silvaco器件仿真
2009级微电子工艺期末试题
设计报告
报告题目：
硅外延NPN型小功率三极管
学院：理学院
专业：微电子与固体电子学
学号：2009020684
学生姓名：杨法明
授课老师：杨发顺
2010 年7月25日
题目：硅外延NPN 型小功率三极管：
集电极-发射极击穿电压（BV CEO ）:≥20V ，发射极-基极击穿电压（BV EBO ）: ≥5V ，最大耗散功率（P CM ）：0.5W ，饱和压降（V CES ）：≤0.35V ，电流放大系数（h FE ）：120。
一、分析计算
以单边突变的PN 结为基本模型创建NPN 结构来进行计算。经查表及计算结果得出，集电区掺杂浓度约为4.5×1015cm -3，基区掺杂浓度为3.3×1018 cm -3，发射区掺杂浓度为2.07×1020cm -3，b-c 结扩散结深为4.0μm ，b-c 结空间电荷区宽度为5.37μm ，外延层厚度最小为9.37μm ，b-e 结空间电荷区宽度为0.05μm ，集电结的表面积为1.442mm 。 具体计算过程如下：
(1)由集电极-发射极击穿电压BV CEO ≥20V ，取BV CEO =20V
BV CBO
=CEO
=×20=98.65V (取n=3) ，可取BV CBO =100V 由击穿电压~杂质浓度曲线，可取N C =4.5×1015cm -3 由经验公式364
.0901071.1-??=j CB a BV 以及???
?
??=
C B jc
C j N N x N a ln ,取P 型基区杂质浓度N B =3.3×1018 cm -3
计算出b-c 结扩散结深jc x ≈4.0μm
取B x =1.5μm ，E x =2.5μm ，D n =25cm 2/s ，D p =10cm 2/s ，==00p n ττ10-7s ，V BE =0.7V,要使电流放大倍数β=120，则
???
?
?
?-+???? ??+
=
T BE s r B B E
B B E E B V eV J J
L x x x D D N N 2exp 211
02
β
2
00
1
1exp 22r B E B B BE E B E
B T s J N D x x eV N D x L J V β
????
?
???
??
-=
+
+
18
8
07
03.31010 1.51 2.25100.7exp 25
2.5
22510
0.0259r E
s J N J --??-??=
?
?+?
+
????
17
3
07.9210
4.510
0.010149865r E
J N -?=
+?+
∵ 0010149865.0r J 远小于前两项，
≈β
117
3
7.9210
4.510
E
N -?=
+?
N E =2.07×1020cm -3
（2）当b-c 结反偏电压为V R =100V 时，b-c 结空间电荷区宽度为
12
2B s C R bc
B C N N V x e N N ε??
?
??
+==5.37μm
外延层厚度应大于W bc +jc x ，所以可取外延层厚度最小为9.37μm 。 当b-e 结反偏电压V R =5V 时，b-e 结空间电荷区宽度为
12
2s R B E B E be
V N N e N N x ε??
?
??
+==0.05μm
（3）b-e 的接触电势差：()2
ln()B E bi be i
N N kT V q n
=
b-c 的接触电势差：()2
ln(
)B C bi bc i N N kT V q
n =
()bi be V -()bi bc V = 0.0259ln(
)E C
N N ? ≈0.28V<0.35V
(4) 正偏状态下，已知最大耗散功率P CM =0.5W ，则
1.43C M C C ES
P I A V =
=
正偏状态下，E C I I =，而E pE nE I I I ≈+，由于nE pE I I >>，则E nE I I ≈ 已知nB D =25cm 2
/s ，B W =1.5μm
2130.7(0)exp(
)68.18exp(
) 3.73100.0259
i BE B B
n qV n N K T
+=
=?=?，
由(0)
E nB B nE B qA D n I W +=
?4
19
13
1.43 1.510 1.44(0)
1.610
25 3.7310
nE B E nB B I W A qD n -+
-??=
=
=???? 2mm
2.制造工艺设计：
首先在ATHENA 中定义15um*10um 的N +基底，浓度为5.0e18/cm 3,然后在基底上生长15um 的N -外延层，浓度为4.5e15/cm 3，最后进行扩散注入浓度为3.3e18/cm 3的P +型杂质（基区），和浓度为2.07e20/cm 3N ++型杂质（发射区）。语句详见附录。
3 原胞版图和工艺仿真结果：
（1）用工艺软件ATHENA制作的NPN基本结构
BC结深的提取
BE结深的提取
用Cutline工具截取Boron的浓度分布图如下：
用Cutline工具截取Phosphorus的浓度分布图如下
网格分布图
4．器件仿真结果
器件仿真有两种方法。
第一种：利用ATHENA 已经建立好的结构在ATLAS中进行仿真。
第二种直接在ATLAS中建立器件结构并进行器件仿真。
优缺点：
第一种方法更接近现实当中做器件的环境，但网格较难设置，仿真当中容易出现不收敛的情况。
第二种方法更理想化，制作环境都是在理想中进行包括掺杂浓度的分布是均匀的（这在实际操作过程中是不可能实现的），但是它的网格更容易设置一些，收敛比较容易出现。
鉴于以上各种方法的优缺点本次设计使用两种思路相结合的方法来实现
集电极与发射极的击穿电压提取图
结果基本符合题目要求中20V击穿电压放大倍数的提取图
基本符合题目要求的放大倍数120
附录：
方案一程序：
go athena
# mesh init
line x loc=0.00 spac=0.2
line x loc=4 spac=0.2
line x loc=10 spac=0.2
line x loc=15 spac=0.2
#
line y loc=0.00 spac=0.05
line y loc=1.00 spac=0.05
line y loc=2 spac=0.2
line y loc=4 spac=0.2
line y loc=10 spac=0.5
# chen di
init silicon c.phosphor=5.0e18 orientation=100 two.d
# wai yan
epitaxy time=50 temp=1100 thickness=15 c.phosphor=4.5e15
# yang hua
diffus time=50 temp=1100 weto2 press=1.00
# ke shi
etch oxide start x=5 y=-16
etch cont x=10 y=-16
etch cont x=10 y=-14
etch done x=5 y=-14
# kuo san
diffus time=60 temp=1160 nitro press=1.00 c.boron=1e20
# ke shi
etch oxide all
# yang hua
diffus time=30 temp=1100 weto2 press=1.00
# ke shi
etch oxide start x=6.5 y=-16
etch cont x=8.5 y=-16
etch cont x=8.5 y=-14
etch done x=6.5 y=-14
# kuo sna
diffus time=60 temp=1130 nitro press=1.00 c.phosphor=2e20
#
extract name="nxj" xj material="Silicon" mat.occno=1 x.val=8 junc.occno=1 # ke shi
etch oxide all
# deposit
deposit oxide thick=2 divisions=10
# ke shi
etch oxide start x=11 y=-17
etch cont x=12 y=-17
etch cont x=12 y=-14
etch done x=11 y=-14
# zhu ru
implant boron dose=5.0e18 energy=50 rotation=30 crystal # ke shi
etch oxide start x=6.5 y=-17
etch cont x=8.5 y=-17
etch cont x=8.5 y=-14
etch done x=6.5 y=-14
# deposit
deposit aluminum thick=2 divisions=10
# ke shi
etch aluminum left p1.x=6.50
# ke shi
etch aluminum right p1.x=12.50
# ke shi
etch aluminum start x=8.5 y=-19
etch cont x=10.5 y=-19
etch cont x=10.5 y=-14
etch done x=8.5 y=-14
#
electrode name=base x=11
#
electrode name=emitter x=7
#
electrode name=collector backside
#
struct outfile=bjt6.str
go atlas
#
mesh infile=bjt6.str
# set emitter
contact name=emitter n.poly surf.rec
material taun0=5e-6 taup0=5e-6
# set models
models bipolar print
impact selb
solve init
method newton trap
solve prev
solve vbase=0.025
solve vbase=0.05
solve vbase=0.2
contact name=base current
method newton trap ir.tol=1.e-20 ix.tol=1.e-20
solve ibase=3.e-15
log outf=bjt05.log master
# ramp collector voltage
solve vcollector=0.25
solve vcollector=0.5
solve vcollector=1
solve vcollector=3
solve vcollector=5
solve vstep=0.5 vfinal=30 name=collector compl=5.e-11 https://www.360docs.net/doc/d68704122.html,p=3
# plot results
tonyplot bjt05.log -set bjt05_log.set
quit
方案二程序
（1）击穿电压的提取
go atlas
#
mesh space.mult=1.0
#
x.mesh loc=0.00 spac=0.2
x.mesh loc=30 spac=0.2
#
y.mesh loc=0.00 spac=0.5
y.mesh loc=2.5 spac=0.25
y.mesh loc=7 spac=0.25
y.mesh loc=10 spac=0.5
y.mesh loc=25 spac=0.5
#
region number=1 x.min=0 x.max=30 y.min=0 y.max=25 material=Silicon region number=2 x.min=0 x.max=30 y.min=15 y.max=25 material=Silicon region number=3 x.min=4 x.max=26 y.min=0 y.max=5 material=Silicon region number=4 x.min=13 x.max=17 y.min=0 y.max=2.5 material=Silicon # #1=base #2=collector #3=emitter
electrode name=base number=1 x.min=20 x.max=23 y.min=0 y.max=0 electrode name=collector number=2 bottom
electrode name=emitter number=3 x.min=13 x.max=17 y.min=0 y.max=0
#
doping uniform conc=4.5e15 n.type direction=y regions=1
doping uniform conc=4.5e18 n.type direction=y regions=2
doping gaussian characteristic=0.7 peak=3.2 conc=3.3e18 p.type \ direction=y regions=3
doping gaussian characteristic=1 peak=1.2 conc=2e20 n.type direction=y \ regions=4
save outf=bjt62.str
tonyplot bjt62.str
# set poly emitter
contact name=emitter n.poly surf.rec
material taun0=1e-7 taup0=1e-7
# set models
models bipolar print
impact selb
solve init
method newton trap
solve prev
solve vbase=0.025
solve vbase=0.05
solve vbase=0.2
contact name=base current
method newton trap ir.tol=1.e-20 ix.tol=1.e-20
solve ibase=3.e-15
log outf=bjtex05.log master
# ramp collector voltage
solve vcollector=0.25
solve vcollector=0.5
solve vcollector=1
solve vcollector=3
solve vcollector=5
solve vstep=1 vfinal=100 name=collector compl=5.e-11 https://www.360docs.net/doc/d68704122.html,p=3
# plot results
tonyplot bjtex05.log -set bjtex05_log.set
quit
（2）放大倍数的提取
go atlas
#
mesh space.mult=1.0
#
x.mesh loc=0.00 spac=0.2
x.mesh loc=30 spac=0.2
#
y.mesh loc=0.00 spac=0.5
y.mesh loc=2.5 spac=0.25
y.mesh loc=7 spac=0.25
y.mesh loc=10 spac=0.5
y.mesh loc=25 spac=0.5
#
region number=1 x.min=0 x.max=30 y.min=0 y.max=25 material=Silicon region number=2 x.min=0 x.max=30 y.min=15 y.max=25 material=Silicon region number=3 x.min=4 x.max=26 y.min=0 y.max=5 material=Silicon region number=4 x.min=13 x.max=17 y.min=0 y.max=2.5 material=Silicon # #1=base #2=collector #3=emitter
electrode name=base number=1 x.min=20 x.max=23 y.min=0 y.max=0 electrode name=collector number=2 bottom
electrode name=emitter number=3 x.min=13 x.max=17 y.min=0 y.max=0
#
doping uniform conc=4.5e15 n.type direction=y regions=1
doping uniform conc=4.5e18 n.type direction=y regions=2
doping gaussian characteristic=0.7 peak=3.2 conc=3.3e18 p.type \ direction=y regions=3
doping gaussian characteristic=1 peak=1.2 conc=2e20 n.type direction=y \ regions=4
save outf=bjt62.str
tonyplot bjt62.str
# set material models etc.
material taun0=5e-6 taup0=5e-6
contact name=emitter n.poly surf.rec
contact name=base common=base1 short
models bipolar print
# initial solution
微电子工艺设计报告 第13页 solve init
# change to two carriers method newton autonr trap solve prev
# set the collector bias solve vcollector=2 local # start ramping the base solve vbase=0.1
# Ramp the base to 0.9 volts.... log outf=bjt03_2.log master
solve vbase=0.2 vstep=0.05 vfinal=0.9 name=base
# Now dump a structure file, for tonyplotting... but first decide what # you want in it, on top of the default quantities...... output e.field flowlines jx.el jx.ho jy .el jy .ho save outf=bjt03_3.str
# Now extract some design parameters...
extract name="peak collector current" max(curve(abs(v ."base"),abs(i."collector"))) extract name="peak gain" max(i."collector"/ i."base")
extract name="max fT" max(g."collector""base"/(2*3.1415*c."base""base")) # plot the results
tonyplot bjt03_2.log -set bjt03_2.set
quit
[]v
V
r V r
r NN
N xc
i
+
???
?
???
?-+
+
?-+
Φ
2
)
()()(2
1
1
12
ερρε
半导体专业实验补充silvaco器件仿真..
实验2 PN结二极管特性仿真 1、实验内容 （1）PN结穿通二极管正向I-V特性、反向击穿特性、反向恢复特性等仿真。 （2）结构和参数：PN结穿通二极管的结构如图1所示，两端高掺杂，n-为耐压层，低掺杂，具体参数：器件宽度4μm，器件长度20μm，耐压层厚度16μm，p+区厚度2μm，n+区厚度2μm。掺杂浓度：p+区浓度为1×1019cm-3，n+区浓度为1×1019cm-3，耐压层参考浓度为5×1015 cm-3。 图1 普通耐压层功率二极管结构 2、实验要求 （1）掌握器件工艺仿真和电气性能仿真程序的设计 （2）掌握普通耐压层击穿电压与耐压层厚度、浓度的关系。 3、实验过程 #启动Athena go athena #器件结构网格划分； line x loc=0.0 spac= 0.4 line x loc=4.0 spac= 0.4 line y loc=0.0 spac=0.5 line y loc=2.0 spac=0.1 line y loc=10 spac=0.5 line y loc=18 spac=0.1 line y loc=20 spac=0.5 #初始化Si衬底； init silicon c.phos=5e15 orientation=100 two.d #沉积铝； deposit alum thick=1.1 div=10 #电极设置 electrode name=anode x=1 electrode name=cathode backside #输出结构图 structure outf=cb0.str tonyplot cb0.str #启动Atlas go atlas #结构描述
各大仿真软件介绍
各大仿真软件介绍（包括算法，原理） 随着无线和有线设计向更高频率的发展和电路复杂性的增加，对于高频电磁场的仿真，由于忽略了高阶传播模式而引起仿真的误差。另外，传统模式等效电路分析方法的限制，与频率相关电容、电感元件等效模型而引起的误差。例如，在分析微带线时，许多易于出错的无源模式是由于微带线或带状线的交叉、阶梯、弯曲、开路、缝隙等等，在这种情况下是多模传输。为此，通常采用全波电磁仿真技术去分析电路结构，通过电路仿真得到准确的非连续模式S参数。这些EDA仿真软件与电磁场的数值解法密切相关的，不同的仿真软件是根据不同的数值分析方法来进行仿真的。通常，数值解法分为显示和隐示算法，隐示算法（包括所有的频域方法）随着问题的增加，表现出强烈的非线性。显示算法（例如FDTD、FIT方法在处理问题时表现出合理的存储容量和时间。本文根据电磁仿真工具所采用的数值解法进行分类，对常用的微波EDA仿真软件进行论述。2．基于矩量法仿真的微波EDA仿真软件基于矩量法仿真的EDA 软件主要包括A D S（Advanced Design System）、Sonnet电磁仿真软件、IE3D和Microwave office。 2.1ADS仿真软件Agilent ADS(Advanced Design System)软件是在HP EESOF系列EDA软件基础上发展完善起来的大型综合设计软件，是美国安捷伦公司开发的大型综合设计软件，是为系统和电路工程师提供的可开发各种形式的射频设计，对于通信和航天／防御的应用，从最简单到最复杂，从离散射频／微波模块到集成MMIC。从电路元件的仿真，模式识别的提取，新的仿真技术提供了高性能的仿真特性。该软件可以在微机上运行，其前身是工作站运行的版本MDS（Microwave Design System）。该软件还提供了一种新的滤波器的设计引导，可以使用智能化的设计规范的用户界面来分析和综合射频／微波回路集总元滤波器，并可提供对平面电路进行场分析和优化功能。它允许工程师定义频率范围，材料特性，参数的数量和根据用户的需要自动产生关键的无源器件模式。该软件范围涵盖了小至元器件，大到系统级的设计和分析。尤其是其强大的仿真设计手段可在时域或频域内实现对数字或模拟、线性或非线性电路的综合仿真分析与优化，并可对设计结果进行成品率分析与优化，从而大大提高了复杂电路的设计效率，使之成为设计人员的有效工具[6-7]。2.2Sonnet仿真软件Sonnet是一种基于矩量法的电磁仿真软件，提供面
仿木施工工艺及技术要求
仿木施工工艺及技术要求 1、砼基面的仿木施工工艺及技术要求 施工工艺流程 砼桩体浇注成型➱凿毛➱表面清洗➱涂刷SPC界面剂➱ 抹装饰面层➱ 养护➱ 涂刷表面封闭漆。 施工工艺和技术要求 1 ）砼桩体浇注成型按照设计要求成型混凝土桩体。 2）凿毛 为了提高仿木装饰层与桩体的粘结性能，桩体拆模后进行凿毛处理。 3）表面清洗采用高压水混凝土桩体表面的粉尘、碎屑冲洗干净。 4）基层处理 将混凝土桩体表面湿润，但不得有明水。按一定比例配制SPC界面剂，搅拌至无水泥 颗粒、无沉淀。然后均匀涂刷，不漏涂，以保证仿木装饰层与桩体结构粘结良好。5）抹装饰层 采用彩色SPC聚合物水泥砂浆进行装饰层的抹灰施工。所用的水泥、砂子、SPC乳液、水、色粉应符合有关技术要求，成都公司注册按照一定比例拌制而成，其抗冻等级为F150,面 层厚度一般10?20mm。 根据不同的仿木型式，装饰层分层抹面而成，外型依松树或榆树皮，并做树节、裂缝、脱落皮等仿真效果。对成型表面进行调整、补充、加固、艺术手法展现处理，达到仿真的效果。 6）仿木面层的养护 主要为保水养护及冬季施工的保温措施。仿木面层完成后，采用塑料膜覆盖潮湿养护7 天， 再自然养护7 天后进行表面处理。如果在冬季施工，应采取相应的保温防护措施，保证仿木面层在5 C以上养护环境。 7）表面处理对成型表面进行调整、补充、加固、艺术手法展现处理，搭配调和、调色、造光等处理。 8）防护涂层处理涂层材料采用环氧树脂对装饰面层表面进行喷涂处理，应严格控制施工工艺要求进行涂装施工，遇到雨天湿度大于80%或温度低于5 C时，禁止进行涂装施工。雨后须检查基层含水率合格后，方可进行施工。 、质量保证措施 质量方针以人才为根本，以法规为准则，阳台护栏不断提高员工素质，严格过程控制，持续改进艺术创作，为顾客提供满意的工程产品和优质服务。 质量控制 1）仿木桩工程施工所需要的所有材料，主要包括水泥、砂子、SPC聚合物乳液、色粉、颜料、防冻剂均有厂家提供的产品合格证及材料技术指标试验报告单，均应达到设计要求。 2）严格按照彩色SPC聚合物砂浆配合比配制砂浆，计量精度为水泥土2%砂± 5%乳液 及色粉控制在±1%以内。采用人工搅拌。砂浆应随拌随用，一般在1h 内用完。 3）养护：当仿木桩成品完成后在12h 内，采用塑料薄膜覆盖、洒水养护，保持塑料布 内有凝结水，每天浇水的次数以桩体表面处于湿润状态来确定，养护时间不少于7 天，然后自然养护。 4）冬季施工措施：当温度低于5C时，应按比例掺加早强防冻剂。在每段仿木桩周围搭 设保温棚，保证棚内温度不低于 5 C。
Silvaco工艺及器件仿真2
4.1.7栅氧厚度的最优化 下面介绍如何使用DECKBUILD中的最优化函数来对栅极氧化厚度进行最优化。假定所测量的栅氧厚度为100?，栅极氧化过程中的扩散温度和偏压均需要进行调整。为了对参数进行最优化，DECKBUILD最优化函数应按如下方法使用： a.依次点击Main control和Optimizer…选项；调用出如图4.15所示的最优化工具。第一个最优化视窗显示了Setup模式下控制参数的表格。我们只改变最大误差参数以便能精确地调整栅极氧化厚度为100?； b.将Maximum Error在criteria一栏中的值从5改为1； c.接下来，我们通过Mode键将Setup模式改为Parameter模式,并定义需要优化参数（图4.16）。 图4.15 DECKBUILD最优化的Setup模式 图4.16 Parameter模式 需要优化的参数是栅极氧化过程中的温度和偏压。为了在最优化工具中对其进行最优化，如图4.17所示，在DECKBUILD窗口中选中栅极氧化这一步骤；
图4.17 选择栅极氧化步骤 d.然后，在Optimizer中，依次点击Edit和Add菜单项。一个名为Deckbuild：Parameter Define的窗口将会弹出，如图4.18所示，列出了所有可能作为参数的项； 图4.18 定义需要优化的参数 e.选中temp=
常见军事仿真软件
常见仿真软件介绍 软件名称（中文）：系统仿真和分析 软件名称（英文）：AMESim 软件发行单位：法国IMAGINE公司 软件应用于研究的方向：多学科领域复杂系统建模与仿真 软件背景及主要的用途：AMESim提供了一个系统工程设计的完整平台，使得用户可以在一个平台上建立复杂的多学科领域系统的模型，并在此基础上进行仿真计算和深入的分析。用户可以在AMESim平台上研究任何元件或系统的稳态和动态性能.AMESim处于不断的快速发展中，现有的应用库有：机械库、信号控制库、液压库（包括管道模型）、液压元件设计库（HCD）、动力传动库、液阻库、注油库（如润滑系统）、气动库（包括管道模型）、电磁库、电机及驱动库、冷却系统库、热库、热液压库（包括管道模型）、热气动库、热液压元件设计库（THCD）、二相库、空气调节系统库；作为在设计过程中的一个主要工具，AMESim还具有与其它软件包丰富的接口，例如Simulink?, Adams?, Simpack?, Flux2D?，RTLab? , dSPACE?, iSIGHT?等。 软件名称（中文）：机械系统动力学分析与仿真 软件名称（英文）：ADAMS (Automatic Dynamic Analysis of Mechanical Systems) 软件发行单位：原由美国MDI公司(Mechanical Dynamics Inc.)开发，目前已被美国MSC公司收购成为MSC/ ADAMS，是最著名的虚拟样机分析软件。 软件应用于研究的方向：ADAMS软件的仿真可用于预测机械系统的性能、运动范围、碰撞检测、峰值载荷以及计算有限元的输入载荷等。 软件背景及主要的用途：目前，ADAMS已在汽车、飞机、铁路、工程机械、一般机械、航天机械等领域得到广泛应用，己经被全世界各行各业的大多制造商采用。根据1999年机械系统动态仿真分析软件国际市场份额的统计资料，ADAMS 软件占据了销售总额近8千万美元的51%份额。ADAMS软件由核心模块、功能扩展模块、专业模块、工具箱和接口模块5类模块组成。ADAMS一方面是虚拟样机分析的应用软件，用户可以运用该软件非常方便地对虚拟机械系统进行静力学、运动学和动力学分析。另一方面，又是虚拟样机分析开发工具，其开放性的程序结构和多种接口，可以成为特殊行业用户进行特殊类型虚拟样机分析的二次开发
TFET工艺仿真
go athena line x loc=0.0 spac=0.001 line x loc=0.2 spac=0.001 line x loc=0.4 spac=0.001 line x loc=0.6 spac=0.001 line x loc=0.8 spac=0.001 line x loc=1.0 spac=0.001 line x loc=1.2 spac=0.001 line y loc=0.0 spac=0.005 line y loc=0.2 spac=0.008 line y loc=0.5 spac=0.03 line y loc=0.8 spac=0.1 # init orientation=100 c.boron=1e14 space.mul=2 #nwell formation including masking off of the pwell # diffus time=30 temp=1000 dryo2 press=1.00 hcl=3 # etch oxide thick=0.02 # #n-well Implant # implant phos dose=8e14 energy=100 pears # diffus temp=950 time=100 weto2 hcl=3 #
#p-well implant not shown - # # welldrive starts here diffus time=50 temp=1000 t.rate=4.000 dryo2 press=0.10 hcl=3 # diffus time=220 temp=1200 nitro press=1 # diffus time=90 temp=1200 t.rate=-4.444 nitro press=1 # etch oxide all # #sacrificial "cleaning" oxide diffus time=20 temp=1000 dryo2 press=1 hcl=3 # etch oxide all # #gate oxide grown here:- diffus time=11 temp=925 dryo2 press=1.00 hcl=3 # # Extract a design parameter extract name="gateox" thickness oxide mat.occno=1 x.val=0.05 # #vt adjust implant implant phos dose=9.5e11 energy=10 pearson # depo poly thick=0.2 divi=10 # #from now on the situation is 2-D
单片机常用元件-protues仿真
那个按键是keypad-smallcalc。若楼主还需要其他的可以发给你Proteus的这25大类元器件分别为： Analog ICs 模拟IC CMOS 4000 series CMOS 4000系列 Data Converters 数据转换器 Diodes 二极管Electromechanical 机电设备（只有电机模型） Inductors 电感 Laplace Primitives Laplace变换器 Memory ICs 存储器IC Microprocessor ICs 微处理器IC Miscellaneous 杂类（只有电灯和光敏电阻组成的设备） Modelling Primitives 模型基元 Operational Amplifiers 运算放大器 Optoelectronics 光电子器件 Resistors 电阻 Simulator Primitives 仿真基元 Switches & Relays 开关和继电器 Transistors 三极管 TTL 74、74ALS、74AS、74F、74HC、74HCT、74LS、74S series 74系列集成电路
除此之外，你还应熟悉常用器件的英文名称，ANY电子为您列举如下：AND 与门ANTENNA 天线 BATTERY 直流电源（电池）BELL 铃,钟BRIDEG 1 整流桥(二极管) BRIDEG 2 整流桥(集成块) BUFFER 缓冲器 BUZZER 蜂鸣器 CAP 电容 CAPACITOR 电容 CAPACITOR POL 有极性电容 CAPVAR 可调电容 CIRCUIT BREAKER 熔断丝 COAX 同轴电缆 CON 插口CRYSTAL 晶振 DB 并行插口 DIODE 二极管 DIODE SCHOTTKY 稳压二极管 DIODE VARACTOR 变容二极管
各种电路仿真软件的分析与比较
一．当今流行的电路仿真软件及其特性 电路仿真属于电子设计自动化（EDA）的组成部分。一般把电路仿真分为三个层次：物理级、电路级和系统级。教学中重点运用的为电路级仿真。 电路级仿真分析由元器件构成的电路性能，包括数字电路的逻辑仿真和模拟电路的交直流分析、瞬态分析等。电路级仿真必须有元器件模型库的支持，仿真信号和波形输出代替了实际电路调试中的信号源和示波器。电路仿真主要是检验设计方案在功能方面的正确性。电路仿真技术使设计人员在实际电子系统产生之前，就有可能全面地了解电路的各种特性。目前比较流行的电路仿真软件大体上说有：ORCAD、Protel、Multisim、TINA、ICAP/4、Circuitmaker、Micro-CAP 和Edison等一系列仿真软件。 电路仿真软件的基本特点： ●仿真项目的数量和性能： 仿真项目的多少是电路仿真软件的主要指标。各种电路仿真软件都有的基本功能是：静态工作点分析、瞬态分析、直流扫描和交流小信号分析等4项；可能有的分析是：傅里叶分析、参数分析、温度分析、蒙特卡罗分析、噪声分析、传输函数、直流和交流灵敏度分析、失真度分析、极点和零点分析等。仿真软件如SIMextrix只有6项仿真功能，而Tina6.0有20项，Protel、ORCAD、P-CAD等软件的仿真功能在10项左右。专业化的电路仿真软件有更多的仿真功能。对电子设计和教学的各种需求考虑的比较周到。例如TINA的符号分析、Pspice和ICAP/4的元件参数变量和最优化分析、Multisim的网络分析、CircuitMaker的错误设置等都是比较有特色的功能。 Pspice语言擅长于分析模拟电路，对数字电路的处理不是很有效。对于纯数字电路的分析和仿真，最好采用基于VHDL等硬件描述语言的仿真软件，例如，Altera公司的可编程逻辑器件开发软件MAX+plusII等。 ●仿真元器件的数量和精度： 元件库中仿真元件的数量和精度决定了仿真的适用性和精确度。电路仿真软件的元件库有数千个到1--2万个不等的仿真元件，但软件内含的元件模型总是落后于实际元器件的生产与应用。因此，除了软件本身的器件库之外，器件制造商的网站是元器件模型的重要来源。大量的网络信息也能提供有用的仿真模型。设计者如果对仿真元件模型有比较深入的研究，可根据最新器件的外部特性参数自定义元件模型，构建自己的元件库。对于教学工作者来说，软件内的元件模型库，基本上可以满足常规教学需要，主要问题在于国产元器件与国外元器件的替代，并建立教学中常用的国产元器件库。 电路仿真软件的元件分类方式有两种：按元器件类型如电源、二极管、74系列等分成若干个大类；或按元器件制造商分类，大多数仿真软件有电路图形符号的预览，便于选取使用。
建筑工程施工工艺仿真心得体会
建筑工程施工工艺仿真心得体会 篇一：建筑工地学习心得 篇一：建筑工地实习心得体会 实习 心得体会 2013年4月1日至2013年4月31日，我在xxxxxx公司xxxx项 目参加毕业实习， 在代习老师的指导下，我完成了xxxx的施工任务。 历时一个月的实习 让自己突破了书本上的限制，真正的把理论和实际相 辛苦的实习生活结束了，收获很多，现在将其总结如 1 筑，进一步提高我对建筑文化、建筑知识以及 料的认识，巩固和扩大所学理论知识，提高学习积极 2 程及阅读施工图纸，进行现场比较，进一步培 能力，提高识读工程图的能力。 3 建筑工程施工工艺，熟悉房屋构造，了解建筑 4
学生劳动的观点，发扬理论联系实际的作风，为 技术工作奠定基础。 容和亲身参加的具体工作过程： 工员，由于实习的时间较有限，所以我学到的东 准层的施工都亲身参加了工作。整个工作流程如下所 作→焊接柱筋→绑扎柱箍筋→支模板架体→安装梁、 梁钢筋→安装梁、板筋→浇筑柱、梁、板砼→砼的养 板模。整个施工过程中还需包括水平和高程的放 的施工学习之外，我还协助项目副经理进行施工进度 结合起来。紧张而下：一、实习目的：、通过参观实际建建筑施工、建筑材性。、通过参观在建工养学生的空间想象、通过实习，了解材料的特性及应用。、通过实习,培养今后从事建筑工程二、实习的主要内我实习的岗位是施西也很有限，从标示：钢筋下料、制板、柱模板→焊接护→拆柱模→拆梁、样。除了对单幢楼的控制。 整个混凝土结构工 程包括了钢筋工程、模板工程、混凝土工程。但 是也由于时间的仓 促，整个实习过程我没有接触到屋面工程，和装修工 程。以下将分别总 结我在实习过程中所学习的知识以及我参加的工程： 钢筋工程：
最常用的几种EDA软件
常用的几种EDA软件 EDA技术是在电子CAD技术基础上发展起来的计算机软件系统，是指以计算机为工作平台，融合了应用电子技术、计算机技术、信息处理及智能化技术的最新成果，进行电子产品的自动设计。 利用EDA工具，电子设计师可以从概念、算法、协议等开始设计电子系统，大量工作可以通过计算机完成，并可以将电子产品从电路设计、性能分析到设计出IC版图或PCB版图的整个过程在计算机上自动处理完成。 现在对EDA的概念或范畴用得很宽。包括在机械、电子、通信、航空航天、化工、矿产、生物、医学、军事等各个领域，都有EDA的应用。目前EDA 技术已在各大公司、企事业单位和科研教学部门广泛使用。例如在飞机制造过程中，从设计、性能测试及特性分析直到飞行模拟，都可能涉及到EDA技术。本文所指的EDA技术，主要针对电子电路设计、PCB设计和IC设计。EDA 设计可分为系统级、电路级和物理实现级。 EDA常用软件 EDA工具层出不穷，目前进入我国并具有广泛影响的EDA软件有：EWB、PSPICE、OrCAD、PCAD、Protel、Viewlogic、Mentor、Graphics、Synopsys、LSIlogic、Cadence、MicroSim 等等。这些工具都有较强的功能，一般可用于几个方面，例如很多软件都可以进行电路设计与仿真，同时以可以进行PCB自动布局布线，可输出多种网表文件与第三方软件接口。下面按主要功能或主要应用场合，分为电路设计与仿真工具、PCB设计软件、IC设计软件、PLD 设计工具及其它EDA软件，进行简单介绍。 1、电子电路设计与仿真工具 电子电路设计与仿真工具包括SPICE/PSPICE；EWB；Matlab；SystemView；MMICAD等。下面简单介绍前三个软件。 （1）SPICE（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis） 是由美国加州大学推出的电路分析仿真软件，是20世纪80年代世界上应用最广的电路设计软件，1998年被定为美国国家标准。1984年，美国MicroSim公司推出了基于SPICE 的微机版PSPICE（Personal—SPICE）。现在用得较多的是PSPICE6.2，可以说在同类产品中，它是功能最为强大的模拟和数字电路混合仿真EDA软件，在国内普遍使用。最新推出了PSPICE9.1版本。它可以进行各种各样的电路仿真、激励建立、温度与噪声分析、模拟控制、波形输出、数据输出、并在同一窗口内同时显示模拟与数字的仿真结果。无论对哪种器件哪些电路进行仿真，都可以得到精确的仿真结果，并可以自行建立元器件及元器件库。 （2）EWB(Electronic Workbench)软件 是Interactive ImageTechnologies Ltd 在20世纪90年代初推出的电路仿真软件。目前普遍使用的是EWB5.2，相对于其它EDA软件，它是较小巧的软件（只有16M）。但它对模数电路的混合仿真功能却十分强大，几乎100%地仿真出真实电路的结果，并且它在桌面上提供了万用表、示波器、信号发生器、扫频仪、逻辑分析仪、数字信号发生器、逻辑转换器和电压表、电流表等仪器仪表。它的界面直观，易学易用。它的很多功能模仿了SPICE 的设计，但分析功能比PSPICE稍少一些。 （3）文字MATLAB产品族 它们的一大特性是有众多的面向具体应用的工具箱和仿真块，包含了完整的函数集用来对图像信号处理、控制系统设计、神经网络等特殊应用进行分析和设计。它具有数据采集、报告生成和MATLAB语言编程产生独立C/C++代码等功能。MATLAB产品族具有下列功能：数据分析；数值和符号计算；工程与科学绘图；控制系统设计；数字图像信号处理；财务工程；建模、仿真、原型开发；应用开发；图形用户界面设计等。MATLAB产品族被广泛地应用于
建筑施工工艺设计仿真心得体会
建筑施工工艺仿真心得体会 篇一：仿真实习的学习心得及体会 仿真实习的学习心得及体会 （理工大学技术工程学院化学工程与工艺09160207）经过连续两周的仿真实习，我们练习了离心泵、换热器、液位的控制、精馏塔的冷态开车、正常停车以及相应事故处理的仿真。通过这次仿真实习基本单元操作方法；增强了我对工艺过程的了解，进而也更加熟悉了控制系统的设计及操作。让我对离心泵、换热器、精馏塔等有了更深刻的了解和认识。通过本次的化工仿真实习收获颇多，对工艺流程、控制系统有了一定的了解，基本掌握了开车、停车等的规程。开始接触化工仿真软件时,感觉很迷漫也很好奇，在后来的实习过程中我首先仔细阅读了课本上实习的具体流程，基本明白了操作的规程。 特别是在练习精馏塔单元等复杂的化工过程的时候，我觉得应该： （1）要仔细认真的阅读课本上相应的流程操作，对每一步操作都应该要有所领会、理解，因为过程的熟悉程度在操作中使至关重要的。过程不够熟悉也许会误入歧途，错误的操作，最后事倍功半，也不能很好的掌握所需学习的容。
（2）面对一个复杂的工艺过程时，如果不能事先了解到它们的作用和相应的位置，以及各自开到什么程度，在开车时我们可能会手忙脚乱，导致错误的操作，因此，在开车前最重要的准备工作就是熟悉整个的工艺过程。 （3）在开车后的操作中一定要有(转载 于:https://www.360docs.net/doc/d68704122.html, 书业网:建筑施工工艺仿真心得体会)耐心，不能急于求成。无比达到每一步的工艺要求之后，才能进行下一步的操作，否则可能造成不可挽回的质量错误。因此在面对一个工艺流程，必须要了解这个工艺流程的作用是什么，要达到怎样的目的，了解流程中的各个环节，是如何进料的，操作条件又是如何，要达到什么样的要求。只有这样我们才能更好的学习或掌握所练习的学习容。 总之，通过二周的仿真实习，我明白了许多，同时也懂得了许多，在操作过程中对每一步工艺操作都要耐心的完成，要达到规定的要求，不能急于求成，否则会事倍功半。要不断的吸取失败的教训，虚心向老师和优秀的同学请教，总结经验。此外，在以后的学习和生活中，要更加刻苦、努力的学习自己的专业知识，夯实基础、扩大自己的知识面，从而在以后的工作或生活中，更好的为我所用，为以后踏上工作岗位打下基础! 篇二：施工标准化工艺学习心得 施工标准化工艺学习心得
1-2NMOS器件仿真
1.2使用ATLAS的NMOS器件仿真 1.2.1ATLAS概述 ATLAS是一个基于物理规律的二维器件仿真工具，用于模拟特定半导体结构的电学特性，并模拟器件工作时相关的内部物理机理。 ATLAS可以单独使用，也可以在SILVACO’s VIRTUAL WAFER FAB仿真平台中作为核心工具使用。通过预测工艺参数对电路特性的影响，器件仿真的结果可以与工艺仿真和SPICE 模型提取相符。 1ATLAS输入与输出 大多数ATLAS仿真使用两种输入文件：一个包含ATLAS执行指令的文本文件和一个定义了待仿真结构的结构文件。 ATLAS会产生三种输出文件：运行输出文件(run-time output)记录了仿真的实时运行过程，包括错误信息和警告信息；记录文件(log files)存储了所有通过器件分析得到的端电压和电流；结果文件(solution files)存储了器件在某单一偏置点下有关变量解的二维或三维数据。 2ATLAS命令的顺序 在ATLAS中，每个输入文件必须包含按正确顺序排列的五组语句。这些组的顺序如图1.52所示。如果不按照此顺序，往往会出现错误信息并使程序终止，造成程序非正常运行。
图1.52ATLAS命令组以及各组的主要语句 3开始运行ATLAS 要在DECKBUILD下开始运行ATLAS，需要在UNIX系统命令提示出现时输入：deckbuild-as& 命令行选项-as指示DECKBUILD将ATLAS作为默认仿真工具开始运行。 在短暂延时之后，DECKBUILD将会出现，如图1.53所示。从DECKBUILD输出窗口可以看出，命令提示已经从ATHENA变为了ATLAS。
仿真草坪施工工艺
仿真草坪是人造草坪的一种，人造草皮以外观、性能与真草相似，耐磨，抗紫外线，抗老化，维护简便为人所称道。但由于其应用最为广泛的仍然是室外场地，长期日晒雨淋，且使用人次多、频率高，环境复杂多样，难免会对人造草皮造成一些影响。所以在使用中仍有一些事项需要注意。仿真草坪的施工工艺是怎样的？下面安徽华创人造草坪有限公司来为您解答！ 人造草皮维护原则一：保持人造草皮的清洁。 一般情况下，空气中的各类粉尘不需要刻意清洗，自然雨水即可起到洗涤作用。但作为运动场地，这样理想的状态并不多见，因此需要及时清理草皮上的各种残渣，诸如果皮纸屑、瓜果饮料等等。轻巧型的垃圾可以用吸尘器解决，大一些的用毛刷清除，而污渍的处理则需使用对应成分的液剂，并迅速用水冲洗，但不要随意使用的清洁剂。 人造草皮维护原则二：烟火会造成草皮损伤和安全隐患 精品草坪
虽然现在的大多数人造草皮都具有阻燃功能，但很多人对人造草坪的阻燃性有一个误点，人造草坪的阻燃性不是烧不着，人造草坪还是属于塑胶材料是能烧着的，国标对人造草坪阻燃性的规定是点燃中心到损毁边缘的最大距离≤50mm，所以在场地上还是要避免烟头等明火的出现。 人造草皮维护原则三：单位面积内的压强要控制。 人造草皮场地上不要通行车辆，更不允许停车，也不能堆放物品。人造草皮固然有其自身的直立性和回弹性，但其负担的分量过重或时间过长，也会压坏草丝。人造草皮场地不能进行诸如标枪等需要使用尖锐体育器械的运动；足球比赛则不能穿长钉鞋，可用圆钉碎钉鞋代替；高跟鞋也不允许进场。 人造草皮维护原则四：控制使用频率 人造草皮虽然可以高频率的使用，但也不能无限制的持续承受高强度的运动。视使用情况而异，特别是激烈的运动过后，场地仍然需要一定的休息时间。 在日常使用时遵循这些注意事项，一方面可以使人造草皮场地的运动功能保持更好的状态，另一方面也可以有效提高其使用寿命。另外在使用频率低的时候可以对场地进行整体检查，虽然大多数遇到的都是小损伤，及时修补才能防止问题扩大化。 精品草坪
ISIS 单片机仿真元器件
Proteus 元件名称对照1 元件名称中文名说明 7407 驱动门 1N914 二极管 74Ls00 与非门 74LS04 非门 74LS08 与门 74LS390 TTL 双十进制计数器 7SEG 4针BCD-LED 输出从0-9 对应于4根线的BCD码 7SEG 3-8译码器电路BCD-7SEG[size=+0]转换电路 ALTERNATOR 交流发电机 AMMETER-MILLI mA安培计 AND 与门 BATTERY 电池/电池组 BUS 总线 CAP 电容 CAPACITOR 电容器 CLOCK 时钟信号源 CRYSTAL 晶振 D-FLIPFLOP D触发器 FUSE 保险丝 GROUND 地 LAMP 灯 LED-RED 红色发光二极管 LM016L 2行16列液晶可显示2行16列英文字符，有8位数据总线D0-D7，RS，R/W，EN三个控制端口（共14线），工作电压为5V。没背光，和常用的1602B功能和引脚一样（除了调背光的二个线脚）LOGIC ANALYSER 逻辑分析器 LOGICPROBE 逻辑探针 LOGICPROBE[BIG] 逻辑探针用来显示连接位置的逻辑状态 LOGICSTATE 逻辑状态用鼠标点击,可改变该方框连接位置的逻辑状态 LOGICTOGGLE 逻辑触发 MASTERSWITCH 按钮手动闭合,立即自动打开 MOTOR 马达 OR 或门 POT-LIN 三引线可变电阻器 POWER 电源 RES 电阻 RESISTOR 电阻器 SWITCH 按钮手动按一下一个状态 SWITCH-SPDT 二选通一按钮 VOLTMETER 伏特计 VOLTMETER-MILLI mV伏特计 VTERM 串行口终端
机器人系统常用仿真软件介绍概要
1 主要介绍以下七种仿真平台 (侧重移动机器人仿真而非机械臂等工业机器人仿真 : 1.1 USARSim-Unified System for Automation and Robot Simulation USARSim 是一个基于虚拟竞技场引擎设计高保真多机器人环境仿真平台。主要针对地面机器人, 可以被用于研究和教学, 除此之外, USARSim 是 RoboCup 救援虚拟机器人竞赛和虚拟制造自动化竞赛的基础平台。使用开放动力学引擎 ODE(Open Dynamics Engine,支持三维的渲染和物理模拟,较高可配置性和可扩展性,与 Player 兼容,采用分层控制系统, 开放接口结构模拟功能和工具框架模块。机器人控制可以通过虚拟脚本编程或网络连接使用 UDP 协议实现。被广泛应用于机器人仿真、训练军队新兵、消防及搜寻和营救任务的研究。机器人和环境可以通过第三方软件进行生成。软件遵循免费 GPL 条款, 多平台支持可以安装并运行在Linux 、 Windows 和 MacOS 操作系统上。 1.2 Simbad Simbad 是基于 Java3D 的用于科研和教育目的多机器人仿真平台。主要专注于研究人员和编程人员热衷的多机器人系统中人工智能、机器学习和更多通用的人工智能算法一些简单的基本问题。它拥有可编程机器人控制器, 可定制环境和自定义配置传感器模块等功能, 采用 3D 虚拟传感技术, 支持单或多机器人仿真,提供神经网络和进化算法等工具箱。软件开发容易,开源,基于 GNU 协议,不支持物理计算,可以运行在任何支持包含 Java3D 库的 Java 客户端系统上。 1.3 Webots Webots 是一个具备建模、编程和仿真移动机器人开发平台, 主要用于地面机器人仿真。用户可以在一个共享的环境中设计多种复杂的异构机器人, 可以自定义环境大小, 环境中所有物体的属性包括形状、颜色、文字、质量、功能等也都可由用户来进行自由配置,它使用 ODE 检测物体碰撞和模拟刚性结构的动力学特性, 可以精确的模拟物体速度、惯性和摩擦力等物理属性。每个机器人可以装配大量可
123施工工艺仿真教学软件产品介绍(1)
项目施工仿真教学软件产品介绍 （VAS教学版） 一、产品介绍 施工工艺仿真教学软件作为一款以Unity3D技术为依托，综合行业规范、贯穿教学重难点，实现施工场景仿真模拟及工艺流程动态演示，人机交互式操作、成果实现智能考评等多项功能于一体的综合性专业仿真操作软件。对于现阶段院校建筑类专业课程授课过程中所存在的情景教学资源少、实训操作场地局限、实训操作道具成本较高、重复利用率低等情况，以及学生不同就业方向对技能的要求，软件采用了配套建筑信息化教学课程中的专业核心内容，进行了模块化虚拟操作体验，从而达到理论结合实践，实践贴近实际的效果。对于提高建筑行业整体水平有较高的指导性和先进性，意义重大。 施工工艺仿真教学软件（VAS）是为各院校建筑类专业量身打造的实训操作体验平台。软件以案例场景作为大环境，实训操作任务内容以案例工程施工过程中单个节点为核心导向，结合施工技术、施工组织、工程质量检验、施工现场管理等几门课程作为理论基础，解决配套情景教学资源、实训操作场地、实训操作成本等问题，同步加强教师在实训过程中操作任务的考核，强化了教学手段。 二、产品设计思路 产品设计思路：系统目前整体以土建、装饰两个方向进行施工全过程、阶段性划分，结合行业规范和教学知识点的要求再将任务阶段合理化拆分成一系列流程性的任务，同时系统实现导训式、考核式两种版本操作模式，有助于学生了解实际施工过程中的完整流程，通过游戏式的人物场景漫游、任务操作来加强学生在实训过程中对于知识点的把控，同时也回顾了专业知识，强化了专业技能。
三、产品设计内容及理念 施工工艺仿真教学软件（教学版） VAS软件按照“以理论为本位，以项目制教学为主线，以施工技术流程+专业专项教学体系”的总体设计要求，以项目任务为中心构建项目制教学管理体系。彻底打破常规学科课程的设计思路，紧紧围绕项目任务完成的需要来选择和组织教学内容，突出项目任务与知识的联系，让学生在实训时能够通过配套的视频体验更好的理解教学内容。 案例工程三维场景 V-AS仿真操作系统是为院校建筑类专业量身打造的实训操作体验工具。软件内以案例场景作为大环境，实训操作任务内容以案例工程施工过程单个节点为核心导向，结合施工技术、施工组织、工程质量检验、施工现场管理等几门课程作为理论基础，解决配套情景教学资源、实训操作场地、实训操作成本等问题，同步加强了教师在实训过程中操作任务的考核，强化教学手段。 人机交互式操作 操作方式采用人机交互式体验，结合人体输入学设备可在PC客户端上进行任务操作体验，帮助学生了解掌握施工要点 人物漫游式走动操作 任务操作场景实现三维模拟，可漫游体验，场景配有可快位小地图功能，速定明确任务操作的位置， 按实际工程施工阶段划分操作任务 任务操作关键步骤可拆分，操作演示时可以随意选择每个步骤进行任务操作演示。 系统设置任务操作工具栏 软件下方设置了一系列的操作工具栏，学生可以快速通过添加或者删减工具栏中的工具来实现建筑施工中指定任务的模拟。
Silvaco中文学习手册
§4 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD 本章将向读者介绍如何使用SILV ACO公司的TCAD工具A THENA来进行工艺仿真以及A TLAS来进行器件仿真。假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及MOSFET 和BJT的基本概念。 4.1 使用ATHENA的NMOS工艺仿真 4.1.1 概述 本节介绍用A THENA创建一个典型的MOSFET输入文件所需的基本操作。包括： a. 创建一个好的仿真网格 b. 演示淀积操作 c. 演示几何刻蚀操作 d. 氧化、扩散、退火以及离子注入 e. 结构操作 f. 保存和加载结构信息 4.1.2 创建一个初始结构 1定义初始直角网格 a. 输入UNIX命令：deckbuild-an&，以便在deckbuild交互模式下调用A THENA。在短暂的延迟后，deckbuild主窗口将会出现。如图 4.1所示，点击File目录下的Empty Document，清空DECKBUILD文本窗口； 图4.1 清空文本窗口 b. 在如图4.2所示的文本窗口中键入语句go Athena ； 图4.2 以“go athena”开始
接下来要明确网格。网格中的结点数对仿真的精确度和所需时间有着直接的影响。仿真结构中存在离子注入或者形成PN结的区域应该划分更加细致的网格。 c. 为了定义网格，选择Mesh Define菜单项，如图4.3所示。下面将以在0.6μm×0.8μm 的方形区域内创建非均匀网格为例介绍网格定义的方法。 图4.3 调用ATHENA网格定义菜单 2 在0.6μm×0.8μm的方形区域内创建非均匀网格 a. 在网格定义菜单中，Direction（方向）栏缺省为X；点击Location（位置）栏并输入值0；点击Spacing（间隔）栏并输入值0.1； b. 在Comment（注释）栏，键入“Non-Uniform Grid(0.6um x 0.8um)”,如图4.4所示； c. 点击insert键，参数将会出现在滚动条菜单中； 图4.4 定义网格参数图 4.5 点击Insert键后 d. 继续插入X方向的网格线，将第二和第三条X方向的网格线分别设为0.2和0.6，间距均为0.01。这样在X方向的右侧区域内就定义了一个非常精密的网格，用作为NMOS晶体管的有源区； e. 接下来，我们继续在Y轴上建立网格。在Direction栏中选择Y；点击Location栏并输入值0。然后，点击Spacing栏并输入值0.008； f. 在网格定义窗口中点击insert键，将第二、第三和第四条Y网格线设为0.2、0.5和 0.8，间距分别为0.01，0.05和0.15，如图4.6所示。
建筑工程仿真实训平台
建筑工程虚拟仿真实训平台 三好建筑工程仿真实训平台GS2013 一、概述 三好建筑工程仿真实训平台2013，是以Unity3D为平台，结合当前最为流行的三维仿真技术，专门为开设有建筑类专业的中、高等院校而开发，以解决建筑类专业学生的实习实训任务为目标而打造的一款综合性系统软件。整个软件以当前施工现场流行的施工工艺和施工管理为主线，以真实的施工项目为背景而开发，人机交互加三维场景，将整个建筑工程搬进实训室，使学生身临其境，不出校门，即可完成实习、实训任务。从而达到学校育人和企业用人的无缝对接。 现阶段院校建筑类专业课程授课过程中所存在的情景教学资源少、实训操作场地局限、实训操作道具成本较高、重复利用率低等情况，以及学生就业方向对技能的要求，分模块化配套建筑信息化教学课改的专业核心内容，进行虚拟操作体验，从而达到理论结合实践，实践贴近实际的效果。对于提高建筑行业整体水平有较高的指导性和先进性，对提高行业综合实力意义重大。
二、系统介绍 1、功能特点 （1）实现施工管理流程与施工工艺流程同步仿真； （2）场景符合安全文明标化工地要求； （3）菜单形式显示施工任务流程，该任务过程中任意跳转； （4）资料库功能，仿真项目实施过程中所涉及到的图纸、施工方案、各种记录以及其他文件资料。 （5）多视角切换（可根据施工的不同程度，多方位、多视角查看施工情况）；
（6）地图热点，实现三维漫游时的不同场景的快速跳转； （7）远近镜头调整； （8）智能语音提示功能，使得整个软件在运行过程中，更加生动形象。 （9）教学模式顺序展示； （10）仿真模式实现交互； （11）考评模式完成考核；理论考试与实务操作相结合，并记录成绩，更科学，更客观的评价学生对实际知识和技能的掌握情况。 （12）丰富的视频； （13）三维漫游功能。 2、专业实现 （1）真实还原施工现场、仿真展示、交互式操作； （2）平台包含典型案例工程、配套实训图纸、《实训任务书》、内业资料、施工管理流程、施工工艺流程； （3）典型工程案例（该工程包含地下室，地上为框支剪力墙、剪力墙结构），囊括现行施工工艺流程；现实生活中的真实项目，项目建筑面积不低于50000平米，楼高不低于50米。 （4）包含各阶段施工图纸、施工方案、技术交底、安全交底，并同步生成工程配套的各种技术资料和施工记录；
Silvaco工艺及器件仿真5
4.2 使用ATLAS的NMOS器件仿真 4.2.1 ATLAS概述 ATLAS是一个基于物理规律的二维器件仿真工具，用于模拟特定半导体结构的电学特性，并模拟器件工作时相关的内部物理机理。 ATLAS可以单独使用，也可以在SILVACO’s VIRTUAL WAFER FAB仿真平台中作为核心工具使用。通过预测工艺参数对电路特性的影响，器件仿真的结果可以与工艺仿真和SPICE 模型提取相符。 1 ATLAS输入与输出 大多数ATLAS仿真使用两种输入文件：一个包含ATLAS执行指令的文本文件和一个定义了待仿真结构的结构文件。 ATLAS会产生三种输出文件：运行输出文件(r un-t i m e ou t pu t)记录了仿真的实时运行过程，包括错误信息和警告信息；记录文件(log files)存储了所有通过器件分析得到的端电压和电流；结果文件(s o l u t i on f il e s)存储了器件在某单一偏置点下有关变量解的二维或三维数据。 2 ATLAS命令的顺序 在ATLAS中，每个输入文件必须包含按正确顺序排列的五组语句。这些组的顺序如图4.52所示。如果不按照此顺序，往往会出现错误信息并使程序终止，造成程序非正常运行。 图4.52 ATLAS命令组以及各组的主要语句 3 开始运行ATLAS 要在DECKBUILD下开始运行ATLAS，需要在UNIX系统命令提示出现时输入： deckbuild -as& 命令行选项-as指示DECKBUILD将ATLAS作为默认仿真工具开始运行。 在短暂延时之后，DECKBUILD将会出现，如图4.53所示。从DECKBUILD输出窗口可以看出，命令提示已经从A THENA变为了ATLAS。 图4.53 ATLAS的DECKBUILD窗口 4 在ATLAS中定义结构 在ATLAS中，一个器件结构可以用三种不同的方式进行定义： 1.从文件中读入一个已经存在的结构。这个结构可能是由其他程序创建的，比如ATHENA或DEVEDIT； 2.输入结构可以通过DECKBUILD自动表面特性从ATHENA或DEVEDIT转化而来； 3.一个结构可以使用ATLAS命令语言进行构建。 第一和第二种方法比第三种方法方便，所以应尽量采用前两种方法。在本章中，我们将通过第二种方法，利用DECKBUILD的自动表面特性，将NMOS结构从ATHENA转化为ATLAS。 4.2.2 NMOS结构的ATLAS仿真 在本章中，我们将以下几项内容为例进行介绍： 1.Vds=0.1V时，简单Id-Vgs曲线的产生； 2.器件参数如Vt，Beta和Theta的确定； 3.Vgs分别为1.1V，2.2V和3.3V时，Id-Vds曲线的产生。 这里将采用由ATHENA创建的NMOS结构来进行NMOS器件的电学特性仿真。