2011级模电期末复习资料
模拟电子技术基础试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
模电总结复习资料
第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 电工学（2）复习资料 2015.5.14 考试题型： 一、单项选择题（每题2分，30题，共60分） 二、多项选择题（每题4分，5题，共20分） 三、判断题（每题2分，10题，共20分） 考试时间： 60分钟 考试形式： 网络考，闭卷 一、单选题 题目首字首字母为B 1、半导体材料有（B）种。 A、1 B、2 C、3 2、半导体导电能力（B）导体。 A、大于 B、小于 C、等于 3、半导体三极管按照结构不同可分为（A）两种类型。 A、NPN和PNP B、NPP和PNN C、PPN和NNP 4、编码器属于( B)逻辑电路。 A、时序 B、组合 C、触发器 5、半波整流电容滤波电路输出电压的平均值U0=（ B ）。 A、0.9U2 B、U2 C、1.2 U2 题目首字首字母为C 6、触发器按逻辑功能分为( C)类。 A、3 B、4 C、5 7、触发器属于( A)逻辑电路。 A、时序 B、计数器 C、组合 8、测得在放大状态的三极管的三个管脚电位分别是15.5v、6v、6.7v，则15.5v对应的是 （A）。 A、集电极 B、基极 C、发射极 9、测得在放大状态的三极管的三个管脚电位分别是15.5v、6v、6.7v，则6v对应的是（C）。 A、集电极 B、基极 C、发射极 10、测得在放大状态的三极管的三个管脚电位分别是15.5v、6v、6.7v，则6.7v对应的是 （B）。 A、集电极 B、基极 C、发射极 11、测得在放大状态的三极管的三个管脚电位分别是15.5v、6v、6.7v，则该三极管类型是 （A）。 A、NPN型硅管 B、NPN型锗管 C、PNP型锗管 12、测得在放大状态的三极管的三个管脚电位分别是-0.7v、-1v、-6v，则-0.7v对应的是 （C）。 一、填空题 1．任何一个完整的电路都必须由（ 电源 ）、（负载 ）、（ 连接部分）三个基本部 分组成，电路的作用是对电能进行（ 传输 ）和（ 转换 ），对电信号进行（ 传 递 ）和（ 处理 ），电源或信号源产生的电压和电流称为（ 激励 ），相应在电路 元件上产生的电压和电流称为（ 响应 ）。 2．在电路分析中规定（ 正电荷 ）的运动方向为电流的实际方向。在直流电路中，电 源的工作状态有3种，分别为（ 有载 ）、（ 开路 ）和（ 短路 ）。 3．在正弦交流电路中，（ 频率（周期） ）、（ 幅值 ）和（ 初相位 ）称 为正弦量的三要素。（ 电感 ）元件和（ 电容 ）元件称为动态元件，感抗与（频 率）成正比，容抗与（ 频率 ）成反比。 4．在RLC 串联电路中，在进行正弦量的相量计算时常用到3个三角形，它们分别是（阻 抗 ）三角形、（ 电压 ）三角形和（ 功率 ）三角形。如果已知RLC 串联电路的 电流有效值为5A ，电阻为30Ω，感抗为40Ω，容抗为80Ω，则电路复阻抗的模为（ 50 欧姆），电路为（ 容性 ）性电路，电路的有功功率为（750W ），无功功率为（ -1000Var ）。 5．在RLC 串联电路中，发生谐振的条件是（ C L X X = ），此时电路中的（ 电流 ） 达到最小，（ 电压 ）达到最大，如果设 R = 1 Ω，L = 10 –3 H ，C = 10 –5F ，则电路的 谐振角频率为（104rad/s ），电路的品质因素 Q 为（ 10 ），如果在电路加上10 V 的电 压源，此时电感和电容二端的电压分别为（j100V ）和（ -j100V ），因此串联谐振又 称为（ 电压 ）谐振。 6．在三相交流电路中，负载为星形连接时，线电压与相电压的关系是（ P l U U 3=）， 线电流和相电流的关系是（p l I I =），线电压和相电压的相位关系是（线电压超前相电 压 30）。负载为三角形连接时，线电压和相电压的关系是（p l U U =），线电流和相电流的关系是（p l I I 3= ），线电流和相电流的相位关系是（ 线电流滞后相电 30）。 7．在交流铁心线圈电路中，电路会产生功率损耗，除了（ 铜损 ）之外还有（ 铁 损），主要由（磁滞）损耗和（ 涡流）损耗组成。磁性材料根据剩磁和矫顽磁力可分为 （ 软磁 ）、（ 永磁 ）和（ 矩磁 ）三类。变压器可以进行（ 电压 ）变换、（ 电流 ） 变换、（ 阻抗 ）变换。 8．电动机主要分为（ 交流 ）电动机和（ 直流 ）电动机二大类。三相交流异步电动 机根据转子结构不同可分为（ 鼠笼式 ）和（ 绕线式 ）二种。电动机之所以能够 转动，必须在定子线圈中产生一个（ 旋转磁场 ）。 三相交流异步电动机的定子电路和转子电路中的所有参数都与（ 转差率 ）有关， 在讨论三相交流异步电机的转矩时主要考虑（ 起动 ）、（ 额定 ）、（ 最大 ）三种转矩。 三相异步电机的起动有（ 直接 ）和（ 降压 ）二种。三相异步电机的调速有（ 变 频调速 ）、（ 变极调速 ）、（ 变转差率调速 ）三种。 9．变压器的主要功能有（ 电压变换 ）、（ 电流变换 ）、（ 阻抗变换 ）。若有一变压 器，N 1=100，N 2=10000，则原副线圈电压之比为（ 1/100 ），原副线圈电流之比为（ 100 ）， 原副线圈阻抗比为（ 1/10000 ） 10．在人体触电事故中，根据人体受到的伤害可分为（ 电击 ）和（ 电伤 ）二种， 伤害程度与（ 人体电阻的大小 ）、（ 电流流过的时间长短 ）、（ 电流的大小 ）、（ 电 流的频率 ）4 种主要因素有关。触电方式有（ 接触正常电体 ）和（ 接触正常不带电 体）二种，为保护人身安全，通常电气装置采用接地措施，根据接地的目的不同可分为 2017电大电工电子技术复习资料 2439电工电子技术-0002 试卷总分：100 答题时间：60分钟 客观题 单项选择题（共8题，共40分） 1. 题图所示电路为三个二端网络，其中可以相互等效变换。 （a）（b） （c） A （a）和（b） B （b）和（c） C （a）和（c） 参考答案：C；考生答案：B；试题分数：5；考生得分：0 2. 题图所示电路中，电源电压不变，而频率升高，各灯泡的亮度变化是。 A 灯泡A变亮 B 灯泡B变亮 C 纯电感电路 参考答案：B；考生答案：A；试题分数：5；考生得分：0 3. 变压器初级绕组的等效阻抗等于变压比的乘以负载阻抗值。 A 一次方 B 二次方 C 三次方 参考答案：B；考生答案：B；试题分数：5；考生得分：5 4. 利用生产机械某些运动部件的碰撞来发出控制指令的控制电器是。 A 接触器 B 继电器 C 行程开关 参考答案：C；考生答案：A；试题分数：5；考生得分：0 5. 单相桥式整流电路输出的脉动电压平均值U O(AV)与输入交流电压的有效值U2之比近似为。 A 0.9 B 1 C 1.2 参考答案：A；考生答案：B；试题分数：5；考生得分：0 6. 连接三端集成稳压器基本应用电路时，输入、输出和公共端与地之间一般接。 A 电阻 B 电感 C 电容 参考答案：C；考生答案：C；试题分数：5；考生得分：5 7. 比较下列数值，最小数是。 A （157）16 B （316）8 C （10110011）2 参考答案：C；考生答案：C；试题分数：5；考生得分：5 8. 下列数字电路中，不属于时序逻辑电路。 A 译码器 B 寄存器 C 555定时器 参考答案：A；考生答案：A；试题分数：5；考生得分：5 判断题（共6题，共30分） 1. 电路中电流的实际方向是电位降低的方向，但不能据此来判别电流源或电压源上电流或电压的关联性。 T √ F × 参考答案：F；考生答案：T；试题分数：5；考生得分：0 2. 由于正弦量与相量存在对应关系，所以相量等于正弦量。 T √ 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic = 90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k Ω，R B1 120k Ω， R B2 39k Ω，R C 3.9k Ω，R E 2.1k Ω，R L 3.9k Ω，r bb’ Ω，电流放大系数β 50，电路 中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 一、选择题。 1、由555集成定时器构成的多谐振荡器的功能是（ ）。 （a ）输出一定频率的矩形波 （b ）将变化缓慢的信号变为矩形波 （c ）输出一定频率的正弦波 2、自激正弦振荡器是用来产生一定频率和幅度的正弦信号的装置，此装置之所 以能输出信号是因为（ ）。 （a ）有外加输入信号 （b ）满足了自激振荡条件 （c ）先施加输入信号激励振荡起来，后去掉输入信号 3、整流电路中，设整流电流平均值为I o ，则流过每只二极管的电流平均值I D =I o 的电路是（ ）。 （a ）单相桥式整流电路 （b ）单相半波整流电路 （c ）单相全波整流电路 4、在二极管桥式整流电容滤波电路中，若有一个二极管接反，将造成（ ）。 （a ）半波整流 （b ）短路、损坏元件 （c ）断路、不能工作 5、时序逻辑电路与组合逻辑电路的主要区别是（ ）。 （a ）时序电路只能计数，而组合电路只能寄存 （b ）时序电路没有记忆功能，组合电路则有 （c ）时序电路具有记忆功能，组合电路则没有 6、振荡器之所以能获得单一频率的正弦波输出电压，是依靠了振荡器中的 （ ）。 （a ）选频环节 （b ）正反馈环节 （c ）基本放大电路环节 7、N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（ ）。 （a ）带负电 （b ）带正电 （c ）不带电 8、仅具有置“0”和置“1”功能的触发器是（ ）。 （a ）基本RS 触发器 （b ）可控RS 触发器 （c ）D 触发器 （d ）JK 触发 器 9、已知逻辑状态表如下，则输出Y 的逻辑式为（ ）。 （a ）BC A Y += （b ）BC A Y += （c ）C B A Y += 10（a ）集电极 （b ）发射极 （c ）基极 11、一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为A u ，反馈系数为F ，能够稳定振荡 的幅值条件是（ ）。 （a ）1u >F A （b ）1u 《模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 变压器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式，1T 接成 共基 组态，2T 接成 共集 组态，1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。 二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分） （2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分） 2.电路如图3所示，试回答下列问题 （1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接） 答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分） 《模拟电子技术》 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分） 1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 （×）2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 （√）3负反馈越深，电路的性能越稳定。 （×）4零点漂移就是静态工作点的漂移。 （√）5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （√）6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （√）7半导体中的空穴带正电。 （√）8 P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （×）9实现运算电路不一定非引入负反馈。 （×）10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。 （×）二、选择填空（10分） （1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；为了展宽频带，应在放大电路中引入 D 。 （A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中， C 。 （A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00 （3）集成运放的互补输出级采用 B 。 （A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。 （A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β （5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是 B ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 C 。 （A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C B u B B u E。 （A）> （B）< （C）= （D）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。 （A）大（B）小（C）相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。解：二极管D截止，u0=-6V 四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。 管号T1 T2T3 管 号 T1T2T3 管脚电位（V）①0.7 6.2 3 电 极 名 称 ① ②0 6 10 ② ③ 5 3 3.7 ③ 材料类型 五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ=0.7V，电流放大系数为β=80，r be=1.2 kΩ，R B=500 kΩ，R C=R L=5 kΩ，V CC=12V。 第一章矿山供电系统 1、矿山供电——矿山所需电能的供应和分配问题。 任务?为什么要用电能作为主要动力？） 2、电力系统——电能由各种形式的发电厂产生，经过输送、变换和分配，到达分散的电能用户，这些生产——变换——传输——分配——消费的环节,组成的一个有机整体，叫做电力系统 4）、变、配电所：变电所是汇集电能、变换电压、分配电能的中间环节，它由各种电力变压器和配电设备组成。不含电力变压器的变电所称为配电所。(作用、区别、分类) 5）、电力网：是指将输电线路，变、配电所和电力用户联起来的这一整体。是电力系统的重要组成部分，担负着输送、变换和分配电能的任务 2）、设备的额定电压：能使供电、用电设备正常运行并获得最佳经济效果的电压。 3）电力负荷：是指设备或线路正常运行时消耗和损耗的功率之和。是供电系统规化、设计、设备选型以及发电、输电、变电布局的主要依据。 2）、电力负荷的分级：⑴一级负荷：当中断供电时，将造成人身伤亡者，或在政治、经济上造成重大损失者，为一级负荷。⑵二级负荷：当中断供电时，将在政治、经济上造成较大损失者，为二级负荷。⑶三级负荷：除一、二级负荷外，均为三级负荷。 3）、对电力负荷的供电要求：⑴一级：双电源双回路；⑵二级：双回路或专用，⑶三级：无要求。 4）一、对供电系统的基本要求；安全性，可靠性，优质性，经济性 5）所谓基本路径是指电能从发电机到电动机(用户)所经过的最少环节和最少设备 19）电系统结线：指由各种电气设备及其联结线根据一定的方法所构成的供电线路，其功能是汇集和分配电能。 7）母线：又称汇流排，是电路中的一个节点，是解决一个电源与多个负荷之间供电矛盾的好办法 自测题一 一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档 模电题目 一、填空题 1.为使BJT发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的条件是（发射极正偏，集电极反偏）。 2.N型半导体是在纯硅或锗中加入（磷（+5））元素物质后形成的杂质半导体。 3.差分放大电路对（差模）信号有放大作用，对（共模）信号起到抑制作用。 3.在电容滤波和电感滤波中，（电感）滤波适用于大电流负载，（电容）滤波的直流输出电压高。 5．集成运放主要包括输入级、(中间放大级)、(输出级)和 (偏置)电路。其中输入级一般采用(差模)电路。 6.为稳定放大器的静态工作点，应在放大电路中引入（直流负）反馈，为稳定放大器的输出电压应引入（电压负）反馈。 7．与甲类功放电路相比，乙类互补对称功率放大电路的优点是（管耗小），其最高效率可达到（78.5%），但容易产生（交越）失真。 8．集成运算放大器是一种采用（直接）耦合方式的多级放大电路，它的输入级常采用差分电路形式，其作用主要是为了克服（共模干扰）。 9．若放大器输入信号电压为1mV,输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为（10）。 10．产生1Hz～1MHz范围内的低频信号一般采用（RC）振荡器，而产生1MHz以上的高频信号一般采用（LC）振荡器 11．半导体二极管具有（单向导电）作用，稳压二极管用作稳压元件时工作在（反向击穿）状态。 12．晶体三极管是一种（电流）控制型器件，当工作在饱和区时应使其发射结（正偏）集电结（正偏），而场效应管是一种( 电压) 控制型器件。 13．集成电路运算放大器是一种高电压增益、高输入电阻、（低）输出电阻的（直接）耦合方式的多级放大电路。 14．差分放大电路有四种输入－输出方式，其差模电压增益大小与输（出）有关而与输（入）方式无关。 15．在放大电路中引入（直流负）反馈可以稳定放大电路的静态工作点，。 16．三种组态的放大电路中（共发射极组态、共基极组态、共集电极组态）输入电阻最小的是（共集电极放大）电路。 17．在一个交流放大电路中，测出某晶体管三个管脚对地电位为：（1）端为1.5V，（2）端为4V，（3）端为2.1V，则（1）端为（发射）极；（2）端为（集电）极；（3）端为（基）极；该管子为（NPN）型晶体管。 18．若要设计一个输出功率为10W的乙类功率放大器，则应选择PCM至少为（4 ）W的功率管两只。 19．电流串联负反馈放大器是一种输出端取样量为（电流），输入端比较量为（串联）的负反馈放大器，它使输入电阻（增大），输出电阻（增大）。 20．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（增大）。 21. 当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时，石英晶体呈（阳性）；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（感性）；其余情况下石英晶体呈（容性）。 电工学(下)复习资料 第十四章.半导体器件 1.半导体的导电特性：1.掺杂性(往纯净的半导体内参入某些杂质，导电能力明显改变) 2.热敏性(当环境温度增高时，导电能力显着增强) 3.光敏性(当受到光照时，导电能力显着增强) 2.导电机理：在共价键结构中的电子在获得一定能量(温度升高或受光照)后，即可挣脱原子核的束缚(电子受到激发)，成为自由电子；在电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键留下一个空位称为空穴，在外电场作用下，有空穴的原子可以吸引相邻原子的价电子，填补空穴，不断形成递补。因此，当半导体两端加上外电压时会出现两部分电流：一是自由电子作定向运动所形成的电子电流；二是仍被原子核束缚的价电子递补空穴所形成的空穴电流。 自由电子和空穴都称为载流子单向导电性：P 正N 负正偏导通，P 为阳极，N 为阴极 3.PN 结：在P 型半导体和N 型半导体的交界面形成一个特殊的薄层。 4.死区电压：当正向电压超过一定数值后电流增长很快，这个一定数值的正向电压称为死区电压或开启电压； 5.共阴极接法阳极电位低的优先导通；共阳极接法阴极电位低的优先导通 6.稳压二极管：工作于反向击穿区，在电路中与适当数值的电阻配合后起稳定电压的作用 7.晶体管正常放大条件：外部条件：发射结正偏，集电结反偏；内部条件：发射区掺杂浓度最高，基区最薄，掺杂浓度低，集电区面积最大 8.晶体管主要参数：电流放大系数：b c I I β=；集射极反向截止电流：B B C E I 1I I I ）β（+= += 选择：三个级的电位分别为9v ，2.5v ，3.2v ，试判断这三个级分别为（） 解法：先确定b 与e ，它两相差较近，其次按NPN 的是Vc>Vb>Ve 。PNP 型是Ve>Vb>Vc 。即可确定ebc 。 第十五章.基本放大电路 1.用直流通路确定静态值：B CC B R U I =；B C I I β=；C C CC CE I R -U U = 2.用图解法确定静态值：C C CC CE I R -U U = 3.放大电路的动态分析：1.微变等效电路法；2.图解法。 公式：r be=200+（β+1）26/I E ；r i=r be ；A u =—β（R ′L/r be ） 4.射极输出器主要特点：电压放大倍数接近1；输入电阻高；输出电阻低 模电总结复习资料-免费-模拟电子技术基础(总22页) 本页仅作为文档页封面，使用时可以删除 This document is for reference only-rar21year.March 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 《模电》复习题库 1.某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5μA和5 mV，输出端接2kΩ电阻负载，测量到正弦电压信号峰—峰值1V，则Av( )A I( )Ap( )； 2.一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时，输出电压为1V，负载电阻断开时，输出电压上升到1.1V。则该放大电路的输出电阻R。为（）； 答案：1. 46dB 40dB 43dB ；2. R。=100Ω 一、选择判断题 1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中_______B__ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数 2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_____D____。 A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对 3、半导体中的载流子为___D______。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子和空穴 4、N型半导体中的多子是______A___。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 5、P型半导体中的多子是______B___。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 6、当PN结外加正向电压时，扩散电流_______A_漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等与 7、当PN结外加反向电压时，扩散电流___B_____漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 8、二极管加正向电压时，其正向电流是由（ A ）。 a：:多数载流子扩散形成 b：多数载流子漂移形成 c：少数载流子漂移形成9、PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（C ）。 a：其反向电流增大 b：其反向电流减小 c：其反向电流基本不变 10、稳压二极管是利用PN结的（ B ）。 a：单向导电性 b：反向击穿特性 c：电容特性 11、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍， 当温度为40℃时，反向饱和电流值为（C ）。 a：10μA b：15μA c：20μA d：40μA 12、变容二极管在电路中使用时，其PN结是BB ）。 a：正向运用 b：反向运用 答案：1B 2D 3D 4A 5B 6A 7B 8（a）； 9（c）； 10（b）；11（c）； 12（b）一、选择填空 1、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位__B_______。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 2、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位_A________。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 3、既能放大电压，也能放大电流的是__A_______组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 4、在单极共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位____A_____。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 5、在单极共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位____A_____。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 6、可以放大电压，但不能放大电流的是_____C____组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 7、可以放大电流，但不能放大电压的是_____B____ 组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 8、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是B_________组态。 电工基础知识点 1． 电路的状态：通路；断路；短路。 2． 电流：电荷的定向移动形成电流。习惯上规定：正电荷定向移动的方向是电流的正方向， 实际的电流方向与规定的相反。 公式：q I t = （,,A C s ） 36110,110mA A uA A --== 直流电：电流方向和强弱都不随时间而改变的电流。 交流电：大小和方向都随时间做周期性变化，并且在一个周期内平均值为零的电流。 3． 电阻：表示物体对自由电子定向移动的阻碍作用的物理量。 公式：l R S ρ= (2,,,m m m ΩΩ*) 导体的电阻是由本身决定的，由它本身的电阻率和尺寸大小决定，还与温度有关。对温度而言，存在正温度系数和负温度系数变化。 4． 部分电路的欧姆定律：导体中的电流与两端的电压成正比，与它的电阻成反比。 公式：U I U RI R ==或(导体的电阻是恒定的，变化的是电流和电压) 5． 电阻的福安特性曲线：如果以电压为横坐标，电流为纵坐标，可画出电阻的U-I 关系曲 线。 电阻元件的福安特性曲线是过原点的直线时，叫做线性电阻。如果不是直线，则叫做非线性电阻。（图：P8） 6． 电能：W UIt = （,,,J V A s ） 实际中常以110001kW h W h *=*，简称度。 7． 电功率：在一段时间内，电路产生或消耗的电能与时间的比值，用P 表示。 公式：2 2W U I R t R P =P =或=UI=(适用于纯电阻电路) 可见，一段电路上的电功率，跟这段电路两端的电压和电路中的电流成正比。用电器上通常标明它的电功率和电压，叫做用电器的额定功率和额定电压。 8． 焦耳定律（电流热效应的规律）：电流通过导体产生的热量，跟电流的平方，导体的电 阻和通电的时间成正比。 公式：2 Q RI t = (,,,J A s Ω) 阅读P12,13页的‘阅读与应用’的三和四 9． 电动势：表征电源做工能力的物理量，用E 表示。电源的电动势等于电源没有接入电路 时两极间的电压。它是一个标量，但规定自负极通过电源内部到正极的方向为电动势的方向。 10． 闭合电路的欧姆定律：闭合电路内的电流，跟电源的电动势成正比，跟整个电路的电 阻成反比。 电工学（上）复习资料 一、选择题。 1、关于电源，负载和功率的说法中，正确的是（ D ） A．电源一定吸收功率 B.电源一定发出功率 C.负载一定吸收功率 D.电源和负载都可以吸收功率 2、电容C的单位（ A ） A.法拉 B.亨利 C.欧姆 D.瓦特 3、某电阻元件的额定数据1kΩ，2.5w，正常使用时元件允许通过的最大的电流是（ A ） A.50mA B.2.5mA C.250mA D.5A 4、一个电热器，接在10V的直流电源上，产生的功率为P，把它改为就接在正弦交流电流上，使其产生的功率为P/2，则正弦交流电源电压的最大值是（ C ） A．7.07V B.5V C.10V D.15V 5、应用叠加定理时，当电压源单独作用时，代替其他电流源用（ A ） A开路 B短路 C电阻 D导线 6、正弦量的幅值是指（ B ） A峰值 B最大值 C有效值 D平均值 7、电器名牌上标注的功率均是（ A ） A有功功率 B无功功率 C视在功率 D瞬间功率 8、在实验室中的交流电压表和电流表，其读值是交流电的（ B ） A最大值 B有效值 C瞬间值 9、为保证三相电路正常工作，防止事故发生，在三相四线制中，规定不允许安装熔断器或开关的位置是（ B ） A端线 B中线 C端点 D中点 10、一个交流RC串联电路，已知U R=3V，U C=4V,则总电压=（ C ） A.7 B.1 C.5 D.4 11、交流电路中在相位上，电感上的电压U L（ A ）电感中的电流i L A超前90° B滞后90° C保持不变 12、变压器的电压比为3:1，若一次输入6V的交流电压，则二次电压为（ C ） A.18V B.6V C.2V D,0V 13、在三相异步电动机的继电接触器控制电路中，起短路保护的电器是（ C ） A热继电器 B交流接触器 C熔断器 D交流互感器 14、变压器的变比与一次侧、二次侧的（ D ） A电压成反比 B电流成正比 C匝数成反比 D电压成正比 15、接触器电器的电器符号式。（ C ） A.SB B.KT C.KM D.FR 二、填空题 1、交流电的三要素是频率、幅值和初相位 2、表示交流电变换快慢的三个物理量分别是频率、周期和角速度 3、正弦交流电中的三种电功率是有功功率、无功功率和视在功率 4、分析正弦交流电路常用的三种三角形是功率三角形、阻抗三角形和电压三角形 5、有一个电感L为0.08亨的纯电感线圈，通过频率50Hz的交流电，其感抗X L= 8πΩ，如果通过 的频率为10000Hz，其感抗X L= 1600πΩ。 6、正弦交流电中，负载的三种电路性质分别是同相性、超前性和滞后性 7、三相四线制电路能够输送的两种电压是 380V 电压和 220V 电压 8、三相交流电源有两种连接方式，即星形形连接和三角形形连接 9、正弦量的频率f=50Hz，则其周期T= 0.02 s ，角频率w= 100π rad/s电工学2复习资料整理版资料
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