2016郑州轻工业学院半导体物理期末试卷(含部分答案

2016郑州轻工业学院半导体物理期末试卷(含部分答案
2016郑州轻工业学院半导体物理期末试卷(含部分答案

1.能带

晶体中,电子的能量是不连续的,在某些能量区间能级分布是准连续的,在某些区间没有能及分布。这些区间在能级图中表现为带状,称之为能带。

3.深杂质能级

一些非IIIV族杂质在硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带底较远,它们产生的受主能级距离价带顶也较远,通常称这种能级为深能级,相应的杂质称为深能级杂质。

4.直接复合

导带中的电子不通过任何禁带中的能级直接与价带中的空穴发生的复合

5.间接复合

杂质或缺陷可在禁带中引入能级,通过禁带中能级发生的复合被称作间接复合。相应的杂质或缺陷被称为复合中心。

6.俄歇复合

载流子从高能级向低能级跃迁,发生电子-空穴复合时,把多余的能量付给另一个载流子,使这个载流子被激发到能量更高的能级上去,当它重新跃迁回低能级时,多余的能量常以声子形式放出,这种复合称为俄歇复合。

7.扩散

由于浓度不均匀而导致的微观粒子从高浓度处向低浓度处逐渐运动的过程。

8.空穴

空穴是为处理价带电子导电问题而引进的概念。设想价带中的每个空电子状态带有一个正的基本电荷,并赋予其与电子符号相反、大小相等的有效质量,这样就引进了一个假想的粒子,称其为空穴。它引起的假想电流正好等于价带中的电子电流。

9.过剩载流子

在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下,半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴,超过热平衡浓度的电子△n=n-n0和空穴△p=p-p0称为过剩载流子。

10.准费米能级

对于非平衡半导体,导带和价带间的电子跃迁失去了热平衡。但就它们各自能带内部而言,由于能级非常密集、跃迁非常频繁,往往瞬间就会使其电子分布与相应的热平衡分布相接近,因此可用局部的费米分布来分别描述它们各自的电子分布。这样就引进了局部的非米能级,称其为准费米能级。

11.费米能级

费米能级不一定是系统中的一个真正的能级,它是费米分布函数中的一个参量,具有能量的单位,所以被称为费米能级。它标志着系统的电子填充水平,其大小等于增加或减少一个电子系统自由能的变化量。

12.势垒电容

PN结上外加电压的变化,导致势垒去区的空间电荷数量随外加电压变化,这种电容效应称为势垒电容。在耗尽层近似下,PN结反向偏压下的势垒电容可以等效为一个平行板电容器的电容。

13.扩散电容

正向偏压下,PN结扩散长度内形成非平衡空穴和电子的积累,当偏压变化时,扩散区内积累的非平衡载流子发生改变,这种扩散区的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应,成为PN结的扩散电容。

14.欧姆接触

欧姆接触是指金属和半导体之间形成的接触电压很小,基本不改变半导体器件特性的非整流接触。

15. 表面电场效应

在半导体MIS 结构的栅极施加栅压后,半导体表面的空间电荷区会随之发生变化,通过控制栅压可使半导体表

面呈现出不同的表面状态,这种现象就是所谓的表面电场效应。

16. 理想PN 结电流电压方程及IV 图

()1/0-=kT qV A e

I I

17. 表面态

它是由表面因素引起的电子状态,这种表面因素通常是悬挂键、表面杂质或缺陷,表面态在表面处的分布几率

最大。

18. 表面电场效应

在半导体MIS 结构的栅极施加栅压后,半导体表面的空间电荷区会随之发生变化,通过控制栅压可使半导体表

面呈现出不同的表面状态,这种现象就是所谓的表面电场效应。

19. 激子吸收

在低温时发现,某些晶体在本征吸收连续光谱区的低能侧靠近吸收限附近存在一系列吸收线,并且对应于这些吸收线不伴随有光电导,这种吸收成为激子吸收。

20. 自由载流子吸收

当入射光的波长较长,不足以引起带间跃迁或形成激子时,半导体中仍然存在光吸收,而且吸收系数随着波长的增加而增加。这种吸收是自由载流子在同一能带内的跃迁引起的,称为自由截流子吸收。

一、填空题

1.纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质,当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质;相应的半导体称 N 型半导体。

2.当半导体中载流子浓度的分布不均匀时,载流子将做 扩散 运动;在半导体存在外加电压情况下,载流子将做 漂移 运动。

3.n o p o =n i 2

标志着半导体处于 平衡 状态,当半导体掺入的杂质

含量改变时,乘积n o p o 改变否? 不变 ;当温度变化时,n o p o 改变否? 改变 。

4.非平衡载流子通过 复合作用 而消失, 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ,寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关,对于强p 型和 强n 型材料,小注入时寿命τn 为 ,寿命τp 为 .

5. 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量, 扩散系数 是反映有浓度梯度时载 q

n n 0=μ ,称为 爱因斯坦 关系式。 6.半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用,后者在 温度高 下起主要作用。

7.半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ;深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。

12. 以长声学波为主要散射机构时,电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比

13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 载流子的浓度梯度 。

14 电子在晶体中的共有化运动指的是 电子不再完全局限在某一个原子上,而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点,因而电子可以在整个晶体中运动 。

三、简答题

1 简述常见掺杂半导体材料(Si ,Ge )中两种主要的散射机构,并说明温度及掺杂浓度对这两种散射机构几率的影响及原因。

答:主要的散射机构为晶格振动散射和电离杂质散射

其散射几率和温度的关系为:晶格振动散射:3/2s p T ∝,电离杂质散射:3/2i i p N T -∝

2 有4块Si 半导体样品,除掺杂浓度不同外,其余条件均相同。根据下列所给数据判断哪块样品电阻率最大?哪块样品的电阻率最小?并说明理由。

(1)N A =1.2×1013/cm 3, N D =8×1014/cm 3;

(2)N A =8×1014/cm 3, N D =1.2×1015/cm 3;

(3)N A =4×1014/cm 3;

(4)N D =4×1014/cm 3.

3 当PN 结两侧掺杂浓度N D 及N A 相同时,比较Si 、Ge 、GaAs 材料PN 结内建电势的大小,为什么?

6 室温下某n 型Si 单晶掺入的施主浓度N D 大于另一块n 型Ge 掺入的施主浓度N D1,试问哪一块材料的平衡少子浓度较大?为什么?

7 以n 型Si 材料为例,画出其电阻率随温度变化的示意图,并作出说明和解释。

答:设半导体为n 型,有 n

nq μρ1= AB :本征激发可忽略。温度升高,载流子浓度增加,杂质散射导致迁移率也升高,

故电阻率ρ随温度T 升高下降;

BC :杂质全电离,以晶格振动散射为主。温度升高,载流子浓度基本不变。晶格

振动散射导致迁移率下降,故电阻率ρ随温度T 升高上升;

CD :本征激发为主。晶格振动散射导致迁移率下降,但载流子浓度升高很快,故

电阻率ρ随温度T 升高而下降;

8.金属和半导体导电类型上有何不同?

金属自由电子导电,半导体非平衡载流子导电

T k E E F e

E f 0/)(11)(-+=T

k E E B o F

e E

f --=)(3150102-?=-=cm N N p D A 353162100010125.1cm 102.0)105.1(--?=??==cm p n n i

9.平衡p-n 结的空间电荷区示意图如下,画出空间电荷区中载流子漂移运动和扩散运动的方向(在下图右侧直线上添加尖头即可)。并说明扩散电流和漂移电流之间的关系。(大小相等,方向相反)

10 型半导体的电阻率随温度的变化曲线如图所示,试解释为什么会出现这样的变化规律。

四 计算题

1. InSb 禁带宽度0.23g E eV =,相对介电常数25r

ε=,电子有效质量*00.015n m m =。试采用类氢模型计算施主杂质电离能。

2. 单晶硅中均匀地掺入两种杂质掺硼1.5?1016cm -3, 掺磷5.0?1015cm -3。试计算:(1)室温下载流子浓度;(2)室温下费米能级位置;(3)室温下电导率;(4)600K 下载流子浓度。

已知:室温下n i =1.5?1010cm -3, N C =2.8?1019cm -3, N V =1.0?1019cm -3, k 0T=0.026eV ;

)/(1300),/(50022s V cm s V cm p n ?=?=μμ ;600K 时n i =6?1015cm -3。

解:(1)对于硅材料:N D =5×1015cm -3;N A =1.5×1016cm -3;T =300k 时 n i =1.5×1010cm -3:

3. F E E -为004,10k T k T 时,分别用费米分布函数和玻尔兹曼分布函数

计算电子占据该能级的几率。 解:费米分布函数为 当E -EF 等于4k 0T 时,f = 0.01799; 当E -EF 等于10k 0T 时,f = 4.54* 510- 玻耳兹曼分布函数为

当E -EF 等于4k 0T 时,f = 0.01832;当E -EF 等于10k 0T 时,f = 4.54* 510- ; 上述结果显示在费米能级附近费米分布和玻耳兹曼分布有一定的差距。

4. 有三块半导体硅材料,已知在室温下(300K )空穴浓度分别为34033100231601/102

5.2,/105.1,/1025.2cm p cm p cm p ?=?=?=。

1)分别计算这三块材料的电子浓度030201,,n n n

2)判断三块材料的导电类型;

3)分别计算这三块材料费米能级的位置(与本征费米能级比较)。

5. 求本征半导体的费米能级

华工半导体物理期末总结

一、p-n结 1.PN结的杂质分布、空间电荷区,电场分布 (1)按照杂质浓度分布,PN 结分为突变结和线性缓变结 突变结--- P区与N区的杂质浓度都是均匀的,杂质浓度在冶金结面处(x = 0)发生突变。 单边突变结---一侧的浓度远大于另一侧,分别记为PN+ 单边突变结和P+N 单边突变结。后面的分析主要是建立在突变结(单边突变结)的基础上 突变结近似的杂质分布。

线性缓变结--- 冶金结面两侧的杂质浓度均随距离作线性变化,杂质浓度梯 a 为常数。在线性区 () N x ax =- () 常数 = - = dx N N d a a d 线性缓变结近似的杂质分布。

空间电荷区:PN结中,电子由N区转移至P区,空穴由P区转移至N区。电子和空穴的转移分别在N区和P区留下了未被补偿的施主离子和受主离子。它们是荷电的、固定不动的,称为空间电荷。空间电荷存在的区域称为空间电荷区。 (2)电场分布 2.平衡载流子和非平衡载流子 (1)平衡载流子--处于非平衡状态的半导体,其载流子浓度为n0和p0。 (2)非平衡载流子--处于非平衡状态的半导体,其载流子浓度也不再是n0和p0(此处0是下标),可以比他们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子 3. Fermi 能级,准Fermi 能级,平衡PN结能带图,非平衡PN结能带图 (1)Fermi 能级:平衡PN结有统一的费米能级。 (2)当pn结加上外加电压V后,在扩散区和势垒区范围内,电子和空穴没有统一的费米能级,分别用准费米能级。 (3)平衡PN结能带图

(4)非平衡PN结能带图

半导体物理学简答题及答案

第一章 1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同,原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。答:原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式存在,没有一个固定的轨道;而晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子,在晶体周期性势场中运动。当原子互相靠近结成固体时,各个原子的内层电子仍然组成围绕各原子核的封闭壳层,和孤立原子一样;然而,外层价电子则参与原子间的相互作用,应该把它们看成是属于整个固体的一种新的运动状态。组成晶体原子的外层电子共有化运动较强,其行为与自由电子相似,称为准自由电子,而内层电子共有化运动较弱,其行为与孤立原子的电子相似。 2.描述半导体中电子运动为什么要引入"有效质量"的概念,用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性。 答:引进有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用,使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时,可以不涉及半导体内部势场的作用。惯性质量描述的是真空中的自由电子质量,而不能描述能带中不自由电子的运动,通常在晶体周期性势场作用下的电子惯性运动,成为有效质量 3.一般来说, 对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此,为什么? 答:不是,能级的宽窄取决于能带的疏密程度,能级越高能带越密,也就是越窄;而禁带的宽窄取决于掺杂的浓度,掺杂浓度高,禁带就会变窄,掺杂浓度低,禁带就比较宽。 4.有效质量对能带的宽度有什么影响,有人说:"有效质量愈大,能量密度也愈大,因而能带愈窄.是否如此,为什么?答:有效质量与能量函数对于K的二次微商成反比,对宽窄不同的各个能带,1(k)随k的变化情况不同,能带越窄,二次微商越小,有效质量越大,内层电子的能带窄,有效质量大;外层电子的能带宽,有效质量小。 5.简述有效质量与能带结构的关系;答:能带越窄,有效质量越大,能带越宽,有效质量越小。 6.从能带底到能带顶,晶体中电子的有效质量将如何变化?外场对电子的作用效果有什么不同; 答:在能带底附近,电子的有效质量是正值,在能带顶附近,电子的有效质量是负值。在外电F作用下,电子的波失K不断改变,f=h(dk/dt),其变化率与外力成正比,因为电子的速度与k有关,既然k状态不断变化,则电子的速度必然不断变化。 7.以硅的本征激发为例,说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系,为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度?答:沿不同的晶向,能量带隙不一样。因为电子要摆脱束缚就能从价带跃迁到导带,这个时候的能量就是最小能量,也就是禁带宽度。 1.为什么半导体满带中的少量空状态可以用具有正电荷和一定质量的空穴来描述? 答:空穴是一个假想带正电的粒子,在外加电场中,空穴在价带中的跃迁类比当水池中气泡从水池底部上升时,气泡上升相当于同体积的水随气泡的上升而下降。把气泡比作空穴,下降的水比作电子,因为在出现空穴的价带中,能量较低的电子经激发可以填充空穴,而填充了空穴的电子又留下了一个空穴。因此,空穴在电场中运动,实质是价带中多电子系统在电场中运动的另一种描述。因为人们发现,描述气泡上升比描述因气泡上升而水下降更为方便。所以在半导体的价带中,人们的注意力集中于空穴而不是电子。 2.有两块硅单晶,其中一块的重量是另一块重量的二倍.这两块晶体价带中的能级数是否相等,彼此有何联系? 答:相等,没任何关系 3.为什么极值附近的等能面是球面的半导体,当改变磁场方向时只能观察到一个共振吸收峰。答:各向同性。 5.典型半导体的带隙。 一般把禁带宽度等于或者大于2.3ev的半导体材料归类为宽禁带半导体,主要包括金刚石,SiC,GaN,金刚石等。26族禁带较宽,46族的比较小,如碲化铅,硒化铅(0.3ev),35族的砷化镓(1.4ev)。 第二章1.说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下,而且电离能的数值较小?答:被杂质束缚的电子或空穴的能量状态称为杂质能级,电子脱离杂质的原子的束缚成为导电电子的过程成为杂质电离,使这个多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量成为杂质电离能。杂质能级离价带或导带都很近,所以电离能数值小。 2.纯锗,硅中掺入III或Ⅴ族元素后,为什么使半导体电学性能有很大的改变?杂质半导体(p型或n型)应用很广,但为什么我们很强调对半导体材料的提纯?答:因为掺入III或Ⅴ族后,杂质产生了电离,使得到导带中得电子或价带中得空穴增多,增强了半导体的导电能力。极微量的杂质和缺陷,能够对半导体材料的物理性质和化学性质产生决定性的影响,,当然,也严重影响着半导体器件的质量。 4.何谓深能级杂质,它们电离以后有什么特点?答:杂质电离能大,施主能级远离导带底,受主能级远离价带顶。特点:能够产生多次电离,每一次电离相应的有一个能级。 5.为什么金元素在锗或硅中电离后可以引入多个施主或受主能级?答:因为金是深能级杂质,能够产生多次电离,

人教版初中地理七年级下册期末测试题

七年级地理(综合) ※考试时间:50分钟 试卷满分:100分※ 一、 单项选择题(下列每小题的4个备选答案中,只有11.读右图,判断下列关于亚洲的叙述,正确的是 ①全部位于北半球,大部分位于东半球; ②地跨热带、温带、寒带; ③温带大陆性气候分布广,季风气候只分布在东亚; ④地势中部高、四周低,河流呈放射状流向四周海洋. A .①② B .②④ C .③④ D .①④ 2.下列地理事物没有分布在亚洲的是 3.关于日本的叙述,正确的是 A .地形以平原、丘陵为主 B .地广人稀,资源丰富 C .工业主要分布在日本海沿岸 D .大和民族占绝对优势 4.日本多火山地震的原因是 A .位于亚欧板块、美洲板块交界处 B .位于亚欧板块、印度洋板块交界处 C .位于亚欧板块、太平洋板块交界处 D .位于太平洋板块、美洲板块交界处 5.日本太平洋沿岸工业带形成和发展的主要优势是 A .资源丰富 B .海运便利 C .地广人稀 D .环境优美 6.关于东南亚自然环境的描述,正确的是 A .以热带雨林气候和热带草原气候为主 B .中南半岛山环水绕,地势南高北低 C .马来群岛火山地震频繁 D .地处亚洲与非洲、太平洋与印度洋的“十字路口” 7.印度水旱灾害频繁,是受哪种季风影响 A .东南季风 B .西南季风 C .东北季风 D .西北季风 8.关于印度,下列说法错误的是 A .世界上第二人口大国 B .水旱灾害频繁 C .称为“世界办公室” D .首都班加罗尔 9.印度软件外包产业发展迅速,这形象地称为 A .“世界加油站” B.“世界工厂” C.“原材料仓库” D.“世界办公室” 10.东南亚的交通位置十分重要,主要咽喉要道是图中的( )海峡 A . B . C . D . 11.下列关于俄罗斯的叙述,正确的是 A .从乌拉尔山脉向西,气候大陆性增加 B .矿产资源丰富,轻重工业都很发达 C .领土大部分位于亚洲,却是传统的欧洲国家 D .平原地区的农业均很发达 12.以下关于中东地区描述错误的是 16.有关欧洲西部地理特征的叙述,正确的是 潮湿闷热

半导体物理学_课堂知识详细归纳总结

第一章、 半导体中的电子状态习题 1-1、 什么叫本征激发?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?试定性说 明之。 1-2、 试定性说明Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、试指出空穴的主要特征。 1-4、简述Ge 、Si 和GaAS 的能带结构的主要特征。 1-5、某一维晶体的电子能带为 [])sin(3.0)cos(1.01)(0ka ka E k E --= 其中E 0=3eV ,晶格常数a=5х10-11m 。求: (1) 能带宽度; (2) 能带底和能带顶的有效质量。 题解: 1-1、 解:在一定温度下,价带电子获得足够的能量(≥E g )被激发到导带成 为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。如果温度升高,则禁带宽度变窄,跃迁所需的能量变小,将会有更多的电子被激发到导带中。 1-2、 解:电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带,即允带和禁带。温 度升高,则电子的共有化运动加剧,导致允带进一步分裂、变宽;允带变宽,则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之,温度降低,将导致禁带变宽。因此,Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数。 1-3、 解:空穴是未被电子占据的空量子态,被用来描述半满带中的大量电子的 集体运动状态,是准粒子。主要特征如下: A 、荷正电:+q ; B 、空穴浓度表示为p (电子浓度表示为n ); C 、E P =-E n D 、m P *=-m n *。 1-4、 解: (1) Ge 、Si: a )Eg (Si :0K) = 1.21eV ;Eg (Ge :0K) = 1.170eV ; b )间接能隙结构 c )禁带宽度E g 随温度增加而减小; (2) GaAs : a )E g (300K )= 1.428eV ,Eg (0K) = 1.522eV ; b )直接能隙结构; c )Eg 负温度系数特性: dE g /dT = -3.95×10-4eV/K ; 1-5、 解: (1) 由题意得: [][])sin(3)cos(1.0)cos(3)sin(1.002 2 20ka ka E a k d dE ka ka aE dk dE +=-=

半导体物理学试题库完整

一.填空题 1.能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________.引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。(二阶导数.内部势场) 2.半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________(即量子态按能量如何分布)和_________(即电子在不同能量的量子态上如何分布)。(状态密度.费米分布函数) 3.两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带________电.达到热平衡后两者的费米能级________。(正.相等) 4.半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央.其导带极小值位于________方向上距布里渊区边界约0.85倍处.因此属于_________半导体。([100]. 间接带隙) 5.间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为_________;形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为________。(弗仑克耳缺陷.肖特基缺陷) 6.在一定温度下.与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________.高于费米能级2kT能级处的占据概率为_________。(1/2.1/1+exp(2)) 7.从能带角度来看.锗、硅属于_________半导体.而砷化稼属于_________半导体.后者有利于光子的吸收和发射。(间接带隙.直接带隙) 8.通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统.服从_________的电子系统称为简并性系统。(玻尔兹曼分布.费米分布) 9. 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关.而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。(温度.禁带宽度) 10. 半导体的晶格结构式多种多样的.常见的Ge和Si材料.其原子均通过共价键四面体相互结合.属于________结构;与Ge和Si晶格结构类似.两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_________和纤锌矿等两种晶格结构。(金刚石.闪锌矿) 11.如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化.则具有这种能带结构的半导体称为_________禁带半导体.否则称为_________禁带半导体。(直接.间接) 12. 半导体载流子在输运过程中.会受到各种散射机构的散射.主要散射机构有_________、 _________ 、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。(电离杂质的散射.晶格振动的散射) 13. 半导体中的载流子复合可以有很多途径.主要有两大类:_________的直接复合和通过禁带内的_________进行复合。(电子和空穴.复合中心)

七年级地理下册期末试题(带答案)

2019七年级地理下册期末试题(带答案) 以下是查字典地理网为您推荐的2019七年级地理下册期末试题(带答案),希望本篇文章对您学习有所帮助。2019七年级地理下册期末试题(带答案) 第I卷(选择题) 一、选择题:(下列各小题中每小题只有一个选项是正确的,请把正确选项代号填在后面答题格正确位置。) 1.在欧洲分布最广泛而在亚洲缺失的气候类型是: A.温带海洋性气候 B.温带季风气 C.地中海气候 D.高山气候 2.亚洲河流分布特征是: A.河流短促 B.河网密布 C.呈放射状 D.内流河为主 3.世界最高和最低处都在亚洲,最低处在: A.里海湖面 B.咸海湖面 C.死海湖面 D.青海湖面 4.世界第一长河是: A.长江 B.尼罗河 C.亚马孙河 D.刚果河 5.混血人种比重最高的大洲是 A.亚洲 B.北美洲 C.南美洲 D.大洋洲 读非洲气候分布示意图完成6-9小题: 6.非洲气候类型的分布特点是: A.半环状分布 B.辐射状分布 C.南北纵列分布 D.对称分布 7.图中A岛屿的名称是:

A.格陵兰岛 B.马达加斯加岛 C.火地岛 D.冰岛 8.图中B气候类型是: A.地中海气候 B.温带海洋气候 C.热带雨林气候 D.高山高原气候 9.图中C地影响气候的主导因素是: A.纬度因素 B.地形地势 C.海陆因素 D.人为因素 10.世界上最湿润的大洲是: A.非洲 B.亚洲 C.大洋洲 D.南美洲 11.欧洲流经国家最多的河流是: A.伏尔加河 B.多瑙河 C.莱茵河 D.泰晤士河 12.对东南亚的开发和繁荣作出了巨大贡献的是: A.欧洲移民 B.黑人奴隶 C.华侨和外籍华人 D.殖民统治者 13.10月1日这一天,南极洲: A.有极昼现象 B.有极夜现象 C.昼短夜长 D.昼夜平分 14.世界四大洋中跨经度最广的是: A.太平洋 B.大西洋 C.北冰洋 D.印度洋 15.南美洲主要的出口商品是: A.石油制品 B.粮食 C.钢铁 D.农矿产品 16.关于欧洲西部的说法,正确的是: A.因临近非洲,所以多发展中国家 B.因资源开发过度,所以农业在经济中占比重大

半导体物理知识点总结

半导体物理知识点总结 本章主要讨论半导体中电子的运动状态。主要介绍了半导体的几种常见晶体结构,半导体中能带的形成,半导体中电子的状态和能带特点,在讲解半导体中电子的运动时,引入了有效质量的概念。阐述本征半导体的导电机构,引入了空穴散射的概念。最后,介绍了Si、Ge和GaAs的能带结构。 在1.1节,半导体的几种常见晶体结构及结合性质。(重点掌握)在1.2节,为了深入理解能带的形成,介绍了电子的共有化运动。介绍半导体中电子的状态和能带特点,并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较,在此基础上引入本征激发的概念。(重点掌握)在1.3节,引入有效质量的概念。讨论半导体中电子的平均速度和加速度。(重点掌握)在1.4节,阐述本征半导体的导电机构,由此引入了空穴散射的概念,得到空穴的特点。(重点掌握)在1.5节,介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。(理解即可)在1.6节,介绍Si、Ge的能带结构。(掌握能带结构特征)在1.7节,介绍Ⅲ-Ⅴ族化合物的能带结构,主要了解GaAs的能带结构。(掌握能带结构特征)本章重难点: 重点: 1、半导体硅、锗的晶体结构(金刚石型结构)及其特点; 三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。 2、熟悉晶体中电子、孤立原子的电子、自由电子的运动有何不同:孤立原子中的电子是在该原子的核和其它电子的势场中运动,自由电子是在恒定为零的势场中运动,而晶体中的电子是在严格周期性重复排列的原子间运动(共有化运动),单电子近似认为,晶体中的某一个电子是在周期性排列且固定不动的原子核的势场以及其它大量电子的平均势场中运动,这个势场也是周期性变化的,而且它的周期与晶格周期相同。 3、晶体中电子的共有化运动导致分立的能级发生劈裂,是形成半导体能带的原因,半导体能带的特点: ①存在轨道杂化,失去能级与能带的对应关系。杂化后能带重新分开为上能带和下能带,上能带称为导带,下能带称为价带②低温下,价带填满电子,导带全空,高温下价带中的一部分电子跃迁到导带,使晶体呈现弱导电性。

2012半导体物理知识点及重点习题总结

基本概念题: 第一章半导体电子状态 1.1 半导体 通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料,其导带在绝对零度时全空,价带全满,禁带宽度较绝缘体的小许多。 1.2能带 晶体中,电子的能量是不连续的,在某些能量区间能级分布是准连续的,在某些区间没有能及分布。这些区间在能级图中表现为带状,称之为能带。 1.2能带论是半导体物理的理论基础,试简要说明能带论所采用的理论方法。 答: 能带论在以下两个重要近似基础上,给出晶体的势场分布,进而给出电子的薛定鄂方程。通过该方程和周期性边界条件最终给出E-k关系,从而系统地建立起该理论。 单电子近似: 将晶体中其它电子对某一电子的库仑作用按几率分布平均地加以考虑,这样就可把求解晶体中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题。 绝热近似: 近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换,而将实际存在的这种交换当作微扰来处理。

1.2克龙尼克—潘纳模型解释能带现象的理论方法 答案: 克龙尼克—潘纳模型是为分析晶体中电子运动状态和E-k关系而提出的一维晶体的势场分布模型,如下图所示 利用该势场模型就可给出一维晶体中电子所遵守的薛定谔方程的具体表达式,进而确定波函数并给出E-k关系。由此得到的能量分布在k空间上是周期函数,而且某些能量区间能级是准连续的(被称为允带),另一些区间没有电子能级(被称为禁带)。从而利用量子力学的方法解释了能带现象,因此该模型具有重要的物理意义。 1.2导带与价带 1.3有效质量 有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。它概括了周期性势场对载流子运动的影响,从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。其大小由晶体自身的E-k 关系决定。 1.4本征半导体 既无杂质又无缺陷的理想半导体材料。

2019初一地理下册期末试卷及答案参考

2019初一地理下册期末试卷及答案参考 一、我会选(每小题均只有一个准确答案;共15分) 1.世界上面积的湖泊是( ) A.里海 B.苏必利尔湖 C.青海湖 D.贝加尔湖 2.东亚、东南亚、南亚相同的区域地理特征有( ) A.都是世界上人口稠密的地区 B.都是发展中国家 C.都是世界上小麦的主要产区 D.都属季风气候 3.读右面日本经济结构图,关于该国经济的叙述,准确的是( ) A.农业发达,且在国民经济中占绝对优势 B.高度发达的资本主义工业 C.工业水平比较低 D.商业、建筑业在经济中占绝对优势 4.下列被伊斯兰教、基督教、犹太教都尊称为“圣城”的是( ) A.麦加 B.耶路撒冷 C.麦地那 D.德黑兰 5.中东石油的输出路线中,输出量的是( ) A.经过马六甲海峡的路线 B.从中东到地中海沿岸的管道运输 C.经过红海、地中海的路线 D.绕道非洲好望角的路线 6.相关欧洲人爱吃牛羊肉的原因,按顺序排列准确的是( ) ①温带海洋性气候,平原为主的地形②适合多汁牧草生长,草场广布③地处中纬度大陆西岸④畜牧业发达

A.①②③④ B.③①②④ C.③②①④ D.②③①④ 7.下面各组搭配准确的是( ) A.希腊──雅典──古斗兽场 B.荷兰──布鲁塞尔──风车、郁金香 C.奥地利──日内瓦──盛大音乐会 D.法国──巴黎──凯旋门、凡尔赛宫 8.生活在非洲热带草原的动物有( ) A.树懒、大食蚁兽 B.袋鼠、鸭嘴兽 C.斑马、长颈鹿 D.骆驼、黄羊 9.①土地荒漠化、②人口增长过快、③粮食短缺是下面“非洲某地环 境恶性发展循环图”中未填写的内容,在图中自上而下应填写的内容,组合准确的是( ) A.①②③ B.①③② C.②③① D.③②① 10.澳大利亚古老动物较多,主要原因是( ) A.位于南回归线附近,气候炎热干燥 B.位于南半球,与北半球季节相反 C.很早以前就与其他大陆隔绝,四周临海 D.自然条件复杂,进化比较缓慢 11.当前,澳大利亚最主要的经济支柱产业是( ) A.服务业 B.工矿业 C.冶金和机械制造业 D.农牧业 12.相关美国城市的叙述,准确的是( ) A.华盛顿是政治、经济中心 B.洛杉矶附近的“硅谷”是电子工业中心 C.纽约是联合国总部所在地 D.芝加哥是华人、华侨的聚集地

半导体物理试题总结

半导体物理学考题 A (2010年1月)解答 一、(20分)简述下列问题: 1.(5分)布洛赫定理。 解答:在周期性势场中运动的电子,若势函数V(x)具有晶格的周期性,即:)x (V )na x (V =+, 则晶体中电子的波函数具有如下形式:)x (u e )x (k ikx =ψ,其中,)x (u k 为具有晶格周期性的 函数,即:)x (u )na x (u k k =+ 2.(5分)说明费米能级的物理意义; 试画出N 型半导体的费米能级随温度的变化曲线。 解答: 费米能级E F 是反映电子在各个能级中分布情况的参数。 能量为E F 的量子态被电子占据的几率为1/2。 N 型半导体的费米能级随温度变化曲线如右图所示:(2分) 3、(5分)金属和N 型半导体紧密接触,接触前,二者的真空能级相等,S M W W <。试画出金属— 半导体接触的能带图,标明接触电势差、空间电荷区和内建电场方向。 解答: 4.(5分)比较说明施主能级、复合中心和陷阱在半导体中的作用及其区别。 解答: 施主能级:半导体中的杂质在禁带中产生的距离能带较近的能级。可以通过杂质电离过程向半导体导带提供电子,因而提高半导体的电导率;(1分) 复合中心:半导体中的一些杂质或缺陷,它们在禁带中引入离导带底和价带顶都比较远的局域化能级,非平衡载流子(电子和空穴)可以通过复合中心进行间接复合,因此复合中心很大程度上影响着非平衡载流子的寿命。(1分) 陷阱:是指杂质或缺陷能级对某一种非平衡载流子的显著积累作用,其所俘获的非平衡载流子数目可以与导带或价带中非平衡载流子数目相比拟。陷阱的作用可以显著增加光电导的灵敏度以及使光电导的衰减时间显著增长。(1分) 浅施主能级对载流子的俘获作用较弱;有效复合中心对电子和空穴的俘获系数相差不大,而且,其对非平衡载流子的俘获几率要大于载流子发射回能带的几率。一般说来,只有杂质的能级比费米能级离导带底或价带顶更远的深能级杂质,才能成为有效的复合中心。而有效的陷阱则要求其对电子和空穴的俘获几率必须有很大差别,如有效的电子陷阱,其对电子的俘获几率远大于对空穴的俘获几率,因此才能保持对 C v FN FM E i E ? C i d V

人教版七年级地理下册期末测试卷

人教版七年级地理下册期末测试卷 一、选择题(每题2分,共40分) 读“某大洲知识结构图”(图M-1),回答1~3题。 图M-1 1.“知识结构图”表示哪个大洲的自然环境() A.亚洲B.非洲C.北美洲D.南美洲2.受地形地势的影响,该大洲河流的流向大多() A.自南向北流 B.自东南向西北流 C.自东向西流 D.从中部呈放射状向四周流 3.该大洲是世界上长河最多的大洲,主要原因是() A.降水丰富B.中部高,四周低 C.地势落差大D.面积最大的大洲 图M-2为亚洲南部三大半岛示意图。读图,完成4~8题。 图M-2 4.三大半岛共同的地理特征是() A.白色人种,使用阿拉伯语 B.气候以热带气候为主,热量充足 C.人口稠密,城市沿河分布

D.地形以高原为主,地势北高南低 5.对甲半岛的经济发展具有十分重要的作用的自然资源是() A.石油资源B.森林资源 C.水能资源D.渔业资源 6.乙半岛水旱灾害频繁的主要原因是() A.水土流失B.地形复杂 C.海啸频发D.季风活动 7.从地理位置的角度,分析丙半岛成为中国人出境旅游的主要目的地的原因是() A.距离较近B.华人华侨多 C.旅游资源丰富 D.文化相近 8.图中传统民居反映①、②两地自然环境最显著的差异是() A.气温B.地形C.土壤D.降水位于乙半岛的印度信息技术服务外包产业迅猛发展。印度编程人员的工资只有发达国家的1/8到1/5,且房租、税费等成本也只有欧美的一半左右。 回答9题。 9.资料所描述的是印度发展该产业优势条件中的() A.信息技术发展早B.政策支持 C.劳动力成本较低D.英语普及 读世界局部地区示意图(图M-3),回答10~12题。 图M-3 10.对图中①②③④四地叙述正确的是() A.①地有极昼极夜现象

半导体物理笔记总结 对考研考刘恩科的半导体物理很有用 对考研考刘恩科的半导体物理很有用

半导体物理 绪 论 一、什么是半导体 导体 半导体 绝缘体 电导率ρ <10- 9 3 10~10- 9 10> cm ?Ω 此外,半导体还有以下重要特性 1、 温度可以显著改变半导体导电能力 例如:纯硅(Si ) 若温度从 30C 变为C 20时,ρ增大一倍 2、 微量杂质含量可以显著改变半导体导电能力 例如:若有100万硅掺入1个杂质(P . Be )此时纯度99.9999% ,室温(C 27 300K )时,电阻率由214000Ω降至0.2Ω 3、 光照可以明显改变半导体的导电能力 例如:淀积在绝缘体基片上(衬底)上的硫化镉(CdS )薄膜,无光照时电阻(暗电阻)约为几十欧姆,光照时电阻约为几十千欧姆。 另外,磁场、电场等外界因素也可显著改变半导体的导电能力。 综上: ● 半导体是一类性质可受光、热、磁、电,微量杂质等作用而改变其性质的材料。 二、课程内容 本课程主要解决外界光、热、磁、电,微量杂质等因素如何影响半导体性质的微观机制。 预备知识——化学键的性质及其相应的具体结构 晶体:常用半导体材料Si Ge GaAs 等都是晶体 固体 非晶体:非晶硅(太阳能电池主要材料) 晶体的基本性质:固定外形、固定熔点、更重要的是组成晶体的原子(离子)在较大范围里(6 10-m )按一定方式规则排列——称为长程有序。 单晶:主要分子、原子、离子延一种规则摆列贯穿始终。 多晶:由子晶粒杂乱无章的排列而成。 非晶体:没有固定外形、固定熔点、内部结构不存在长程有序,仅在较小范围(几个原子距)存在结构有 序——短程有序。 §1 化学键和晶体结构 1、 原子的负电性 化学键的形成取决于原子对其核外电子的束缚力强弱。 电离能:失去一个价电子所需的能量。 亲和能:最外层得到一个价电子成为负离子释放的能量。(ⅡA 族和氧除外) 原子负电性=(亲和能+电离能)18.0? (Li 定义为1) ● 负电性反映了两个原子之间键合时最外层得失电子的难易程度。 ● 价电子向负电性大的原子转移 ⅠA 到ⅦA ,负电性增大,非金属性增强

《半导体物理学》习题库完整

第1章思考题和习题 1. 300K时硅的晶格常数a=5.43?,求每个晶胞所含的完整原子数和原子密度为多少? 2. 综述半导体材料的基本特性及Si、GaAs的晶格结构和特征。 3. 画出绝缘体、半导体、导体的简化能带图,并对它们的导电性能作出定性解释。 4. 以硅为例,简述半导体能带的形成过程。 5. 证明本征半导体的本征费米能级E i位于禁带中央。 6. 简述迁移率、扩散长度的物理意义。 7. 室温下硅的有效态密度Nc=2.8×1019cm-3,κT=0.026eV,禁带宽度Eg=1.12eV,如果忽略禁带宽度随温度的变化,求: (a)计算77K、300K、473K 3个温度下的本征载流子浓度。 (b) 300K本征硅电子和空穴的迁移率分别为1450cm2/V·s和500cm2/V·s,计算本征硅的电阻率是多少? 8. 某硅棒掺有浓度分别为1016/cm3和1018/cm3的磷,求室温下的载流子浓度及费米能级E FN的位置(分别从导带底和本征费米能级算起)。 9. 某硅棒掺有浓度分别为1015/cm3和1017/cm3的硼,求室温下的载流子浓度及费米能级E FP的位置(分别从价带顶和本征费米能级算起)。 10. 求室温下掺磷为1017/cm3的N+型硅的电阻率与电导率。 11. 掺有浓度为3×1016cm-3的硼原子的硅,室温下计算: (a)光注入△n=△p=3×1012cm-3的非平衡载流子,是否为小注入?为什么?

(b)附加光电导率△σ为多少? (c)画出光注入下的准费米能级E’FN和E’FP(E i为参考)的位置示意图。 (d)画出平衡下的能带图,标出E C、E V、E FP、E i能级的位置,在此基础上再画出光注入时,E FP’和E FN’,并说明偏离E FP的程度是不同的。 12. 室温下施主杂质浓度N D=4×1015 cm-3的N型半导体,测得载流子迁移率μn=1050cm2/V·s,μp=400 cm2/V·s, κT/q=0.026V,求相应的扩散系数和扩散长度为多少? 第2章思考题和习题 1.简述PN结空间电荷区的形成过程和动态平衡过程。 2.画出平衡PN结,正向PN结与反向PN结的能带图,并进行比较。 3.如图2-69所示,试分析正向小注入时,电子与空穴在5个区域中的运动情况。 4.仍如图2-69为例试分析PN结加反向偏压时,电子与空穴在5个区域中的运动情况。 5试画出正、反向PN结少子浓度分布示意图,写出边界少子浓度及

半导体物理学题库20121229

1.固体材料可以分为 晶体 和 非晶体 两大类,它们之间的主要区别是 。 2.纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质,当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质;相应的半 导体称 N 型半导体。 3.半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是 电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施 主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用,后者在 温度高 下起主要作用。 4.当半导体中载流子浓度的分布不均匀时,载流子将做 扩散 运动;在半导体存在外加电压情况下,载 流子将做 漂移 运动。 5.对n 型半导体,如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准,那末, 为非 简并条件; 为弱简并条件; 简并条件。 6.空穴是半导体物理学中一个特有的概念,它是指: ; 7.施主杂质电离后向 带释放 ,在材料中形成局域的 电中心;受主杂质电离后 带释放 , 在材料中形成 电中心; 8.半导体中浅能级杂质的主要作用是 ;深能级杂质所起的主要作用 。 9. 半导体的禁带宽度随温度的升高而__________;本征载流子浓度随禁带宽度的增大而__________。 10.施主杂质电离后向半导体提供 ,受主杂质电离后向半导体提供 ,本征激发后向半导体提 供 。 11.对于一定的n 型半导体材料,温度一定时,较少掺杂浓度,将导致 靠近Ei 。 12.热平衡时,半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数,它只与 和 有关,而与 、 无关。 A. 杂质浓度 B. 杂质类型 C. 禁带宽度 D. 温度 12. 指出下图各表示的是什么类型半导体? 13.n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态,当半导体掺入的杂质含量改变时,乘积n o p o 改变否? 不 变 ;当温度变化时,n o p o 改变否? 改变 。 14.非平衡载流子通过 复合作用 而消失, 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ,寿命 τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关,对于强p 型和 强n 型材料,小注入时寿命τn 为 ,寿命τp 为 . 15. 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量, 扩散系数 是反映有浓度梯度时载流子 运动难易程度的物理量,联系两者的关系式是 q n n 0=μ ,称为 爱因斯坦 关系式。 16.半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用,后者在 温度高 下起主要作用。 17.半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ;深能级杂质所起的主 要作用 对载流子进行复合作用 。

初一下册地理期末试卷及答案

初一下册地理期末试卷及答案 一.选择题(共40分) 下列各题的四个备选答案中,只有一个是正确的,请把正确答案的代号填写在题后括号内。每题选对得2分,错选、多选均不得分。 1.亚洲第一长河是() A.长江B.黄河C.湄公河D.印度河 2.亚洲季风气候区水旱灾害频繁的主要原因是() A.不同年份冬季风的强弱不同B.不同年份夏季风的强弱不同 C.纬度位置的影响D.地形的影响 3.世界上人口自然增长率最高的大洲是() A.亚洲B.非洲C.南美洲D.大洋洲 4.世界上最大的发展中国家是() A.中国B.印度 C.印度尼西亚D.巴基斯坦 5.下列国家中,依靠丰富的石油资源成为世界上富裕国家的是()A.印度B.巴基斯坦C.日本D.沙特阿拉伯 6.东南亚唯一的内陆国是() A.越南B.泰国C.老挝D.柬埔寨 7.世界上最大的天然橡胶生产国是() A.泰国B.越南C.缅甸D.柬埔寨 8.中东地区最丰富和最缺乏的自然资源分别是() A.铁矿和石油B.石油和水资源 C.水资源和煤炭D.煤炭和天然气 9.苏伊士运河是亚洲与非洲的分界线,它的开通沟通了() A.红海和阿拉伯海B.红海和地中海 C.地中海和黑海D.阿拉伯海和黑海 10.世界上黑种人的故乡是() A.中东地区B.拉丁美洲 C.撒哈拉以南的非洲D.北部非洲 11.黄金的储量和产量均居世界首位的国家是() A.尼日利亚B.埃塞俄比亚

C.南非D.科特迪瓦 12.下列旅游景点与其所在国家的组合,正确的是() A.埃菲尔铁塔——法国B.凯旋门——英国 C.斗兽场——西班牙D.水城威尼斯——荷兰 13.南极地区现已查明的矿产资源中,最可观的是() A.石油和天然气资源B.天然气和铜矿资源 C.铝土和石油资源D.铁矿和煤炭资源 14.日本的主要气候类型是() A.亚热带季风气候和温带季风气候B.温带季风气候和温带海洋性气候C.温带季风气候和温带大陆性气候D.温带大陆性气候和温带海洋性气候15.关于日本工业分布的叙述,正确的是() A.日本工业主要集中在本州岛北部 B.日本工业主要集中在日本海沿岸 C.日本工业主要分布在国土两端 D.日本工业主要分布在濑户内海沿岸和太平洋沿岸 16.关于俄罗斯地形的叙述,正确的是() A.山地、丘陵面积广大B.丘陵、平原面积广大 C.平原、高原面积广大D.高原、山地面积广大 17.俄罗斯的工业主要集中在() A.欧洲部分B.亚洲部分C.乌拉尔山区D.西西伯利亚平原 18.俄罗斯工业最发达的地区是() A.莫斯科工业区B.圣彼得堡工业区 C.乌拉尔工业区D.新西伯利亚工业区 19.澳大利亚出口的农牧产品主要有() A.大豆、小麦、羊毛B.羊毛、牛肉、小麦 C.棉花、小麦、牛肉D.大豆、小麦、牛肉 20.澳大利亚出口的矿产品中,在世界占有重要地位的是() A.铝土和金刚石B.煤炭和铁矿石 C.铁矿石和锰矿D.石油和天然气 二.填空题(共10分)

半导体物理学(刘恩科第七版)复习题答案(比较完全)

第一章习题 1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近 能量E V (k)分别为: E c =0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V - =-+ 0m 。试求: 为电子惯性质量,nm a a k 314.0,1== π (1)禁带宽度; (2)导带底电子有效质量; (3)价带顶电子有效质量; (4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:(1) eV m k E k E E E k m dk E d k m k dk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43 (0,060064 3 382324 3 0) (2320 2121022 20 202 02022210 1202==-==<-===-==>=+===-+ 因此:取极大值处,所以又因为得价带: 取极小值处,所以:在又因为:得:由导带: 04 32 2 2*8 3)2(1 m dk E d m k k C nC ===

s N k k k p k p m dk E d m k k k k V nV /1095.704 3 )() ()4(6 )3(25104 3002 2 2*1 1 -===?=-=-=?=- == 所以:准动量的定义: 2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格,当外加102V/m ,107 V/m 的电场时,试分别计 算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解:根据:t k h qE f ??== 得qE k t -?=? s a t s a t 137 19 282 1911027.810 10 6.1)0(102 7.810106.1) 0(----?=??-- =??=??-- = ?π π 补充题1 分别计算Si (100),(110),(111)面每平方厘米的原子个数,即原子面密度(提 示:先画出各晶面原子的位置和分布图) Si 在(100),(110)和(111)面上的原子分布如图1所示: (a )(100)晶面 (b )(110)晶面

2018初一地理下册期末试卷

2018初一地理下册期末试卷 【本节导读】考试答题步骤:通览全卷,沉着应试;慎密审题,扣题作答;先易后难,从容解答。下面是为您整理的2018初一地理下册期末试卷,仅供大家参考。 【篇一】 1.读西半球图,下列有关亚洲的叙述,错误的是 A.东临太平洋,南临印度洋 B.主要位于东半球和北半球 C.地跨热带、北温带和北寒带 D.是世界上跨经度最广、东西距离最长的大洲 读亚洲气候类型图完成2~4题。 2.我们亚洲常常是“寒暑并存,干湿同在”,气候类型复杂多样。造成这种气候特征的主要原因是 A.亚洲大部分处在高纬度地区 B.亚洲处在东半球 C.亚洲纬度跨度大,东西距离长 D.亚洲四面濒临海洋 3.根据亚洲气候类型图判断,南亚地区主要的气候类型是

A.温带大陆性气候B.温带季风气候 C.热带雨林气候D.热带季风气候 4.亚洲季风气候显著,季风气候主要分布在 A.亚洲的北部B.亚洲的中部 C.亚洲的西部D.亚洲的东部和南部 5.2012年“核安全峰会”于3月26日~27日在韩国首尔举行,来自50余个国家和国际组织的领导人出席了峰会。到目前为止,拥有核武器研制技术的国家分别有美国、俄罗斯、中国、英国、法国、印度、以色列、巴基斯坦和朝鲜。其中,位于东亚的国家有A.俄罗斯、中国B.印度、巴基斯坦 C.中国、朝鲜D.中国、朝鲜、以色列 读图完成6~7题。 6.B处的传统聚落是 A.帐篷B.高脚屋C.窑洞D.碉楼 7.一艘货轮在D地的某港口装船外运,装船的货物最有可能是 A.小麦 B.石油 C.大米 D.煤 读东南亚局部地区示意图,完成8~9题。 8.图中甲半岛的地形特征是

A.平原为主,地势平坦 B.高原为主,地面崎岖 C.山河相间,纵列分布 D.地形复杂,中高周低 9.该半岛人口和大城市主要分布在河流沿岸及河口三角洲地区,主要原因是 ①水流湍急,水能丰富②地形平坦③水源充足④交通便利 A.①②B.②④ C.①②③D.②③④ 10.东南亚地处两大洲、两大洋之间的“十字路口”,地理位置十分重要,右图中,“东方十字路口”指的是哪个地方 A.马六甲海峡 B.苏伊士运河 C.巴拿马运河 D.白令海峡 11.印度在20世纪60年代推行“绿色革命”,旨在解决 A.粮食问题 B.森林问题 C.沙漠问题 D.环境问题 12.下列在中东地区难以见到的景象是 A.沙漠广布,石油井架林立B.夜晚床铺安排在屋顶上 C.悬挂美国、日本国旗的油轮进出港口D.众多佛教徒在佛堂诵经

半导体物理考研总结

1.布喇格定律(相长干涉):点阵周期性导致布喇格定律。 2.晶体性质的周期性:电子数密度n(r)是r的周期性函数,存在 3.2πp/a被称为晶体的倒易点阵中或傅立叶空间中的一个点,倒易点中垂线做直线可得布里渊区。 3.倒易点阵: 4.衍射条件:当散射波矢等于一个倒易点阵矢量G时,散射振幅达到最大 波矢为k的电子波的布喇格衍射条件是: 一维情况(布里渊区边界满足布拉格)简化为: 当电子波矢为±π/a时,描述电子的波函数不再是行波,而是驻波(反复布喇格反射的结果) 5.布里渊区:

6.布里渊区的体积应等于倒易点阵初基晶胞的体积。 7.简单立方点阵的倒易点阵,仍是一个简立方点阵,点阵常数为2π/a,第一布里渊区是个以原点为体心,边长为2π/a的立方体。 体心立方点阵的倒易点阵是个面心立方点阵,第一布里渊区是正菱形十二面体。面心立方点阵的倒易点阵是个体心立方点阵,第一布里渊区是截角八面体。 8.能隙(禁带)的起因:晶体中电子波的布喇格反射-周期性势场的作用。(边界处布拉格反射形成驻波,造成能量差) 9.第一布里渊区允许的波矢总数=晶体中的初基晶胞数N -每个初基晶胞恰好给每个能带贡献一个独立的k值;

-直接推广到三维情况考虑到同一能量下电子可以有两个相反的自旋取向,于是每个能带中存在2N个独立轨道。 -若每个初基晶胞中含有一个一价原子,那么能带可被电子填满一半; -若每个原子能贡献两个价电子,那么能带刚好填满;初基晶胞中若含有两个一价原子,能带也刚好填满。 绝缘体:至一个全满,其余全满或空(初基晶胞的价电子数目为偶数,能带不交 叠)2N. 金属:半空半满 半导体或半金属:一个或两个能带是几乎空着或几乎充满以外,其余全满 (半金属能带交叠) 10.自由电 子: 11.半导体的E-k关系:

初一下册地理期末试卷_含答案

七年级下册地理期末试卷含答案 一.选择题(共40分) 下列各题的四个备选答案中,只有一个是正确的,请把正确答案的代号填写在题后括号内。每题选对得2分,错选、多选均不得分。 1.亚洲第一长河是() A.长江B.黄河C.湄公河D.印度河 2.亚洲季风气候区水旱灾害频繁的主要原因是() A.不同年份冬季风的强弱不同B.不同年份夏季风的强弱不同 C.纬度位置的影响D.地形的影响 3.世界上人口自然增长率最高的大洲是() A.亚洲B.非洲C.南美洲D.大洋洲 4.世界上最大的发展中国家是() A.中国B.印度 C.印度尼西亚D.巴基斯坦 5.下列国家中,依靠丰富的石油资源成为世界上富裕国家的是()A.印度B.巴基斯坦C.日本D.沙特阿拉伯 6.东南亚唯一的内陆国是() A.越南B.泰国C.老挝D.柬埔寨

7.世界上最大的天然橡胶生产国是() A.泰国B.越南C.缅甸D.柬埔寨 8.中东地区最丰富和最缺乏的自然资源分别是()A.铁矿和石油B.石油和水资源 C.水资源和煤炭D.煤炭和天然气 9.苏伊士运河是亚洲与非洲的分界线,它的开通沟通了()A.红海和阿拉伯海B.红海和地中海 C.地中海和黑海D.阿拉伯海和黑海 10.世界上黑种人的故乡是() A.中东地区B.拉丁美洲 C.撒哈拉以南的非洲D.北部非洲 11.黄金的储量和产量均居世界首位的国家是()A.尼日利亚B.埃塞俄比亚 C.南非D.科特迪瓦 12.下列旅游景点与其所在国家的组合,正确的是()A.埃菲尔铁塔——法国B.凯旋门——英国 C.斗兽场——西班牙D.水城威尼斯——荷兰 13.南极地区现已查明的矿产资源中,最可观的是()

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