模拟电子试题及答案 ()
《模拟电子技术》模拟试题一
一、填空题：（每空1分共40分）
1、PN结正偏时（导通），反偏时（截至），所以PN结具有（单向）导
电性。
2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）
有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反
偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；
4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增大），发射结压降（减小）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共集）、（共射）
放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交
流输出电流采用（电压）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数A F=（A/1+AF ），对于深度负反馈放大电路的放
大倍数A F=（ 1/F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F=（ 1+AF ）BW，其中BW=（ Fl-Fh ），
（ 1+AF ）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）
信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）
类互补功率放大器。
13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；
OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于或近似等于 1 ），输入电阻
（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛
应用于（集成）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频
信号是运载信息的工具，称为（载波信号）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（ kuxuy ），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）
1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压
必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
A、正偏
B、反偏
C、大于
D、小于
E、导通
F、截止
2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电
极分别是（），该管是（）型。
A、（
B、
C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B）
D、（NPN）
E、（PNP）/0
3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。
A、U0高
B、P0大
C、功率大
D、Ri大
E、波形不失真
4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置
电阻。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、增大
E、减小
5、差分放大电路是为了（）而设置的。
A、稳定Au
B、放大信号
C、抑制零点漂移
6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
A、压串负
B、流串负
C、压并负
7、差分放大电路RE上的直流电流I EQ近似等于单管集电极电流I CQ（）倍。
A、1
B、2
C、3
8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。
A、电压
B、电流
C、串联
9、分析运放的两个依据是（）、（）。
A、U-≈U+
B、I-≈I+≈0
C、U0=Ui
D、Au=1
三、分析计算题
1、已知电力如下图示：为理想二极管，试分析：
①二极管导通还截止？②U A0=？（4分）
解：
2、已知电力如图示：Vcc=12V，R B=300KΩ，R E=R L=2KΩ，
R s=500Ω， U BEQ≈0，C1=C2=30uF，r be=1.5K，β=100，Us=10sinwt mV
求：① I CQ② U CEQ ③ Au（取小数点后2位）④ Ri
⑤ R0（10分）
解：
3、具有电流源的差分电路如图所示，已知UBEQ=0.7V，β=100，rbb=200Ω，试求：（1）V1、V2静态工作点I CQ、U CQ；（2）差模电压放大倍数Aud；（3）差模输入电阻Rid和输出电阻R O；（6分）
4、电路如图所示，设U CES=0试回答下列问题：（6分）
（1）ui=0时，流过RL的电流有多大？
（2）若V3、V4中有一个接反，会出现什么后果？
（3）为保证输出波形不失真，输入信号ui的最大幅度为多少？管耗为多少？
5、根据自激振荡的相位条件，判断下图能否产生振荡？如果能振荡，求出F0；（4分）
试题一答案
一、填空（每空1分共40分）
1、导通截止单向
2、反向少数温度无关
3、零无穷大
4、电流电压
5、正偏反偏
6、增加减小
7、共射极共集电极共基极
8、直流电流
9、A/1+AF 1/F
10、1+AF f H–f L 1+AF
11、共模差模
12、交越甲乙
13、双单
14、小于近似等于1 大小
15、零点温度集成
16、调幅载波信号
17、KUxUy
二、选择题（每空2分共30分）
1、B C F
2、C D
3、B C E
4、B E
5、
C 6、A 7、 B 8、A 9、 A B
三、分析与计算题（共30分）
4分 1、1）二极管V截止 2）U A0=-4V
10分 2、1）I CQ=2.4mA U CEQ=7.2V 2）A U=0.99 3）Ri=122k 4) Ro=20Ω
6分 3、1）ICQ1=0.5mA UCEQ1=6V
6分 4、 1）u i=0时，R L电流为零 2） V3、V4有一个反接电路不能工作
3）Uim=12V 4)Pc l=[Vcc2(4-3.14)]/(4*3.14RL)=0.099W
4 分 5、 1）能振荡 2）fo=280KHZ
《模拟电子技术》模拟试题二
一、填空题（每空1分共32分）
1、P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。
2、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
3、反向电流是由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。
5、当温度升高时，三极管的等电极电流I（），发射结压降UBE（）。
6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（），集电结（）。
7、三极管放大电路共有三种组态（）、（）、（）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（）负反馈，为了减小输出电阻
采用（）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数Af=（），对于深度负反馈Af=（）。
10、共模信号是大小（），极性（）的两个信号。
11、乙类互补功放存在（）失真，可以利用（）类互补功放来克服。
12、用低频信号去改变高频信号的频率称为（），低频信号称为（）信号，
高频信号称高频（）。
13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（），fa=（）fβ。
14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（）网络。
15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（）。
二、选择题（每空2分共30分）
1、三端集成稳压器CW7812的输出电压是（）。
A、12V
B、5V
C、9V
2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个
电极分别是（），该管是（）型。
A、（
B、
C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B）
D、（PNP）
E、（NPN）
3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真，下半周失真时为（）
失真。
A、饱和
B、截止
C、交越
D、频率
4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A、稳定Au
B、放大信号
C、抑制零点漂移
5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
A、放大差模抑制共模
B、输入电阻高
C、输出电阻低
6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）之间变化。
A、0~20
B、20~200
C、200~1000
7、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）Uz
A、0.45
B、0.9
C、1.2
8、当集成运放线性工作时，有两条分析依据（）（）。
A、U-≈U+
B、I-≈I+≈0
C、U0=Ui
D、Au=1
9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。
A、U0高，
B、P0大
C、效率高
D、Ri大
E、波形不失真
10、振荡器的输出信号最初由（）而来的。
A、基本放大器
B、选频网络
C、干扰或噪声信号
三、分析计算题
1、（6分）由理想运放构成的小信号交流放大电路如图示：
求：①频带内电压放大倍数Auf（取整数）；
②截止频率f L；
2、（8分）已知：电路如图：t=0时，Uc（0-）=0，Ui=0.1V。
求：①U01②t=10s时的U0？
3、（10分）已知：电路如图示：Vcc=12V，R B1=40K，R B2=20K，Rc=R L=2K，
R E=1.65K，U BEQ=0.7V，C1=C2=20uf，r be=1.5K，β=100，C E=10uf 求：① I CQ② U CEQ ③ Au ④ Ri ⑤ R0（取小数点后1位）
4、（9分）已知：RC振荡电路如下图，R=7.9KΩ，C=0.02uF，RF=10K，求：①fo ② R1冷态电阻值；③指明R1的温度特性；
5、（7分）已知：电路如图示：I Q=5mA，R1=500Ω，R2=1KΩ；
求：输出电压U0；
试题二答案
一、填空（每空1分共32分）
1、多数少数
2、导通截止单向
3、少数温度无关
4、电流电压
5、增加减小
6、正偏反偏
7、共射极共集电极共基极
8、直流电压
9、A/1+AF 1/F
10、相等相同
11、交越甲乙
12、调频调制高频载波
13、好 1+β
14、正反馈
15、√2U2
二、选择题（每空2分共30分）
1、A
2、C E
3、B A
4、C
5、A
6、B
7、C
8、A B
9、B C E 10、C
三、分析与计算题（共38分）
1、1）-100 2）160Hz
2、1）1.1V 2）1.1V
3、1）2mA 2 ) 4.7V 3)-66.7 4）1.4KΩ 5）2KΩ
4、1）1KHz 2）5Ω 3）正温度导数
5、 U O=20V
《模拟电子技术》模拟试题三
一、填空题（每空1分，共32分）
1、空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P 型半导体。
2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（）
3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而与外电场（）。
4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。
5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件。
6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（ ) 。
7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈.。
8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（）通频带（）失真。
9、反馈导数F=（）。反馈深度是（）。
10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（）信号。
11、OCL电路是（）电源互补功放，OTL是（）电源互补功放。
12、用低频信号改变高频信号的相位称为（）。低频信号称为（）、高频信号称为（）。
13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（）。共基极电路比共射极电路高频特性（）。
14、振荡电路的平衡条件是（），（）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共34分）
1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（）
A 5v
B 9v
C 12v
2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。
A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN)
3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和
B 截止 C交越 D频率
4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移
5、对功率放大器的主要要求有（）（）（）
A Uo高
B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真
6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。
A 0-20
B 20 -200
C 200-1000
7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。
A 0.45
B 0.9
C 1.2
8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。
A U-=U+
B I-=I+=0
C Uo=Ui
D Au=1
9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。
A Uo高
B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真
10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。
A基本放大器 B 选频网络 C干扰或噪声信号
三、分析计算题（共34分）
1、已知：电路如图所示K=0.1V U1=3V U2=-6V 求：Uo=? (5分)
2、已知：电路如图所示 Vcc=12V R B1=40k R B2=20k Rc=R L=2k
R E=1.65k U BEQ=0.7V C1=C2=20ηF r be=1.5K β=100
C E=10ηF （取小数点后一位）
求： 1）I CQ2)U CEQ 3)Au 4)Ri 5)Ro (10分)
3、已知：电路如图所示求： Uo=? (5分)
4、已知：RC振荡电路如下图所示 R=7.9KΩ C=0.02ηF R1=5KΩ求： 1）fo 2）Rt冷态电阻 3）指明Rt的温度特性（9分）
5、已知：电路如图I Q=5mA R1=500Ω R2=0.4KΩ
求：输出电压Uo （5分）
试题三答案
一、填空（每空1分共32分）
1、多数少数
2、正偏反偏
3、少数温度无关
4、反向正向
5、β电流
6、增加也增加
7、直流电压串联
8、扩展减少
9、X f/Xo 1+AF
10、共模差模
11、双单
12、调相调制载波
13、下降好
14、AF=1 正
15、√2U2
二、选择题（每空2分共34分）
1、A
2、C D
3、B A
4、C
5、B C E
6、B
7、C
8、A B
9、B C E 10、C
三、分析与计算题（共34分）
5分 1、5V
10分 2、1）2mA 2) 4.7V 3) -66.7 4）1.4KΩ 5）2KΩ5分 3、U O=20V
9分 4、1）fo=1KHz 2）Rt=10K 3）负温度系数
5分 5、11V
《模拟电子技术》模拟试题四
一、填空题（每空1分，共32分）
1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。
5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。为了稳定输出电流，采用（）负反馈。
8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。
9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。
10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。
11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。
12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。
13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ
14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。
15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共30分）
1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（）
A -6V
B -9v
C -12v
2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)
3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和
B 截止 C交越 D频率
4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移
5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
A放大差模抑制共模 B 输入电阻高 C输出电阻低
6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。
A 0-20
B 20 -200
C 200-1000
7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。
A 0.45
B 0.9
C 1.2
8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。
A U-=U+
B I-=I+=0
C Uo=Ui
D Au=1
9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。
A Uo高
B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真
10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。
A基本放大器 B 选频网络 C干扰或噪声
三、分析计算题（共34分）
1、已知：电路如图所示V1、V2为理想二极管。求：1）哪只二极管导通 2）U AO=？（5分）
2、已知：电路如图所示 Vcc=12V R B1=40k R B2=20k Rc=R L=2k
R E=1.65k U BEQ=0.7V C1=C2=20ηF r be=1.5K β=100
C E=10ηF （取小数点后一位）
求：1）I CQ2)U CEQ 3)Au 4)Ri 5)Ro (10分)
3、已知：电路如图所示U1=1V U2=2V求(1）U01=? 2)U0
(5分)
4、已知：RC振荡电路如下图所示 R=7.9KΩ C=0.02ηF R1=5KΩ求： 1）fo 2）Rt冷态电阻 3）指明Rt的温度特性（9分）
5、已知：电路如图I Q=5mA R1=500Ω R2=0.4KΩ
求：输出电压Uo （5分）
试题四答案
一、填空（每空1分共32分）
1、多数少数
2、导通截止
3、正向反向
4、零无穷大
u gs 电压
5、g
m
6、增加增加
7、串联电流
8、下降提高
9、 (1+AF) X f/Xo 反馈系数
10、相等相反温度
11、乙类交越
12、幅度载波
13、下降好 1+β
14、AF=1 相位平衡条件
15、√2U2
二、选择题（每空2分共34分）
1、A
2、C E
3、B A
4、C
5、 A
6、B
7、C
8、A B
9、B C E 10、C
三、分析与计算题（共34分）
5分 1、1）V2导通 2）U AO=-5V
10分 2、1）2mA 2) 4.7V 3)-66.7 4）1.4KΩ 5）2KΩ5分 3、1）1V 6V
9分 4、1）1KHz 2）20KΩ 3）正温度系数
5分 5、 14V
《模拟电子技术》模拟试题五
一、选择题（每空2分共30分）
1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压
必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
A、正偏
B、反偏
C、大于
D、小于
E、导通
F、截止
2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电
极分别是（），该管是（）型。
A、（
B、
C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B）
D、（NPN）
E、（PNP）
3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。
A、U0高
B、P0大
C、功率大
D、Ri大
E、波形不失真
4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置
电阻。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、增大
E、减小
5、差分放大电路是为了（）而设置的。
A、稳定Au
B、放大信号
C、抑制零点漂移
6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
A、压串负
B、流串负
C、压并负
7、差分放大电路RE上的直流电流I EQ近似等于单管集电极电流I CQ（）倍。
A、1
B、2
C、3
8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。
A、电压
B、电流
C、串联
9、分析运放的两个依据是（）、（）。
A、U-≈U+
B、I-≈I+≈0
C、U0=Ui
D、Au=1
二、填空题（每空1分共32分）
1、P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。
2、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
3、反向电流是由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。
5、当温度升高时，三极管的等电极电流I（），发射结压降UBE（）。
6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（），集电结（）。
7、三极管放大电路共有三种组态（）、（）、（）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（）负反馈，为了减小输出电阻
采用（）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数Af=（），对于深度负反馈Af=（）。
10、共模信号是大小（），极性（）的两个信号。
11、乙类互补功放存在（）失真，可以利用（）类互补功放来克服。
12、用低频信号去改变高频信号的频率称为（），低频信号称为（）信号，
高频信号称高频（）。
13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（），fa=（）fβ。
14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（）网络。
15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（）。
三、分析计算题（共38分）
1、已知：电路如图所示K=0.1V U1=3V U2=-6V 求：Uo=? (6分)
2、已知：电路如图所示 Vcc=12V R B1=40k R B2=20k Rc=R L=2k
R E=1.65k U BEQ=0.7V C1=C2=20ηF r be=1.5K β=100
C E=10ηF （取小数点后一位）
求： 1）I CQ2)U CEQ 3)Au 4)Ri 5)Ro (10分)
3、已知：电路如图所示求： Uo=? (6分)
模拟电子技术试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等 效成断开； 4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相 反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输 入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为 （）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）它的稳压值Uz 才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（） 型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
模电期末考试题
《模拟电子技术》 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分） 1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 （×）2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 （√）3负反馈越深，电路的性能越稳定。 （×）4零点漂移就是静态工作点的漂移。 （√）5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （√）6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （√）7半导体中的空穴带正电。 （√）8 P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （×）9实现运算电路不一定非引入负反馈。 （×）10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。 （×）二、选择填空（10分） （1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；为了展宽频带，应在放大电路中引入 D 。 （A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中， C 。 （A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00 （3）集成运放的互补输出级采用 B 。 （A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。
（A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β （5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是 B ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 C 。 （A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C B u B B u E。 （A）> （B）< （C）= （D）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。 （A）大（B）小（C）相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。解：二极管D截止，u0=-6V 四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。 管号T1 T2T3 管 号 T1T2T3 管脚电位（V）①0.7 6.2 3 电 极 名 称 ① ②0 6 10 ② ③ 5 3 3.7 ③ 材料类型 五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ=0.7V，电流放大系数为β=80，r be=1.2 kΩ，R B=500 kΩ，R C=R L=5 kΩ，V CC=12V。
模拟电子技术基础全套教案
《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，
陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。
模电考试试题
模电考试试题 Revised by Jack on December 14,2020
选择 1、半导体二极管加正向电压时，有（A） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、三极管工作于放大状态的条件是(A ) A.发射结正偏,集电结反偏 B.发射结正偏,集电结正偏 C.发射结反偏,集电结正偏 D.发射结反偏,集电结反偏 3、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（B） A、输入电阻大 B、输入电阻小 C、输出电阻大 D、输出电阻小 4、共模抑制比KCMR越大，表明电路（C） A、放大倍数越稳定 B、交流放大倍数越大 C、抑制温漂能力越强 D、输入信号中的差模成分越大 5、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，此放大电路应选（A） A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 填空 1、N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。 2、集成运算放大器采用直接耦合方式放大，理想条件Rid为无穷大，R0为0
5、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态。 6、电流源电路特点，直流等效电阻小，交流等效电阻大 7、直流稳压电源一般由电源变压器、滤波电路、整流电路和稳压电路组成 计算 1、放大电路如图1所示,若VCC=12V，Rc=Ω，Rb=400kΩ，Re1=100Ω， Re2=2kΩ，RL=kΩ，=50, r bb=300欧 (1)、求静态工作点； (2)画出其h参数小信号等效电路； (3)、求Av、Ri和Ro。 解（1） I BQ== I CQ=βI BQ= VCEQ=VCC－ICQ(RC＋Re1＋Re2)= （2）画出简化h参数等效电路如图 (3)、rbe=[300+(1+β) ]=
模拟电子技术基础考试试题复习资料
第1页 共5页 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在 区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的 视为开路， 视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是 相输入端，否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的， 越大越好， 越小越好。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将 。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为 。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管
“模拟电子技术基础”课程教学大纲
“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。
（3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。
模电复习题和答案
《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是 电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应 引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。 18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄； 21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D； 能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A； （A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D；
模拟电子技术基础试题汇总
模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。
8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小
模拟电子技术复习试题及答案解析
一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。
模电试题及答案1-2
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.PNP 硅管 C.NPN 锗管 D.PNP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化 C.保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形，二者相位 A 。A.相同 B.相反 C.相差90° D.相差270° 16、NPN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除，这种失真一定是 B 失真。A.饱和 B.截止 C.双向 D.相位 17、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B =20μA ，I C =1mA 。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则I B 和I C 分别是 A 。 A. 10μA ，1mA B. 20μA ，2mA C. 30μA ，3mA D. 40μA ， 4mA ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
模拟电子技术基础考试试题答案
一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。
模拟电子技术期末试题及答案
《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称 为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有 导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联
模电模拟试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic = 90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k Ω，R B1 120k Ω， R B2 39k Ω，R C 3.9k Ω，R E 2.1k Ω，R L 3.9k Ω，r bb’ Ω，电流放大系数β 50，电路 中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图
模电试题及答案
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案.
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
模电期末考试题及答案
(10 一、判断下列说法是否正确，用“X”或 分) 1 《模拟电子技术》 “2”表示判断结果。 只要满足相位平衡 电路就 会产生正 波振荡。 ) 2 引’ 入 直 流负反馈 可 以 稳 定静态工 ( 作点 V 。 ) 3 负 反 馈 越深， 电 路 的 性能越 稳定 。 ( X ) 4 >-l-A 零 点 漂 移就是 静 态 工 作点的 漂移 。 ( V ) 5 放大 电路采用复合管是为了 增大放大倍数和输入电阻 。 ( V ) 6 镜像 电 流： 源电路中两 只晶 体 管 的特性应完 全相同 。 ( V ) 7 半 导 体 中 的 空 穴 带 正 电 。 ( V ) 8 P 型 半 导体带正 电， N 型半导体带负电 。 ( X ) 9 实 现 运 算电路： 不一 定 非引入负 反馈 。 ( X ) 10 凡是引 入 正反馈的集 成运 放， 」定工作在非 线性区 。 ( X ) ( X (10 分) 二、选择填空 (1) 为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 为了展宽频带，应在放大电路中引入 ________ (A )电流负反馈(B )电压负反馈(C )直流负反馈 (D )交流负反馈 (2) 在桥式(文氏桥)RC 正弦波振荡电路中， C _______________ 。 (A ) ?A =-180 0，杆=+180 0 (B )杯=+180 0，?F =+180 0 (C )杯=00, ?F =0 0 (3) 集成运放的互补输出级采用 (A )共基接法 (B )共集接法(C )共射接法(D )差分接法 (4) 两 个B 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B
《模拟电子技术基础》题库
《模拟电子技术基础》题库 一、填空题 1-12（第一章） 1、杂质半导体有型和型之分。 2、PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。 3、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了__________电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN 结加的是__________电压。 4、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是，PN结具 有特性。 5、发射结偏置，集电结偏置，则三极管处于饱和状态。 6、P型半导体中空穴为载流子，自由电子为载流子。 7、PN结正偏时，反偏时，所以PN结具有导电性。 8、反向电流是由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压。 9、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。 10当温度升高时，三极管的等电极电流I，发射结压降UBE。 11、晶体三极管具有放大作用时，发射结，集电结。 12、漂移电流是电流，它由载流子形成，其大小与有关，而与 外加电压。 13-19（第二章） 13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB，第二 级电压增益为26dB，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。 15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多 级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。 16、电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量_______， 使输出电阻__________。 17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。 18、晶闸管阳极和阴极间加__________，控制极加适当的__________，晶闸管才能导通。 19、在输入V2单相半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压为V RM，负载电压为V O。 20-26（第三章） 20、甲类功放的最大缺点是_______； 21、双极型三极管是控制器件，场效应管是控制器件；结型场效应管的栅源极之间 必须加偏置电压，才能正常放大工作。