模拟电子技术测验 试卷一
义乌工商职业技术学院
模拟电子技术测验试卷一
一、填空题：将正确的答案填入空格中。
（本大题分15小题，每小题2分，共30分）
1、在P型半导体中，__________是多数载流子，__________是少数载流子。
2、下图所示电路中，设二极管导通时正向电压为0.7V，则二极管处于__________状态，电流I D=__________。
3、振荡器的振幅平衡条件为__________，而起振时，则要求__________。
4、两个电流放大系数分别为β1和β2的BJT复合，其复合管的β值约为__________。
5、一个由NPN型BJT组成的共射极组态的基本交流放大电路，如果其静态工作点
偏低，则随着输入电压的增加，输出将首先出现__________失真；如果静态工作点偏高，则随着输入电压的增加，输出将首先出现__________失真。
6、在低频段，当放大电路增益下降到中频增益的__________倍时，所对应的频率
称为下限频率。
7、放大电路对不同频率的信号具有不同的增益而引起的输出波形失真称为
____________________。
8、理想运算放大器的差模输入电阻等于__________，开环增益等于__________。
9、差动放大电路的共模抑制比定义为______________________________（用文字
或数学式子描述均可）；在电路理想对称情况下，双端输出差动放大电路的共模抑制比等于__________。
10、单相桥式整流电路，若其输入交流电压有效值为10V，则整流后的输出电压平
均值等于__________。
11、如下图(a)所示电路的输入v i 为正弦交流电压，其输出v o的波形如下图(b)所示，
则可知功放管__________工作不正常。
12、下图所示放大电路中引入的反馈组态是____________________。该反馈能稳定
电路的输出电__________。
13、根据相位平衡条件判断下图所示电路是否可能振荡，答：__________。
14、场效应管是__________控制器件。BJT 是__________控制器件。
15、下图是N 沟道JFET 的转移特性曲线，可知其饱和漏极电流I DSS =__________。
二、单项选择题：将每小题中唯一正确的选项填在括号内。
V GS (V)
v o v i
(a)
t (b) v o
C
2
1、当NPN 型BJT 的V CE > V BE 且V BE >0.5V 时，则BJT 工作在（ ）。
A 、截止区
B 、放大区
C 、饱和区
D 、击穿区
2、某负反馈放大电路框图如下所示，则电路的增益i
o F X X A =为（ ）。 A 、100 B 、10 C 、90 D 、0.09
3、电路如下所示，A 为理想运放，若要满足振荡的相应条件，其正确的接法是（ ）。
A 、 1与3相接，2与4相接
B 、 1与4相接，2与3相接
C 、 1与3相接，2与5相接
D 、 2与3相接，1与5相接
4、下图所示电路，二个稳压管的正向导通压降均为0.7V ，稳定电压均为5.3V 。图中A 为理想运算放大器，所用电源电压为±12V 。若v i =0.5V ，则输出电压v o =( )。
A 、-12V
B 、12V
C 、6V
D 、-6V
5、乙类双电源互补对称功率放大电路中，出现交越失真的原因是（ ）。
A 、两个BJT 不对称
B 、输入信号过大
C 、输出信号过大
D 、两个BJT 的发射结偏置为零
X o 5
v o ＋ －
A 、耦合电容的影响
B 、滤波电感的影响
C 、BJT 的结电容的影响
D 、滤波电容的影响
7、下图所示电路实现（ ）运算。
A 、积分
B 、对数
C 、微分
D 、反对数
8、若希望抑制500Hz 以下的信号，应采用（ ）类型的滤波电路。
A 、低通
B 、带通
C 、带阻
D 、高通
9、下列电路中，能实现交流放大的是（ ）。
A 、（a ）图
B 、(b)图
C 、(c)图
D 、(d)图
10、差动放大电路中所谓共模信号是指两个输入信号电压（ ）。
A ． 大小相等、极性相反
B ． 大小相等、极性相同
C ． 大小不等、极性相同
D ． 大小不等、极性相反
三、电路如图所示，设β=100，r bb’≈ 0, V BE =0.7V , C 1、C 2足够大，求：
(a)
(c) (d) (b) o
o o
2．画出简化H 参数小信号等效电路
3．中频电压放大倍数V
A 4．输入电阻和输出电阻
(本大题12分)
四、负反馈放大电路如图所示，
1．问图中经R f 构成的级间反馈是属于何种类型负反馈？
2．若电路满足深反馈条件，试写出闭环电压放大倍数S
o VS V V A =的表达式。
(本大题10分)
＋ － o v
五、写出图示电路中v O与v i 1与v i 2的关系式。(本大题10分)
1
六、用理想运放和BJT组成的稳压电路如图示，要求：
1．标出电路中运放两个输入端的极性
2．设BJT的V BE≈0V，计算本电路的输出电压V O
3．若运放最大输出电流为10mA，BJT的β=200，求输出最大电流I Omax 4．当负载R L减小（即I O增加）时，试说明稳压过程
(本大题8分)
V o
七、在下图所示的差分式放大电路中，设两个BJT 完全对称，V BE =0.7V ，r bb’ =200Ω，
β=50,要求：
1．估算T 1管的静态值I C1、I B1、V CE1
2．求双端输入、单端输出（从T 2管的集电极输出）时的差模电压增益
A VD2=i2
i12v v v o - 3．双端输入时的差模输入电阻r id
(本大题10分)
i2
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。
模拟电子技术试卷及答案样本
模拟试卷一 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时, 发射结为____ 偏置, 集电结为_____偏置; 工作在饱和区时发射结为___偏置, 集电结为____偏置。3．当输入信号频率为fL和fH时, 放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍, 或者是下降了__dB, 此时与中频时相比, 放大倍数的 附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈; 为降低放大电路输出电阻, 应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中, 功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下, 可达到_____, 但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中, 引入了——负反馈; 为了正常稳压, 调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中, 测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V, -10 V, -9.3 V, 则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示, 该管为 ( )。
A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中, 若uI = 20 mV, 则电路的( )。 A．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路, 这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻, RS为常数, 为使下限频率fL 降低, 应( )。 A．减小C, 减小Ri B．减小C, 增大Ri C．增大C, 减小Ri D．增大C, 增大 Ri 6．如图所示复合管, 已知V1的 b1 = 30, V2的 b2 = 50, 则复
《模拟电子技术》模拟试题与答案解析
《模拟电子技术》模拟题1及答案 一、判断（10分） 1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。（） 2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。（） 3、PN结具有单向导电特性。（） 4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。（） 5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（） 6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。（） 7、直流负反馈不能稳定静态工作点。（） 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。（） 9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。（） 10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。（） 二、选择（10分） 1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4 2、稳压管工作于( )状态下，可以稳定电压。 A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 3、三极管放大的外部条件( )。 A、正偏导通，反偏截止 B、正偏截止，反偏导通 C、正偏导通，反偏导通 D、正偏截止，反偏截止 4、既能放大电压，也能放大电流的电路( )。 A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 5、共模抑制比CMR K越大，表明电路（）。 A、放大倍数越稳定； B、交流放大倍数越大； C、抑制温漂能力越强； D、输入信号中的差模成分越大。6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（）反馈，为减小输出电阻，应引入（）反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（）。 A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路 三、在图1所示的电路中，已知输入信号ui=5sinωt V,试画出输出电压uo1和uo2的波形，设二极管为理想二极管。（每题10分，共20分）
模拟电子技术基础考试试题答案
一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。
模拟电子技术试卷(含答案)
一、填空（30分，每空1分） 1、半导体中存在两种载流子，分别为 电子和 空穴 。杂质半导体分为两种，分别为 N 型半导体 和 P 型半导体 。 2、三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度 高；基区做得 很薄 ，且掺杂浓度 低 。实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证了射结正偏 ；而集电结 反偏 。 3、组成放大电路的基本原则是外加电源的极性应使三极管的 发射结 正向偏置，三极管的 集电结 反向偏置，以保证三极管工作在放大区。针对放大电路的基本分析方法有两种，分别为 微变等效法 和 图解法 。 4、基本放大电路有三种组态，即 共发射极 、 共基极 和 共集电极 。多级放大电路常用的耦合方式有三种，分别为 直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合。多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的 代数乘积 。 13、电压负反馈使输出电压 稳定 ，因而降低了放大电路的 输出电阻；电流负反馈使输出电流 稳定 ，因而提高了电路的 输出电阻 。串联负反馈增大 放大电路的输入电阻，并联负反馈则减小输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的组态，分别为 电压串联负反馈、电压并联负反馈 、电流串联负反馈、电流并联负反馈。 二、按要求选其中正确的一项填入括号（20分，每小题4分） 1、在某种纯净的半导体中掺入以下杂质可以形成N 型半导体。(D) A 、含四价元素的杂质 B 、含空穴的杂质 C 、三价元素镓 D 、五价元素磷 2、在三极管的基本组态电路中(B) A 、共集组态的电压增益最大 B 、共集组态的电压增益最小 C 、共发组态的电压增益最小 D 、共基组态的电压增益最小 3、差分放大器是一种直接耦合放大器，它(D) A 、只能放大直流信号 B 、只能放大交流信号 C 、不能放大交流信号 D 、可以抑制共模信号 4、在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变(C) A 、发射极电阻 B 、集电极电阻 C 、基极电阻 D 、三极管的值 5、判断负反馈电路可能发生自激振荡的根据有（C ） A 、负反馈深度较大的两级放大电路； B 、环路增益的幅值 1 AF ； 得分 评卷人
《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型
+ + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示：
《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N 型半导体中，多数载流子是 ；在P 型半导体中，多数载流子是 。 2、场效应管从结构上分为结型和 两大类，它属于 控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入 （共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的 电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由 ， ， 和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（ ）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型 D N 沟道耗尽型MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 ++ + - ---D1 D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1 Uo2Uo4 + +1A1 A2 A4 图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5++ + + + --- --D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V 50K 2.5K B=50Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1Uo2 Uo4++1A1 A2A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5
模拟电子技术期末试题及答案
《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称 为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有 导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联
模拟电子技术考试题(卷)
一、填空题（每空1分，共10分） 1后二极管还可以正常工作。 2．N 型半导体的多数载流子是 。 3 4．单管共射极放大器，当工作点Q 选择较高时，易出现 失真。 5．在功率放大电路中，甲乙类放大电路是指放大管的导通角θ为 。 6．在放大器中，为了稳定输出电压，增加输入电阻，应引入 反馈。 7．串联反馈式稳定电路主要包括 、取样电路、调整管和基准电路四个部分。 8．双极型三极管是 （电压、电流）控制器件，当其工作在放大区时发射结需要 偏置，集电结需要 偏置。 二、单选题（本大题共15个小题，每题2分，共30分） 1．已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为4V 、8V 和4.7V ，则4.7V 所对应的电极为（ ）。 A. 发射极 B.集电极 C.基极 D.栅极 2．理想运算放大器的电压放大倍数是（ ）。 A 、零 B 、约为120 C 、无穷大 D 、无法测定 3．晶体管的电流放大系数α，β分别指（ ） （Ａ）工作在饱和区时的电流放大系数B C E C i i i i /,/==βα； （Ｂ）工作在放大区时的电流放大系数B C E C i i i i /,/==βα （Ｃ）工作在截止区时的电流放大系数B C E C i i i i /,/==βα （D ）工作在放大区时的电流放大系数B C E B i i i i /,/==βα 4．对甲乙类功率放大器，其静态工作点一般设置在特性曲线的（ ） A 放大区中部; B 截止区；C 放大区但接近截止区;D 放大区但接近饱和区。 5．与乙类放大器相比，甲乙类互补对称功率放大器的主要优点是：（ ） A 、 可以使用两个电源供电; B 、可以进行功率放大； C 、效率高; D 、无交越失真； 6．放大电路如图题6所示，由于R B1，和R B2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是（ ）。 A 、适当增加R B2，减小R B1 B 、保持R B1 不变，适当增加 R B2 C 、适当增加R B1，减小R B2 D 、保持R B2不变，适当减小R B1
《模拟电子技术》模拟试题一及答案
14 15 16 模拟电子技术》模拟试题一 、 填空题：（每空 1、PN 结正偏时（ 2、 漂移电流是（ 3、 所谓理想二极管， 等效成断开； 1 分 共 40 分） ），反偏时（ ）电流，它由（ 就是当其正偏时， ），所以 PN 结具有（ ）载流子形成，其大小与（ 结电阻为 ），等效成一条直线； ）导电性。 ）有关，而与外加电压（ 当其反偏时， 结电阻为 （ ）。 ）， 4、 三极管是（ ） 5、 三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ 6、 当温度升高时，晶体三极管集电极电流 Ic 7、 三极管放大电路共有三种组态分别是（ 8、 为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用 反馈。 控制元件，场效应管是（ 9、负反馈放大电路和放大倍数 AF= （ 10 、带有负反馈放大电路的频带宽度 BWF=（ ）、 控制元件。 ），集电结（ ），发射结压降（ ）、（ ） ） 。 ）。 放大电路。 ）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（ ）， 对于深度负反馈放大电路的放大倍数 ）BW 其中 BW=（ ）,（ AF= （ ）称为反馈深度。 ）。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（ 极性相反的两个信号，称为（ ）信号。 ）信号，而加上大小相等、 12、 为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（ 13、 OCL 电路是（ ）电源互补功率放大电路； 、共集电极放大电路具有电压放大倍数（ 用在输入级，输出级或缓冲级。 差分放大电路能够抑制（ ）漂移，也称（ 用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（ 称为（ ）失真，而采用 OTL 电路是（ ），输入电阻（ ）， ）。 17、 模拟乘法器输出与输入的关系式是 U0=( 选择题（每空 2 分 共 30 分） ）类互补功率放大器。 电源互补功率放大电路。 输出电阻（ ）等特点，所以常 ）漂移，所以它广泛应用于（ ）电路中。 ），未被调制的高频信号是运载信息的工具， ）， 电路符号是（ ）。 、稳压二极管是一个可逆击穿二极管， 值Uz 才有导通电流，否则处于（ A 、正偏 B 、反偏 C 、大于 D 、小于 E 、导通 、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是 该管是（ ）型。 稳压时工作在 ）状态。 ）状态，但其两端电压必须（ ）它的稳压 F 、截止 2V 、6V 、 2.7V ，则三个电极分别是（ ）， A 、（ B 、 C 、E ） B 、（ C 、B 、E ） C 、（E 、 、对功率放大器的要求主要是（ ）、（ ）、（ A 、U 0高 B 、P o 大 C 、功率大 D 、R 大 、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ A 、饱和失真 B 、截止失真 C 、交越失真 D 、增大 E 、减小 B ) D 、(NPN ) C 、 ）。 E 、波形不失真 ），此时应该（ E 、（PNP ） ）偏置电阻。 5、 差分放大电路是为了（ ）而设置的。 A 、稳定Au B 、放大信号 C 、抑制零点漂移 6、 共集电极放大电路的负反馈组态是（ ）。 A 、压串负 B 、流串负 C 、压并负 7、 差分放大电路 RE 上的直流电流IEQ 近似等于单管集电极电流 ICQ （）倍 C 、 3 A 、 1 B 、 2
模拟电子技术基础试题汇总附有答案.
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
模拟电子技术复习试题及答案解析
一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近 区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。
模拟电子技术基础试卷及其参考答案
模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷一专升本试卷及其参考答案 试卷一（总分150分） （成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一） 一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。） 1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（ ） a. 增加 b. 不变 c. 减小 d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（ ） a. 处于放大区域 b. 处于饱和区域 c. 处于截止区域 d. 已损坏 图2 3. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（ ） a. 10k Ω b. 2k Ω c. 1k Ω d. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（ ） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定 图4 5. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为（ ）
a.L m R g ' b.s m L m 1R g R g +'- C.L m R g '- d.m L /g R '- 图5 6. 图5中电路的输入电阻R i 为（ ） a. R g +(R g1//R g2) b. R g //(R g1+R g2) c. R g //R g1//R g2 d. [R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S 7. 直流负反馈是指（ ） a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ ） a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为（ ） a. －2.5V b. －5V c. －6.5V d. －7.5V 图9 10. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为（ ） a. 10mV b. 20mV c. 70mV d. 140mV 图10
模拟电子技术复习试题+答案
《模拟电子期末练习题》 填空题： 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷 大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共基极）、（共集电极）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流） 负反馈。 9、负反馈放大电路的放大倍数A F=（A/（1+AF）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=（1/F）。 10、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极 性相反的两个信号，称为（差模）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。 13、反向电流是由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 14、共集电极电路电压放大倍数（小于近似等于1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输 出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、晶体三极管具有放大作用时，发射结（正偏），集电结（反偏）。 17、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（直流）负反馈，为了减小输出电阻采用（电压）负反 馈。 18、共模信号是大小（相等），极性（相同）的两个信号。 19、乙类互补功放存在（交越）失真，可以利用（甲乙）类互补功放来克服。 20、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（正反馈）网络。 21、杂质半导体有（N）型和（P）型之分。 22、PN结最重要的特性是（单向导电性），它是一切半导体器件的基础。 23、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了（反向）电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结 加的是（正向）电压。 24、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是（为发射结提供正向偏置，同时提供一个静态基极电流I B）。 ——调节基极偏流I B 25、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位（相同），有奇数级组成的多级放 大电路中，输入和输出电压的相位（相反）。 26、电压负反馈稳定的输出量是（电压），使输出电阻（减小），电流负反馈稳定的输出量是（电流）， 使输出电阻（增大）。 27、稳压二极管是利用二极管的（反向击穿）特性工作的。 28、甲类功放的最大缺点是（效率较低）； 29、多级放大电路的耦合方式有（直接耦合）、（阻容耦合）、（变压器耦合）。 30、如果想要改善电路的性能，使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小，应该在电路中引入（电 压串联负）反馈。 31、有源滤波器的功能是（用于小信号处理），按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、（带通滤波）、
本科期末《模拟电子技术》试题与答案
图2 《模拟电子技术》试题 开卷（ ） 闭卷（√） 考试时长：100分钟 一、单项选择题（10*2=20分） 每小题备选答案中，只有一个符合题意的正确答案。请将选定的答案，按答题卡的要求进 行填涂。多选、错选、不选均不得分。 1、半导体二极管加正向电压时，有（ ） A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ） A 、反向偏置击穿状态 B 、反向偏置未击穿状态 C 、正向偏置导通状态 D 、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（ ） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结正偏，集电结正偏 C 、发射结反偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（ ） A 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC 应当（ ） A 、短路 B 、开路 C 、保留不变 D 、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ） A 、共射电路 B 、共基电路 C 、共集电路 D 、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，（见图2所示）则此三极 管为（ ） A 、PNP 型锗三极管 B 、NPN 型锗三极管 C 、PNP 型硅三极管 D 、NPN 型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（ ） A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A 、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（ ） A 、U0=0.45U2 B 、U0=1.2U2 C 、U0=0.9U2 D 、U0=1.4U2 二、填空题（25*1=25分） 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 V ；锗二极管的门槛电压约为 _ _V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。 2、二极管的正向电阻 ；反向电阻 。
模拟电子技术基础试题及答案
模拟电子技术基础试题 及答案 Revised as of 23 November 2020
1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC 从1mA变为2mA，那么它的β约为。【】 A. 83 B. 91 C. 100 2、已知图所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态 管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其 阻值为3kΩ。选择一个合适的答案填入空内。 （1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom ≈；【】 U ＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，则输出电压的（2）当 i 幅值将；【】 A.减小 B.不变 C.增大 U ＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时（3）在 i 增大输入电压，则输出电压波形将；【】 A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波 （4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。【】 减小减小减小 3、互补输出级采用共集形式是为了使。【】 A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 4、选用差分放大电路的原因是。【】 A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数 5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频 【
】倍倍倍 即增益下降。【】 6、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负 反馈。【】 A．输入电阻增大 B．输出量增大 C．净输入量增大D．净输入量减小 7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。【】 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。【】 A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差 9、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。【】 A．共射放大电路 B. 共集放大电路 C．共基放大电路 10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的 【】 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻 增大
模拟电子技术基础试题及答案
自测题分析与解答 一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。 (1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( ) (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( ) (3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( ) (4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( ) (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( ) (6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( ) (7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。( ) 【解答】(1)×。放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。 (2) √。放大的特征就是功率的放大。 (3)×。应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。 (4)×。． (5) √。设置合适的静态工作点。 (6)×。任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。 (7)×。 二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电对交流信号均可视为短路。， 【解答1 (a)不能。因为输人信号被VBB所影响。 (a)
例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法 来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极? 【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。 ‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能 用测晶体管的办法来检测。对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。 自测题分析与解答 一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。 (1)在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。( ) G S (6)若耗尽型N沟道MOS管的 u大于零，则其输入电阻会明显变小。( ) G S 【解答】(1) √。三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子，当空穴足够多时就能将N型半导体转变为P型半导体。，． (2)×。N型半导体内的多子，电子在没有受到激发的状态下，不能变成自由电子。 (3) √。由于扩散作用在空间形成空间电荷区，空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散作用，所以在没有外加能量的作用下，结电流为零。 (4)×。在外加反向电压的作用下，基区的非平衡少子，在外电场作用下越过集电极到达 集电区形成漂移电流。 (5)√。当、|UGs l增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。当沟道消失时，RGs趋于无穷大。 4 (6)×。因为在制作MOS管子时，在Si02中渗人大量正离子，在正离子的作用下，P型衬 底表层形成反型层，因为反型层的存在，所以输入电阻不会明显变小。