华南农业大学电子技术基础2010年考研专业课初试真题
150
1.5
2.
FET BJT 5
3.BJT 5
4.
55.
56.
1RC 57.
58.1v i =14sinωt V
(10)1/4
2015/8/16 mhtml:file://E:\\\2010--2011\...
2021年考研《电子技术基础》考研真题与考点归纳
2021年考研《电子技术基础》考研真题与考点归纳第一部分模拟部分 第1章半导体二极管 1.1 考点归纳 一、半导体基础知识 1．半导体的分类 （1）本征半导体 ①概念 本征半导体是指纯净的具有晶体结构的半导体。 ②载流子：自由电子和空穴。 ③本征激发 受光照或热激发，半导体中共价键的价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚，成为自由电子，此时共价键中留下一个空位，即空穴。 （2）杂质半导体 ①N型半导体 N型半导体是通过掺杂具有5个价电子的施主杂质形成的，如锑、砷和磷。自由电子浓度远大于空穴浓度，因此电子为多数载流子，空穴为少数载流子，显电中性。 ②P型半导体 P型半导体是通过掺杂具有3个价电子的受主杂质形成的，如硼、镓和铟。空穴浓度远大于自由电子浓度，因此空穴为多数载流子，电子为少数载流子，显电中性。2．半导体特性
半导体导电性能的两个重要特性：掺杂特性与温度特性。掺杂浓度增大，温度升高，导电能力增强。 二、PN结 1.PN结的形成 （1）耗尽区 PN结是指由P型半导体和N型半导体相结合形成的不能移动的正、负离子组成的空间电荷区，又称耗尽区。 （2）内电场 在空间电荷区的两侧，P区带负电，N区带正电，形成内电场，方向由N区指向P 区，可以阻止载流子的运动。 2.PN结的单向导电性 （1）正向导通 PN结外加正向电压时，与内外电场方向相反，外电场的存在削弱内电场，使耗尽区变窄，促进扩散运动，从而形成较大的正向电流。正向偏置的PN结表现为一个阻值很小的电阻。 （2）反向截止 PN结外加反偏电压时，内电场和外电场的方向相同，增强内电场，使耗尽区变宽，形成了较小的反向电流。反向偏置的PN结表现为一个阻值很大的电阻。 3.PN结反向击穿 PN结的反向击穿是指当PN结的反向电压逐渐增加到一定数值时，反向电流会突然快速增加的现象。 （1）电击穿
华南农业大学-物理学简明教程课后习题答案
1 -1 质点作曲线运动,在时刻t 质点的位矢为r ,速度为v ,速率为v ,t 至(t ＋Δt )时间内的位移为Δr , 路程为Δs , 位矢大小的变化量为Δr ( 或称Δ｜r ｜),平均速度为v ,平均速率为v ． (1) 根据上述情况,则必有( ) (A) ｜Δr ｜= Δs = Δr (B) ｜Δr ｜≠ Δs ≠ Δr ,当Δt →0 时有｜d r ｜= d s ≠ d r (C) ｜Δr ｜≠ Δr ≠ Δs ,当Δt →0 时有｜d r ｜= d r ≠ d s (D) ｜Δr ｜≠ Δs ≠ Δr ,当Δt →0 时有｜d r ｜= d r = d s (2) 根据上述情况,则必有( ) (A) ｜v ｜= v ,｜v ｜= v (B) ｜v ｜≠v ,｜v ｜≠ v (C) ｜v ｜= v ,｜v ｜≠ v (D) ｜v ｜≠v ,｜v ｜= v 分析与解 (1) 质点在t 至(t ＋Δt )时间内沿曲线从P 点运动到P′点,各量关系如图所示, 其中路程Δs ＝PP′, 位移大小｜Δr ｜＝PP ′,而Δr ＝｜r ｜-｜r ｜表示质点位矢大小的变化量,三个量的物理含义不同,在曲线运动中大小也不相等(注：在直线运动中有相等的可能)．但当Δt →0 时,点P ′无限趋近P 点,则有｜d r ｜＝d s ,但却不等于d r ．故选(B)． (2) 由于｜Δr ｜≠Δs ,故t s t ΔΔΔΔ≠r ,即｜v ｜≠v ． 但由于｜d r ｜＝d s ,故t s t d d d d =r ,即｜v ｜＝v ．由此可见,应选(C)． 1 -2 一运动质点在某瞬时位于位矢r (x,y )的端点处,对其速度的大小有四种意见,即
华南农业大学2010物理化学期末考试试卷
华南农业大学期末考试试卷（A 卷） 学年第一学期 考试科目： 物理化学 考试类型：（闭卷） 考试时间： 120 分钟 学号 姓名 年级专业 一.选择题:（选择一个正确的答案,10×2分） ( )1.对于理想气体，下列关系中哪个是不正确的？ A . 0=??? ????T V U B . 0=???? ????T p U C . 0=??? ????V T U D . 0=???? ????T p H ( )2.已知放热反应 H 2 (g) + 2 1 O 2 (g) === H 2O (g) 的△r H m ，下列说法中不正确的是: A . △r H m 是H 2 (g)的燃烧焓 B . △r H m 与反应的△r U m 数值不等 C . △r H m 是H 2O (g)的生成焓 D . △r H m 是负值 ( )3.已知下列反应的平衡常数 H 2 (g) + S (s) === H 2S (g) K 1θ S (s) +O 2 (g) === SO 2 (g) K 2θ 则反应H 2 (g) +SO 2 (g) === O 2 (g) + H 2S (g) 的平衡常数为： A . K 2θ／K 1θ B . K 1θ－K 2θ C . K 1θ·K 2θ D . K 1θ／K 2θ
( )4.已知反应N2O4 (g) === 2NO2 (g)是吸热反应，反应达平衡时，欲使平衡向右移动以获得更多的NO 2 ，应采取的措施是： A . 升高温度 B . 缩短反应时间 C . 降低温度 D . 延长反应时间 ( )5.沸点升高说明在溶剂中加入非挥发性溶质后，该溶剂的化学势比加入溶质前： A . 升高 B . 降低 C . 相等 D . 不一定 ( )6.在273K,封闭的热力学系统，下列关系正确的是： A . G>A B . G0 B . ΔS=0 C . ΔS<0 D . 不一定 ( )9.当实际气体温度低于波义耳温度时，只要压力不太大，则有： A . PV < nRT B . PV > nRT C . PV = nRT D . PV →0 ( )10.由A ,B二组分形成具有最大正偏差液态混合物时,其恒沸点混合 物的组成为x B =0.45.当对组成为x B =0.35的A ,B混合物进行精馏时, 下列说法正确的是: A . 塔顶产物为B,釜底残液为恒沸点混合物 B . 塔顶产物为A,釜底残液为恒沸点混合物 C . 塔顶产物为恒沸点混合物,釜底残液为B D . 塔顶产物为恒沸点混合物,釜底残液为A
电子技术基础考试试题及参考答案
电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）
《电子技术基础》研究生入学考试大纲
《电子技术基础》研究生入学考试大纲 课程名称：模拟电子技术、数字电子技术 一、考试的总体要求 模拟电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度，要求学生能分析计算基本放大电路、集成运算放大电路等模拟电子电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 数字电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度，要求学生能够运用基本理论分析、设计组合逻辑电路及时序逻辑电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 二、考试内容及比例： 模拟部分： 1、半导体器件（5～10％） （1）理解二极管单向导电特性，掌握二极管伏安特性； （2）理解三极管放大原理，掌握三极管的输入、输出特性曲线； （3）掌握MOS管的转移特性曲线、漏极特性曲线。 2、放大电路的基本原理（20～25％） （1）掌握基本放大电路的结构、工作原理及静态工作点计算； （2）掌握放大电路微变等效电路分析法，理解放大电路的图解分析法。 3、放大电路的频率响应（5～10％） 放大电路的上限频率、下限频率、通频带的概念。正确理解Bode图。 4、集成运算放大器（10～20％） （1）理解零点漂移的概念，理解差动电路克服温漂的原理； （2）掌握差动电路的分析与计算。 5、放大电路中的反馈（5～10％） （1）理解反馈的概念，掌握反馈类型的判断方法，能根据要求引入负反馈； （2）理解反馈对放大器性能的影响； （3）掌握放大电路在深度负反馈条件下的分析计算； （4）理解自激的概念，能根据波特图判断负反馈放大电路是否自激。
6、摸拟信号运算电路（20～25％） （1）理解集成运放电路中“虚短”、“虚断”概念。 （2）掌握基本运算电路的工作原理及分析计算。 7、信号处理电路（10～15％） 掌握信号处理电路原理及分析计算。 8、波形发生电路（10～20％） （1）掌握正弦波振荡电路的工作原理、起振条件、稳幅措施及分析计算； （2）能用相位平衡条件判断各种振荡电路能否起振。 9、功率放大电路（15～20％） OCL、OTL电路的工作原理及分析计算。 10、直流稳压电源（0～10％） （1）整流电路的工作原理及分析计算； （2）电容滤波电路的工作原理及分析计算； （3）稳压电路的工作原理及分析计算。 数字部分： 一、逻辑代数基础（5～10％） （1）逻辑代数基本概念、公式和定理； （2）逻辑函数的化简方法。 二、门电路（15～20％） （1）掌握分立器件门电路的分析方法； （2）理解TTL集成门电路的结构特点，掌握其外特性； （3）理解COMS集成门电路的结构特点，掌握其外特性。 三、组合逻辑电路（30～40％） （1）掌握组合逻辑电路的分析方法及设计方法； （2）熟悉典型组合逻辑电路的设计及逻辑功能表示方法； （3）掌握用中规模集成芯片MSI（译码器、数据选择器等）实现组合逻辑函数。 四、触发器（15～20％） （1）熟悉触发器电路的结构特点； （2）掌握各种结构触发器的功能特点、功能表示方法及应用。
华南农业大学大学物理A静电场与稳恒磁场课堂测试题
静电场与稳恒磁场课堂测试题（每题1分） 1．四条相互平行的载流直导线，电流强度均为I ，如图放置。 正方形的边长为 2a .则正方形中心的磁感强度o B 为( ) (A) 02I a μπ； (B) ； (C) 0； (D) 0I a μπ 。 图1 2．同一束电力线穿过大小不等的两个平面1和2， 如图2所示,则两个平面的电通量Φ和场强E 关系是( ) (A) 12Φ>Φ，12E E =； (B) 12Φ<Φ，12E E =； (C)12Φ=Φ，12E E >； (D) 12Φ=Φ，12E E =。 3．某电场的电力线分布如图3所示，一负电荷从A 点移至B 点，则正确的说法为：( ) （A ）电场强度的大小B A E E <； （B ）电势B A V V <； （C ）电势能PB PA E E <； （D ）电场力作的功0>W 。 4.在静电场中，下列说法中正确的是：( ) （A ）带正电荷的导体其电势一定是正值； （B ）等势面上各点的场强一定相等； （C ）场强为零处电势也一定为零； （D ）场强相等处电势不一定相等。 5.将一带负电的物体M 靠近一不带电的导体N ，在N 的左端感应出正电荷，右端感应出负电荷。若将导体N 的左端接地（如图4所示），则：( ) （A ）N 上的负电荷入地 ； （B ）N 上的正电荷入地 ； （C ）N 上的所有电荷入地； （D ）N 上的所有感应电荷入地。 图 2 2 1 M
6.如图5所示的电场，点电荷0q 从D 点沿弧形路径 DCO 到达O 点，则电场力所做的功 =W 。 7．如图6所示，无限长载流直导线过圆电流的中心且垂直圆电流平面，电流强度均为I ， 圆电流平面半径为R ，则长直导线对圆电流的作用力=F 8．一带电粒子，垂直射入均匀磁场，如果粒子质量增大到2倍，入射速度增大到2倍，磁场的磁感应强度增大到4倍，则通过粒子运动轨道包围范围内的磁通量增大到原来的 倍。9.在均匀磁场中，有两个平面线圈，其面积21A A =，通有电流212I I =，它们所受到的最大磁力矩之比21:M M 等于 10. 设空间电势的表达式为2 (,,)U x y z x yz =+，则空间电场强度等于 答案 q -0 D I
华南农业大学大学物理B复习资料试题
谢谢戴老师分享的一手资料，答案在最后。这些是小题范围，考 试的大题多为老师在课本上划得重点习题 目 录 流体力学 (2) 一、选择题 (2) 二、填空题 (3) 三、判断题 (5) 热学 (6) 一、选择题 (6) 二、填空题 (11) 三、判断题 (14) 静电场 (15) 一、选择题 (15) 二、填空题 (17) 三、判断题 (17) 稳恒磁场 (18) 一、选择题 (18) 二、填空题 (21) 三、判断题 (22) 振动和波动 (23) 一、选择题 (23) 二、填空题 (26) 三、判断题 (27) 波动光学 (27) 一、选择题 (27) 二、填空题 (30) 三、判断题 (31) 物理常数：1231038.1--??=K J k ，1131.8--??=mol K J R ，2/8.9s m g =，电子电量为 C 19106.1-?，真空介电常数2212010858/Nm C .ε-?=，真空磁导率 270104--??=A N πμ，18103-??=s m c 。693.02ln =。
流体力学 一、选择题 1．静止流体内部A ，B 两点，高度分别为A h ，B h ，则两点之间的压强关系为 （A ）当A B h h >时，A B P P >； （B ）当A B h h > 时，A B P P <； （C ）A B P P =； （D ）不能确定。 2.一个厚度很薄的圆形肥皂泡，半径为R ，肥皂液的表面张力系数为γ；泡内外都是空气， 则泡内外的压强差是 （A ）R γ4； （B ）R 2γ； （C ）R γ2； （D ）R 32γ。 3．如图，半径为R 的球形液膜，内外膜半径近似相等，液体的表面张力系数为γ，设A ， B ， C 三点压强分别为A P ，B P ，C P ，则下列关系式正确的是 （A ）4C A P P R γ-= ； （B ）4C B P P R γ-=； （C ）4A C P P R γ-=； （D ）2B A P P R γ-=-。 4．下列结论正确的是 （A ）凸形液膜内外压强差为R P P 2γ=-外内； （B ）判断层流与湍流的雷诺数的组合为ηρDv ； （C ）在圆形水平管道中最大流速m v 与平均流速v 之间的关系为m v v 2=； （D ）表面张力系数γ的大小与温度无关。 5．为测量一种未知液体的表面张力系数，用金属丝弯成一个框，它的一个边cm L 5=可以 滑动。把框浸入待测液体中取出，竖起来，当在边L 中间下坠一砝码g P 5.2=时，恰好可 拉断液膜，则该液体的表面张力系数是 （A ）m N /15.0； （B ）m N /245.0； （C ）m N /35.0； （D ）m N /05.0。 6．下列哪个因素与毛细管内液面的上升高度无关：
《电子技术基础》考试试题
共4页 第1页 《电子技术基础》考试试题 时量：120分钟 总分：100分 （每小题1.5分，共15分）单项选择题： 1、某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V ，接入12K Q 的负载 电阻后，输出电压降为 3V ，这说明放大电路的输出电阻为 A. 10K Q B.2 K Q C.4 K Q D.3 K Q 2、 稳压二极管工作于伏安特性曲线的 ________ 区。 A.正向特性 B. 反向饱和特性 C.反向击穿特性 D. 不确定 3、 为了使高内阻信号源与低阻负载很好地配合，可以在信号源与 低阻负载间接入 ______ 。 A.共射电路 B. C.共集电路 D. 4、多级负反馈放大电路在下列 A.回路增益AF 大 B. C ?闭环放大倍数很大 D. 放大器的级数少 5、 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要 区别是，前者的运放通常工作在 ________ 。 A .开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C.放大状态 D. 线性工作状态 6、 差分放大电路由双端输入变为单端输入，差模电压增益则 A.增加一倍 B. 为双端输入时的1/2 C.不变 D. 不确定 7、对于有二个输入变量和一个输出变量的逻辑问题，由于状态赋 值的不同，列出的真值表可以有 _________ 。 A. 一种 B.二种 C.三种 D.四种 8 A ? B 函数表达式为 ________ : 共基电路 共集一共基串联电路 —情况下容易引起自激。 反馈系数小
C. A B D. AB AB 共4页 第2页 A. AB AB B. A+B 9、 与函数式 A+ABC 相等的表达式为 _________ 。 A. A+B B. A+C C. A+BC D. BC 10、 将二进制数（1110100） 2转换为十进制数应为 ________ 。 A. 15 B. 116 C. 110 D. 126 、（本题10分）用图1所示的1片双4选1的数据选择器，搭建一 位全加器电路，该电路的输入变量为 A （加数）、B （加数）、C I （低 位来的进位信号）；输出变量为S （和），C O （向高位的进位信号）。 三、 （本题10分）用卡诺图化简下列逻辑函数为最简与或表达式。 1. 丫1 二' m （0,1,2,5,6,7,8,9,13,14） 2. 丫2「m （0,2,4,5,7,13） ' d （8,9,10,11,14,15） 四、 （本题10分）电路如图 2所示，试画出在所示 C 脉冲作用下 QI 和Q2端的信号波形，设两个触发器的初始状态为 0。
学期华南农业大学大学物理A试卷考试用
华南农业大学期末考试试卷（A 卷） 2013~2014 学年第1学期 考试科目： 大学物理A 考试类型：（闭卷）考试 考试时间： 120 分钟 学号 姓名 年级专业 物理常数：2 /8.9s m g =，1231038.1--??=K J k ，1131.8--??=mol K J R 一、填空题（本大题共14小题，15个空，每空2分，共30分） 1. 一质点作直线运动，它的运动方程是2ct bt x +=，方程中b 、c 是常数，此质 点的速度为=v ? _________ i ?。 2. 一质点沿半径为R 的圆周按规律202 1 bt t v S -=运动，0v 、b 都是常数，求t 时 刻质点的法向加速度大小=n a _____________，切向加速度大小=τa _______。 3. 一质量为m 的质点拴在细绳的一端，绳的另一端固定，此质点在粗糙水平面上作半径为r 的圆周运动。设质点初速率是0v ，当它运动一周时，其速率变为 2/0v ，则摩擦力所作的功W = 。 4. 若力F ?为保守力，则其沿闭合路径l 所做的功=?=?l l d F W ? ? 。 5. 半径相同且质量相同的薄圆环和薄圆盘，转动轴为垂直于圆环/圆盘且过其圆心的几何轴，哪个的转动惯量更大？ 。
6. 从本质上来说，连续性原理体现了不可压缩的流体在流动中__________守恒。 7. 欲用内径为1cm的细水管将地面上内径为2cm的粗水管中的水引到5m高的楼上。已知粗水管中的水流速为4s m/，若忽略水的黏滞性，楼上细水管出口处的流速= m/。 v s 8. 已知简谐振动m =。当0 T2 =t时，m =，s A12 .0 .0 x06 =，此时，质点沿x 轴正向运动，该质点的振动方程= x m。 9. 一个容器内贮有氧气，其压强5 =?，温度为27℃，则单位体积内的分子 1.01310 P Pa 数n=3 m-。 10. 两个相同的刚性容器，一个盛有氢气，一个盛有氦气（均视为刚性分子理想气体）。开始时它们的压强和温度都相同，现将3J热量传给氦气，使之升高到一定的温度。若使氢气也升高同样的温度，则应向氢气传递热量为J。 11. 静电场环路定理表明静电场是_____________场。 12. 正电荷q均匀地分布在半径为R的细圆环上，则在环心处的电势= V。 13. 一束自然光垂直穿过两个偏振片，两个偏振片偏振化方向成45°角，已知通过此两偏振片后的光强为I，则入射自然光的强度为___________。 14. 用平行单色光垂直照射在单缝上产生夫琅禾费衍射。若接收屏上点P处为第二级暗纹，则相应的单缝波振面可分成的半波带数目为个。 二、选择题（本大题共18小题，每小题2分，共36分。请将答案填写在下面的表 ．．．．．．．．．．．格中，写在其它地方没有得分 。） ．．．．．．．．．．．．．
电子技术基础考研
注意事项：1．本试卷共12道大题，满分150分； 2．本卷属试题卷，答案一律写在答题纸上，写在该试题卷上或草稿纸上均无效。要注意试卷清洁，不要在试卷上涂划； 3．必须用蓝、黑色钢笔或圆珠笔答题，其它笔答题均无效。 ﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡ 一 填空题（本题共14小题除标注外每空1分，共30分） 1、设VD 1、VD 2的正向压降为0.3V ，试分析在不同的U 1、U 2组态下，VD 1、VD 2是导通还是截止，并求U O 的值，把正确答案填入表内。（每三空1分） 2、图中 VT 为小功率锗晶体管当R b 不同时，VT 可能处于放大、饱和、截止状态。把不同状态下基射极电压U BE 、集射极电压U CE 的大致数值范围填入表内。（每三空1分） V CC 3、某放大电路在接有2Ωk 负载电阻时，测得输出电压为3V ，在输入电压不变的情况下断开负载电阻，输出电压上升到7.5V ，说明该放大电路的输出电阻为 ________________。 U 2 U VD 1
4、某放大电路当接接入一个内阻等于零的信号源电压时，测得输出电压为5V，在信号源内阻增大到1Ω k，其它条件不变时，测得输出电压为4V，说明该放大电路的输入电阻为________________。 5、下限截止频率为10Hz的两个相同的单级放大电路连接成一个两级放大电路，这个两级放大电路在信号频率为10Hz时，放大倍数的幅值下降到中频放大倍数的________________倍，或者说下降了________________dB，放大倍数的相位与中频时相比，附加相移约为________________度。（每空0.5分） 6、试在下列空格中填写合适数值。（每空0.5分） 在两边完全对称的差分放大电路中，若两输入端电压u I1＝u I2，则双端输出电压u O＝＿＿＿V；若u I1＝1mV，u I2＝0mV，则差分放大电路的差模输入电压u Id＝＿＿＿mV，其分配在两边的一对差模输入信号为u Id1＝＿＿＿mV，u Id2＝＿＿＿mV，共模输入信号u Ic＝＿＿＿mV。 7、电路如图所示，A1、A2为理想运算放大器。A1组成电路，A2组成电路，VD1、VD2和R组成的电路起作用，u O与u I的关系说明整个电路构成的是电路。 u I O 8、在如图所示电路中，已知稳压管VD Z1的稳定电压U Z1＝6.3V，VD Z2的稳定电压 U Z2＝7.7V，它们的正向导通电压U D均为0.7V，U I和R的取值合理，U I的实际极性和U O1～U O4的假设极性如图中所标注。（每空0.5分） 填空： U O1＝V，U O2＝V，U O3＝V， U O4＝V。
华南农业大学物理实验水表面张力的测量
实验3-3液体表面张力系数的测量 液体表面张力是表征液体物理性质的一个重要参量。测量液体表面张力系数常用的方法之一是拉脱法，该方法的特点是：用称量仪器直接测量液体表面张力，测量方法直观、概念清晰。由于用此方法液体表面张力大约在321.010~1.010--??N/m 之间，因此需要有一种量程范围小、灵敏度高、而且稳定性好的测力仪器，硅压阻式力敏传感器测定仪正能满足测量需要，它不仅灵敏度高、稳定性好，而且可以用数字信号显示，便于计算机实时测量。 一、实验原理： 1、液体表面张力系数： 液体的表面，由于表层内分子力的作用，存在着一定张力，称为表面张力，正是这种表面张力的存在使液体的表面犹如张紧的弹性模，有收缩的趋势。设想在液面上有一条直线，表面张力就表现为直线两旁的液面以一定的拉力f 相互作用。f 存在于表面层，方向恒与直线垂直，大小与直线的长度L 成正比，即： f L α= 比例系数α称为一条的表面张力系数，单位N/m 。它的大小与液体的成分、纯度以及温度有关（温度升高时，α值减小）。 2、拉脱法测量液体表面张力系数： 测量一个已知长度的金属片从待测液体表面脱离时需要的力，从而求得表面张力系数的实验方法称为拉脱法。 若金属片为环状时，考虑一级近似，可以认为脱离力（即：表面张力）为表面张力系数乘以脱离表面的周长。即： 12()f D D απ=?+
得表面张力系数： 12() f D D απ=+ 其中，f 为拉脱力；D 1、D 2分别为圆环的外径和内径；а为液体表面张力系数。 3、力敏传感器测量拉力的原理： 硅压阻力敏传感器由弹性梁和贴在梁上的传感器芯片组成，其中芯片由4个硅扩散电阻集成一个非平衡电桥。当外界压力作用于金属梁时，电桥失去平衡，产生输出信号，输出电压与所加外力成线性关系，即： U K F =? 其中，K 为力敏传感器的灵敏度（mV/N ），其大小与输入的工作电压有关；F 为所加的外力；U 为输出的电压。 1.底座及调节螺丝 2.升降调节螺母 3.培养皿 4.金属片状圆环 5.硅压阻式力敏传感器及金属外壳 6.数字电压表 图2 液体表面张力测量装置 对于本实验装置，工作原理如下： （1）液膜被拉断前： cos F mg f θ=+
模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点总结
模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点 总结 第1章常用半导体器件 1.1 复习笔记 本章首先介绍了半导体的基础知识，随后重点阐述了半导体二极管、晶体管（BJT）和场效应管（FET）的工作原理、特性曲线以及主要参数。半导体器件是组成电子电路的核心元件，因此本章内容是整本书学习的重要基础。通过本章的学习，应能熟练掌握常用半导体器件的工作原理、外特性和主要参数，并熟悉半导体相关基础知识，最后需要了解半导体器件的选用原则，为今后的模拟电路分析和设计打下基础。 一、半导体基础知识 半导体器件是构成电子电路的基本元件，所用的原料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料，所以在学习半导体器件之前，需要了解一些半导体的基本名词术语（见表1-1-1）。 表1-1-1 半导体基本名词术语
二、半导体二极管 1二极管的结构和分类（见表1-1-2） 表1-1-2 二极管的结构和分类 2二极管的伏安特性 与PN结一样，二极管具有单向导电性，但由于二极管结构上的不同，具体的伏安特性与PN结又有区别（见表1-1-3）。 表1-1-3 二极管的伏安特性
3二极管的主要参数 为描述二极管性能，常引用以下几个主要参数（见表1-1-4）。 表1-1-4 二极管主要参数 4二极管的等效电路 二极管的伏安特性具有非线性，这给二极管的应用和分析带来了一定的困难。为了便于分析，常在一定的条件下，用线性原件构成的电路来模拟二极管的特性，并取代电路中的二极管，称为二极管的等效电路，也叫等效模型（见表1-1-5）。
表1-1-5 二极管等效电路
5稳压二极管 稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定的功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性。关于稳压二极管见表1-1-6。 表1-1-6 稳压二极管
数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习笔记
数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习 笔记 第一部分考研真题精选 第1章数制和码制 一、选择题 在以下代码中，是无权码的有（）。[北京邮电大学2015研] A．8421BCD码 B．5421BCD码 C．余三码 D．格雷码 【答案】CD查看答案 【解析】编码可分为有权码和无权码，两者的区别在于每一位是否有权值。有权码的每一位都有具体的权值，常见的有8421BCD码、5421BCD码等；无权码的每一位不具有权值，整个代码仅代表一个数值。 二、填空题 1（10100011.11）2＝（）10＝（）8421BCD。[电子科技大学2009研] 【答案】163.75；000101100011.01110101查看答案 【解析】二进制转换为十进制时，按公式D＝∑k i×2i求和即可，再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数（39.875）10的二进制数为（），十六进制数为（）。[重庆大学2014研] 【答案】100111.111；27.E查看答案
【解析】将十进制数转化为二进制数时，整数部分除以2取余，小数部分乘以2取整，得到（39.875）10＝（100111.111）2。4位二进制数有16个状态，不够4位的，若为整数位则前补零，若为小数位则后补零，即（100111.111）2＝（0010 0111.1110）2＝（27.E）16。 3（10000111）8421BCD＝（）2＝（）8＝（）10＝（）16。[山东大学2014研] 【答案】1010111；127；87；57查看答案 【解析】8421BCD码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制，八进制和十六进制的转换。（1000 0111）8421BCD＝（87）10＝（1010111）2 2进制转8进制，三位为一组，整数向前补0，因此（001 010 111）2＝（127）8。同理，2进制转16进制每4位为一组，（0101 0111）2＝（57）16。 4（2B）16＝（）2＝（）8＝（）10＝（）8421BCD。[山东大学2015研] 【答案】00101011；53；43；01000011查看答案 【解析】4位二进制数有16个状态，因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数，得到（2B）16＝（0010 1011）2；八进制由0～7八个数码表示，可以将一组二进制数从右往左，3位二进制数分成一组，得到（00 101 011）2＝（53）8；将每位二进制数与其权值相乘，然后再相加得到相应的十进制数，（0010 1011）2＝（43）10；8421BCD码是一种二进制的数字编码形式，用二进制编码的十进制代码。因此可以将每位二进制数转化为4位8421BCD码，（43）10＝（0100 0011）8421BCD。
华南农业大学珠江学院物理试卷.doc
一、选择题 1、在杨氏双缝实验中，若使双缝间距减小，屏上呈现的干涉条纹间距如何变化？若使双缝到屏的距离减小，屏上的干涉条纹又将如何变化？（ C ） （A ）都变大 （B ）都变小 （C ）变大，变小 （D ）变小，变大\ 2、 两偏振片堆叠在一起，一束自然光垂直入射其上时没有光线通过．当其中一偏振片慢慢转动180°时透射光强度发生的变化为：( B ) (A) 光强单调增加． (B) 光强先增加，后又减小至零． (C) 光强先增加，后减小，再增加． （D ）光强先增加，然后减小，再增加，再减小至零． 3、 在相同的时间内，一束波长为的单色光在空气中和在玻璃中（ C ） (A) 传播的路程相等，走过的光程相等． (B) 传播的路程相等，走过的光程不相等． (C) 传播的路程不相等，走过的光程相等． (D) 传播的路程不相等，走过的光程不相等． 4、 两个通有电流的平面圆线圈相距不远，如果要使其互感系数近似为零，则应调整线圈的取向使 （ C ） (A) 两线圈平面都平行于两圆心连线． (B) 两线圈平面都垂直于两圆心连线． (C) 一个线圈平面平行于两圆心连线，另一个线圈平面垂直于两圆心连线． （D ）两线圈中电流方向相反． 5、一长为a ，宽为b 的矩形线圈在磁场B 中，磁场变化的规律为，当线圈平 面与磁场垂直时，则线圈内感应电动势的大小为（ D ） (A) 0． (B)t abB ωsin 0 (C) ab ωB （D ）t abB ωcos 0 6、 如图所示，一定量理想气体从体积V1膨胀到体积V2分别经历的过 程是：等压过程A→B ；等温过程A→C ，绝热过程A→D 。它们吸热最多的是：（ A ） （A ）A→B （B ）A→C （C ）A→D (D)既是A→B ，也是A→C ，两过程吸热一样多。 V A B C D
2018中国计量大学808电子技术基础考研真题
一、单选题（每题2分，共20分） 1. 为提高共模抑制比应采用（ ） A. 共射放大电路 B. 共基放大电路 C. 多级放大电路 D. 差动放大电路 2. 由理想二极管构成的限幅电路如图1所示， 当输入电压V V i 9=时，输出电压o V 为 ( )。 A. 3V B. 9V C. 15V D. 6V 3. 在乙类功率放大电路中，三极管在信号的( )内导通。 A. 一个周期 B. 半个周期 C. 四分之一周期 D.四分之三周期 4. 若一无零单极点系统，极点频率610H f Hz =，中频电压增益dB A I 100=，则 710f Hz = 时，增益为（ ）dB 。 A. 100 B. 40 C. 20 D. 80 5. 差分放大电路由双端输入改为单端输入，则差模电压放大倍数（ ）。 A ．不变 B ．提高一倍 C ．提高两倍 D ．减小为原来的一半 6. 在开环放大电路中引入( )负反馈，可使输入电阻增大. A. 电压 B.电流 C.串联 D.并联 7. 反相输入比例运算放大器电路中的反馈极性和类型属于( ) A. 电压并联负反馈 B. 电流串联负反馈 C. 正反馈 D. 电压串联负反馈 8. 在桥式整流电路中接入电容C 滤波后，输出直流电压较未加C 时（ ） A. 不变 B. 降低 C.升高 D. 不定 - V O + -
9. 某负反馈放大电路的开环放大倍数为100，反馈系数为0.09，则闭环放大倍数为( ) A. 0.02 B. 100 C.25 D.10 10. 功放电路采用甲乙类工作状态的原因是为了消除（ ）。 A. 饱和失真 B. 交越失真 C.截止失真 D.频率失真 二、简答题（共16分） 1.（5分）单相直流稳压电源电路如图2所示， （1）指出它由哪几部分组成，并写出它们的名称； （2）当电路正常工作时，V O =？ 2.（5分）某OCL 互补对称电路如图3所示，已知三极管T 1 、T 2的饱和压降为V V CES 1=， V V CC 18=，Ω=8L R 。 （1）计算电路的最大不失真输出功率max O P ； （2）计算电路的效率。 O v
2021年电子技术基础考研题库
2021年电子技术基础考研题库 2021年电子技术基础考研题库【考研真题精选＋章节题库】（上册） 目录 第一部分考研真题精选 一、填空题 二、选择题 三、分析题 第二部分章节题库 第1章数字逻辑概论 第2章逻辑代数与硬件描述语言基础 第3章逻辑门电路 第4章组合逻辑电路 第5章锁存器和触发器 第6章时序逻辑电路 第7章半导体存储器 第8章CPLD和FPGA 第9章脉冲波形的变换与产生 第10章数模与模数转换器
第11章数字系统设计基础 ? 试看部分内容 考研真题精选 一、填空题 1（10100011.11）2＝______10＝______8421B C D。[电子科技大学2 009年研] 【答案】163.75；000101100011.01110101查看答案 【解析】二进制转换为十进制时，按公式D＝∑k i×2i求和即可，再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数（39.875）10的二进制数为______，十六进制数为______。[重庆大学2014年研] 【答案】100111.111；27.E查看答案 【解析】将十进制数转化为二进制数时，整数部分除以2取余，小数部分乘以2取整，得到（39.875）10＝（100111.111）2。4位二进制数有16个状态，不够4位的，若为整数位则前补
零，若为小数位则后补零，即（100111.111）2＝（0010 0111. 1110）2＝（27.E）16。 3（10000111）8421B C D＝______2＝______8＝______10＝______16。[山东大学2014年研] 【答案】1010111；127；87；57查看答案 【解析】8421BC D码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制，八进制和十六进制的转换。 （1000 0111）8421B C D＝（87）10＝（1010111）2 2进制转8进制，三位为一组，整数向前补0，因此（001 010 1 11）2＝（127）8。 同理，2进制转16进制每4位为一组，（0101 0111）2＝（57）16。 4（2B）16＝______2＝______8＝______10＝______8421B C D。[山东大学2015年研] 【答案】00101011；53；43；01000011查看答案 【解析】4位二进制数有16个状态，因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数，得到（2B）16＝（0010 1011）2；八进制由0～7八个数码表示，可以将一组二进制数从右往左，3位二进制数分成一组，得到（00 101 011）2＝（53）8；将每位二
2013-2014学年第1学期华南农业大学大学物理A试卷_考试用讲诉
华南农业大学期末考试试卷（A 卷） 2013~2014 学年第1学期 考试科目： 大学物理A 考试类型：（闭卷）考试 考试时间： 120 分钟 学号 姓名 年级专业 物理常数：2 /8.9s m g =，1231038.1--??=K J k ，1131.8--??=mol K J R 一、填空题（本大题共14小题，15个空，每空2分，共30分） 1. 一质点作直线运动，它的运动方程是2ct bt x +=，方程中b 、c 是常数，此质 点的速度为=v _________ i 。 2. 一质点沿半径为R 的圆周按规律202 1 bt t v S -=运动，0v 、b 都是常数，求t 时 刻质点的法向加速度大小=n a _____________，切向加速度大小=τa _______。 3. 一质量为m 的质点拴在细绳的一端，绳的另一端固定，此质点在粗糙水平面上作半径为r 的圆周运动。设质点初速率是0v ，当它运动一周时，其速率变为 2/0v ，则摩擦力所作的功W = 。 4. 若力F 为保守力，则其沿闭合路径l 所做的功=?=?l l d F W 。 5. 半径相同且质量相同的薄圆环和薄圆盘，转动轴为垂直于圆环/圆盘且过其圆心的几何轴，哪个的转动惯量更大？ 。 6. 从本质上来说，连续性原理体现了不可压缩的流体在流动中__________守恒。 7. 欲用内径为1cm 的细水管将地面上内径为2cm 的粗水管中的水引到5m 高的楼上。已知粗水管中的水流速为4s m /，若忽略水的黏滞性，楼上细水管出口处的流速=v s m /。 8. 已知简谐振动m A 12.0=，s T 2=。当0=t 时，m x 06.00=，此时，质点沿x
模拟电路电子技术基础考研试题
第一部分：模拟电路 一、填空题(共10分，每小题2分) 1、由二极管D和正偏直流电源V，交流信号源υs及负载R L构成的串连电路，当V＝3V时，测得R L上的交流压降υL＝100mV。若调节V＝4V，其他参数不变，则υL100mV。 2、基本放大电路的静态工作电流调得太大，容易产生失真，这种失真属于失真。 3、放大器中的噪声是是放大器中所造成的。放大器的噪声系数N F的定义是：。 4、某负反馈放大电路，其开环增益Ag＝100mS，反馈系数Fr＝10KΩ，开环输入电阻R i＝3KΩ，则其闭环输入电阻R if ＝。（R i 和R if 均为未考虑偏置电阻的输入电阻） 5、由集成运放构成的非正弦波信号（三角波、矩形波、锯齿波）发生电路，通常由 和电路两部分组成。 二、分析与计算题 1．（8分）对于增强型n沟MOSFET ， 1）写出其在线性区的伏安特性表达式； 2）在V DS＞＞2（V GS－V TH）条件下，写出上述伏安特性表达式的近似表达式； 3）已知MOSFET的μn·Cox＝50μA/V2，V TH＝0.7V, 当V GS=2.5V ，求此时该MOSFET的等效导通电阻R ON＝？ 2．（10分）两相同单级放大器组成二级放大器，回答如下问题1）在其单级放大器的截止频率处，二级放大器的放大倍数比其单级中频放大倍数下降多少dB？ 2）为保证二级放大器的上限频率为106Hz，下限频率为156Hz，计算每个单级放大器的上限频率和下限频率分别应为多少？ 3．（6分）一理想运算放大器组成的电路如图所示，试求该电路的输入电阻R i表达式。
4． （12分）在下图所示的多级运算放大电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运放电路： 1）写出计算υO1、υO2、υO 的表达式 2）若 R 3＝R 5＝R f1＝R f2 ＝200K Ω，R 1＝R 2＝R 4＝R 7＝20K Ω，C ＝5μF ，t ＝0 时，加入阶跃信号υi 1＝－0.1V,υi2=0.3V, 而电容C 上的初始电压υC ＝0，求需经过多长时间使υO ＝5V ？ 5．（15分）在下图（a ）所示的单极放大电路中，场效应管T 的转移特性如下图（b ）所示。已知＋V DD ＝＋15V ，R D ＝15k Ω，R S ＝8 k Ω，R G ＝100 k Ω，R L ＝75 k Ω；要求 （！）用近似方法计算电路的静态工作点；（提示：T 的伏安特性方程可近似为：2 P GS D 1???? ??U U I I DSS －＝，U GS ＝－I D ×R S ，U P 为夹断电压）。 （2）计算放大器的输入电阻 R i 和输出电阻 R o ； （3）计算场效应晶体管的跨导 g m ； （4）计算放大器的电压放大倍数 A u ； 6、（14分）下图所示RC 桥式振荡电路中，设运放A 为理想组件，设R ＝3.9K Ω， C ＝0.01μF ，R T ＝15K Ω，＋V CC ＝＋15V ，－V CC ＝－15V ，试回答如下问题：