模拟电子技术基础,课后习题答案

模拟电子技术基础

第一章

1.1 电路如题图1.1所示，已知()5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。试画出

i u 和o u 的波形，并标出幅值。

解：通过分析可知：

(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：

1.2 二极管电路如题图1.2所示。（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。

解：对于（a ）来说，二极管是导通的。

采用理想模型来说，6V AO U =- 采用恒压降模型来说，67V AO U .=-

对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。

采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-

1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I =

解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：

101515V 182255U .-?

+?++左＝＝ 10

151V 14010U ?+右＝＝

故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝

（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：

151525V 255U .?

+左＝＝，2

252005V 182U ..-?+左＝＝ 10

151V 14010U ?+右＝＝

由于05V U U .-=右左，故二极管导通。运用戴维宁定理，电路可简化为

327μA 153

D .I ..=

1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。

解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应c

T2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c

模拟电子技术基础第二章

2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。解：由题意知：

L L

08OC

OC o U R .U r R ?=+

解得025k Ωo r .=

2.5 电路如题图2.2所示，设BJT 的06V BE U .=，CEO I 、CES I 可忽略不计，试分析当开关

S 分别接通A 、B 、C 三位置时，BJT 各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流C I 。

解：1243mA CS I /==，38000375mA BS I /.==

(1) 开关打在A 上：1206

0285mA 40

B BS .I .I -=

=>，故三极管工作在饱和区。 3mA C CS I I ==

(2) 开关打在B 上：1206

00228mA 500

B BS .I .I -=

=<，故三极管工作在放大区。 18mA C B I I .β==

(3) 开关打在C 上：发射结和集电结均反偏，故三极管工作在截止区。 I C =0

2.9 题图2.6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线，试求： (1)电源电压CC V ，静态电流B I 、C I 和管压降CE V 的值； (2)电阻b R 、c R 的值;

(3)输出电压的最大不失真幅值；

(4)要使该电路不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？

解：(1)由输出特性图中可以读到： 20uA B I =，1mA C I =，3V CE U =, 6V CC V =。 (2) 300k ΩCC b B V R I =

=，3k ΩCC CE

C C

V U R I -== (3) 45330815V '

OM CE CEQ CEQ CES U min(U U ,U U )min(.,.).=--=--= (4)要使电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值取20uA

2_11、单管放大电路如图题3.4.2所示已知BJT 的电流放大系数β＝50。（1）估算Q 点；

（2）画出简化 H 参数小信号等效电路；（3）估算 BJT 的朝人电阻 r be ；（4）如

输出端接入 4 kΩ的电阻负载，计算i O V V V A =及S

O VS V V A =。解（1）估算Q 点

A R V I b

B μ40=≈

mA I I B C 2==β V R I V V C C CC CE 4=-=

（2）简化的H 参数小信号等效电路如图解3.4.2所示。（3）求r be

Ω=++Ω=++Ω=863226)501(20026)

1(200mA

I mV r E bc β （4）116)||('0-≈-=-==be

L C be L i V r R R r R V V A ββ 73||||00-≈+=+=?==be b s be b V s i i V s

i i s VS r R R r R A R R R A V V V V V V A

2-14.电路如图所示,设耦合电容和旁路电容的容量均足够大,对交流信号可视为短路.

(1)求Au=Uo/Ui ，ri ，ro (2)求Au=Uo/Us

(3)如将电阻Rb2逐渐减小,将会出现什么性质的非线形失真?画出波形图.

2.15 电路如题图2.11所示。

(1)画出放大电路的微变等效电路；

(2) 写出电压放大倍数i

o u U U A .

11=i

o u U U A .

22=

的表达式；

(3)求输入电阻i r ；

(4)画出当e c R R =时的输出电压1o u 、2o u 的波形（输入i u 为正弦波，时间关系对齐）解：（1）

V Rb2

C2+++Ucc=+20V +

_Uo Rb1

Re2

Ce Re1

+Us

100k 6.8k 20kΩ 1k

1502k β=10

r ro

13.(1)

()38

-=++-=e be c

u R r R A ββ1

1b b b CC

B R R R U U +=mA

R R U U I e e BE

B E 2.12

1=+-=()Ω

=++='k I r r E

b b be 5.226

1β()[]

++=R r R R r e be b b i 1////121βΩ

==k R r c o 8.6(3) Rb2减小将会产生饱和失真 V Rb1Rb2Rc Re1Re2+Ucc

直流

通路

V Rb1Rb2Rc Re1Rs

Ui Uo

Us 交流通路

(2)

.34-=+=u s

i i

us A R r r A

(2) e

be C

e b be b C b i

o u R r R R i r i R i U U A )1()1(.

11ββββ++-=

++-=

221111.

o b e e

u .

b be b e be e

U ()i R ()R A i r ()i R r ()R U ββββ++=

++++ (3) '//i b i r R r =,其中1'

i be e r r ()R β=++

(4)由于考虑到e c R R =，因而21u u A A -≈其波形图可参考如下：

2.17 在题图2.13所示电路中，已知三极管的1k Ωbe r =，80=β，试求： (1)电路的Q 点；

(2) ∞=L R 和30k ΩL R .=时的电压增益u A 、输入电阻i r 及输出电阻o r ；解：(1)画出电路直流通路如下图所示：

列式：B e B b CC I R I R V β+=-7.0 得到：07

325μA CC B b e V .I .R R β

=+，从而可求得：26mA E C B I I I .β≈==

故：1526372V CE CC e e U V I R ..=-=-?= (2)做出电路交流通路如下图所示：

)

//)(1()

//)(1()//()1()//()1(.

L e be L e L e b be b L e b i

o u R R r R R R R i r i R R i U U A ββββ+++=

+++=

当∞=L R 时，109961e

u be e

()R A .r ()R ββ+=

=++

1110k Ωi b b e

e r R //(r ()R )β=++=

363k Ω1s b b e

o e R //R r r //R .β

当30k ΩL R .=时，109921e L u be e L ()(R //R )

A .r ()(R //R )

ββ+=

=++

176k Ωi b be e L r R //(r ()(R //R )β=++=

363k Ω1s b be o e (R //R r )

r //R .()

β+=

2.19已知电路参数如题图2.17所示，FET 工作点上的互导1m g mS =，设d d r R 。

（1）画出电路的小信号模型；（2）求电压增益u A ；（3）求输入电阻i r 。

解：（1）电路的小信号模型如下图示：

（2）m gs d o m d u i gs m gs 1m 1g g 10

3.3g 1g 12

U R U R U U U R R A --=

===-=-+++ （3）i g3g1g2g3//=2M R R R R r =+≈Ω。

2.24 电路如题图2.19所示，其中三极管的β均为100，且be1 5.3k r =Ω，be26k r =Ω。（1）求各级的静态值；（2）求i r 和o r ；

（3）分别求出当L R =∞和L 3.6k R =Ω时的us A 。

解：（1）对于第一级来说：()CC BE1B163

b1e1120.7

5μA 11.5101017.510V U I R R β--=

==++?+??

C1E1B10.5mA I I I β≈==

33CE1CC C1e1120.5107.5108.25V U V I R -=-?=-???=；

对于第二级来说：

B212

303V 9130

V =

?=+

E2307

045mA 51

.I ..-≈

≈ C 2E 2045m A I I .

≈= B2C245μA I I .β==

CE2120.45(12 5.1) 4.3V U =-?+=

（2）

22309148k Ωi be r ////r .=≈

'i 12(1)(7.5//)298k Ωbe i r r r β=++≈ 'i i 1.5M Ω//1.5M //298k 248k r r ==ΩΩ≈Ω

o C212k R r ==Ω

（3）u u1u2A A A =?；u11A ≈；

L R =∞时：C2u2be210012

2006

R A r β--?=

==-；u u1u2200A A A =?=-； us 248

20018520248

A =-?

≈-+

L 3.6k R =Ω时：()()

C2L u2be2//10012//3.6466

R R A r β--?=

==-；u u1u246A A A =?=-；

us 248

4642.620248

A =-?

≈-+

2-25.电路参数如图题4.5.1所示。设FET 的参数为gm ＝0.8ms ，rd ＝200k Ω；3AG29（T2）的β＝40，rbe ＝1k Ω。试求放大电路的电压增益Av 和输入电阻Ri 。

解（1）求

由于 rd ＞＞Rd ，故rd 可忽略，图题 4.5.1的小信号等效电路如图解 4 .5.1所示。由图有

（2）求

2.29 某放大电路u A 的对数幅频特性如题图2.24所示。

（1）试求该电路的中频电压增益um A ，上限频率H f ，下限频率L f ；

（2）当输入信号的频率L f f =或H f f =时，该电路实际的电压增益是多少分贝？

解：（1）由图中可以看出中频电压增益为60dB ；810H f Hz =；2

10L f Hz =；

（2）实际电压增益为603=57dB -。

2-30 已知某放大电路电压增益的频率特性表达式为

)

1)(101(10

1005f j f j f j

A V ++=

（式中f 的单位为Hz ）

试求：该电路的上、下限频率，中频电压增益的分贝数，输出电压与输入电压在中频

区的相位差。

解：上下限频率分别为Hz f H 5

10=和Hz f L 10=，中频增益100=VM A ，转化为分贝数：dB A VM 40220100lg 20lg 20=?==，VM A 为实数，故i V ，0V 相位差为0。

/2-31一放大电路的增益函数 )

102(11

10210

)(6?+?

?+=ππs s s

s A

试绘出它的幅频响应的波特图，并求出中频增益，下限频率L f 和上限频率H

f 以及增

益下降到1时的频率。

解：由拉氏变换可知，f j S π2=

故电压增益：2

2211

1022210)(?+??+=πππππf j f j f j f A V

10110

f j f j +?

于是，Hz f L 10=，Hz f H 610=，10=VM

A ，波特图如图解5.4所示。 1=A

时，Hz f 610<<，1100110

101102

=+=-≈f

f j A ，Hz f 1= Hz f 10≥时，1)10

(

110101102

=+=

-≈f f

，MHz Hz f 10107=≈

所以增益下降到1时，频率分为1Hz 或10MHz 。

模拟电子技术基础第三章

3.2 电路如题图3.2所示，12100e e R R ==Ω，BJT 的100β=，0.6BE U V =，求：（1）静态工作点Q （111B C CE I I U 、、）；

（2）当120.01V,0.01V i i u u ==-时，求输出电压12o o o u u u =-的值；（3）当12c c 、间接入负载电阻 5.6k L R =Ω时，求o u 的值；（4）求电路的差模输入电阻id r 、共模输入电阻ic r 和输出电阻o r 。解：（1）由于发射极为恒流源，所以：

C1E11

1mA 2

I I I ==

=恒；C1B11mA 10μA 100I I β==

=；静态电路中取120i i u u ==，120.6V E E BE U U U ==-=-；

所以，CE1CC C1C1E15V U V I R U =--=（其中E1U 可以忽略，则CE1 4.4V U =）。

（2）差动放大电路为双端输入双端输出

有()()c1ud be1e1be1100 5.643.321+ 2.8261010.126200+1+100 2.826k 1

R A r R r ββ-??

==-=-?++????=?=Ω

??；而120.02V id i i u u u =-=

故输出0.8664V o ud id u A u =?=-。（3）当接入负载电阻L 5.6k R =Ω时：

()L c1ud be1e1//1001.8667214.441+ 2.8261010.1

R R A r R ββ?

?- ?

???==-=-++?；

14.440.020.289V o ud id u A u =?=-?=-。

（4）

()[]1212 2.82610110025.852k id be e r r R β=++=?+?=Ω????； ()1

1210M 2

ic be e r r R β=

++?Ω????；1211.2k od c r R ==Ω。 3.4 电路参数如题图3.2所示。求：

（1）单端输出且L R =∞时，2o u =？L 5.6k R =Ω时，2o u =？（2）单端输出时，22ud uc A A 、和CMR K 的值；

（3）电路的差模输入电阻id r 、共模输入电阻ic r 和不接L R 时单端输出的输出电阻2o r 。解：（1）单端输出时()()21

//1121.66221c L ud ud be e R R A A r R ββ=

=?=++；

所以，L R =∞时，o20.0221.66=0.4332V u =?；

L 5.6k R =Ω时，o221.66

0.02=0.2166V 2

u =?

。（2）由（1）中知：单端输出时221.66ud A =，不接负载时：()2

220.0281(1)200k c uc be e R A r R βββ=-

≈-++++?Ω

；

所以2

773.57ud CMR uc A K A =

=。

（3）单端输出时， ()22125.852id be e r r R k β=++=Ω????；

()11(1)1210M 2

ic be e e r r R R ββ=?++++?≈Ω????；2 5.6o c r R k ==Ω。 3.5电路如题图3.4所示，123T ,T ,T 均为硅管，设1250ββ==，380β=，BE U 0.7V =，当0i u =时，0o u V =。

（1）估算各级的静态电流C3C2E I ,I ,I ，管压降CE3CE2U ,U ，及e2R 的值；（2）求总的电压增益u ud u2A A A =?；（3）当5i u mV =时，0?u =；

（4）当电路输出端接一L R 12k =Ω的负载电阻时，求电压增益u A 。解：（1）由于当0i u =时，0o u V =，此时可以确定C30(12)V

1mA 12k I --==Ω

；

则CE3C3e3121213=9V U I R =-?=-?；而此时C2CE30.790.78.3V U U =-=-=，可求得C2C2128.3 3.7

0.37mA 10k

I R -=

==；故E C 20.74mA I I ==；

又E1E20.7V U U ==-，故()CE2C2E28.30.79V U U U =-=--=；由()()E e1e20.71211.3V I R R ?+=---=，得：e2 5.27k R =Ω。（2）对于单入单出的差动电路：

()be22C22626

2001=20051 3.8k 0.37r I β=++?

+?≈Ω； ()be33C326262001=20081 2.3k 1

r I β=++?

+?≈Ω i233e3+(1+)=2.3+813=245.3k be r r R β=?Ω

2C22ud b be2

R //1A 522R r i r

β=?≈+；

()3C3

u23e3be3

A 3.91+R R r ββ=-

≈-+；

故()u ud u2A A A 52 3.9203=?=?-=-。（3）o u i A 2035mV 1V u u =?=-?≈-。（4）当L 12k R =Ω时，u2 3.9

A 1.952

=- ()u ud u2A A A 52 1.95102=?=?-≈-

3.6 某集成运放的一单元电路如题图3.5所示，12T ,T 的特性相同，且β足够大，问：（1）12T T 、和R 组成什么电路？在电路中起什么作用？

（2）写出REF I 和C2I 的表达式。设BE 0.7V U =，CC V 和R 均为已知。

解：（1）12T T 、和R 组成镜像电流源，给T 3提供直流偏置，同时还是T 3的有源负载。（2）CC BE

REF V U I R

； C2REF I I ≈。

模拟电子技术基础第四章

4.3 设题图4.3所示电路中的开环增益A 很大。（1）指出所引反馈的类型；（2）写出输出电流o i 的表达式；（3）说明该电路的功能。解：

（1）电流并联负反馈。（2）

根据分流公式得 22

i i =

又因为i 1=－i 2 1110

i i

u u i R == 所以 5

o u i =-

（3）此电路为电压转换电流电路，即压控电流源。

4.4 由集成运放A 及12T T 、组成的放大电路如题图4.4所示，试分别按下列要求将信号源

s u 、电阻f R 正确接入电路。

（1）引入电压串联负反馈；（2）引入电压并联负反馈；（3）引入电流串联负反馈；（4）引入电流并联负反馈。解：(1) 电压串联负反馈

（2）电压并联负反馈

（3）电流串联负反馈

（4）电流并联负反馈

4.8 负反馈放大电路如题图4.6所示。

（1）判断反馈类型；

（2）说明对输入电阻和输出电阻的影响；（3）求深度负反馈下的闭环电压放大倍数。

解：（1）a 为电流串联负反馈

（2）a 图中由于串联，所以会增大输入电阻i r ，由于a 图为电流反馈，所以会增大输出电阻o r 。（3）1

1411

1121

o o

if o

i I I A I U F

≈==??++；

342o o uf i i

U I A U U -?=

==-。

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

测控电路第五版李醒飞第五章习题答案

第五章信号运算电路 5-1推导题图5-43中各运放输出电压，假设各运放均为理想运放。 (a)该电路为同相比例电路，故输出为： ()0.36V V 3.02.01o =?+=U (b)该电路为反相比例放大电路，于是输出为： V 15.03.02 1 105i o -=?-=-=U U (c)设第一级运放的输出为1o U ，由第一级运放电路为反相比例电路可知： ()15.03.0*2/11-=-=o U 后一级电路中，由虚断虚短可知，V 5.0==+-U U ，则有： ()()k U U k U U o 50/10/1o -=--- 于是解得： V 63.0o =U (d)设第一级运放的输出为1o U ，由第一级运放电路为同相比例电路可知： ()V 45.03.010/511o =?+=U 后一级电路中，由虚断虚短可知，V 5.0==+-U U ，则有： ()()k U U k U U o 50/10/1o -=--- 于是解得： V 51.0o =U 5-2 11 图X5-1 u

5-3由理想放大器构成的反向求和电路如图5-44所示。（1）推导其输入与输出间的函数关系()4321,,,u u u u f u o =；（2）如果有122R R =、134R R =、148R R =、Ω=k 101R 、Ω=k 20f R ，输入4 321,,,u u u u 的范围是0到4V ，确定输出的变化范围，并画出o u 与输入的变化曲线。（1）由运放的虚断虚短特性可知0==+-U U ，则有： f R u R u R u R u R u 0 44332211-=+++ 于是有： ??? ? ??+++-=44332211o U R R U R R U R R U R R U f f f f （2）将已知数据带入得到o U 表达式： ()4321o 25.05.02i i i i U U U U U +++-= 函数曲线可自行绘制。 5-4理想运放构成图5-45a 所示电路，其中Ω==k 10021R R 、uF 101=C 、uF 52=C 。图5-54b 为输入信号波形，分别画出1o u 和2o u 的输出波形。前一级电路是一个微分电路，故()dt dU dt dU C R R i U i i o //*1111-=-=-= 输入已知，故曲线易绘制如图X5-2所示。图X5-2 后一级电路是一个积分电路，故()??-=-=dt U dt U C R V o o 1122out 2/1 则曲线绘制如图X5-3所示。图X5-3 /V

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专业姓名学号成绩 1-1 、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。 1-2 、在单相桥式整流电路中，已知输出电压平均值U O（AV）＝15V，负载电流平均值 I L（AV）＝100mA。（1）变压器副边电压有效值U2≈ （2）设电网电压波动范围为±10％。在选择二极管的参数时，其最大整流平均电流 I F和最高反向电压 U R的下限值约为多少 1-3 、电路如图所示，变压器副边电压有效值为 2U2。（1）画出u2、u D 1和u O的波形；（2）求出输出电压平均值U O（AV）和输出电流平均值I L（（3）二极管的平均电流I D（AV）和所承受的最大反向电压AV）的表达式；U Rmax 的表达式。

1-4 、电路如图所示，变压器副边电压有效值U21＝50V，U22＝20V。试问：（1）输出电压平均值U O1（AV）和U O2（AV）各为多少（2）各二极管承受的最大反向电压为多少 1-5 、试在如图所示电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。 1-6 、已知稳压管的稳压值U＝6V，稳定电流的最小值I Zmin ＝ 5mA。求图所示电路中U和 U Z O1O2各为多少伏。

专业姓名学号成绩 I Zmin＝5mA，最大稳定电流1-7 、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流 I Zmax＝25mA。（1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值；（2）若U I＝ 35V 时负载开路，则会出现什么现象为什么 1-8 、电路如图所示。（1）分别标出u O1和u O2对地的极性；（2）u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流（3）当U21＝U22＝ 20V 时，U O1（AV）和U O2（AV）各为多少（4 ）当U2 1＝ 18V ，U2 2＝ 22V 时，画出u O1、u O2的波形；并求出U O1（AV）和U O2（AV）各为多少

测控电路课后答案(张国雄第四版)第五章

第五章信号运算电路 5-1 图5-37中所示的电路称为放大极性系数电路，试推导出其输出电压U o 与输入电压 U i 的关系表达式。输出电压U o 与输入电压U i 的关系表达式为： ()i o 2U n nq U ?=5-2 试画出一个能实现()()5i 2i 1i 5i 2i 1i o 5 151 U U U U U U U ′++′+′?+++= ??的加减混合运算电路。该加减混合运算电路如图X5-1所示。 5-3 在粗糙度的标准中，平均波长a λ定义为a a a /π2?=R λ，现有代表a R 和a ?的电压信号a a ?U U R ，，试设计一电路，使其输出电压代表平均波长a λ 。图X5-1 图5-37 第五章题1图 U o

a a 134个对数运算电路，其输入分别为代表2π、R a 和Δa 的电压U 2π、U R a 和U Δa 。U A 等于T 1和T 3的-U be 之和，它与)2ln(ln 2ln a a R R ππ?=??成正比，U B 与 -lnΔa 成正比。N 2是指数电路，T 2的-U be 等于U B -U A ，它与a R a ?π2ln 成正比，流经T 2的I a 与 a R a ?π2成正比，从而T 2输出与λa 成正比的电压。5-4图5-38中所示是利用乘法器和运算放大器组成的功率测量电路。设 t U u ωsin 2i =，)sin(2L ?ω?=t I i ，L i Z R <<，Z L 是负载，i R 3和i L 相比可以忽略，试写出u o 和u i 、i L 的关系式，并证明当u o 经过RC 滤波器)/π2(ω>>RC 后，其平均值 U o 代表有功功率。 a

测控电路课后答案

一．1测控电路在整个测控系统中起着什么样的作用？传感器的输出信号一般很微弱，还可能伴随着各种噪声，需要用测控电路将它放大，剔除噪声、选取有用信号，按照测量与控制功能的要求，进行所需演算、处理与变换，输出能控制执行机构动作的信号。在整个测控系统中，电路是最灵活的部分，它具有便于放大、便于转换、便于传输、便于适应各种使用要求的特点。测控电路在整个测控系统中起着十分关键的作用，测控系统、乃至整个机器和生产系统的性能在很大程度是取决于测控电路。 2影响测控电路精度的主要因素有哪些，而其中哪几个因素又是最基本的，需要特别注意？影响测控电路精度的主要因素有：（1）噪声与干扰；（2）失调与漂移，主要是温漂；（3）线性度与保真度；（4）输入与输出阻抗的影响。其中噪声与干扰，失调与漂移（含温漂）是最主要的，需要特别注意。 3为什么说测控电路是测控系统中最灵活的环节，它体现在哪些方面？为了适应在各种情况下测量与控制的需要，要求测控系统具有选取所需的信号、灵活地进行各种变换和对信号进行各种处理与运算的能力，这些工作通常由测控电路完成。它包括：（1）模数转换与数模转换；（2）直流与交流、电压与电流信号之间的转换。幅值、相位、频率与脉宽信号等之间的转换；（3）量程的变换；（4）选取所需的信号的能力，信号与噪声的分离，不同频率信号的分离等；对信号进行处理与运算，如求平均值、差值、峰值、绝对值，求导数、积分等、非线性环节的线性化处理、逻辑判断等二．2-1 何谓测量放大电路？对其基本要求是什么？在测量控制系统中，用来放大传感器输出的微弱电压，电流或电荷信号的放大电路称为测量放大电路，亦称仪用放大电路。对其基本要求是：①输入阻抗应与传感器输出阻抗相匹配； ②一定的放大倍数和稳定的增益；③低噪声；④低的输入失调电压和输入失调电流以及低的漂移；⑤足够的带宽和转换速率（无畸变的放大瞬态信号）；⑥高输入共模范围（如达几百伏）和高共模抑制比；⑦可调的闭环增益；⑧线性好、精度高；⑨成本低 2-7什么是高共模抑制比放大电路？应用何种场合？有抑制传感器输出共模电压（包括干扰电压）的放大电路称为高共模抑制比放大电路。应用于要求共模抑制比大于100dB的场合，例如人体心电测量。 2-8 图2-8b所示电路，N1、N2为理想运算放大器，R4=R2=R1=R3=R，试求其闭环电压放大倍数。由图2-8b和题设可得u01 =u i1 (1+R2 /R1) = 2u i1 , u0=u i2 (1+R4 /R3 )–2u i1 R4/R3 =2u i2–2

模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。（2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14

测控电路课后习题答案

第一章绪论 1-1测控电路在整个测控系统中起着什么样的作用传感器的输出信号一般很微弱，还可能伴随着各种噪声，需要用测控电路将它放大，剔除噪声、选取有用信号，按照测量与控制功能的要求，进行所需演算、处理与变换，输出能控制执行机构动作的信号。在整个测控系统中，电路是最灵活的部分，它具有便于放大、便于转换、便于传输、便于适应各种使用要求的特点。测控电路在整个测控系统中起着十分关键的作用，测控系统、乃至整个机器和生产系统的性能在很大程度是取决于测控电路。 1-2影响测控电路精度的主要因素有哪些，而其中哪几个因素又是最基本的，需要特别注意影响测控电路精度的主要因素有：（1）噪声与干扰；（2）失调与漂移，主要是温漂；（3）线性度与保真度；（4）输入与输出阻抗的影响。其中噪声与干扰，失调与漂移（含温漂）是最主要的，需要特别注意。 1-3为什么说测控电路是测控系统中最灵活的环节，它体现在哪些方面为了适应在各种情况下测量与控制的需要，要求测控系统具有选取所需的信号、灵活地进行各种变换和对信号进行各种处理与运算的能力，这些工作通常由测控电路完成。它包括：（1）模数转换与数模转换；（2）直流与交流、电压与电流信号之间的转换。幅值、相位、频率与脉宽信号等之间的转换；（3）量程的变换；（4）选取所需的信号的能力，信号与噪声的分离，不同频率信号的分离等；（5）对信号进行处理与运算，如求平均值、差值、峰值、绝对值，求导数、积分等、非线性环节的线性化处理、逻辑判断等。 1-4测量电路的输入信号类型对其电路组成有何影响试述模拟式测量电路与增量码数字式测量电路的基本组成及各组成部分的作用。随着传感器类型的不同，输入信号的类型也随之而异。主要可分为模拟式信号与数字式信号。随着输入信号的不同，测量电路的组成也不同。图X1-1是模拟式测量电路的基本组成。传感器包括它的基本转换电路，如电桥，传感器的输出已是电量（电压或电流）。根据被测量的不同，可进行相应的量程切换。传感器的输出一般较小，常需要放大。图中所示各个组成部分不一定都需要。例如，对于输出非调制信号的传感器，就无需用振荡器向它供电，也不用解调器。在采用信号调制的场合，信号调制与解调用同一振荡器输出的信号作载波信号或参考信号。利用信号分离电路（常为滤波器），将信号与噪声分离，将不同成分的信号分离，取出所需信号。有的被测参数比较复杂，或者为了控制目的，还需要进行运算。对于典型的模拟式电路，无需模数转换电路和计算机，而直接通过显示执行机构输出，因此图中将模数转换电路和计算机画在虚线框内。越来越多的模拟信号测量电路输出数字信号，这时需要模数转换电路。在需要较复杂的数字和逻辑运算、或较大量的信息存储情况下，采用计算机。

测控电路第五版李醒飞第4章习题答案

第四章信号分离电路 4-1简述滤波器功能，按照功能要求，滤波器可分为几种类型？滤波器是具有频率选择作用的电路或运算处理系统，即对不同频率信号的幅值有不同的增益，并对其相位有不同的移相作用。按照其功能要求，滤波器可分为低通、高通、带通、带阻与全通五种类型。 4-2按照电路结构，常用的二阶有源滤波电路有几种类型？特点是什么？常用的二阶有源滤波电路有三种：压控电压源型滤波电路、无限增益多路反馈型滤波电路和双二阶环型滤波电路。压控电压源型滤波电路使用元件数目较少，对有源器件特性理想程度要求较低，结构简单，调整方便，对于一般应用场合性能比较优良，应用十分普遍。但压控电压源电路利用正反馈补偿RC网络中能量损耗，反馈过强将降低电路稳定性，因为在这类电路中，Q值表达式均包含-Kf项，表明Kf过大，可能会使Q 值变负，导致电路自激振荡。此外这种电路Q值灵敏度较高，且均与Q成正比，如果电路Q值较高，外界条件变化将会使电路性能发生较大变化，如果电路在临界稳定条件下工作，也会导致自激振荡。无限增益多路反馈型滤波电路与压控电压源滤波电路使用元件数目相近，由于没有正反馈，稳定性很高。其不足之处是对有源器件特性要求较高，而且调整不如压控电压源滤波电路方便。对于低通与高通滤波电路，二者Q值灵敏度相近，但对于图4-17c所示的带通滤波电路，其Q值相对R，C变化的灵敏度不超过1，因而可实现更高的品质因数。双二阶环型滤波电路灵敏度很低，可以利用不同端输出，或改变元件参数，获得各种不同性质的滤波电路。与此同时调整方便，各个特征参数可以独立调整。适合于构成集成电路。但利用分立器件组成双二阶环电路，用元件数目比较多，电路结构比较复杂，成本高。 4-3测控系统中常用的滤波器特性逼近的方式有几种类型？简述这些逼近方式的特点。测控系统中常用的滤波器特性逼近的方式可分为巴特沃斯逼近、切比雪夫逼近与贝赛尔逼近三种类型。巴特沃斯逼近的基本原则是在保持幅频特性单调变化的前提下，通带内最为平坦。其特点是具有较为理想的幅频特性，同时相频特性也具有一定的线性度。切比雪夫逼近的基本原则是允许通带内有一定的波动量ΔKp，故在电路阶数一定的条件下，可使其幅频特性更接近矩形，具有最佳的幅频特性。但是这种逼近方式相位失真较严重，对元件准确度要求也更高。贝赛尔逼近的基本原则是使相频特性线性度最高，群时延函数τ(ω)最接近于常量，从而使相频特性引起的相位失真最小，具有最佳的相频特性。但是这种

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模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

测控电路李醒飞习题答案

第三章信号调制解调电路 3-1 什么是信号调制？在测控系统中为什么要采用信号调制？什么是解调？在测控系统中常用的调制方法有哪几种？在精密测量中，进入测量电路的除了传感器输出的测量信号外，还往往有各种噪声。而传感器的输出信号一般又很微弱，将测量信号从含有噪声的信号中分离出来是测量电路的一项重要任务。为了便于区别信号与噪声，往往给测量信号赋以一定特征，这就是调制的主要功用。调制就是用一个信号（称为调制信号）去控制另一作为载体的信号（称为载波信号），让后者的某一特征参数按前者变化。在将测量信号调制，并将它和噪声分离，放大等处理后，还要从已经调制的信号中提取反映被测量值的测量信号，这一过程称为解调。在信号调制中常以一个高频正弦信号作为载波信号。一个正弦信号有幅值、频率、相位三个参数，可以对这三个参数进行调制，分别称为调幅、调频和调相。也可以用脉冲信号作载波信号。可以对脉冲信号的不同特征参数作调制，最常用的是对脉冲的宽度进行调制，称为脉冲调宽。 3-2 什么是调制信号？什么是载波信号？什么是已调信号？调制是给测量信号赋以一定特征，这个特征由作为载体的信号提供。常以一个高频正弦信号或脉冲信号作为载体，这个载体称为载波信号。用需要传输的信号去改变载波信号的某一参数，如幅值、频率、相位。这个用来改变载波信号的某一参数的信号称调制信号。在测控系统中需传输的是测量信号，通常就用测量信号作调制信号。经过调制的载波信号叫已调信号。 3-3 什么是调幅？请写出调幅信号的数学表达式，并画出它的波形。调幅就是用调制信号x 去控制高频载波信号的幅值。常用的是线性调幅，即让调幅信号的幅值按调制信号x 线性函数变化。调幅信号s u 的一般表达式可写为： t mx U u c m s cos )(ω+= 式中 c ω──载波信号的角频率； m U ──调幅信号中载波信号的幅度； m ──调制度。图X3-1绘出了这种调幅信号的波形。

测控电路课后答案(张国雄第四版)

第一章绪论 1-1为什么说在现代生产中提高产品质量与生产效率都离不开测量与控制技术？为了获得高质量的产品，必须要求机器按照给定的规程运行。例如，为了加工出所需尺寸、形状的高精度零件，机床的刀架与主轴必须精确地按所要求的轨迹作相对运动。为了炼出所需规格的钢材，除了严格按配方配料外，还必须严格控制炉温、送风、冶炼时间等运行规程。为了做到这些，必须对机器的运行状态进行精确检测，当发现它偏离规定要求，或有偏离规定要求的倾向时，控制它，使它按规定的要求运行。为了保证产品质量，除了对生产过程的检测与控制外，还必须对产品进行检测。这一方面是为了把好产品质量关，另一方面也是为了检测机器与生产过程的模型是否准确，是否在按正确的模型对机器与生产过程进行控制，进一步完善对生产过程的控制。生产效率一方面与机器的运行速度有关，另一方面取决于机器或生产系统的自动化程度。为了使机器能在高速下可靠运行，必须要求机器本身的质量高，其控制系统性能优异。要做到这两点，还是离不开测量与控制。产品的质量离不开测量与控制，生产自动化同样一点也离不开测量与控制。特别是当今时代的自动化已不是本世纪初主要靠凸轮、机械机构实现的刚性自动化，而是以电子、计算机技术为核心的柔性自动化、自适应控制与智能化。越是柔性的系统就越需要检测。没有检测，机器和生产系统就不可能按正确的规程自动运行。自适应控制就是要使机器和系统能自动地去适应变化了的内外部环境与条件，按最佳的方案运行，这里首先需要的是对外部环境条件的检测，检测是控制的基础。智能化是能在复杂的、变化的环境条件下自行决策的自动化，决策的基础是对内部因素和外部环境条件的掌握，它同样离不开检测。 1-2试从你熟悉的几个例子说明测量与控制技术在生产、生活与各种工作中的广泛应用。为了加工出所需尺寸、形状的高精度零件，机床的刀架与主轴必须精确地按所要求的轨迹作相对运动。为了炼出所需规格的钢材，除了严格按配方配料外，还必须严格控制炉温、送风、冶炼时间等运行规程。为了做到这些，必须对机器的运行状态进行精确检测，当发现它偏离规定要求，或有偏离规定要求的倾向时，控制它，使它按规定的要求运行。计算机的发展首先取决于大规模集成电路制作的进步。在一块芯片上能集成多少个元件取决于光刻工艺能制作出多精细的图案，而这依赖于光刻的精确重复定位，依赖于定位系统的精密测量与控制。航天发射与飞行，都需要靠精密测量与控制保证它们轨道的准确性。一部现代的汽车往往装有几十个不同传感器，对点火时间、燃油喷射、空

模拟电子技术基础第三版课后习题答案

一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-=== =-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t t

模拟电子技术基本练习题(解)

电子技术基础（模拟部分）综合练习题 2010-12-12 一．填空题：（将正确答案填入空白中） 1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。P型半导体是在本征半导体中掺入5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。 2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。 3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。 4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。 5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为49。 6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为0.99。 7．某三极管工作在放大区时，当I B从20μA增大到40μA，I C从1mA变成2mA。则该管的β约为 50。 8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于电压控制器件。其输入电阻很高。 9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。 10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。 11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。 12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路, 中间放大器, 输入级和输出级四部分组成。 13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络；稳幅电路和选频网络。 15．为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻，在放大电路中应引入电流串联负反馈。 16．PNP三极管基区中的多数载流子是电子。少数载流子是空穴。17．对于放大电路，所谓开环是指放大电路没有反馈支路。18．为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻，应引入电压串联负反馈。19．单相桥式整流电路中，设变压器的副边电压为V2，则输出直流电压的平均值为0.9V2。 20K CMR是指差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值。

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的：本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材：杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社主要参考书目：康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社，张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社，谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，

陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社，孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社，谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社，绪论本章的教学目标和要求：要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点：放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。本章教学方式：课堂讲授本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法；介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

测控电路复习习题及答案

试题一答案一、选择题 1．右图所示电路为自举组合电路，其输入电流i 为 A. 0 B. u i /10kΩ C. u i /20kΩ D. u i /30kΩ （ C ） 2．右图所示电路的输出电压为 A. )1/(δδ+=i o u u B. )1/(δδ+-=i o u u C. )1/(δδ-=i o u u D. )1/(δδ--=i o u u （ D ） 3．公式2 022 02) ()(ωαωω+++=S S S K S H P 为 A. 二阶有源低通滤波器的传递函数 B. 二阶有源高通滤波器的传递函数 C. 二阶有源带通滤波器的传递函数 D. 二阶有源带阻滤波器的传递函数（ D ） 4．一个10bit 逐次逼近A/D 转换器，其满量程电压为10V, 若模拟输入电压V 1=i u ,其数字输出量的数值为 u i

A. 0001100101 B. 0001100110 C. 0001000110 D. 0001010101 ( B ) 5．在相位跟踪细分电路中，相位基准 A. 既是反馈环节，又是细分机构，分频数等于细分数 B. 是反馈环节，但不是细分机构 C. 是细分机构，且分频数等于细分数，但不是反馈环节 D. 既是反馈环节，又是细分机构，细分数是分频数的2倍( A ) 6．右图是晶体管三相桥式逆变器，对其特点的叙述哪一个是不正确的 A. 每一相上桥臂晶体管与下桥臂晶体管各导通1200 B. 上、下桥臂晶体管导通状态互相间隔600 C. 各相之间相位差为1200 D. 换流只能在上下桥臂间进行（ D ） 7．在PWM功率转换电路中，有制动工作状态和不可逆的意思是 A. 电路不能提供电动机电枢的反相电流和反相电压 B. 电路能提供电动机电枢的反相电流但不能提供反相电压 C. 电路不能提供电动机电枢的反相电流但能提供反向电压

测控电路课后习题汇总

习题参考答案（时间仓促，难免有误，请指正，谢谢！） 1-3试从你熟悉的几个例子说明测量与控制技术在生产、生活与各种工作中的广泛应用。为了加工出所需尺寸、形状的高精度零件，机床的刀架与主轴必须精确地按所要求的轨迹作相对运动。为了炼出所需规格的钢材，除了严格按配方配料外，还必须严格控制炉温、送风、冶炼时间等运行规程。为了做到这些，必须对机器的运行状态进行精确检测，当发现它偏离规定要求，或有偏离规定要求的倾向时，控制它，使它按规定的要求运行。计算机的发展首先取决于大规模集成电路制作的进步。在一块芯片上能集成多少个元件取决于光刻工艺能制作出多精细的图案，而这依赖于光刻的精确重复定位，依赖于定位系统的精密测量与控制。航天发射与飞行，都需要靠精密测量与控制保证它们轨道的准确性。一部现代的汽车往往装有几十个不同传感器，对点火时间、燃油喷射、空气燃料比、防滑、防碰撞等进行控制。微波炉、照相机、复印机等中也都装有不同数量的传感器，通过测量与控制使其能圆满地完成规定的功能。 1-4测控电路在整个测控系统中起着什么样的作用？传感器的输出信号一般很微弱，还可能伴随着各种噪声，需要用测控电路将它放大，剔除噪声、选取有用信号，按照测量与控制功能的要求，进行所需演算、处理与变换，输出能控制执行机构动作的信号。在整个测控系统中，电路是最灵活的部分，它具有便于放大、便于转换、便于传输、便于适应各种使用要求的特点。测控电路在整个测控系统中起着十分关键的作用，测控系统、乃至整个机器和生产系统的性能在很大程度是取决于测控电路。 1-5影响测控电路精度的主要因素有哪些，而其中哪几个因素又是最基本的，需要特别注意？影响测控电路精度的主要因素有：（1）噪声与干扰；（2）失调与漂移，主要是温漂；（3）线性度与保真度；（4）输入与输出阻抗的影响。其中噪声与干扰，失调与漂移（含温漂）是最主要的，需要特别注意。 1-7为什么说测控电路是测控系统中最灵活的环节，它体现在哪些方面？为了适应在各种情况下测量与控制的需要，要求测控系统具有选取所需的信号、灵活地进行各种变换和对信号进行各种处理与运算的能力，这些工作通常由测控电路完成。它包括：（1）模数转换与数模转换；（2）直流与交流、电压与电流信号之间的转换。幅值、相位、频率与脉宽信号等之间的转换；（3）量程的变换；（4）选取所需的信号的能力，信号与噪声的分离，不同频率信号的分离等；（5）对信号进行处理与运算，如求平均值、差值、峰值、绝对值，求导数、积分等、

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1 所示，已知u i ＝5sin ωt (V) ，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1 所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1 和u I2 的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u 的波形，并标出幅值。 O 图P1.2 解：u 的波形如解图P1.2 所示。 O

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA，最大功耗P ZM＝150mW。试求图P1.3 所示电路中电阻R的取值范围。图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM＝P ZM/ U Z＝25mA 电阻R的电流为I ZM～I Zmin，所以其取值范围为 R U U I ～ Z 0 .36 1.8k I Z 1.4 已知图P1.4 所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax＝25mA。（1）别计算U I 为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4 解：（1）当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 U R L O U R R L I 3. 33V 当U I＝15V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 R U U 5V