-Si键;当w(WO3)=20%时,样品中开始有未掺入到SiO2骨架中WO3的结晶出现;当w(WO3)<60%时,W-SiO2样品能保持很好的介孔孔道结构,更高含量WO3掺入将破坏二氧化硅介孔结构.

【总页数】5页(1760-1764)

【关键词】介孔材料;三氧化钨;二氧化硅;模板自组装

【作者】苏赵辉;陈启元;李洁;刘士军

【作者单位】中南大学化学化工学院,长沙,410083;中国铝业郑州研究院,郑州,450041;中南大学化学化工学院,长沙,410083;中南大学化学化工学院,长沙,410083;中南大学化学化工学院,长沙,410083

【正文语种】中文

【中图分类】O647

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