相对磁导率表

相对磁导率表

材料的介电常数和磁导率的测量

无机材料的介电常数及磁导率的测定 一、实验目的 1. 掌握无机材料介电常数及磁导率的测试原理及测试方法。 2. 学会使用Agilent4991A 射频阻抗分析仪的各种功能及操作方法。 3. 分析影响介电常数和磁导率的的因素。 二、实验原理 1.介电性能 介电材料(又称电介质)是一类具有电极化能力的功能材料,它是以正负电荷重心不重合的电极化方式来传递和储存电的作用。极化指在外加电场作用下,构成电介质材料的内部微观粒子,如原子,离子和分子这些微观粒子的正负电荷中心发生分离,并沿着外部电场的方向在一定的范围内做短距离移动,从而形成偶极子的过程。极化现象和频率密切相关,在特定的的频率范围主要有四种极化机制:电子极化 (electronic polarization ,1015Hz),离子极化 (ionic polarization ,1012~1013Hz),转向极化 (orientation polarization ,1011~1012Hz)和空间电荷极化 (space charge polarization ,103Hz)。这些极化的基本形式又分为位移极化和松弛极化,位移极化是弹性的,不需要消耗时间,也无能量消耗,如电子位移极化和离子位移极化。而松弛极化与质点的热运动密切相关,极化的建立需要消耗一定的时间,也通常伴随有能量的消耗,如电子松弛极化和离子松弛极化。 相对介电常数(ε),简称为介电常数,是表征电介质材料介电性能的最重要的基本参数,它反映了电介质材料在电场作用下的极化程度。ε的数值等于以该材料为介质所作的电容器的电容量与以真空为介质所作的同样形状的电容器的电容量之比值。表达式如下: A Cd C C ?==001εε (1) 式中C 为含有电介质材料的电容器的电容量;C 0为相同情况下真空电容器的电容量;A 为电极极板面积;d 为电极间距离;ε0为真空介电常数,等于8.85×10-12 F/m 。 另外一个表征材料的介电性能的重要参数是介电损耗,一般用损耗角的正切(tanδ)表示。它是指材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应

测量磁导率

一、测量磁导率 一.实验目的:测量介质中的磁导率大小 二.实验器材:DH4512型霍尔效应实验仪和测试仪一套,线圈一副(N匝)万用表一个三.实验步骤 1. 测量并计算磁场强度H ○1测量线圈周长L。 ○2线圈通电,测的线圈中的电流为I0,则总的电流为I M=N ?I0 ○3由磁介质安培环路定理的积分形式可知:∮c H ?dl=I故H ?L= N ?I0,H=(N ?I0)/L. 2.测量并计算磁感应强度B——利用霍尔效应实验 ○1实验原理: 霍尔效应从本质上讲,是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积,从而形成附加的横向电场。如下图1所示,磁场B位于Z的正向,与之垂直的半导体薄片上沿X 正向通以电流Is(称为工作电流),假设载流子为电子(N型半导体材料),它沿着与电流Is相反的X负向运动。由于洛仑兹力f L作用,电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的B侧偏转,并使B侧形成电子积累,而相对的A侧形成正电荷积累。 与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力f E的作用。随着电荷积累的增加,f E增大,当两力大小相等(方向相反)时,f L=-f E,则电子积累便达到动态平衡。这时在A、B两端面之间建立的电场称为霍尔电场E H,相应的电势差称为霍尔电势V H。 设电子按平均速度,向图示的X负方向运动,在磁场B作用下,所受洛仑兹力为: f L=-e B 式中:e 为电子电量,为电子漂移平均速度,B为磁感应强度。 同时,电场作用于电子的力为:f l E

磁导率

磁导率表示物质磁化性能的一个物理量,是物质中磁感应强度B与磁场强度H之比,又成为绝对磁导率。物质的绝对磁导率和真空磁导率(设为μ0=4*3.14*0.0000001H/m)比值称为相对磁导率,也就是我们一般意义上的磁导率。对于顺磁质μr>1,对于抗磁质μr<1,但它们都与1相差很小(例如铜的μr与1之差的绝对值是0.94×10-5)。然而铁磁质的μr可以大至几万。 非铁磁性物质的μ近似等于μ0。而铁磁性物质的磁导率很高,μ>>μ0。铁磁性材料的相对磁导率μr=μ/μ0如铸铁为200~400;硅钢片为7000~10000;镍锌铁氧体为10~1000;镍铁合金为2000;锰锌铁氧体为300~5000;坡莫合金为20000~200000。空气的相对磁导率为1.00000004;铂为1.00026;汞、银、铜、碳(金刚石)、铅等均为抗磁性物质,其相对磁导率都小于1,分别为0.999971、0.999974、0.99990、0.999979、0.999982。 所以,铜虽然具有抗磁性,但相对磁导率也有0.99990;纯铁为顺磁性物质,其相对磁导率会达到400以上。所以用铜裹住铁并不能阻断磁力,而且是远远不能。在某些特殊情况下,铜的抗磁性就会表现出来,如规格很小的烧结钕铁硼磁体D3*0.8电镀镍铜镍后,磁通量会降低7-8%(当然,这个损失还包括倒角和镍层屏蔽导致的磁损)。 直截了当地讲,磁场无处不在,是不能阻断的。只不过各种物质导磁性有所差异,如空气、材料、铜、铝、橡胶、塑料等相对磁导率近似为1,它们对磁不感兴趣;而铁磁性材料如铸铁、铸钢、硅钢片、铁氧体、坡莫合金等材料具有良好的导磁性

磁导率介绍

中文名称:磁导率 英文名称:magnetic permeability 定义:磁介质中磁感应强度与磁场强度之比。分为绝对磁导率和相对 磁导率,是表征磁介质导磁性能的物理量。 磁导率μ等于中B与磁场强度H之比,即μ=B/H 通常使用的是磁介质的相对磁导率μr,其定义为磁导率μ与μ0之比,即μr=μ/μ0 相对磁导率μr与χ的关系是:μr=1+χ 磁导率μ,相对磁导率μr和磁化率xm都是描述磁介质磁性的物理量。 对于μr>1;对于μr<1,但两者的μr都与1相差无几。在大多数情况下,导体的相对磁导率等于1.在中,B与 H 的关系是非线性的磁滞回线,μr不是常量,与H有关,其数值远大于1。 例如,如果空气(非)的磁导率是1,则的磁导率为10,000,即当比较时,以通过磁性材料的是10,000倍。 涉及磁导率的公式:

磁场的能量密度=B^2/2μ 在(SI)中,相对磁导率μr是无量纲的,磁导率μ的单位是/米(H/m)。 常用的真空磁导率 常用参数 (1)初始磁导率μi:是指基本磁化曲线当H→0时的磁导率 (2)最大磁导率μm:在初始段以后,随着H的增大,斜率μ=B/H逐渐增大,到某一强度下(Hm),磁密度达到最大值(Bm),即 (3)饱和磁导率μS:基本磁化曲线饱和段的磁导率,μs值一般很小,深度饱和时,μs=μo。

(4)()磁导率μΔ∶μΔ=△B/△H。ΔB及△H是在(B1,H1)点所取的增量如图1和图2所示。 (5)微分磁导率,μd∶μd=dB /dH,在(B1,H1)点取微分,可得μd。 可知:μ1=B1/H1,μ△=△B /△H,μd=dB1/dH1,三者虽是在同一点上的磁导率,但在数值上是不相等的。 非磁性材料(如铝、木材、玻璃、自由空间)B与H之比为一个常数,用μ。来表示非磁性材料的的磁导率,即μ。=1(在CGS单位制中)或μ。=4πX10o-7(在RMKS中)。 在众多的材料中,如果自由空间(真空)的μo=1,那△么比1略大的材料称为顺磁性材料(如白金、空气等);比1略小的材料,称为反磁性材料(如银、铜、水等)。本章介绍的磁性元件μ1是大有用处的。只有在需要时,才会用铜等反磁性材料做成使磁元件的磁不会辐射到空间中去。 下面给出几个常用的参数式: (1)有效磁导率μro。在用L形成闭合中(漏磁可以忽略),的有效磁导率为:

多种材料的磁导率

非铁磁性物质的μ近似等于μ0。而铁磁性物质的磁导率很高,μ>>μ0。铁磁性材料的相对磁导率μr=μ/μ0如铸铁为200~400;硅钢片为7000~10000;镍锌铁氧体为10~1000;镍铁合金为2000;锰锌铁氧体为300~5000;坡莫合金为20000~200000。空气的相对磁导率为1.00000004;铂为1.00026;汞、银、铜、碳(金刚石)、铅等均为抗磁性物质,其相对磁导率都小于1,分别为0.999971、0.999974、0.99990、0.999979、0.999982。 铁粉心 磁导率10左右材料以优良的频率特性和阻抗特性良好的温度特性是雷 达和发射机滤波用电感器最佳材料; 磁导率33材料最适合在几十A到上百A的大电流逆变电感器,如果对体积和温升要求不高,可以使用其做频率底于 50KHz的开关电源输出电感器,APFC电感器; 磁导率75材料是做差模电感器和频率在20K左右的滤波电感器储能电感器的高性价比材料。 铁镍50 该材料最适合用做差模电感器但是价格很高,由于原来国内能做铁镍钼 的厂家做的铁镍钼性能很差,所以一些开关电源厂家和军工客户都使用 铁镍50材料做储能电感器,其实这是错误的选择,因为这种材料的损 耗仅好于铁粉心,是铁硅铝的2倍左右,是铁镍钼的三倍左右,但是该 材料同样磁导率下,直流叠加特性好于铁硅铝材料, 虽然它的Bs值达14000Gs,但是由于磁滞回线的形状不一样,所以它的 直流叠加特性并不好于铁镍钼材料(只是原来国内能做的厂家做的性能 较差)。 铁硅铝 高性价比材料,是铁粉心的替代品(不包括低磁导率铁粉心)。 铁镍钼

价格与铁镍50相当(我公司),损耗最低材料,频率特性最好的材料, 如果将您正在使用的国内公司的铁镍50材料换成我公司的铁镍钼材料 将大大提高您的模块效率。不信您可以索要样品适用。 四种金属磁粉心性能和价格对比

磁感应强度和磁导率

磁感应强度B 磁感应强度B可以这样定义,足够小的电流元Idl(I为导线回路中的恒定电流,dl为导线回路中沿电流方向所取的失量线元)在磁场中所受的力最大方向时,所受到的最大力dFmax与Idl的比值: B=dFmax/Idl 恒定磁场中各点的磁感应强度B都具有确定值,它由磁场本身决定,与电流元Idl 大小无关。电流会在其周围产生磁场。一个线圈绕得很紧密的载流螺绕环,总匝数N匝,电流I,利用安培环路定律可以求出螺绕环内离环心O半径r处P点的磁场的磁感应强度B0 B0=μ0NI/2πr 式中:μ0真空磁导率μ0=4πe-7 (N/A^2);N总匝数;I电流,安A。 在SI中,磁感应强度B单位特[斯拉]T,1T=1N/A·m=1Wb/m^2。磁感应强度B的概念比较复杂,有各种定义方法,感兴趣的话可参阅相关参考书1T=10000Gs(高斯) 磁场强度H 磁场强度H与电场中的电位移矢量D相似。 真空中原来的磁场的磁感应强度B0,由于引入磁介质而产生附加磁场,其磁感应强度B’,则磁介质总的磁感应强度B是B0和B’的矢量和,即 B=B0+B’ B与B0的大小比称相对磁导率μr= B/B0 。对于铁磁质磁性很强的材料μr远远大于1。不同的物质对磁场的影响非常大,因此引出了一个辅助矢量——磁场强度H。磁介质内磁场强度H沿闭合路径的环流等于闭合路径包围的所有传导电流的代数和(存在磁介质时的环路安培定理)。 ∮LH·dl=∑LI0i 象电流互感器之类的螺绕环磁场强度H H=NI/2πr r 为到磁环中心的半径。

磁感应强度矢量B与磁场强度矢量H的关系: B=μ0H+μ0M μ0真空磁导率;M磁化强度表示磁介质的磁化程度。试验表明,在各向同性均匀磁介质中,M与H成正比,即 M=χmH 真空中没有介质时,M=0,得出: B0=μ0H M磁化强度表示磁介质的磁化程度,μ0真空磁导率 试验表明,在各向同性均匀磁介质中,B与H成正比,即 B=μ0(1+χm)H=μH 设μr=(1+χm),为相对磁导率 螺绕环中有磁介质的载流螺绕环,磁介质内的磁感应强度B B=μH=μ0μrNI/2πr μr磁介质相对磁导率,μ0真空磁导率。 磁场强度H单位是安/米(A/m)。在磁路设计中H矢量有广泛的应用。在互感器中就是励磁安匝与平均磁路长度的比值H=I·n /L ,一般使用安匝每厘米(A/cm)单位。磁性材料刚开始时O点随着电流nI变大,磁感应强度B也开始缓慢变大,当到a点时电时,B开始急剧变大,当到b点,B增加开始变慢,当到c点H再变大时,B几乎不再变大,我们说材料被磁化到了饱和。达到饱和之后,无论H 怎样增大,材料的磁感应强度也不再增大。此时的磁感应强度称为饱和磁感应强度,用Bs来表示。B-H关系画成曲线,就是材料B-H磁化曲线。饱和磁感应强度是磁性材料的一个重要指标。 在SI中,磁场强度H单位是安[培]每米(A/m)。在磁路设计中H矢量有广泛的应用。 磁导率μ 在各向同性的均匀磁介质中,B与H成正比关系: B=μH

不锈钢的磁导率

不锈钢能被磁铁吸引吗 日常生活中我们接触较多的奥氏体型不锈钢(有人称之为镍不锈)和马氏型不锈钢(有人称之为不锈铁,但不科学,易误解,应回避)两大类。奥氏体型不锈钢由于在钢中加入较高的 铬和镍(含铬在18%左右,Ni在4%以上),钢的内部组织呈现一种叫奥氏体的组织状态,这种组织是没有导磁性的,不能被磁铁所吸引。 钢铁的奥氏体组织在770摄氏度以上失去铁磁性。不锈钢中加入大量的合金,使部分不锈 钢的奥氏体相区扩大到室温。这种奥氏体不锈钢不具有铁磁性。除此之外的其它的铁素体不 锈钢、马氏体不锈钢等等,都具有铁磁性。 能被吸起的是不锈铁一般称作Cr13,不锈钢有1Cr18Ni9Ti和0Cr18Ni9Ti等。 人们常以磁铁吸附不锈钢材,验证其优劣真假。不吸无磁,认为是好的,反之,则认为是冒 牌假货。其实,这是一种不切实际的辨别方法。一般,经营不锈钢材料已有十余年的人都知 道,依靠传统的是否有磁性来判别不锈钢的方法,很有可能吃亏。 据他们介绍,不锈钢种类繁多,常温下按组织结构可分为奥氏体型和马氏体或铁素体型。奥氏体型是无磁或弱磁性,马氏体或铁素体型是有磁性。然而,也并不一定如此。如通常用作 装修管板的奥氏体型的304材质,一般来讲是无磁性的,但因冶炼造成化学成分波动或加工状态不同也可能出现磁性,这不能认为是冒牌或不合格。另外304不锈钢经过冷加工, 组织结构也会向马氏转化,冷加工变形度越大,马氏体转化越多,钢的磁性就越大。相反,质量次一点的200系列不锈钢,很有可能不带磁性,由此判定它是货真价实的不锈钢,就大错特错了。 由磁铁的特性决定的如果按原子电流解释就是电流产生的磁场磁化别的物体磁化物体产生电场电场互相作用产生力的作用

电感系数和初始导磁率

电感系数和初始导磁率 AL:电感系数。ui:初始磁导率。 拿一个物体来做比喻,有质量,密度和体积,铁芯有AL,Ui和体积(看成是磁芯大小), 固定的物体一般密度是固定的,体积越大,质量越大;固定的铁芯材质Ui是固定的,体积越大,AL 越大。 ui值决定AL值,可以这样说吗? 不能这么说的绝对。UA/L就是AL。也就是说影响AL的还有截面积和磁路长度,ui只与材料有关.而AL不仅与材料有关.而且与尺寸有关.如R5材质.其UI值为5000.但他的AL可以是2000,3000NH等.而且AL值是可以调的.所以.各磁环供货商可以跟据不同要求做出不同的AL值出来.这是我个人的认识. 一般的CORE制造商都会依照国际标准来制作产品,所以其CORE的AL值和UI值也是参照国际标准而制定的。 AL值是可以用公式来计算的,例一个简单的IRON COIL之L值计算公式为:L=AL×N2,其反过来就是AL=L/N2 而ui值也是有公式可套用的:ui={[L(uh)×Le]/(4N2×Ae)}×103 ui是材料的初始磁导率,是材料固有特性,每种材料都有一个ui值。 AL:磁芯的单匝电感值。单位nH/N^2。 ui=C1*L/(4πN^2) C1:磁芯常数,一般磁芯产品目录上有。N^2,即N的平方 AL=0.4л*μi*Ae/Le 其中μi为初始磁导率Ae为磁芯中柱的横截面积Le为磁路的平均长度 体积大不一定代表AL大.你拿T13*7*5和T16*12*8的AL做比较你就知道了 ui 是初始磁导率,AL 是磁芯的单圈感量,AL值是由磁芯的初始磁导率和其形状尺寸所决定的。大多磁芯厂家的产品目录上都有详细介绍! 简单的例子: AL=K*ui与I=U/R类似==>K系数为假设的某个参数。代表AL值与ui之间的某种关系大家都知道想要提高电流只有提高电压或减小电阻。如果公式这样写呢?R=U/I如果这样写会不会出现原本是10欧的电阻因为电压的改变而导致电阻的弯化呢?相信大家知道R是材料本身的特性。不管如何改变U与I其都不会改<不考虑温升而导致的变化>。

磁性材料介绍

一. 磁性材料的基本特性 1. 磁性材料的磁化曲线 磁性材料是由铁磁性物质或亚铁磁性物质组成的,在外加磁场H 作用下,必有相应的磁化强度M 或磁感应强度B,它们随磁场强度H 的变化曲线称为磁化曲线(M~H或B~H曲线)。磁化曲线一般来说是非线性的,具有2个特点:磁饱和现象及磁滞现象。即当磁场强度H足够大时,磁化强度M达到一个确定的饱和值Ms,继续增大H,Ms保持不变;以及当材料的M值达到饱和后,外磁场H降低为零时,M并不恢复为零,而是沿MsMr曲线变化。材料的工作状态相当于M~H曲线或B~H曲线上的某一点,该点常称为工作点。 2. 软磁材料的常用磁性能参数 饱和磁感应强度Bs:其大小取决于材料的成分,它所对应的物理状态是材料内部的磁化矢量整齐排列。 剩余磁感应强度Br:是磁滞回线上的特征参数,H回到0时的B值。 矩形比:Br∕Bs 矫顽力Hc:是表示材料磁化难易程度的量,取决于材料的成分及缺陷(杂质、应力等)。 磁导率μ:是磁滞回线上任何点所对应的B与H的比值,与器件工作状态密切相关。 初始磁导率μi、最大磁导率μm、微分磁导率μd、振幅磁导率μa、有效磁导率μe、脉冲磁导率μp。 居里温度Tc:铁磁物质的磁化强度随温度升高而下降,达到某一温度时,自发磁化消失,转变为顺磁性,该临界温度为居里温度。它确定了磁性器件工作的上限温度。 损耗P:磁滞损耗Ph及涡流损耗Pe P = Ph + Pe = af + bf2+ c Pe ∝ f2 t2 / ,ρ降低,磁滞损耗Ph的方法是降低矫顽力Hc;降低涡流损耗Pe 的方法是减薄磁性材料的厚度t 及提高材料的电阻率ρ。在自由静止空气中磁芯的损耗与磁芯的温升关系为: 总功率耗散(mW)/表面积(cm2) 3. 软磁材料的磁性参数与器件的电气参数之间的转换 在设计软磁器件时,首先要根据电路的要求确定器件的电压~电流特性。器件的电压~电流特性与磁芯的几何形状及磁化状态密切相关。设计者必须熟悉材料的磁化过程并拿握材料的磁性参数与器件电气参数的转换关系。设计软磁器件通常包括三个步骤:正确选用磁性材料;合理确定磁芯的几何形状及尺寸;根据磁性参数要求,模拟磁芯的工作状态得到相应的电气参数。 二、软磁材料的发展及种类 1. 软磁材料的发展 软磁材料在工业中的应用始于19世纪末。随着电力工及电讯技术的兴起,开始使用低碳钢制造电机和变压器,在电话线路中的电感线圈的磁芯中使用了细小的铁粉、氧化铁、细铁丝等。到20世纪初,研制出了硅钢片代替低碳钢,提高了变压器的效率,降低了损耗。直至现在硅钢片在电力工业用软磁材料中仍居首位。到20年代,无线电技术的兴起,促进了高导磁材料的发展,出现了坡莫合金及坡莫合金磁粉芯等。从40年代到60年代,是科学技术飞速发展的时期,雷达、电视广播、集成电路的发明等,对软磁材料的要求也更高,生产出了软磁合金薄带及软磁铁氧体材料。进入70年代,随着电讯、自动控制、计算机等行业的发展,研制出了磁头用软磁合金,除了传统的晶态软磁合金外,又兴起了另一类材料—非晶态软磁合金。

磁导率 初始磁导率

磁导率初始磁导率 如果没有别的因素限制,那么磁导率肯定越高越好。磁导率高,意味着所需要的线圈圈数可以很少,变压器和电感器的体积可以很小。 但现实是:磁导率越高,磁感应强度越高,而磁芯材料所能工作的磁感应强度范围是有限的,所以有时候我们不得不设法减小有效磁导率,以避免磁芯饱和AC滤波器的选择就灵活了.流过电流通常不大,没那么多要求,磁导率可以在10-12K都OK. 相同的磁密, 储能密度与磁导率呈反比, 电感如果是储能用, 那么就选低u的. 如果是作磁放, 那得选高u矩磁. 变压器, 原则上磁导率用大些, 以利于减小励磁电流, 励磁电流分量并不能传递到次级, 因此要越小越好. 但是也不是盲目的大, 太大也不好, 如磁集成LLC便需要具有相当大的励磁电流. 要求磁导率适中 选用较高磁导率的铁氧体磁芯,磁感应强度就会越大,这样所要求的线圈匝数就会越小,变压器体积就会相对更小。 磁导率高了,同样的电感量可以用更小的磁芯;但是,更容易饱和。 所以,要计算 选择高μ值的铁氧体,绕制匝数可能会少点,但是得注意电感量以及饱和问题。如果对质量因素有要求的话,绕线匝数也不是越少越好。 μ高的材料在同样尺寸、同样匝数的情况下,肯定电感量大。电感量大在大电流的情况下,反向电压就高,磁通密度也就上升了,磁心就容易饱和了

软磁材料为什么磁导率越高,能量存储越小 E=VB2/2u E=uH2/2 容量总会有限,导磁率高,励磁功率就小,用来做变压器是很好的,但作电流泵(flyback)用就不太适合了。 几句话讲明白,电感的能量为什么绝大部分存在气隙中? 电路磁路 电动势磁动势 电阻磁阻 电流磁通量 的砖不但引出来很多玉,最后还能引出相声段子。百家争鸣的确好,各抒己见,越辩越明。73楼greendot给出的式子很好,相当有说服力,为了更清楚明白的表示,我又更调理的写出来了,如下

磁导率介绍

简介 中文名称:磁导率 英文名称:magnetic permeability 定义:磁介质中磁感应强度与磁场强度之比。分为绝对磁导率和相对磁导率,是表征磁 介质导磁性能的物理量。 磁导率μ等于磁介质中磁感应强度B与磁场强度H之比,即μ=B/H 通常使用的是磁介质的相对磁导率μr,其定义为磁导率μ与真空磁导率μ0之比,即μr=μ/μ0 相对磁导率μr与磁化率χ的关系是:μr=1+χ 磁导率μ,相对磁导率μr和磁化率xm都是描述磁介质磁性的物理量。 对于顺磁质μr>1;对于抗磁质μr<1,但两者的μr都与1相差无几。在大多数情况下,导体的相对磁导率等于1.在铁磁质中,B与H 的关系是非线性的磁滞回线,μr不是常量,与H有关,其数值远大于1。 例如,如果空气(非磁性材料)的磁导率是1,则铁氧体的磁导率为10,000,即当比较时,以通过磁性材料的磁通密度是10,000倍。 涉及磁导率的公式: 磁场的能量密度=B^2/2μ 在国际单位制(SI)中,相对磁导率μr是无量纲的纯数,磁导率μ的单位是亨利/米(H/m)。 常用的真空磁导率 常用参数 (1)初始磁导率μi:是指基本磁化曲线当H→0时的磁导率 (2)最大磁导率μm:在基本磁化曲线初始段以后,随着H的增大,斜率μ=B/H逐渐增大,到某一磁场强度下(Hm),磁密度达到最大值(Bm),即

(3)饱和磁导率μS:基本磁化曲线饱和段的磁导率,μs值一般很小,深度饱和时,μs=μo。 (4)差分(增量)磁导率μΔ∶μΔ=△B/△H。ΔB及△H是在(B1,H1)点所取的增量如图1和图2所示。 (5)微分磁导率,μd∶μd=dB /dH,在(B1,H1)点取微分,可得μd。 可知:μ1=B1/H1,μ△=△B /△H,μd=dB1/dH1,三者虽是在同一点上的磁导率,但在数值上是不相等的。 非磁性材料(如铝、木材、玻璃、自由空间)B与H之比为一个常数,用μ。来表示非磁性材料的的磁导率,即μ。=1(在CGS单位制中)或μ。=4πX10o-7(在RMKS单位制中)。 在众多的材料中,如果自由空间(真空)的μo=1,那△么比1略大的材料称为顺磁性材料(如白金、空气等);比1略小的材料,称为反磁性材料(如银、铜、水等)。本章介绍的磁性元件μ1是大有用处的。只有在需要磁屏蔽时,才会用铜等反磁性材料做成屏蔽罩使磁元件的磁不会辐射到空间中去。 下面给出几个常用的参数式: (1)有效磁导率μro。在用电感L形成闭合磁路中(漏磁可以忽略),磁心的有效磁导率为: 式中L——绕组的自感量(mH); W——绕组匝数; 磁心常数,是磁路长度Lm与磁心截面积Ae的比值(mm). (2)饱和磁感应强度Bs。随着磁心中磁场强度H的增加,磁感应强度出现饱和时的B值,称为饱和磁感应强度B,。 (3)剩余磁感应强度Br。磁心从磁饱和状态去除磁场后,剩余的磁感应强度(或称残留磁通密度)。 (4)矫顽力Hco。磁心从饱和状态去除磁场后,继续反向磁化,直至磁感应强度减小到零,此时的磁场强度称为矫顽力(或保磁力)。

起始磁导率i

起始磁导率μi 初始磁导率是磁性材料的磁导率(B/H )在磁化曲线始端的极限值,即 μi =0 1 μ× H B ?? ()0→?H 式中 μ0为真空磁导率(m H /7104-?π) ?H 为磁场强度的变化率(A/m ) ?B 为磁感应强度的变化率(T ) 有效磁导率μe 在闭合磁路中,如果漏磁可忽略,可以用有效磁导率来表示磁芯的性能。 e μ = Ae Le N L 20? μ 式中 L 为装有磁芯的线圈的电感量(H ) N 为线圈匝数 Le 为有效磁路长度(m ) Ae 为有效截面积 (m 2) 饱和磁通密度Bs (T ) 磁化到饱和状态的磁通密度。见图1。 H Hc 图 1 剩余磁通密度Br (T ) 从饱和状态去除磁场后,剩余的磁通密度。见图1。

矫顽力Hc (A/m ) 从饱和状态去除磁场后,磁芯继续被反向磁场磁化,直至磁感应强度减为零,此时的磁场强度称为矫顽力。见图1。 损耗因子tan δ 损耗系数是磁滞损耗、涡流损耗和剩余损耗三者之和。 tan δ= tan δh + tan δ e + tan δr 式中 tan δh 为磁滞损耗系数 tan δe 为涡流损耗系数 tan δr 为剩余损耗系数 相对损耗因子 tan δ/μi 比损耗因子是损耗系数与与磁导率之比: tan δ/μi (适用于材料) tan δ/μe (适用于磁路中含有气隙的磁芯) 品质因数 Q 品质因数为损耗因子的倒数: Q = 1/ tan δ 温度系数αμ( 1/K) 温度系数为T1和T2范围内变化时,每变化1K 相应的磁导率的相对变化量: αμ= 1 12μμ-μ.12T T 1 - 式中 μ1为温度为T1时的磁导率 μ2为温度为T2时的磁导率 相对温度系数αμr(1/K) 温度系数和磁导率之比,即 αμr = 2 1 12μμ-μ. 1 2T T 1 - 减落系数 DF 在恒温条件下,完全退磁的磁芯的磁导率随时间的衰减变化,即 DF = 2 12 12 1μ1T T log μμ?- (T2>T1) μ1为退磁后T1分钟的磁导率 μ2为退磁后T2分钟的磁导率

电容率与磁导率

介质光速和介质折射率、 磁导率、电容率(介电常数)的关系 https://www.360docs.net/doc/b210964533.html,/zhoujiajun198204@126/ 摘要:介质里的光速和该介质的折射率、磁导率、电容率是有关系的,但是这种关系却不适用到所有的介质。确切来说,介质里的光速和该介质的折射率的关系,有久恒的关系,适用于任何介质。介质光速和该介质磁导率、电容率(介电常数)的关系,不适用于所用介质,在某些介质中适用或许是一种偶然,又或许介质的折射率、磁导率、电容率还有一些我们尚未知道的关系。 关键词:真空光速;介质光速;介质绝对折射率;入射角;折射角;光速传播计算公式;磁导率;电容率;相对磁导率;相对电容率。 介质绝对折射率n,是说光从真空射入介质发生折射时,入射角i与折射角r的正弦之比,亦为真空光速c0和介质光速c x之比: n== 由麦克斯韦电磁方程组电磁波计算公式c=,可知介质里的光线传播速度只与该介质的磁导率μ、电容率ε有关。 任何一种介质的相对磁导率μr、相对电容率εr为: μr= εr= μr:相对磁导率,εr:相对电容率,μx: 介质磁导率,εr:介质电容率,μ0:真空磁导率,ε0:真空电容率。因此,就可推导出介质里光线传播计算公式,为: c x= 根据介质绝对折射率的定义,可得: n=== 由此可见,介质的绝对折射率和该介质的相对磁导率μr、相对电容率εr有关。用此关系式对介质进行检验,结果如下: 1、用空气检验

空气为顺磁性介质,其相对磁导率μr=1.0000004,相对电容率εr=1.000585,代入计算得 n空气===1.000293≈1.0003 和实际很相符。 2、用水检验 水为抗磁性介质,其相对磁导率μr=0.999991,相对电容率εr=81.5,代入计算得 n水===9.0277≠1.33 和实际相差很大。 从这两个例子可看出,光速和磁导率、电容率的关系适用于非磁性介质和顺磁性介质,对于抗磁性介质却不适用,差别很大。对于铁磁性介质来说,会是什么结果呢,因为没有这方面的参考资料,没法判定。介质的绝对折射率计算公式,是一个通式,能适用于任何介质。为何用相对磁导率、相对电容率对此进行计算时,却得不出相等的结果呢,介质里的光线传播速度和该介质的磁导率、电容率是否还有我们尚未得知的关系,介质的非导电性、导电性、非磁性、顺磁性、抗磁性、铁磁性等性质对该介质的光线传播又有怎样的影响,这就有待人们去证实了。 参考文献: 1、《折射率》百度百科 2、《电介质的介电常数》 <重庆邮电大学>网站 3、《磁场中的磁介质》 <西北工业大学>网站 4、《附录B 常用物理数据》 <郧阳师范高等专科学校>网站 磁导率 磁导率 magnetic permeability 表征磁介质磁性的物理量。常用符号μ表示,μ为介质的磁导率,或称绝对磁导率[1]。 μ等于磁介质中磁感应强度B与磁场强度H之比,即通常使用的是磁介质的相对磁导率μr ,其定义为磁导率μ与真空磁导率μ0之比,即 μ=B/H 相对磁导率μ与磁化率χ的关系是 磁导率μ,相对磁导率μr和磁化率xm都是描述磁介质磁性的物理量。 对于顺磁质μr>1;对于抗磁质μr<1,但两者的μr都与1相差无几。在铁磁质中,B与H 的关系是非线性的磁滞回线,μr不是常量,与H有关,其数值远大于1。 例如,如果空气(非磁性材料)的磁导率是1,则铁氧体的磁导率为10,000,即当

磁性元件知识介绍

磁性元件知识培训 刘德强

磁性元件说明 ?磁性元件通常由绕组和磁芯构成 ?主要包括电感器和变压器两大类。 ?在电路中的作用:储能、滤波、能量转换、电气隔离等 ?参数:电感量、电压、电流、温度、传输功率、频率、匝数比、漏感、损耗等。 ?应用领域:开关电源、LED驱动电源、光伏逆变器等.

第一章: 电感器介绍

电感器定义和特点 定义:电感器是一种将电能和磁能相互转化的元器件,将电能转化为磁能存储起来或将存储的磁能转化为电能释放出来. 特点: 1.它具有充放电特性和阻止交流电流通过,允许直流电流通过的能力。 2.电感阻碍电流的变化就是不让电流变化,当电流增加时电感阻碍电流的增加,当电流减小时电感阻碍电流的减小。电感阻碍电流变化过程并不消耗电能,阻碍电流增加时它将电能转化为磁能暂时储存起来,等到电流减小时再将磁能转化为电能释放出来,因此流过电感器的电流不能突变。 3.电感器的感抗与频率、电感量之间成正比。感抗计算公式:Z =ωL (ω=2πf, f为频率)。 L 电感器在电路中的符号(L) 不含磁芯或铁芯电感器含磁芯或铁芯电感器共模电感 电感器单位:亨 (H)、毫亨(mH)、微亨 (μH)、纳亨(nH). 感值换算关系: 1H=103mH,1mH=103μH, 1μH=103nH

电感器分类 电感器贴片式 按贴装方式分类: 插件式

电感值的表示方法: 1. 直标法:电感器的标称电感量用数字和文字符号直接标在电感体上。 2. 文字符号法:电感器的标称值用数字和文字符号按一定的规律组合标示在电感体上。4R7表示:4.7μH ,330表示330μH.

磁导率 初始磁导率

磁导率初始磁导率 如果没有别得因素限制,那么磁导率肯定越高越好。磁导率高,意味着所需要得线圈圈数可以很少,变压器与电感器得体积可以很小。 但现实就是:磁导率越高,磁感应强度越高,而磁芯材料所能工作得磁感应强度范围就是有限得,所以有时候我们不得不设法减小有效磁导率,以避免磁芯饱与AC滤波器得选择就灵活了、流过电流通常不大,没那么多要求,磁导率可以在10-12K都OK、 相同得磁密, 储能密度与磁导率呈反比, 电感如果就是储能用, 那么就选低u得、如果就是作磁放, 那得选高u矩磁、 变压器, 原则上磁导率用大些, 以利于减小励磁电流, 励磁电流分量并不能传递到次级, 因此要越小越好、但就是也不就是盲目得大, 太大也不好, 如磁集成LLC便需要具有相当大得励磁电流、要求磁导率适中 选用较高磁导率得铁氧体磁芯,磁感应强度就会越大,这样所要求得线圈匝数就会越小,变压器体积就会相对更小。 磁导率高了,同样得电感量可以用更小得磁芯;但就是,更容易饱与。 所以,要计算 选择高μ值得铁氧体,绕制匝数可能会少点,但就是得注意电感量以及饱与问题。如果对质量因素有要求得话,绕线匝数也不就是越少越好。 μ高得材料在同样尺寸、同样匝数得情况下,肯定电感量大。电感量大在大电流得情况下,反向电压就高,磁通密度也就上升了,磁心就容易饱与了 软磁材料为什么磁导率越高,能量存储越小 E=VB2/2u E=uH2/2

容量总会有限,导磁率高,励磁功率就小,用来做变压器就是很好得,但作电流泵(flyback)用就不太适合了。 几句话讲明白,电感得能量为什么绝大部分存在气隙中? 电路磁路 电动势磁动势 电阻磁阻 电流磁通量 得砖不但引出来很多玉,最后还能引出相声段子。百家争鸣得确好,各抒己见,越辩越明。 73楼greendot给出得式子很好,相当有说服力,为了更清楚明白得表示,我又更调理得写出来了,如下 最后一项左侧就是磁芯得,右侧就是气隙得能量,很明显,只要lg>>MPL/ur,那么绝大部分能量就是在气隙中得。

不同初始磁导率软磁铁氧体性能参数表

Initial Permeability μi25°C12573080020002500360038003900500047005200100001000015000 25°C mT330320295480420430430390390320 100°C mT---------380------------------Curie Temperature Tc---°C>450>160>150>100>220>190>190>150>150>150>150>120>100>105 Resistivityρ---?-cm109107106---700100100100100100100505010 Pv25°C 100kHz, 200mT 100°C mW/cm3------------450---------------------------Pv25°C 500kHz, 50mT 100°C mW/cm3------------------------------------------Material Type Ni-Zn Ni-Zn Ni-Zn Ni-Zn Mn-Zn Mn-Zn Mn-Zn Mn-Zn Mn-Zn Mn-Zn Mn-Zn Mn-Zn Mn-Zn Mn-Zn Application Freqency MHz3002001006010555555110.7 Material Grade Saturation Flux Density Bsat400480480430 Power Loss mW/cm3------------550---------------------------mW/cm3------------------------------ ------------

磁材基础知识简介

1.磁性材料简介 磁性材料是指由过渡金属元素铁、钴、镍及其合金等组成的能够直接或间接产生磁性的物质。 根据物质在外磁场中表现出的特性,物质的磁性可分为五类:顺磁性、抗磁性、铁磁性、亚铁磁性、反铁磁性。我们把顺磁性和抗磁性物质称为弱磁性物质,把铁磁性和亚铁磁性物质称为强磁性物质。 通常所说的磁性材料是指强磁性物质。磁性材料按磁化后去磁的难易可分为软磁材料和硬磁材料。磁化后容易去掉磁性的物质叫软磁材料,不容易去磁的物质叫硬磁材料,也称为永磁材料。软硬磁材料最明显的区别就是矫顽力,一般来讲软磁材料的矫顽力较小,硬磁材料的矫顽力较大。通常软磁材料的矫顽力小于80 A/m,而永磁材料的矫顽力则大于4000 A/m。磁性材料按使用又可分为软磁材料、永磁材料和功能磁性材料。功能磁性材料主要有磁致伸缩材料、磁记录材料、磁电阻材料、磁泡材料、磁光材料、旋磁材料以及磁性薄膜材料等。 磁性材料的磁化过程可通过磁滞回线来表示。图1和1’分别为软磁材料和永磁材料的磁滞回线。其中Bs表示饱和磁感应强度,Br表示剩磁,Hc表示矫顽力。图中可以看出,软磁材料和硬磁材料最明显的区别就在于,硬磁材料的矫顽力远大于软磁材料。 图1 磁性材料的磁滞回线 1:软磁材料的磁滞回线,1’:硬磁材料的磁滞回线;Hc、Hc’:矫顽力;Bs、Bs’:饱和磁感应强度;Br、Br’:剩磁。

1.1 磁性材料各性能参数 (1)饱和磁感应强度Bs:是指磁体被磁化至饱和状态时的磁感应强度,其大小取决于材料的成分,与其他外在条件无关。它所对应的物理状态是材料内部的磁化矢量整齐排列。 (2)剩余磁感应强度Br:磁性材料经磁化至技术饱和,去掉外磁场后所保留的表面场Br, 称为剩余磁感应强度。简称剩磁,用Br表示,单位为特斯拉(T)或高斯(Gs),换算关系为1 T=10000 Gs。 (3)矫顽力Hc:磁性材料在饱和磁化后,当外磁场退回到零时其磁感应强度B 并不退到零,只有在原磁化场相反方向加上一定大小的磁场才能使磁感应强度退回到零,该磁场称为矫顽磁场,又称矫顽力。矫顽力单位是奥斯特(Oe)或千安/米(kA/m),1 kA/m=12.56 Oe。矫顽力反应了磁性材料抵抗退磁的能力。 (4)居里温度Tc:也称磁性转变点,是指材料可以在铁磁和顺磁体之间改变的温度。当温度低于居里温度时物质表现为铁磁性,此时和材料有关的磁场很难改变。当温度高于居里温度时物质表现为顺磁性。简单地说,居里温度就是材料失去磁性时的温度,即高于此温度时材料磁性消失。 1.2 软磁材料的主要技术指标 软磁材料是指能够迅速响应外磁场的变化,且能低损耗地获得高磁感应强度的材料,它既容易受外磁场磁化,又容易退磁。应用中,对软磁材料的主要技术指标有以下要求: (1)初始磁导率μi和最大磁导率μmax要高。磁导率是表征材料的磁性、导磁性及磁化难易程度的一个磁学量,是软磁材料的重要参数。初始磁导率是磁中性状态下磁导率的极限值,从使用要求看,主要是看起始磁导率μi。 (2)矫顽力Hc要小。软磁材料的基本性能要求是能快速地响应外磁场变化,这就要求材料具有低矫顽力值。通常软磁材料的矫顽力约为10-1~102 A/m。 (3)饱和磁感应强度Bs要高。饱和磁感应强度是软磁材料的重要磁性参量。通常要求软磁材料具有高的饱和磁感应强度Bs,这样不仅可以获得高的μi值,还可以节省资源,实现磁性器件的小型化。材料的Bs值一般不可能有较大变动。 (4)功率损耗P要低。软磁材料多用于交流磁场,因此动态磁化造成的次损耗不可忽视。动态磁化所造成的次损耗包括3个部分:涡流损耗,磁滞损耗和剩余

磁导率的基本概念

磁导率的基本概念 对于均匀的磁性介质,如果把它放入均匀的磁场H中被磁化,磁介质本身就会产生一个附加磁场H',H'和H的方向相同。H'与H叠加起来的总磁场强度称为这种磁性材料的磁通密度B。由此可见,磁通密度B 和磁场强度H本质上都是表征磁场强弱的物理量。但是,它们所使用单位的名称及单位的大小都可能不同。在往常使用的高斯单位制中,H的单位用奥斯特(Oe),B的单位用高斯(Gs),奥斯特和高斯这两个单位名称不同大小却完全相等。在现在强调使用的国际单位制中,B的单位用特斯拉(T),H的单位用安每米(A/m),B和H的单位不再相等,1A/m=4×10-7T。磁通密度与磁场强度之比,称为材料的磁导率,它们的数值之比被称为绝对磁导率μ绝,它们这两个物理量大小之比被称为相对磁导率μ。显然,在高斯单位制中,因为B 和H的单位相等,它们的数值之比就等于它们量值的大小之比。所以,在高斯单位制中,材料的相对磁导率与绝对磁导率相等,用不着区分绝对磁导率和相对磁导率。 对于真空来说,它不会产生附加磁场,B就等于H,所以真空的磁导率等于1。在国际单位制中,由于B和H的单位大小不再相等,它们的数值之比μ绝不能代表它们的物理量大小之比μ,材料的相对磁导率与其绝对磁导率不再相等。对于真空来说,因为不能产生附加磁场,B和H这两个物理量就相等,所以真空的相等磁导率μ等于1。若在真空中某点的磁场强度H为yA/m,则该点的磁通密度B应为4πy×10-7T,于是该点的B与H的数值之比即为国际单位制中的真空绝对磁导率μ0=4π×10-7H/m。一般软磁材料的绝对磁导率再除以μ0即可得到其相对磁导率μ=B/μ0H。如果不加说明,提及到磁导率时指的均是相对磁导率。 一般软磁材料的直流磁化曲线B~H及与其相应的μ~H曲线如图1所示。由图1可知,B~H曲线的起始部分是线性上升,然后陡峭上升,最后趋近于水平。与B~H曲线起始线性部分相对应的磁导率为一个常数,称为起始磁导率μi。由原点向B~H曲线引一条切线,与其切点相对应的磁导率达到最大值,被称为峰值磁导率μm。从起始磁导率过后,一直到峰值磁导率μm,这段磁导率我们姑且也统称为振幅磁导率μa。显然,μa是随磁场H的增大而上升的。 对于交流磁场作用下的软磁材料,在远低于其截止频率时,材料的μ"可以忽略不计,μ'就认为是材料的交流磁导率μ。材料的交流磁化曲线及相应的μ~H曲线与直流极为相近,也

不锈钢的磁导率

不锈钢能被磁铁吸引不 日常生活中我们接触较多的奥氏体型不锈钢(有人称之为镍不锈)与马氏型不锈钢(有人称之为不锈铁,但不科学,易误解,应回避)两大类。奥氏体型不锈钢由于在钢中加入较高的铬与镍(含铬在18%左右,Ni在4%以上),钢的内部组织呈现一种叫奥氏体的组织状态,这种组织就是没有导磁性的,不能被磁铁所吸引。 钢铁的奥氏体组织在770摄氏度以上失去铁磁性。不锈钢中加入大量的合金,使部分不锈钢的奥氏体相区扩大到室温。这种奥氏体不锈钢不具有铁磁性。除此之外的其它的铁素体不锈钢、马氏体不锈钢等等,都具有铁磁性。 能被吸起的就是不锈铁一般称作Cr13,不锈钢有1Cr18Ni9Ti与0Cr18Ni9Ti等。 人们常以磁铁吸附不锈钢材,验证其优劣真假。不吸无磁,认为就是好的,反之,则认为就是冒牌假货。其实,这就是一种不切实际的辨别方法。一般,经营不锈钢材料已有十余年的人都知道,依靠传统的就是否有磁性来判别不锈钢的方法,很有可能吃亏。 据她们介绍,不锈钢种类繁多,常温下按组织结构可分为奥氏体型与马氏体或铁素体型。奥氏体型就是无磁或弱磁性,马氏体或铁素体型就是有磁性。然而,也并不一定如此。如通常用作装修管板的奥氏体型的304材质,一般来讲就是无磁性的,但因冶炼造成化学成分波动或加工状态不同也可能出现磁性,这不能认为就是冒牌或不合格。另外304不锈钢经过冷加工,组织结构也会向马氏转化,冷加工变形度越大,马氏体转化越多,钢的磁性就越大。相反,质量次一点的200系列不锈钢,很有可能不带磁性,由此判定它就是货真价实的不锈钢,就大错特错了。由磁铁的特性决定的如果按原子电流解释就就是电流产生的磁场磁化别的物体磁化物体产生电场电场互相作用产生力的作用 物质大都就是由分子组成的,分子就是由原子组成的,原子又就是由原子核与电子组成的。在原子内部,电子不停地自转,并绕原子核旋转。电子的这两种运动都会产生磁性。但就是在大

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