安森美半导体推出带集成ESD保护的共模扼流圈EMI滤波器

英特尔与美光联合推出34纳米闪存芯片

据《电子产品世界》2009年第9期报道,英特尔和美光科技日前发布了用于闪存卡和优盘的高数据容量闪存技术。这两家公司称,他们已经开发出了基于34纳米技术的NAND闪存芯片,存储容量为每个储存单元3比特。这个存储密度高于目前标准的每个存储单元2比特的技术,从而将实现高容量的存储设备。

据悉,美光目前提供这种芯片的样品,大批量生产将在今年第四季度。

江　兴　摘

安森美半导体推出带集成ES D保护的

共模扼流圈EM I滤波器

安森美半导体(ON Se m iconductor)推出新型共模扼流圈及静电放电(ES D)保护集成电路(I C),这种新型的静电放电(ES D)保护集成电路(I C)可应用于高速数据线路。新的NU C2401M N结合了高带宽差分滤波、固体共模停止带宽衰减及世界级ES D保护功能。这些综合的特性,使得这一方案远远优于典型的电磁干扰(E M I)滤波器及分立可选方案,同时有助于显著减少元件数量。这种新器件可以让设计人员实现优异的滤波及保护性能,且节省空间及成本,并提高总体可靠性,非常适用于基于高速差分数据线路的广泛应用,包括U S B2.0、IEEE1394、低压差分信令(LVD S)、移动行业处理器接口(M IP I)及移动显示数字接口(M DD I)。

NU C240I M N在尺寸仅为2.0mm×2.2mm的D FN封装中集成了等同于5个分立元件的电路,结合共模EM I滤波及符合IEC610002422接触放电业界标准的±12千伏(kV)ES D保护。机器模型(MM)及人体模型(HB M)ES D额定值分别为1.6kV及16kV。这器件额定遵从1级湿敏等级(M S L1),工作温度范围为-40°C～85°C。

由于NU C2401M N是集成方案,可帮助减少寄生电感,从而提供更出色的共模滤波。共模噪声消减的截止频率为40M H z、100M H z及500M H z频率时的典型共模阻抗分别为200及5008。该器件在5A峰值电流时,可提供极低的最大钳位电压,即10V,从而确保优异的ESD保护。其最大峰值脉冲电流额定值为19A。NU C2401M N采用小巧的2.0mm×2.2mm D FN8封装,每10,000片批量的单价为0.533美元。

章从福　摘