BP103BF中文资料

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.N PN-Silizium-Fototransistor

Silicon NPN Phototransistor

Wesentliche Merkmale

q Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 420 nm bis 1130 nm (SFH 300)und bei 880 nm (SFH 300 FA)q Hohe Linearit?t

q 5 mm-Plastikbauform im LED-Geh?use q Gruppiert lieferbar

Anwendungen

q Computer-Blitzlichtger?te

q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik

q “Messen/Steuern/Regeln”

Features

q Especially suitable for applications from 420 nm to 1130 nm (SFH 300) and of 880 nm (SFH 300 FA)q High linearity

q 5 mm LED plastic package q Available in groups

Applications

q Computer-controlled flashes q Photointerrupters q Industrial electronics

q For control and drive circuits

SFH 300

SFH 300 FA

Ma?e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

f e o f 6652f e o 06652

1)Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.

1)

Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.

Typ (*vorher)Type (*formerly)Bestellnummer Ordering Code Typ (*vorher)Type (*formerly)Bestellnummer Ordering Code SFH 300(*BP 103 B)Q62702-P1189SFH 300 FA (*BP 103 BF)Q62702-P1193SFH 300-2(*BP 103 B-2)Q62702-P85-S2SFH 300 FA-2(*BP 103 BF-2)Q62702-P1192SFH 300-3(*BP 103 B-3)Q62702-P85-S3SFH 300 FA-3(*BP 103 BF-3)Q62702-P1057SFH 300-41)(*BP 103 B-4)

Q62702-P85-S4

SFH 300 FA-4(*BP 103 BF-4)

Q62702-P1058

Grenzwerte

Maximum Ratings Bezeichnung Description

Symbol Symbol

Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range T op ;T stg – 55...+ 100°C L?ttemperatur bei Tauchl?tung L?tstelle ≥ 2 mm vom Geh?use,L?tzeit t ≤ 5 s

Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s T S

260

°C

L?ttemperatur bei Kolbenl?tung L?tstelle ≥ 2 mm vom Geh?use,L?tzeit t ≤ 3 s

Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom t ≤ 3 s T S

300°C

Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage V CE 35V Kollektorstrom Collector current

I C 50mA Kollektorspitzenstrom,τ <10 μs Collector surge current I CS 100mA Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage

V EC

7

V

Verlustleistung,T A = 25°C Total power dissipation P tot 200mW W?rmewiderstand Thermal resistance

R thJA

375

K/W

Kennwerte (T A = 25°C,λ = 950 nm)Characteristics Bezeichnung Description

Symbol Symbol

Wert Value

Einheit Unit

SFH 300

SFH 300 FA Wellenl?nge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity

λS max 850

870

nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von S max

Spectral range of sensitivity S = 10 % of S max

λ

420...1130730...1120nm

Bestrahlungsempfindliche Fl?che Radiant sensitive area A 0.120.12mm 2Abmessung der Chipfl?che Dimensions of chip area

L ×B L ×W 0.5×0.50.5× 0.5mm × mm Abstand Chipoberfl?che zu Geh?useober-fl?che

Distance chip front to case surface H

4.1...4.7

4.1...4.7

mm

Halbwinkel Half angle

?±25±25Grad deg.Kapazit?t,V EC = 0 V,f = 1 MHz,E = 0Capacitance C CE 6.5 6.5pF Dunkelstrom Dark current

V CE = 35 V,E = 0

I CEO

5 (≤100)

5 (≤ 100)

nA

Grenzwerte

Maximum Ratings (cont’d)Bezeichnung Description

Symbol Symbol

Wert Value Einheit Unit

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet.

The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures.1)I PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe 1)

I PCEmin is the min. photocurrent of the specified group

Bezeichnung Description

Symbol Symbol

Wert Value

Einheit Unit

-2

-3

-4

Fotostrom,λ =950 nm Photocurrent

E e = 0.5 mW/cm 2,V CE = 5 V SFH 300:

E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,V CE = 5 V

I PCE I PCE 0.63...1.253.41...25.4≥1.68.6mA mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time

I C = 1 mA,V CC = 5 V,R L = 1 k ?t r , t f

7.5

10

10

μs

Kollektor-Emitter-S?ttigungsspannung Collector-emitter saturation voltage I C =I PCEmin 1)× 0.3,E e = 0.5 mW/cm 2

V CEsat

130140150mV

Relative spectral sensitivity,SFH 300S rel =f (λ)Photocurrent

I PCE /I PCE25o =f (T A ),V CE

= 5 V Relative spectral sensitivity,SFH 300 FA S rel =f (λ)Photocurrent

I PCE =f (E e ),V CE

= 5 V Dark current

I CEO /I CEO25o =f (T A ), V CE = 25 V, E = 0

Dark current

I CEO =f (V CE ), E = 0

Collector-emitter capacitance C CE =f (V CE ),f = 1 MHz,E

= 0

Directional characteristics S rel =f (?)

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