EEPROM单元辐射机理研究

王晓玲;张国贤;周昕杰

【期刊名称】《电子与封装》

【年(卷),期】2010(010)003

【摘要】随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多.为了满足太空及军事领域的需要,文章分别研究了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响,比较了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣,得出由于FLOTOX单元受工艺和结构的限制,抗辐射性能不如SONOS单元.同时在做抗辐射加固设计时,FLOTOX单元还需要考虑到电压耦合比的问题,且不利于等比例缩小.文章的研究不但满足了目前的工作需要,还为以后抗辐射EEPROM制作提供了理论基础.

【总页数】4页(19-22)

【关键词】EEPROM;辐射机理;SONOS;FLOTOX

【作者】王晓玲;张国贤;周昕杰

【作者单位】中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏,无锡,214035;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏,无锡,214035;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏,无锡,214035

【正文语种】中文

【中图分类】TN702

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