ACF-AC22低温压合异方性导电胶技术资料MSDS

光刻胶配方分析成分组成解析

一、项目背景 光刻胶是一类利用光化学反应进行精细图案转移的电子化学品。光刻胶在曝光区域发生化学反应，造成曝光和非曝光部分在碱液中溶解性产生明显的差异，经适当的溶剂处理后，溶去可溶部分，得到所需图像。根据化学反应机理，分负性胶和正性胶两类。经曝光、显影后，发生降解反应，溶解度增加的是“正性胶”;发生交联反应，溶解度减小的是“负性胶”。 通常负性胶的灵敏度高于正性胶，而正性胶的分辨率高于负性胶，正性胶对比度高度负性胶。 二、项目特点 1)感光度，指在胶膜上产生一个良好图形所需一定波长的光的能量值，即曝光量。 2)分辨率，是光刻工艺的一个特征指标，表示在基材上能得到的立体图形良好的最小线路； 3)对比度，指光刻胶从曝光区域到非曝光区域过渡的陡度，对比度越好，得到的图形越好； 4)残膜率，经曝光显影后，未曝光区域的光刻胶残余量； 5)涂布性，光刻胶在基材表面形成无针孔、无气泡、无缺陷、膜厚均一； 6)耐热性，光刻工艺中，经过前烘使光刻胶中的溶剂蒸发，得到膜厚均一的胶膜；经过后烘，进一步蒸发溶剂，提高光刻胶在显影后的致密度，增强胶膜与基板的粘附性。这两个过程都要求光刻胶有一定的耐热性； 7)粘附性，蚀刻阶段，光刻胶有抗蚀刻能力； 8）洁净度，对微粒子和金属离子含量等材料洁净度的影响； 三、项目开发价值 a. 如何提高显影质量，光刻胶在显影过程中，通常会出现显影不足、不完全显影、过显影等问题，如何正确显影至关重要； b.如何提高对比度，光刻胶形成图形的侧壁越陡峭，对比度越好，质量越高； c. 如何进一步提高分辨率，光刻胶在集成电路的应用等级，分为普通宽普光刻胶、g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、F2（157nm），以及最先进的EUV （＜13.5nm）线水平。等级越往上其极限分辨率越高，同一面积的硅晶圆布线密度就越大，性能越好。 d.如何提高去胶率，无论是湿法去胶还是干法去胶，光刻胶去除工艺都需要在低材料损伤、衬底硅材料损伤与光刻胶及其残留物去除效果之间取得平衡；

异方性导电胶膜的基本原理和主要问题解析

异方性导电胶膜(ACF)的基本原理和主要问题解析: 随着电子产品朝轻，薄，短，小化快速发展，各种携带式电子产品几乎都已液晶显示器作为显示面板，液晶显示器已是重要的组成组件。液晶显示器除了液晶面板外，在其外围必须连动驱动芯片作为显示讯号之控制用途。本文主要介绍连接液晶面板与IC连接一种主流方式晶粒－玻璃接合技术(Chip on Glass；COG)使用的导电材料异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film；ACF)，以下简称为ACF。 一、ACF基本原理 1.1材料介绍 1.1.1何谓异方性导电膜：其特点在于Z轴电气导通方向与XY绝缘平面的电阻特性具有明显的差异性。当Z轴导通电阻值与XY平面绝缘电阻值的差异超过一定比值后，既可称为良好的导电异方性。 1.1.2ACF主要组成：主要包括树脂黏着剂、导电粒子两大部分。树脂黏着剂功能除了防湿气，接着，耐热及绝缘功能外主要为固定IC芯片与基板间电极相对位置，并提供一压迫力量已维持电极与导电粒子间的接触面积。 1.2基本原理 1.2.1导通原理：利用导电粒子连接IC芯片与LCD基板两者之间的电极使之成为导通，同时又能避免相邻两电极间导通短路，而达成只在Z轴方向导通之目的。 注：LCD面板(包括面偏光片和底偏光片);IC(集成电路):驱动和控制LCD显示;ACF(异方性导电膜):将IC与LCD或FPC与LCD连接;FPC(柔性线路板):连接和导电作用 1.2.2ACF主要参数对bonding的影响： 异方导电特性主要取决于导电粒子的充填率。虽然异方性导电胶其导电率会随着导电粒子充填率的增加而提高，但同时也会提升导电粒子互相接触造成短路的机率。此外，导电粒子的粒径分布和分布均匀性亦会对异方导电特性有所影响。通常，导电粒子必须具有良好的粒径均一性和真圆度，以确保电极与导电粒子间的接触面积一致，维持相同的导通电阻，并同时避免部分电极未接触到导电粒子，导致开路的情形发生。常见的粒径范围在3~5μm之间，太大的导电粒子会降低每个电极接触的粒子数，同时也容易造成相邻电极导电粒子接触而短路的情形；太小的导电粒子容易行成粒子聚集的问题，造成粒子分布密度不平均。在导电粒子的种类方面目前已金属粉末和高分子塑料球表面涂布金属为主。常见使用的金属粉镍(Ni)、金(Au)、镍上镀金、银及锡合金等。 二、ACF贴附不良分析与改善 2.1 ACF短贴 1）现象：ACF未完全贴合IC压合区域 2）原因：剪刀剪ACF的位置要位于压头前，并且两者要相距1-1.5mm，若靠的太近，压头可能会压到切刀切的位置，剥离离型纸时ACF在切口处被扯断，造成下一片ACF倒折，也可能造成此片贴付不良。确认方法：在FPC ACF贴付完毕后，目视或在显微镜下可看到压头压到的位置和没有压到的位置颜色有明显差异。 3）对策：若确认NG，1)看看剪刀机构是否松动；2)若没有松动，则需要打开后盖调整剪刀与压头的相对位置。 2.2 ACF反折 1）现象：剪刀剪不断造成最后一颗反折。 2）原因：剪刀上有胶、剪刀倾斜、剪刀不锋利、切刀深度不够、切刀速度不当等。 确认方法：剪一段ACF，用胶带粘去时观察断口是否容易断开，若能断开，在断口处是否有被拉起而使ACF在离型纸上的颜色有所变化。 3）对策：a、先观察剪刀上是否有胶b、用安装剪刀的治具检查剪刀是否倾斜c、检查剪刀刀口是否磨钝d、若前3项都排除，可以通过调节剪刀速度来改善，因为调剪刀深度效果不明显。 三、结束语 总结本文，要对ACF材料原理熟悉并掌握相关制程原因可有效解决生产作业过程中造成的ACF贴附不良问题。

正硅酸乙酯

正硅酸乙酯 一、内部编号 二、基本信息 正硅酸乙酯别名硅酸四乙酯；四乙氧基硅烷，是一种无色液体，稍有气味，主要用作防热涂料、耐化学作用的涂料、有机合成中间体。 三、理化性质 分子量：208.33，蒸汽压0.13kPa/20℃，闪点：46℃，外观：无色透明液体，比重：0.934(D25) ，引火点：54.4℃，熔点：-77℃，沸点：165.5℃，溶解性：微溶于水，溶于乙醇、乙醚，相对密度(水=1)0.93；相对密度(空气=1)7.22 ，稳定性：稳定，危险标记：7(易燃液体) ，CAS No. 78-10-4 对空气较稳定；微溶于水，在纯水中水解缓慢，在酸或碱的存在下能加速水解作用；与沸水作用得到没有电解质的硅酸溶胶。正硅酸乙酯与较高级醇或其酯类在催化剂存在下反应，可得较高级醇的正硅酸酯。 四、用途 用作防热涂料、耐化学作用的涂料、有机合成中间体 五、危险性 1、易燃，遇高热、明火、有引起燃烧的危险。遇水能逐渐水解放出刺激性气体 2. 燃烧(分解)产物：一氧化碳、二氧化碳、氧化硅。 六、劳动保护 呼吸系统防护：空气中浓度超标时，应该佩戴防毒面具。 眼睛防护：戴化学安全防护眼镜。 身体防护：穿防静电工作服。 手防护：戴乳胶手套 其它：工作现场严禁吸烟。工作毕，淋浴更衣。注意个人清洁卫生。 七、应急处理 1.皮肤接触：脱去被污染的衣着，用肥皂水和清水彻底冲洗皮肤。 2.眼睛接触：提起眼睑，用流动清水或生理盐水冲洗。就医。 3.吸入：迅速脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道通畅。如呼吸困难，给输氧。如呼吸停止，立即进行人工呼吸。就医。 4.食入：饮足量温水，催吐，就医。 八、泄漏应急处理 迅速撤离泄漏污染区人员至安全区，并进行隔离，严格限制出入。切断火源。建议应急处理人员戴自给正压式呼吸器，穿消防防护服。不要直接接触泄漏物。尽可能切断泄漏源。防止进入下水道、排洪沟等限制性空间。

光刻胶知识简介

光刻胶知识简介 光刻胶知识简介: 一.光刻胶的定义(photoresist) 又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。 二.光刻胶的分类 光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。 基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。 ①光聚合型 采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。 ②光分解型 采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶. ③光交联型 采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。 三.光刻胶的化学性质 a、传统光刻胶：正胶和负胶。 光刻胶的组成：树脂（resin/polymer），光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等）；感光剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent），保持光刻胶的液体状态，使之具有良好的流动性；添加剂（Additive），用以改变光刻胶的某些特性，如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。 负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯，一种天然的橡胶；溶剂是二甲苯；感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂，产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影液。负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨；曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。 正性光刻胶。树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中；感光剂是光敏化合物（PAC，Photo Active Compound），最常见的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ是一种强烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ在光刻胶中化学分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸，它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率。

光刻胶参数及光刻工艺

光刻胶参数及光刻工艺 1、正性光刻胶RZJ-304 ●规格 RZJ-304：25mpa·s，50mpa·s（粘稠度），配用显影液：RZX-3038 ●匀胶曲线 注：粉色为50cp，蓝色为25cp ●推荐工艺条件 ①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.0～3.5μm ②前烘：热板100℃×90sec ③曝光：50～75mj/cm2（计算方法:取能量60mj/cm2取光强400×102um/cm2，则60/40=1.5s） ④显影：23℃，RZX-3038，1min，喷淋或浸渍 ⑤清洗：去离子水30sec ⑤后烘：热板120℃×120sec

●规格 S1813，配用显影液为ZX-238 ●匀胶曲线 ●推荐工艺条件1（以具体工艺为参考） ①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.23um（1.1～1.9μm） ②前烘：热板115℃×60sec ③曝光：150mj/cm2 ④显影：21℃，ZX-238，65sec，喷淋或浸渍 ⑤清洗：去离子水30sec ⑥后烘：热板125℃×120sec

●规格 AZ-5214，配用显影液AZ-300 ●匀胶表格（单位：微米） ●推荐工艺条件1（以具体工艺为参考） ①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.47um（1.14～1.98μm） ②前烘：热板100℃×90sec ③曝光：240mj/cm2 ④后烘：115℃×120sec ⑤泛曝光：>200mj/cm2 ⑥显影：21℃，AZ-300，60sec，喷淋或浸渍 ⑦清洗：去离子水30sec ⑧坚膜：热板120℃×180sec 注意： 紧急救护措施（对于光刻胶） ①吸入：转移至空气新鲜处，必要时进行人工呼吸或就医。 ②皮肤接触：肥皂水清洗后自来水清洗。 ③眼睛接触：流动清水清洗15分钟以上，必要时就医。

规格书

目录 适用于中小型LCD的Chip On Glass用异方性导电膜(ACF) (2) CP34532-18AB (4) CP36931-18AJ (7) CP6920F/CP6920F3 CP34532-18AB/CP36931-18AJ 类比 (10) 适用于中小型LCD有机EL面板的Chip On Glass用异方性导电膜(ACF) (11) CP6930JV3 (11) 适用于中小型LCD有机EL面板的Film On Glass用异方性导电膜(ACF) (13) CP13341-18AA/CP13341-25AJ (13) 适用于大型LCD/有机EL面板的Film On Glass用异方性导电膜(ACF) (15) CP14531-14AJ (15) 适用于大型LCD/有机EL面板的Film On Board用异方性导电膜(ACF) (17) CP20431-35AG (17) 替代焊锡和连接器的Film On Board/Film用异方性导电膜(ACF) (19) CP801AM-35A（CDP3342MS） (19) 适用于相机模块的Film On Board用异方性导电膜（ACF） (21) DP3342M (21) SCP805AM-30AC (23) DP3342M/SCP805AM-30AC类比 (25) 适用于玻璃触摸面板的Film On Glass用异方性导电膜(ACF) (26) CP806AM-16AC (26) 适用于薄膜触摸面板的Film On Plastics用异方性导电膜（ACF） (28) CP923CM-25ACCP923AM-18AC (28) 适用于IC卡RF标签的Chip On Board用异方性导电膜(ACF) (30) FP2622A (30) FP2322D (32) FP2622A/FP2322D类比 (34)

3M胶带型号及用途

1、3M双面光学透明胶带OCA：8142A、821 2、8141、8161、8185、8187、948 3、8172、8195、8197 I8OOII3O87O 2、3M导电胶带/3M导电纯胶膜9712、971 3、9719、9703、9705、9708、9709；异方性导电胶膜：9719,9713、9703、9705、9708、9709、9709SL、7303、5303、7393、7379、7371、7376、7378、879 4、5363、7313、7396、5552R等最新型号3MACF导电胶膜、异方性导电胶膜、异方性导电胶带、ACF胶带 3、3M热熔胶 I8OOII3O87O 膜:3M615,3M615S,3M615ST,3M406,3M583,3M688,3M690,3M690T,3MAF-111,3MAF-43 I8OOII3O87O 4、3M导热胶膜:3M8805;3M8810;3M8815;3M8820; 5、3M导热垫片:3M9889FR,3M9894FR,3M9879Fr 6、3M导热接口垫 片:3M5516,3M5591,3M5591S,3M5592S,3M5595S,3M5589H,3M5590H 7、3M硅胶和亚克力双面胶带：9731，9731B，9731RW一面是硅胶,一面是亚克力胶 8、3M遇水指示标签\质保和安全胶带：3M5557,3M5557NP,3M5558,3M5559 9、3M遮光胶带，3M黑白双面胶带55200H、55201H、6006H、6008H、9582H、9583H、4012-30、4012-50、4012-60、4019-50、4019-60、4019-85、4003C、4003T、4040、4007、4037，用于液晶显示器及背光模组 3M遮光胶带，3M黑色双面胶带9004、9622、9632、936BK、9313B、9005、4362S、4363S、4364S 10、3MVHB胶带：此系列产品可以广泛用于金属，塑料，玻璃，陶瓷等多种材料的架构粘结，如电子产品塑料部件的固定，夹层玻璃等。型号有： 3MVHB胶带：3M4606，3M4608，3M4914，3M4941，3M4945，3M4951 3M4920,3M4930,3M4950,3M4955,3M4959,3M4926,3M4936,3M4941,3M4956 ,3M493 2,3M4952,3M4945 3M4950,3M4951，43M914，3M4941，3M4926,3M4032，3M4004，3M4008，3M4016，3M4026， 3M4432，3M4965,3M4116,3M4211,3M4229,3M5314,3M5925,3M4229P，3M5314， 3M4215，3M4210 3MF9460PC，3M F9469PC，3MF9473PC双面胶带 11、3M双面胶带（两面相同胶粘剂）：3M 4801;3M 9009;3M 9019;3M 9077;3M 9475LE;3M 9492MP;3M 9495LE;3M 9495MP;3M 9609;3M 55230;3M55231;3M 55232;3M 55235;3M 55256;3M 55257;3M 55258;3M 55261;3M 55262;3M Y9448，3M9495le,3m9690,3m 9009,3m 9019,3m 9079,3m9461p,3m 9485pc,3m 9482pc,3m 9460pc vhb,3m 9469pc vhb,3m 9473pc vhb, 12、3M双面胶带(两面不同粘剂)：3M9731；3M 4377-50；3M 4377-85；3M 9415PC；3M 9425HT；3M 9425 13、3M无基材纯胶膜：3M467MP;3M468MP;3M966 3M7955MP;3M9079; 3M9082; 3M9085 ;3M9458; 3M 9471LE;3M9472LE;3M9482PC;3M 9485PC;3M 9671LE;3M 9672LE;3M F9460;3M F9469;3M F9473,3M9832 14、3M医用胶带：单面薄膜胶带、双面胶带和转移胶带、无纺布和织造布胶带、水胶体胶带、泡沫胶带 15、3M双面丙烯酸泡绵胶带：Y-4615/Y-4609/ 4618/4622

紫外正型光刻胶及配套试剂

紫外正型光刻胶及配套试剂 一．紫外正型光刻胶开发及应用 微细加工技术实际上就是实现图形转移整个过程中的处理技术，也就是将掩膜母版上的几何图形先转移到基片表面的光刻胶胶膜上，然后再通过从曝光到蚀刻等一系列处理技术把光刻胶膜上的图像复制到衬底基片表面并形成永久性图形的工艺处理过程。在此过程中光刻工艺是IC生产的关键工艺，光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体上，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用超净高纯试剂进行蚀刻并最终获得永久性的图形。在图形转移中需要10多次光刻才能完成。蚀刻的方式有多种，其中湿法蚀刻是应用最广、最简便的方法。而且超净高纯试剂、紫外光刻胶在电子工业的实际生产中应用最广。而光刻胶及蚀刻技术是实现微电子微细加工技术的关键。 所谓光刻胶，又称光致抗蚀剂(Photoresist)，是指通过紫外光、电子束、离子束、Ｘ—射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，经曝光和显影而使溶解度增加的是正型光刻胶，溶解度减小的是负型光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶(包括紫外正型光刻胶、紫外负型光刻胶)、深紫外光刻胶、电子束胶、Ｘ—射线胶、离子束胶等。光刻胶与IC发展的关系见下表：

试剂所自70年代末80年代初开始从事紫外正、负型光刻胶及配套试剂的研究与开发工作，自“六五”以来，一直是国家重点科技攻关项目── 紫外光刻胶研究项目的组长承担单位。到目前为止，已经研制成功适用于5μm、2～3μm、0.8～1.2μm工艺技术用的系列紫外正、负型光刻胶及配套试剂。其中的BN-302、BN-303、BN-308、BN-310系列紫外负型光刻胶均获得了化工部的科技进步二等奖，北京市科技进步二等奖，BN-303被评为国家级新产品；BP-212、BP-213紫外正型光刻胶获得了化工部科技进步二

光刻胶步骤

1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking）方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～250C,1～2分钟，氮气保护）目的：a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；b、除去水蒸气，是基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。 2、涂底（Priming）方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～250C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS 用量大。目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。 3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating）方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄；影响光刻胶均匀性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率）：I-line最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～0.5μm。 4、软烘（Soft Baking）方法：真空热板，85～120C,30～60秒；目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶玷污设备； 5、边缘光刻胶的去除（EBR，Edge Bead Removal）。光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。方法：a、化学的方法（Chemical EBR）。软烘后，用PGMEA或EGMEA 去边溶剂，喷出少量在正反面边缘出，并小心控制不要到达光刻胶有效区域；b、光学方法（Optical EBR）。即硅片边缘曝光（WEE，Wafer Edge Exposure）。在完成图形的曝光后，用激光曝光硅片边缘，然后在显影或特殊溶剂中溶解； 6、对准（Alignment）对准方法：a、预对准，通过硅片上的notch或者flat 进行激光自动对准；b、通过对准标志（Align Mark），位于切割槽（Scribe Line）上。另外层间对准，即套刻精度（Overlay），保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。 7、曝光（Exposure）曝光中最重要的两个参数是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距调整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。曝光方法： a、接触式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，寿命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。 b、接近式曝光（Proximity Printing）。掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。可以避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤。但是同时引入了衍射效应，降低了分辨率。1970后适用，但是其最大分辨率仅为2～4μm。 c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影响减小。投影式曝光分类：扫描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工艺；掩膜板1：1，全尺寸；步进重复投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm （DUV）。掩膜板缩小比例（4：1），曝光区域（Exposure Field）22×22mm（一

导电胶

异方性导电膜 异方性导电膜ACF,ACF胶,ACF胶带上海常祥实业有限公司作为3M和SONY顶级合作伙伴，全面代理3M和SONY异方性导电胶膜、ACF、异方性导电胶带、ACF胶带。 上海常祥优势代理SONY以下型号的ACF，ACF胶带，异方性导电膜：6920F，6920F3，9742KS，9142，9420，9920，9731SB，9731S9等各种型号。 其中6920系列用于中小型液晶面板的COG； 9731SB，9731S9用于中小型液晶面板的FOG； 9742KS用于等离子面板的FOG； 9420，9920用于大型液晶面板的FOG。 上海常祥实业同时代理3M异方性导 电胶膜、光学透明胶带、各种胶带、胶粘剂、绝缘粉末、氟材料等；Uninwell导电银胶、导电银浆、贴片红胶、底部填充胶、TUFFY胶、LCM密封胶、UV胶、异方性导电胶ACP、太阳能电池导电浆料等系列电子胶粘剂。可以为触摸屏行业、太阳能电池行业、RFID射频识别、LED行业、EL冷光片行业、LCM行业、集成电路封装等提供整合的解决方案。 为了更好的为尊崇的您提供优质服务，公司在深圳、北京、成都、苏州等地有设有分支机构。 3M导电胶带，异方性导电胶膜，各向异性导电薄膜的型号包括有：9703、9705、9706、9708、9709、9709SL、9712、9713、9719、7761、7763、7765、7805、7303、5303、7393、7376、7371、7378、8794、5363、7313、7396、5552R 等最新型号的ACF导电胶膜、异方性导电胶膜、异方性导电胶带、ACF胶带。 其中7303、5363用于软板连接到PCB 上，及电极与电线间的连接，主要是手机、数码相机、笔记本等数码产品装配用，用于替代锡焊和连接器等；异方性导电胶 异方性导电胶简述： Uninwell international导电胶性能优异。适用于LED、大功率LED、LED数码管、LCD、TR、IC、COB、PCBA、FPC、FC、LCD、EL冷光片、显示屏、压电晶体、晶振、谐振器、太阳能电池、光伏电池、蜂鸣器、半导体分立器件等各种电子元件和组件的封装以及粘结等。应用范围涉及电子元器件、电子组件、电路板组装、显示及照明工业、通讯、汽车电子、智能卡、射频识别、电子标签等领域。 Uninwell International是集研发、生产和销售为一体的跨国集团，是全球导电浆料导电银浆产品线最齐全的企业，其公司的BQ-异方性导电胶ACP―6996、6997、6998系列是全球顶尖的多位专家耗时多年开发出的。 异方性导电胶ACP可以广泛用于触摸屏、CSP、FPC、FPC/ITO glass、PET/ITO glass、PET/PET、倒装芯片(Flip chip)、液晶显示（LCD）、TP、电子标签、射频识别（RFID）、薄膜开关、EL backlight terminals等领域。 Uninwell International的 Breakover-quick-异方性导电胶ACA、ACP―6996、6997、6998是全球顶尖的多位专家耗时多年开发出的。其中6996系列为加热加压固化型；6997系列为加热低温固化型；6998系列为UV紫外线光固化型。 二异方性导电胶（ACA）简述 异方性导电胶又叫异向导电胶、ACA、ACP等。 ACA代表了聚合物键合剂的第一个主要分支，导电胶的各向异性使得材料在垂直于Z轴的方向具有单一导电方向。这个方向电导率是通过使用相对较低容量的 导电填充材料（5%-20%范围）来达到的，这里容量相对较低的结果导致晶粒间的 接触不充分，使得导电胶在x-y平面内导电性变差，而Z轴的粘胶、无论是以薄膜形式还是以粘胶形式，在待连接表面之间

正硅酸乙酯在日化中的应用

正硅酸乙酯在日化中的应用 发布时间:2014-4-15 正硅酸乙酯是有机硅氧烷和烯丙基聚醚反应而成的特种硅油，正硅酸乙酯是具有反应活性的非子型表面活性剂。能与水、芳香烃和醇以任意比互溶，有优异的耐洗性、抗静电性和柔软性，特别适用于洗发水和护发素的生产。 技术指标: 外观:无色至淡黄色透明液体 粘度（cs，25°C）：500-1500比重（kg/m?,25°C）:1.01-1.060 推荐用量:0.5-2% 产品的应用:本品有良好的水溶性及优良的表面活性能在皮肤表面形成均匀的透气保护膜使 皮肤柔软光滑达到良好的干湿梳理性用含本品洗过的头发松软光滑可梳性好被广泛用于 日用洗发香波，护发素、沐浴露，啫喱水，洗面奶及膏霜制品中 脱模剂的原理 聚醚改性硅油 SI-T105轮胎胶囊隔离剂 塑胶脱模剂是脱模剂的一种，是专门为塑胶行业的特点而定做的一种脱模剂，耐高温。它可以提高塑胶脱模剂模具的强度和耐热性能，并降低成本。例如酚醛树脂中加入木粉后可大大降低成本，使酚醛塑料成为最廉价的塑料之一，同时还能显著提高机械强度。 填料可分为有机填料和无机填料两类，前者如木粉、碎布、纸张和各种织物纤维等，后者如玻璃纤维、硅藻土、石棉、炭黑等。 模具温度过低,喷油压力低。收缩:冷却时间短、喷油压力、低排气较差。 批量峰:注塑压力太大,高温、模具老化或磨损。变形:成型时间较短,包装过多、顶针不均匀的厚度、产品形状的不均匀。5。 把线:模具温度过低,原料太多,混合次擦脱模剂太多了。 大多数塑胶脱模剂的化学稳定性、质轻、不生锈、耐冲击;正硅酸乙酯具有较好的透明性、耐磨性性;绝缘好,导热系数低的;其实树脂与塑料是两个不同的概念。树脂是一种未加工的原始聚合物，它不仅用于制造塑料，而且还是涂料、胶粘剂以及合成纤维的原料。而塑料除了极少一部分含100％的树脂外，某些塑胶脱模剂溶于溶剂。热塑性:热固性塑胶脱模剂是指其他条件加热能够被治愈或不可克服的(熔化塑胶脱模剂)特性,如电木、环氧塑胶脱模剂等。 热固性塑胶脱模剂又分甲醛交联型和其他交联式两种。甲醛交联型塑胶脱模剂包括电木、尿素氨基塑胶脱模剂(甲醛等三聚氰胺甲醛等)。其他交联型塑胶脱模剂包括:不饱和聚酯、环氧树脂、邻苯二甲二烯丙酯树脂等。热固性:热塑性塑胶脱模剂是指在特定温度范围,能软化和冷(热)多次硬化的塑胶脱模剂,如聚乙烯。 如何正确使用隔离剂 SI-204正硅酸乙酯 隔离剂是一种橡胶加工用的助剂，主要作用是防止材料相互粘结。使用隔离剂时要注意以下方面： 1、一般使用不锈钢模具配合隔离剂使用，而且建议用热膜效果会更好。 2、在使用新模具之前，最好先将空模具烘烤2-3次，这样做的好处一是可以将黄油烧掉，还可以使模具膨胀系数稳定。使用旧磨具时，切记将其表面的灰尘清除，否则会影响效果。 3、隔离剂不会变质，因此可以重复使用。当发觉效果减弱时，可以补强一些，、使用隔离剂之后，如果模具暂时不用，应将模具单独放立，切忌叠加，弄脏模具。正硅酸乙酯模具放置一段时间重新使用时，

光刻胶大全

光刻胶产品前途无量（半导体技术天地） 1 前言 光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工，近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器（FPD）的制作。由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上，然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工，因此是电子信息产业中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工材料。作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC，经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。 2 国外情况 随着电子器件不断向高集成化和高速化方向发展，对微细图形加工技术的要求越来越高，为了适应亚微米微细图形加工的要求，国外先后开发了g线（436nm）、i线（365nm）、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀剂等一系列新型光刻胶。这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达（Kodak）公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等；联合碳化学（UCC）公司的KTI系列；日本东京应化（Tok）公司的TPR、SVR、OSR、OMR；合成橡胶（JSR）公司的CIR、CBR 系列；瑞翁（Zeon）公司的ZPN系列；德国依默克（E.Merk）公司的Solect等。正性胶如：美国西帕来（Shipely）公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。 2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额 公司 2001年收益 2001年市场份额（%） 2000年收益 2000年市场份额（%） Tokyo Ohka Kogyo 150.1 22.6 216.5 25.2 Shipley 139.2 21.0 174.6 20.3 JSR 117.6 17.7 138.4 16.1 Shin-Etsu Chemical 70.1 10.6 74.2 8.6 Arch Chemicals 63.7 9.6 84.1 9.8 其他 122.2 18.5 171.6 20.0 总计 662.9 100.0 859.4 100.0 Source: Gartner Dataquest 目前，国际上主流的光刻胶产品是分辨率在0.25μm～0.18μm的深紫外正型光刻胶，主要的厂商包括美国Shipley、日本东京应化和瑞士的克莱恩等公司。中国专利

正硅酸乙酯(1)

正硅酸乙酯 一、成分/组成信息 化学品名称：正硅酸乙酯分子式： 二、基本信息 正硅酸乙酯别名硅酸四乙酯；四乙氧基硅烷，是一种无色液体，稍有气味，主要用作防热涂料、耐化学作用的涂料、有机合成中间体。 三、理化性质 分子量：208.33，蒸汽压0.13kPa/20℃，闪点：46℃，外观：无色透明液体，比重：0.934(D25) ，引火点：54.4℃，熔点：-77℃，沸点：165.5℃，溶解性：微溶于水，溶于乙醇、乙醚，相对密度(水=1)0.93；相对密度(空气=1)7.22 ，稳定性：稳定，危险标记：7(易燃液体) ，CAS No. 78-10-4 对空气较稳定；微溶于水，在纯水中水解缓慢，在酸或碱的存在下能加速水解作用；与沸水作用得到没有电解质的硅酸溶胶。正硅酸乙酯与较高级醇或其酯类在催化剂存在下反应，可得较高级醇的正硅酸酯。 四、用途 用作防热涂料、耐化学作用的涂料、有机合成中间体 五、危险性 1、易燃，遇高热、明火、有引起燃烧的危险。遇水能逐渐水解放出刺激性气体 2. 燃烧(分解)产物：一氧化碳、二氧化碳、氧化硅。 六、劳动保护 呼吸系统防护：空气中浓度超标时，应该佩戴防毒面具。 眼睛防护：戴化学安全防护眼镜。 身体防护：穿防静电工作服。 手防护：戴乳胶手套 其它：工作现场严禁吸烟。工作毕，淋浴更衣。注意个人清洁卫生。 七、应急处理 1.皮肤接触：脱去被污染的衣着，用肥皂水和清水彻底冲洗皮肤。 2.眼睛接触：提起眼睑，用流动清水或生理盐水冲洗。就医。 3.吸入：迅速脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道通畅。如呼吸困难，给输氧。如呼吸停止，立即进行人工呼吸。就医。 4.食入：饮足量温水，催吐，就医。 八、泄漏应急处理 迅速撤离泄漏污染区人员至安全区，并进行隔离，严格限制出入。切断火源。建议应急处理人员戴自给正压式呼吸器，穿消防防护服。不要直接接触泄漏物。尽可能切断泄漏源。防止进入下水

正硅酸乙酯的水解缩合反应学习资料

正硅酸乙酯的水解缩 合反应

正硅酸乙酯的水解缩合反应 正硅酸乙酯又称硅酸四乙酯或四乙氧基硅烷，常温下为无色液体，稍有气味。微溶于水，溶于乙醇、乙醚。相对密度0.9320（20/4℃），折光率1.3928，其熔点、沸点、闪点分别为-77、165.5、46℃，无水分时稳定，蒸馏时分解。遇水逐渐分解成氧化硅。分子式为C8H20O4Si或Si(OCH2CH3)4，分子量208.33，CAS号78-10-4结构是为： OR RO—Si—OR（R=CH2CH3） OR 研究表明，正硅酸乙酯的水解缩合反应可分为3步，第一步是正硅酸乙酯形成单硅酸和醇，如式（1）所示，此即水解反应。 Si(OCH2CH3)4+H2O Si(OH)4+C2H5OH (1) 第二步是第一步反应生成的硅酸之间或者硅酸与正硅酸乙酯之间发生缩合反应，如式（2）、（3）所示。此时，Si—O—Si键开始形成。由于二者除生成聚合度较高的硅酸外，分别生成水和醇，因此又分别称为脱水和脱醇缩合。 第三步是由此前形成的低聚合物进一步聚合形成长链的向三维空间扩展的骨架结构，因此称为聚合反应。如式4所示。 OH OH OH OH HO—Si—OH+ HO—Si—OH + HO—Si—O—Si—OH+ H2O (2) OH OH OH OH OH O C2H5 OH OH HO—Si—OH+C2H5O—Si—OC2H5 HO—Si—O—Si—OH+ C2H5O H (3) OH O C2H5 OH OH n(Si—O—Si) (—Si—O—Si—) (4) 第二步和第三步反应通常又合称为缩聚反应。 从以上4个反应对TEOS与水的反应全过程有重要影响，因为水解反应的生成物是第二步反应的反应物，而且缩聚反应常在水解反应未完全完成前就已开始了。

导电胶配方

导电胶配方 写下心情word中插入visio图形无法正确打印的问题 用导电胶水修复笔记本电脑键盘默认分类2008-03-25 13:54:57 阅读111 评论2 字号：大中小 前几天我的笔记本键盘终于无法忍受我的虐待，罢工了。基本上所有的按键全部失灵。 拆开来一看，数据线已经有一半左右断掉了。上网查了一下解决办法。好像是只有导电银漆才能修复。可是这种东西实在难找，而且价格很让人难以接受。偶然发现导电胶水似乎可以完成这个重任。不过网上却没有人明确的做过这方面的介绍。 不过导电胶水的价格实在很便宜，去电子市场淘了一下，只要4.5元/只。呵呵，让我来试试。 导电胶水很不容易沾在塑料基材上，开始前一定要把塑料弄平。我是垫了一个纸板，然后用重物压平的。然后就是点胶水了。之所以叫点胶水是因为胶水在塑料上不能连成线，我们这里就用胶水点成间距很小的一个个小点，然后等它稍干，再在原来点成的小点之间的间距中填上胶水组成线。一切OK，待胶水干后应该就可以了。 现在看来效果还不错，已经修好1个多月了，一直没有出现问题。如果你也有遇到这种情况，不妨也试试。 有0人推荐阅读(111)| 评论(2)| 分享| 引用(0) |举报 上一篇：写下心情 下一篇：word中插入visio图形无法正确打印的问题 相关文章 ·引领SMT新技术的无铅导电胶水印刷术·导电布胶带·胶水，胶粘剂·国内外导电银粉、银浆、导电胶市场状况·3M胶带进口报关/胶纸进口清关/胶水进口报关/胶水包税进口·高价回收/收购进口原装胶水、胶粘剂·胶水网站·【LED显示屏知识-连载20】LED胶水及材料说明 最近读者 登录后，您可以在此留下足迹。①.⒉`з文彦 评论 点击登录|昵称： 取消验证码：换一张 2008-06-30 16:02 xueyeteng 这个方法的抗弯折性能很差，仅供参考。 回复

单向导电胶膜贴附检测图像系统开题报告

太原理工大学现代科技学院信息系 本科毕业论文（设计）开题报告 毕业设计(论文)题目 单向导电胶膜贴附检测图像系统 学生姓名导师姓名 专业自动化 报告日期2016.3.11 班级 指导教 师意见 签字年月日 专业(教 研室)主 任意见 年月日系主任 意见 年月日

1.选题意义 随着电子产品朝轻，薄，短，小化快速发展，各种携带式电子产品几乎都以液晶显示器作为显示面板，特别是在摄录放影机，笔记型计算机，移动终端或个人数字处理器等产品上，液晶显示器已是重要的组成组件。液晶显示器除了液晶面板外，在其外围必须连动驱动芯片作为显示讯号之控制用途。一般而言，液晶面板与驱动IC系统的接口衔接技术大致可分为下列几种:卷带式晶粒自动贴合技术(Tape Automated Bonding;TAB)、晶粒-玻璃接合技术(Chip on Glass;COG)、晶粒-软板接合技术(Chip on Flex;COF)。 一、ACF基本原理 1.1材料介绍 1.1.1何谓异方性导电膜：其特点在于Z轴电气导通方向与XY绝缘平面的电阻特性具有明显的差异性。当Z轴导通电阻值与XY平面绝缘电阻值的差异超过一定比值后，既可称为良好的导电异方性。 1.1.2ACF主要组成：主要包括树脂黏着剂、导电粒子两大部分。树脂黏着剂功能除了防湿气，接着，耐热及绝缘功能外主要为固定IC芯片与基板间电极相对位置，并提供一压迫力量已维持电极与导电粒子间的接触面积。 1.2基本原理 1.2.1导通原理：利用导电粒子连接IC芯片与LCD基板两者之间的电极使之成为导通，同时又能避免相邻两电极间导通短路，而达成只在Z轴方向导通之目的。 注：LCD面板(包括面偏光片和底偏光片);IC(集成电路):驱动和控制LCD显示;ACF(异方性导电膜):将IC与LCD或FPC与LCD连接;FPC(柔性线路板):连接和导电作用 1.2.2ACF主要参数对bonding的影响： 异方导电特性主要取决于导电粒子的充填率。虽然异方性导电胶其导电率会随着导电粒子充填率的增加而提高，但同时也会提升导电粒子互相接触造成短路的机率。此外，导电粒子的粒径分布和分布均匀性亦会对异方导电特性有所影响。通常，导电粒子必须具有良好的粒径均一性和真圆度，以确保电极与导电粒子间的接触面积一致，维持相同的导通电阻，并同时避免部分电极未接触到导电粒子，导致开路的情形发生。常见的粒径范围在3~5μm之间，太大的导电粒子会降低每个电极接触的粒子数，同时也容易造成相邻电极导电粒子接触而短路的情形；太小的导电粒子容易行成粒子聚集的问题，造成粒子分布密度不平均。在导电粒子的种类方面目前已金属粉末和高分子塑料球

正硅酸乙酯简介

正硅酸乙酯是一种无色液体，主要用作防热涂料、耐化学作用的涂料、有机合成中间体 正硅酸乙酯是含硅的有机化合物．它是四氯化硅与乙醇反应的产物，其反应为： SiCl +4C 2H OH Si(OCH 2CH a) +4HC1 正硅酸乙酯是无色透明易于挥发的液体，熔点一77℃，沸点165 oC，比重0．8一O．9，粘度为0．800mm ／s(压力为一大气压．温度为25~C)折光系数为1．383,1． 在正硅酸乙酯结构中，烷氧基与硅之间的化学键很不牢固，致使正硅酸乙酯对水极为敏 感．在催化剂的作用下，易于发生水解作用生成多聚硅酸，乙醇及中间产物．生成的多聚硅酸等物质对无机氧化物、硅酸盐、碳f 、纤维素等物质显出良好的粘合性，为此人们常常利用正硅酸乙酯作为粘台剂，制造出许多具有特殊性能的硅酸盐陶瓷和新型的建筑材料． 以正硅酸乙酯为主体，配合其它有机硅化合物制造新型有机硅材料资料鞍多．诸如。用 正硅酸乙酯和甲基三乙氧基硅烷制成的乙醇溶液，加盐酸水解，用三乙胺中和，填加二氧化钛．将此混合物涂于硅酸钙制成的板材上，便可制得一种耐湿、防火、抗冻，坚固的材料．正硅酸乙醋和甲基三乙氧基硅烷，在盐酸作用下水解，再制成醇或酮的溶液，得此溶液涂于石材上，可提高石材的耐水性，耐腐蚀性．用硅酸乙酯与硅氧烷和纤维素衍生物形成的混合物，掺人杀虫剂或杀菌剂，涂于墙上，可形成一多孔涂层，能长时问地按控制速率释放药 剂，具有灭虫杀菌的作用． 正硅酸乙酯是生产耐热、耐化学作用的涂料和胶合剂的原料，它可用于有机硅高分子化 台物的制备，特别是在精密铸造中有很重要的作用正硅酸乙酯的台成是酯化反应中的一 种，目前工业上多采用间歇生产法，反应和精馏分开进行，生产规模较小，质量较低，能耗高，原料利用率较低本文着重讨论用连续反应精馏台成正硅酸乙酯的原理和工艺过程 2．1 反应原理 根据反应动力学的研究表明无水乙醇同四氯化硅的酯化反应是分步进行的．前三步的 反应速度快且为不可逆，但后阶段酯化反应非常缓慢，表现出可逆反应的特性其酯化反应方程式为 仲 SiCI4+C2H5OH— si(OC2H )CI3+HCI十 Si(OC2H5)CI3+c2H5OH— +si(oc2H5)2CI2+HCI十 恤 Si(OC2H5)2Clz+C：H OH— Si(oc2H5)3CI~HCI十 墟 Si(OC2H5)3CI+C2H5OH~ Si(OC2H5)4+HCI十 2．2 实验装置 四氯化硅经压缩空气推动由贮槽到平衡管后经控制流量的活塞进入反应器无水乙醇 由贮槽经泵打入预反应器，与四氯化硅短时相遇，发生部分反应，放出氯化氢气体，利用该气体的压力将预反应物喷射到解吸器中，以除去HCI气体。解吸后的预反应物进入中间贮槽，