电子技术基础试题及答案

电子技术基础试题及答案
电子技术基础试题及答案

电子技术基础试卷

一、填空题(20分)

1、______电路和_______电路是两种最基本的线性应用电路。

2、晶体二极管具有_______特性。

3、放大电路的分析方法有______和小信号模型分析法。

4、BJT的主要参数是__________。

5、带宽和________是放大电路的重要指标之一。

6、处理模拟信号的电子电路称为_______。

7、把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上,构成特定功能的电子电路称为_____电路。

8、在电子电路中反馈按极性不同可分为______和_______两种。

9、判断一个放大电路中是否存在反馈,只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否存在反馈网络,即________。

10、负反馈放大电路有四种类型:___________、___________、___________以及___________放大电路。

11、放大电路的实质都是_______电路。

12、放大电路可分为四种类型:_______、_______、_______和_______。

二、判断题(1—5题每题2分,6—15题每题1分,共20分)

1、图示中

R引人电压并联负反

2

图题1 2、图示中

R电流串联正反馈

e1

图题2 3、图示电路不能振荡

图题3 4、图示电路不能振荡

图题4

5、图示电路中T

1为共基极组态,T

2

为共集电极组态

图题5

6、PN结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在,且其宽度随外加

电压而变化。

7、齐纳二极管是一种特殊二极管。

8、BJT有NPN和PNP两种类型。

9、图解法能分析信号幅值太小或工作频率较高湿的电路工作状态。

10、MOS器件主要用于制成集成电路。

11、差分放大电路中共模电压增益越小,说明放大电路的性能越好。

12、放大电路中的内部噪声与放大电路中个元器件内部载流子运动的不规则无关。

13、放大电路中直流反馈不影响静态工作点。

14、负反馈能够改善放大电路的多方面性能是由于将电路的输出量引回到输入端与输入量进行比较,从而随时对输出量进行调整。

15、在实际应用的放大电路中很少引人负反馈。

三、计算题(1题12分,2题13分,3题15分,共40分)

1、设计一反相加法器,使其输出电压V0= -7V i1+14V i2+3.5V i3+10V i4),允许使用的最大电阻为280kΩ,求各支路电阻。

2、某反馈放大电路的方框图如图所示,试推导其闭环增益x o/x i的表达式。

3、在图所示电路中,已知R b=260kΩ,R e=R L=5.1kΩ,R S=500kΩ,V EE=12V,β=50,试求:(1)电路的Q点;(2)电压增益A v、输入电阻R i及输出电阻R o;(3)若V s=200mV,求V o。

四、综合题(20分)

1、射极偏置电路如图所示,已知 =60。(1)用估算法求Q点;(2)

求输入电阻r

be ;(3)用小信号模型分析法求电压增益A

v

;(4)电路

其他参数不变,如果要使V

CEQ

=4V,问上偏流电阻为多大?

电子技术基础(答案)

一、填空题

1、同相放大、反向放大

2、单向导电

3、图解法

4、电流放大系数

5、频率响应

6、模拟电路

7、集成

8、正反馈、负反馈

9、反馈通路

10、电压串联负反馈、电压并联负反馈、电流串连负反馈、电流并

联负反馈

11、能量转换

12、电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大

二、判断题

1、√

2、×(

e1

R电流串联负反馈)

3、×(能振荡)

4、√

5、×(T

1为共集电极组态,T

2

为共基极组态)

6、√

7、√

8、√

9、×(不能)

10、√

11、√

12、×

13、×

14、√

15、×

三、计算题

1、解:设反相加法器各支路的电阻为R 1、R

2、R

3、R 4,反馈支路电阻为R 5,由V 0= -7V i1+14V i2+3.5V i3+10V i4)可得

V 0=-(R 5R 1 V i1+ R 5R 2 V i2 R 5R 3 V i3 + R 5

R 4

V i4)

最大电阻应为R 5,故选R 5=280k Ω,所以各支路电阻分别为

R 1= R 57 =280k Ω7 =40 k Ω

R 2=R 514 =280k Ω14

=20 k Ω

2、解:设该放大电路的开环增益为A

A=

id1o x x =id1o1x x ?o1o x x =A 12

22

1F A A +

A f =

i o x x =1

1AF A

+ =1

2

2212221111F F A A A F A A A +++=2

F A F A A 121212

1++A A

3、(1)求Q 点

I BQ ≈V PE

R b +(1+β)R e

≈23μA

I CQ =βI BQ =1.15mA V CEQ =-(V EE -I CQ R e )≈-6.13V

(2)求A V 、R i 、R o

r be =r bb ‘(1+β)EQ

I V

26m ≈1.35 k Ω A V =

)

||)(1r )

||)((1e be e L L R R R R ββ+++≈0.99

R i =R b ||[r be +(1+β)(R e ||R L )] ≈87.3 K Ω

R O =R C ||

β

++1||r s

b be R R ≈36 K Ω

(3)V S =200mV 时

V 0=A v V i =A S ?

i

s i

R R R + ?V S ≈197mV

四、综合题

1、(1)估算法求Q 点:

V BQ =()Ω

?+Ω

?3

3106020102016?V=4V I

CQ

≈I

EQ =

e

R V V BEQ

BQ -=1.65mA

I

BQ =

A ≈μβ

28CQ

I

V

CEQ

=V

CC

-()7.75e c =+R R I CQ V

(2)取‘

bb r =200Ω,r be =r ’

bb +()

Ω≈+ 1.2k I 26mV

1EQ

β (3)A V =-

be

'r L

R β=-100,其中

'L R =C R ||L R =

Ω+?k 6

36

3 (4)当CEQ V =4V 时

A =+-=

2.4m e

c R R V V I CEQ CC CQ

5.5e =+≈+=BEQ CQ BEQ EQ BQ V R I V V V V

上偏流电阻 Ω≈?=

-38.2k b2b1R V V R BQ

V CC BQ

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电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题(每空1分,共30分) 1.硅二极管的死区电压为_____V,锗二极管的死区电压为_____V。 2.常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3.晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____,相位_____的信号电压。 5.互补对称推挽功率放大电路可分成两类:第一类是单电源供电的,称为_____电路,并有_____通过负载输出;第二类是双电源供电的,称为_____电路,输出直接连接负载,而不需要_____。 6.功率放大器主要用作_____,以供给负载_____。 7.集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8.异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 9.(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10.逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11.组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题(下列各题中你认为正确的,请在题干后的括号内打“√”,错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分,共10分) 1.放大器采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻。() 2.小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高,可以增大R B使I B减小,从而使工作点下降到所需要的位置。() 3.对共集电极电路而言,输出信号和输入信号同相。() 4.交流放大器也存在零点漂移,但它被限制在本级内部。() 5.同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。() 6.只要有正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。() 7.多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。() 8.TTL集成电路的电源电压一般为12伏。() 9.流过电感中的电流能够突变。() 10.将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器,将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。() 三、单选题(在本题的每小题备选答案中,只有一个答案是正确的,请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内,多选不给分。每小题2分,共26分) 1.用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V,负极电压为1.3V,则此二极管所处的状态是() A.正偏B.反偏C.开路D.击穿 2.放大器的三种组态都具有() A.电流放大作用B.电压放大作用 C.功率放大作用D.储存能量作用 3.下列各图中,三极管处于饱和导通状态的是()

电子技术基础期末复习题

2014级电气自动化技术专业 《电子技术基础》复习资料 一、填空题。 1、二极管工作在正常状态时,若给其施加正向电压时,二极管导通,若施加反向电压时,则二极管截至,这说明二极管具有单向导电性。 2、晶体管从内部结构可分为 NPN型和PNP型。 3、NPN型硅晶体管处于放大状态时,在三个电极电位中,其电位高低关系为 V C >V B >V E ,基极和发射极电位之差约等于。 4、在晶体管放大电路中,测得I C=3mA,I E=,则I B= , = 100。 5、按晶体管在电路中不同的连接方式,可组成共基、共集和共射三种基本放大电路;其中共集电路输出电阻低,带负载能力强;共射电路兼有电压放大和电流放大作用。 6、晶体管在电路中若用于信号的放大应使其工作在放大状态。若用作开关则应工作在饱和和截至状态,并且是一个无触点的控制开关。 7、组合逻辑电路是指任何时刻电路的输出仅由当时的输入状态决定。 8、用二进制表示有关对象的过程称为编码。 9、n个输出端的二进制编码器共有 2n个输入端,对于每一组输入代码,有1个输入端具有有效电平。 10、画晶体管的微变等效电路时,其B、E两端可用一个线性电阻等效代替,其C、E两端可以用一个可控电流源等效代替。 11、1位加法器分为半加器和全加器两种。 12、多级放大器的级间耦合方式有3种,分别是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。 13、多级放大电路的通频带总是比单级放大电路的通频带窄。 14、反馈是把放大器的输出量的一部分或全部返送到输入回路的过程。

15、反馈量与放大器的输入量极性相反,因而使 净输入量 减小的反馈,称为 负反馈 。 为了判别反馈极性,一般采用 瞬时极性法 。 16、三端集成稳压器CW7806的输出电压是 6 V 。 17、施加深度负反馈可使运放进入 线性 区,使运放开环或加正反馈可使运放进入 非线性 区。 18、逻辑功能为“全1出0,见0出1”的逻辑门电路时 与非 门。 19、一个二进制编码器若需要对12个输入信号进行编码,则要采用 4 位二进制代码。 20、电压跟随器的输出电压与输入电压不仅 大小相等,而且 相位 也相同。 二、 选择题。 1、把一个6V 的蓄电池以正向接法直接加到二极管两端,则会出现( C )问题。 A 正常 B 被击穿 C 内部断路 2、二极管的正极电位是-10V ,负极电位是,则该二极管处于( A )状态。 A 反偏 B 正偏 C 零偏 3、晶体管工作在放大区时,具有如下特点( A ). A 发射结反向偏置 B 集电结反向偏置 C 晶体管具有开关作用 D I C 与I B 无关 4、稳压二极管是特殊的二极管,它一般工作在( C )状态。 A 正向导通 B 反向截止 C 反向击穿 D 死区 5、测量放大器电路中的晶体管,其各极对地电压分别为,2V ,6V ,则该管( A )。 A 为NPN 管 B 为Ge 材料 C 为PNP 管 D 工作在截止区 6、理想集成运算放大器工作在饱和区,当+u >-u 时,则( A ) A om o U u += B m o U u 0-= C +=u u o D -=u u o 7、测得晶体管,3,404.2,30mA I A I mA I A I C B C B ====时;时μμ 则该晶体管的交流电流放大系数为( B )。

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1 =100μV ,u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ;共模输入电压u Ic =90 μV 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的β1 = 30,V 2的β2 = 50,则复合后的β约为( A )。 A .1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

电工电子技术基础-在线作业-

电工电子技术基础_在线作业_5 交卷时间:2017-01-16 13:54:47 考试成绩100分 一、单选题 1. (5分)555集成定时器内部属于()电路。 ? A. 模拟 ? B. 模拟和数字 ? C. 数字 ? D. 分立元件 纠错 得分:5 知识点:电工电子技术基础 展开解析 答案B 解析 2. (5分)74290的控制信号R9(1)、R9(2)均为高电平时,计数器的输出为()。

? A. 0 0 0 0 ? B. 1 0 0 1 ? C. 1 1 1 1 ? D. 1 0 0 0 纠错 得分:5 知识点:电工电子技术基础展开解析 答案B 解析 3. (5分) ? A. 串联电 压负反馈 ? B. 并联电流负反馈 ? C. 串联电流负反馈 纠错 得分:5 知识点:电工电子技术基础 展开解析 某测量放大电路,欲提高输入电阻、稳定输出电流,应引入()。

答案C 解析 4. (5分)为了提高电感性负载的功率因数,可以采用与电感性负载串联电容的办法。() ? A. 对 ? B. 错 纠错 得分:5 知识点:电工电子技术基础 展开解析 答案B 解析 5. (5分)恒流源的端口电压不会随负载的变化而变化,但恒流源的端口电流却会随负载的变化而变化。() ? A. 对 ? B. 错 纠错 得分:5

知识点:电工电子技术基础 展开解析 答案B 解析 6. (5分)可以表示为()。 ? A. ? B. ? C. ? D. 纠错 得分:5 知识点:电工电子技术基础 展开解析 答案D 解析 7. (5分)555集成定时器内部3个电阻的作用是()。 ? A. 加压 ? B. 充电

电子技术基础期末考试考试题及答案

电子技术基础期末考试考试题及答 案 部门: xxx 时间: xxx 整理范文,仅供参考,可下载自行编辑

触发器,输入信号=0,A.Q=0 B.Q=0C.=0 D.=1脉冲作用下, A.1 B.D C.0 D. 9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是<) 10.电路如下图所示,若初态都为0,则的是<) 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是<) A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器<) A.n B.2n C.n2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010,当最低位接收到10个脉冲时,触发器状态为<) A.0010 B.0100 C.1100 D.1111 14.下图所示的电路中,正确的并联型稳压电路为<) 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中,若要使输出电压为60V ,则变压器的次级电压应为<) A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题<本大题共5小题,每小题3分,共15分)<对打√,错打×) 16.P 型半导体中,多数载流子是空穴< ) 17.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降< ) 18.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开<) 19.稳压二极管工作在反向击穿区域<) 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件<)

注:将 选择题 和判断 题答案 填写在 上面 的表 格 里, 否则 该题不得分 三、填空题<本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较,JK触发器增加了功能; 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式; 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线; 24.常见的滤波器有、和; 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只,按右图所示方法接入电路,则 V0=。 四、应用题<本大题共3小题,共35分,要求写出演算过程) 26.<10分)某JK触发器的初态Q=1,CP的下降沿触发,试根据下图所示的CP、J、K的波形,画出输出Q 和的波形。RTCrpUDGiT 27.<9分)如下图所示电路,测得输出电压只有0.7V,原因可能是: <1)R开路;<2)RL开路;<3)稳压二极管V接反; <4)稳压二极管V短路。应该是那种原因,为什么? 28.<16分)分析下图所示电路的工作原理,要求: <1)列出状态表,状态转换图; <2)说明计数器类型。 参考答案及评分标准 一、单项选择题<本大题共15小题,每小题2分,共30分) 二、判断题<本大题共5小题,每小题3分,共15分) 三、填空题<本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.不确定,翻转22.并行和串行 23.VD-ID24.电容、电感、复式25.5.3V 四、应用题<本大题共3小题,共30分,要求写出演算过程) 26. 27.解:稳压二极管V接反,变成正向偏置,稳压二极管正向导通时,压降是0.7V 28.解:计数前,各触发器置0,使Q2Q1Q0=000

模拟电子技术基础期末试题 答案

课程 模拟电子技术基础 班级 学号 姓名 一、填空题:(15分,每空1分) 1. 环境温度变低,放大电路中晶体管的共射电流放大倍数 会变 。 2. 当设计要求输出功率为20W 的乙类推挽功放时,应选取P CM 至少为 W 的功率管。 3. 若将集成运放理想化,则差模输入电阻id r = ,o r = 。 4.在负反馈放大电路中,要达到提高输入电阻、增强带负载能力的目的,应该给放大器接入 反馈。 5. _______比例运算电路的输入电阻大,而_______比例运算电路的输入电阻小。 6. 差分放大电路的主要功能是放大 信号、抑制 信号。 7. 当输入信号的频率等于放大电路的L f 或H f 时,放大倍数的值约下降到中频时的 。 8. 根据相位平衡条件判断图示电路 (填“能”或“不能”)产生正弦波振荡。 9.负反馈使放大电路增益下降,但它可以 通频带, 非线性失真。

10. 在直流电源中,当变压器副边电压有效值2U =20V 时,单相全波整流电路的输出电压平均值)(AV O U = V ,若负载电阻L R =20Ω,则负载电流平均值)(AV O I = A 。 二、选择题:(20分,每题2分) 1.在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 2.工作在放大区的某三极管,如果当B I 从12A μ增大到22A μ, C I 从1mA 变为1.9mA , 那么它的β约为 。 A. 90 B. 83.3 C. 86.4 3.以下基本放大电路中, 电路不具有电压放大能力。 A.共射 B.共集 C.共基 4.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻e R ,将使电路的 。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 5.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 。 A .温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 6.为增大电压放大倍数,集成运放的中间级采用 。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 7.欲得到电流—电压转换电路,应在放大电路中引入 负反馈。 A.电压并联 B.电压串联 C.电流并联 D.电流串联 8.欲将方波转换成尖顶波电压,应选用 运算电路。 A.比例 B.加减 C.积分 D.微分 9.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可获得的最大 。 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 10. 在RC 桥式正弦波振荡电路中,当信号频率f =O f 时,RC 串并联网络呈 。 A.容性 B.阻性 C.感性 三、(本题10分)判断下图电路中是否引入了反馈,是直流反馈还是交流反馈,是正反馈还是负反馈,如果电路引入了交流负反馈,判断引入了哪种阻态。并估算此电路在深度负反馈条件下的源电压放大倍数。

电工电子技术基础试题库

电工电子技术基础试题库 Prepared on 24 November 2020

一、判断题 1.理想电流源输出恒定的电流,其输出端电压由内电阻决定。 (错) 2.因为正弦量可以用相量来表示,所以说相量就是正弦量。 (错) 3.自耦变压器由于原副边有电的联系,故不能作为安全变压器使用。(对) 4.电动机的额定功率是指电动机轴上输出的机械功率。 (对) 5.一个1/4W,100Ω的金属膜电阻,能够接在50V 电源上使用。 (错) 6.三相对称电路中,负载作星形联接时,P 3I I l 。 (错) 7.电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。 (错) 8. 电压是产生电流的根本原因。因此电路中有电压必有电流。 (错) 9. 正弦量的三要素是指最大值、角频率和相位。 (错) 10.负载作星形联接时,必有线电流等于相电流。 (对) 11.一个实际的电感线圈,在任何情况下呈现的电特性都是感性。 (错) 12.正弦交流电路的频率越高,阻抗越大;频率越低,阻抗越小。 (错) 13.中线不允许断开,因此不能安装保险丝和开关。 (对) 14.互感器既可用于交流电路又可用于直流电路。 ( 错 ) 15.变压器是依据电磁感应原理工作的。 ( 对 ) 16.电机、电器的铁心通常都是用软磁性材料制成。 ( 对 ) 17.自耦变压器由于原副边有电的联系,所以不能作为安全变压器使用。 ( 对 ) 18.电动机的转速与磁极对数有关,磁极对数越多转速越高。 ( 错 ) 19.三相异步电动机在满载和空载下起动时,起动电流是一样的。( 错 ) 20.二极管若工作在反向击穿区,一定会被击穿。 (错) 21.晶体管可以把小电流放大成大电流。 (对) 22.在P 型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 (对)

电子技术基础试题

。电子技术基础试题库(第四版) 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性,即加正向压时__________,加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V,锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时,应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量,自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体, 绝缘体,半导体 7、PN结具有_____________性能,即加正向电压时PN结________,加反向电压时的PN结 _________。单向导电性,导通,截止 二,判断题 1、半导体随温度的升高,电阻会增大。()N 2、二极管是线性元件。()N 3、不论是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为0.3V左右。()N 4、二极管具有单向导电性。()Y 5、二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。()N 6、二极管加正向压时一定导通()N 7、晶体二极管是线性元件。()N 8、一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。()Y 三、选择题 1、PN结的最大特点是具有()C A、导电性B、绝缘性C、单相导电性 2、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()C A、立即导通B、到0.3V才开始导通C、超过死区压才开始导通D、不导通 3、当环境温度升高时,二极管的反向电流将()A A、增大B、减少C、不变D、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是()。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是()B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题

电子技术基础期末复习资料(含答案)

11级电子技术基础期末复习资料 一.概念填空: 1.电路由电源负载中间环节三部分组成。 2.电路中电流数值的正或负与参考方向有关,参考方向设的不同,计算结果也不同。 3.理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关,流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4.由电路中某点“走”至另一点,沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5.相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6.电阻并联分流与分流电阻值成反比,即电阻值大者分得的电流小,且消耗的功率也小。 7.串联电阻具有分压作用,大电阻分得的电压大,小电阻分得的电压小功率也小。 8.实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9.在电路分析中,应用戴维南或诺顿定理求解,其等效是对外电路而言。 11 .常用的线性元件有电阻、电容、电感,常用的非线性元件有二极管和三极管。 12.二极管正向偏置,是指外接电源正极接二极管的阳(或正)极,外接电源负极接二极管 的阴(或负)极。 13.P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素,其多数载流子是空穴,少数

载流子是 自由电子 。 40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素,其多数载流子是 自由电 子 ,少数载流子是 空穴 。 14.若三极管工作在放大区,其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ; 三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。 15.根据换路定则,如果电路在t=0时刻发生换路,则电容的电压u c(0+)= uc(0-) ,电 感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时,有三种可能的工作状态,它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38.3个输入的译码器,最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器,最多可译出 __16___(2×2×2×2)______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同,可将数字电路分为___组合 ______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。 19.F=A ——(B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20.两个电压值不同的理想电压源并联,在实际电路中将 不允许(或不存在) 。 33.两个电流值不同的理想电流源串联,在实际电路中将 不允许(或不存在) 。 21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。

电工电子技术基础-在线作业_C

电工电子技术基础-在线作业_C最终成绩:100.0 一单项选择题 1. 字符“A”的ASCII码为()。 1000100 1000001 0001100 1001000 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答: 1000001 知识点: 2. 逻辑变量的取值,1比0大。()。 错 对 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:对 知识点: 3. 异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。() 对 错 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:对 知识点: 4. 的逻辑表达式为()。

本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答: 知识点: 5. 上图电路的逻辑表达式为()。 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答: 知识点: 6. 若两个函数具有相同的真值表,则两个逻辑函数必然相等。() 错 对 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:对 知识点: 7. 若两个函数具有不同的逻辑函数式,则两个逻辑函数必然不相等。() 错

本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:错 知识点: 8. 上图是一位()电路符号。 全加器 译码器 半加器 编码器 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:全加器 知识点: 9. “竞争-冒险”现象是由于门电路出现互补输入信号的缘故。() 错 对 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:对 知识点: 10. 时序逻辑电路的输出()。 与电路的上一个状态无关 只与输入信号有关 与电路的上一个状态有关 与输入信号无关 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:与电路的上一个状态有关

电子技术基础复习题与答案

中南大学网络教育课程考试(专科)复习题及参考答案 电子技术基础 一、选择题: 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压围 (C) 提高共模抑制比 6.若A+B=A+C,则() (A) B=C; (B) B=C;(C)在A=0的条件下,B=C 7.同步计数器中的同步是指() (A)各触发器同时输入信号;(B)各触发器状态同时改变; (C)各触发器受同一时钟脉冲的控制 8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是() (A)饱和失真(B)截止失真(C)频率失真 9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是() (A)多数载流子(B)少数载流子(C)既有多数载流子又有少数载流子 10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量() (A)增加(B)减少(C)不变 11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的() A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路,正确的接法是( )

电子技术基础期末复习

第1章检测题 一、填空题:(每空0.5分,共25分) 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。 3、PN结正向偏置时,外电场的方向与电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与电场的方向相同,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散运动起削弱作用,对少子的漂移运动起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。 5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,则红表棒接触的电极是二极管的阴极;黑表棒接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿损坏;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化不通。 6、单极型晶体管又称为MOS管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。 二、判断正误:(每小题1分,共10分) 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错) 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。(错) 3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。(错) 4、PN结正向偏置时,其外电场方向一致。(错) 5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。(错) 6、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。(对)

电工电子技术基础在线作业Abcdef

1. 若规定一个电路元件的电压与电流参考方向相关联,并计算得出其功率大于0,则该电路元件是吸收功率。() 对 错 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:对 知识点: 2. 对于电路中的一个线性电阻元件,若规定其电压u和电流i的参考方向一致,则。() 对 错 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:对 知识点: 3. 对于电路中的一个线性电感元件,若规定其电压u和电流i的参考方向一致,则。() 错 对 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:对 知识点:

4. 对于电路中的一个线性电容元件,若规定其电压u和电流i的参考方向一致,则。() 错 对 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:对 知识点: 5. 恒压源和恒流源可以等效互换。() 错 对 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:错 知识点: 6. 恒压源的端口电压不会随负载的变化而变化,但恒压源的端口电流却会随负载的变化而变化。() 错 对 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:对 知识点:

7. 恒流源的端口电压不会随负载的变化而变化,但恒流源的端口电流却会随负载的变化而变化。() 错 对 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:错 知识点: 8. 当电路发生换路时,对电容元件来说,应有。() 对 错 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:对 知识点: 9. 当电路发生换路时,对电感元件来说,应有。() 错 对 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:错 知识点: 10. 若购得一个耐压为300V的电器,则可以用在220V的交流电源上。() 对

电子技术基础试题及答案

电子技术基础试卷 一、填空题(20分) 1、______电路和_______电路是两种最基本的线性应用电路。 2、晶体二极管具有_______特性。 3、放大电路的分析方法有______和小信号模型分析法。 4、BJT的主要参数是__________。 5、带宽和________是放大电路的重要指标之一。 6、处理模拟信号的电子电路称为_______。 7、把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上,构成特定功能的电子电路称为_____电路。 8、在电子电路中反馈按极性不同可分为______和_______两种。 9、判断一个放大电路中是否存在反馈,只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否存在反馈网络,即________。 10、负反馈放大电路有四种类型:___________、 ___________、___________以及___________放大电路。 11、放大电路的实质都是_______电路。 12、放大电路可分为四种类型:_______、_______、_______和_______。 二、判断题(1—5题每题2分,6—15题每题1分,共20分) 1、图示中 R引人电压并联负反 2 图题1 2、图示中 R电流串联正反馈 e1 图题2

3、图示电路不能振荡 图题3 4、图示电路不能振荡 图题4 5、图示电路中T 1为共基极组态,T 2 为共集电极组态 图题5 6、PN结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在,且其宽度随外加电压而变化。 7、齐纳二极管是一种特殊二极管。 8、BJT有NPN和PNP两种类型。 9、图解法能分析信号幅值太小或工作频率较高湿的电路工作状态。 10、MOS器件主要用于制成集成电路。 11、差分放大电路中共模电压增益越小,说明放大电路的性能越好。 12、放大电路中的内部噪声与放大电路中个元器件内部载流子运动的不规则无关。 13、放大电路中直流反馈不影响静态工作点。 14、负反馈能够改善放大电路的多方面性能是由于将电路的输出量引回到输入端与输入量进行比较,从而随时对输出量进行调整。 15、在实际应用的放大电路中很少引人负反馈。 三、计算题(1题12分,2题13分,3题15分,共40分) 1、设计一反相加法器,使其输出电压V0= -7V i1+14V i2+3.5V i3+10V i4),允许使用的最大电阻为280kΩ,求各支路电阻。

数字电子技术基础期末试题及答案

数字电子技术基础期末 试题及答案 Company number:【WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998】

一、填空题:(每空1分,共16分) 1.逻辑函数有四种表示方法,它们分别是(真值表)、( 逻辑图 )、( 逻辑表达式 )和( 卡诺图 )。 2.将2004个“1”异或起来得到的结果是( 0 )。 3.目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是( TTL )电路和( CMOS )电路。 4.施密特触发器有( 两 )个稳定状态.,多谐振荡器有( 0 )个稳定状态。 5.已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线( 10 )条,数据线( 4 )条。 6.已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ,则A/D 转换器的采样频率应高于( 20 )kHz ;完成一次转换所用的时间应小于( 50 )。 7.GAL 器件的全称是( 通用阵列逻辑 ),与PAL 相比,它的输出电路是通过编程设定其( 输出逻辑宏单元 )的工作模式来实现的,而且由于采用了( E 2CMOS )的工艺结构,可以重复编程,使用更为方便灵活。 二、根据要求作题:(共16分) 1. 试画出用反相器和集电极开路与非门实现逻辑函数 C B AB Y +=。 解:1. 2、图1、2中电路由TTL 门电路构成,图3由 CMOS 门电路构 成,试分别写出F1、F2、F3的表 达式。 F C F B A F = =+=321; ;解:.2. 三、已知电路及输入波形如图4(a )(b )所示,其中FF1是D 锁存器,FF2是维持-阻塞D 触发器,根据CP 和D 的输入波形画出Q1和Q2的输出波形。设触发器的初始状态均为0。 (8分) 解: R +

电子技术基础期末考试考试卷及答案

9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是() 10.电路如下图所示,若初态都为0,则n+1=1Q 的是() 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是() A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器() A.n B.2n C.n 2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010,当最低位接收到10个脉冲时,触发器状态为() A.0010B.0100C.1100D.1111 14.下图所示的电路中,正确的并联型稳压电路为() 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中,若要使输出电压为60V ,则变压器的次级电压应为() A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题(本大题共5小题,每小题3分,共15分)(对打√,错打×) 16.P 型半导体中,多数载流子是空穴( ) 17.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降( ) 18.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开() 19.稳压二极管工作在反向击穿区域() 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件()

注:将选择题和判断题答案填写在上面的表格里,否则该题不得分 三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较,JK触发器增加了功能; 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式; 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线; 24.常见的滤波器有、和; 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只,按右图所示方法接入电路,则V0=。 四、应用题(本大题共3小题,共35分,要求写出演算过程) 26.(10分)某JK触发器的初态Q=1,CP的下降沿触发,试根据下图所示的CP、J、K的波形,画出输出Q和Q的波形。27.(9分)如下图所示电路,测得输出电压只有0.7V,原因可能是: (1)R开路;(2)R L开路;(3)稳压二极管V接反; (4)稳压二极管V短路。应该是那种原因,为什么? 28.(16分)分析下图所示电路的工作原理,要求: (1)列出状态表,状态转换图;(2)说明计数器类型。

电子技术基础(模拟部分)试卷二及答案

试卷二 系别学号姓名成绩 考试课程模拟电子技术基础考试日期2002 年12月12日 题号一二三四五六七八九总分分数 得分核分人阅卷人 1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中,选出一个正确的答案,并将其序号写在题干后的( )内。每小题2分,共20分) (1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( )。 A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度 D.晶体缺陷 (2)硅稳压管在稳压电路中稳压时,工作于( )。 A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态 (3)测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地”的电压如图1所示, A.NPN型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管 (4)温度上升时,半导体三级管的( )。 A.β和I CBO 增大,U BE 下降 B.β和U BE 增大,I CBO 减小 C.β减小,I CBO 和U BE 增大 D.β、I CBO 和U BE 均增大 (图1) (5)在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中,u o与u i 相位相反、 ︱A U ︱>1的只可能是( )。 A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路 C.共漏极放大电路 D.共射极放大电路 (6)在四种反馈组态中,能够使输出电压稳定,并提高输人电阻的负反馈是( )。 A.电压并联负反馈 B.电压串联负反馈 C.电流并联负反馈 D.电流串联负反馈 (7)关于多级放大电路下列说法中错误的是( )。 A.A u等于各级电压放大倍数之积 B.R i 等于输入级的输入电阻 C.R。等于输出级的输出电阻 D.A u 等于各级电压放大倍数之和 (8)用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ,可以提高电路的 ( )。 A.︱A ud ︱ B.︱A ue ︱ C.R id D.K CMR (9)电路如图2所示,其中U 2 =20V,C=100uF。变压器内阻及各二极管正向导通时 的电压降、反向电压均可忽略,该电路的输出电压U 0 ≈( )。 A.24V B.28V C.-28V D.-18V (图2) (10)在下列四种比较器中.抗干扰能力强的是( )。 A.迟滞比较器 B.零比较器 C.三态比较器 D.窗口比较器 2.填充题(每格1分,共20分) (11)当放大电路输入非正弦信号时,由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数 而产生的输出失真称为失真,由于相位滞后与信号频率不成正比而产生的输 出失真称为失真,这两种失真统称为失真或失真。 (12)半导体三极管属控制器件,而场效应管属于控制器件。 (13)按结构不同,场效应管可分为型和型两大类。 (14)集成运放内部电路实际上是一个、、放大电路。 (15)直流稳压电源由、、、四个部分组成。 (16)按幅频特性不同,滤波器可分为滤波器、滤波器、滤 波器、滤波器及滤波器等五种。 3.分析计算题(共60分) (17)电路如图3所示.已知R B1=50KΩ, R B2=10KΩ, R C=6KΩ, R E=750Ω,信号源内阻R S= 5KΩ,负载电阻R L=10KΩ,电源电压+V CC=12V,电容C1、C2的电容量均足够大,晶体管的β=99、 r be=1 KΩ、U BE=0.7V。试求:(a)电压放大倍数A u(=U O/U I)及A us(=U O/U S); (b)输入电阻R i和输出电阻R O。 ① -2V ② -8V ③ -2.2V + u1 - TR + u2 - D1 D4 D3 D 2 C + U o -

电工电子技术基础在线作业

电工电子技术基础_在线作业_2 交卷时间:2016-10-30 12:37:53 一、单选题 1. (5分)要使JK触发器的输出Q处于反转的状态,它的输入信号JK应为()。 A. 0 0 B. 1 0 C. 0 1 D. 1 1 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 D 解析 2. (5分)由555集成定时器组成单稳态触发器时,需要外加的元件是()。 A. 两个电阻、一个电容 B. 两个电容

C. 一个电阻、一个电容 D. 两个电阻 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 C 解析 3. (5分)要使JK触发器的输出Q=0的状态,它的输入信号JK应为()。 A. 不变 B. 0 1 C. 1 0 D. 翻转 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析

4. (5分)上图是()电路符号。 A. 逻辑与 B. 逻辑非 C. 逻辑或 D. 逻辑加 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析 5. (5分)计数器电路由触发器组成。() A. 对 B. 错 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础

收起解析 答案 A 解析 6. (5分)在交流电路中,电动势、电压及电流的有效值分别表示为()。 A. B. C. D. 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 C 解析 7. (5分)字符“A”的ASCII码为()。 A. 0001100 B. 1001000 C. 1000100

D. 1000001 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 D 解析 8. (5分)在交流电路中,容抗随频率的增大而增大。() A. 对 B. 错 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析 9. (5分)逻辑变量的取值,1比0大。()。

中职 电子技术基础考试题

电子技术期中考试试题卷 姓名________ 班级_________学号___________ 时间:90分钟 满分:100分 一、 选择题 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A): 掺入杂质的浓度、 (B): 材料、 (C): 温度 2.测得某PNP 型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V ,则该管工作于( ) (A): 放大状态 、 (B): 饱和状态、 (C): 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A): 约为原来的1/2倍 、 (B): 约为原来的2倍、 (C): 基本不变 4.由NPN 管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是 ( ) (A )饱和失真 (B ) 截止失真 (C ) 频率失真 5.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量 ( ) (A )增加 (B )减少 (C )不变 6.对于桥式整流电路,正确的接法是( ) 7.晶体三极管工作在饱和状态时,满足( ) A. 发射结、集电结均正偏 B. 发射结、集电结均反偏 C. 发射结正偏、集电结反偏 D. 发射结反偏、集电结正偏 8.稳压二极管正常工作时应工作在( )区。 A. 死区 B. 正向导通 C. 反向截止 D. 反向击穿 9、某负反馈放大电路框图如下所示,则电路的增益i o F X X A 为( )。 A 、100 B 、10 C 、90 D 、0.09 10.图示电路中,AB 之间电压V 对应的方程式为( )。 A.V=IR+E B.V=IR-E C.V=-IR-E D. -V=IR+E 二、填空题: 1.N 型半导体中多数载流子是_______少数载流子是______。 2.PN 结具有_________特性。 3.利用半导体材料的某种敏感特性,如_______ 特性和_______ 特性,可以制成热敏电阻和光敏元件。 4.画放大器直流通路时,_______视为开路,画交流通路时,藕合电容、旁路电容和直流电压视为_______。 5.理想运放的输出电阻是________,输入电阻是________。 6、理想的二极管,其正向电阻约为 ,反向电阻约为 。 7、 晶体三极管工作在 区时,关系式I C =βI B 才成立,而工作在 区时,I C =0。 8、单相桥式整流电路,若其输入交流电压有效值为10V ,则整流后的输出电压平均值等于______。 X o

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