《晶体二极管及二极管整流电路》试题

一、判断题（每空2分，共36分）

1. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。（）

2. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。（）

3. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。（）

4. 二极管是线性器件。（）

5. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。（）

6. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。（）

7. PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。（）

8. 二极管两端加反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。（）

9. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。（）

10. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。（）

11. 所谓理想二极管，就是当其正向偏置时，结电阻为零，等效成开关闭合；当其反向偏置时，结电阻为无穷大，等效成开关断开。（）

12. 使用稳压管时应阳极接高电位，阴极接低电位。

13. 稳压二极管如果反向电流超过允许范围，二极管将会发生热击穿，所以，与其配合的电阻往往起到限流的作用。（）

14. 整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。（）

15. 用两只二极管就可实现单相全波整流，而单相桥式整流电路却用了四只二极管，这样做虽然多用了两只二极管，但降低了二极管承受的反向电压。（

）

16. 在电容滤波整流电路中，滤波电容可以随意选择（）

17. 在电容滤波整流电路中，电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。（）

18.电容滤波器中电容器容量越小滤波效果越好。（）

二、单选题（每空2分，共32分）

1. 本征半导体是（）。

A. 掺杂半导体

B. 纯净半导体

C. P型半导体

D. N型半导体

2. P型半导体的多数载流子是（）。

A. 电子

B. 空穴

C. 电荷

D. 电流

3. 关于P型、N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（）。

A. 无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴

B. P型半导体中只有空穴导电

C. N型半导体中只有自由电子参与导电

D. 在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电

4. 半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而（）。

A. 降低/降低

B. 降低/升高

C. 升高/降低

D. 升高/升高

5. PN结呈现正向导通的条件是( )。

A. P区电位低于N区电位

B. N区电位低于P区电位

C. P区电位等于N区电位

D. N区接地

6. 硅二极管导通时，它两端的正向导通压降约为（）。

A. B. C. D.

7. 二极管由（）个PN结组成。

D. 0

8. 晶体二极管的正极电位是-8V，负极电位是-2V，则该晶体二极管处于（）。A. 反偏 B. 正偏 C. 零偏 D. 不可判断

9. 晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-16V，则该晶体二极管处于（）。

A. 反偏

B. 正偏

C. 零偏

D. 不可判断

10. 稳压二极管具有（）作用。

A. 开关

B. 稳压

C. 放大

D. 滤波

11. 稳压二极管的正常工作状态是（）。

A. 导通状态

B. 截止状态

C. 反向击穿状态

D. 饱和状态

12. 整流电路的目的是（）。

A. 将交流变为直流

B. 将高频变为低频

C. 将正弦波变为方波

D. 将直流变为交流

13. 稳压二极管是利用二极管的（）特征制造的特殊二极管。

A. 正向导通时电压变化小

B. 反向截止时电流小

C. 反向击穿时电压变化小而反向电流变化大

D. 单向导电

14. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的正向导通压降（）。

A. 大

B. 小

C. 相等

D. 无法判断

15. 电路如图所示，则处于导通状态的二极管是( )。

A. 只有D1

B. 只有D2

C. D1和D2

D. D1和D2均不导通

16. 当硅晶体二极管加上正向电压时，该晶体二极管相当于（）。

A. 小阻值电阻

B. 一根导线

C. 内部短路

D. 阻值很大的电阻

三、填空题（每空2分，共24分）

1、把交流电转换成直流电的过程称为，原理是利用晶体二极管的性。常用的整流电路有：、、。

2、滤波电路的作用是：。

3、常见的滤波器有：、、。

4、晶体二极管因所加电压过大而，并且出现的现象，称为热击穿。

四、分析题

1.如图所示电路中，哪一个灯泡不亮（2分）

2、如图所示整流电路，若直流电压表V L读数为110V，负载电阻R L=80Ω，问：①直流电流表A的读数为多少②交流电压表V2读数是多少（6分）