最新电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案
电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试
半导体物理课程考试题卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期200 7年1 月14日注：1、本试卷满分70分，平时成绩满分15分，实验成绩满分15分；
2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。
课程成绩构成：平时分，期中分，实验分，期末分
一、选择填空（含多选题）（2×20=40分）
1、锗的晶格结构和能带结构分别是（ C ）。
A. 金刚石型和直接禁带型
B. 闪锌矿型和直接禁带型
C. 金刚石型和间接禁带型
D. 闪锌矿型和间接禁带型
2、简并半导体是指（ A ）的半导体。
A、(E C-E F)或(E F-E V)≤0
B、(E C-E F)或(E F-E V)≥0
C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度
D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子
3、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015 cm-3，则该半导体为（B）半导体；其有效杂质浓度约为（ E ）。
A. 本征，
B. n型，
C. p型，
D. 1.1×1015cm-3,
E. 9×1014cm-3
4、当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（ B ），并且该乘积和（E、F ）有关，而与（ C、D ）无关。
A、变化量；
B、常数；
C、杂质浓度；
D、杂质类型；
E、禁带宽度；
F、温度
5、在一定温度下，对一非简并n型半导体材料，减少掺杂浓度，会使得（ C ）靠近中间能级E i；如果增加掺杂浓度，有可能使得（ C ）进入（ A ），实现重掺杂成为简并半导体。
A、E c；
B、E v；
C、E F；
D、E g；
E、E i。
67、如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（C）。
A、变大，变大
B、变小，变小
C、变小，变大
D、变大，变小
8、最有效的复合中心能级的位置在（D ）附近，最有利于陷阱作用的能级位置位于（C ）附近，并且常见的是（ E ）陷阱。
A、E A；
B、E B；
C、E F；
D、E i；
E、少子；
F、多子。
9、一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。
A、1/4
B、1/e
C、1/e2
D、1/2
10、半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的（ A ）。
A、散射机构； B 、复合机构；
C、杂质浓度梯度；C、表面复合速度。
11、下图是金属和n型半导体接触能带图，图中半导体靠近金属的表面形成了（D ）。
A、n型阻挡层
B、p型阻挡层
C、p型反阻挡层
D、n型反阻挡层
12、欧姆接触是指（ D ）的金属－半导体接触。
A、W ms=0
B、W m s＜0
C、W m s＞0
D、阻值较小并且有对称而线性的伏－安特性
13、MOS器件中SiO2层中的固定表面电荷主要是（ B ），它能引起半导体表面层中的能带（ C ）弯曲,要恢复平带，必须在金属与半导体间加（ F ）。
A．钠离子；B硅离子.；C.向下；D.向上；E. 正电压；F. 负电压
二、证明题：（8分）
由金属－SiO2－P型硅组成的MOS结构，当外加的电压使得半导体表面载流子浓度n s与内部多数载流子浓度P p0相等时作为临界强反型层条件，试证明：此时半导体的表面势为：
22ln ,A
F s B B i N Ei E kT V V V q n q
-==
=其中 证明：设半导体的表面势为V S ，则表面的电子浓度为：
200exp()exp()S i S s p p qV n qV
n n KT p KT
== （2分）
当n s =p p0时，有：20exp(
),S
p i qV p n KT
= （1分）
0exp(
)2S
p i qV P n KT
= （1分）
另外：0
exp()exp()exp()F V i F B p V i i E E E E qV
p N n n KT KT KT
--=-=-= （2分）
比较上面两个式子，可知V S =2V B
饱和电离时，P p0=N A ,即：
exp()2S A i qV
N n KT
= （1分）
故：22ln A
s B i
N KT V V q n ==
（1分）
三、简答题（32分）
1、 解释什么是Schottky 接触和欧姆接触，并画出它们相应的I-V 曲线？（8分）
答：金属与中、低掺杂的半导体材料接触，在半导体表面形成多子的势垒即阻挡层，其厚度并随加在金属上的电压改变而变化，这样的金属和半导体的接触称为Schottky 接触。（2分）
金属和中、低掺杂的半导体材料接触，在半导体表面形成多子的势阱即反阻挡层，或金属和重掺杂的半导体接触，半导体表面形成极薄的多子势垒，载流子可以隧穿过该势阱，形成隧穿电流，其电流－电压特性满足欧姆定律。（2分）
Schottky 势垒接触的I-V 特性 欧姆接触的I-V 特性
（2分） （2分）
2、试画出n 型半导体构成的理想的MIS 结构半导体表面为积累、耗尽、反型时能带图和对
应的的电荷分布图？(3×3分＝9分)
解：对n 型半导体的理想MIS 结构的在不同的栅极电压下，当电压从正向偏置到负电压是，在半导体表面会出现积累、耗尽、反型现象，其对应的能带和电荷分布图如下：
E
v
E i
E F (a )堆积
E i
E F
3、 试画出中等掺杂的Si 的电阻率随温度变化的曲线，并分析解释各段对应的原因和特点
（8分） 解：
ρ
（2分） 电阻率随温度的变化分三个阶段：
AB ：本征激发可忽略。温度升高，载流子浓度增加，杂质散射导致迁移率也升高，故电阻率ρ随温度T 升高下降；（2分）
BC ：杂质全电离，以晶格振动散射为主。温度升高，载流子浓度基本不变。晶格振动散射
(c)反型
E F
E i
导致迁移率下降，故电阻率ρ随温度T 升高上升；（2分）
CD ：本征激发为主。晶格振动散射导致迁移率下降，但载流子浓度升高很快，故电阻率ρ
随温度T 升高而下降；（2分）
4、 试比较半导体中浅能级杂质和深能级杂质对其电学参数的影响，并说明它们在实践中的
不同应用。（7分）
答：在常温下浅能级杂质可全部电离，可显著地改变载流子的浓度，从而影响半导体材料的电导率。深能级杂质在常温下，较难电离，并且和浅能级杂质相比，掺杂浓度不高，故对载流子的浓度影响不大，但在半导体中可以起有效的复合中心或陷阱作业，对载流子的复合作用很强。（4分）
所以，在实际的应用中，通过浅能级杂质调节载流子的浓度、电阻率，改变材料的导电类型；而通过深能级杂质提供有效的复合中心，提高器件的开关速度。（3分）
四、计算题 （2×10分）
1、设p 型硅能带图如下所示，其受主浓度N A =1017/cm 3，已知：W Ag =4.18eV ，W Pt =5.36eV ，N V =1019/cm 3，E g =1.12eV ，硅电子亲和能χ＝4.05eV ，试求：（10分） （1）室温下费米能级E F 的位置和功函数W S ;
（2）不计表面态的影响，该p 型硅分别与Pt 和Ag 接触后是否形成阻挡层？ （3）若能形成阻挡层，求半导体一边的势垒高度。
（已知W Ag =4.81eV, W Pt =5.36eV, N v =1019cm -3, E g =1.12eV, Si 的电子亲和能Χ＝4.05eV ）
解：（1）室温下，杂质全部电离，本征激发可以忽略，则：
0exp()F V
A v E E p N N kT
-==- （1分）
19
1710ln 0.026ln 0.1210
V F V V V A N E E kT E E eV N =+===+ （2分）
∴ 0.12 1.120.12 1.0n g E E eV =-=-= （1分）
所以，功函数为： 1.0 4.05 5.05()s n W E eV χ=+=+= （1分）
(2) 不计表面态的影响，对P 型硅，当W s ＞W m 时，金属中的电子流向半导体，使得表面势V s ＞0，空穴附加能量为qV s ，能带向下弯，形成空穴势垒。故p 型硅和Ag 接触后半导体表面形成空穴势垒，即空穴的阻挡层；而Wpt=5.36eV 大于Ws=5.05eV, 所以p 型硅和Pt 接触后不能形成阻挡层。 （3分）
(3) Ag 和p-Si 接触后形成的阻挡层的势垒高度为：
4.81
5.060.24()D m s qV W W eV =-=-=- （2分）
5、 一个理想的MOS 电容器结构，半导体衬底是掺杂浓度N A =1.5×1015cm -3的p 型硅。如氧
化层SiO 2的厚度是0.1μm 时，阈值电压V T 为1.1V,问氧化物层的厚度为0.1μm 时，其V T 是多少？（10分） 解： 0000
2S S T S B r Q d Q
V V V C εε=-
+=-+ （2分） ∴100
012S
T B
r Q V V d εε--
=
10100
()2S T B r Q V d V εε=-+ （1分） ∴100
01
2S
T B
r Q V V d εε--
=
代入 20200
(
)2S
T B r Q V d V εε=-+ （1分）
可得：022111010.2(2)2(2)2220.1T T B B T B B T B d m V V V V V V V V V d m
μμ=-+=-+=- （2分）
因为：200exp()exp()S i S s p p qV n qV n n KT p KT
==0exp(
)exp()F B A i i Ei E qV
P N n n KT KT -=== （2分） 所以，15
10
1.510ln 0.026ln 0.30()1.510
A B i F i N kT V E E V q n ?=-==?=? （1分）
故22 1.120.3 1.6()T V V =?-?= （1分）
朱俊 2006-12-28
半导体物理试卷b答案
一、名词解释（本大题共5题每题4分，共20分） 1. 直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。 2.本征半导体：不含任何杂质的纯净半导体称为本征半导体，它的电子和空穴数量相同。 3．简并半导体：半导体中电子分布不符合波尔兹满分布的半导 体称为简并半导体。 过剩载流子：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△0和空穴△0称为过剩载流子。 4. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量 答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。 5. 等电子复合中心 等电子复合中心：在 V族化合物半导体中掺入一定量与主原子等价的某种杂质原子，取代格点上的原子。由于杂质原子与主原子之间电性上的差别，中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心。带电中心吸引与被束缚载流子符号相反的载流子，形成一个激子束缚态。这种激子束缚态叫做等电子复合中心。二、选择题（本大题共5题每题3分，共15分）
1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是： 甲．含铝1×10-153乙.含硼和磷各1×10-173丙.含镓1×10-173 室温下，这些样品的电子迁移率由高到低的顺序是（C ）甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙D. 丙甲乙 3．有效复合中心的能级必靠近( A ) A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级 4．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C ） A.10 B.1/△n C.10 D.1/△p 5．半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A ) A.散射机构 B. 复合机构 C.杂质浓变梯度 D.表面复合速度 6．以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（ D ）
(完整版)初三化学下学期期末考试试卷及答案
初三第二学期化学中考模拟试卷 相对原子质量:H—1 C—12 O—16 Ca—40 一、单项选择题（共20分） 27．生活中的以下物质不属于溶液的是（）。 A．牛奶B．消毒酒精C．白醋D．蔗糖水 28．下列关于氢气的用途中，只利用了氢气的物理性质的是（）。 A．充填探空气球B．作氢能源 C．作火箭燃料D．冶炼金属 29．在公共场所吸烟，会使周围的人被动吸“二手烟”。“二手烟”中含有一种能与人体血液中血红蛋白结合的有毒气体，该气体是（）。 A．N2B．O2C．CO2D．CO 30．日常生活中加碘食盐中的“碘”是指（）。 A．元素B．分子C．原子D．单质 31．下列物质中属于纯净物的是（）。 A．雨水B．蒸馏水C．汽水D．自来水 32．走进新装修的房屋常有一股异味，利用有关分子的性质解释该现象，最合理的是（）。 A．分子的质量很小B．分子在不断运动 C．分子间有间隙D．分子的体积很小 33．下面是几种农作物生长时对土壤要求的最佳pH范围：茶5—5．5；西瓜6；大豆6—7； 甜菜7—7．5。如果某地区经常下酸雨，以上农作物最不适宜种植的是（）。 A．茶B．西瓜C．大豆D．甜菜 34．下列物质互为同素异形体的是（）。 A．一氧化碳、二氧化碳B．白磷、红磷 C．冰、水D．天然气、甲烷 35．欲将20℃时的硝酸钠不饱和溶液转变为饱和溶液，可以采取的方法是（）。 A．升高温度B．加入水 C．加入固体硝酸钠D．倒掉一半溶液 36．下列各组物质或其主要成分属于同一种物质的是（）。 A．氢氧化铁、铁锈B．石灰石、生石灰 C．熟石灰、氢氧化钙D．纯碱、烧碱 37．某无色溶液能使紫色石蕊试液变蓝，则该溶液能使无色酚酞试液变（）。 A．蓝色B．红色C．紫色D．无色 38．我国最新研制的高温超导材料氮化硼，经测定该化合物中两种元素的化合价之比为1:1，
半导体物理学简答题及答案
第一章 1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同,原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。答：原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式存在，没有一个固定的轨道；而晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子，在晶体周期性势场中运动。当原子互相靠近结成固体时，各个原子的内层电子仍然组成围绕各原子核的封闭壳层,和孤立原子一样;然而，外层价电子则参与原子间的相互作用，应该把它们看成是属于整个固体的一种新的运动状态。组成晶体原子的外层电子共有化运动较强，其行为与自由电子相似，称为准自由电子，而内层电子共有化运动较弱，其行为与孤立原子的电子相似。 2.描述半导体中电子运动为什么要引入"有效质量"的概念,用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性。 答：引进有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用。惯性质量描述的是真空中的自由电子质量，而不能描述能带中不自由电子的运动，通常在晶体周期性势场作用下的电子惯性运动，成为有效质量 3.一般来说, 对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此，为什么？ 答：不是，能级的宽窄取决于能带的疏密程度，能级越高能带越密，也就是越窄；而禁带的宽窄取决于掺杂的浓度，掺杂浓度高，禁带就会变窄，掺杂浓度低，禁带就比较宽。 4.有效质量对能带的宽度有什么影响，有人说:"有效质量愈大,能量密度也愈大,因而能带愈窄.是否如此，为什么？答：有效质量与能量函数对于K的二次微商成反比，对宽窄不同的各个能带，1（k）随k的变化情况不同，能带越窄，二次微商越小，有效质量越大，内层电子的能带窄，有效质量大；外层电子的能带宽，有效质量小。 5.简述有效质量与能带结构的关系；答：能带越窄，有效质量越大，能带越宽，有效质量越小。 6.从能带底到能带顶,晶体中电子的有效质量将如何变化？外场对电子的作用效果有什么不同； 答：在能带底附近，电子的有效质量是正值，在能带顶附近，电子的有效质量是负值。在外电F作用下，电子的波失K不断改变，f=h(dk/dt),其变化率与外力成正比，因为电子的速度与k有关，既然k状态不断变化，则电子的速度必然不断变化。 7.以硅的本征激发为例,说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系，为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度?答：沿不同的晶向，能量带隙不一样。因为电子要摆脱束缚就能从价带跃迁到导带，这个时候的能量就是最小能量，也就是禁带宽度。 1.为什么半导体满带中的少量空状态可以用具有正电荷和一定质量的空穴来描述? 答：空穴是一个假想带正电的粒子，在外加电场中，空穴在价带中的跃迁类比当水池中气泡从水池底部上升时，气泡上升相当于同体积的水随气泡的上升而下降。把气泡比作空穴，下降的水比作电子，因为在出现空穴的价带中，能量较低的电子经激发可以填充空穴，而填充了空穴的电子又留下了一个空穴。因此，空穴在电场中运动，实质是价带中多电子系统在电场中运动的另一种描述。因为人们发现，描述气泡上升比描述因气泡上升而水下降更为方便。所以在半导体的价带中，人们的注意力集中于空穴而不是电子。 2.有两块硅单晶,其中一块的重量是另一块重量的二倍.这两块晶体价带中的能级数是否相等，彼此有何联系？ 答：相等，没任何关系 3.为什么极值附近的等能面是球面的半导体,当改变磁场方向时只能观察到一个共振吸收峰。答：各向同性。 5.典型半导体的带隙。 一般把禁带宽度等于或者大于2.3ev的半导体材料归类为宽禁带半导体，主要包括金刚石，SiC，GaN,金刚石等。26族禁带较宽，46族的比较小，如碲化铅，硒化铅（0.3ev），35族的砷化镓（1.4ev）。 第二章1.说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下,而且电离能的数值较小？答：被杂质束缚的电子或空穴的能量状态称为杂质能级，电子脱离杂质的原子的束缚成为导电电子的过程成为杂质电离，使这个多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量成为杂质电离能。杂质能级离价带或导带都很近，所以电离能数值小。 2.纯锗,硅中掺入III或Ⅴ族元素后,为什么使半导体电学性能有很大的改变？杂质半导体(p型或n型)应用很广,但为什么我们很强调对半导体材料的提纯?答：因为掺入III或Ⅴ族后，杂质产生了电离，使得到导带中得电子或价带中得空穴增多，增强了半导体的导电能力。极微量的杂质和缺陷，能够对半导体材料的物理性质和化学性质产生决定性的影响，，当然，也严重影响着半导体器件的质量。 4.何谓深能级杂质，它们电离以后有什么特点？答：杂质电离能大，施主能级远离导带底，受主能级远离价带顶。特点：能够产生多次电离，每一次电离相应的有一个能级。 5.为什么金元素在锗或硅中电离后可以引入多个施主或受主能级？答：因为金是深能级杂质，能够产生多次电离，
半导体物理试卷b答案
半导体物理试卷b答案 Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-NNUUT-NUT108】
一、名词解释（本大题共5题每题4分，共20分） 1. 直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。 2.本征半导体：不含任何杂质的纯净半导体称为本征半导体，它的电子和空穴数量相同。 3．简并半导体：半导体中电子分布不符合波尔兹满分布的半导体称为简并半导体。 过剩载流子：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△n=n-n 和空穴 称为过剩载流子。 △p=p-p 4. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量 答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。 5. 等电子复合中心 等电子复合中心：在III- V族化合物半导体中掺入一定量与主原子等价的某种杂质原子，取代格点上的原子。由于杂质原子与主原子之间电性上的差别，中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心。带电中心吸引与被束缚载流子符号相反的载流子，形成一个激子束缚态。这种激子束缚态叫做等电子复合中心。 二、选择题（本大题共5题每题3分，共15分） 1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是： 甲．含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3室温下，这些样品的电子迁移率由高到低的顺序是（C ） 甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙
生物化学期末考试试题及答案-2汇总
《生物化学》期末考试题A 1、蛋白质溶液稳定的主要因素是蛋白质分子表面形成水化膜，并在偏离等电点时带有相同电荷 2、糖类化合物都具有还原性（） 3、动物脂肪的熔点高在室温时为固体，是因为它含有的不饱和脂肪酸比植物油多。（） 4、维持蛋白质二级结构的主要副键是二硫键。（） 5、ATP含有3个高能磷酸键。（） 6、非竞争性抑制作用时，抑制剂与酶结合则影响底物与酶的结合。（） 7、儿童经常晒太阳可促进维生素D的吸收，预防佝偻病。（） 8、氰化物对人体的毒害作用是由于它具有解偶联作用。（） 9、血糖基本来源靠食物提供。（） 10、脂肪酸氧化称B -氧化。（） 11、肝细胞中合成尿素的部位是线粒体。（） 12、构成RN A的碱基有A、U、G、T。（） 13、胆红素经肝脏与葡萄糖醛酸结合后水溶性增强。（） 14、胆汁酸过多可反馈抑制7a -羟化酶。（） 15、脂溶性较强的一类激素是通过与胞液或胞核中受体的结合将激素信号传递发挥其生物（） 、单选题（每小题1分，共20分） 二、单选题（每小题1分，共20分） 1、下列哪个化合物是糖单位间以a -1，4糖苷键相连：() A、麦芽糖 B、蔗糖 C、乳糖 D、纤维素 E、香菇多糖 2、下列何物是体内贮能的主要形式() A、硬酯酸 B、胆固醇 C、胆酸 D、醛固酮 E、脂酰甘油 3、蛋白质的基本结构单位是下列哪个：( ) A、多肽 B、二肽 C、L- a氨基酸 D、L- 3 -氨基酸 E、以上都不是 4、酶与一般催化剂相比所具有的特点是( ) A、能加速化学反应速度 B、能缩短反应达到平衡所需的时间 C、具有高度的专一性 D、反应前后质和量无改 E、对正、逆反应都有催化作用 5、通过翻译过程生成的产物是：（） A、t RNA E、m RNA C、r RNA D、多肽链E、DNA 6、物质脱下的氢经NADH呼吸链氧化为水时，每消耗1/2分子氧可生产ATP分子数量（） A、1 E、2 C、3 D、4. E、5 7、糖原分子中由一个葡萄糖经糖酵解氧化分解可净生成多少分子ATP ? （） A、1 B、2 C、3 D、4 E、5 8、下列哪个过程主要在线粒体进行（） A、脂肪酸合成 B、胆固醇合成 C、磷脂合成
半导体物理学试题库完整
一．填空题 1．能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________.引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。（二阶导数.内部势场） 2．半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________（即量子态按能量如何分布）和_________（即电子在不同能量的量子态上如何分布）。（状态密度.费米分布函数） 3．两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带________电.达到热平衡后两者的费米能级________。（正.相等） 4．半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央.其导带极小值位于________方向上距布里渊区边界约0.85倍处.因此属于_________半导体。（[100]. 间接带隙） 5．间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为_________；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为________。（弗仑克耳缺陷.肖特基缺陷） 6．在一定温度下.与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________.高于费米能级2kT能级处的占据概率为_________。（1/2.1/1+exp(2)） 7．从能带角度来看.锗、硅属于_________半导体.而砷化稼属于_________半导体.后者有利于光子的吸收和发射。（间接带隙.直接带隙） 8．通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统.服从_________的电子系统称为简并性系统。（玻尔兹曼分布.费米分布） 9. 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关.而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。（温度.禁带宽度） 10. 半导体的晶格结构式多种多样的.常见的Ge和Si材料.其原子均通过共价键四面体相互结合.属于________结构；与Ge和Si晶格结构类似.两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_________和纤锌矿等两种晶格结构。（金刚石.闪锌矿） 11.如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化.则具有这种能带结构的半导体称为_________禁带半导体.否则称为_________禁带半导体。（直接.间接） 12. 半导体载流子在输运过程中.会受到各种散射机构的散射.主要散射机构有_________、 _________ 、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。（电离杂质的散射.晶格振动的散射） 13. 半导体中的载流子复合可以有很多途径.主要有两大类：_________的直接复合和通过禁带内的_________进行复合。（电子和空穴.复合中心）
六年级数学下册半期试卷及答案
六年级数学下册期中测试卷 （时限：90分钟 总分：100分） 一、填空（23分） 1．68.05%读作（ ），百分之三点五写作（ ）。 2．（ ）÷8= 38 =24∶（ ）=（ ）%=（ ）（填小数）。 3．在一个比例中，两个外项的积是12，其中一个内项是23 ，另一个内项是（ ）。 4．把一个棱长3cm 的正方体木料削成一个最大的圆锥，这个圆锥的体积是（ ）。 5．在0.955、2425 、9.5%、0.95这四个数中，最小的数是（ ）。 6． 在2、3、4、6、9中选四个数写出一个比例：（ ）。 7．如果a ∶5=b ∶8(a,b 均不为零)，那么a ∶b=（ ），如果a ∶6=5∶3，那么a=（ ）。 8．乐乐把2000元钱存入银行，定期2年，年利率为3.75%，到期时她可得到本金和利息共（ ）元。 9．60吨比（ ）吨少14 ，比36kg 多1 3 是（ ）kg 。 10．如果y =15x ，x 和y 成（ ）比例；如果y = 15 ，x 和y 成（ ）比例。 11．六年级一班有50人参加数学考试，结果2人不达标，达标率是（ ）%。 12．一种商品，每件成本是500元，如果按获利20%定价，再打八折出售，每件亏损（ ）元。 13．一个底面直径和高都是6cm 的圆锥，它的体积是（ ）cm 3 ，比与它等底等高的圆柱的体积少（ ）cm 3 。 14．一个圆柱形木块的高度是8cm ，沿底面直径从中间切开，表面积增加了96cm 2 ，则原来圆柱的表面积是（ ）cm 2 ，体积是（ ）cm 3 。 二、判断（正确的在括号里打“√”，错误的打“×”）。（5分） 1．0.5米布用百分数表示是50%米。（ ） 2．12 ∶1 3 和9∶6这两个比可以组成比例。（ ） 3．圆柱的体积是圆锥体积的3倍。（ ） 4．圆柱的底面半径扩大到原来的3倍，高缩小到原来的13 ， 体积不变。（ ） 5．实际距离一定，图上距离和比例尺成反比例。（ ） 三、选择（将正确答案的番号填在括号里）。（5分） 1．甲数比乙数少20%，甲数与乙数的比是（ ）。 A ．4∶5 B ．5∶4 C ．1∶8 D ．8∶1 2．一个圆柱和一个圆锥的体积和底面积都相等，已知圆柱的高是6cm ，则圆锥的高是（ ）。 A ．2cm B ．3cm C ．6cm D ．18cm 3．下面各项中成反比例关系的是（ ）。 A ．工作总量一定，工作时间和工作效率 B ．正方形的边长和面积 C ．长方形的周长一定，长和宽 D ．三角形的高一定，底和面积 4．一个圆柱侧面展开后是正方形，这个圆柱的底面半径与高的 比为（ ）。 A ．π∶1 B ．1∶1 C ．1∶2π D ．2π∶1 5．下面（ ）中的四个数不能组成比例。 A ．16，8，12， 6 B ．8，3，12，42 C ．14，2，13 ，7 3 D ．0.6，1.5，20，50 四、计算（30分） 1． 直接写出得数。（3分） 27 × 58 = 18 ÷ 3 4 = 3.25＋65%= 1－63%= 45÷45% = 35 × 62.5% = 2．计算，能简算的要简算。（9分） 24×（ 62 . 5%＋ 112 ） 1－（ 512 ＋ 56 ）×30% 37 . 5% × 512 ＋ 38 ×712 3．解方程。（9分） （1－15%）x = 34 18＋30% x = 27 x －25% x =24 4．解比例。（9分） 34 ∶910 = x ∶35 x ∶0.8=0.25∶23 15 2.5 = 0.6 x x
半导体物理期末试卷(含部分答案
一、填空题 1．纯净半导体Si 中掺错误！未找到引用源。族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。 3．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？ 不变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。 4．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 . 5． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载 q n n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 7．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。 8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。 9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。 10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ，其种类为： 雪崩击穿 、和 齐纳击穿（或隧道击穿） 。 11．指出下图各表示的是什么类型半导体？ 12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 载流子的浓度梯度 。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是 电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动 。 二、选择题 1根据费米分布函数，电子占据（E F +kT ）能级的几率 B 。 A ．等于空穴占据（E F +kT ）能级的几率 B ．等于空穴占据（E F －kT ）能级的几率 C ．大于电子占据E F 的几率 D ．大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C ．价带顶 D ．费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C ．经过一极小值趋近E i D ．经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿D ＿。 A ．不含施主杂质 B ．不含受主杂质 C ．不含任何杂质 D ．处于绝对零度
物理化学期末考试试卷及答案10
期末试卷 课程名称： 物理化学A 考试时间： 120 分钟 考试方式： 闭卷 （开卷/闭卷） （卷面总分100分，占总成绩的 60 %） 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分 题分 10 20 8 10 10 10 20 12 核分人 得分 复查人 一、填空题（每小题2分，共10分） 1、实际气体的0???? ????=-H T J P T μ，经节流膨胀后该气体的温度将 。 2、从熵的物理意义上看，它是量度系统 的函数。 3、稀溶液中溶剂A 的化学势 。 4、在ξ-G 曲线的最低点处m r G ? ，此点即为系统的平衡点。 5、一定温度下，蔗糖水溶液与纯水达到渗透平衡时的自由度数等于 。 二、单项选择题（每小题2分，共20分） 1、在标准状态下，反应 C 2H 5OH （l ）+ 3O 2(g) →2CO 2(g) + 3H 2O(g)的反应焓为 Δr H m Θ , ΔC p >0。下列说法中正确的是（ ） (A)Δr H m Θ 是C 2H 5OH （l ）的标准摩尔燃烧焓 (B)Δr H m Θ 〈０ (C)Δr H m Θ＝Δr Ｕm 0 (D)Δr H m Θ 不随温度变化而变化 2、当理想气体其温度由298K 升高到348K ，经(1)绝热过程和(2)等压过程，则两过 程的（ ） (A)△H 1>△H 2 W 1 0 ΔA>0 (B)ΔS>0 ΔA<0 (C)W<0 ΔG<0 (D)ΔH>0 ΔS<0 (E)ΔU>0 ΔG ＝0 得分 评卷人 得分 评卷人 得分 评卷人 得分 评卷人 准考证号和姓名必 须由考生本人填写 △△△△△△△ △△△△△△△ 该考场是 课混 考场。 混编考场代号： 考 座准 考 证 号 姓 名 ○ ○ ○ ○ ○ （装 订 线 内 不 要 答 题 ） ○ ○ ○ ○ ○ ○ △△△△△△△ △△△△△△△ 准考证号、 姓名、 学 院和专业必须由考生 本人填写 △△△△△△△ △ △△△△△△ 场 代 号： △△△△△△△△△△△△△△ 座位序号由考生本人填写 位 序 号 △△△△△△△ △△△△△△△ 姓 名 学 号 ○ ○ ○ ○ ○ （装 订 线 内 不 要 答 题 ） ○ ○ ○ ○ ○ ○ 学院 专业 基本概念题： 第一章半导体电子状态 1.1 半导体 通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的小许多。 1.2能带 晶体中，电子的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。 1.2能带论是半导体物理的理论基础，试简要说明能带论所采用的理论方法。 答： 能带论在以下两个重要近似基础上，给出晶体的势场分布，进而给出电子的薛定鄂方程。通过该方程和周期性边界条件最终给出E-k关系，从而系统地建立起该理论。 单电子近似： 将晶体中其它电子对某一电子的库仑作用按几率分布平均地加以考虑，这样就可把求解晶体中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题。 绝热近似： 近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换，而将实际存在的这种交换当作微扰来处理。 1.2克龙尼克—潘纳模型解释能带现象的理论方法 答案： 克龙尼克—潘纳模型是为分析晶体中电子运动状态和E-k关系而提出的一维晶体的势场分布模型，如下图所示 利用该势场模型就可给出一维晶体中电子所遵守的薛定谔方程的具体表达式，进而确定波函数并给出E-k关系。由此得到的能量分布在k空间上是周期函数，而且某些能量区间能级是准连续的（被称为允带），另一些区间没有电子能级（被称为禁带）。从而利用量子力学的方法解释了能带现象，因此该模型具有重要的物理意义。 1.2导带与价带 1.3有效质量 有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。它概括了周期性势场对载流子运动的影响，从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。其大小由晶体自身的E-k 关系决定。 1.4本征半导体 既无杂质又无缺陷的理想半导体材料。 6 ③3 姓名 1、 2、 3、 4、 5、 7、 8、 2013—2014学年度二年级第一学期 数学期中试卷（西师版） 评分 班级 、想一想，我会填。（31分） 一个角有（）个顶点，（）条边。 一个因数是5,另一个因数是9,积是（） 一条红领巾有（ 6乘5列式为（ 5个3相加的和是（ ）个角。 ）， 5+5+5+5改写成乘法算式是 在O 里填上“ 7X 808X 7 6X 5+7035 数学书的封面有（ 5与3的和是（ ）个直角。 或（ ）,口诀是 V ” “>”。 O 3X 3 5+6 X 5+505X 5 7 O 5X 6 X 806X 9 (1) 5X 8+8=( (2) 8+8+4+4= 9.() 里最大能填几? ( )X 8v 60 46 >( ) X 9 ( 、我会算。 4X 6 = 9X 7 = (10 分) 70-3 8 46+27 7 X 7 = 94-38 = 7+55 = 3X 1 = 5 X 6= 5 9X 6= 7 X 3= 4 4X 6+6= 7 X 9+7= 5 三、我能选正确的答案的序号（5分） 1、 一个三角板上有（ ） ①1 ②2 2、 右图中有（）个角， 个直角。 其中有（ X 5 = X 9 = X 9-6 = X 2 = X 3 = X 5-3 = 3.21连续减（ ）次3, ①7 ②8 4.小明拿了两张5元和1张2元去超市想买一个文具盒，超市阿姨说: 一元就行了。”你知道文具盒要（ ）元。 ①11 ②12 5. 8只青蛙有（ ）条腿 ①16 ②32 才能得到 0。 ③9 “还 差 ③13 ③48 四、判断。（对的打“/，错的打“X” ,6 分） 角的边长越长，角就越大。 1. 2. 3. 4. 5. 6. 4和3相乘，可以写作4X 3,读作3乘4,可以用口诀三四十二计算。 两个数相乘，积一定比这两个数的和小。 直角一定比锐角 大。 三角板中最多有一个直角。 计算6X 3和3X 6可以用同一句口诀口 算。 五、按要求画一画。 1、用；表示下面的乘法算式。（6 分） 3 5X 4 1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量 （ B ）。 A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半 导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。 A. 电子和空穴 B.空穴 C. 电子 3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费 米能级会（ B ）。 A.上移 B.下移 C.不变 4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为 常数，它和（ B ）有关 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 5.MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型 （ B ）。 A.相同 B.不同 C.无关 6.空穴是( B )。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 7.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。 A. 直接 B.间接 8.将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（ A ）杂质作 用，若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心 9. 在热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为 （ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比F E 小的 量子态被电子占据的概率为（ A ）。 A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 10. 如图所示的P 型半导体MIS 结构 的C-V 特性图中，AB 段代表 （ A ），CD 段代表（B ）。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 11. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。 A. ???? ??=i A S n N q T k V ln 0 B. ??? ? ??≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??=i D S n N q T k V ln 0 D. ??? ? ??≥i D S n N q T k V ln 20 12. 金属和半导体接触分为：（ B ）。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 13. 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照 半导体物理学考题 A (2010年1月)解答 一、（20分）简述下列问题: 1．（5分）布洛赫定理。 解答：在周期性势场中运动的电子，若势函数V(x)具有晶格的周期性，即：)x (V )na x (V =+， 则晶体中电子的波函数具有如下形式：)x (u e )x (k ikx =ψ，其中，)x (u k 为具有晶格周期性的 函数，即：)x (u )na x (u k k =+ 2．（5分）说明费米能级的物理意义； 试画出N 型半导体的费米能级随温度的变化曲线。 解答： 费米能级E F 是反映电子在各个能级中分布情况的参数。 能量为E F 的量子态被电子占据的几率为1/2。 N 型半导体的费米能级随温度变化曲线如右图所示：（2分） 3、（5分）金属和N 型半导体紧密接触，接触前，二者的真空能级相等，S M W W <。试画出金属— 半导体接触的能带图，标明接触电势差、空间电荷区和内建电场方向。 解答： 4．（5分）比较说明施主能级、复合中心和陷阱在半导体中的作用及其区别。 解答： 施主能级：半导体中的杂质在禁带中产生的距离能带较近的能级。可以通过杂质电离过程向半导体导带提供电子，因而提高半导体的电导率；（1分） 复合中心：半导体中的一些杂质或缺陷，它们在禁带中引入离导带底和价带顶都比较远的局域化能级，非平衡载流子（电子和空穴）可以通过复合中心进行间接复合，因此复合中心很大程度上影响着非平衡载流子的寿命。（1分） 陷阱：是指杂质或缺陷能级对某一种非平衡载流子的显著积累作用，其所俘获的非平衡载流子数目可以与导带或价带中非平衡载流子数目相比拟。陷阱的作用可以显著增加光电导的灵敏度以及使光电导的衰减时间显著增长。（1分） 浅施主能级对载流子的俘获作用较弱；有效复合中心对电子和空穴的俘获系数相差不大，而且，其对非平衡载流子的俘获几率要大于载流子发射回能带的几率。一般说来，只有杂质的能级比费米能级离导带底或价带顶更远的深能级杂质，才能成为有效的复合中心。而有效的陷阱则要求其对电子和空穴的俘获几率必须有很大差别，如有效的电子陷阱，其对电子的俘获几率远大于对空穴的俘获几率，因此才能保持对 C v FN FM E i E ? C i d V 《生物化学》期末考试题 A 一、判断题（15个小题，每题1分，共15分） 同电荷 2、糖类化合物都具有还原性 ( ) 3、动物脂肪的熔点高在室温时为固体，是因为它含有的不饱和脂肪酸比植物油多。( ) 4、维持蛋白质二级结构的主要副键是二硫键。 ( ) 5、ATP含有3个高能磷酸键。 ( ) 6、非竞争性抑制作用时，抑制剂与酶结合则影响底物与酶的结合。 ( ) 7、儿童经常晒太阳可促进维生素D的吸收，预防佝偻病。 ( ) 8、氰化物对人体的毒害作用是由于它具有解偶联作用。 ( ) 9、血糖基本来源靠食物提供。 ( ) 10、脂肪酸氧化称β-氧化。 ( ) 11、肝细胞中合成尿素的部位是线粒体。 ( ) 12、构成RNＡ的碱基有Ａ、Ｕ、Ｇ、T。 ( ) 13、胆红素经肝脏与葡萄糖醛酸结合后水溶性增强。 ( ) 14、胆汁酸过多可反馈抑制7α-羟化酶。 ( ) 15、脂溶性较强的一类激素是通过与胞液或胞核中受体的结合将激素信号传递发挥其生物() ( ) A、麦芽糖 B、蔗糖 C、乳糖 D、纤维素 E、香菇多糖 2、下列何物是体内贮能的主要形式 ( ) A、硬酯酸 B、胆固醇 C、胆酸 D、醛固酮 E、脂酰甘油 3、蛋白质的基本结构单位是下列哪个： ( ) A、多肽 B、二肽 C、L-α氨基酸 D、L-β-氨基酸 E、以上都不是 4、酶与一般催化剂相比所具有的特点是 ( ) A、能加速化学反应速度 B、能缩短反应达到平衡所需的时间 C、具有高度的专一性 D、反应前后质和量无改 E、对正、逆反应都有催化作用 5、通过翻译过程生成的产物是： ( ) Ａ、ｔRNA Ｂ、ｍRNA Ｃ、ｒRNA D、多肽链Ｅ、DNA 6、物质脱下的氢经NADH呼吸链氧化为水时，每消耗1/2分子氧可生产ATP分子数量( ) Ａ、１Ｂ、２ C、3 Ｄ、４． E、5 7、糖原分子中由一个葡萄糖经糖酵解氧化分解可净生成多少分子ATP？ ( ) A、1 B、2 C、3 D、4 E、5 8、下列哪个过程主要在线粒体进行 ( ) A、脂肪酸合成 B、胆固醇合成 C、磷脂合成 D、甘油分解 E、脂肪酸β-氧化 9、酮体生成的限速酶是 ( ) A、HMG-CoA还原酶 B、HMG-CoA裂解酶 C、HMG-CoA合成酶 D、磷解酶 E、β-羟丁酸脱氢酶 10、有关G-蛋白的概念错误的是 ( ) A、能结合GDP和GTP B、由α、β、γ三亚基组成 C、亚基聚合时具有活性 D、可被激素受体复合物激活 E、有潜在的GTP活性 11、鸟氨酸循环中，合成尿素的第二个氮原子来自 ( ) A、氨基甲酰磷酸 B、NH3 C、天冬氨酸 D、天冬酰胺 E、谷氨酰胺 12、下列哪步反应障碍可致苯丙酮酸尿症 ( ) A、多巴→黑色素 B、苯丙氨酸→酪氨酸 C、苯丙氨酸→苯丙酮酸 D、色氨酸→5羟色胺 E、酪氨酸→尿黑酸 13、胆固醇合成限速酶是： ( ) A、HMG-CoA合成酶 B、HMG-CoA还原酶 C、HMG-CoA裂解酶 高一上期半期考试数学试卷 一、选择题： 1.已知集合M ＝｛x |x ＜3｝，N ＝｛x |22x >｝，则M ∩N ＝ ( ) A ．? B ．｛x |0＜x ＜3｝ C ．｛x |1＜x ＜3｝ D ．｛x |2＜x ＜3｝ 2. 有五个关系式：①?≠ ?}0{；②}0{=?；③?=0；④}0{0∈；⑤ ?∈0 其中正确的有 （ ） A.1个. B.2个. C.3个. D.4个. 3．下列各组函数中表示同一函数的是（ ） A ．()f x x = 与()()2 g x x = B ．()f x x = 与()3 3g x x = C ．()f x x x = 与()()()2200x x g x x x ? >?=?- > B.c b a >> C.b a c >> D.a c b >> 6．下列函数为偶函数且在[)+∞,0上为增函数的是（ ） A ．y x = B ．2y x = C ．2x y = D ．2x y -= 7．已知函数???>-≤=2 ),1(log 2 ,2)(2x x x x f x ，则))5((f f 的值为( ) A ．1 B ．2 C ．3 D ．4 8. 下 列 函 数 中 值 域 为 ) ,0(+∞的是 （ ） A. y =－5x B.y =(31 )1-x C.y =1)2 1(-x D.y =x 21- 9.若)(x f 是偶函数，其定义域为()+∞∞-,，且在[)+∞,0上是减函数，则 )2 5 2()23(2++-a a f f 与的大小关系是（ ） O x y O x y O x y O x y A B C D ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 B 卷 （ 120分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日 课程成绩构成：平时 10 分， 期中 5 分， 实验 15 分， 期末 70 分 一、填空题: （共16分，每空1 分） 1. 简并半导体一般是 重 掺杂半导体，忽略。 2. 处在饱和电离区的N 型Si 半导体在温度升高后，电子迁移率会 下降/减小 ，电阻 3. 4. 随温度的增加，P 型半导体的霍尔系数的符号 由正变为负 。 5. 在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有 杂质补偿 的作用，在制 造各种半导体器件时，往往利用这种作用改变半导体的导电性能。 6. ZnO 是一种宽禁带半导体，真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位，存在 氧空位的ZnO 半导体为 N/电子 型半导体。 7. 相对Si 而言，InSb 是制作霍尔器件的较好材料，是因为其电子迁移率较 高/ 8. 掺金工艺通常用于制造高频器件。金掺入半导体Si 中是一种 深能级 9. 有效质量 概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过回旋共振实验来测量。 10. 某N 型Si 半导体的功函数W S 是4.3eV ，金属Al 的功函数W m 是4.2 eV ， 该半导 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 体和金属接触时的界面将会形成 反阻挡层接触/欧姆接触 。 11. 有效复合中心的能级位置靠近 禁带中心能级/本征费米能级/E i 。 12. MIS 结构中半导体表面处于临界强反型时，表面少子浓度等于内部多子浓度，表面 13. 金属和n 型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电 二、选择题（共15分，每题1 分） 1. 如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是 D 。 A. 禁带变宽 B. 少子迁移率增大 C. 多子浓度减小 D. 简并化 2. 已知室温下Si 的本征载流子浓度为310105.1-?=cm n i 。处于稳态的某掺杂Si 半导体 中电子浓度315105.1-?=cm n ，空穴浓度为312105.1-?=cm p ，则该半导体 A 。 A. 存在小注入的非平衡载流子 B. 存在大注入的非平衡载流子 C. 处于热平衡态 D. 是简并半导体 3. 下面说法错误的是 D 。 A. 若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定处于绝对零度 B. 计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计 C. 处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大 D. 半导体中，导带电子都处于导带底E c 能级位置 4. 下面说法正确的是 D 。 A. 空穴是一种真实存在的微观粒子 B. MIS 结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联 C. 稳态和热平衡态的物理含义是一样的2012半导体物理知识点及重点习题总结
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