专升本《模拟电子技术》试卷复习课程
[试题分类]:专升本《模拟电子技术》_08001250
[题型]:单选
[分数]:2
1.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。
A.电阻阻值有误差
B.晶体管参数的分散性
C.晶体管参数受温度影响
D.晶体管结电容不确定性
答案:C
2.稳压二极管的有效工作区是( )。
A.正向导通区
B.反向击穿区
C.反向截止区
D.死区
答案:B
3.如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。
A.放大状态
B.微导通状态
C.截止状态
D.饱和状态
答案:D
4.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。
A.便于设计
B.放大交流信号
C.不易制作大容量电容
D.不易制作大阻值的电阻
答案:C
5.用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( )。
A.抑制共模信号能力增强
B.差模放大倍数数值增大
C.差模输入电阻增大
D.差模输出电阻增大
答案:A
6.半导体中PN结的形成主要是由于（）生产的。
A. N区自由电子向P区的扩散运动
B. N区自由电子向P区的漂移运动
C. P区自由电子向N区的扩散运动
D. P区自由电子向N区的漂移运动
答案:A
7.理想的功率放大电路应工作于( )状态。
A.甲类互补
B.乙类互补
C.甲乙类互补
D.丙类互补
答案:C
8.NPN共射电路的Q点设置在接近于( )处将产生顶部失真。
A.截止区
B.饱和区
C.击穿区
D.放大区
答案:A
9.当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是( )。
A.低通
B.高通
C.带通
D.带阻
答案:C
10.差动放大电路的特点是抑制( )信号，放大( )信号。
A.共模共模
B.共模差模
C.差模差模
D.差模共模
答案:B
[试题分类]:专升本《模拟电子技术》_08001250
[题型]:单选
[分数]:2
1.互补对称功率放大电路BJT工作在甲乙类、负载电阻为理想值，忽略UCES时的效率约为。()
A.30%
B.60%
C.78.5%
D.85%
答案:C
2.当PN给外加正向电压时，扩散电流漂移电流，此时耗尽层。()
A.大于--变宽
B.小于--变宽
C.等于--不变
D.小于--变窄
答案:D
3.晶体管工作在饱和区时，b－e极间为，b－c极间为。()
A.正向偏置--正向偏置
B.反向偏置--反向偏置
C.正向偏置--反向偏置
D.反向偏置--正向偏置
答案:A
4.双极型晶体管只有当其发射结处于，而且集电结处于时，才工作于放大状态。()
A.正偏--正偏
B.正偏--反偏
C.反偏--正偏
D.反偏--反偏
答案:B
5.电路如图所示。若V1、V3管正负极同时接反了，则输出＿＿。()
A.只有半周波形
B.无波形且变压器或整流管可能烧毁
C.全波整流波形
D.全波整流波形，但V2管承受2倍的电压
答案:D
6.效率与成本俱佳的整流方式是：。()
A.全波整流
B.谐波整流
C.桥式整流
D.半波整流
答案:C
7.共源极场效应管放大电路其放大效果近似等价于双结晶体管放大电路。()
A.共射极
B.共基极
C.共集电极
D.共栅极
答案:C
8.稳压型二极管的有效工作区在其伏安特性的。（）
A.死区
B.正向导通区
C.反向区
D.反向击穿区
答案:D
9.本征半导体温度升高后。()
A.自由电子数量增多
B.空穴数量增多
C.自由电子与空穴同时增多，且数量相同
D.自由电子与空穴数量不变
答案:C
10.有两个三极管，A 管的＝200，
=200A ，B 管的＝50，=10A ，其他参数大致相同，
则相比之下。() A.A 管和B 管的性能相当
B.A 管的性能优于B 管
C.B 管的性能优于A 管
D.条件不足，无法判断
答案:C
11.当一个三极管的IB=10A 时，其IC=lmA ，那么它的交流电流放大系数为:。()
A.100
B.10
C.1
D.不确定
答案:D
12.当有用信号的频率高于5000Hz 时，应采用的滤波电路是。()
A.低通
B.高通
C.带通
D.带阻
答案:B
13.如图所示电路中，当二极管的输入电压Ua=Ub=5V 时，输出Uo 的值为:。()
CEO I CEO I
A.-5V
B.-4.3V
C.4.3V
D.5.3V
答案:C
14.差分放大电路共模抑制比的大小反映了__________。()
A.共模增益的大小
B.差模增益的大小
C.抑制零漂的能力
D.带负载能力
答案:C
15.共射极放大电路的输出电压与输入电压的相位是:。()
A.同相
B.反相
C.相差90
D.不确定，需要通过实际计算才得到
答案:B
16.RC 桥式振荡电路的选频网络中，C=680pF ，R 可在23到47间进行调节，则振荡频率的变化范围为:。()
A.4.98Hz~10.1Hz
B.4.98kHz~10.1kHz
C.4.98Hz×10-3~10.1×10-3Hz
D.4.98kHz×103~10.1kHz×103
?Ωk Ωk
答案:B
17.给乙类互补对称功率放大电路加一合适的静态工作点，可消除。()
A.线性失真
B.相位失真
C.频率失真
D.交越失真
答案:D
18.场效应管放大电路的共漏极接法，与双极晶体管放大电路相比较，双极晶体管放大电路对应的是接法。()
A.共射极
B.共集电极
C.共基极
D.共栅极
答案:A
19.若开环放大倍数A增加一倍，则闭环放大倍数将。()
A.基本不变
B.增加一倍
C.减少一半
D.不确定
答案:A
20.电路如图所示。若正常工作时每个二极管上的电流为：。()
A.2Io
B.Io/2
C.4Io
D.Io/4
答案:B
21.根据反馈的极性，反馈可分为反馈。()
A.直流和交流
B.电压和电流
C.正和负
D.串联和并联
答案:C
22.当有用信号的频率高于3500Hz时，应采用的滤波电路是。()
A.低通
B.高通
C.带通
D.带阻
答案:B
23.根据反馈信号的采样方式，反馈可分为反馈。()
A.直流和交流
B.正和负
C.电压和电流
D.串联和并联
答案:C
24.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路。()
A.UAO＝-12V，D1正偏导通D2反偏截止
B.UAO＝-12V，D1反偏截止D2正偏导通
C.UAO＝-6V，D1正偏导通D2反偏截止
D.UAO＝-6V，D1反偏截止D2正偏导通
答案:D
25.共集电极放大电路的输出电压与输入电压的相位是:。()
A.同相
B.反相
C.相差90
D.不确定，需要通过实际计算才得到
答案:A
26.晶体三极管放大作用的实质是。()
A.把微弱的电信号加以放大
B.以弱电流控制强电流
C.以强电流控制弱电流
D.以弱电流控制强电流，把直流电能转换为交流电能
答案:D
27.fH称为放大电路的。()
A.截止频率
B.上限频率
C.下限频率
D.特征频率
答案:B
28.场效应管是通过改变来改变漏极电流的()。
A.栅极电流
B.源极电流
C.漏源极电压
D.栅源极电压
答案:D
29.PN结具有一个显著的特点是，正是利用该特点，所以将其制作成普通的二极管。()
A.击穿特性
B.频率特性
C.掺杂特性
D.单向导电性
答案:D
30.N型半导体中多数载流子是少数载流子是:()。
A.自由电子--自由电子
B.空穴--空穴
C.自由电子--空穴
D.空穴--自由电子
答案:C
31.本征激发是指现象。()
A.价电子从外界获得足够能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的
B.价电子依靠本身的运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的
C.价电子依靠互相的碰撞增加运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的
D.价电子在电场作用下获得足够能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的答案:A
32.整流的主要目的是:＿＿()。
A.将正弦波变成方波
B.将直流变交流
C.将高频信号变成低频
D.将交流变直流
答案:D
33.模拟信号是指的信号。()
A.时间连续
B.数值连续
C.时间和数值都连续
D.时间和数值都不连续
答案:C
34.下列放大电路可能正常放大的是:＿＿()。
A.
B.
C.
D.
答案:A
35.锗晶体二极管至少要高于约的电压才能正常工作。()
A.0.7V
B.0.5V
C.0.1V
D.0.3V
答案:D
36.可利用实现信号的滤波()。
A.振荡电路
B.放大电路
C.RC 电路
D.二极管开关电路
答案:C
37.正反馈多用于。()
A.改善放大器的性能
B.产生振荡
C.提高输出电压
D.提高电压增益
答案:B
38.工作在甲乙类互补对称功率放大电路的BJT ，当负载电阻为理想值，且忽略UCES 时的效率约为。()
A.60%
B.78.5%
C.85%
D.100%
答案:B
[试题分类]:专升本《模拟电子技术》_08001250
[题型]:问答
[分数]:5
1.
电路如图所示，已知
(V)，二极管导通电压UD=0.7V 。试画出与的波形图，
并标出幅值。
答案:
波形如图所示。
t u i ωsin 5=i u o
u
2.
现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。
答案:
如图所示
放大倍数分别为[MISSING IMAGE: , ]和[MISSING IMAGE: , ]
[试题分类]:专升本《模拟电子技术》_08001250
[题型]:判断
[分数]:4
1.电路的静态是指输入交流信号为零时的状态。（）
答案:正确
2.由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）
答案:错误。
3.既然是放大电路，因此电压放大倍数与电流放大倍数都应大于1。（）
答案:错误
4.半导体二极管当正偏时，势垒区变窄，此时扩散电流小于漂移电流。（）
答案:错误。
5.微变等效电路分析法可以用于分析功率放大电路。（）
答案:错误。
6.微变等效电路分析法可以用于分析任意放大电路。（）
答案:错误。
[试题分类]:专升本《模拟电子技术》_08001250
[题型]:计算
[分数]:20
1.
电路如图(a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时。利用图解法分别求出和时的静态工作点和最大不失真输出电压（有效值）。
答案:
空载时：[MISSING IMAGE: , ]；
最大不失真输出电压峰值约为5.3V ，有效值约为3.75V 。 带载时：[MISSING IMAGE: , ]；
最大不失真输出电压峰值约为2.3V ，有效值约为1.63V 。如图所示。
0.7B E Q U V =
L R =∞3L R k =Ωo m
U
专升本高数真题及答案
2005年河南省普通高等学校 选拔优秀专科生进入本科阶段学习考试 高等数学 试卷 一、单项选择题（每小题2分，共计60分） 在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案，并将其代码写在题 干后面的括号内。不选、错选或多选者，该题无分. 1. 函 数 x x y --= 5)1ln(的定义域为为 （ ） A.1>x 5
解： ?-x e x ~12~12 x e x -,应选B. 4.=?? ? ??++∞ →1 21lim n n n （ ） A. e B.2e C.3e D.4e 解：2)1(2lim 2 )1(221 21lim 21lim 21lim e n n n n n n n n n n n n n n =? ?? ????? ??? ??+=?? ? ??+=?? ? ? ? + +∞→+?∞ →+∞ →∞→,应选B. 5.设 ?? ? ??=≠--=0,0,11)(x a x x x x f 在0=x 处连续，则 常数=a （ ） A. 1 B.-1 C.21 D.2 1 - 解：2 1 )11(1lim )11(lim 11lim )(lim 0000 =-+=-+=--=→→→→x x x x x x x f x x x x ,应选C. 6.设函数)(x f 在点1=x 处可导,且2 1 )1()21(lim 0 =--→h f h f h ,则=')1(f （ ） A. 1 B.21- C.41 D.4 1 - 解：4 1 )1(21)1(22)1()21(lim 2)1()21(lim 020-='?='-=----=--→-→f f h f h f h f h f h h , 应选D. 7.由方程y x e xy +=确定的隐函数)(y x 的导数dy dx 为 （ ） A. )1()1(x y y x -- B.)1()1(y x x y -- C.)1()1(-+y x x y D.) 1() 1(-+x y y x 解：对方程y x e xy +=两边微分得)(dy dx e ydx xdy y x +=++, 即dy x e dx e y y x y x )()(-=-++, dy x xy dx xy y )()(-=-,
模拟电子技术试卷及答案样本
模拟试卷一 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时, 发射结为____ 偏置, 集电结为_____偏置; 工作在饱和区时发射结为___偏置, 集电结为____偏置。3．当输入信号频率为fL和fH时, 放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍, 或者是下降了__dB, 此时与中频时相比, 放大倍数的 附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈; 为降低放大电路输出电阻, 应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中, 功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下, 可达到_____, 但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中, 引入了——负反馈; 为了正常稳压, 调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中, 测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V, -10 V, -9.3 V, 则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示, 该管为 ( )。
A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中, 若uI = 20 mV, 则电路的( )。 A．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路, 这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻, RS为常数, 为使下限频率fL 降低, 应( )。 A．减小C, 减小Ri B．减小C, 增大Ri C．增大C, 减小Ri D．增大C, 增大 Ri 6．如图所示复合管, 已知V1的 b1 = 30, V2的 b2 = 50, 则复
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）
模拟电子技术,概念
1.集成运算放大器是一种高增益直接耦合放大器，他作为基本的电子器件，可以实现多种功能电路，如电子电路中的比例，积分，微分，求和，求差等模拟运算电路。 2.运算放大器工作在两个区域：在线性区，他放大小信号；输入为大信号时，它工作在非线性区，输出电压扩展到饱和值om V 。 3.同向放大电路和反相放大电路是两种最基本的线性应用电路。由此可推广到求和，求差，积分，和微分等电路。这种由理想运放组成的线性应用电路输出与输入的关系（电路闭环特性）只取决于运放外部电路的元件值，而与运放内部特性无关。 4.对含有电阻、电容元件的积分和微分电路可以应用简单时间常数RC 电路的瞬态相应，并结合理想运放电路的特性进行分析。 5.PN 结是半导体二极管和组成其他半导体器件的基础，它是由P 型半导体和N 型半导体相结合而形成的。绝对纯净的半导体掺入受主杂质和施主杂质，便可制成P 型半导体和N 型半导体。空穴参与导电是半导体不同于金属导电的重要特点。 6.当PN 结外加正向电压（正向偏置）时，耗尽区变窄，有电流流过；而外加反向电压时，耗尽区变宽，没有电流流过或电流极小，这就是半导体二极管的单向导电性，也是二极管最重要的特性。 7.二极管的主要参数有最大整流电流，最高反向工作电压，和反向击穿电压。在高频电路中，还要注意它的结电容，反向恢复时间，最高工作频率。 8.由于二极管是非线性器件，所以通常采用二极管的简化模型来分析设计二极管电路。主要有理想模型，恒压降模型，折线模型，小信号模型等。在分析电路的静态或大信号情况时，根据信号输入的大小，选用不同的模型，只有当信号很微小，且有一静态偏置时，才采用小信号模型。指数模型主要在计算机模拟中使用。 9.齐纳二极管是一种特殊的二极管，常利用它在反向击穿状态下的恒压特性，来构成简单的稳压电路，要特别注意稳压电路限流电阻的选取。齐纳二极管的正想特性和普通二极管相近。 10.其他非线性二段器件，如变容二极管，肖特基二极管，光电、激光、发光二极管等均具有非线性的特点，其中光电子器件在信号处理，存储和传输中获得了广泛的应用。 11.BJT 是由两个PN 结组成的三段有源器件，分NPN 和PNP 两种类型，它的三个端子分别成为发射机e ，基极b 和集电极c 。由于硅材料的热稳定性好，因而硅BJT 得到广泛应用。 12.表征BJT 性能的有输入和输出特性，均称之为V-I 特性，其中输出特性用得较多。从输出特性上可以看出，用改变基极电流的方法可以控制集电极电流，因而BJT 是一种电流控制器件。 13.BJT 的电流放大系数是它的主要参数，按电路组态的不同有共射极电流放大系数β和共基极电流放大系数α之分。为了保证器件的安全运行，还有几项极限参数，如集电极最大允许功率损耗CM P 和若干反向击穿电压，如CER BR V )(等，使用时应予注意。 14.BJT 在放大电路中有共射，共集，共基三种组态，根据相应的电路的输入量和输出量的大小和相位之间的关系，分别将他们称为反向电压放大器、电压跟随器和电流跟随器。三种组态的中的BJT 都必须工作在发射结正偏，集电结反偏的状态。 15.放大电路的分析方法有图解法和小信号模型分析法。前者是承认电子器件的非线性，后者是将非线性特性的局部线性化。通常使用图解法求Q 点，而用小信号模型法求电压增益，输入电阻和输出电阻。 16.放大电路静态工作点不稳定的原因主要是由于受温度的影响。常用的稳定静态工作点的电路有射极偏置电路等，它是利用反馈原理来实现的
2016年专升本试卷真题及答案(数学)
2016年重庆市专升本数学试卷 一、单项选择题（每题4分，满分32分） 1. 设()f x 在0x x =处可导，则()() 000 2lim h f x h f x h →+-= A.()' 0f x - B.()'0f x C.()'02f x D.()'03f x 2.定积分 1 21 sin x xdx -=? A.-1 B.0 C.1 D.2 3.过OZ 轴及点()3,2,4-的平面方程是 A.320x y += B.20y z += C.20x z += D.230x y += 4.已知微分方程为 dy y dx =通解为 A.x y e = B.x y e C =+ C.y x C =+ D.x y Ce = 5.下列级数收敛的是 A.113n n ∞ =????∑ B.1 1 sin n n ∞=∑ 1.1n n C n ∞ =+∑ D.1! n n n n ∞ =∑ 6.3阶行列式314 89 5111 中元素321a =的代数余子式为 A.1 B.8 C.15 D.17 7、设1002A ??= ??? ，则3 A = A.1002?? ? ?? B.3006?? ??? C.1008?? ??? D.3008?? ???
8、在0,1,2,3,4五个数中任意取3个数，则这三个数中不含0的概率为（） A.0.4 B.0.5 C.0.6 D.0.8 二、填空题（每小4分，共16分） 9、极限0sin 6lim tan 2x x x →= 10、设函数()3 20 cos x f x t dt = ? ，求() f x '= 11、设矩阵314035A -?? ??=?? ??-?? ,矩阵 1102B -??=????，则 AB = 12、已知()0.4P A =，()0.3P B =，()0.5P AB =，则() P A B ?= 三、计算题（每小题8分，，共64分） 13、求极限0cos lim tan 2x x e x x →- 14、讨论函数() 2 3()21x f x x =+ -的单调性、极值、凹凸性及拐点。 15、求不定积分2 cos x xdx ?
模拟电子技术试卷(含答案)
一、填空（30分，每空1分） 1、半导体中存在两种载流子，分别为 电子和 空穴 。杂质半导体分为两种，分别为 N 型半导体 和 P 型半导体 。 2、三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度 高；基区做得 很薄 ，且掺杂浓度 低 。实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证了射结正偏 ；而集电结 反偏 。 3、组成放大电路的基本原则是外加电源的极性应使三极管的 发射结 正向偏置，三极管的 集电结 反向偏置，以保证三极管工作在放大区。针对放大电路的基本分析方法有两种，分别为 微变等效法 和 图解法 。 4、基本放大电路有三种组态，即 共发射极 、 共基极 和 共集电极 。多级放大电路常用的耦合方式有三种，分别为 直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合。多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的 代数乘积 。 13、电压负反馈使输出电压 稳定 ，因而降低了放大电路的 输出电阻；电流负反馈使输出电流 稳定 ，因而提高了电路的 输出电阻 。串联负反馈增大 放大电路的输入电阻，并联负反馈则减小输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的组态，分别为 电压串联负反馈、电压并联负反馈 、电流串联负反馈、电流并联负反馈。 二、按要求选其中正确的一项填入括号（20分，每小题4分） 1、在某种纯净的半导体中掺入以下杂质可以形成N 型半导体。(D) A 、含四价元素的杂质 B 、含空穴的杂质 C 、三价元素镓 D 、五价元素磷 2、在三极管的基本组态电路中(B) A 、共集组态的电压增益最大 B 、共集组态的电压增益最小 C 、共发组态的电压增益最小 D 、共基组态的电压增益最小 3、差分放大器是一种直接耦合放大器，它(D) A 、只能放大直流信号 B 、只能放大交流信号 C 、不能放大交流信号 D 、可以抑制共模信号 4、在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变(C) A 、发射极电阻 B 、集电极电阻 C 、基极电阻 D 、三极管的值 5、判断负反馈电路可能发生自激振荡的根据有（C ） A 、负反馈深度较大的两级放大电路； B 、环路增益的幅值 1 AF ； 得分 评卷人
模拟电子技术
《模拟电子技术》 ??一、判断题（每小题1.5分，共15分。） 1.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的（） 2.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（） 3.放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。（） 4.可以说任何放大电路都有功率放大作用。（） 5.只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。（） 6.在运算电路中，集成运放的反向输入端均为虚地。（） 7.凡是运算电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（） 8.在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗愈大。（） 9.若为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为。（） 10.在电源电压相同的情况下，功率放大电路比电压放大电路的最大不失真输出电压大。（） 二.填空题（每空1分，共15分。） 1. PN结在没有外电场作用时，当扩散运动和漂移运动达到（）时，两侧间没有电流，空间电荷区（）不变。 2.三极管放大电路中，（）、（）和三者决定了三极管的安全工作区。 3.（）比列运算电路的输入电流等于零，而（）比列运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。 4.LC正弦波振荡电路的（）很高，多采用（）电路。 5.要使N沟道JFET工作在放大状态，其漏极应加( )电压，栅极应加( )电压。（正、负）。 6.测得某放大电路中的BJT三个电极X、Y、Z的电位分别是：-9V、-6V、-6.7V，则该管是（）型三极管；X、Y、Z分别为（）极、（）极和（）极。 7.放大器产生频率失真的原因是（）。（三极管的非线性；电抗元件） 三、器件及电路判别题（共小题，总计20分）： 2．（12分）若测得BJT各电极电位如下图，请判别其工作状态（饱和，截止，放大）。 3．（8分）若FET的转移特性如下图，请判别其类型（图中所标电流方向为实际方向），画出其电路符号。 四．综合分析计算题（共3小题，总计50分） 1．（12分）已知图(a)和图(b)中所有运算放大器均为理想运算放大器。 写出图中以下变量间的关系式： (1) vo~vo1 (2) vo3~vo (3) vo~vi
专升本试卷真题及答案数学
专升本试卷真题及答案 数学 Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#
2016年重庆市专升本数学试卷 一、单项选择题（每题4分，满分32分） 1. 设()f x 在0x x =处可导，则()() 000 2lim h f x h f x h →+-= A.()'0f x - B.()'0f x C.()'02f x D.()'03f x 2.定积分1 21sin x xdx -=? 3.过OZ 轴及点()3,2,4-的平面方程是 A.320x y += B.20y z += C.20x z += D.230x y += 4.已知微分方程为 dy y dx =通解为 A.x y e = B.x y e C =+ C.y x C =+ D.x y Ce = 5.下列级数收敛的是
A.113n n ∞ =??+? ?∑ B.11sin n n ∞ =∑ 1.1 n n C n ∞ =+∑ D.1!n n n n ∞ =∑ 阶行列式314 895111 中元素321a =的代数余子式为 7、设1002A ??= ??? ，则3 A = A.1002?? ? ?? B.3006?? ??? C.1008?? ??? D.3008?? ??? 8、在0,1,2,3,4五个数中任意取3个数，则这三个数中不含0的概率为（） 二、填空题（每小4分，共16分） 9、极限0sin 6lim tan 2x x x →= 10、设函数()3 20 cos x f x t dt =?，求() f x '= 11、设矩阵314035A -?? ??=?? ??-?? ,矩阵1102B -??=????，则 AB =
模拟电子技术期末试题及答案
《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称 为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有 导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联
专升本-无机化学专升本试题真题及答案
一、选择题 ( 共15题 30分 ) 1. 2 分 (7459) 对于H2O2和N2H4，下列叙述正确的是…………………………………………（） (A) 都是二元弱酸(B) 都是二元弱碱 (C) 都具有氧化性和还原性(D) 都可与氧气作用 2. 2 分 (4333) 下列含氧酸中属于三元酸的是…………………………………………………（） (A) H3BO3(B) H3PO2(C) H3PO3(D) H3AsO4 3. 2 分 (1305) 下列各对含氧酸盐热稳定性的大小顺序，正确的是……………………………（） (A) BaCO3 > K2CO3(B) CaCO3 < CdCO3 (C) BeCO3 > MgCO3(D) Na2SO3 > NaHSO3 4. 2 分 (1478) 铝在空气中燃烧时，生成…………………………………………………………（） (A) 单一化合物Al2O3 (B) Al2O3和Al2N3 (C) 单一化合物Al2N3 (D) Al2O3和AlN 5. 2 分 (7396) 下列含氧酸根中，属于环状结构的是…………………………………………（） (A) (B) (C) (D) 6. 2 分 (1349) 下列化合物与水反应放出 HCl 的是……………………………………………（） (A) CCl4(B) NCl3(C) POCl3(D) Cl2O7 7. 2 分 (1482) InCl2为逆磁性化合物，其中In的化合价为……………………………………（） (A) +1 (B) +2 (C) +3 (D) +1和+3 8. 2 分 (7475) 鉴别Sn4+和Sn2+离子，应加的试剂为……………………………………………（） (A) 盐酸 (B) 硝酸(C) 硫酸钠 (D) 硫化钠(过量) 9. 2 分 (7446) 下列各组化合物中，都有颜色的一组化合物是………………………………（） (A) SiCl4，SnCl4，PbO (B) CCl4，NO2，HgI2 (C) SiC，B2H6，N2O4 (D) PbO2，PbI2，SnS 10. 2 分 (7363) 将过量SiF4通入NaOH溶液中，主要产物是……………………………………（） (A) H4SiO4，NaF (B) Na2SiO3，NaF (C) Na2SiO3，Na2SiF6(D) SiO2，HF 11. 2 分 (1421) 将NCl3通入碱性溶液，其水解产物是…………………………………………（） (A) NH3和ClO-(B) NH3和Cl- (C) 和Cl-(D) 和Cl- 12. 2 分 (4348) PCl3和水反应的产物是…………………………………………………………（） (A) POCl3和HCl (B) H3PO3和HCl (C) H3PO4和HCl (D) PH3和HClO 13. 2 分 (7463) 下列各对物质，水解能力对比，正确的是………………………………………（） (A) > (B) > (C) SnCl2 > SnCl4(D) PCl3 > BiCl3 14. 2 分 (4361) 二氧化氮溶解在NaOH溶液中可得到： (A) NaNO2和H2O (B) NaNO2，O2和H2O (C) NaNO3，N2O5和H2O (D) NaNO3，NaNO2和H2O
模拟电子技术期末试题
第四章 集成运算放大电路 自 测 题 一、选择合适答案填入空内。 （1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。 A ．可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C ．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 B 。 A ．高频信号 B . 低频信号 C . 任何频率信号 （3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 C 。 A . 指标参数准确 B . 参数不受温度影响 C ．参数一致性好 （4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。 A ．减小温漂 B . 增大放大倍数 C . 提高输入电阻 （5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 A 。 A ．共射放大电路 B . 共集放大电路 C ．共基放大电路 解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。 （1）运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。(×) （2）运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。(√) （3）运放的共模抑制比c d CMR A A K (√) （4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。(√) （5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。(× )
习题 4.1 通用型集成运放一般由几部分电路组成，每一部分常采用哪种基本电路？通常对每一部分性能的要求分别是什么？ 解：通用型集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四个部分组成。 通常，输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。 对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数尽可能大。 对中间级的要求：放大倍数大，一切措施几乎都是为了增大放大倍数。 对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压尽可能大。 对偏置电路的要求：提供的静态电流稳定。 第五章放大电路的频率响应 自测题 一、选择正确答案填入空内。 （1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 A 。 A.输入电压幅值不变，改变频率 B.输入电压频率不变，改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 （2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 B ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 （3）当信号频率等于放大电路的f L或f H时，放大倍数的值约下降到中频时的 B 。 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降 A 。 A.3dB B.4dB C.5dB
专升本英语试题及答案
2014年英语试题 Part I Listening Comprehension (20 points, 1 point each) Section A Directions: In this section, you will hear 7 short conversations and 2 long conversations. At the end of each conversation, one or more questions will be asked about what was said. Both the conversation and the questions will be spoken only once. After each question there will be a pause. During the pause, you must read the four choices marked A), B), C) and D) , and decide which is the best answer. 1. A) To the bank. B) To a book store. C) To a shoe store. D) To the grocer’s. 2. A) Near the train station. B) In the countryside. C) In the city. D) Near the workplace 3. A) the choice of courses B) a day course C) an evening course D) their work 4. A) The pear. B) The weather. C) The sea food. D) The cold. 5. A) George’s wife.B) George’s father. C) George’s brother D) George’s wife’s father.
模拟电子技术基础试卷及其参考答案
模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷一专升本试卷及其参考答案 试卷一（总分150分） （成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一） 一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。） 1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（ ） a. 增加 b. 不变 c. 减小 d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（ ） a. 处于放大区域 b. 处于饱和区域 c. 处于截止区域 d. 已损坏 图2 3. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（ ） a. 10k Ω b. 2k Ω c. 1k Ω d. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（ ） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定 图4 5. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为（ ）
a.L m R g ' b.s m L m 1R g R g +'- C.L m R g '- d.m L /g R '- 图5 6. 图5中电路的输入电阻R i 为（ ） a. R g +(R g1//R g2) b. R g //(R g1+R g2) c. R g //R g1//R g2 d. [R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S 7. 直流负反馈是指（ ） a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ ） a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为（ ） a. －2.5V b. －5V c. －6.5V d. －7.5V 图9 10. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为（ ） a. 10mV b. 20mV c. 70mV d. 140mV 图10
模拟电子技术期末考试
课程《模拟电子技术》 一、填空题（1分×30=30分） 1、在掺杂半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大的关系。 2、二极管的伏安特性曲线上可以分为 区、 区、 区和 区四个工作区。 3、一个直流电源必备的3 个环节是 、 和 4、晶体三极管放大器中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低，将产生 失真；静态工作点设置太高，将产生 失真。 5、理想集成运放组成的基本运算电路，它的反相输入端和同相输入端之间的电压为 ，这称为 。运放的两个输入端电流为 ，这称为 。 6、差模输入信号时两个输入信号电压的 值，共模输入电压信号是两个输入信号的 值。u i1=20mV ，u i2=18mV 时， u id = mV ，u ic = mV 。 7、将放大电路 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号称为 信号。 使放大电路净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为 反馈；使放大电 路净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为 反馈。 8、正弦波振荡器的振荡条件中，幅值平衡条件是指 ，相位平衡条件是 指 ，后者实质上要求电路满足 反馈。 9、电路如图所示，已知VT1、VT2的饱和压降|UCES|=3V ，Ucc=15V ，RL=8欧。则最大输出功率Pom 为 。 10、串联型稳压电路由 、 、 、 组成。 二、选择题（2分×10=20分） 1、某晶体管的极限参数为：I CM =100mA ，U BR(CEO)=20V ，P CM =100mW ，则该器件正常工作状态为（ ） A I C =10mA U CE =15V B I C =10mA U CE =9V C I C =100mA U CE =9V D I C =100mA U C E =15V 2、测得晶体管在放大状态的参数时，当I B =30uA I C =2.4m A I B =40uA I C =3m A 时。则晶体管交流放大系数β为（ ） A 80 B 60 C 75 D 90 3、射极输出器的输出电阻小，说明电路的（ ） A 带负载能力差 B 带负载能力强 C 减轻前级或信号源的负荷 D 增加前级或信号源的负荷 4、放大电路产生零点漂移的主要原因是： （ ） A 电压增益过大 B 环境温度变化 C 采用直接耦合 D 采用阻容耦合
模拟电子技术基础中的常用公式必备
word 资料 模拟电子技术基础中的常用公式 第7章 半导体器件 主要内容：半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。 重点：半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。 难点：双极型晶体管。 教学目标：掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。 第8章 基本放大电路 主要内容：放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。 重点：放大电路的工作原理、共射放大电路。 难点：放大电路的工作原理。 教学目标：掌握 放大电路的工作原理、共射放大电路。理解 放大电路的静态分析。了解共集放大电路。 第9章 集成运算放大器
主要内容：运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈、基本运算电路。 重点：基本运算电路。难点：放大电路中的反馈。 教学目标：掌握运算放大器在信号运算与信号处理方面的应用。了解运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈。 第10章直流稳压电源 主要内容：直流稳压电源的组成、整流电路、滤波电路、稳压电路。 重点和难点：整流电路、滤波电路、稳压电路。 教学目标：掌握直流电源的组成。理解整流、滤波、稳压电路。第11章组合逻辑电路 主要内容：集成基本门电路、集成复合门电路、组合逻辑电路的分析、组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 重点：集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。难点：组合逻辑电路的设计。 教学目标：掌握集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。了解组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 - 71 -
word 资料 第12章 时序逻辑电路 主要内容：双稳态触发器、寄存器、计数器。 重点：双稳态触发器。 难点：寄存器、计数器。 教学目标：掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。 7.1 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： )1()(-=T D V u sat R D e I i 式中，i D 为流过二极管的电流，u D 。为加在二极管两端的电压，V T 称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度，单位是K ；q 是电子的电荷量，q=1.602×10-19 C ；k 为玻耳兹曼常数，k = 1.381×10-23 J ／K 。室温下，可求得V T = 26mV 。I R(sat)是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比，即
普通专升本高等数学试题及答案
高等数学试题及答案 一、单项选择题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．设f(x)=lnx ，且函数?(x)的反函数1?-2(x+1) (x)=x-1 ，则 []?=f (x)（ ） ....A B C D x-2x+22-x x+2 ln ln ln ln x+2x-2x+22-x 2．()0 2lim 1cos t t x x e e dt x -→+-=-?（ ） A ．0 B ．1 C ．-1 D ．∞ 3．设00()()y f x x f x ?=+?-且函数()f x 在0x x =处可导，则必有（ ） .lim 0.0.0.x A y B y C dy D y dy ?→?=?==?= 4．设函数,1 31,1 x x x ?≤?->?22x f(x)=，则f(x)在点x=1处（ ） A.不连续 B.连续但左、右导数不存在 C.连续但 不可导 D. 可导 5．设C +?2 -x xf(x)dx=e ，则f(x)=（ ） 2 2 2 2 -x -x -x -x A.xe B.-xe C.2e D.-2e 二、填空题（本大题共10小题，每空3分，共30分） 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 6.设函数f(x)在区间[0，1]上有定义，则函数f(x+14)+f(x-1 4 )的定义域是__________. 7．()()2lim 1_________n n a aq aq aq q →∞ +++ +<= 8．arctan lim _________x x x →∞ = 9.已知某产品产量为g 时，总成本是2 g C(g)=9+800 ，则生产100 件产品时的边际成本100__g ==MC 10.函数3()2f x x x =+在区间[0，1]上满足拉格朗日中值定理的点ξ是_________.
本科期末《模拟电子技术》试题与答案
图2 《模拟电子技术》试题 开卷（ ） 闭卷（√） 考试时长：100分钟 一、单项选择题（10*2=20分） 每小题备选答案中，只有一个符合题意的正确答案。请将选定的答案，按答题卡的要求进 行填涂。多选、错选、不选均不得分。 1、半导体二极管加正向电压时，有（ ） A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ） A 、反向偏置击穿状态 B 、反向偏置未击穿状态 C 、正向偏置导通状态 D 、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（ ） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结正偏，集电结正偏 C 、发射结反偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（ ） A 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC 应当（ ） A 、短路 B 、开路 C 、保留不变 D 、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ） A 、共射电路 B 、共基电路 C 、共集电路 D 、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，（见图2所示）则此三极 管为（ ） A 、PNP 型锗三极管 B 、NPN 型锗三极管 C 、PNP 型硅三极管 D 、NPN 型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（ ） A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A 、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（ ） A 、U0=0.45U2 B 、U0=1.2U2 C 、U0=0.9U2 D 、U0=1.4U2 二、填空题（25*1=25分） 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 V ；锗二极管的门槛电压约为 _ _V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。 2、二极管的正向电阻 ；反向电阻 。
《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)
《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β