实验一：扩展RAM及FLASH读写实验指导

实验一：扩展RAM及FLASH读写实验

一、实验目的

1. 理解F28335在硬件上如何扩展RAM内存。

2. 理解F28335在扩展RAM存储器上的编程。

二、实验设备

1．装有CCS5.2的计算机一台。

2．ZQ28335开发板、XDS100V2 USB仿真器、USB接口线及5V电源。

三、实验原理

F28335的片上存储器和片外存储器采用统一编址方式。当片内RAM存储器不够用时，可外接芯片扩展。扩展存储器只能在0x00 4000~0x00 5000的XINF 区域0、0x10 0000~0x20 0000的XINF 区域6和0x20 0000~0x70 0000的XINF 区域7，如图1所示。

1．外扩RAM电路

选用的RAM型号为IS61LV25616AL，256K×16bit大小。这里使用A17~A0，共18根地址线，最大为256K；数据线为D15~D0。片选信号CE接F28335的XZCS7引脚，写WE 由XWE提供，RD（OE，Output Enable）信号均XRD提供。有硬件电路可知，外扩的RAM 地址范围为0x20 0000~0x23 FFFF。

由于没有使用A19~A18地址线，在仿真时，凡低18位地址相同的单元，读出的内容都是同一个单元内容,如0x240000~0x27FFFF，0x280000~0x2BFFFF和0x2C0000~0x2FFFFF上读出的内容与0x200000~0x23FFF的内容相同。

2．外扩FLASH电路

FLASH存储器掉电后数据不会丢失，用于存放程序和需要保存的数据。本实验板选用的FLASH型号为SST39VF800，512K×16bit大小。这里使用A18~A0，共19根地址线，最大为512K；数据线为D15~D0。片选信号CE接F28335的XZCS6引脚，写WE由XWE 提供，RD（OE，Output Enable）信号均XRD提供。有硬件电路可知，外扩的FLASH地址范围为0x10 0000~0x17 FFFF。

读FLASH的方法与普通的存储器没有区别，但写数据到FLASH及擦除等操作，则需要特定的命令，如表1所示。

图1 F28335内存映射

表1 SST39VF800型FLASH存储器命令表

图3 F28335在区域6外接FLASH芯片（仅使用A18~A0，512K）例如：一个字到FLASH（Word Program），需要4个周期。如将地址为DSPRamStart的随机存储器单元内容复制到FLASH的FlashStart单元，编程如下：

*(FlashStart + 0x5555)= 0xAA;

*(FlashStart + 0x2AAA)= 0x55;

*(FlashStart + 0x5555) = 0xA0;

*(FlashStart) = *(DSPRamStart);

3．实验功能分析

在《main_EXRAM.C》中，读写外部RAM与读写普通的存储器方法相同。在《main_NOR_FLASH.C》中读FLASH与普通存储器没有区别，但写FLASH等操作需要发送相应的命名。为叙述方便，将RAML7前半部分存储器简称为A，后半部分简称为B，FLASH 存储器简称为C，外部RAM存储器简称为D。主函数的主要功能为

（1）初始化外部接口为16位的总线接口（InitXintf()）；

（2）A初始化为0~0x3FF（InitRam(0)）；

（3）擦除C（ChipErase()；execute_150ms）；

（4）将A数据复制到C（写FLASH）（FlashWrite(0,0,0x400)）；（5）将B清零（EraseRam(0x0)）；

（6）将C数据复制到B（读FLASH）（FlashRead(0,0,0x400)）；

0xF000

0xF800

图4 EXRAM及FLASH存储器分布简图

四、源程序分析

1．延迟函数

原型：void delay_loop(Uint32 x)

2．擦除整个FLASH数据函数

原型：Uint16 ChipErase(void)

// FLASH芯片地址接在ZONE6段，地址从0x100000开始

// FlashStart=0x100000

// 擦除整个FLASH，擦除后，每个单元均为0xFFFF

// 函数返回0：擦除完成（EraseOK=0）

// 函数返回1：擦除超时退出（TimeOutErr=1）

// 函数返回3：擦除错误（EraseErr=3）

3．将RAML7的数据写到FLASH函数

原型：Uint16 FlashWrite(Uint32 RamStart, Uint32 RomStart, Uint16 Length) // FlashStart=0x100000

// DSPRamStart =0x00F000

// RAML7起始偏移地址：RamStart

// FLASH起始偏移地址：RomStart

// 复制数据个数：Length

// 函数返回0：全部写到FLASH完成（WriteOK=0）

// 函数返回1：擦除超时退出（TimeOutErr=1）

// 函数返回2：写数据错误（V erifyErr=2）

4．读FLASH的数据，复制到RAML7后半部分函数

原型：void FlashRead(Uint32 RamStart, Uint32 RomStart, Uint16 Length)

// FlashStart=0x100000

// DSPRamStart2 =0x00F800

// FLASH起始偏移地址：RomStart

// RAML7起始偏移地址：RamStart

// 复制数据个数：Length

5．初始化RAML7前半部分寄存器函数

原型：void InitRam(Uint16 Start)

// DSPRamStart =0x00F000

// 从RAML7前半部分的偏地址：start，单元数为0x400

// 初始化值为0~0x3FF，单元个数为0x400。

6．擦除RAML7的后半部分数据函数

原型：void EraseRam(Uint16 Start)

// DSPRamStart2 =0x00F800

// 从RAML7后半部分的偏地址：start，单元数为0x400

// 初始化值：全0，单元个数为0x400。

7．擦除RAML7的后半部分数据函数

原型：void RamRead(Uint16 Start)

// 将RAML7的前半部分数据复制到RAML7的后半部分函数

// DSPRamStart =0x00F000

// DSPRamStart2 =0x00F800 （RAML7的后半部分）

// 将RAML7的前半部分偏移地址为start，

// 复制单元数为0x400

8．《main_NOR_FLASH.C》中的主函数

void main(void)

{

InitSysCtrl();

DINT;

InitPieCtrl();

IER = 0x0000;

IFR = 0x0000;

InitPieVectTable();

InitXintf(); // 初始化16位数据的外设总线

InitRam(0);

ChipErase();

execute_150ms;

FlashWrite(0,0,0x400);

EraseRam(0x0); // RAML7后半部分从0xF800开始

FlashRead(0,0,0x400); // RAML7后半部分从0xF800开始}

五、实验预习

完成预习报告。

六、实验过程

（一）新建实验项目

1．点击CCS软件的Project菜单下的New CCS Project选项，如图5所示，新建一个名为“ZQ28335_ExRAMand_NOR_FLASH”的空项目，有关参数设置如图6所示。点击Empty Project和Finish完成项目的新建。

图5 新建一个项目

图6 项目参数设置

2. 将参考项目文件夹中的00ic_EXRAM.c文件重命名为“main_EXRAM.c”后，复制到这个项目文件夹中。00ic_NOR_FLASH.c文件重命名为“main_ NOR_FLASH.c”后，也复制到这个项目文件夹中。并删除“main.c”文件。将参考项目文件夹“DSP2833x_common”和“DSP2833x_headers”也复制到这个项目文件夹中，并禁用一些不需要的文件。

注：DSP2833x_common中已删去CMD文件夹。DSP2833x_headers已删去CMD文件夹中的“DSP2833x_Headers_BIOS.cmd”。

4．右击项目名称，选择Properties(属性)，如图7所示，点击Include Options选项，添加DSP2833x_common和DSP2833x_headers中的头文件和源文件途径。如图4所示。

图7添加文件途径

（二）扩展RAM实验

1．禁用“main_ NOR_FLASH.c”文件，方法是：在“main_ NOR_FLASH.c”文件上右击选择下的选项。如图8所示。在随后出现的界面上，点击和按钮即可。这时“main_ NOR_FLASH.c”文件不参与编译。

图8禁用文件选项

2．点击，编译、下载程序，当程序运行到下图OK地方停止表示外部SRAM读写数据正常，否则停止在error处。

图9执行main_EXRAM停止位置

3．此时点击View->Memory，打开内存观察窗口，输入外扩RAM起始地址0x20 0000，按回车键，即可看到从0x0000依次递增的数据。

图10执行main_EXRAM结果数据

（三）扩展FLASH实验

1．禁用“main_EXRAM.c”文件，方法是同禁用“main_ NOR_FLASH.c”文件相同。

2．激活“main_ NOR_FLASH.c”。方法是：在“main_ NOR_FLASH.c”文件上右击选

择下的选项。在随后出现的界面上，去掉

和左侧的两个小沟，点击OK即可。

3．点击，编译、下载程序，在InitRam(0)这一行设置一个断点，点击运行程序到此。点击（单步执行），执行下面一行代码：

InitRam(0)；

打开内存观察窗口，输入RAML7起始地址0xF000，按回车键，看数据是否从0x0000依次递增。

图11执行InitRam(0)结果数据

4．点击，执行下面两行代码：

ChipErase();

execute_150ms;

打开内存观察窗口，输入FLASH起始地址0x10 0000，按回车键，看FLASH擦除后的数据是否都是0xFFFF。

图12执行ChipErase()结果数据

5．点击，执行下面一行代码：

FlashWrite(0,0,0x400);

打开内存观察窗口，输入FLASH起始地址0x10 0000，按回车键，看写到FLASH的数据是否从0x0000依次递增。若是则说明写FLASH数据完成。

图13执行FlashWrite(0,0,0x400)结果数据

6．点击，执行下面一行代码：

EraseRam(0x0); // RAML7后半部分从0xF800开始

打开内存观察窗口，输入RAML7后半部分起始地址0xF800，按回车键，看其数据是否都是0。若是则说明写清除RAML7后半部分数据完成。

图14执行EraseRam(0x0)结果数据

7．点击，执行下面一行代码：

FlashRead(0,0,0x400);

打开内存观察窗口，输入RAML7后半部分起始地址0xF800，按回车键，看其数据是否从0x0000依次递增，若是则说明读FLASH数据正常，若否，说明函数有问题。

图15执行FlashRead(0,0,0x400)结果数据

七、课堂编程作业

先备份程序，然后修改代码。依次完成以下操作：

1、将数值0x1234写入到存储器区间0xF000~0xF3FF中；

2、将存储器区间0xF000~0xF3FF中的值对应地复制到存储器区间0x100000~0x1003FF 中；

3、将存储器区间0x100000~0x1003FF中的值对应地复制到存储器区间0x200000~0x2003FF中；

4、将存储器区间0x200000~0x2003FF中的值对应地复制到存储器区间0xF000~0xF3FF 中；

查看存储器区间0xF000~0xF3FF的数值情况。

八、完成实验报告