BP103BF中文资料
.N PN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm (SFH 300)und bei 880 nm (SFH 300 FA)q Hohe Linearit?t
q 5 mm-Plastikbauform im LED-Geh?use q Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q Computer-Blitzlichtger?te
q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Features
q Especially suitable for applications from 420 nm to 1130 nm (SFH 300) and of 880 nm (SFH 300 FA)q High linearity
q 5 mm LED plastic package q Available in groups
Applications
q Computer-controlled flashes q Photointerrupters q Industrial electronics
q For control and drive circuits
SFH 300
SFH 300 FA
Ma?e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
f e o f 6652f e o 06652
1)Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Typ (*vorher)Type (*formerly)Bestellnummer Ordering Code Typ (*vorher)Type (*formerly)Bestellnummer Ordering Code SFH 300(*BP 103 B)Q62702-P1189SFH 300 FA (*BP 103 BF)Q62702-P1193SFH 300-2(*BP 103 B-2)Q62702-P85-S2SFH 300 FA-2(*BP 103 BF-2)Q62702-P1192SFH 300-3(*BP 103 B-3)Q62702-P85-S3SFH 300 FA-3(*BP 103 BF-3)Q62702-P1057SFH 300-41)(*BP 103 B-4)
Q62702-P85-S4
SFH 300 FA-4(*BP 103 BF-4)
Q62702-P1058
Grenzwerte
Maximum Ratings Bezeichnung Description
Symbol Symbol
Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range T op ;T stg – 55...+ 100°C L?ttemperatur bei Tauchl?tung L?tstelle ≥ 2 mm vom Geh?use,L?tzeit t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s T S
260
°C
L?ttemperatur bei Kolbenl?tung L?tstelle ≥ 2 mm vom Geh?use,L?tzeit t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom t ≤ 3 s T S
300°C
Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage V CE 35V Kollektorstrom Collector current
I C 50mA Kollektorspitzenstrom,τ <10 μs Collector surge current I CS 100mA Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage
V EC
7
V
Verlustleistung,T A = 25°C Total power dissipation P tot 200mW W?rmewiderstand Thermal resistance
R thJA
375
K/W
Kennwerte (T A = 25°C,λ = 950 nm)Characteristics Bezeichnung Description
Symbol Symbol
Wert Value
Einheit Unit
SFH 300
SFH 300 FA Wellenl?nge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity
λS max 850
870
nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von S max
Spectral range of sensitivity S = 10 % of S max
λ
420...1130730...1120nm
Bestrahlungsempfindliche Fl?che Radiant sensitive area A 0.120.12mm 2Abmessung der Chipfl?che Dimensions of chip area
L ×B L ×W 0.5×0.50.5× 0.5mm × mm Abstand Chipoberfl?che zu Geh?useober-fl?che
Distance chip front to case surface H
4.1...4.7
4.1...4.7
mm
Halbwinkel Half angle
?±25±25Grad deg.Kapazit?t,V EC = 0 V,f = 1 MHz,E = 0Capacitance C CE 6.5 6.5pF Dunkelstrom Dark current
V CE = 35 V,E = 0
I CEO
5 (≤100)
5 (≤ 100)
nA
Grenzwerte
Maximum Ratings (cont’d)Bezeichnung Description
Symbol Symbol
Wert Value Einheit Unit
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures.1)I PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe 1)
I PCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Bezeichnung Description
Symbol Symbol
Wert Value
Einheit Unit
-2
-3
-4
Fotostrom,λ =950 nm Photocurrent
E e = 0.5 mW/cm 2,V CE = 5 V SFH 300:
E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,V CE = 5 V
I PCE I PCE 0.63...1.253.41...25.4≥1.68.6mA mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time
I C = 1 mA,V CC = 5 V,R L = 1 k ?t r , t f
7.5
10
10
μs
Kollektor-Emitter-S?ttigungsspannung Collector-emitter saturation voltage I C =I PCEmin 1)× 0.3,E e = 0.5 mW/cm 2
V CEsat
130140150mV
Relative spectral sensitivity,SFH 300S rel =f (λ)Photocurrent
I PCE /I PCE25o =f (T A ),V CE
= 5 V Relative spectral sensitivity,SFH 300 FA S rel =f (λ)Photocurrent
I PCE =f (E e ),V CE
= 5 V Dark current
I CEO /I CEO25o =f (T A ), V CE = 25 V, E = 0
Dark current
I CEO =f (V CE ), E = 0
Collector-emitter capacitance C CE =f (V CE ),f = 1 MHz,E
= 0
Directional characteristics S rel =f (?)