天津城市建设学院模拟电子技术复习题(终结版)

一、填空题。

1.半导体二极管的主要特性是。

2.三极管工作在放大区时，发射结为偏置，集电结为偏置；工作在

饱和区时发射结为偏置，集电结为偏置；工作在截止区时发射结为偏置，集电结为偏置。

3.当输入信号频率为f L和f H时，放大倍数的幅值约下降为中频时的倍，或者是下

降了 dB,此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为。

4.为提高放大电路输入电阻应引入反馈；为降低放大电路输出电阻，

应引入反馈。

5.乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ= 、静态时的电源功率

P DC= .这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到，但这种功放有失真。

6.在串联型稳压电路中，引入了负反馈，为了正常稳压，调整管必

须工作在区域。

7.场效应管属于控制型器件，而晶体三极管则是控制型器件。

8.杂质半导体有型和型两种；双极型三极管的结构有型和型两

种；场效应管根据导电沟道不同有和两种。

9.工作在状态；U A= V。

10.三极管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地点位分别为：U A=－5V，U B=－8V，U C=

－5.2V，则三极管对应的电极是：A为极，B为极，C为极，此晶体管为型三极管。

11.在图示电路中2CW5的参数为：稳定电压U Z=12V,最大稳定电流I Zmax=20mA。图中电压

表中流过的电流忽略不计。当开关S闭合时，电压表V和电流表A1、A2的读数分别、 mA、 mA、 mA。

为 V

12.若三级放大电路中，A u1= A u2=30dB，A u3=20dB，则其总电压增益为 dB。即折合

为倍。

13. 差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻R E ，是电路的共模输入电阻R ic 、

共模放大倍数|A uc | 、共模抑制比。二、选择题。

1. 在某放大电路中，测得三极管的三个电极的静态电位分别为0V 、－10V 、－9.3V ，则

这只三极管是（）。

A.NPN 型硅管

B.NPN 型锗管

C.PNP 型硅管

D.PNP 型锗管 2. 某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。 A. P 沟道增强型MOS 管 B. P 沟道结型场效应管 C. N 沟道增强型MOS 管 D. N 沟道耗尽型MOS 管

3. 在下图3差分放大电路中，若u I =20mV ，则电路的（

）。

A. 差模输入电压为10mV ，共模输入电压为10mV 。

B. 差模输入电压为10mV ，共模输入电压为20mV 。

C. 差模输入电压为20mV ，共模输入电压为10mV 。

D. 差模输入电压为20mV ，共模输入电压为20mV 。

4. 通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。 A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大

5. 如图4所示复合管，已知V1的β1=30，V2的β2=50，则复合后的β约为（）。 A.1500 B.80 C.50 D.30

某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图5所示，已知I 1=－1.2mA ，I 2=－0.03 mA ，I 3=1.23 mA ，由此可知（）。

A.①是c 极、②是b 极、③是e 极，为PNP 型管

B.①是e 极、②是b 极、③是c 极，为PNP 型管

C.①是c 极、②是b 极、③是e 极，为NPN 型管

D.①是e 极、②是b 极、③是c 极，为NPN 型管

工作在电压比较器中的运放和工作在运算电路中的运放主要区别是，前者的运放通

-40

iD /m A

u G S/V ①②③

I3I2

常工作在（）。

A.开环或正反馈状态

B.深度负反馈状态

C.放大状态

D.线性工作状态 8. 晶体放大电路中，测得晶体管各个电极的电位如图所示，该晶体管（）。

A. 为NPN 型管，①是c 极、②是e 极、③是b 极，

B. 为PNP 型管，①是c 极、②是e 极、③是b 极，

C. 为NPN 型管，①是e 极、②是c 极、③是b 极，

D. 为PNP 型管，①是e 极、②是c 极、③是b 极， 9. 某场效应管的转移特性曲线如图所示，由此知该管为（）。 A. N 沟道耗尽型绝缘栅场效应管 B. N

C. P 沟道增强型绝缘栅场效应管

D. P 10. 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结反偏，集电结正偏 C.发射结正偏，集电结正偏 11. 稳压二极管稳压时，其工作在（），发光二极管发光时，其工作在（）。

A.正向导通区

B.反向截止区

C.反向击穿区 12. 与甲类功率放大方式相比，OCL 互补对称功放的主要优点是（）。

A.不用输出变压器

B.不用输出端大容器

C.效率高

D.无交越失真 13. 集成运放的输入级采用差分电路的原因是因为可以（）。

A.增大放大倍数

B.减小温漂

C.提高输入电阻三、判断下列管子的工作状态。

1. 测得各三极管静态时三个电极对地电位如图所示，试判断它们工作在什么状态（饱

和、放大、截止）。设所有的二级管和三极管都是硅管。

β=20

2. ①指出其级间反馈的极性，若为负反馈说明组态；②写出其中的负反馈电路在深度

负反馈条件下的电压放大倍数的表达式。

①②

③-4V -1.4V -1.2V G S/V

3. 两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的β1、r be1，V2的β2、r be2，电容

C 1、C 2、C E 在交流通路中可视为短路。①分别指出V1、V2、的电路组态；②画出图示电路简化的H 参数微变等效电路；③计算中频电压放大倍数A u ，输入电阻R i 和输出电阻R o 。(本题12分)

4. 图示差分放大电路中，调零电位器R p 的动端处在中间位置，已知β1=β2=50，三极

管的饱和压降U BE1=U BE2=0.7V ，其它参数如图所示。㈠求静态工作点（I B 、I C 、 U CE ）；②画出半边对称放大电路的微变等效电路；③当u s1=u s2=10mV 时，求u o 。(本题12分

)

5. 图示运算放大电路中，已知u I1=10mV ，u I2=30mV ，求u o 。(本题10分)

6. 分析图示两个电路的级间反馈。回答：(本题16分)

① 它们是正反馈还是负反馈？

② 是直流反馈还是交流反馈还是交、直流反馈兼有？ ③ 它们属于何种组态？

④ 各自的电压放大倍数大约是多少？

7. 设图7中三极管的β=100，U BE =0.6V ,，r bb ’=100Ω，V CC =10V ，R C =3k Ω，R e =1.8k Ω，

R F =200Ω，R b1=33k Ω，R b2=100k Ω，负载电阻R L =3k Ω，电容C 1、C 2、C e 均足够大。

求：①静态工作点；②画出微变等效电路；③求

U A i

O u ； ④设

Ω=k R

4，求?

U A S

us ；⑤求R i 和R O

8.放大电路如下图所示：已知V CC=12V，R b1=120kΩ，R b2=39kΩ，R C=3.9kΩ，R s=4k

Ω，R e=2.1kΩ，R L=3.9kΩ，r bb’=200Ω，电流放大系数β=50，电路中电容均足够大。

要求：①静态工作点I BQ、I CQ、 U CEQ（设U BE=0.6V）；②画出放大电路的微变等效电路；③求电压放大倍数A u；源电压放大倍数A us；输入电阻R i、输出电阻R o。

④去掉旁路电容C e，求电压放大倍数A u；输入电阻R i。

的表达式。（12分）

9.写出下图（a）和（b）的输出电压u o

10. 图示电路中，输入信号是正弦电压，V1、V2管的饱和压降可以忽略，且静态电流很

小，V CC =V EE =15V ，R L =8Ω。 ① 请说明功放电路的类型； ② 负载上可能得到的最大输出功率； ③ 每个管子的最大管耗P CM 为多少？电路的最大效率是多大？（12分）

11. 两级放大电路如图所示，已知三极管β1=β2=50，R be1=1.6k Ω，R be2=1.3k Ω，各电容

① 试说明V1和V2② 画出中频区的H ③ 计算放大器的输入电阻R i ④ 计算中频区的电压放大倍数A us 。

12.下面四个图中的电路均满足深度负反馈条件，求：（本题12分）

①判断各电路负反馈组态；

②估算各电路的闭环电压放大倍数。

模拟电子技术复习题

1、根据实际的输入信号和所需的输出信号时电压或电流，放大电路可分为四种类型，即：电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大。 2、当温度升高时，三极管的参数变化趋势为：电流放大系数β升高，I B不变时，发射结正向电压V BE 降低。 3、串联负反馈只有在信号源内阻小时，其反馈效果才显著，并联负反馈只有在信号源内阻大时，其反馈效果才显著。 4、FET是电压控制电流器件，只依靠一种载流子导电，属于单极型器件。 5、二阶低通滤波电路，当Q = 和ω/ωc = 时，20lg|A(jω)/A o| = ?3dB。 6、根据实际的输入信号和所需的输出信号时电压或电流，放大电路可分为四种类型，即：电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大。 7、当温度升高时，BJT共射级连接时的输入特性曲线向左移动，输出特性曲线向上移动。 8、引入串联负反馈可以提高输入电阻，而引入电流负反馈则可以提高输出电阻。 9、BJT是电流控制电流器件，有两种载流子参与导电，属于双极型器件。欲使振荡电流能自行建立振荡，必须满足的条件。RC振荡电路一般用来产生范围内信号。 1、半导体二极管按所用材料不同可分为管和管。 2、要使三极管处于放大状态，发射结必须，集电结必须。放大电路存在两种状态即未输入信号时的态和输入信号时的态。放大电路的电压放大倍数在高频区下降的主要原因是三极管的电容和电容的影响。三极管具有电流放大作用的实质是电流实现对电流的控制。 3、能使输出电阻降低的是负反馈，能使输入电阻提高的是负反馈。 4、差分放大器能有效地抑制信号，放大信号。 5、负反馈有四种基本组态：、、、和。

数字电子技术试题及答案(题库)

《数字电子技术》试卷姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（），作为8421BCD 码时，它相当于十进制数（）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F =（）。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（）V ，其输出高电平为（）V ，输出低电平为（）V ， CMOS 电路的电源电压为（） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（）根地址线，有（）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（）位。 11. ）；Y 3 ＝（）。

12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（）有效。二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）（在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。

模拟电子技术试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开； 4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）它的稳压值Uz 才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。

电力电子技术-模拟试题2-试卷

电力电子技术模拟试题2（开卷，时间：120分钟）（所有答案必须写在答题纸上）一、填空题（40分，每空1分） 1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。 3. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度,导通时管压降。 4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称为, 该值一般很小，只有左右，这是GTO的一个主要缺点。 5. GTR导通的条件是：且。 6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在区和区之间过渡时，要经过放大区。 7. 电力MOSFET导通的条件是：且。 8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。 9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。 10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理，即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 11.根据“面积等效原理”，SPWM控制用一组的脉冲（宽度按规律变化）来等效一个正弦波。 12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM波是等效波形，SPWM控制得到的是等效波形。 13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式，PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。 14.SPWM波形的控制方法：改变调制信号u r的可改变基波幅值；改变

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

+ + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止三、判断题（）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。（）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。（）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。（）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。（）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。（）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。（）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。（）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（）9、电压负反馈可以稳定输出电压。（）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。四、分析题电路如图所示：

电工电子技术试题及答案..

电工电子技术试题一、填空题(共133题，每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点，参考点的电位为 0伏 2、欧姆定律一般可分为部分电路的欧姆定律和全电路欧姆定律。 3、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中电压、电流和电阻三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律，说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成比，而与回路中的及之和成反比。 5、导体电阻的单位是欧姆，简称欧，用符号表示，而电阻率则用符号表示。 6、已知电源电动势为E，电源的内阻压降为U0，则电源的端电压U= E-U O。 7、有一照明线路，电源端电压为２２０伏，负载电流为１０安，线路的总阻抗为０.2欧姆，那么负载端电压为 218 伏。 8、串联电路中的处处相等，总电压等于各电阻上之和。 9、一只２２０伏１５瓦的灯泡与一只２２０伏１００瓦的灯泡串联后，接到２２０伏电源上，则 15 瓦灯泡较亮，而 100 瓦灯泡较暗。 10、１度电就是１千瓦的功率做功１小时所消耗的电量，所以它的单位又叫千瓦时。 11、频率是单位时间内交流电重复变化的次数。 12、某正弦交流电流，频率为５０赫，最大值为２０安，初相位为－４０°，此正弦交流电的瞬时值表达式为 u=20sin(314t- ４０°) ，相量式为。 13、如果用交流电压表测量某交流电压，其读数为３８０伏，此交流电压的最大值为 537 伏。 14、把一个１００欧的电阻元件接到频率为５０赫、电压为１０伏的正弦交流电源上，其电流为 0.1A 安。 15、有一电感Ｌ为０．０８亨的纯电感线圈，通过频率为５０赫的交流电流，其感抗X L＝ 25.12 欧。如通过电流的频率为10000赫，其感抗X L＝ 5024 欧。 16、一个１０微法的电容接在５０赫的交流电源上，其容抗X C＝ 318 欧，如接在2000赫的交流电源上，它的容抗X C＝ 7.95 欧。 17、某正弦交流电流为ｉ＝100sin（6280t- π／4）毫安，它的频率ｆ＝ 1000Hz ，周期Ｔ＝ 0.001 秒，角频率ω＝ 6280 ，最大值Im= 100mA ，有效值Ｉ＝ 100/1.414 mA ，初相位φ＝π／4 。 18、已知两交流电流分别为i１＝15sin(314t＋45°)安，i２＝10sin(314t－３0°）安，它们的相位差为75 °。 19、在纯电感交流电路中，电感元件两端的电压相位超前电流 90 度。 20、在纯电容交流电路中，电容元件两端的电压相位滞后电流 90 度。 21、在纯电阻交流电路中，电阻元件通过的电流与它两端的电压相位同相。 22、交流电路中的有功功率用符号 P 表示，其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号 Q 表示，其单位是 VAR 。 24、交流电路中的视在功率用符号 S 表示，其单位是 VA 。 25、三相正弦交流电的相序，就是三相交流电到达最大值的顺序。 26、如三相对称负载采用星形接法时，则负载的相电压等于电源的相电压，线电流等于相电流的 1 倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时，则负载的相电压等于电源的线电压，倍。 28、在三相对称电路中，已知线电压Ｕ、线电流Ｉ及功率因数角φ，则有功功率Ｐ＝ＵＩCOSφ，无功功率Ｑ＝ＵＩSINφ，视在功率Ｓ＝ＵＩ 29伏。 30、当三相发电机的三相绕组联成星形时，其线电压为３８０伏，它的相电压为 220 伏。 31、有一台三相异步电动机，额定电压为３８０伏，三角形联接，若测出线电流为３０安，那么通过每相绕

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ．减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

数字电子技术模拟考试试题及答案

数字电子技术模拟考试试题及答案 Last revision on 21 December 2020

《数字电子技术》模拟试题一、填空题（每题2分，共20分） 1、十六进制数97，对应的十进制数为（1）。 2、“至少有一个输入为0时，输出为（2） ”描述的是与运算的规则。 3、（3）变量逻辑函数有16个最小项。 4、基本逻辑运算有: （4）、（5）和（6）运算。 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是（7）加器。 6、TTL 器件输入脚悬空相当于输入（8）电平。 7、RAM 的三组信号线包括：（9）线、地址线和控制线。 8、采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较（10）位。二、单项选择题（每个3分，共15分） 1、图1的国标逻辑符号中（11）是异或门。图1 2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是（12）。 A ))((C B B A F ++= B ))((C B B A F ++= C ))((C B B A F ++= D ))((C B B A F ++= 3、下面逻辑式中，不正确的是_ （13）____。 A.C B A ABC ??= B. A AB A += C. ()A A B A += D. AB BA = 4、时序逻辑电路中必须有___（14）___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码器 5、有S1，S2两个状态，条件（15）可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同 B. 输出不同 C. 次态相同 D. 次态不同

1、证明：B A B A A +=+（4分） 2、某逻辑函数的真值表如表1所示，画出卡诺图。（6分）表1 某逻辑函数的真值表 A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 X 1 0 0 X 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 X 四、分析题（20分）图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝；CP0＝。 2）列出其驱动方程：（4分） J1＝；K1＝；J0＝；K0＝。 3）列出其输出方程：（1分） Z ＝ 4）求次态方程：（4分） =+11n Q ；=+10n Q 5）作状态表及状态图（9分） Z

模拟电子技术练习题(专升本)

《模拟电子技术》练习题一、填空题 1．在N 型半导体中，是多数载流子，是少数载流子。 2．电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝0.7V ，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。（a ）（b ）图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在状态；VD 2工作在状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = -5.2 V ，则与该晶体管对应的电极是：管脚1为极，2为极，3为极，晶体管为型（PNP 或NPN ），所用材料为（硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较的输入电阻和较的输出电阻。 7．在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生失真；乙类功率放大电路的缺点是存在失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位（填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位。 9．射极输出器具有输入电阻和输出电阻的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入负反馈；为提高输入电阻，应引入负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入负反馈；由集成运放构成线性放大电路时，应引入反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 I O

11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于区，图（b ）所示的集成运放工作于区。图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，2.5V ，3.2V ，则这三个极分别为（）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（）。 A ．360 k Ω B ．300 kΩ C ．300 Ω D ．400 kΩ 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的值约为（）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用 C ．既有电流放大作用，也有电压放大作用 6．某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（）。图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B

电子技术考题大全及答案(完整版)

习题【2-1】填空、选择正确答案 1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是 A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端； √B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路； C．将输入交流信号加到晶体管的基极。 2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中： A．只有直流； B．只有交流； √ C．既有直流，又有交流。 3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。（I CQ；I CQ） 4．下列说法哪个正确： A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大； √B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率； C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。 5．放大电路如图2.1.7所示，试选择以下三种情形之一填空。 a:增大、b:减少、c:不变（包括基本不变） (1) 要使静态工作电流I c减少，则R b1应。（a） (2) R b1在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。（b；a；c） (3) R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。（b；a；c） (4) 从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。（c；b） (5) V cc减少时，直流负载线的斜率。（c） 6．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。（越好） 7．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。（饱和区） 8．在共射基本放大电路中，若适当增加，放大电路的电压增益将（）。（基本不增加） 9．在共射基本放大电路中，若适当增加I E，电压放大倍数将如何变化（）。（增加） 10．在共射基本放大电路中，适当增大R c，电压放大倍数和输出电阻将有何变化。 √ A．放大倍数变大，输出电阻变大 B．放大倍数变大，输出电阻不变 C．放大倍数变小，输出电阻变大 D．放大倍数变小，输出电阻变小 11．有两个电压放大电路甲和乙，它们的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大，在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。（对放大电路输出电压大小的影响，一是放大电路本身的输入电阻，输入电阻越大，加到放大电路输入端的信号就越大；二是输出电阻，输出电阻越小，被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小，输出信号就越大。在负载

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)

《模拟电子技术》模拟试题七一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β

电子技术模拟试题及其参考答案2

电子技术模拟试题及其参考答案2 一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内 (本大题共13小题，总计28分) 1、(本小题2分) 已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为（）。 (a) 发射极(b)集电极(c) 基极 2、(本小题2分) 晶体管的开关作用是( )。 (a) 饱合时集—射极接通，截止时集—射极断开 (b) 饱合时集—射极断开，截止时集—射极接通 (c) 饱合和截止时集—射极均断开 3、(本小题2分) 由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为( )。 (a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门 A 4、(本小题2分) T形电阻网络D/A 转换器是由（）组成。 (a) T形电阻网络和集成运算放大器 (b) T形电阻网络和触发器 (c) T形电阻网络和振荡器 5、(本小题2分) 电路如图所示，设二极管D1，D2，D3的正向压降忽略不计，则输出电压u O =（）。 (a) －2V (b) 0V (c) 6V (d) 12V

在运算放大器电路中，引入深度负反馈的目的之一是使运放 ( )。 (a) 工作在线性区，降低稳定性 (b) 工作在非线性区，提高稳定性 (c) 工作在线性区，提高稳定性 7、(本小题2分) 一个正弦波振荡器的反馈系数 F =∠? 1 5 180 ，若该振荡器能够维持稳定振荡，则开环电压放大倍数 A u 必须等于（）。 (a) 15360∠? (b) 15 0∠? (c) 5180 ∠-? 8、(本小题2分) 整流电路如图1 所示，输入电压u U t =2sin ω，输出电压 u O 的波形是图2中( )。图1 2U －图2 t t + - u O 9、(本小题2分) 若晶闸管的控制电流由大变小，则正向转折电压（）。 (a) 由大变小 (b) 由小变大 (c) 保持不变 10、(本小题2分) 晶闸管导通后，其正向压降约等于（）。 (a) 零 (b) 0.3 V (c) 1 V 左右 11、(本小题2分) 某数/模转换器的输入为 8 位二进制数字信号（D 7 ~ D 0)，输出为 0~25.5V 的模拟电压。若数字信号的最低位是“1” 其余各位是“0”，则输出的模拟电压为( )。 (a) 0.1V (b) 0.01V (c) 0.001V

模拟电子技术复习题(含答案)知识分享

模拟电子技术复习题 (含答案)

模拟电子技术复习题一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“√”，否则填入“×”。）第二章（×）1. 运算电路中一般引入正反馈。（√）2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。第三章（×）1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×）2. 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（×）3. 稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。（√）4. N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（×）5.二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（√）6. PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。（×）7. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。第四章（√）1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（√）2. 直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。（×）3. 晶体管的参数不随温度变化。（√）4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。（×）5. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。（√）6. 放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。（×）7. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（×）8. 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。（×）9. 射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。（×）10.只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。（×）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。（√）12. 射极输出器的输入电流是B i，输出电流是E i，因此具有较高的电流放大倍数。第五章（×）1. 场效应管都可分为增强型和耗尽型两种。

电子技术试题及答案(

资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题：第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。虫、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极：反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。只供学习与交流资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除

★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12讥增大到22讥时，I c从1mA变为2mA，那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置，集电结正向偏置，贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、0TL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。只供学习与交流

电子技术本科模拟试题2答案

电子技术模拟卷一．选择： 1. (1分)P 型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ C ）。 (A) 带正电 (B) 带负电 (C) 不带电 2.(1分)三极管工作在放大区时，其各结之间的偏置为（ A ）。 (A) 发射结正偏，集电结反偏 (B) 发射结反偏，集电结正偏 (C) 发射结正偏，集电结正偏 (D) 发射结反偏，集电结反偏 3（1分）.运算放大器工作在饱和区时，其输出电压o u 为（A ）。 (A) 当-+>u u 时，o(sat)o U u += (B) 当-+>u u 时，o(sat)o U u -= (C) 当-+ >u u 时，V 0o =u (D) 当-+

模拟电子技术复习题2

模拟电子技术复习题2 5.1．场效应管是电压控制元件，而双极型管是电流控制元件。在放大电路中，场效应管工作在饱和区，双极型管工作在放大区。 5.2电路如右图所示，其中 (a) (b) 图(a)是__C __组态。 A.共源-共射 B.共漏-共射 C.共漏-共集 D.共源-共集图(b)是_ _D__组态。 A.共源-共射 B.共漏-共射 C.共漏-共集 D.共源-共集 5.3在右图所示放大电路中，耗尽型MOS管的g =1ms,r d趋于无穷大，各电容对交流信号可视为短路。 m 该电路的=_A___。 A. -3 B. 3 C. -5 D. 5 该电路的R i =___C_ 。 A. ∞ B. 3kΩ C. 5MΩ D. 5kΩ 该电路的R o =__D__。 A. ∞ B. 3kΩ C. 5MΩ D. 5kΩ 若C3开路，R 、R d 和R L不变，则的大小_A___。 A. 减小 B. 增大 C. 不变

6.1电流源电路的特点是：__D____。 A. 一个双口网络 B. 端口电流恒定，交流等效电阻小 C. 端口电压恒定，交流等效电阻大 D. 端口电流恒定，交流等效电阻大 6.2三极管电流源电路正常工作时，三极管处于____ _B____工作状态。 A. 截止 B. 放大 C. 饱和 D. 不确定 6.3电流源常用于放大电路，其作用是：___B ______。 A. 提高放大倍数的稳定性 B. 提供静态偏置，提高放大倍数 C. 作为放大电路的输入信号 D. 用来放大信号 6.4 4个电流源电路如图所示。其中哪个电路不能正常工作？___C _____。 6.5放大电路产生零点漂移的主要原因是：__ B______。 A. 电压增益太大 B. 环境温度变化 C. 采用直接耦合方式 D. 采用阻容耦合方式 6.6多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是____A____工作状态。 A. 输入级 B. 中间级 C. 输出级 D. 增益最高的一级

电子技术试题及答案-(

《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题：第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类； ○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。