Hynix 海力士FLASH命名规则

Hynix 海力士FLASH命名规则
Hynix 海力士FLASH命名规则

Hynix 海力士

H 2 7 X X X X X X X X X - X X

(1) HYNIX

(2) PRODUCT FAMILY

(4) POWER SUPPLY(VCC)

(8) NAND CLASSIFICATION

(7) ORGANIZATION

(14) BAD BLOCK

(11) PACKAGE TYPE

2 : Flash

S: SLC + Single Die + Small Block

A: SLC + Double Die + Small Block

B: SLC + Quadruple Die + Small Block

F: SLC + Single Die + Large Block

G: SLC + Double Die + Large Block

H: SLC + Quadruple Die + Large Block

J: SLC + ODP + Large Block

K: SLC + DSP + Large Block

T: MLC + Single Die + Large Block

U: MLC + Double Die + Large Block

V: MLC + Quadruple Die + Large Block

W: MLC + DSP + Large Block

Y: MLC + ODP + Large Block

C: Included Bad Block

E: 1~5 Bad Block Included

M: All Good Block

I: TSOP1

B: WSOP

S: USOP

P: LSOP1

T: FBGA

V: LGA

S: WLGA

N: VLGA

F: ULGA

X: Wafer

M: PGD1 (chip)

Y: KGD

U: PGD2

W: 1st

C: 2nd

K: 3rd

D: 4th

M

A

B

C

(5), (6) DENSITY

1: 1 nCE & 1 R/nB; Sequential Row Read Enable 2: 1 nCE & 1 R/nB; Sequential Row Read Disable 4: 2 nCE & 2 R/nB; Sequential Row Read Enable 5: 2 nCE & 2 R/nB; Sequential Row Read Disable D: Dual Interface; Sequential Row Read Disable F: 4 nCE & 4 R/nB ; Sequential Row Read Disable

系统定制教学文案

ARM系统定制 以下是个人理解,经过看PPT,查课本,pdf,还有上网查阅总结得来,仅作参考。 简述: 系统定制的本质就是为新开发的硬件(开发板)定制软件系统。共分两大部分: 一:系统裁剪 二:系统移植 1、先说系统裁剪,首先ARM开发板本身的体系结构决定了,不同系列不同版本的ARM 可以共用(兼容)大部分的boot和内核代码,所以只需要在最相近的版本的软件系统稍作修改并测试成功就可以直接移植了,当然,如果整个软件系统打算亲手写的话,那就可以无视系统裁剪这个环节了(老师说这个基本上没有人写得出来)。具体的裁剪过程稍后讲述。 2、系统移植,就是把裁剪后可以运行在开发板上的软件系统烧写到板子中。这就需要了解arm中的存储体系,arm的总线结构,arm的串口等等。具体烧写过程稍后讲述。 第一章:系统裁剪 1、系统裁剪之前,我们需要知道要裁剪哪些东西。这就需要了解ARM的整个软件系统,开发板从上电启动到最后进入操作系统界面之间的流程依次是:boot (uboot),kernel (内核),fs(文件系统,也在内核中),驱动程序(动态加载到内核,部分也已在内核中编译好)。 一、首先是uBoot流程分两个阶段(uboot 的源码在解压后的uboot-2010.02-me下,其中第一阶段在/cpu/arm920t的start.s 和board/smdk2440 的lowlevel_init.s中,第二阶段在lib_arm/board.c 的start_armboot函数中,有兴趣的可以去看一看) 第一阶段:为自身准备(配置)硬件环境。主要操作有:(代码在/cpu/arm920t的start.s) 1、关闭看门狗(W ATCHDOG),就是把WTCON寄存器写0。 (ldr r0, =pWTCON,mov r1, #0x0,str r1, [r0])。 2、关中断,配置各个中断控制寄存器的值。设置CPU为特权模式svc ,通过cpsr寄存器设置。(代码不列出来了,后面的代码都可以在starts.s文件中去看) 3、设置CPU的时钟频率(时钟分频),配置FCLK(cpu的频率),HCLK(内部AHB 总线频率),PCLK(外围APB总线频率), 比例为1:4:8。 4、配置SDRAM,为本身准备内存空间。配置内存空间(页表),设置堆栈。(通过调用)(通过调用lowlevel_init 函数,函数实现在board/smdk2440的lowlevel_init.s中) 5、配置NAND/NOR flash驱动,主要是nand_read ,nand_write的实现。 第二阶段:为内核准备(配置)环境。(代码lib_arm/board.c 的start_armboot函数中) 1、初始化本阶段的硬件设备:关闭MMU和数据CACHE。设置CPU寄存器。R0 =0 R1 = 机器ID。R2 = 启动参数表在RAM中的起始地址。

药物化学教学大纲(药学)

制药工程专业本科理论课程 教学大纲二〇一二年十月

《药物化学》教学大纲 一、课程基本信息 二、课程性质、地位和任务 药物化学是用现代科学方法研究化学药物的化学结构、制备原理、理化性质、药物作用的化学机制、体内代谢、构效关系及寻找新药的学科,是药学专业的重要专业课。通过本课程的教学,使学生能熟悉化学药物的结构、理化性质、体内代谢及临床应用,为有效、合理地使用现有化学药物提供理论依据,为从事新药研究奠定理论基础。 本门课程的任务包括药物类别、典型药物结构、理化性质、构效关系、体内代谢、用途及新药设计与开发等。通过理论与实验教学,为正确指导使用、生产、贮藏药物,改造及修饰药物,新药设计与开发提供理论基础;同时在正确掌握药物化学的基本理论、基本知识和基本技能的基础上,培养学生分析药物理化性质、构效关系的能力。 本课程还安排了与理论学习相配合的实验,使学生在提高动手能力,制备常见化学药物的同时,培养了严谨认真的学习态度,并不断提高独立解决问题的能力,为今后走上工作岗位打下坚实的基础。 三、课程基本要求 本课程分为掌握、熟悉、了解三种层次要求;“掌握”的内容要求理解透彻,能在本学科和相关学科的学习工作中熟练、灵活运用其基本理论和基本概念;“熟悉”的内容要求能熟知其相关内容的概念及有关理论,并能适当应用;“了解”的内容要求对其中的概念和相关内容有所了解。 通过本课程的学习,使学生学习本课程后应达到:1.熟悉常用药物的结构,中英文通用名及化学名。2.掌握典型药物的理化性质,特别是影响药效、毒性、质量控制及分析和剂型选择有关的理化性质。3.掌握常用药物的作用机制、体内代谢、毒副反应及临床应用,熟悉药物的结构特征与药效之间的关系。4.熟悉化学药物的制备及结构修饰的原理和方法,杂质与制备关系及如何控制杂质,保证药物质量的方法。5.熟悉各类药物发展及结构类型,了解其最新进展。6.了解新药研究的基本方法和近代新药发展方向。 本大纲的配套使用教材是普通高等学校“十五”规划教材《药物化学》第七版(尤启东主编,北京,人民卫生出版社,2011-8-1,ISBN:9787117144346)。 四、课程内容及学时分配 药物化学教学总学时为81学时,其中理论学时为54学时,实验学时为27学时。

51单片机命名规则

51单片机命名规则 89C51 8代表8位单片机 9代表falsh存储器,此位置为0代表无rom,7代表eprom存储器 c代表CMOS工艺,此位置为S代表ISP编程方式 1代表片内程序存储器容量,容量大小对应为该位数字*4KB 89C52:8KB容量 at89s51_&_stc89c51命名规则 本文介绍了最常见的两种厂家的单片机的命名规则. 以后见了stc和atmel的单片机看看型号就知道,什么配置了. 先说ATMEL公司的AT系列单片机 89系列单片机的型号编码由三个部分组成, 它们是前缀、型号和后缀。格式如下: AT89C XXXXXXXX其中,AT是前缀,89CXXXX是型号,XXXX是后缀。 下面分别对这三个部分进行说明,并且对其中有关参数的表示和意义作相应的解释。 (l)前缀由字母“AT”组成,表示该器件是ATMEL公司的产品。 (2)型号由“89CXXXX”或“89LVXXXX”或“89SXXXX”等表示。 “89CXXXX”中,9是表示内部含Flash存储器,C表示为CMOS产品。 “89LVXXXX”中,LV表示低压产品。 “89SXXXX”中,S表示含有串行下载Flash存储器。

在这个部分的“XXXX”表示器件型号数,如51、1051、8252等。 (3)后缀由“XXXX”四个参数组成,每个参数的表示和意义不同。在型号与后缀部分有“—”号隔开。 后缀中的第一个参数X用于表示速度,它的意义如下: X=12,表示速度为12 MHz。X=20,表示速度为20 MHz。 X=16,表示速度为16 MHz。X=24,表示速度为24 MHz。 后缀中的第二个参数X用于表示封装,它的意义如下: X=D,表示陶瓷封装。X=Q,表示PQFP封装。’ X=J,表示PLCC封装。X=A,表示TQFP封装。 X=P,表示塑料双列直插DIP封装。X=W,表示裸芯片。 X=S,表示SOIC封装。 后缀中第三个参数X用于表示温度范围,它的意义如下: X=C,表示商业用产品,温度范围为0~十70℃。 X=I,表示工业用产品,温度范围为—40~十85℃。 X=A,表示汽车用产品,温度范围为—40~十125℃。 X=M,表示军用产品,温度范围为—55~十150℃。 后缀中第四个参数X用于说明产品的处理情况,它的意义如下: X为空,表示处理工艺是标准工艺。 X=/883,表示处理工艺采用MIL—STD—883标准。 例如:有一个单片机型号为“AT89C51—12PI”,则表示意义为该单片机是ATMEL公司的Flash 单片机,内部是CMOS结构,速度为12 MHz,封装为塑封DIP,是工业用产品,按标准处理工艺生产。 国产stc单片机.我现在使用的就是stc 89C52RC-40C-PDIP可以看出 52内核,512字节RAM ,最大工作在40MHZ下,脚双列直插式封装形式,商业级. 4.1.1 MCS-51系列和80C51系列单片机

nandflash命名规则大全(三星,海力士,美光)

NAND Flash Code Information(1/3)
Last Updated : August 2009
K9XXXXXXXX - XXXXXXX
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1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODP R : MLC 12-die stack S : MLC 6 Die Stack T : SLC SINGLE (S/B) U : MLC 16 Die Stack W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 32 : 32M 64 : 64M 2G : 2G AG : 16G DG : 128G GG : 384G NG : 96G
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6. Technology 0 : Normal (x8) C : Catridge SIP M : moviNAND P : moviMCP Z : SSD 7. Organization 0 : NONE 6 : x16
1 : Normal (x16) D : DDR N : moviNAND FAB T : Premium eSSD
8 : x8
8. Vcc A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V) C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V) Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V S : 3.3V (3V~3.6V/ VccQ1.8V (1.65V~1.95V) U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V) W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 6 : 6 nCE & 2 RnB 7 : 8 nCE & 4 RnB 8 : 8 nCE & 2 RnB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation
16 : 16M 40 : 4M 80 : 8M 4G : 4G BG : 32G EG : 256G HG : 512G ZG : 48G
28 : 128M 56 : 256M 1G : 1G 8G : 8G CG : 64G FG : 256G LG : 24G 00 : NONE
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Part Number Decoder

广东药学院-药物化学复习资料

第一章绪论 掌握: 1.掌握药物的国际非专有名(通用名)、化学名称的命名规则以及商品名的作用及命名要求。 通用名: 特点:使用广泛,不能取得专利及行政保护 规则:中、英文对映,音译为主,长音节简缩、且顺口。 Aspirin 阿司匹林Amitriptyline 阿米替林 简单的化合物可用化学名称,乙醚、乙醇 化学名: 特点:准确 规则:英文化学名美国化学文摘(CAS) Chemical Abstracts Service 1、确认基本母核(简单),其他看成取代基 2、英文基团排列次序按字母顺序排列 中文化学名《英汉化学化工辞典》 1. 确定母核, 并编号(位次) 2. 其余为取代基或官能团 按规定的顺序注出取代基或官能团的位次取代基排列次序,按立体化学次序规则,小的原子或基团在先,大的在后,逐次比较。 原子序数大者优先:Cl > O > C > H 双键为连两个相同原子:……. 次序规则表 商品名:为使药品专卖权受行政保护而起的名称 目的:保护利益、提高产品声誉 要求:①高雅、规范、 ②简单顺口 ③不能暗示药品的作用 特点:申请保护 熟悉: 2.熟悉药物化学的研究内容和任务。 了解: 3.了解药物化学的起源与发展。 第二章中枢神经系统药物 掌握: 1.镇静催眠药的分类和发展;苯二氮卓类、巴比妥类药物的理化性质、作用机制、体内代谢及合成通法;地西泮的通用名、化学名称、化学结构、合成路线、体内代谢和用途。 分类: ⑴.巴比妥类:异戊巴比妥; ⑵.苯二氮卓类:地西泮; ⑶.非苯二氮卓类GABA A受体激动剂:酒石酸唑吡坦、格鲁米特、甲丙氨酯。 苯二氮卓类药物: 结构特点:苯二氮?体系-苯环和七元亚胺内酰胺环并合的母核

flash开发中的命名

1、违反:代码规范的目的是增加代码的可读性,便于程序的维护所有有利于代码可读性的违反都是被允许的 .左大括号须放置于组合语句开始的末尾。 If(loggedin()){ https://www.360docs.net/doc/0e11562220.html,bel=”Welcome’; }else{ https://www.360docs.net/doc/0e11562220.html,bel=”Access”; } 2、命名规则使用含义丰富的名字(Use meaningful names) 在缩写中,只将首字母大写 如果一个类成员是由缩写开始,则该缩写全部使用小写字母,此约定不适用到常量 再说句废话,所有的名字都应该使用英文 3、包命名(package names Package names should be lower case 包的名字应全部为小写; 4、类命名(class names) Class neames should be nouns in singular form,written in mixed cases starting with upper case (类应该以名词单数形式,首字母大写,大小写混排,方式命名) Class representing collections should have names in plural form (表示一组事物的类应使用复数形成;) Names of exception classes should be prefixed with Error (异常类的名字须以Error开头) Defauit implementations of interfaces can be prefixed with Default; (接口的默认实现类可以以Ddfault开头) 接口命名Interface names Interface names should be nouns or adjectives prefixed with letter”I” (接口的名字应为字母“I”开头的名词或形容词) 变量/属性命名Variable/property names Private class variable names should be in mixed cases starting with lower case prefixed with ”_’; (私有类的变量名称应为以下划线为前缀,小写字母开头的大小写混排) Private var _lastYear:int; Private var _loader:Loader; 注:函数中局部变量的名字不必在前面加_; Property names should be in mixed cases starting with lower case (属性名应以小写字母开头,大小写字母混排) Parameter name can be suffixed with “_’ to differentiate it with variabke/property name

最新三星FLASH命名规则

三星F L A S H命名规则

Samsung nand flash ID spec 三星在nand flash存储方面也是投入了很多精力,对于pure nand flash、OneNAND(带controller的nand flash模块)以及nand的驱动都有很深层的开发。后面说的nand都会基于Samsung的产品,包括驱动。三星的pure nand flash(就是不带其他模块只是nand flash存储芯片)的命名规则如下: 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed One Nand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G 2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G AG : 16G BG : 32G CG : 64G DG : 128G 00 : NONE 6~7. organization 00 : NONE 08 : x8

药物化学课程标准

《药物化学》课程标准 课程名称及代码:药物化学 课程性质:专业必修课 课程类别:B类 学分:4.5 计划学时:72 适用专业:应用化工技术(药品质量检测方向) 1 前言 1.1课程定位 《药物化学》是高职高专应用化工技术专业(药品质量检测方向)的一门职业核心课程,其主要学习内容包括典型药物的名称、化学结构、理化性质、构效关系、体内代谢及寻找新药的基本途径等。本课程是学习基础药学化学、分析化学、生物化学与药理学、药剂学、药物分析和药品营销实用技术等课程之间的桥梁,对学生全面掌握专业知识有着承前启后的重要作用。 本课程的任务是通过理论和实践教学,使学生具备高职高专药学专门人才所必须的基本理论知识;具备药物定性、稳定性考察、纯化制备、制剂、检验、养护、调剂及合理用药等方面相关的基本能力;形成良好的职业素质。同时达到本专业学生应获得的有关职业资格证书相应考核模块的要求。 1.2设计思路 药物化学是一门理论性、实践性、应用性很强的课程,是执业药师考试中的4门专业基础课之一。本课程组教师经与医院、制药企业工作人员进行深入访谈,将医院和制药企业中的不同工作岗位所需职业能力进行归纳总结,各个方向共同培养的职业能力作为开发平台课程的依据,医院药学、药物制剂方向各自培养的职业能力作为开发职业方向课程的依据。该课程以应用型人才培养为中心目标,培养学生应用典型药物的理化性质解决该类药物的制剂调配、鉴别、贮存保管及临床使用问题的能力,培养学生对药物合成的能力,重在培养能力,培养创新意识和创新人格。在这个基本前提下,明确主讲教师在整个教学过程中的两大任务。其一,正确引导学生掌握课程的基本理论、基本知识和基本实验技能。其二,着眼于培养学生在掌握药物的化学结构与理化性质、药物的合成、稳定性、药效等

Flash快闪记忆体分类介绍

Flash快閃記憶體分類介紹:SLC/MLC/黑片 1 Flash快閃記憶體是非易失性記憶體,這是相對於SDRAM等記憶體所說的。即記憶體斷電後,內部的資料仍然可以保存。Flash根據技術方式分為Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash,而U盤和MP3中最常用的記憶體就是Nand Flash。 NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,並且象磁片一樣可以通過介面輕鬆升級。但是經過了十多年之後,仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR 和NAND快閃記憶體。大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼,這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高資料存儲密度的理想解決方案。 Nand Flash也有幾種,根據技術方式,分為SLC、MCL、MirrorBit等三種。SLC 是Single level cell的縮寫,意為每個存儲單元中只有1bit資料。而MLC就是Multi-Level-Cell,意為該技術允許2 bit的資料存儲在一個存儲單元當中。而MirrorBit則是每個存儲單元中只有4bit資料。 SLC的技術存儲比較穩定,SLC的技術也最為成熟。然而MLC可以在一個單元中有2bit資料,這樣同樣大小的晶圓就可以存放更多的資料,也就是成本相同的情況下,容量可以做的更大,這也是同樣容量,MLC價格比SLC低很多的原因。通常情況下相同容量的MLC和SLC,MLC的價格比SLC低30%~40%,有些甚至更低。 區分SLC(停產)和MLC(現在主流,分新老制程,60NM 和56/50NM ) 1、看Flash的型號:根據Flash的命名規則,進行區分。 2、測試讀寫速度:SLC的非常快,MLC的很慢。 : 目前市場上還流行黑片、白片的說法,這些都是Downgrade Flash的類型,由於Flash制程和容量的提升,內部的構成越來越複雜。而新的制程推出時,產品良率並不一定理想,那些不良的Flash有些是容量不足,有些是壽命不能達到要求,有些是測試不能通過,這些不能達到出廠要求的Flash都被稱為Downgrade Flash。Downgrade Flash有些由廠家推向市場,比如Spectech等就是鎂光(Micron)的Downgrade Flash。而另外一部分作為廢品淘汰掉,但是利潤驅使,這些廢品也會低價被收購流入市場。一些廠家以各種方案的掃描工具(Soting Board)來檢驗出來哪些能夠使用。這些廠家收購Flash按斤回收,通過少則數十台Soting

药物化学课程标准

《药物化学》课程标准 一、前言 (一)课程的性质 该课程是兽药生产与营销专业的专业基础课,目标是让学生现代药物化学基本理论和技能,对常用药物的结构类型、药物合成、理化性质、构效关系及其应用有一个较系统的认识,并了解现代药物化学的发展,为以后在制药实践中合成并合理使用常用药物打下坚实的基础。它是以有机化学和药理学等课程的学习为基础,也是进一步学习药物制剂技术等课程的基础。 (二)设计思路 按教学大纲规定,认真备课,重视启发式教学,课堂教学多采用多媒体教学。通过阅读教材有关内容,结合观看有关教学VCD、多媒体课件等,培养学生的自学能力,以增加学生的感性认识,启迪学生的科学思维。注意运用理论知识指导学习,通过理论的学习加深对实践的理解。 二、课程目标 通过本课程的学习,要求学生掌握常用药物或代表药物的化学结构、化学名、理化性质、合成制备、构效关系;能够熟练、安全地合成药物;熟悉药物发展史和设计思想,研究构效关系和合理设计药物。 通过本课程的实验,学生能根据所学合成原理进行原料药中间体的合成、化学药物的合成、抗生素的合成;能对合成的粗品进行纯化;能鉴别药物中的杂质。 通过理论与实践一体化的教学方式,让学生在完成具体项目的过程中完成相应工作任务,并构建相关理论知识,发展职业能力,使学生获得的知识,技能真正满足化学制药、药物制剂、药品检验不同岗位发展的需求。为学生今后的专业学习和职业生涯发展、在兽药企业工作中奠定坚实的专业信念、知识与技能的基础。 职业能力培养目标: 1.能根据所学的合成原理进行原料药中间体的合成操作。 2.能进行化学药物的合成操作。 3.能进行抗生素的合成操作。 4.能对合成的粗品进行纯化。 5.能鉴别药物中杂质。 6.能按照药物的理化性质判断其储存条件。 7.能熟练对常用药物或代表药物进行鉴别操作。 8.能按照药物的性质给出调剂的要求。

三星的nand flash的命名规则

三星的pure nand flash的命名规则如下: K 9 ×××××××× - ×××× ××× 1 2 3 4~5 6~7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed OneNand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M

Flash知识点总结(有用哦)(吐血推荐)

Flash基础知识点总结(一) Flash的工作界面 标题栏主工具栏文档选项卡 工具箱 舞 属性面板编辑栏库面板

舞台:进行创作的主要工作区域。 标尺、网格、编辑栏中设置显示比例。 场景概念: 时间轴窗口:由一系列的帧组成,每一帧是一幅瞬时图。分为:图层控制区和时间轴控制区。时间线是通过时间变化精确控制图层在每一秒的位置的工具。默认12帧/秒。Fps(framepersecond) 工具箱:主要绘图工具 动画播放控制器面板 属性窗口:设置对象属性 动作窗口:编写动作脚本 浮动面板:如:库窗口:用于存放重复元素。 (二)Flash动画的制作原理 在时间轴的不同帧上放置不同的对象或设置同一对象的不同属性,例如形状、位置、大小、颜色和透明度等,当播放指针在这些帧之间移动时,便形成了动画。

(三)重要概念 图形:是组成Flash动画的基本元素。制作动画时,可利用Flash的工具箱提供的工具绘制出动画需要的任何图形。 元件:是指可以在动画场景中反复使用的一种动画元素。它可以是一个图形,也可以是一个小动画,或者是一个按钮。 图层:图层就像好多透明的纸,用户可以在不同的纸上绘制各种图画,然后再将所有的纸叠在一起就构成了一幅完整的图画。位于下层的图形将在上层中空白或者透明的地方显示出来。 帧:帧分为关键帧、空白关键帧和普通帧三种类型。 关键帧是可以直接在舞台上编辑其内容的帧, 记录动画内容发生根本性变化的画面。只有关键帧才能进行编辑。F6:插入关键帧。插入关键帧时将上一状态的帧内容完全复制。 空白关键帧帧内没有画面,帧标识是空心小圆圈; 普通帧的作用是延伸关键帧上的内容。 帧频:每秒钟播放的帧数,默认12fps 一般认为是网页上最合适的速度。

药物化学复习重点总结

第一章 绪论 1、药物定义 药物----人类用来预防、治疗、诊断疾病,或为了调节人体功能、提高生活质量、保持身体健康的特殊化学品。 2、药物的命名 按照中国新药审批办法的规定,药物的命名包括: (1)通用名(汉语拼音、国际非专有名, INN )--国际非专利药品名称、指在全世界都可通用的名称、INN 的作用 新药开发者在新药申请时向政府主管部门提出申请并被批准的药物的正式名称。 不能取得专利及行政保护,任何该产品的生产者都可以使用的名称。 文献、教材、资料中及药品的说明书中标明的有效成份的名称。 复方制剂只能用它作为复方组分的使用名称。 (2)化学名称(中文及英文)确定母核, 并编号(位次);其余为取代基或官能团;按规定的顺序注出取代基或官能团的位次:小的基团、原子在前, 大的在后。 逐次比较、双键为连两个相同原子、参看书p10次序规则表 英文化学名—国际通用的名称 化学名—药物最准确的命名 (3)商品名----生产厂家利用商品名来保护自己的品牌 举例 ? 对乙酰氨基酚 (Paracetamol) ? N-(4-羟基苯基)乙酰胺 ? 儿童百服咛? 、 日夜百服咛? ? 3熟悉:药物化学研究的内容、任务 药物化学的研究内容 发现和设计新药 合成化学药物 药物的化学结构特征、理化性质、稳定性 (化学) 药物的药理作用、毒副作用、体内代谢 (生命科学) 药物的构效关系、药物与靶点的作用 药物化学的任务 有效利用现有药物提供理论基础。 —临床药物化学 为生产化学药物提供经济合理的方法和工艺。 -化学制药工艺学 不断探索开发新药的途径和方法,争取创制更多新药。—新药设计 第 二 章 中枢神经系统药物 一、镇静催眠药 1 苯二氮艹 卓类: 母核: 一个苯环和一个七元亚胺内酰胺环骈合

单片机的命名规则

系列产品命名规则 图为Intel公司80C51系列单片机产品命名规则。 Intel 80C51系列单片机产品命名规则 Mask ROM:为掩模ROM。 EPROM:紫外线可擦除ROM。 2. Atmel 80C51系列产品命名规则 Atmel公司是第一家将Flash EEPROM存储器用于80C51系列单片机的生厂商,其典型产品有AT89C51、AT89C52,对应的低功耗产品为AT89LV51

和AT89LV52。图为Atmel公司80C51系列单片机产品命名规则。 Atmel 80C51系列单片机产品命名规则 Flash EEPROM:在片程序存储器为电可擦除的闪速存储器Flash EEPROM。 LV:Low-Voltage,芯片工作电源电压为2.7V~6V。 8 9 系列单片机的型号编码 89 系列单片机的型号编码由三个部分组成它们是前缀型号和后缀格式如下 AT89C XXXXXXXX 其中AT 是前缀89CXXXX 是型号XXXX 是后缀 下面分别对这三个部分进行说明并且对其中有关参数的表示和意义作相应的解释 (l)前缀由字母AT 组成表示该器件是ATMEL 公司的产品 (2)型号由89CXXXX 或89LVXXXX 或89SXXXX 等表示

89CXXXX 中9 是表示部含 Flash 存储器C 表示为 CMOS 产品 89LVXXXX 中LV 表示低压产品 89SXXXX 中S 表示含有串行下载 Flash 存储器 在这个部分的XXXX 表示器件型号数如51 1051 8252 等 (3)后缀由XXXX 四个参数组成每个参数的表示和意义不同在型号与后缀部分有”-”号隔开 后缀中的第一个参数 X 用于表示速度它的意义如下 X 12 表示速度为12 MHz X 20 表示速度为20 MHz X 16 表示速度为16 MHz X 24 表示速度为24 MHz 后缀中的第二个参数 X 用于表示封装它的意义如下 X D 表示瓷封装 X Q 表示 PQFP 封装 X J 表示 PLCC 封装 X A 表示 TQFP 封装 X P 表示塑料双列直插 DIP 封装 X W 表示裸芯片 X S 表示 SOIC 封装 后缀中第三个参数 X 用于表示温度围它的意义如下 X C 表示商业用产品温度围为0 十 70 X I 表示工业用产品温度围为40 十 85 X A 表示汽车用产品温度围为40 十 125 X M 表示军用产品温度围为55 十 150 后缀中第四个参数 X 用于说明产品的处理情况它的意义如下 X 为空表示处理工艺是标准工艺 X 883 表示处理工艺采用 MIL STD 883 标准

三星NAND FLASH命名规则

三星的pure nand flash(就是不带其他模块只是nand flash存储芯片)的命名规则如下:第1位. Memory (K) 第2位. NAND Flash : 9 第3位. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Bl ock) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed OneNand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 第4~5位. Density(注:实际单位应该是bit,而不是Byte) 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G 2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G AG : 16G BG : 32G CG : 64G

OK335x产品规格书-2013-09-12

OK335x产品规格书

目录 第一章产品说明 (3) 1.1产品总述 (3) 1.2应用领域 (4) 第二章OK335xD产品 (5) 2.1产品概述 (5) 2.1.1FET335xD概述 (5) 2.1.2OK335xD概述 (7) 2.2产品参数 (8) 2.2.1FET335xD硬件参数 (8) 2.2.2FET335xD软件参数 (8) 2.2.3OK335xD接口说明 (10) 2.3FET335xD尺寸说明 (11) 第三章OK335xS产品 (12) 3.1产品概述 (12) 3.1.1FET335xS概述 (12) 3.1.2OK335xS概述 (13) 3.2产品参数 (14) 3.2.1FET335xS硬件参数 (14) 3.2.2FET335xS软件参数 (14) 3.2.3OK335xS接口说明 (16) 第四章附加说明 (17)

第一章产品说明 1.1产品总述 OK335x开发板是一款由飞凌自主设计、生产和发行销售的高性能开发平台。本开发板采用了TI公司的AM335X Cortex-A8处理器,运行主频高达1GHz,AM335X处理器集成了两个1000M网卡,集成了Can总线控制器,IIC控制器,LCD控制器,集成了PowerVR SGX530图形处理器,非常适合工业控制,多媒体终端等应用领域。 OK335X开发平台采用“核心板+底板”结构,这种分离设计是一种高效率,低成本的设计方式,核心板采用6层或者8层PCB,底板采用2层PCB,客户可以从我公司购买核心板,设计自己的底板,这样可以加速产品上市的时间,降低客户研发风险,为客户节约产品成本。 针对AM335X CPU的特性,飞凌公司开发了两款基于AM335X的开发平台,OK335xD和OK335xS,这两款产品的主要差别是核心板和底板的连接方式,OK335xD的核心板和底板采用200Pin的双排针插座,方便核心板与底板插拔,OK335xS核心板和底板采用136Pin的邮票孔连接方式,这种连接方式使核心板和底板连接更稳定,适用于对产品高度有要求的应用环境,除此外OK335xS有两个1000M网口,而Ok335xD有一个1000M网口,更详细的差别请看后面章节的详细介绍。 OK335xD和OK335xS开发板默认使用TI AM3354处理器,运行主频800MHz/720MHz,运行温度为-40℃~+90℃.,下面是两款产品的详细参数。

药物化学课程标准

一、课程性质 《药物化学》是高职高专药学专业的一门职业核心课程,其主要学习内容包括典型药物的名称、化学结构、理化性质、构效关系、体内代谢及寻找新药的基本途径等。本课程是学习基础药学化学、分析化学、生物化学与药理学、药剂学、药物分析和药品营销实用技术等课程之间的桥梁,对学生全面掌握专业知识有着承前启后的重要作用。 本课程的任务是通过理论和实践教学,使学生具备高职高专药学专门人才所必须的基本理论知识;具备药物定性、稳定性考察、纯化制备、制剂、检验、养护、调剂及合理用药等方面相关的基本能力;形成良好的职业素质。同时达到本专业学生应获得的有关职业资格证书相应考核模块的要求。 二、课程设计思路 本课程是以高职药学专业学生就业为导向,根据学生就业岗位的特点、工作性质、任务的需要而设计。本课程贯彻“基础理论教学要以应用为目的,以必须、够用为度,以掌握概念、强化应用、培养技能为教学重点”的原则,帮助学生在系统学习药物化学的同时,加深对基本知识、基本理论的理解以及对基本技能的掌握,从而培养学生的动手能力和解决实际问题的能力,让学生初步具备常用药物合成、基本合成操作的基本职业能力。 (一)教学模式 1、贯彻工学结合、校企互动的培养模,实施实践-理论-实践交替的递进式教学。 2、《药物化学》课程理论53学时、实验实训32学时、综合实训6学时,顶岗实习200学时 (二)教学任务安排 教师运用“教、学、做”一体化的方法,借助多媒体课件进行教学。 学生在实训室模拟实训,奠定从事相关岗位工作的基础。 地点:多媒体教室 教师:专兼职教师 教材:药物化学相关教材、学习指导、网络资源 方法:项目教学、案例教学 地点:药物化学实训室 教师:专兼职教师 教材:药物化学实训指导 方法:实训教学 理论教学 40学时 校内实训

SLC和MLC闪存nand flash的区别和历史

SLC和MLC闪存nand flsah的区别和历史 飞凌OK6410开发板全新升级,标配1G超大容量NandFlash,让您的使用更加游刃有余。 市面上绝大多数6410开发板仍然只是支持SLC类型的NAND。我们经过努力,实现了MLC NAND的完美支 持。成为同价位开发板中唯一标配1GFlash的产品。包括wince系统在内的驱动软件经过改写,并严格测 试。使用MLC的NAND可大幅提高容量和产品性价比。 备注:强大的S3C6410处理器支持MLC NANDFLASH,而这个功能在S3C2440上是不支持的。MLC NAND已经得 到广泛应用,是未来的发展方向。 ------------------------------------------------------------------------------------------ 以前只是知道FLASH分为NOR和NAND,没有注意过NAND还分很多种。今天看到飞凌的升级信息,就在 网上查了一下。评论不一,就拿出来和大家讨论一下,互相学习了。 Flash闪存是非易失性存储器,这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后,内部的数据仍 然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash,而U盘和MP3中最常用的内存就 是Nand Flash。 Nand Flash也有几种,根据技术方式,分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。SLC是Single level cell 的缩写,意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell,意为该技术允许2 bit的数 据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。 SLC的技术存储比较稳定,SLC的技术也最为成熟。然而MLC可以在一个单元中有2bit 数据,这样同样大小 的晶圆就可以存放更多的数据,也就是成本相同的情况下,容量可以做的更大,这也是同样容量,MLC价 格比SLC低很多的原因。通常情况下相同容量的MLC和SLC,MLC的价格比SLC低30%~40%,有些甚至更低。 区分SLC(停产)和MLC(现在主流,分新老制程,60NM 和56/50NM ) 1、看Flash的型号:根据Flash的命名规则,进行区分。 2、测试读写速度:SLC的非常快,MLC的很慢。 SLC闪存:即单层式储存(Single Level Cell;SLC),包括三星电子、Hynix、美光(Micron)以及 东芝都是此技术使用者 MLC闪存:多层式储存(Multi Level Cell;MLC),目前有东芝、Renesas、三星使用,英飞凌 (Infineon)与Saifun Semiconductors合资利用NROM技术所共同开发的多位储存(Multi Bit Cell; MBC)。 除了三星,Hynix等其他存储器制造商也在向MLC闪存迈进。虽然东芝凭借多年的技术

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