phase11半导体热阻分析仪

phase11半导体热阻分析仪
phase11半导体热阻分析仪

Phase 11 Phase10半导体热阻分析仪

米力光 MICOFORCE

一、Analysis Tech Phase11 Phase10概述

半导体热分析仪Semiconductor Thermal Analyzer热阻测试仪,

由美国Analysis Tech Inc公司的PHASE10 PHASE11 热阻测试仪电子封装器件,符合美军标和JEDEC标准. Analysis Tech Inc.成立于1983年,坐落于波士顿北部,是电子封装器件可靠性测试的国际设计,制造公司。他的创始人是John W.Sofia,美国麻省理工的博士,并且是提出焊点可靠性,热阻分析和热导率理论的专家. 发表了很多关于焊点可靠性,热阻分析和热导率论文. Analysis Tech Inc.在美国有独的

实验室提供技术支持.。

热阻分析仪Phase 11主要用于二极管、三极管、线性调压器、可控硅、LED、MOSFET、MESFET、IGBT、IC等分立功率器件的热阻测试和分析。

二、Analysis Tech Phase 11 Phase10工作原理及测试过程

Phase 11采用油浴法测定热敏参数校正曲线。在通以感应电流结还没有明显产生热量时,如果给定足够的时间,结温和壳温将达到热平衡,壳温非常接近结温。将热电偶直接连接到器件表面采集数据时,油浴将充分保证器件的温度稳定并且使

热电偶采集的温度等于感应结温。

在这个环节中,感应电流大小的选择是很重要的。感应电流过大,会导致结温明显变化;感应电流过小,会导致正向压降值测量误差较大。Phase 11 感应电流的可选范围是0.1mA~50mA,完全符合JEDEC标准。

在加热器件的过程中,Phase 11 采用了脉冲加热方式,如下图所示:

加热电流和感应电流通过电子开关切换的方式轮流工作。每加热15秒,测量1次热敏参数,即获得1个结温值,测量完之后继续加热,加热15秒,再次测量结温值,如此反复工作。在这个过程中,系统将每次测量到的结温值和前面7个结温值进行比较,如果连续8个结温值相同,系统会判定器件达到热平衡,并计算出稳态热阻值。

如果用户需要得到热阻热容曲线,只需要将电子开关锁定在测量端即可。此时,因为没有了加热电流,器件开始降温,通过监测器件电压可以得到一条温度下降的曲线,进而通过一系列数学变换得到热阻热容曲线以及瞬态热阻抗曲线。

三、Analysis Tech Phase 11Phase10 技术指标

?加热电流测量精度(低电流测量:0.2A,1A和2A测量)

2A系统:±1mA,10A系统:±5mA,20A系统:±10mA

?加热电流测量精度(高电流测量:2A,10A和20A测量)

2A系统:±4mA,10A系统:±20mA,20A系统:±40mA

?加热电压测量精度:±0.2%读数±0.025%量程

?热电偶测量精度(T型):典型±0.1℃,最大±0.3℃

?结温测量精度:典型±0.1℃

?结温测量延迟时间:1us

?设备工作电压:220VAC,3A,50/60Hz

?器件的最大供电电压:5V(选配Power Booster可以扩展到100V)

?器件的最大供电电流:2A,10A,20A(选配Power Booster可以扩展到1000A)?结温的感应电流:1mA,5mA,10mA,20mA,50mA,0.1~50mA可设定

四、附件介绍

1、Nuova校准浴锅

用来得到节电压和结温的函数关系即K值。

产品特点:

1)由集成在热阻分析仪中的模块直接进行温度控制

2)使用有陶瓷镀层的磁力搅拌器

3)带有冷却风扇的坚固底盘能够控制升温速率并保证安全性

4)有盖的四升不锈钢水浴锅

5)悬挂结构支持部件被校准

6)四升绝缘良好的导热矿物油,对环境无害并能重复使用

2、EVN-12静止空气测试箱

EVN-12是用于在标准化的静止空气环境中测试元件。自然对流条件下的热阻测量会对实验室里的不期望的空气流动非常敏感。这套静止空气测试箱可以排除这种潜在的产生测试错误的因素。

3、风洞

相对于静止空气测试箱,伺服控制风洞提供了一个强制对流、均匀一致的测试环境。在测试对气流比较敏感的器件时,我们能够更加准确地测量出器件在不同风速下的热阻。

4、Rjc测试夹具(风冷型)

风冷型Rjc测试夹具是一个高性能的风冷型热沉,可以很方便地固定被测器件,是测量JEDEC标准定义Rjc的理想夹具。Rjc测试夹具采用了一种特殊的装置可以准确的测量壳温。

5、Rjc测试夹具(水冷型)

水冷型Rjc测试夹具需要配合循环冷水机使用,具有散热迅速的特点,通常用来测试IGBT和MOSFET等功率较大的器件。

6、Rjb测试夹具

完全按照JEDEC JESD51-8的要求设计,用来测试结到电路板的热阻。

7、LED高压放大器

当被测LED的正向压降高于5V,可以选择LED高压放大器,提供28V的测试电压。

8、功率放大器

提供高达200A,400A和1000A的加热电流。

9、热阻分析仪校准仪

溯源到NIST,可以用于热阻分析仪的故障诊断,建议每半年对热阻分析仪做一次校准。

10、热电偶校准仪

溯源到NIST,用于对热电偶接口进行校准。

五、Analysis Tech Phase 11主要特色

?所有测试数据、图像全屏显示

?高速数据采集和分析,能对各种类型器件进行测试

?能够输出常规的数据和文件类型,能将设置参数和数据存储在硬盘上

?能对操作人员的错误和测试数据的有效性进行连续监测

?四线制测试方法排除测试导线电阻的影响

?兼容IEEE488和RS-232C通讯方式,测试方法遵循MIL&JEDEC标准

?根据电流、功率或ΔTj对器件的功率进行自动控制,用户选择热平衡的监测方法?对附属设备进行自动控制,对集成电路和多芯片模块有多结探测能力

?三个内部参考热电偶,能通过红外线对器件表面的温度进行测试

?有标准和常规的测试夹具,设备校准方便

Analysis Tech Thermal Analyzers measure semiconductor junction temperatures using the electric method of junction temperature measurement for testing all types of semiconductor devices. This capability is the foundation of numerous test methods including: thermal resistance, transient thermal impedance, die attach screening and functional power cycling. The convenient flexibility of the analyzer also facilitates interconnected control of other laboratory test equipment.

Semiconductor Thermal Analyzers perform thermal measurements on all types of packaged semiconductor devices including diodes, LEDs, bipolar transistors, MOSFETs, functional analog/digital integrated circuits, ACSICS, IGBTs, SCRs, TRIACs, and thermal-test-dies. All products offered conform to applicable JEDEC and MIL Standards.

Using the electrical method of junction temperature measurement, Analysis Tech Thermal Analyzers accurately measure component thermal parameters - essential for design and implementation of thermally reliable electronics. In addition to equipment sales, Analysis Tech offers Component Test Services for thermal characterization of semiconductor devices at our factory test-laboratory.

This type of test equipment is alternately known as: semiconductor thermal resistance testers, semiconductor thermal impedance testers, component thermal resistance testers, component thermal impedance testers, die attach testers, die attachment testers.

The Analysis Tech Thermal Analyzer Phase 11 provides comprehensive automated control of semiconductor thermal measurements for production and development testing with powerful features such as:

All Test Modes:

?Test capabilities for all device-types: diodes, LEDs, bipolars, MOSFETs, IGBTs, functional ICs, thryistors, thermal test dies

?Automated high speed data collection, reduction, and analysis

?Compatible with all 750E Mil Stds and JEDEC 51 Series methods

?Data plots for all test parameters in all tests modes

?Simple, automated "in-lab" instrument-calibration procedures ?Various text and graphics file formats for convenient exporting ?Continuous intelligent monitoring for errors and data validity

?Kelvin (4-wire) connections to eliminate test cable resistances effects

?Compatibility with USB, IEEE 488, and RS-232C communications

?10/100 Ethernet NIC interface

?Test methods compatible with MIL & JEDEC test standards

?Selection of automatic power-control by current, wattage, and ΔTj

?Standard and custom test fixturing available ?Windows XP Pro operating system

Steady State Thermal Resistance Mode:

?Multi-junction temperature sensing capability for ICs & multi-die devices

?User-selectable thermal equilibrium criteria

?Batch-mode for determining power level and air flow effects

?Control of accessory laboratory equipment for integrated testing ?Infrared case temperature measurement capability

?Capability for automatically switching the device under test

Die Attach or Power Pulse Mode:

?Pass/Fail or bin sorting based on die-attach quality

?Serialized part testing

?Data plots of all parameters including die-attach histogram

?Extended-life testing with interspersed die-attach testing

?Interface for mechanized device handlers

?Batch mode die-attachment production testing multi-chip modules

Heating Characterization / Transient Thermal Impedance Mode:?Heating and cooling curve time-resolution: 1 microsecond

?Heating and cooling curve span: 1 microsecond - 10,000 seconds

?Heating and cooling curve points-per-decade plotted: 15

?Utilizes time-constant-spectrum and structure function analyses ?Optimized compact dynamic RC models with 2-8 discrete stages

Multiple Sense-Junction Channels

Up to eight junction temperatures can be simultaneously sensed for testing devices with multiple junctions

and for characterizing multi-chip packages or modules. In multiple-die packages, the die-to-die heating (thermal cross-coupling) must be measured to accurately characterize these type of packages. For testing functional integrated circuits (ICs), multiple sense junctions offer validation of the junction temperature (Tj) readings in instances where some of the Tj sense connections are subject to the spurious electrical effects

of other portions of the IC circuitry. When testing hybrids and large-die ICs, multiple sense junctions can

reveal temperature distributions that occur when substantial temperature variations exist within the test device. Multiple sense channel applications include:

?Multi-die devices where multiple heat sources may exist

?Thermal cross-coupling associated with multi-chip devices

?Larger devices which may exhibit substantial temperature

gradients during normal powered operation

Multiple sense channels also permit the calibration of up to 8 sense junctions simultaneously for faster calibration through-put.

Batch Mode and Bin Sorting for Power Pulse Testing

Accurate and rapid screening of device thermal characteristics can dramatically enhance production-device reliability. Die Attachment testing provides an excellent gauge of the chip attachment-quality in terms of the device impedance. The Phase 11 Thermal Analyzer provides programmable relay drivers for controlling external devices during Power Pulse Testing. These drivers offer the following capabilities:

?switching between test points in hybrid circuit test fixtures for multiple sequenced tests

?manual or automatic handler controls bin sorting based on die attachment test results

The test switching capability of the Thermal Analyzer allows one test fixture to carry all the test connections or test-point probes for a batch of tests required for testing complex hybrids. Thus all significant die attachments on a hybrid can be tested with one insertion and one test initiation.

Bin sorting is utilized in die attach testing to rapidly sort devices based on die-attachment quality. The bin sorting control can be used with manual insertion testing or with automatic component transfer systems

which would insert devices to be tested into test fixtures and subsequently eject the tested device into one

of up to eight bins. (see Die Attach Testing in Production Environments)

Accessory Equipment Control Ports

Frequently, device thermal performance must be evaluated over a range of external conditions. Such conditions might include cooling air flow, ambient operating temperature, coolant flow rate, or the heating supply voltage. The Thermal analyzer can control accessory test equipment via USB, IEEE, or serial communication to

achieve integrated batch testing under a wide range of external conditions. The Analysis Tech accessory

Batch Switching Module provides a convenient means to switch the device-under-test so that many devices can be tested sequentially in batch mode.

The simple setup and control procedures of the Thermal Analyzers allow the test engineer to initiate up to 200 tests in batch mode. Tests are successively executed automatically: as a test reaches completion,

the external condition is incremented and the test cycle repeated until the batch of tests is completed.

Once these batch tests have begun, data reporting and accessory equipment control are automatically coordinated.

The Analysis Tech Phase 11 Thermal Analyzer performs a variety of semiconductor thermal tests controlled from a powerful Windows based operating program and continuous-display front panel meters.

The convenient user-interface facilitates complete thermal characterization for any type of semiconductor device or package type according to Mil Std 750E and JEDEC 51 Series methods..

The Phase 11 Thermal Analyzer can be easily configured to perform tests on a wide range of device types including digital or analog functional integrated circuits, thermal test dice, bipolar transistors, diodes, MOSFETS, IGBTS, thyristors, and ASICs. During testing, comprehensive graphic data-displays offer superb detail on all test data, thus promoting confidence and understanding of the test results.

All semiconductor junction temperatures are accurately measured using the electrical method.

Parts can be tested by simply selecting the part-specific Setup File which includes all of the necessary

test parameters for the desired test method. Test data is stored on the PC hard disk including final numerical data such as thermal resistance, power levels, reference temperatures, as well as data plots, and pass/fail evaluations. Text and graphic files can be stored in various file formats as needed for

export to other Windows applications. A network connection (NIC) is provided so that test data can

be archived to your LAN.

The Analysis Tech Phase 11 Thermal Analyzer provides manual or automatic heating power control.

Three thermocouples reference temperatures ports are provided for measurement of external package temperatures such case, lead, etc. Thermal equilibrium is automatically detected based on a variety

of user-selectable criteria. Real-time data plots and tabular displays are readily accessible as testing proceeds. Batch Mode testing offers automatic sequencing of tests with alternate power levels,

different test-devices, or varied environmental conditions such as ambient air flow speed or temperature.

The Phase 10/11 Calibrator offers a powerful and convenient method for annual or biannual instrument calibration without the expense and "down-time" associated with typical "cal-lab" procedures. Thermocouple calibration is comprehensive and automated with the Phase 10/11 Tc Calibrator.

Die attachment bin-sorting offers an efficient means to sort devices according to the thermal quality of the die attachment. Power Pulse Batch Mode performs a rapid sequence of die-attachment tests on up to

eight separate devices. With this capability, multiple active devices on a multi-chip module can be tested for die-attachment with one insertion of the device-under-test.

The Analysis Tech Phase 11 Thermal Analyzer uses an external DC supply for the heating power source, coupled to the Thermal Analyzer via a rear-panel connection. In all test modes, the external supply is controlled by the Thermal Analyzer to provide the desired heating-power level. The external power supply is not included with the Thermal Analyzer but can be purchased as part of the Discount Accessory Package or separately.

The maximum power handling capacity of the Analysis Tech Phase 11 Thermal Analyzer is 100W, 500W, and 1000W for the 2A, 10A, and 20 A analyzers, respectively. The Power Booster accessory offers heating currents up to 1000 amps and heating power levels up to 6000 watts.

All Thermal Analyzer sales include free training at our factory-based test lab facilities.

热导仪操作步骤

NETZSCH LFA467HyperFlash热导仪操作步骤 1.依次打开冷水机开关、仪表开关,按仪表上的ok键,显示温度(设置为25℃), 打开测试台开关(后面)。 2.打开软件,打开诊断→炉体温度→查看信号,查看显示的温度是否正常。 3.加液氮,速度要慢,一直加到漏斗两边的口有液氮溢出(口不要对着人), 过几分钟在加一点液氮直到溢出。长时间测试,需3-4小时加一次液氮。4.准备样品,黑色样品及不反光的样品可直接测,浅色及反光样品需喷涂石墨, 不能喷太厚,会影响热导率, 5.放样。按住safety(右侧)+open键打开炉体,直到open灯亮,拿开盖子, 用镊子取出样品托盘,放入样品,不测的位子要盖住,盖上盖子,按 safety+close键,直到close灯常亮。 6.设置样品参数。文件→建数据库(第一次建,以后每次都使用这一个)→新 建测量→测量设定→常规→炉体→样本(点击样品位置,设置样品参数,设定测量模板、比热表、热膨胀表)→设定测量温度和测试点→点击测量。 7.测量完成后,要等到炉体温度达到室温才能关仪器。 8.分析、导出数据,打印→pdf/输出→导出数据→excel 数据取平均值(M),测量→计算。 备注:直接测量的参数是热扩散系数; 测量温度范围为25℃~500℃; Lock在测试的时候为锁定状态; 400℃~500℃测量要加氮气保护; 测比热时,需要选定一个标准样品(cp-参考),标准样品和待测样品的热扩散系数相近,厚度尽量一直。对于未知的参数,选择dl-constant。 使用的样品规格有:Φ25.4mm、Φ12.7mm、Φ6mm、10mm×10mm,厚度不超过6mm。

B1500A 半导体器件分析仪主机

B1500A 半导体器件分析仪主机/EasyEXPERT 软件 主要特性与技术指标 测量功能 ?在0.1 fA - 1 A / 0.5 μV - 200 V 范围内执行精确的电流-电压(IV)测量,支持点测量、扫描测量、采样和脉冲测量 ?在1 kHz 至5 MHz 频率范围内执行交流电容测量,支持准静态电容-电压(QS-CV)测量 ?先进的脉冲IV 测量和超快IV 测量,最低采样间隔为5 ns(200 MSa/s) ?高达40 V 的高压脉势,适用于非易失存储器测试 ?测量模块可升级至10 插槽配置 工作环境(包含EasyEXPERT) ?EasyEXPERT 软件(链接至EasyEXPERT)在嵌入式Windows 7 中运行 ?数百种测量程序库在需要时即可使用(应用测试) ?15 英寸触摸屏支持您在器件表征时采取直观的操作、分析与探测 ?自动数据记录功能支持测试数据和测试条件的恢复,可使您轻松地进行探测 ?利用曲线追踪(旋钮操作)和自动记录特性来实现实时交互表征 ?利用便捷的在线/离线测试环境完成测试开发与分析(台式EasyEXPERT),从而最大限度地发挥仪器效用 描述 Agilent B1500A 半导体器件分析仪是一款用于器件表征的综合解决方案。它支持IV、CV、脉冲IV 及快速IV 测量,可对器件、材料、半导体、有源/无源元件以及任意电气器件进行各种电气表征和评测。模块化结构可使您根据测试需求随时把仪器升级到10 插槽配置。嵌入式Windows 7 和功能强大的EasyEXPERT 软件借助先进的图形用户界面(GUI),可让您执行高效、数据可恢复的器件表征。Agilent B1500A 是唯一一款能够适应多种测量需要的参数分析仪,具备极高的测量可靠性和易于使用的测试环境,可实现高效、数据可恢复的器件表征。 Agilent EasyEXPERT 是一款基于图形用户界面的必备软件,在B1500A 嵌入式Windows?7 中运行。它支持所有类型的参数测试,从基本的IV 和CV 扫描到超快速IV 和脉冲IV 测量等等。数百种即用型程序库(应用测试)可使您非常轻松地立即开始进行复杂测量。仪器的全部操作通过15 英寸触摸屏、简单的键盘和鼠标操作来实现。EasyEXPERT 软件还提供高效测试环境,支持您在器件表征时采取直观的操作、分析与探测。测试条件和测量数据可以自动保存到工作区内,使您毫不费力地完成器件表征。 EasyEXPERT 主要特性: ?支持所有类型的参数测试,从基本的IV 和CV 扫描到超快速IV 和脉冲IV 测量等等

半导体封装技术向高端演进 (从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP)

半导体器件有许多封装形式,按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP,技术指标一代比一代先进。总体说来,半导体封装经历了三次重大革新:第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装,它极大地提高了印刷电路板上的组装密度;第二次是在上世纪90年代球型矩阵封装的出现,满足了市场对高引脚的需求,改善了半导体器件的性能;芯片级封装、系统封装等是现在第三次革新的产物,其目的就是将封装面积减到最小。 高级封装实现封装面积最小化 芯片级封装CSP。几年之前封装本体面积与芯片面积之比通常都是几倍到几十倍,但近几年来有些公司在BGA、TSOP的基础上加以改进而使得封装本体面积与芯片面积之比逐步减小到接近1的水平,所以就在原来的封装名称下冠以芯片级封装以用来区别以前的封装。就目前来看,人们对芯片级封装还没有一个统一的定义,有的公司将封装本体面积与芯片面积之比小于2的定为CSP,而有的公司将封装本体面积与芯片面积之比小于1.4或1.2的定为CSP。目前开发应用最为广泛的是FBGA和QFN等,主要用于内存和逻辑器件。就目前来看,CSP的引脚数还不可能太多,从几十到一百多。这种高密度、小巧、扁薄的封装非常适用于设计小巧的掌上型消费类电子装置。 CSP封装具有以下特点:解决了IC裸芯片不能进行交流参数测试和老化筛选的问题;封装面积缩小到BGA的1/4至1/10;延迟时间缩到极短;CSP封装的内存颗粒不仅可以通过PCB板散热,还可以从背

面散热,且散热效率良好。就封装形式而言,它属于已有封装形式的派生品,因此可直接按照现有封装形式分为四类:框架封装形式、硬质基板封装形式、软质基板封装形式和芯片级封装。 多芯片模块MCM。20世纪80年代初发源于美国,为解决单一芯片封装集成度低和功能不够完善的问题,把多个高集成度、高性能、高可靠性的芯片,在高密度多层互联基板上组成多种多样的电子模块系统,从而出现多芯片模块系统。它是把多块裸露的IC芯片安装在一块多层高密度互连衬底上,并组装在同一个封装中。它和CSP封装一样属于已有封装形式的派生品。 多芯片模块具有以下特点:封装密度更高,电性能更好,与等效的单芯片封装相比体积更小。如果采用传统的单个芯片封装的形式分别焊接在印刷电路板上,则芯片之间布线引起的信号传输延迟就显得非常严重,尤其是在高频电路中,而此封装最大的优点就是缩短芯片之间的布线长度,从而达到缩短延迟时间、易于实现模块高速化的目的。 WLCSP。此封装不同于传统的先切割晶圆,再组装测试的做法,而是先在整片晶圆上进行封装和测试,然后再切割。它有着更明显的优势:首先是工艺大大优化,晶圆直接进入封装工序,而传统工艺在封装之前还要对晶圆进行切割、分类;所有集成电路一次封装,刻印工作直接在晶圆上进行,设备测试一次完成,有别于传统组装工艺;生产周期和成本大幅下降,芯片所需引脚数减少,提高了集成度;引脚产生的电磁干扰几乎被消除,采用此封装的内存可以支持到800MHz的频

半导体器件参数(精)

《党政领导干部选拔任用工作条例》知识测试题(二) 姓名:单位: 职务:得分: 一、填空题(每题1分,共20分): 1、《党政领导干部选拔任用工作条例》于年月发布。 2、《党政领导干部选拔任用工作条例》是我们党规范选拔任用干部工作的一个重要法规,内容极为丰富,共有章条。 3、干部的四化是指革命化、知识化、年轻化、专业化。 4、,按照干部管理权限履行选拔任用党政领导干部的职责,负责《条例》的组织实施。 5、党政领导班子成员一般应当从后备干部中选拔。 6、民主推荐部门领导,本部门人数较少的,可以由全体人员参加。 7、党政机关部分专业性较强的领导职务实行聘任制△I称微分电阻 RBB---8、政协领导成员候选人的推荐和协商提名,按照RE---政协章程和有关规定办理。 Rs(rs----串联电阻 Rth----热阻 结到环境的热阻

动态电阻 本机关单位或本系统 r δ---衰减电阻 r(th--- Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 、对决定任用的干部,由党委(党组)指定专人同本人 tg---电路换向关断时间 12 Tj---和不同领导职务的职责要求,全面考察其德能勤绩廉toff---。 tr---上升时间13、民主推荐包括反向恢复时间 ts---存储时间和温度补偿二极管的贮成温度 p---发光峰值波长 △λ η---

15、考察中了解到的考察对象的表现情况,一般由考察组向VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降(正向峰值电压) 、正向压降(正向直流电压) △政府、断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---17、人民代表大会的临时党组织、人大常委会党组和人大常委会组成人员及人大代表中的党员,应当认真贯彻党委推荐意见 VGRM---门极反向峰值电压,带头(AV 履行职责交流输入电压 最大输出平均电压

盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司_中标190924

招标投标企业报告 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司

本报告于 2019年9月24日 生成 您所看到的报告内容为截至该时间点该公司的数据快照 目录 1. 基本信息:工商信息 2. 招投标情况:中标/投标数量、中标/投标情况、中标/投标行业分布、参与投标 的甲方排名、合作甲方排名 3. 股东及出资信息 4. 风险信息:经营异常、股权出资、动产抵押、税务信息、行政处罚 5. 企业信息:工程人员、企业资质 * 敬启者:本报告内容是中国比地招标网接收您的委托,查询公开信息所得结果。中国比地招标网不对该查询结果的全面、准确、真实性负责。本报告应仅为您的决策提供参考。

一、基本信息 1. 工商信息 企业名称:盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司统一社会信用代码:91330200MA2AHN2244工商注册号:/组织机构代码:MA2AHN224 法定代表人:项习飞成立日期:2018-03-22 企业类型:有限责任公司(中外合资)经营状态:存续 注册资本:2000万美元 注册地址:浙江省宁波市鄞州区云龙镇石桥村 营业期限:2018-03-22 至 2068-03-21 营业范围:二手半导体设备及配件的翻新、改造、安装、维护、销售;半导体设备的研发、生产、销售;半导体生产及研发设备的技术服务;自营或代理货物和技术的进出口,但国家限制经营或禁止进出口的货物和技术除外;半导体相关的功能材料、器件、配件及相关产品的技术开发、生产、销售和咨询。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) 联系电话:*********** 二、招投标分析 2.1 中标/投标数量 企业中标/投标数: 个 (数据统计时间:2017年至报告生成时间) 6

热导分析仪维护

1.4热导分析仪 1.4.1框图及原理 热导式分析仪是利用各种气体的热传导速度各不相同的物理特性制成的,可分析混合气体中某组分的百分含量,彼此无化学反映的混合气体的导热系数近似为各组分导热系数的算术平均值。使用时需满足:混合气体中除被测组分外,其余组分导热系数相近,且被测组分与其余组分导热系数要有明显差别。即入(侧)>>入(其余),入(混)=入(其余)+〔入(侧)—入(其余)〕×C(侧),因H2的导热系数最大,传热能力最强,CO2、SO2、Ar等比一般气体导热系数小,故热导式分析仪一般用于测以上几种。 (1)热导式分析仪检测器(热导池)的工作原理 由于气体导热系数都很小,直接测量较难,一般使导热系数变化转为热敏电阻值的变化,经测组值来测待测组分的体积百分含量。 热导池一般为圆筒内垂直挂一热敏电阻(如铂丝),电阻上通电流,气室内电阻丝产生的热量为Q=0.24I2Rn(Rn:电流工作作用下电阻丝平衡温度Tn 时的阻值)。 电阻丝向四周散热形式有:周围气体的热传导、热对流、辐射散热、被流通气体带走的热量、电阻丝轴向热传导等,只有热传导是经导热系数来反映的,其余为干扰,为减少干扰可用加大电阻丝长度与直径比、控制电阻丝热平衡温度,减去气室内壁温度<200℃,减小气室内半径、使被测气体流量小且恒定等措施。 当电阻丝产生的热量与经气体热传导所散失的热量相等时达到热量平衡,此时经理论计算电阻丝阻值与导热系数间为单位函数。热导分析仪都有稳压、稳流、恒温装置以保证流过电阻丝的电流、壁温、气体流量稳定。 图1.4.1-1 (2)检测器类型及测量回路 检测器结构有分流式、对流式、扩散式、对流扩散式四种。

IC封装的热特性-热阻

IC封装的热特性 摘要:IC封装的热特性对于IC应用的性能和可靠性来说是非常关键的。本文描述了标准封装的热特性:热阻(用“theta”或Θ表示),ΘJA、ΘJC、ΘCA,并提供了热计算、热参考等热管理技术的详细信息。 引言 为确保产品的高可靠性,在选择IC封装时应考虑其热管理指标。所有IC在有功耗时都会发热,为了保证器件的结温低于最大允许温度,经由封装进行的从IC到周围环境的有效散热十分重要。本文有助于设计人员和客户理解IC热管理的基本概念。在讨论封装的热传导能力时,会从热阻和各―theta‖值代表的含义入手,定义热特性的重要参数。本文还提供了热计算公式和数据,以便能够得到正确的结(管芯)温度、管壳(封装)温度和电路板温度。结温-PN结度 热阻的重要性 半导体热管理技术涉及到热阻,热阻是描述物质热传导特性的一个重要指标。计算时,热阻用―Theta‖表示,是由希腊语中―热‖的拼写―thermos‖衍生而来。热阻对我们来说特别重要。 IC封装的热阻是衡量封装将管芯产生的热量传导至电路板或周围环境的能力的一个标准。给出不同两点的温度,则从其中一点到另外一点的热流量大小完全由热阻决定。如果已知一个IC封装的热阻,则根据给出的功耗和参考温度即可算出IC的结温。 Maxim网站(制造商、布线、产品、QA/可靠性、采购信息)中给出了常用的IC热阻值。 定义 以下章节给出了Theta (Θ)、Psi (Ψ)的定义,这些标准参数用来表示IC封装的热特性。 ΘJA是结到周围环境的热阻,单位是°C/W。周围环境通常被看作热―地‖点。ΘJA取决于IC封装、电路板、空气流通、辐射和系统特性,通常辐射的影响可以忽略。ΘJA专指自然条件下(没有加通风措施)的数值。 ΘJC是结到管壳的热阻,管壳可以看作是封装外表面的一个特定点。ΘJC取决于封装材料(引线框架、模塑材料、管芯粘接材料)和特定的封装设计(管芯厚度、裸焊盘、内部散热过孔、所用金属材料的热传导率)。 对带有引脚的封装来说,ΘJC在管壳上的参考点位于塑料外壳延伸出来的1管脚,在标准的塑料封装中,ΘJC的测量位置在1管脚处。对于带有裸焊盘的封装,ΘJC的测量位置在裸焊盘表面的中心点。ΘJC的测量是通过将封装直接放置于一个―无限吸热‖的装置上进行的,该装置通常是一个液冷却的铜片,能够在无热阻的情况下吸收任意多少的热量。这种测量方法设定从管芯到封装表面的热传递全部由传导的方式进行。 注意ΘJC表示的仅仅是散热通路到封装表面的电阻,因此ΘJC总是小于ΘJA。ΘJC表示是特定的、通过传导方式进行热传递的散热通路的热阻,而ΘJA则表示的是通过传导、对流、辐射等方式进行热传递的散热通路的热阻。 ΘCA是指从管壳到周围环境的热阻。ΘCA包括从封装外表面到周围环境的所有散热通路的热阻。 根据上面给出的定义,我们可以知道: ΘJA= ΘJC+ ΘCA ΘJB是指从结到电路板的热阻,它对结到电路板的热通路进行了量化。通常ΘJB的测量位置在电路板上靠近封装的1管脚处(与封装边沿的距离小于1mm)。ΘJB包括来自两个方面的热阻:从IC的结到封装底部参考点的热阻,以及贯穿封装底部的电路板的热阻。 测量ΘJB时,首先阻断封装表面的热对流,并且在电路板距封装位置较远的一侧安装一个散热片。如下图1所示:

半导体集成电路封装技术试题汇总(李可为版)

半导体集成电路封装技术试题汇总 第一章集成电路芯片封装技术 1. (P1)封装概念:狭义:集成电路芯片封装是利用(膜技术)及(微细加工技术),将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体结构的工艺。 广义:将封装体与基板连接固定,装配成完整的系统或电子设备,并确保整个系统综合性能的工程。 2.集成电路封装的目的:在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响,并为之提供一个良好的工作条件,以使集成电路具有稳定、正常的功能。 3.芯片封装所实现的功能:①传递电能,②传递电路信号,③提供散热途径,④结构保护与支持。 4.在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数:性能,尺寸,重量,可靠性和成本目标。 5.封装工程的技术的技术层次? 第一层次,又称为芯片层次的封装,是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺,使之成为易于取放输送,并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。第二层次,将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。第三层次,将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一个部件或子系统的工艺。第四层次,将数个子系统组装成为一个完整电子厂品的工艺过程。 6.封装的分类?

按照封装中组合集成电路芯片的数目,芯片封装可分为:单芯片封装与多芯片封装两大类,按照密封的材料区分,可分为高分子材料和陶瓷为主的种类,按照器件与电路板互连方式,封装可区分为引脚插入型和表面贴装型两大类。依据引脚分布形态区分,封装元器件有单边引脚,双边引脚,四边引脚,底部引脚四种。常见的单边引脚有单列式封装与交叉引脚式封装,双边引脚元器件有双列式封装小型化封装,四边引脚有四边扁平封装,底部引脚有金属罐式与点阵列式封装。 7.芯片封装所使用的材料有金属陶瓷玻璃高分子 8.集成电路的发展主要表现在以下几个方面? 1芯片尺寸变得越来越大2工作频率越来越高3发热量日趋增大4引脚越来越多 对封装的要求:1小型化2适应高发热3集成度提高,同时适应大芯片要求4高密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性 9.有关名词: SIP :单列式封装 SQP:小型化封装 MCP:金属鑵式封装 DIP:双列式封装 CSP:芯片尺寸封装 QFP:四边扁平封装 PGA:点阵式封装 BGA:球栅阵列式封装 LCCC:无引线陶瓷芯片载体 第二章封装工艺流程 1.封装工艺流程一般可以分为两个部分,用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作,在成型之后的工艺步骤成为后段操作

RQD%20热导式气体分析仪

RQD 热导式气体分析仪 研发中心骆寅超

目录 1、RQD热导分析仪概述 2、热导测量原理及适用范围 3、热导传感器介绍 4、主机电路板讲解 5、常见问题分析

概述 热导式气体分析器是一种重要的物理式分析仪器之一,用来分析气体混合物中个组份的体积百分含量。它结构简单,性能稳定可靠,价格便宜,易于工程上的在线检测,是最早应用于工业现场的分析仪器,现在它广泛用于电站、化肥、空分、冶金等工程领域。是气体分析仪中最常用的一种分析仪器。

RQD的测量原理 热导气体分析器主要依据热量在传递过程中具有的热传导能力来对气体组分进行测量。 但由于气体的热导率很小,其变化量更小,所以很难用直接的方法测量出来。 工业上多采用简洁的方法,把气体热导率的变化转化为热敏元件电阻值的变化,来进行测量。

RQD 的测量对象 基于热导的测量原理,RQD 对测量对象有如下要求: 1、被测气体的热导率应与背景气的热导率相差较大。 2、背景气体应为单一组分气体,或者为多组分混合气体但各个组分的热导率相差不大。 λ=λ1·c 1+λ2·c 2+λ3·c 3.... 常见气体的热导率(0℃时): H 2:41.6 空气:5.83N 2:5.81O 2:5.89CO 2:3.50 Ar :3.98 He :34.8 CH4:7.21 目前我厂RQD 所能测量的组分为:N 2中H 2、空气中H 2、Ar 中H 2、O 2中Ar 、N 2中Ar 、空气中CO 2可以看出,都是两种热导率相差较大的组分间的测量。

例1:已知在合成氨生产中,进入合成塔的原料气的组成及大致浓度范围如下: H2---70~74%N2---23~24% O2---0.5%CH4---0.8% CO,CO2---微量 欲分析其中的H2浓度,判断可否使用热导式分析仪? 1、计算背景气体的等效热导率: λ=λ1·c1+λ2·c2+λ3·c3.... λ=5.81*0.958+5.89*0.021+7.21*0.033+... 2、判断背景各种组分的热导率是否近似相等或十分接近

半导体器件有许多封装形式

MSOP 是一种微型的SOP封装 半导体器件有许多封装形式,按封装的外形、尺寸、结构分类 可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP,技术指标一代比一代先进。总体说来,半导体封装经历了三次重大革新:第一次是在上世纪80年代从引脚插入式 封装到表面贴片封装,它极大地提高了印刷电路板上的组装密度;第 二次是在上世纪90年代球型矩阵封装的出现,满足了市场对高引脚的 需求,改善了半导体器件的性能;芯片级封装、系统封装等是现在第 三次革新的产物,其目的就是将封装面积减到最小。 高级封装实现封装面积最小化 芯片级封装CSP。几年之前封装本体面积与芯片面积之比 通常都是几倍到几十倍,但近几年来有些公司在BGA、TSOP的基础上 加以改进而使得封装本体面积与芯片面积之比逐步减小到接近1的水 平,所以就在原来的封装名称下冠以芯片级封装以用来区别以前的封 装。就目前来看,人们对芯片级封装还没有一个统一的定义,有的公 司将封装本体面积与芯片面积之比小于2的定为CSP,而有的公司将封 装本体面积与芯片面积之比小于1.4或1.2的定为CSP。目前开发应用 最为广泛的是FBGA和QFN等,主要用于内存和逻辑器件。就目前来看,CSP的引脚数还不可能太多,从几十到一百多。这种高密度、小巧、 扁薄的封装非常适用于设计小巧的掌上型消费类电子装置。 CSP封装具有以下特点:解决了IC裸芯片不能进行交流参数测试 和老化筛选的问题;封装面积缩小到BGA的1/4至1/10;延迟时间缩到 极短;CSP封装的内存颗粒不仅可以通过PCB板散热,还可以从背面散热,且散热效率良好。就封装形式而言,它属于已有封装形式的派生 品,因此可直接按照现有封装形式分为四类:框架封装形式、硬质基 板封装形式、软质基板封装形式和芯片级封装。 多芯片模块MCM。20世纪80年代初发源于美国,为解决单一芯片 封装集成度低和功能不够完善的问题,把多个高集成度、高性能、高 可靠性的芯片,在高密度多层互联基板上组成多种多样的电子模块系 统,从而出现多芯片模块系统。它是把多块裸露的IC芯片安装在一块 多层高密度互连衬底上,并组装在同一个封装中。它和CSP封装一样 属于已有封装形式的派生品。 多芯片模块具有以下特点:封装密度更高,电性能更好,与等效 的单芯片封装相比体积更小。如果采用传统的单个芯片封装的形式分 别焊接在印刷电路板上,则芯片之间布线引起的信号传输延迟就显得 非常严重,尤其是在高频电路中,而此封装最大的优点就是缩短芯片 之间的布线长度,从而达到缩短延迟时间、易于实现模块高速化的目 的。 WLCSP。此封装不同于传统的先切割晶圆,再组装测试的做法,而 是先在整片晶圆上进行封装和测试,然后再切割。它有着更明显的优

半导体器件的热阻和散热器设计资料

半导体器件的热阻和散热器设计 一、半导体器件的热阻:功率半导体器件在工作时要产生热量,器件要正常工作就需要把这些热量散 发掉,使器件的工作温度低于其最高结温Tjm 。器件的散热能力越强,其实际结温就越低,能承受的功耗越大,输出功率也越大。器件的散热能力取决于热阻,热阻用来表征材料的热传导性能,以单位功耗下材料的温升来表示,单位是℃/W 。材料的散热能力越强则热阻越小,温升高则表示散热能力差,热阻大。 二、半导体器件热阻的分布: Rt1表示从结到外壳的热阻 Rt2表示外壳到器件表面的热阻 Rta 表示从结到器件表面的热阻,即Rta=Rt1+Rt2 Rtd 为散热板到周围空气的热阻 设未加散热板时的总热阻为Rt ,加散热板后的总热阻为Rts ,则有:Rts=Rta+Rtd<

phase11半导体热阻分析仪

Phase 11 Phase10半导体热阻分析仪 米力光 MICOFORCE 一、Analysis Tech Phase11 Phase10概述 半导体热分析仪Semiconductor Thermal Analyzer热阻测试仪, 由美国Analysis Tech Inc公司的PHASE10 PHASE11 热阻测试仪电子封装器件,符合美军标和JEDEC标准. Analysis Tech Inc.成立于1983年,坐落于波士顿北部,是电子封装器件可靠性测试的国际设计,制造公司。他的创始人是John W.Sofia,美国麻省理工的博士,并且是提出焊点可靠性,热阻分析和热导率理论的专家. 发表了很多关于焊点可靠性,热阻分析和热导率论文. Analysis Tech Inc.在美国有独的 实验室提供技术支持.。 热阻分析仪Phase 11主要用于二极管、三极管、线性调压器、可控硅、LED、MOSFET、MESFET、IGBT、IC等分立功率器件的热阻测试和分析。 二、Analysis Tech Phase 11 Phase10工作原理及测试过程 Phase 11采用油浴法测定热敏参数校正曲线。在通以感应电流结还没有明显产生热量时,如果给定足够的时间,结温和壳温将达到热平衡,壳温非常接近结温。将热电偶直接连接到器件表面采集数据时,油浴将充分保证器件的温度稳定并且使 热电偶采集的温度等于感应结温。 在这个环节中,感应电流大小的选择是很重要的。感应电流过大,会导致结温明显变化;感应电流过小,会导致正向压降值测量误差较大。Phase 11 感应电流的可选范围是0.1mA~50mA,完全符合JEDEC标准。 在加热器件的过程中,Phase 11 采用了脉冲加热方式,如下图所示:

热重分析仪TGA—DSC

什么是热分析? 热分析是在程序温度(指等速升温、等速降温、恒温或等级升温等)控制下测量物质的物理性质随温度的变化,用于研究物质在某一特定温度时所发生的热学、力学、声学、光学、电学、磁学等物理参数的变化。由此进一步研究物质的结构和性能。 热重法:在程序温度控制下测量试样的质量随温度变化的一种技术。 用途:用来测量金属络合物的降解、物质的脱水、分解等 垂线:很容易折损,而又价额昂贵。每次做完样后的清洗要小心。 垂线的清洁 如右图所示,用针筒抽取乙醇冲洗。如果乙醇不能清洁,也可选用其他的溶剂清洗。操作时,加热炉要放回机器内,以免溶液滴到加热炉内。 切忌用火烤,会造成不可逆的仪器损坏。 支撑管的清洁 可以用镊子垂直方向小心取出,注意不要碰到加热模块。然后可以用乙醇清洗,如果还是擦不干净,也可以用洗液泡。 然后擦干放加热炉即可 样品托盘及挂钩 清洁时,用黑色小板托住样品托盘后再取下。然后分别用酒精灯灼烧切忌, 不能放在一起烧,因为挂钩很细,加热后变软,如果还加上托盘重量,就很容易变形。

TGA 图怎么看? TGA 举例1: 取点规则,一般在平 台的两边。 失重线,纵坐标为重量剩 余百分比。 微分线,由失重线的失重速度快慢所得到,即△W/△T 如有特殊报告要求,也可以选△Y ,△X ,Onset 等。 横坐标也可以是时间,如果这时作微分线,那微 分线得意思就是△W/△Time 80℃-120℃左右,一般为游离水的失重造成

TGA举例2 TGA举例3 这个失重的开时温度比前一个要早一些。推测它的失重是由水或某种有机溶剂的残留引起的。 30℃-60℃可能是因为有 机溶剂引起的失重,列入 乙醇等。 150℃和300℃是样品的分部分解 引起的

半导体器件封装概述

1 半导体器件封装概述 电子产品是由半导体器件(集成电路和分立器件)、印刷线路板、导线、整机框架、外壳及显示等部分组成,其中集成电路是用来处理和控制信号,分立器件通常是信号放大,印刷线路板和导线是用来连接信号,整机框架外壳是起支撑和保护作用,显示部分是作为与人沟通的接口。所以说半导体器件是电子产品的主要和重要组成部分,在电子工业有“工业之米"的美称。 我国在上世纪60年代自行研制和生产了第一台计算机,其占用面积大约为100 m2以上,现在的便携式计算机只有书包大小,而将来的计算机可能只与钢笔一样大小或更小。计算机体积的这种迅速缩小而其功能越来越强大就是半导体科技发展的一个很好的佐证,其功劳主要归结于:(1)半导体芯片集成度的大幅度提高和晶圆制造(Wafer fabrication)中光刻精度的提高,使得芯片的功能日益强大而尺寸反而更小;(2)半导体封装技术的提高从而大大地提高了印刷线路板上集成电路的密集度,使得电子产品的体积大幅度地降低。 半导体组装技术(Assembly technology)的提高主要体现在它的封装型式(Package)不断发展。通常所指的组装(Assembly)可定义为:利用膜技术及微细连接技术将半导体芯片(Chip)和框架(Leadframe)或基板(Sulbstrate)或塑料薄片(Film)或印刷线路板中的导体部分连接以便引出接线引脚,并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺技术。它具有电路连接,物理支撑和保护,外场屏蔽,应力缓冲,散热,尺寸过度和标准化的作用。从三极管时代的插入式封装以及20世纪80年代的表面贴装式封装,发展到现在的模块封装,系统封装等等,前人已经研究出很多封装形式,每一种新封装形式都有可能要用到新材料,新工艺或新设备。 驱动半导体封装形式不断发展的动力是其价格和性能。电子市场的最终客户可分为3类:家庭用户、工业用户和国家用户。家庭用户最大的特点是价格便宜而性能要求不高;国家用户要求高性能而价格通常是普通用户的几十倍甚至几千倍,主要用在军事和航天等方面;工业用户通常是价格和性能都介于以上两者之间。低价格要求在原有的基础上降低成本,这样材料用得越少越好,一次性产出越大越好。高性能要求产品寿命长,能耐高低温及高湿度等恶劣环境。半导体生产厂家时时刻刻都想方设法降低成本和提高性能,当然也有其它的因素如环保要求和专利问题迫使他们改变封装型式。 2 封装的作用 封装(Package)对于芯片来说是必须的,也是至关重要的。封装也可以说是指安装半导体集成电路芯片用的外壳,它不仅起着保护芯片和增强导热性能的作用,而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁和规格通用功能的作用。封装的主要作用有: (1)物理保护。因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降,保护芯片表面以及连接引线等,使相当柔嫩的芯片在电气或热物理等方面免受外力损害及外部环境的影响;同时通过封装使芯片的热膨胀系数与框架或基板的热膨胀系数相匹配,这样就能缓解由于热等外部环境的变化而产生的应力以及由于芯片发热而产生的应力,从而可防止芯片损坏失效。基于散热的要求,封装越薄越好,当芯片功耗大于2W时,在封装上需要增加散热片或热沉片,以增强其散热冷却功能;5~1OW 时必须采取强制冷却手段。另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输。 (2)电气连接。封装的尺寸调整(间距变换)功能可由芯片的极细引线间距,调整到实装基板的尺寸间距,从而便于实装操作。例如从以亚微米(目前已达到0.1 3μm以下)为特征尺寸的芯片,到以10μm为单位的芯片焊点,再到以100μm为单位的外部引脚,最后剑以毫米为单位的印刷电路板,都是通过封装米实

半导体功率计算

半导体功率器件的散热计算 晨怡热管2006-12-31 0:58:06 【摘要】本文通过对半导体功率器件发热及传热机理的讨论,导出了半导体功率器件的散热计算方法。 【关键词】半导体功率器件功耗发热热阻散热器强制冷却 一、半导体功率器件的类型和功耗特点 一般地说,半导体功率器件是指耗散功率在1瓦或以上的半导体器件。 按照半导体功率器件的运用方式,可分为半导体功率放大器件和半导体功率开关器件。 1、半导体功率放大器件 半导体功率放大器又因其放大电路的类型分为甲类放大器、乙类推挽放大器、甲乙类推挽放大器和丙类放大器。甲类放大器的理论效率只有50%,实际运用时则只有30%左右;乙类推挽放大器的理论效率也只有78.5%,实际运用时则只有60%左右;甲乙类推挽放大器和丙类放大器的效率介乎甲类放大器和乙类推挽放大器之间。 也就是说,半导体功率放大器件从电源中取用的功率只有一部分作为有用功率输送到负载上去,其余的功率则消耗在半导体功率放大器件上,半导体功率放大器在工作时消耗在半导体功率放大器件上的功率称为半导体功率放大器件的功耗。 半导体功率放大器件的功耗为其集电极—发射极之间的电压降乘以集电极电流: P D=U ce·I c (式1—1) 式中P D为半导体功率放大器件的功耗(单位W)。 U ce为半导体功率放大器件集电极—发射极之间的电压降(单位V)。 I c 为半导体功率放大器件的集电极电流(单位A)。 线性调整型直流稳压电源中的调整管是工作在放大状态的半导体功率放大器件,所以其功耗的计算和半导体功率放大器件的功耗计算是相似的。例如一个集成三端稳压器,其功耗就是:输入端—输出端电压差乘以输出电流。 2、半导体功率开关器件 半导体功率开关器件例如晶体闸流管、开关三极管等。它们的工作状态只有两个:关断(截止)或导通(饱和)。 理想的开关器件在关断(截止)时,其两端的电压较高,但电流为零,所

半导体功率器件的散热计算

半导体功率器件的散热计算 佛山职业技术学院陈荣光 【摘要】本文通过对半导体功率器件发热及传热机理的讨论,导出了半导体功率器件的散热计算方法。 【关键词】半导体功率器件功耗发热热阻散热器强制冷却 一、半导体功率器件的类型和功耗特点 一般地说,半导体功率器件是指耗散功率在1瓦或以上的半导体器件。 按照半导体功率器件的运用方式,可分为半导体功率放大器件和半导体功率开关器件。 1、半导体功率放大器件 半导体功率放大器又因其放大电路的类型分为甲类放大器、乙类推挽放大器、甲乙类推挽放大器和丙类放大器。甲类放大器的理论效率只有50%,实际运用时则只有30%左右;乙类推挽放大器的理论效率也只有78.5%,实际运用时则只有60%左右;甲乙类推挽放大器和丙类放大器的效率介乎甲类放大器和乙类推挽放大器之间。 也就是说,半导体功率放大器件从电源中取用的功率只有一部分作为有用功率输送到负载上去,其余的功率则消耗在半导体功率放大器件上,半导体功率放大器在工作时消耗在半导体功率放大器件上的功率称为半导体功率放大器件的功耗。 半导体功率放大器件的功耗为其集电极—发射极之间的电压降乘以集电极电流: P D =U ce ·I c (式1—1) 式中P D 为半导体功率放大器件的功耗(单位W)。 U ce 为半导体功率放大器件集电极—发射极之间的电压降(单位V)。 I c 为半导体功率放大器件的集电极电流(单位A)。 线性调整型直流稳压电源中的调整管是工作在放大状态的半导体功率放大器件,所以其功耗的计算和半导体功率放大器件的功耗计算是相似的。例如一个集成三端稳压器,其功耗就是:输入端—输出端电压差乘以输出电流。 2、半导体功率开关器件 半导体功率开关器件例如晶体闸流管、开关三极管等。它们的工作状态只有两个:关断(截止)或导通(饱和)。 理想的开关器件在关断(截止)时,其两端的电压较高,但电流为零,所

半导体封装前沿技术

最新封装技术与发展 芯片制作流程 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:DIP 封装(70 年代)->SMT 工艺(80 年代LCCC/PLCC/SOP/QFP)->BGA 封装(90 年代)->面向未来的工艺(CSP/MCM) 材料方面:金属、陶瓷->陶瓷、塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装 封装技术各种类型 一.TO 晶体管外形封装 TO (Transistor Out-line)的中文意思是“晶体管外形”。这是早期的封装规格,例如TO-92,TO-92L,TO-220,TO-252 等等都是插入式封装设计。近年来表面贴装市场需求量增大,TO 封装也进展到表面贴装式封装。 TO252 和TO263 就是表面贴装封装。其中TO-252 又称之为D-PAK,TO-263 又称之为D2PAK。D-PAK 封装的MOSFET 有3 个电极,栅极(G)、漏极(D)、源极(S)。其中漏极(D)的引脚被剪断不用,而是使用背面的散热板作漏极(D),直接焊接在PCB 上,一方面用于输出大电流,一方面通过PCB 散热。所以PCB 的D-PAK 焊盘有三处,漏极(D)焊盘较大。

二.DIP 双列直插式封装 DIP(DualIn-line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片,绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式,其引脚数一般不超过100 个。封装材料有塑料和陶瓷两种。采用DIP 封装的CPU 芯片有两排引脚,使用时,需要插入到具有DIP 结构的芯片插座上。当然,也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP 封装结构形式有:多层陶瓷双列直插式DIP,单层陶瓷双列直插式DIP,引线框架式DIP (含玻璃陶瓷封接式,塑料包封结构式,陶瓷低熔玻璃封装式)等。 DIP 封装具有以下特点: 1.适合在PCB (印刷电路板)上穿孔焊接,操作方便。 2. 比TO 型封装易于对PCB 布线。 3.芯片面积与封装面积之间的比值较大,故体积也较大。以采用40 根I/O 引脚塑料双列直插式封装(PDIP)的CPU 为例,其芯片面积/封装面积=(3×3)/(15.24×50)=1:86,离1 相差很远。(PS:衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1 越好。如果封装尺寸远比芯片大,说明封装效率很低,占去了很多有效安装面积。) 用途:DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。Intel 公司早期CPU,如8086、80286 就采用这种封装形式,缓存(Cache )和早期的内存芯片也是这种封装形式。 三.QFP 方型扁平式封装 QFP(Plastic Quad Flat Pockage)技术实现的CPU 芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100 以上。基材有陶瓷、金属和塑料三种。引脚中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。 其特点是: 1.用SMT 表面安装技术在PCB 上安装布线。 2.封装外形尺寸小,寄生参数减小,适合高频应用。以0.5mm 焊区中心距、208 根I/O 引脚QFP 封装的CPU 为例,如果外形尺寸为28mm×28mm,芯片尺寸为10mm×10mm,则芯片面积/封装面积=(10×10)/(28×28)=1:7.8,由此可见QFP 封装比DIP 封装的尺寸大大减小。 3.封装CPU 操作方便、可靠性高。 QFP 的缺点是:当引脚中心距小于0.65mm 时,引脚容易弯曲。为了防止引脚变形,现已出现了几种改进的QFP 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见右图);带树脂保护环覆盖引脚前端的GQFP;在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专用夹具里就可进行测试的TPQFP 。 用途:QFP 不仅用于微处理器(Intel 公司的80386 处理器就采用塑料四边引出扁平封装),门陈列等数字逻辑LSI 电路,而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。四.SOP 小尺寸封装 SOP 器件又称为SOIC(Small Outline Integrated Circuit),是DIP 的缩小形式,引线中心距为1.27mm,材料有塑料和陶瓷两种。SOP 也叫SOL 和DFP。SOP 封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28 等等,SOP 后面的数字表示引脚数,业界往往把“P”省略,叫SO (Small Out-Line )。还派生出SOJ (J 型引脚小外形封装)、TSOP (薄小外形封装)、VSOP (甚小外形封装)、SSOP (缩小型SOP )、TSSOP (薄的缩小型SOP )及SOT (小外形晶

半导体器件芯片常用型号参数

半导体器件常用型号参数 一、半导体二极管参数符号及其意义 CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流、维持电流。 Ii--- 发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IR(AV)---反向平均电流 IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM---反向峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IDR---晶闸管断态平均重复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流) Irp---反向恢复电流 Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流 Izk---稳压管膝点电流 IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF---正向总瞬时电流 iR---反向总瞬时电流 ir---反向恢复电流 Iop---工作电流 Is---稳流二极管稳定电流 f---频率 n---电容变化指数;电容比

相关文档
最新文档