集成运放参数测试仪

集成运放参数测试仪
集成运放参数测试仪

集成运放参数测试仪

(B题)

设计报告

参赛学校:扬州大学

学院:信息工程学院

作者:刘中奇张传法邱玉强

集成运放参数测试仪(B题)

摘要:本设计采用AT89C55WD单片机和可编程逻辑器件(FPGA)作为其测试和控制核心,能够测试通用运放的基本参数并实现自动量程转换等功能。运放测试电路参照了任务书中所给电路,用单片机控制继电器进行切换,可编程逻辑器件FPGA控制A/D采样,单片机实现顶层的控制,使整个系统能够协调工作,以完成题目要求。另外,本设计也对发挥部分进行了一定的设计,完成了增益带宽测试和自动循环测试功能。设计中采用了模块化设计方法,提高了设计和调试效率。关键词:集成运放,可编程器件(FPGA),单片机(AT89C55WD),继电器

1. 系统方案选择和论证

1.1系统基本方案

根据题目要求,系统可以划分为控制模块、测试模块和信号源模块。模块框图如图1.1.1所示。为实现各模块的功能,分别做了几种不同的设计方案并进行了论证。

图1.1.1 测试仪的基本模块方框图

1.1.1各模块方案选择和论证

(1) 控制器模块

根据题目要求,控制器主要用于控制测试电路的切换、控制A/D转换模块、信号源的控制和对显示模块的控制。对于控制器的选择有以下三种方案。

方案一:采用FPGA(现场可编程门阵列)作为系统的控制核心。FPGA可以实现复杂的逻辑功能,规模大,密度高,它将所有器件集成在一块芯片上,减小了体积,提高了稳定性,并且可应用EDA软件仿真、调试,易于进行功能扩展。FPGA采用并行的输入输出方式,提高了系统的处理速度,适合作为大规模实时系统的控制核心。由测试模块输出的信号并行输入FPGA,FPGA通过程序设计控制A/D转换,并进行输出,但由于本设计对数据处理的速度要求不高,FPGA的高速处理的优势不能得到充分的体现,并且由于其集成度高,硬件量大、设计复杂且难度大,可能会影响完成任务的进度。

方案二:采用单片机(AT89C51)作为系统的控制核心。单片机算术运算功能强,软件编程灵活,可用软件编程实现各种算法的和逻辑控制,但由于设计中要求复杂的逻辑控制,单片机的硬件设计简单,这就会大大加强软件编程的工作量,可能会导致程序的

混乱,且单片机的硬件简单,其口线不足,就可能导致设计不能成功。

方案三:采用单片机(AT89C55)和复杂可编程逻辑器件(FPGA)共同作为系统的控制核心。单片机实现顶层控制和数据处理,FPGA实现底层控制。在单片机的管理下,由复杂可编程逻辑器件FPGA完成具体的操作,例如对信号的采样和存储,信号源的控制;而单片机实现对FPGA及整个测试仪的管理,例如选择所要测试的运放参数;数据处理;键盘选择显示参数,等等。这样可以结合两者的优点,使两者有机的结合起来。减少每个部分的工作量。基于以上分析,因此本设计采用方案三。初步拟定控制器的组成如图1.1.2虚线框内所示。

图1.1.2 控制器框图

(2)参数测试模块

本模块主要用于运放参数的测量,输出的是模拟量。所要测试参数的电路具有一定的共同点,所以可考虑用开关进行切换,以达到不同的功能。

因此,在设计过程中主要考虑的是能否有效的切换到各参数测量电路中,对于开关的选择有以下三种方案。

方案一:用拨号开关来实现电路的切换。拨号开关是完全的用人工进行控制。由于本模块中采用了较多的切换器件,在电路中容易产生混乱,而且如果要做到完全统一调度也是非常困难的,由于是手动控制,效率是非常低的。

方案二:用模拟开关来实现电路的切换。模拟开关可以由单片机来控制其通和断,但是,模拟开关在进行切换的时候,会有一些分布参数,例如模拟开关的内阻和分布

电容等参数,又因为信号的幅度很小,如果这些参数比较大,就会严重影响到信号。 方案三:用继电器来实现电路的切换。继电器可以用集成芯片SN75451来驱动继电器以实现电路的通断。12V 直流驱动的继电器的触发电阻≤50mΩ 能够满足小幅度信号的要求。

基于继电器的以上优点,本模块中采用方案三作为开关,以实现电路的不同功能。(3) 信号调理模块

模拟信号输出是一低频信号,且存在有一定的干扰,特别是50Hz 交流电及其高次谐波的影响较大,所以要采用具有最大平坦响应的巴特沃斯二阶RC 有源低通滤波器来进行信号的条理。

当测G BW 时,扫频信号的频率范围是40kHz ~4MHz ,这就会有低频信号的干扰,所以要滤除其低频干扰。所以采用了巴特沃斯二阶RC 有源高通滤波器。

在测试不同的参数时,要选择不同的滤波器,可采用继电器进行切换,以实现不同参数的测试。

(4) 信号源模块

① 测试信号源产生模块

在进行VD A 、CMR K 测试的时候,需要接输出频率为5Hz 、输出电压有效值为4V 的正弦波信号,这就要求设计此模块,有以下三种方案。

方案一:用晶体振荡电路产生符合要求的正弦波信号。晶体可以产生非常稳定的正弦波信号,但是,要求的是输出频率为5Hz 、输出电压有效值为4V ,对于低频而言,晶体是很难做到这么精确的指标。

方案二: 用555定时器产生符合要求的正弦波信号。因为测试信号源的精度要求很高,而555定时器的电阻和电容的取值将影响到输出脉冲的宽度w t ,随着w t 的宽度的增加,它的精度和稳定度也将下降。由于是要求输出频率为5Hz ,w t 的宽度将会很大,这就会严重影响到精度和稳定度。

方案三:用FPGA 和D/A 转换器产生符合要求的正弦波信号。频率精度很高,而且 稳定度也很高。由于要求的频率很低,所以一般的D/A 转换器就可胜任。符合任务中 的要求。所以,基于以上分析,拟定方案三。框图如图1.1.3所示。

图1.1.3 测试信号源产生框图

②扫频信号源模块

由于任务要求制作一信号源,且输出频率范围为40kHz~4MHz,误差小于1%,电压有效值为2V±0.2V有以下两种方案可供选择:

方案一:用专门的DDS芯片做符合要求的扫频源。由于芯片的成本很高,而且市场供应不足。所以不采用此方案。

方案二:用FPGA做符合要求的信号源。FPGA的逻辑功能强大,集成度高,减小了体积,提高了稳定度。使用VHDL语言,设计灵活,且自由度大,可应用MaxPlus II 软件仿真、调试、易于功能扩展。基于以上优点,本模块采用方案二。

⑸显示模块

显示器是人机接口输出的一部分,良好的人机接口将会使输出内容能够更加的丰富。我们考虑以下两种方案。

方案一:采用LED(发光二极管)作为显示部分。LED有8段和米字型两种用于显示各种数字。但是,LED显示的形式比较单一,功能简单,而且比较耗电。人机交换比较困难。

方案二:采用LCD(液晶显示器)作为显示部分。LCD具有以下优点:①轻薄短小、②低好电量、③无辐射危险、④平面直角显示、⑤影像稳定不闪烁、⑥可视面积大、⑦画面效果好、⑧分辨率高。LCD有显示图形、字符和数字等功能,且LCD 的人机界面友好。在本设计中要能显示数码、字符以及汉字,只有点阵式显示器才能够胜任。所以,基于以上方案,本模块采用LCD作为显示器。

1.1.2 系统各模块的最终方案

经过仔细的分析和论证,决定了系统个模块的最终方案如下:

⑴控制模块:采用单片机(AT89C55)和复杂可编程逻辑器件(FPGA)共同控制;

⑵集成运放参数测试模块:采用继电器切换的测试电路;

⑶信号调理模块:采用二阶RC有源滤波器;

⑷测试信号源产生模块:采用FPGA和D/A转换器产生正弦波信号;

⑸扫频信号源模块:采用FPGA产生方波扫频信号;

⑹ A/D 转换模块:采用AD1674作为转换器;

⑺显示模块:采用LCD(液晶显示器)。

系统的基本框图如图1.1.4所示。单片机主要用于顶层控制和运算处理电路,而FPGA实现底层控制,实现某部分具体电路的功能,两部分可以进行有机的结合,以实现其任务书所给要求。其工作过程如下:

系统通电后,用单片机控制测试电路进行模式选择,实现各种参数的测试,模拟量经信号调理后,单片机发出信号以实现FPGA对A/D的采样,FPGA将采样后的数据存入RAM,发出信号给单片机,使单片机从RAM中读出采样好的数据,再进行运算处理,最后控制LCD进行输出。

图1.1.4 系统基本框图

2.系统的硬件设计与实现

2.1 系统硬件的基本组成部分

本题是一个含有各种技术的综合设计,在设计中运用到了模拟电子技术、数字电子技术和可编程技术。系统可分为测试部分和智能控制部分。

测试部分:系统完成各种参数的测试,就要运用到各种测试电路。测试部分包括3个单元电路:各种参数测试电路、信号调理电路、A/D 采样电路、

控制部分:单片机控制测量参数的选择,并进行对FPGA 的顶层控制;而FPGA 实现对A/D 采样的底层控制,以完成模数转换,再由单片机控制显示。控制部分包括2个主要单元电路:单片机控制电路、FPGA 控制电路。

信号源部分:FPGA 产生控制信号并通过D/A 产生所需的信号源。信号源部分包括两个主要单元电路: 低频正弦波信号源、扫频信号源。

2.2 主要单元电路的设计

2.2.1 测试部分的单元电路设计

⑴ 参数测试电路的设计

题目要求能测试IO V 、IO I 、VD A 、CMR K 、G BW 五个参数。由于题目附录中给出了每个参数标准电路,并给出了参考阻值。经过综合考虑,本单元电路利用给出参考阻值, 并用继电器进行切换。为保证测量精度,要求R 、Ri 、f R 的阻值准确测量,1R 、2R 的阻

值尽可能一致;IO I 与R 的乘积远大于IO V ;IO I 与Ri //f R 的乘积应远小于IO V 。我们取Ri =100Ω、

f R =20k Ω、1R =2R =30k Ω、L R =10k Ω、R=1M Ω。由于要求量程切换。在此f R 可以取两个值

进行切换,另一个f R =200k Ω 电路如图2.2.1所示:

图2.2.1 测试电路电路图

由于辅助运放的性能好坏对测试结果的精度有直接的影响,因此在选择辅助运放时,我们查找和比较了多种运放的性能参数,通过比较,我们最后选择OP37A作为该电路的辅助运放。OP37A的输入失调电压为10uV ,输入失调电流为7nA,交流差模开环增益为126dB,交流共模抑制比为120 dB,单位增益带宽为40MHz。其性能参数和通用运放相比,要小1~2个数量级,因此,我们采用OP37A作为辅助运放。

测试电路的切换通过继电器的通断来控制,当单片机发出模式切换的信号后,由GAL门对模式控制信号进行译码,再推动75451完成对继电器的控制。在本电路中GAL 门选择ATMEL公司的ATF16V8B。例如:当单片机发出控制信号0001,经GAL门译码后,通过75451推动K1、K2、K3、K5闭合,从而使测试电路切换到失调电压的测试状态。根据测量参数和量程切换的要求,本测试电路需要GAL门切换9种模式,译码结果如表2.2.1所示

表2.2.1 GAL门控制电路译码表

(续表2.2.1)

⑵ 信号调理电路 ① 低通滤波电路

从测试电路出来的信号会有一定的干扰,这样就会严重影响到后级的测试精度,所 以要加上抗混滤波电路,在测试G BW 时要让高频信号通过,而在测试其他参数时要让低频信号通过,所以采用了继电器切换,在测试G BW 时是直通的,在测试其他参数时加上低通滤波电路,采用的是二阶有源低通RC 滤波器。设计电路如图2.2.2所示。

图2.2.2 低通滤波器

因为Hz f 5=,所以取低通滤波起的截止频率Hz f c 10=,利用滤波器的快速设计方法,从表中查出一电容(uF )使其满足C

f K C 100

=

,在此,取增益为1对应的电容 C=4.7u ,对应的电阻Ω=k R 442.11,Ω=k R 339.52又由于K=2,可以得到电阻Ω=k R 884.21,

Ω=k R 678.102,电容55.11=C u ,在实际中我们采用的参数是Ω=k R 31、Ω=k R 102、C=4.7u 、55.11=C u ,可以进行很好的低通滤波。

② 高通滤波器

在测试G BW 时要使扫描信号通过,扫描信号的频率为40kHz ~4MHz,这就要进行高

通滤波电路。由前面方案论证可知,选用二阶高通RC 有源滤波器。其电路图如图2.2.3所示。并且可根据其快速设计方法得出参数值。

图2.2.3 高通滤波器

因为扫描信号的输出最低频率为40kHz ,所以设计截止频率kHz f c 20=,因为

C

f K C 100

=

,所以C=1000P, kHz f c 20=,对应的K=5。查表可得:Ω=k R 6.51,Ω=k R 25.112(实际取10k Ω)。就可得到高通滤波。 ⑶ A/D 采样电路

本电路通过A/D 采样的方式实现对运放测试参数的采集和处理,由于题目精度要求较高,经过计算,只有当A/D 芯片最小分辨率小于10Mv 时,才能实现达到题目的精度要求因此在本设计中采用12位高精度A/D 转换器AD1674作为A/D 采样芯片。该芯片最小分辨率为4.875mV ,完全可以达到设计的精度要求,虽然其转换速率为100KSPS ,但是由于本设计主要采集的是低频和直流信号,因此转换速度仍然可以满足设计要求。

2.2.2 控制部分的单元电路设计

⑴ 单片机控制电路

单片机选用MCS-51系列,由于菜单较复杂,程序代码较长,因此选用了AD89C55WD 芯片。本系统由51单片机的p2.0~p2.4口通过I/O 方式控制测试电路的模式切换,通过p0口和p2口完成RAM 内数据的读取。

① 主单片机使用了4*4键盘,128*64液晶显示器(LCD )。 ②单片机按键动能

键1:输入失调电压 ; 键2: 输入失调电流;

键3: 交流差模开环增益; 键4: 交流共模抑制比; 键5: 单位增益带宽; 键6: 键盘功能说明; 键A: 自动扫频步进; 键B : 手动扫频步进; 键C : 扫频源清零; 键0: 自动循环测量; ⑵ FPGA 控制电路

FPGA 控制电路框图2.2.4如下:

图2.2.4 FPGA 控制电路框图

当单片机发出采样信号后,FPGA 通过状态机控制A/D 转换器进行A/D 采样,将采样完的数据转存进RAM 中,当进行IO V 、IO I 、VD A 、CMR K 参数测试时,系统以160Hz 的速度进行采样,称为慢采样。当测试单位增益带宽时,以100kHz 的速率全速采样,称为快采样。AD 转换器的控制信号由FPGA 产生,FPGA 在AD 转换时获得SRAM 的控制权,随后读取AD 转换后的数据,经过内部锁存器后,存入SRAM ,存满一定量的数据后,发出高电平,并释放SRAM 的控制权通知MPU 采样已经完成采样,MPU 可以读取SRAM 中的数据。

本逻辑电路时序比较复杂,而一般的CPLD 不但容量比较小,且内部不可以集成ROM 模块,所以采用了FPGA 型号为ALTRA 公司的FLEX

EPF10K10LC84—4。

⑶信号源部分

信号源是测试运放参数所必须的,因此高精度、高稳定性的信号源对测试数据的影响很大。

①低频正弦波信号源

DA转换器的状态为常通状态,转换得数据由FPGA提供,实现了用DDS产生高精度的5HZ的正弦波信号。

②扫频信号源

扫频信号有12M的脉冲可控分频获得,MPU发出扫频信号,FPGA 利用

扫频信号的上升沿,作累加,把累加后的数据,送给可控分频器,产生频率可控

信号源。

3. 系统的软件设计

3.1 系统的总体框图

本系统软件总体框图3.1.1如下;

图3.1.1 系统软件总体框图

3.2 失调电压测试子程序

当测试失调电压时,单片机将A/D采样的数据读入再进行计算,若小于其设定门限值,则换小量程进行计算,最后由LCD进行输出显示。其流程图如图3.2.1所示。

图3.2.1 失调电压测试流程图

3.3失调电流测试子程序

失调电流测试程序和失调电压测试子程序差别不大,只是在采样后的处理不一样,因为失调电流的测试需要先进行失调电压的测量,再利用失调电压算出其失调电流。其程序流程图如图3.3.1所示。

图3.3.1失调电压测试流程图

3.4 交流差模开电压增益测试子程序

在测试

A时,就不用进行量程切换,FPGA以160Hz的采样率进行采样,一个周期

VD

采32个点,单片机取出已采好的点,先去除直流分量,然后算出其峰-峰值,进一步算出其有效值。再利用公式进行处理,最后送显示。其程序流程图如图3.4.1所示。

图3.4.1 交流差模开电压增益测试流程

3.5 交流共模开抑制比测试子程序

在测试

K时,就不用进行量程切换,FPGA以160Hz的采样率进行采样,一个周CMR

期采32个点,单片机取出已采好的点,先去除直流分量,然后算出其峰-峰值,进一步算出其有效值。再利用公式进行处理,最后送显示。其程序流程图如图3.5.1所示。

图3.5.1 交流共模开抑制比框图

3.6 单位增益带宽测试子程序

在测试

BW时,数据处理部分采用的是折半查找法。首先,单片机控制扫频信G

号源产生40kHz的信号,然后,测出当前输出电压的有效值。以此做为比较的基准值,

然后单片机控制扫频信号源,步进到500kHz,再次测量输出电压的有效值,如果电压

小于基准值的0.707倍,则以一半的步进减小频率值,反之,则增大频率值。如此循

环直到找到最接近输出电压基准值0.707倍的频率。此算法的优点在于节省了运算的

时间,效率大为提高。

4. 系统测试

为了确定系统与题目要求的符合程度,我们对系统的关键部分进行了实际的测试。

4.1 测试仪器

测试使用的仪器测试使用的仪器设备如表4.1.1所示。

表4.1.1测试使用的仪器设备

4.2 指标测试

使用的测试运放为UA741,被测试运放的工作电压为±15V。

4.2.1 标准电路测试

4.2.2 IO V (输入失调电压)测试

4.2.3 IO I (输入失调电流)测试

4.2.4 VD A

(交流差模开环电压增益)测试

4.2.5

CMR K (交流共模抑制比)测试

4.2.6 G BW (单位增益带宽)测试

4.2.7 低频信号源测试

4.2.8 扫频信号源的测试

扫频信号源的输出频率范围为40KHz~4MHz,

4.2.9 系统实现的功能

基本部分:能够实现对通用运放基本参数的测量;输入失调电压和输入失调电流的误差绝对值小于3%,交流差模开环电压增益和交流共模抑制比的绝对值误差小于3dB;系统能够提供频率为5Hz,电压有效值为4V的正弦波信号,且误差小于1%;自己制作了标准测试电路,并且能准确测量其参数。

发挥部分:系统能够输出一个频率范围为40KHz~4MHz扫频信号源,且误差绝对值小于1%;并且系统有单位增益带宽的测试功能;系统增加了自动循环测量功能。

5.总结

本次设计竞赛,我们采用了单片机技术、在系统可编程技术和模拟技术使三者有机的结合起来。设计理念先进,性能稳定。在测量方面采用了高精度数字测量方法,确保了测量的精度和测量的稳定性。此次竞赛我们多采用了良好的人机界面环境,取得了相当好的显示效果。

本次电子设计竞赛促进了我们的团队合作精神,在设计制作的过程中我们充分发挥了团队合作精神。这次竞赛的过程使我们有了一次深刻的经历,我们利用了已学的知识,发挥了自己的才智将课本中介绍的理论方法变成了一种实实在在的作品,我们深深感觉到理论联合实践的重要。另外,这次经历使我们更体会到在任何的艰难困苦乃至绝望的时候一定要保持必胜的信心和坚定的信念。通过这次竞赛我们更加明确了个人以后奋斗发展的目标。

6 参考文献

1.全国大学生电子设计竞赛组委会..全国大学生电子设计竞赛获奖作品汇编(第一届∽第五届).北京:北京理工大学出版社,2004年

2.黄智伟.全国大学生电子设计竞赛训练教程.北京:电子工业出版社,

2005年

3.黄正瑾.电子设计竞赛赛题解析.南京:东南大学出版社,2003年

4.田良,王尧,黄正瑾,陈建元,束海泉.综合电子设计与实践.南京:东

南大学出版社,2003年

5.谢自美.电子线路设计?实验?测试(第二版). 武汉:华中理工大学出版

社,2002年

6.阎石.数字电子技术基础(第四版). 北京:高等教育出版社,1998年

7.童诗白,华成英.模拟电子技术基础.北京:高等教育出版社,2001年

半导体器件综合参数测试

研究生《电子技术综合实验》课程报告 题目:半导体器件综合参数测试 学号 姓名 专业 指导教师 院(系、所) 年月日

一、实验目的: (1)了解、熟悉半导体器件测试仪器,半导体器件的特性,并测得器件的特性参数。掌握半导体管特性图示仪的使用方法,掌握测量晶体管输入输出特性的测量方法。 (2)测量不同材料的霍尔元件在常温下的不同条件下(磁场、霍尔电流)下的霍尔电压,并根据实验结果全面分析、讨论。 二、实验内容: (1)测试3AX31B、3DG6D的放大、饱和、击穿等特性曲线,根据图示曲线计算晶体管的放大倍数; (2)测量霍尔元件不等位电势,测霍尔电压,在电磁铁励磁电流下测霍尔电压。 三、实验仪器: XJ4810图示仪、示波器、三极管、霍尔效应实验装置 四、实验原理: 1.三极管的主要参数: (1)直流放大系数h FE:h FE=(I C-I CEO)/I B≈I C/I B。其中I C为集电极电流,I B为基极电流。 基极开路时I C值,此值反映了三极管热稳定性。 (2)穿透电流I CEO : (3)交流放大系数β:β=ΔI C/ΔI B (4)反向击穿电压BV CEO:基极开路时,C、E之间击穿电压。 2.图示仪的工作原理: 晶体管特性图示仪主要由阶梯波信号源、集电极扫描电压发生器、工作于X-Y方式的示波器、测试转换开关及一些附属电路组成。晶体管特性图示仪根据器件特性测量的工作原理,将上述单元组合,实现各种测试电路。阶梯波信号源产生阶梯电压或阶梯电流,为被测晶体管提

供偏置;集电极扫描电压发生器用以供给所需的集电极扫描电压,可根据不同的测试要求,改变扫描电压的极性和大小;示波器工作在X-Y状态,用于显示晶体管特性曲线;测试开关可根据不同晶体管不同特性曲线的测试要求改变测试电路。(原理如图1) 上图中,R B、E B构成基极偏置电路。当E B》V BE时,I B=(E B-V BE)/R B基本恒定。晶体管C-E之间加入锯齿波扫描电压,并引入小取样电阻RC,加到示波器上X轴Y轴电压分别为:V X=V CE=V CA+V AC=V CA-I C R C≈V CA V Y=-I C·R C∝-I C I B恒定时,示波器屏幕上可以看到一根。I C-V CE的特征曲线,即晶体管共发射极输出特性曲线。为了显示一组在不同I B的特征曲线簇I CI=φ应该在X轴锯齿波扫描电压每变化一个周期时,使I B也有一个相应的变化。应将E B改为能随X轴的锯齿波扫描电压变化的阶梯电压。每一个阶梯电压能为被测管的基极提供一定的基极电流,这样不同变化的电压V B1、V B2、V B3…就可以对应不同的基极注入电流I B1、I B2、I B3….只要能使没一个阶梯电压所维持的时间等于集电极回路的锯齿波扫描电压周期。如此,绘出I CO=φ(I BO,V CE)曲线与I C1=φ(I B1,V CE)曲线。 3.直流电流放大系数h FE与工作点I,V的关系 h FE是晶体三极管共发射极连接时的放大系数,h FE=I C/I B。以n-p-n晶体管为例,发射区的载流子(电子)流入基区。这些载流子形成电流I E,当流经基区时被基区空穴复合掉一部分,这复合电流形成IB,复合后剩下的电子流入集电区形成电流为IC,则I E=IB+IC。因IC>>IB 所以一般h FE=IC/IB都很大。

集成运放参数测试仪

集成运放性能参数测试仪 一、集成运放性能参数测试仪性能指标 工作电压:±15V V IO:测量范围:0~40mV(<小于3%读数±1个字); I IO:测量范围:0~4μA(<3%读数±1个字); A VD:测量范围:60dB~120dB±3dB; K CMR:测量范围:60dB~120dB±3dB; 输出频率:5Hz 输出电压有效值:4 V 频率与电压值误差绝对值均小于1%; 二、设计思路: 本设计以单片机STC89C52为控制核心,利用数模转换器ADS1110以及继电器,为切换开关,对被测量信号进行采样,通过单片机处理完成对运算放大器LM741的UIO,IIO,AVC,KCMR等参数的测量。并通过系统显示接口,利用液晶显示装置将测试的结果进行显示,同时本系统还能通过键盘进行人机交流,实现按下一个按键就可以对该运放的某个参数进行测试。 三、系统结构图

四、方案比较与选择: 主控芯片部分 方案一:采用STC89C52单片机。优点是芯片结构简单,使用相对容易;缺点是不带AD转换电路,需要外接AD转换芯片,测量精度相对较低。 方案二:采用凌阳SPCE061A单片机。优点是自带AD转换模块,测量精度相对较高,能进行音频处理等多种智能化功能;缺点是结构复杂,使用起来相对繁琐。 由于此方案的核心内容在测试电路部分,主控芯片的选择对结果的影响相对较小,综合以上芯片的性能以及自身的情况,选择使用相对简单的STC89C52单片机。 信号发生器的选择

方案一:利用传统的模拟分立元件或单片压控函数发生器 MAX038,可产生三角波、方波、正弦波,通过调整外围元件可以改变输出频率、幅度,但采用模拟器件由于元件分散性太大,即使用单片函数发生器,参数也与外部元件有关,外接电阻电容对参数影响很大,因而产生的频率稳定度较差、精度低、抗干扰能力差、成本也较高。 方案二:采用ICL8038芯片产生信号。优点是电路简单,波形好,控制方便,缺点是频率有限。 由于需要的频率不宽,综合以上考虑,选择电路简单,波形好,控制方便,精度和抗干扰能力更强的ICL8038作为信号发生器。 显示模块的选择 方案一:采用液晶显示模块SVM12864(LCD)。占用I/O口多,控制复杂,但可以显示汉字和简单图形等,功能强大 方案二:采用液晶显示模块1602。占用I/O口少,控制简单,每行可显示16个字符。 虽然SVM12864功能相对强大,但是采用1602更为合理。因为需要显示的参数不多,且都是英文字母和数字,因此选择控制简单的1602液晶显示模块。 五、测量原理 2.1 失调电压Vios 理想运放当输入电压为零时,其输出电压也为零,但实际运放电路当

运放参数详解-超详细

运放参数的详细解释和分析1—输入偏置电流和输入失调电 流 一般运放的datasheet中会列出众多的运放参数,有些易于理解,我们常关注,有些可能会被忽略了。在接下来的一些主题里,将对每一个参数进行详细的说明和分析。力求在原理和对应用的影响上把运放参数阐述清楚。由于本人的水平有限,写的博文中难免有些疏漏,希望大家批评指正。 第一节要说明的是运放的输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios .众说周知,理想运放是没有输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios .的。但每一颗实际运放都会有输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios .我们可以用下图中的模型来说明它们的定义。 输入偏置电流Ib是由于运放两个输入极都有漏电流(我们暂且称之为漏电流)的存在。我们可以理解为,理想运放的各个输入端都串联进了一个电流源,这两个电流源的电流值一般为不相同。也就是说,实际的运入,会有电流流入或流出运放的输入端的(与理想运放的虚断不太一样)。那么输入偏置电流就定义这两个电流的平均值,这个很好理解。输入失调电流呢,就定义为两个电流的差。

说完定义,下面我们要深究一下这个电流的来源。那我们就要看一下运入的输入级了,运放的输入级一般采用差分输入(电压反馈运放)。采用的管子,要么是三级管bipolar,要么是场效应管FET。如下图所示,对于bipolar,要使其工作在线性区,就要给基极提供偏置电压,或者说要有比较大的基极电流,也就是常说的,三极管是电流控制器件。那么其偏置电流就来源于输入级的三极管的基极电流,由于工艺上很难做到两个管子的完全匹配,所以这两个管子Q1和Q2的基极电流总是有这么点差别,也就是输入的失调电流。Bipolar输入的运放这两个值还是很可观的,也就是说是比较大的,进行电路设计时,不得不考虑的。而对于FET输入的运放,由于其是电压控制电流器件,可以说它的栅极电流是很小很小的,一般会在fA级,但不幸的是,它的每个输入引脚都有一对ESD保护二极管。这两个二极管都是有漏电流的,这个漏电流一般会比FET的栅极电流大的多,这也成为了FET 输入运放的偏置电流的来源。当然,这两对ESD保护二极管也不可能完全一致,因此也就有了不同的漏电流,漏电流之差也就构成了输入失调电流的主要成份。

集成运放的主要参数和含义

集成运放数据手册中的主要参数和含义 一、直流参数: 1.---输入失调电压 为了是集成运放在零输入时达到零输出,需在其输入端加一个直流补偿电压,这个直流补偿电压的大小即为输入失调电压,两者方向相反。输入失调电压一般是毫伏(mV)数量级。采用双极型三极管作为输入级的运放,其为1-10mV;采用场效应管作为输入级的运放,其大得多;而对于高精度的集成运放,其的值一般很小。 2.---输入失调电压的温度系数 在确定的温度变化范围内,失调电压的变化与温度的变化的比值定义为输入失调电压的温度系数。一般集成运放的输入失调电压的温度系数为10-20;而高精度、低漂

移集成运放的温度系数在1以下。 3.----输入偏置电流 当集成运放的输入电压的输入电压为零,输出电压也为零时,其两个输入端偏置电流的平均值定义为输入偏执电流。两个输入端的偏置电流分别记为和,而表示为 双极型晶体管输入的集成运放,其为10nA-1;场效应管输入的集成运放,其一般小于1nA。 4.—输入失调电流 当集成运放的输入电压威灵,输出电压也为零时,两个输入偏置电流的差值称为输入失调电流,即 一般来说,集成运放的偏置电流越大,其输入失调电流也越大。输入偏置电流和输入失调电流的温度系数,分别用/ 和/来表示。由于输入失调电压和输入失调电流及输入偏置电流均为温度的函数,所以产品手册中均应注明这些参数的测试温度。另外,需要指出的是,上述各参数均与电源电压及集成运放输入端所加的共模电压值有关。手册中的参数一般指在标准电源电压值及零共模输入电压下的测试值。 5.---差模开环直流电压增益 集成运放工作在线性区时,差模电压输入以后,其输出电压变化与差模输入电压变化的比值,称为差模开环电压增益,即 = 差模开环电压增益一般用分贝(dB)为单位,可用下式表示 ( )=20lg()(dB)

毕业设计133集成运放参数测试仪

集成运放参数测试仪——程序设计 内容摘要:该课题设计的运算放大器闭环参数测试系统是基于MSC-51单片机控制模块,并且 由LCD(Liquid Crystal Display)显示模块,键盘模块,数据采集和转换模块,采用DDS芯片(AD9851)实现了40kHz~4MHz的扫频输出模块等五部分组成。采用辅助运放测试方法,可对运放的输入失调电压、输入失调电流、交流差模开环电压增益和交流共模抑制比以及单位增益带宽进行测量。在软件上,用C语言来编程实现。其要实现的功能包括:对来自TLC2543A/D转换的数字信号进行接收、分析、计算和对结果的显示;通过不同键值的接收、分析来控制对不同对象的测量,并在LCD上显示对应的人机界面;对来自DDS的高频信号源的频率进行控制来实现对集成运放的带宽参数的测试和显示。而且具有自动量程转换、自动测量功能和良好的人机交互性。 关键词:单片机 C语言 DDS LCD 人机交互界面 The Instrument for testing the Parameters of Integrated Operation Amplifier ——program design Abstract:This system is designed based on C51 microcontroller to measure the close loop parameters of the operation amplifier. The system conclude five modules: LCD (liquid crystal display) display module, keyboard module, data collection module, conversion module, and the module of generating sweep sine-wave signal with frequency range from 40 kHz to 4 MHz, using the DDS chip of AD9851. The system can measure the input offset voltage、the input offset current、the open loop AC differential mode voltage gain、the AC common mode rejection ratio and unit gain bandwidth,using the measure method of assistant amplifier. The data can be display on the LCD which is using of C program. And the function concludes: receiving, analysing and calculating the digital signals from TLC2543A/D then send them to show; accepting different key value on keyboards, analysing and processing it for controlling the measurement of different target and display on the LCD with different computer interface; controlling the bandwidth of HF signal source from DDS chip to measure the integrated transport bandwidth parameters and display the result. What’s more C51 microcontroller can control relays to complete auto measurement range switching ,auto measuring and good interface. Key Words:MCU CLanguage DDS LCD interface

集成运放的性能指标

集成运放的性能指标 学习要求: ●掌握开环差模电压放大倍数、共模抑制比、差模输入电阻、 输入失调电压和输入失调电流等参数的物理意义; ●了解输入失调电压温漂、输入失调电流温漂dI IO/dT、输入偏 置电流、最大差模输入电压、最大共模输入电压、–3dB带 宽、单位增益带宽和转换速度等参数的物理意义。 1.开环差模电压放大倍数Aod 开环差模电压放大倍数A od是指集成运放在开环情况下的空载电压放大倍数。A od ,其值越大越好。通用型运放一般在范围。 2.共模抑制比K CMR 共模抑制比K CMR是集成运放的开环差模电压放大倍数和开环共模电压放大倍数之比 的绝对值,即。它是衡量输入级差放对称程度及表征集成运放抑制共模干扰信号能力的参数。其值越大越好,通用型运放在65-110dB之间。 3.差模输入电阻 差模输入电阻是差模信号输入时,运放的开环输入电阻。愈大,从信号源索取的电流愈小。 4.输入失调电压U I0及其温漂dU IO/dT 由于集成运放的输入级电路参数不可能绝对对称,所以当输入 并不为零。U I0是使输出电压为零时在 电压为零时,输出电压 输入端所加的补偿电压,其数值是 电压的负值,即U I0=。U I0愈小,表明电路参数对称性愈好。 dU IO/dT是U I0的温度系数,其值愈小,表明运放的温漂愈小。 5. 输入失调电流I I0及其温漂dI IO/dT I I0=|I B1-I B2|,I I0的大小反映了输入级差放管输入电流的不对称程度。其值愈小愈好。 dI IO/dT是I I0的温度系数,其值愈小,表明运放的质量愈好。 6. 输入偏置电流I IB 输入偏置电流I IB是输入电压为零时,集成运放两输入端静态基极(栅极)电流的平均值,即I IB=(I B1+I B2)/2。I IB愈小,信号源内阻对集成运放静态工作点的影响也就愈小,I I0往往也愈小。

实验5 集成运算放大器参数测试

实验五 集成运算放大器参数测试 一、实验目的: 1.通过对集成运算放大器741参数的测试,了解集成运算放大器组件主要参数的定义和表示方法。 2.掌握运算放大器主要参数的测试方法。 二、实验原理: 集成运算放大器是一种使用广泛的线性集成电路器件,和其它电子器件一样,其特性是通过性能参数来表示的。集成电路生产厂家为描述其生产的集成电路器件的特性,通过大量的测试,为各种型号的集成电路制定了性能指标。运算放大器的性能参数可以使用专用的测试仪器进行测试(“运算放大器性能参数测试仪”),也可以根据参数的定义,采用一些简易的方法进行测试。本次实验是学习使用常规仪表,对运算放大器的一些重要参数进行简易测试的方法。 实验中采用的集成运算放大器型号为741,其引脚排列如图5.1所示。它是一种八脚双列直插式器件,其引脚定义如下: ①、⑤调零端; 图 5.1 741引脚 ②反相输入端; ③同相输入端; ④电源负极; ⑥输出端; ⑦电源正极; ⑧空脚。 以下为主要参数的测试方法: 1.输入失调电压: 理想运算放大器,当输入信号为零时其输出也为零。但在真实的集

成电路器件中,由于输入级的差动放大电路总会存在一些不对称的现象(由晶体管组成的差动输入级,不对称的主要原因是两个差放管的U BE 不相等),使得输入为零时,输出不为零。这种输入为零而输出不为零的现象称为“失调”。为讨论方便,人们将由于器件内部的不对称所造成的失调现象,看成是由于外部存在一个误差电压而造成,这个外部的误差电压叫做“输入失调电压”,记作U IO或V OS。 输入失调电压在数值上等于输入为零时的输出电压除以运算放大器的开环电压放大倍数: 式中:U IO — 输入失调电压 U OO — 输入为零时的输出电压值 A od — 运算放大器的开环电压放大倍数 本次实验采用的失调电压测试电路如图5.2所示。闭合开关K1及K2, 使电阻R B短接,测量此时的输出电压U O1即为输出失调电压,则输入失调电压 图5.2 U IO,I IO测试电路 实际测出的U O1可能为正,也可能为负,高质量的运算放大器U IO一般在1mV以下。 测试中应注意: ①要求电阻R1和R2,R3和R F的阻值精确配对。 2.输入失调电流I IO 当输入信号为的零时,运放两个输入端的输入偏置电流之差称为输入失调电流,记为I IO(有的资料中使用符号I OS)。 式中:I B1,I B2分别是运算放大器两个输入端的输入偏置电流。 输入失调电流的大小反映了运放内部差动输入级的两个晶体管的失配度,由于I B1,I B2本身的数值已很小(μA或nA级),因此它们的差值通常不是直接测量的,测试电路如图5.2所示,测试分两步进行:1)闭合开关K1及K2,将两个R B短路。在低输入电阻下,测出输出

ic半导体测试基础(中文版)

本章节我们来说说最基本的测试——开短路测试(Open-Short Test),说说测试的目的和方法。 一.测试目的 Open-Short Test也称为ContinuityTest或Contact Test,用以确认在器件测试时所有的信号引脚都与测试系统相应的通道在电性能上完成了连接,并且没有信号引脚与其他信号引脚、电源或地发生短路。 测试时间的长短直接影响测试成本的高低,而减少平均测试时间的一个最好方法就是尽可能早地发现并剔除坏的芯片。Open-Short测试能快速检测出DUT是否存在电性物理缺陷,如引脚短路、bond wire缺失、引脚的静电损坏、以及制造缺陷等。 另外,在测试开始阶段,Open-Short测试能及时告知测试机一些与测试配件有关的问题,如ProbeCard或器件的Socket没有正确的连接。 二.测试方法 Open-Short测试的条件在器件的规格数或测试计划书里通常不会提及,但是对大多数器件而言,它的测试方法及参数都是标准的,这些标准值会在稍后给出。 基于PMU的Open-Short测试是一种串行(Serial)静态的DC测试。首先将器件包括电源和地的所有管脚拉低至“地”(即我们常说的清0),接着连接PMU到单个的DUT 管脚,并驱动电流顺着偏置方向经过管脚的保护二极管——一个负向的电流会流经连接到地的二极管(图3-1),一个正向的电流会流经连接到电源的二极管(图3-2),电流的大小在100uA到500uA之间就足够了。大家知道,当电流流经二极管时,会在其P-N结上引起大约0.65V的压降,我们接下来去检测连接点的电压就可以知道结果了。 既然程序控制PMU去驱动电流,那么我们必须设置电压钳制,去限制Open管脚引起的电压。Open-Short测试的钳制电压一般设置为3V——当一个Open的管脚被测试到,它的测试结果将会是3V。 串行静态Open-Short测试的优点在于它使用的是DC测试,当一个失效(failure)发生时,其准确的电压测量值会被数据记录(datalog)真实地检测并显示出来,不管它是Open引起还是Short导致。缺点在于,从测试时间上考虑,会要求测试系统对DUT的每个管脚都有相应的独立的DC测试单元。对于拥有PPPMU结构的测试系统来说,这个缺点就不存在了。 当然,Open-Short也可以使用功能测试(Functional Test)来进行,我会在后面相应的章节提及。

集成运放参数测试仪(B题)

集成运放参数测试仪(B题) 一、任务 设计并制作一台能测试通用型集成运算放大器参数的测试仪,示意图如图1所示。 图1 二、要求 1、基本要求 (1)能测试V IO(输入失调电压)、I IO(输入失调电流)、A VD (交流差模开环电压增益)和K CMR (交流共模抑制比)四项基本参数,显示器最大显示数为3999; (2)各项被测参数的测量范围及精度如下(被测运放的工作电压为±15V): V IO:测量范围为0~40mV(量程为4mV和40mV),误差绝对值小于3%读数+1个字; I IO:测量范围为0~4μA(量程为0.4μA和4μA),误差绝对值小于3%读数+1个 字; A VD:测量范围为60dB~120dB,测试误差绝对值小于3dB; K CMR:测量范围为60dB~120dB,测试误差绝对值小于3dB; (3)测试仪中的信号源(自制)用于A VD、K CMR参数的测量,要求信号源能输出频率为5Hz、输出电压有效值为4 V的正弦波信号,频率与电压值误差绝对值均小于1%; (4)按照本题附录提供的符合GB3442-82的测试原理图(见图2~图4),再制作一组符合该标准的测试V IO、I IO、A VD和K CMR参数的测试电路,以此测试电路的测试结果作 为测试标准,对制作的运放参数测试仪进行标定。 2、发挥部分 (1)增加电压模运放BW G (单位增益带宽)参数测量功能,要求测量频率范围为100kHz~3.5MHz,测量时间≤10秒,频率分辨力为1kHz; 为此设计并制作一个扫频信号源,要求输出频率范围为40kHz~4MHz,频率误差绝对值小于1%;输出电压的有效值为2V±0.2 V; (2)增加自动测量(含自动量程转换)功能。该功能启动后,能自动按V IO、I IO、A VD、K CMR 和BW G的顺序测量、显示并打印以上5个参数测量结果; (3)其他。

运放的主要参数

集成运放的参数较多,其中主要参数分为直流指标和交流指标。其中主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移(简称输入失调电压温漂)、输入偏臵电流、输入失调电流、输入偏臵电流的温度漂移(简称输入失调电流温漂)、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰最大差模输入电压。 主要交流指标有开环带宽、单位增益带宽、转换速率宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。 1、输入失调电压VIO(Input Offset Voltage)输入失调电压定义为集成运放输出端电压为零时,两个输入端之间所加的补偿电压。 输入失调电压实际上反映了运放内部的电路对称性,对称性越好,输入失调电压越小。输入失调电压是运放的一个十分重要的指标,特别是精密运放或是用于直流放大时。输入失调电压与制造工艺有一定关系,其中双极型工艺(即上述的标准硅工艺)的输入失调电压在±1~10mV之间;采用场效应管做输入级的,输入失调电压会更大一些。对于精密运放,输入失调电压一般在1mV以下。输入失调电压越小,直流放大时中间零点偏移越小,越容易处理。所以对于精密运放是一个极为重要的指标。 2、输入失调电压的温漂αVIO(Input Offset Voltage Drift) 输入失调电压的温度漂移(又叫温度系数)定义为在给定的温度范围内,输入失调电压的变化与温度变化的比值。这个参数实际是输入失调电压的补充,便于计算在给定的工作范围内,放大电路由于温度变化造成的漂移大小。一般运放的输入失调电压温漂在±10~20μV/℃之间,精密运放的输入失调电压温漂小于±1μV/℃。 3、输入偏臵电流IB(Input Bias Current) 输入偏臵电流定义为当运放的输出直流电压为零时,其两输入端的偏臵电流平均值。输入偏臵电流对进行高阻信号放大、积分电路等对输入阻抗有要求的地方有较大的影响。输入偏臵电流与制造工艺有一定关系,其中双极型工艺(即上述的标准硅工艺)的输入偏臵电流在±10nA~1μA之间;采用场效应管做输入级的,输入偏臵电流一般低于1nA。对于双极性运放,该值离散性很大,但几乎不受温度影响;而对于MOS型运放,该值是栅极漏电流,值很小,但受温度影响较大。 4、输入失调电流(Input Offset Current)输入失调电流定义为当运放的输出直流电压为零时,其两输入端偏臵电流的差值。输入失调电流同样反映了运放内部的电路对称性,对称性越好,输入失调电流越小。输入失调电流是运放的一个十分重要的指标,特别是精密运放或是用于直流放大时。输入失调电流大约是输入偏臵电流的百分之一到十分之一。输入失调电流对于小信号精密放大或是直流放大有重要影响,特别是运放外部采用较大的电阻(例如10k或更大时),输入失调电流对精度的影响可能超过输入失调电压对精度的影响。输入失调电流越小,直流放大时中间零点偏移越小,越容易处理。所以对于精密运放是一个极为重要的指标。 5、输入阻抗 (1)差模输入阻抗差模输入阻抗定义为,运放工作在线性区时,两输入端的电压变化量与对应的输入端电流变化量的比值。差模输入阻抗包括输入电阻和输入电容,在低频时仅指输入电阻。 (2)共模输入阻抗共模输入阻抗定义为,运放工作在输入信号时(即运放两输入端输入同一个信号),共模输入电压的变化量与对应的输入电流变化量之比。在低频情况下,它表现为共模电阻。 6、电压增益 (1)开环电压增益(Open-Loop Gain)在不具负反馈情况下(开环路状况下),运算放大器的放大倍数称为开环增益,记作AVOL,有的datasheet上写成:Large Signal Voltage Gain。AVOL 的理想值为无限大,一般约为数千倍至数万倍,其表示法有使用dB及V/mV等。 (2)闭环电压增益(Closed-Loop Gain顾名思义,就是在有反馈的情况下,运算放大器的放大倍数、

半导体测试基础

第1章半导体测试基础 第1节基础术语 描述半导体测试的专业术语很多,这里只例举部分基础的: 1.DUT 需要被实施测试的半导体器件通常叫做DUT(Device Under Test,我们常简称“被测器件”),或者叫UUT(Unit Under Test)。 首先我们来看看关于器件引脚的常识,数字电路期间的引脚分为“信号”、“电源”和“地”三部分。 信号脚,包括输入、输出、三态和双向四类, 输入:在外部信号和器件内部逻辑之间起缓冲作用的信号输入通道;输入管脚感应其上的电压并将它转化为内部逻辑识别的“0”和“1” 电平。 输出:在芯片内部逻辑和外部环境之间起缓冲作用的信号输出通道;输出管脚提供正确的逻辑“0”或“1”的电压,并提供合适的驱动 能力(电流)。 三态:输出的一类,它有关闭的能力(达到高电阻值的状态)。 双向:拥有输入、输出功能并能达到高阻态的管脚。 电源脚,“电源”和“地”统称为电源脚,因为它们组成供电回路,有着与信号引脚不同的电路结构。 VCC:TTL器件的供电输入引脚。 VDD:CMOS器件的供电输入引脚。 VSS:为VCC或VDD提供电流回路的引脚。 GND:地,连接到测试系统的参考电位节点或VSS,为信号引脚或其他电路节点提供参考0电位;对于单一供电的器件,我们称VSS为 GND。 2.测试程序 半导体测试程序的目的是控制测试系统硬件以一定的方式保证被测器件达到或超越它的那些被具体定义在器件规格书里的设计指标。 测试程序通常分为几个部分,如DC测试、功能测试、AC测试等。DC测试验证电压及电流参数;功能测试验证芯片内部一系列逻辑功能操作的正确性;AC测试用以保证芯片能在特定的时间约束内完成逻辑操作。 程序控制测试系统的硬件进行测试,对每个测试项给出pass或fail的结果。Pass指器件达到或者超越了其设计规格;Fail则相反,器件没有达到设计要求,不能用于最终应用。测试程序还会将器件按照它们在测试中表现出的性能进行相应的分类,这个过程叫做“Binning”,也称为“分Bin”. 举个例子,一个微处理器,如果可以在150MHz下正确执行指令,会被归为最好的一类,称之为“Bin 1”;而它的某个兄弟,只能在100MHz下做同样的事情,性能比不上它,但是也不是一无是处应该扔掉,还有可以应用的领域,则也许会被归为“Bin 2”,卖给只要求100MHz的客户。 程序还要有控制外围测试设备比如Handler 和Probe 的能力;还要搜集和提供摘要性质(或格式)的测试结果或数据,这些结果或数据提供有价值的信息给测试或生产工程师,用于良率(Yield)分析和控制。

集成运放的主要参数以及测试方法

集成运放的性能主要参数及国标测试方法 集成运放的性能可用一些参数来表示。 集成运放的主要参数: 1.开环特性参数 (1)开环电压放大倍数Ao。在没有外接反馈电路、输出端开路、在输入端加一个低频小信号电压时,所测出输出电压复振幅与差动输入电压复振幅之比值,称为开环电压 放大倍数。Ao越高越稳定,所构成运算放大电路的运算精度也越高。 (2)差分输入电阻Ri。差分输入电阻Ri是运算放大器的主要技术指标之一。它是指:开环运算放大器在室温下,加在它两个输入端之间的差模输入电压变化量△V i与由它所引起的差模输入电流变化量△I i之比。一般为10k~3M,高的可达1000M以上。 在大多数情况下,总希望集成运放的开环输入电阻大一些好。 (3)输出电阻Ro。在没有外加反馈的情况下,集成运放在室温下其输出电压变化与输出电流变化之比。它实际上就是开环状态下集成运放输出级的输出电阻,其大小反映 了放大器带负载的能力,Ro通常越小越好,典型值一般在几十到几百欧。 (4)共模输入电阻Ric。开环状态下,两差分输入端分别对地端呈现的等效电阻,称为共模输入电阻。 (5)开环频率特性。开环频率特性是指:在开环状态下,输出电压下降3dB所对应的通频带宽,也称为开环-3dB带宽。 2.输入失调特性 由于运算放大器输入回路的不对称性,将产生一定的输入误差信号,从而限制里运算放大器的信号灵敏度。通常用以下参数表示。 (1)输入失调电压Vos。在室温及标称电源电压下,当输入电压为零时,集成运放的输出电位Vo0折合到输入端的数值,即: Vos=Vo0/Ao 失调电压的大小反映了差动输入级元件的失配程度。当集成运放的输入端外接电阻比较小时。失调电压及其漂移是引起运算误差的主要原因之一。Vos一般在mV级,显然它越小越好。 (2)输入失调电流Ios。在常温下,当输入信号为零时,放大器两个输入端的基极偏置电流之差称为输入失调电流。即: Ios=Ib- — Ib+ 式中Ib-、Ib+为放大器内两个输入端晶体管的基极电流。Ios一般在零点几微安到零点零几微安数量级,其值越小越好。失调电流的大小反映了差动输入级两个晶体管B值的失配程度,当集成运放的输入端外接电阻比较大时,失调电流及其漂移将是运算误差的主要原因。(3)输入失调电流温漂dIos。温度波动对运算放大器的参数是有影响的。如温度变化时,不仅能使集成运放两输入晶体管的基极偏置电流Ib-、Ib+发生变化,而且两者的变化率也不相同。也就是输入失调电流Ios将随温度而变化,不能保持为常数。一般 常用的集成运放的dIos指标如下: ●通用I型低增益运放。在+25℃~+85℃范围约为5~20nA/℃,-40℃~+25℃范围约为 20~50nA/℃。 ●通用Ⅱ型中增益运放。dIos约为5~20nA/℃。 ●低漂移运放。dIos约为100PA/℃ (4)输入失调电压温漂dVos。在规定的工作温度范围内,Vos随温度的平均变化率,即:dVos=△Vos/△T一般为1~50uV/℃,高质量的低于0.5uV。由于该指标不像Vos可

集成运算放大器指标测试

集成运算放大器参数的测试 电信S09-2-18 李明一.实验目的 1.了解集成运算放大器的主要参数。 2.通过实验,掌握集成运算放大器主要参数的测试方法。 二.预习要求 1.复习集成运算放大器的技术指标,主要参数的定义及测试方法。 2.了解用示波器观察运算放大器传输特性的方法。 3.了解输入失调电压U IO和输入失调电流I IO产生的原因。 三.实验设备 四.实验内容及测试方法 反映集成运算放大器特性的参数主要有以下四大类:输入失调特性、开环特性、共模特性及输出瞬态特性。 1.集成运算放大器的传输特性及输出电压的动态范围的测试 运算放大器输出电压的动态范围是指在不失真条件下所能达到的最大幅度。为了测试方便,在一般情况下就用其输出电压的最大摆幅U op-p 当作运算放大器的最大动态范围。 输出电压动态范围的测试电路如图1(a)所示。图中u i为100Hz正弦信号。当接入负载R L后,逐渐加大输入信号u i的幅值,直至示波器上显示的输出电压波形为最大不失真波形为止,此时的输出电压的峰峰值U op-p就是运算放大器的最大摆幅。若将u i输入到示波器的X轴,u o输入到示波器的Y轴,就可以利用示波器的X—Y显示,观察到运算放大器的传输特性,如图1 (b) 所示,并可测出U o p-p的大小。

(a ) 运算放大器输出电压动态范围的测试电路 (b ) 运算放大器的传输特性曲线 图1(图中:R 1 = R 2 = 1.2k Ω,R f = 20k Ω) U op-p 与负载电阻R L 有关,对于不同的R L ,U op-p 也不同。根据表1,改变负载电阻R L 的阻值,记下 不同R L 时的U op-p ,并根据R L 和U op-p ,求出运算放大器输出电流的最大摆幅I op-p = U op-p /R L , 运算放大器的U op-p 除了与负载电阻R L 有关外,还与电源电压以及输入信号的频率有关。随着电源电压的 降低和信号频率的升高,U op-p 将降低。 如果示波器显示出运算放大器的传输特性,即表明该放大器是好的,可以进一步测试运算放大器的其 它几项参数。 2. 集成运算放大器的输入失调特性及其测试方法 集成运算放大器的基本电路是差分放大器。由于电路的不对称性必将产生输入误差信号。这个误差信 号限制了运算放大器所能放大的最小信号,即限制了运算放大器的灵敏度。这种由于直流偏置不对称所引 起的误差信号可以用输入失调电压U IO 、输入偏置电流I B 、输入失调电流I IO 及它们的温度漂移来描述。 (1)输入失调电压U IO 的测试 一个理想的运算放大器,当两输入端加上相同的直流电压或直接接地时,其输出端的直流电压应等于 零。但由于电路参数的不对称性,输出电压并不为零,这种现象称为运算放大器的零点偏离或失调,为了 使放大器的输出端电压回到零,必须在放大器的输入端加上一个电压来补偿这种失调。所加电压的大小称 为该运算放大器的失调电压,用U IO 表示。显然U IO 越小,说明运算放大器参数的对称性越好。分析表明, 运算放大器的U IO 主要取决于输入级差分对管U be 的对称性,U 一般 R R f 为0.5 ~ 5mV 。 失调电压的测试电路如图2所示。用 万用表(最好是数字万用表)测出其输出 R 电压U o ,则输入失调电压U IO 可由下式计 算: o f IO U R R R U ?+=11 (1) 图2 输入失调电压测试电路 (2)输入失调电流的测试 (图中:R 1=100Ω,R f = 100k Ω ) 输入端偏置电流I B 是指输出端为零电平时,两输入端基极电流的平均值,即: I B =(I B++I B -)∕2 式中I B+ 为同相输入端基极电流,I B - 为反相输入端基极电流。当电路参数对称时,I B+ = I B - 。但实际 电路中参数总有些不对称,其差值称为运算放大器的输入失调电流,用I IO 表示: I IO = I B+ - I B - 显然,I IO 的存在将使输出端零点偏离,信号源阻抗越高,失调电流的影响越严重。输入失调电流主要

半导体激光器常用参数的测定

半导体激光器常用参数的测定 一 实验目的:掌握半导体激光器常用的电学参数及其测试方法 一 实验基本原理 1、 普通光源的发光——受激吸收和自发辐射 普通常见光源的发光(如电灯、火焰、太阳等地发光)是由于物质在受到外来能量(如光能、电能、热能等)作用时,原子中的电子就会吸收外来能量而从低能级跃迁到高能级,即原子被激发。激发的过程是一个“受激吸收”过程。处在高能级(E2)的电子寿命很短(一般为10-8~10-9秒),在没有外界作用下会自发地向低能级(E1)跃迁,跃迁时将产生光(电磁波)辐射。辐射光子能量为 12E E h -=ν 这种辐射称为自发辐射。原子的自发辐射过程完全是一种随机过程,各发光原子的发光过程各自独立,互不关联,即所辐射的光在发射方向上是无规则的射向四面八方,另外未位相、偏振状态也各不相同。由于激发能级有一个宽度,所以发射光的频率也不是单一的,而有一个范围。在通常热平衡条件下,处于高能级E2上的原子数密度N2,远比处于低能级的原子数密度低,这是因为处于能级E 的原子数密度N 的大小时随能级E 的增加而指数减小,即N ∝exp(-E/kT),这是著名的波耳兹曼分布规律。于是在上、下两个能级上的原子数密度比为 ]/)(ex p[/1212kT E E N N --∝ 式中k 为波耳兹曼常量,T 为绝对温度。因为E2>E1,所以N2《N1。例如,已知氢原子基态能量为E1=-13.6eV ,第一激发态能量为E2=-3.4eV ,在20℃时,kT≈0.025eV,则 0)400ex p(/12≈-∝N N 可见,在20℃时,全部氢原子几乎都处于基态,要使原子发光,必须外界提供能量使原子到达激发态,所以普通广义的发光是包含了受激吸收和自发辐射两个过程。一般说来,这种光源所辐射光的能量是不强的,加上向四面八方发射,更使能量分散了。 2、 受激辐射和光的放大 由量子理论知识知道,一个能级对应电子的一个能量状态。电子能量由主量子数n(n=1,2,…)决定。但是实际描写原子中电子运动状态,除能量外,还有轨道角动量L 和自旋角动量s ,它们都是量子化的,由相应的量子数来描述。对轨道角动量,波尔曾给出了量子化公式Ln =nh ,但这不严格,因这个式子还是在把电子运动看作轨道运动基础上得到的。严格的能量量子化以及角动量量子化都应该有量子力学理论来推导。 量子理论告诉我们,电子从高能态向低能态跃迁时只能发生在l (角动量量子数)量子数相差±1的两个状态之间,这就是一种选择规则。如果选择规则不满足,则跃迁的几率很小,甚至接近零。在原子中可能存在这样一些能级,一旦电子被激发到这种能级上时,由于不满足跃迁的选择规则,可使它在这种能级上的寿命很长,不易发生自发跃迁到低能级上。这种能级称为亚稳态能级。但是,在外加光的诱发和刺激下可以使其迅速跃迁到低能级,并放出光子。这种过程是被“激”出来的,故称受激辐射。受激辐射的概念世爱因斯坦于1917年在推导普朗克的黑体辐射公式时,第一个提出来的。他从理论上预言了原子发生受激辐射的可能性,这是激光的基础。 受激辐射的过程大致如下:原子开始处于高能级E2,当一个外来光子所带的能量hυ正好为某一对能级之差E2-E1,则这原子可以在此外来光子的诱发下从高能级E2向低能级E1跃迁。这种受激辐射的光子有显著的特点,就是原子可发出与诱发光子全同的光子,不仅频

集成运放参数测试仪

目录 一.方案比较与论证-----------------------------------------------3 二.理论与分析计算-----------------------------------------------4 三.电路图及设计文件--------------------------------------------6 1.硬件实现-----------------------------------------------------6 2.软件实现-----------------------------------------------------8 四.测试数据与结果分析-----------------------------------------9 五.参考文献--------------------------------------------------------9 六.附录-------------------------------------------------------------10 附录A测试仪器---------------------------------------------10 附录B 参考文献--------------------------------------------10 附录C 软件程序--------------------------------------------10

集成运放参数测试仪 摘要: 此集成运放测试仪采用“辅助放大器”的测量方法,能测试V IO(输入失调电压)、I IO(输入失调电流)、A VD(交流差模开环电压增益)和K CMR(交流共模抑制比)四项基本参数,符合了题目的要求。可对各种通用型集成运放主要参数进行测量,具有较好的精度,稳定度和测量范围。本设计由四个模块电路组成:集成运放参数测试电路、信号源发生电路、单片机控制电路、显示与键盘电路。关键词:集成运放参数测试信号源显示单片机 Integrated operational amplifier parameter measurement system Abstract: That the system is designed basing on a assistant amplifier includes main four modules—a parameter measurement circuit of integrated operational amplifier 、a signal generator 、a single-chip microcomputer controlled and a circuit of keyboard and display .It is proved to be precise measured four parameters of V IO、I IO、A VD and K CMR . Both the hardware and the software of the system are designed with modules.The parameter measurement system of integrated operational amplifier is characteristic of its high precision performance and fine stability. Key words: Integrated operational amplifier circuit Parameter measurement Signal resource Display Single-chip microcomputer

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