电子技术基础实训总结报告
电子技术基础实训总结报告
电子技术基础实训总结报告
----(副标题全称)
姓名：刘光闲
学号： 120211201
班级： 12建筑电气2 指导老师：吴小花
二○一三年 6 月 25 日
一、实训内容
功率电路的设置与操作
二、实训目的
1、学习功放的方法
2、掌握功效的参数与测试方法
三、实训仪器设备
1 双12V的电压
2 数字万用表
3 AD软件
4 覆铜板
5 电工实验台
四、电路的组成与工作原理
１、电路构成（电
２、电路工作原理
3、测试数据
无
五、元器件清单
…
六、收获与体会
通过本次的课程，我学会了功放电路的设置，是要理论为基础的。而实践操作是完成实验的关键，而创新能力决定了一个电路的价值。一个电路的焊接不是简单地按图操作，而是我们要通过器件参数的计算，需要我们的理论为基础。
它考验了我们电路的基本操作，提高了我们的实践能力。总之，这次的电路焊接提高了我们队模电的认识。
七、对本次实训的意见及建议
希望操作性更强些，电路更复杂点，可以做更多的操作实验。
电子技术基础期末复习题
2014级电气自动化技术专业 《电子技术基础》复习资料 一、填空题。 1、二极管工作在正常状态时，若给其施加正向电压时，二极管导通,若施加反向电压时，则二极管截至，这说明二极管具有单向导电性。 2、晶体管从内部结构可分为 NPN型和PNP型。 3、NPN型硅晶体管处于放大状态时，在三个电极电位中，其电位高低关系为 V C ＞V B ＞V E ，基极和发射极电位之差约等于。 4、在晶体管放大电路中，测得I C=3mA，I E=，则I B= ， = 100。 5、按晶体管在电路中不同的连接方式，可组成共基、共集和共射三种基本放大电路；其中共集电路输出电阻低，带负载能力强；共射电路兼有电压放大和电流放大作用。 6、晶体管在电路中若用于信号的放大应使其工作在放大状态。若用作开关则应工作在饱和和截至状态，并且是一个无触点的控制开关。 7、组合逻辑电路是指任何时刻电路的输出仅由当时的输入状态决定。 8、用二进制表示有关对象的过程称为编码。 9、n个输出端的二进制编码器共有 2n个输入端，对于每一组输入代码，有1个输入端具有有效电平。 10、画晶体管的微变等效电路时，其B、E两端可用一个线性电阻等效代替，其C、E两端可以用一个可控电流源等效代替。 11、1位加法器分为半加器和全加器两种。 12、多级放大器的级间耦合方式有3种，分别是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。 13、多级放大电路的通频带总是比单级放大电路的通频带窄。 14、反馈是把放大器的输出量的一部分或全部返送到输入回路的过程。
15、反馈量与放大器的输入量极性相反，因而使 净输入量 减小的反馈，称为 负反馈 。 为了判别反馈极性，一般采用 瞬时极性法 。 16、三端集成稳压器CW7806的输出电压是 6 V 。 17、施加深度负反馈可使运放进入 线性 区，使运放开环或加正反馈可使运放进入 非线性 区。 18、逻辑功能为“全1出0，见0出1”的逻辑门电路时 与非 门。 19、一个二进制编码器若需要对12个输入信号进行编码，则要采用 4 位二进制代码。 20、电压跟随器的输出电压与输入电压不仅 大小相等，而且 相位 也相同。 二、 选择题。 1、把一个6V 的蓄电池以正向接法直接加到二极管两端，则会出现（ C ）问题。 A 正常 B 被击穿 C 内部断路 2、二极管的正极电位是-10V ，负极电位是，则该二极管处于（ A ）状态。 A 反偏 B 正偏 C 零偏 3、晶体管工作在放大区时，具有如下特点（ A ）. A 发射结反向偏置 B 集电结反向偏置 C 晶体管具有开关作用 D I C 与I B 无关 4、稳压二极管是特殊的二极管，它一般工作在（ C ）状态。 A 正向导通 B 反向截止 C 反向击穿 D 死区 5、测量放大器电路中的晶体管，其各极对地电压分别为，2V ，6V ，则该管（ A ）。 A 为NPN 管 B 为Ge 材料 C 为PNP 管 D 工作在截止区 6、理想集成运算放大器工作在饱和区，当+u >-u 时，则（ A ） A om o U u += B m o U u 0-= C +=u u o D -=u u o 7、测得晶体管,3,404.2,30mA I A I mA I A I C B C B ====时；时μμ 则该晶体管的交流电流放大系数为（ B ）。
模拟电子技术基础_知识点总结
第一章半导体二极管 1.本征半导体 单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge 导电能力介于导体和绝缘体之间。 特性：光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物 理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越 高，本征激发越强。 空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q 电荷的空位宏观定向运动。 在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。当热激发和 复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。 2 ?杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。 N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。 杂质半导体的特性 载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。 体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 3.PN 结 在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。 PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。 PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。 正偏PN结（P+,N-）:具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V < 反偏PN结 （P-, N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。 4.半导体二极管 普通的二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。单向导电性：正向导通，反向截止。
电子技术基础离线作业
浙江大学远程教育学院 《电子技术基础》课程作业 模拟电子技术基础部分 题1 在图1电路中,设V t v i ωsin 12=,试分析二极管的导电情况(假定D 均为理想二极管)。 解:题中的电路就是二极限幅电路,对电路(a), 当输入电压幅度6+≥i v V 时, 二极管导电,输出电压电压6+≤i v 时D 截止,为+6V,当输入输入电压i o v v =;对电输出电压等于电压幅度6+≤i v V 时 路(b),当输入 二极管导电,输出电压为i o v v =,输入电压6+≥i v V 时,二极管截止,输出电压为+6V ;对电路(c),就是一个双向限幅电路,当输入电压6-≤i v V 时,D 1导电、D 2截止,输出为—6V ,当输入电压8+≥i v V 时,D 2导电、D 1截止,输出电压为+8V 。 题2 电路如图2所示,分析在下述条件下各二极管的通断情况。设二极管D 的导通压降V D =0、7 V,并求出D 导通时电流I D 的大小。 (1)V CC1= 6 V,V CC2= 6 V,R 1= 2 k Ω,R 2= 3 k Ω; (2)V CC1= 6 V,V CC2= 6 V,R 1=R 2= 3 k Ω; (3)V CC1= 6 V,V CC2= 6 V,R 1= 3 k Ω,R 2= 2 k Ω。 图2 解:(1)求出二极管两端 的开路电压,如开路电压使二极管正偏,则二极 管导电,然后再求出流过二极管 的电流。二极管开路后流过R1与R2的电流:mA R R V V I CC CC 4.25 12 2121==++= ,则二极 管两端的开路电压V IR V V IR V CC CC 2.11122=-=-=,由于二极管两端开路电压大于0、7V ,所以二极管导电,导电后,二极管二端压降为0、7V 。此时流过二极管的 图1
电子技术基础实验设计心得
电子技术基础实验设计心得 过而能改，善莫大焉。在课程设计过程中，我们不断发现错误，不断改正，不断领悟你有什么感受呢？本文是精心的，希望能帮助到你！ 过此次课程设计，使我更加扎实的掌握了有关高频电子线路方面的知识，在设计过程中虽然遇到了一些问题，但经过一次又一次的思考，一遍又一遍的检查终于找出了原因所在，也暴露出了前期我在这方面的知识欠缺和经验不足。实践出真知，通过亲自动手制作，使我们掌握的知识不再是纸上谈兵。 过而能改，善莫大焉。在课程设计过程中，我们不断发现错误，不断改正，不断领悟，不断获龋最终的检测调试环节，本身就是在践行“过而能改，善莫大焉”的知行观。这次课程设计终于顺利完成了，在设计中遇到了很多问题，最后在老师的指导下，终于游逆而解。在今后社会的发展和学习实践过程中，一定要不懈努力，不能遇到问题就想到要退缩，一定要不厌其烦的发现问题所在，然后一一进行解决，只有这样，才能成功的做成想做的事，才能在今后的道路上劈荆斩棘，而不是知难而退，那样永远不可能收获成功，收获喜悦，也永远不可能得到社会及他人对你的认可! 课程设计诚然是一门专业课，给我很多专业知识以及专业技能上的提升，同时又是一门讲道课，一门辩思课，给了我许多道，给了我很多思，给了我莫大的空间。同时，设计让我感触很深。使我对抽象的理论有了具体的认识。通过这次课程设计，我掌握了常用元件的
识别和测试;熟悉了常用仪器、仪表;了解了电路的连线方法;以及如何提高电路的性能等等，掌握了焊接的方法和技术，通过查询资料，也了解了收音机的构造及原理。 我认为，在这学期的实验中，不仅培养了独立思考、动手操作的能力，在各种其它能力上也都有了提高。更重要的是，在实验课上，我们学会了很多学习的方法。而这是日后最实用的，真的是受益匪浅。要面对社会的挑战，只有不断的学习、实践，再学习、再实践。这对于我们的将来也有很大的帮助。以后，不管有多苦，我想我们都能变苦为乐，找寻有趣的事情，发现其中珍贵的事情。就像中国提倡的艰苦奋斗一样，我们都可以在实验结束之后变的更加成熟，会面对需要面对的事情。 回顾起此课程设计，至今我仍感慨颇多，从理论到实践，在这段日子里，可以说得是苦多于甜，但是可以学到很多很多的东西，同时不仅可以巩固了以前所学过的知识，而且学到了很多在书本上所没有学到过的知识。通过这次课程设计使我懂得了理论与实际相结合是很重要的，只有理论知识是远远不够的，只有把所学的理论知识与实践相结合起来，从理论中得出结论，才能真正为社会服务，从而提高自己的实际动手能力和独立思考的能力。在设计的过程中遇到问题，可以说得是困难重重，但可喜的是最终都得到了解决。 实验过程中，也对团队精神的进行了考察，让我们在合作起来更加默契，在成功后一起体会喜悦的心情。果然是团结就是力量，只有互相之间默契融洽的配合才能换来最终完美的结果。
模拟电子技术基础期末试题 答案
课程 模拟电子技术基础 班级 学号 姓名 一、填空题：（15分，每空1分） 1. 环境温度变低，放大电路中晶体管的共射电流放大倍数 会变 。 2. 当设计要求输出功率为20W 的乙类推挽功放时，应选取P CM 至少为 W 的功率管。 3. 若将集成运放理想化，则差模输入电阻id r = ，o r = 。 4．在负反馈放大电路中，要达到提高输入电阻、增强带负载能力的目的，应该给放大器接入 反馈。 5. _______比例运算电路的输入电阻大，而_______比例运算电路的输入电阻小。 6. 差分放大电路的主要功能是放大 信号、抑制 信号。 7. 当输入信号的频率等于放大电路的L f 或H f 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。 8. 根据相位平衡条件判断图示电路 （填“能”或“不能”）产生正弦波振荡。 9．负反馈使放大电路增益下降，但它可以 通频带， 非线性失真。
10. 在直流电源中，当变压器副边电压有效值2U =20V 时，单相全波整流电路的输出电压平均值)(AV O U = V ，若负载电阻L R =20Ω，则负载电流平均值)(AV O I = A 。 二、选择题：（20分，每题2分） 1．在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 2．工作在放大区的某三极管，如果当B I 从12A μ增大到22A μ, C I 从1mA 变为1.9mA ， 那么它的β约为 。 A. 90 B. 83.3 C. 86.4 3．以下基本放大电路中， 电路不具有电压放大能力。 A.共射 B.共集 C.共基 4．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻e R ，将使电路的 。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 5．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A ．温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 6．为增大电压放大倍数，集成运放的中间级采用 。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 7．欲得到电流—电压转换电路，应在放大电路中引入 负反馈。 A.电压并联 B.电压串联 C.电流并联 D.电流串联 8．欲将方波转换成尖顶波电压，应选用 运算电路。 A.比例 B.加减 C.积分 D.微分 9．功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可获得的最大 。 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 10. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当信号频率f =O f 时，RC 串并联网络呈 。 A.容性 B.阻性 C.感性 三、（本题10分）判断下图电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈，如果电路引入了交流负反馈，判断引入了哪种阻态。并估算此电路在深度负反馈条件下的源电压放大倍数。
电子技术基础总结
电子技术基础总结 电子技术基础总结怎么写？以下是小编整理的相关范文，欢迎阅读。 电子技术基础总结一由于中职学生理论基础差，同时又缺乏主动学习的自觉性，如果采用传统的教学方法会使学生认为学习难度大学不会因而失去学习的兴趣，致使课堂出现学生睡倒一片或不听课各行其事的现象。采用项目任务驱动式教学，重在培养学生完成工作和动手实践的能力。学生在具体的工作任务中遇到问题，就会带着问题主动学习，这样使学生变要我学习为我要学习，提高学习的主动性，这种教学模式既锻炼了学生解决实际问题的能力，同时也提高了教学质量和教学效率。 组织召开专题会 为了确保课改取得实效，机电一体化教研组组织有关教师召开专题会，就如何开展好课改工作进行讨论，认真听取这门课有经验老师的建议，制定出课改实施方案。 教学内容的选取原则 1、坚持课程与技能岗位相对接； 2、下企业调研岗位工作任务； 3、提取典型工作任务； 4、确定课程学习任务与技能目标； 5、注重培养学生的基本技能。
项目教学内容的确定 在对企业充分调研的基础上，进行工作任务的分类归总，提取企业典型工作任务，确定了涵盖电工基础、模电、数电三部分的八大块 内容共十三个学习情境。在确定的学习内容中较侧重电子部分，任务的层次也是由易到难，十三个学习情境如下图所示。 项目教学的组织实施 1、所谓项目教学法，就是在老师的指导下,将一个相对独立的项目交由学生自己处理，项目学习中有关信息的收集、方案的设计、项目实施及最终评价,都由学生自己负责,学生通过该项目的进行,了解并把握整个过程及每一个环节中的基本要求。 “项目教学法”最显著的特点是“以项目为主线、教师为引导、学生为主体”,具体表现在：目标指向的多重性；培训周期短，见效快；可控性好；注重理论与实践相结合。项目教学法是师生共同完成项目，共同取得进步的教学方法。 2、在项目教学法的具体实施过程中，学生们还是能够给予较积极配合的。《电工与电子技术》计划的每周7课时安排在一天内进行，其中2节为理论课时，其余5节为任务实训课。但由于教师人手不够，后改为4节理论，3节实训。相比于理论课，学生还是偏向于上实训课，更喜欢做训练动
2016秋新版 浙大远程 电子技术基础 离线作业答案 第一篇 第4章习题
第一篇 第4章习题 题1.4.1 在图题1.4.1所示电路中，设BJT 的100=β，Ω=k r be 1，0=s R 。 （1）求电路的下限频率L f ； （2）当信号源频率下降到下限频率L f 时，电压放大倍数为多少？输出电压与信号源电压的相位差为多少？ 图题1.4.1 图题1.4.2 答：（1）考虚了耦合电容和输入回路电阻后，可求得时间，然后计算Hz f L 159=；（2）141=vL A ，相位差-225o ； 题1.4.2 电路如图题1.4.2所示，设BJT 的50=β，Ω=k r be 1。 （1）求电路的下限频率L f ； （2）当信号源频率下降到下限频率L f 时，电压放大倍数为多少？ 答：（1）它的下限频率由输出回路决定，考虚了耦合电容和回路电阻后，可求得时间，然后计算Hz f L 8.39=；（2）36.1=vL A ； 题1.4.5 某放大电路电压放大倍数的频率特性表达式为 ()() kHz 50/1Hz 10/1)Hz 10/(100jf jf jf A v ++-= 画出波特图，求其下限截止频率L f 和上限截止频率H f 。 答：波特图如下。f L =10Hz ， f H =50kHz 。
题1.4.6 某放大电路电压放大倍数高频段的频率特性表达式为 ()() MHz 1/1kHz 100/1100jf jf A v ++-= 画出波特图，求其上限截止频率H f 的近似值。 答：波特图为： 图3.1.20 上限截止频率 f H ≈100kHz 。 题1.4.7 已知某反相放大电路电压放大倍数的对数幅频特性曲线如图题1.4.7所示： (1) 写出该放大电路电压放大倍数的频率特性表达式； (2) 写出该放大电路电压放大倍数的相频特性表达式，画出对数相频特性曲线。 图题1.4.7 答：（1）频率特性表达式为： （2）对数相频特性表达式为： )100/arctan()10arctan()1.0/arctan(180z f z f z f o MH -MH -MH --=? )100/1)(10/1)(1.0/1(104 . z jf z jf z jf A V MH +MH +MH +-=
2020年电子技术基础实训报告
电子技术基础实训报告 导语：电子技术基础实训结束了，电子技术基础实训报告怎么写?以下是为大家的文章，欢迎阅读!希望对大家有所帮助! 一、实训目的： 1、培养动手能力，在实践中加强对理论知识的理解。 2、掌握对电子元器件识别，相应工具的操作，相关仪器的使用，电子设备制作、装调的全过程的方法。 3、掌握查找及排除电子电路故障的常用方法。 4、学习使用protel电路设计软件，动手绘制电路图。 二、实训设备及仪器： 1、电烙铁：焊接的元件多，所以使用的是外热式电烙铁，功率为30w，烙铁头是铜制。 2、螺丝刀、镊子等必备工具以及练习焊接时用的铜丝。 3、锡丝：由于锡熔点低，焊接时，焊锡能迅速散步在金属表面焊接牢固，焊点光亮美观。 4、松香，导线，剥线钳等其它需要用到的工具。 5、相关实验项目所需的电路板，电子元件等。 三、实训要求： 1、识别不同的电子元器件的规格和种类，熟练掌握焊接技术。 2、按照电路图设计合理安排元器件的位置，连接好电路，对接口进行焊接，完成对指定功能的测试。未达到测试要求的重新调试，直至排除故障。 四、实训内容：
1、项目： (1)模拟声响器 (2)汽车尾灯控制器(3)数字时钟(4)组装收音机 2、实验电路： (1)模拟声响器电路： (2)汽车尾灯控制器电路： (3)数字时钟电路： (4)收音机电路： 五、实训结果： 所有项目均完成，电路成品经过测试检修。其中，项目一达到 测试目标，项目二三四部分达到测试目标。 六、实训心得： 1、对电气技能训练的理论有了初步的系统了解。进一步学习了电子技术以及电子安装工艺和测量调试技术。我了解到了焊普通元件与电路元件的技巧、收音机的工作原理与组成元件的作用等。 2、实训项目对自己的动手能力是个很大的锻炼。在实习中，我锻炼了自己动手技巧，提高了自己解决问题的能力。虽然在实习中会遇到难题，但是从中我学到了很多，使自己的动手能力也有所提高，也认识到了理论学习跟实践的差别。 3、今后我想在以后的理论学习中我就能够明白自己的学习方向，增进专业知识的强化。同时联系实际，促进理论成果的产业化过程
电子技术基础期末复习资料(含答案)
11级电子技术基础期末复习资料 一．概念填空： 1．电路由电源负载中间环节三部分组成。 2．电路中电流数值的正或负与参考方向有关，参考方向设的不同，计算结果也不同。 3．理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关，流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4．由电路中某点“走”至另一点，沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5．相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6．电阻并联分流与分流电阻值成反比，即电阻值大者分得的电流小，且消耗的功率也小。 7．串联电阻具有分压作用，大电阻分得的电压大，小电阻分得的电压小功率也小。 8．实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9．在电路分析中，应用戴维南或诺顿定理求解，其等效是对外电路而言。 11 ．常用的线性元件有电阻、电容、电感，常用的非线性元件有二极管和三极管。 12．二极管正向偏置，是指外接电源正极接二极管的阳（或正）极，外接电源负极接二极管 的阴（或负）极。 13．P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素，其多数载流子是空穴，少数
载流子是 自由电子 。 40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素，其多数载流子是 自由电 子 ，少数载流子是 空穴 。 14．若三极管工作在放大区，其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ； 三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。 15.根据换路定则，如果电路在t=0时刻发生换路，则电容的电压u c(0+)= uc(0-) ,电 感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时，有三种可能的工作状态，它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38．3个输入的译码器，最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器，最多可译出 __16___（2×2×2×2）______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同，可将数字电路分为___组合 ______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。 19.F=A ——(B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20．两个电压值不同的理想电压源并联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 33．两个电流值不同的理想电流源串联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 西南交《数字电子技术基础A》离线作业 1. 已知输入信号A、B、C的波形，试画出图2所示各电路输出（L1、L2、L3）的波形。设触发器的初态为0。（10分） 图2 2. 如图3所示，为检测水箱的液位，在A、B、C、三个地方安置了三个水位检测元件，当水面低于检测元件时，检测元件输出低电平，水面高于检测元件时，检测元件输出高电平。试用与非门设计一个水位状态显示电路，要求：当水面在A、B之间的正常状态时，仅绿灯G亮；水面在B、C 间或A以上的异常状态时，仅黄Y灯亮；水面在C以下的危险状态时，仅红灯R亮。（10分） 3. 逻辑电路如图4所示，试画出Q0、Q1、Q2的波形。设各触发器初态为0。（10分） 4. 已知某同步时序逻辑电路的时序图如图5所示。（10分） 1．列出电路的状态转换真值表，写出每个触发器的驱动方程和状态方程 2．试用D触发器和与非门实现该时序逻辑电路，要求电路最简。画出逻辑电路图。 电路具自启动能力 5. 用移位寄存器74194和逻辑门组成的电路如图6所示。设74194的初始状态Q3Q2Q1Q0 =0001，试画出各输出端Q3、Q2、Q1、Q0和L的波形。（10分） 解： 6. 电路如图7所示，图中74HC153为4选1数据选择器。试问当MN为各种不同输入时，电路分别是那几种不同进制的计数器。（10分） 7. 由555定时器组成的脉冲电路及参数如图8 a所示。已知vI的电压波形如图b所示。试对应vI画出图中vO1、vO2的波形；（10分） 解： 8.逻辑电路如图2 a、b、c所示。试对应图d所示输入波形，分别画出输出端 L1、、L2 和L3的波形。(设触发器的初态为0) （10分） 图 2 9.发由全加器FA、2-4线译码器和门电路组成的逻辑电路如图3 a所示。试在图b中填写输出逻辑函数L的卡诺图（不用化简）。（10分） 电工电子实习感想 在这次为期5周的电工实习中，我学到了很多东西，使我更深刻地了解到了实践的意义和重要性，只具有理论知识是不行的，更要有动手能力，平时我们学习中的眼高手低，只看不动手是不行的，特别是自己作为测控技术与仪器专业的学生，对动手能力应该有更高的要求。通过本次实习我更加体会到“学以致用”这句话中蕴涵的深刻道理。 本次实习的目的主要是使我们对电工工具、电器元件及线路安装调试有一定的感性和理性认识；了解一些线路原理以及通过线路图安装、调试、维修的方法；对电工技术等方面的专业知识做初步的理解；培养和锻炼我们的实际动手能力，使我们的理论知识与实践充分地结合，做到不仅具有专业知识，而且还具有较强的实际操作能力，能分析问题和解决问题的高素质人才。以前我们学的都是一些理论知识,比较注重理论性，而较少注重我们的动手锻炼，而这一次的实习有不少的东西要我们去想，同时有更多的是要我们去做，好多东西看起来十分简单，但没有亲自去做，就不会懂得理论与实践是有很大区别的，很多简单的东西在实际操作中就是有许多要注意的地方，也与我们的想象不一样，这次的实训就是要我们跨过这道实际和理论之间的鸿沟。理论说的再好，如果不付诸于实际，那一切都是空谈。只有应用与实际中，我们才能了解到两者之间的巨大差异。 1、焊接的体会 实习刚开始的一项训练就是焊接。焊接是金属加工的基本方法之一。其基本操作“五步法”：准备施焊，加热焊件，熔化焊料，移开焊锡， 移开烙铁，这5步看似容易，实则需要长时间练习才能掌握。我们的第一个任务就是焊一个立方体，看似简单，但是操作起来却着实不易。三根导线要互相垂直的焊接并且是一个人独立完成（每个人都有自己的进度，很难一起合作），所以花了很长时间才完成了任务，而且焊点还不是很美观，但是在不断挑战自我的过程中，焊接技术日趋成熟。当我终于能用最短时间完成一个合格焊点时，对焊接的恐惧早已消散，取而代之的是对自己动手能力的信心。接下来的在板子上焊接电阻，贴焊环节，虽然不是那么熟练，但是在不断在焊接过程中摸索，总结，总算使自己的焊接技术有了一定的提高和进步。电工电子实习，是以学生自己动手，掌握一定操作技能并制作、组装与调试为特色的。它将基本技能训练，基本工艺知识和创新启蒙有机结合，培养实践能力和创新精神。作为信息时代的大学生，作为国家重点培育的高技能人才，仅会操作鼠标是不够的，基本的动手能力是一切工作和创造的基础和必要条件。所以我很珍惜这次机会，认真的学习和练习，争取在课程结束的时候能够让自己的动手能力上一个台阶。 2、表贴收音机制作过程体会 我的实习作品是焊接制作一个卡通型FM表贴式收音机。在领到元器件的时候，心中很是兴奋，但当自己真正开始动手焊的时候发现并不像我想的那么简单。表贴元器件的尺寸远比我想象的要小很多，以至于我刚开始焊的时候，就有两个电容贴片被我一口气给吹跑了，另外还有一个贴片电阻在拆包装的时候不知道被弹到哪去了，让我一顿好找，总算 第1章检测题 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与电场的方向相同，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散运动起削弱作用，对少子的漂移运动起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，则红表棒接触的电极是二极管的阴极；黑表棒接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿损坏；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。 6、单极型晶体管又称为MOS管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（错） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其外电场方向一致。（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对） 数字电子技术实验心得 Document number：PBGCG-0857-BTDO-0089-PTT1998 数字电子技术实验心得 这学期学了数字电子技术实验，让我了解到了更多知识，加深了对数字电子技术的理解。这是一门理论与实践密切相关的学科，能让我们自己去验证一下书上的理论，自己去设计，这有利于培养我们的实际设计能力和动手能力。 通过数字电子技术实验, 我们不仅仅是做了几个实验,不仅要学会实验技术,更应当掌握实验方法，即用实验检验理论的方法,寻求物理量之间相互关系的方法,寻求最佳方案的方法等等，掌握这些方法比做了几个实验更为重要。 在做实验前,一定要将课本上的知识吃透,因为这是做实验的基础,否则,在老师讲解时就会听不懂,这将使你在做实验时的难度加大,浪费做实验的宝贵时间.做 实验时,一定要亲力亲为,务必要将每个步骤,每个细节弄清楚,弄明白,实验后,还要复习,思考,这样,你的印象才深刻,记得才牢固,否则,过后不久你就会忘得一干二净,这还不如不做.做实验时,老师还会根据自己的亲身体会,将一些课本上没有的知 识教给我们,拓宽我们的眼界,使我们认识到这门课程在生活中的应用是那么的广泛. 我也学习到一些经验： 1、如果发现了实验中问题所在，此时，我们应该静下心来，冷静地分析问题的所在，有可能存在哪一环节，比如实验原理不正确，或是实验电路需要修正等等，只有这样我们的能力才能有所提高。不要盲目的把导线全部拆掉，然后又重新连接一遍，这样不但浪费时间，而且也无法达到锻炼我们动手动脑能力的目的。 2、在实验过程中，我们也要学会分工协作，不能一味的我行我素或是自己一点也不参与其中。 3、在实验过程中，要互相学习，学习优秀同学的方法和长处，同时也要学会虚心向指导老师请教，当然这要建立在自己独立思考过的基础上。 在实验的过程中我们要培养自己的独立分析问题，和解决问题的能力。培养这种能力的前题是你对每次实验的态度。数字电子技术实验，有利于掌握知识体系与学习方法，有利于激发我们学习的主动性，增强自信心，有利于培养我们的创新钻研的能力，有利于书本知识技能的巩固和迁移。我们认为，在这学期的实验中，在收获知识的同时，还收获了阅历，收获了成熟，在此过程中，我们通过查找大量资料，请教老师，以及不懈的努力，不仅培养了独立思考、动手操作的能力，在各种其它能力上也都有了提高。这也是人生中美好的经历，让我感受到大学的更高一层次。更重要的是，在实验课上，我们学会了很多学习的方法。而这是日后最实用的，真的是受益匪浅。要面对社会的挑战，只有不断的学习、实践，再学习、再实践。 通信1403 万军 数字电子技术基础期末 试题及答案 Company number：【WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998】 一、填空题：（每空1分，共16分） 1．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（ 逻辑图 ）、（ 逻辑表达式 ）和（ 卡诺图 ）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（ 0 ）。 3．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（ TTL ）电路和（ CMOS ）电路。 4．施密特触发器有（ 两 ）个稳定状态.，多谐振荡器有（ 0 ）个稳定状态。 5．已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片，它有地址线（ 10 ）条，数据线（ 4 ）条。 6．已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ，则A/D 转换器的采样频率应高于（ 20 ）kHz ；完成一次转换所用的时间应小于（ 50 ）。 7．GAL 器件的全称是（ 通用阵列逻辑 ），与PAL 相比，它的输出电路是通过编程设定其（ 输出逻辑宏单元 ）的工作模式来实现的，而且由于采用了（ E 2CMOS ）的工艺结构，可以重复编程，使用更为方便灵活。 二、根据要求作题：（共16分） 1． 试画出用反相器和集电极开路与非门实现逻辑函数 C B AB Y +=。 解：1． 2、图1、2中电路由TTL 门电路构成，图3由 CMOS 门电路构 成，试分别写出F1、F2、F3的表 达式。 F C F B A F = =+=321; ;解：．2. 三、已知电路及输入波形如图4（a ）（b ）所示，其中FF1是D 锁存器，FF2是维持-阻塞D 触发器，根据CP 和D 的输入波形画出Q1和Q2的输出波形。设触发器的初始状态均为0。 （8分） 解： R ＋ 第一章晶体二极管及应用电路 一、半导体知识 1．本征半导体 ·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体器件和IC 的重要材料）。 ·纯净（纯度>7N）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。温度越高，本征激发越强。 +载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶·空穴是半导体中的一种等效q +电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。 格中的空位，使局部显示q ·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。 2．杂质半导体 ·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P型）杂质半导体（N型：图1-5，P型：图1-6）。 ·在很低的温度下，N型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。 ·由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。 ·在常温下，多子>>少子（图1-7）。多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。 ·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。 3．半导体中的两种电流 在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。 4．PN结 ·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN结（图1-8）。 ·PN结是非中性区（称空间电荷区），存在由N区指向P区的内建电场和内建电压；PN结内载流子数远少于结外的中性区（称耗尽层）；PN结内的电场是阻止结外两区的 仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢1 第二篇 第5章习题 题2.5.1 一双电源互补对称电路如图题2.5.1所示，设已知V CC =12V ，R L =16Ω，v I 为正弦波。求： （1）在三极管的饱和压降V CES 可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率P om =？ （2）每个管子允许的管耗P CM 至少应为多少？ （3）每个管子的耐压｜V (BR)CEO ｜应大于多少？ 图题2.5.1 解：(1) 负载上可能得到的最大输出电压幅度V om =12V (W 5.41621222 2=?== L om om R V P ) (2) (W)9.02.0(max)==om CM p P ∴CM P ≥0.9W (3) CEO BR V )(≥24V 题2.5.2 在图题2.5.2 所示的OTL 功放电路中，设R L =8Ω，管子的饱和压降｜ＶCES ｜可以忽略不计。若要求最大不失真输出功率（不考虑交越失真）为9W ，则电源电压V CC 至少应为多大？（已知v i 为正弦电压。） 图题2.5.2 解：W 982)21 (2)21(2 2(max)=?==CC L CC om V R V P V CC =24(V) ∴电源电压V CC 至少24V 题2.5.3 OTL 放大电路如图题2.5.3所示，设T 1、T 2特性完全对称，v i 为正弦电压，V CC =10V ，R L =16Ω。试回答下列问题： （1）静态时，电容C 2两端的电压应是多少？调整哪个电阻能满足这一要求？ （2）动态时，若输出电压波形出现交越失真，应调整哪个电阻？如何调整？ （3）若R 1=R 3=1.2k Ω，T 1、T 2管的β=50，｜V BE ｜=0.7V ，P CM =200mW ，假设D 1、D 2、R 2中任意一个开路，将会产生什么后果？ 图题2.5.3 解：(1) 静态时，电容C 2两端的电压应为5V 。调整R 1、R 3，可调整上、下两部分电路的对称性，从而使C 2两端电压为5V 。 (2) 若出现交越失真，应调大R 2，使b １b 2间电压增大，提供较大的静态电流。 (3) 若D 1、D 2、R 2中任意一个开路，则(m A)58.3221 21=-==R V V I I BE CC B B I C1=I C2=βI B1=179(mA) P C =I C1·V CE =I Ｃ１·5V=895(mW)＞Pcm,∴功率管会烧坏。 题2.5.4 在图题2.5.3电路中，已知V CC =35V ，R L =35Ω，流过负载的电流i L =0.45cos ωt （A ）。求： （1）负载R L 所能得到的信号功率P o ； （2）电源供给的功率P E ； （3）两个管子的总管耗P T 。 解：(1) (W)54.3)2 ( 2≈=L Lm o R i P 电子技术基础实验设计心得过而能改，善莫大焉。在课程设计过程中，我们不断发现错误，不断改正，不断领悟你有什么感受呢？本文是小编精心编辑的，希望能帮助到你！ 电子技术基础实验设计心得篇一过此次课程设计，使我更加扎实的掌握了有关高频电子线路方面的知识，在设计过程中虽然遇到了一些问题，但经过一次又一次的思考，一遍又一遍的检查终于找出了原因所在，也暴露出了前期我在这方面的知识欠缺和经验不足。实践出真知，通过亲自动手制作，使我们掌握的知识不再是纸上谈兵。 过而能改，善莫大焉。在课程设计过程中，我们不断发现错误，不断改正，不断领悟，不断获龋最终的检测调试环节，本身就是在践行“过而能改，善莫大焉”的知行观。这次课程设计终于顺利完成了，在设计中遇到了很多问题，最后在老师的指导下，终于游逆而解。在今后社会的发展和学习实践过程中，一定要不懈努力，不能遇到问题就想到要退缩，一定要不厌其烦的发现问题所在，然后一一进行解决，只有这样，才能成功的做成想做的事，才能在今后的道路上劈荆斩棘，而不是知难而退，那样永远不可能收获成功，收获喜悦，也永远不可能得到社会及他人对你的认可! 课程设计诚然是一门专业课，给我很多专业知识以及专业技能上的提升，同时又是一门讲道课，一门辩思课，给了 我许多道，给了我很多思，给了我莫大的空间。同时，设计让我感触很深。使我对抽象的理论有了具体的认识。通过这次课程设计，我掌握了常用元件的识别和测试;熟悉了常用仪器、仪表;了解了电路的连线方法;以及如何提高电路的性能等等，掌握了焊接的方法和技术，通过查询资料，也了解了收音机的构造及原理。 我认为，在这学期的实验中，不仅培养了独立思考、动手操作的能力，在各种其它能力上也都有了提高。更重要的是，在实验课上，我们学会了很多学习的方法。而这是日后最实用的，真的是受益匪浅。要面对社会的挑战，只有不断的学习、实践，再学习、再实践。这对于我们的将来也有很大的帮助。以后，不管有多苦，我想我们都能变苦为乐，找寻有趣的事情，发现其中珍贵的事情。就像中国提倡的艰苦奋斗一样，我们都可以在实验结束之后变的更加成熟，会面对需要面对的事情。 回顾起此课程设计，至今我仍感慨颇多，从理论到实践，在这段日子里，可以说得是苦多于甜，但是可以学到很多很多的东西，同时不仅可以巩固了以前所学过的知识，而且学到了很多在书本上所没有学到过的知识。通过这次课程设计使我懂得了理论与实际相结合是很重要的，只有理论知识是远远不够的，只有把所学的理论知识与实践相结合起来，从理论中得出结论，才能真正为社会服务，从而提高自己的实西南交《数字电子技术基础A》离线作业
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