英特尔移动处理器型号及参数表

也正是由于英特尔移动处理器的混乱，奸商们才拥有了可趁之机，肆无忌惮的欺瞒消费者。经常会以处理器的某项参数来忽悠消费者，让我们为本不需要的功能，或者被夸大的技术所买单。下面是笔者整理的英特尔主流移动处理器技术参数，其中包括即将下线的产品，为了防止被奸商忽悠，您可要睁大眼睛瞧仔细了。

注意：文章内处理器参数仅为一部分，更详细的处理器资料在笔记本论坛里提供了下载，有需要的网友请点击《2010年英特尔酷睿i系列新品处理器总览表》进行下载。

一、2010年英特尔酷睿i系列新品处理器总览表（i3/i5/i7）

随着英特尔全新32nm移动处理器的推出，英特尔移动处理器大军的规模进一步膨胀，2010年新发布的i3/i5/i7处理器，与09年以前处理器正处于“权利交割”期，这时的市场会更加混乱。面对如此的庞大的处理器大军，普通的消费者以及网友们该何去何从是否能够在迷雾一般的处理器中寻找到自己中意的？

2010年英特尔酷睿i系列新品处理器总览表

二、2010年英特尔酷睿2系列处理器表

笔记本同架构同系列的移动处理器，例如同是酷睿2双核处理器的话，主频、二级缓存、前端总线频率等均是越高越好，而这三者中，主频起到决定性作用；而二级缓存和前端总线频率，在不同的搭配和应用下，会有各自的优势表现：缓存大小将对CPU的运算速度产生直接影响，体现在大程序软件运行、压缩等实际应用；而前端总线则代表着CPU与内存、北桥芯片等接口之间的传输速度，在多任务运行、使用移动硬盘、无线等方面时候会有较大影响。

2010年英特尔酷睿2系列处理器表

三、2010年英特尔奔腾系列处理器表

处理器型号区分方面，对于奔腾双核和酷睿处理器，T开头的为常规版本，L开头的是低电压版，U开头的则是超低电压版；低电压版和超低电压版处理器的核心电压和功耗都非常低，但主频也相对较低，因此性能通常比常规版本处理器要低至少15%

以上。低电压版和超低电压版处理器通常用在12寸以下的超便携笔记本或者平板电脑上。

2010年英特尔奔腾系列处理器表

四、2010年英特尔赛扬系列处理器表

2010年英特尔赛扬系列处理器表

五、2010年英特尔Atom系列处理器表

2010年英特尔Atom系列处理器表

PConline评测室总结

笔记本使用的移动处理器与DIY台式机的处理器有着较大的区别，例如移动处理器往往已经进行锁频封装处理，因此是不能对其超频运行的(个别顶级处理器例外)；所以笔记本移动处理器的真实性能表现，我们基本上从它的架构、主频、二级缓存、前端总线频率等几个主要参数就可以看出个大概。总的来说，了解和认识清楚笔记本所采用的处理器的这几方面信息情况，基本上就可以知道该款笔记本的核心性能表现能够去到哪个程度了。

此为2010年表格

此为2009年表格

nVIDIA移动显卡型号及参数一览表

ATi移动显卡型号及参数一览表

以下是截至2009年4月6日PConline评测室测试所得的部分移动处理器性能得分排行情况，得分为CineBench R10测试得分，测试成绩可能会受整机其它配件如内存/显卡等影响，因此以下性能排行仅供玩家参考：）欢迎大家补充！

排名处理器型号主频CB R10

1 Intel Core

2 Quad QX9300四核 2.53GHz 9639

2 Intel Core 2 Quad Q9100四核 2.26GHz 8785

3 Intel Core 2 Quad Q9000四核 2.0GHz 7699

4 Intel Core 2 Duo T9600 2.80GHz 5877

5 Intel Core 2 Duo T9400 2.53GHz 5303

6 Intel Core 2 Duo T9300 2.5GHz 5276

7 Intel Core 2 Duo P8600 2.40GHz 4973

8 Intel Core 2 Duo T8300 2.40GHz 4785

9 Intel Core 2 Duo P8400 2.26GHz 4682

10 Intel Core 2 Duo T7450 2.13GHz 4440

11 Intel Core 2 Duo T6600 2.2GHz 4370

12 Intel Core 2 Duo T7500 2.20GHz 4312

13 Intel Core 2 Duo P6570 2.1GHz 4284

14 Intel Core 2 Duo T8100 2.10GHz 4247

15 Intel Core 2 Duo T5900 2.2GHz 4147

16 Intel Core 2 Duo P7350 2.0GHz 4120

17 Intel Core 2 Duo P7370 2.0GHz 4094

18 Intel Core 2 Duo T6400 2.0GHz 4071

19 Intel Core 2 Duo T5850 2.16GHz 4069

20 Intel Core 2 Duo T5800 2.0GHz 3850

21 Intel Pentium Dual-core T4200奔腾双核(迅2) 2.0GHz 3795

22 Intel Core 2 Duo T7250 2.0GHz 3761

23 Intel Pentium Dual-core T3400奔腾双核(迅2) 2.16GHz 3717

24 AMD Turion×2 TL-66 2.3GHz 3600

25 Intel Pentium Dual-core T2410 2.0GHz 3541

26 AMD Turion×2 ZM-82 2.20GHz 3536

27 Intel Pentium Dual-core T3200奔腾双核(迅2) 2.0GHz 3534

28 Intel Core 2 Duo T5550 1.83GHz 3481

29 Intel Core 2 Duo T5670 1.80GHz 3442

30 Intel Core 2 Duo T7100 1.80GHz 3407

31 Intel Core Duo T2450 2.0GHz 3390

32 Intel Core Duo T2500 2.0GHz 3381

33 AMD Turion×2 TL-62 2.1GHz 3314

34 Intel Pentium Dual-core T2390 1.86GHz 3303

35 AMD Turion×2 ZM-80 2.10GHz 3270

36 Intel Core 2 Duo L7500 1.60GHz 3158

37 Intel Pentium Dual-core T2370 1.73GHz 3141

38 AMD Turion×2 RM-70 2.0GHz 3072

39 Intel Celeron Dual-Core T1600赛扬双核 1.66GHz 2979

40 Intel Pentium Dual-core T2330 1.60GHz 2910

41 Intel Core 2 Duo T5250 1.50GHz 2904

42 Intel Core 2 Duo SU9400 1.40GHz 2862

43 Intel Celeron Dual-Core T1400赛扬双核 1.73GHz 2811

44 Intel Core 2 Duo U7700 1.33GHz 2561

45 AMD Turion×2 TL-50 1.60GHz 2517

46 Intel Core 2 Duo SL7100 1.20GHz 2334

47 Intel Core 2 Duo L7100 1.20GHz 2306

48 Intel Core 2 Duo P7500 1.60GHz 2211

49 Intel Celeron M550 2.0GHz 1889

50 Intel Celeron M540 1.86GHz 1705

51 Intel Celeron M530 1.73GHz 1628

52 Intel Core 2 Duo SU9300 1.2GHz 1468

53 AMD Athlon Neo MV-40 1.6GHz 1323

54 Atom Z530 1.6GHz 837

55 VIA Nano 1300+MHz 836

56 Atom N270 1.6GHz 542/825

57 VIA C7-M 1.6GHz 408

显卡的性能直接决定整机娱乐性能的强弱，而如今随着笔记本显卡的不断飞跃，各类大型3D游戏已完全可以在笔记本上流畅运行。我们在去年为大家汇总了nVIDIA与ATi两大类显卡的各自排名，而笔记本的显卡新品测出不穷，今天就为大家汇总全新的nVIDIA与ATi两大类显卡综合排名。

笔记本显卡排名（点击查看详细大图）

显卡相关知识：

制造工艺，显卡的制造工艺与CPU一样，也是用微米来衡量其加工精度的。显卡制造工艺在1995年以后，从0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、0.11微米一直发展到目前最新的65纳米，Nvidia最新系列中的GeForce 8800M GTX与GeForce 8800M GTS都采用了65纳米的制程。

核心频率，指显示核心的工作频率，有点类似CPU的工作主频。这里需要指出，并不是核心频率越高就代表显卡性能越强劲。比如9600PRO的核心频率达到了400MHz，要比9800PRO的380MHz高，但在性能上9800PRO绝对要强于9600PRO。在同样级别的芯片中，核心频率高的则性能要强一些，提高核心频率是显卡超频的方法之一。

显存频率，显存在显卡上工作时的频率，以MHz（兆赫兹）为单位。显存频率在一定程度上反应了该显存的速度。显存频率随着显存的类型、性能的不同而不同，DDR3显存是目前高端显卡采用最为广泛的显存类型。另外，不同显存能提供的显存频率也差异很大，主要有400MHz、500MHz、600MHz、650MHz等，高端产品中还有800MHz、1200MHz、1600MHz，甚至更高。Nvidia GeForce 8700M GT 及以上型号的显存频率已经达到了800MHz。

渲染管线，也称为渲染流水线，是显示芯片内部处理图形信号相互独立的的并行处理单元。渲染管线的数量是决定显示芯片性能和档次的最重要的参数之一，在相同的显卡核心频率下，更多的渲染管线也就意味着更大的像素填充率和纹理填充率，从显卡的渲染管线数量上可以大致判断出显卡的性能高低档次。渲染管线的数量一般是以“像素渲染流水线的数量×每管线的纹理单元数量”来表示。例如，GeForce 6800的渲染管线是12×1，就表示其具有12条像素渲染流水线，每条含有1条纹理填充管道。

RAMDAC，决定刷新频率的高低，以MHz为单位，与显示器的“带宽”意义近似。其工作速度越高，频带越宽，高分辨率时的画面质量就越好。该数值决定了在足够的显存下，显卡最高支持的分辨率和刷新率。比如：如果要在1024×768的分辨率下达到85Hz的分辨率，RAMDAC的速率至少是1024×768×85×1.344÷1.06≈90MHz。目前主流的显卡RAMDAC都能达到350MHz和400MHz。

DirectX，由微软公司开发的用途广泛的API，包含有Direct Graphics(Direct 3D+Direct Draw)、Direct Input、Direct Play、Direct Sound、Direct Show、Direct Setup、Direct Media Objects等多个组件，是一款整套的多媒体接口方案。应该说，大众开始关注移动显卡产品时其相应的DirectX部分就已经基本是从DirectX 7.0开始起跳了。现在市面上的DirectX 7.0相关产品早已经下市。最新的DirectX10，可以提供全新的动态程序流控制、位移贴图、多渲染目标、次表面散射、柔和阴影、环境和地面阴影、全局照明等新技术特性，所呈现出的真实感，对比之前所有版本如果用“质的飞跃”来形容其实一点也不为过。[返回频道首页]

前言：研究“代工”是本本玩家的基础课

一直以来都有不少网友给我们发邮件或打电话咨询关于笔记本代工的问题，一直到今天才出关于代工的此文，希望大家谅解。因为对于我们绝大多数普通本本用户来说，“代工”这个词也许和咱们完全搭不上关系，我们购本只需要知道配置、知道外观做工、知道价格等就已经足够了，完全没必要去认识所谓的“代工”是什么东西。

不过，对于许多笔记本爱好者或IT发烧友来说，要想成为更资深的本本玩家，研究笔记本的代工关系却是透彻了解笔记本行业关系和背景的必经之路。

而从产品面上来看，举个例子：戴尔的笔记本电脑并不是戴尔生产的，联想的笔记本电脑也不是联想生产的，戴尔和联想卖的只是牌子，而产品则是由代工厂商制造。所以，了解清楚品牌笔记本与代工厂商的关系，对于我们选购本本其实大有裨益。别的不说，从代工关系中我们可以更深层次的看到一个笔记本品牌其产品的品质高低、成本控制力、研发实力、和量产规模等各方面信息，从而对其产品的综合价值有个更清晰的认识。

什么叫代工？OEM与ODM的区别？

什么叫代工？

代工，即代为生产。也就是由初始设备制造商OEM（Original Equipment Manufacturer）来生产，然后贴上委托其代工的公司品牌，因此我们也习惯称之为贴牌生产。这种代工生产模式好处非常多，如资源调配方便，生产模式成熟，量产效率高，可定制生产，设计变换灵活等。而事实上代工也分为两种模式，除了最主要的OEM以外，另外还有一种叫ODM（Original Design Manufacturer），即原始设计制造商。

代工生产线可以生产出N个品牌的笔记本

相比之下，理论上ODM的规模和技术含量要比OEM高出不少，为什么呢？且让我们一边讲解一边看一下OEM与ODM之间的区别：

OEM与ODM的区别？

OEM——OEM相信大家不难理解，无非就是一个笔记本A品牌拿着自主研发的各方面技术和设计要求，交由代工厂帮忙生产产品，产品出来以后当然也贴上A品牌的牌子。这样一来，借助代工厂的完整生产线和生产技术，笔记本A品牌可以非常方便的以极少的精力和成本投入来获得自主品牌的产品。而在此过程中，OEM代工厂是不可以把A品牌的任何技术和设计方案泄露出去，当然也绝不能再拿此套技术为其它厂商生产同样的产品。

ODM——与OEM厂商的纯代工不同，ODM厂商会有自己研发的技术和设计，甚至是成型的笔记本产品。例如笔记本B品牌不想花费巨额资金去研发相应的模具和相关设计技术的话，可以找ODM厂商寻求支持，在ODM厂商里挑选适合自己定位和要求的产品，或者告诉ODM厂商自己的产品设计和技术需求，然后由ODM厂商全程负责设计生产，当然最后还是贴笔记本B品牌的牌子。

与OEM不同的是，ODM所生产的笔记本，各方面产权归ODM工厂所有，而B品牌获得的只是成型的产品而不包括其中的技术和设计。这样一来，如果再有其它如笔记本C品牌看上了与B品牌同一个模具产品的话，ODM厂商依然可以为C品牌生产出一模一样的产品并贴上C品牌的牌子。于是，我们在当前市场上可以看到不少不同品牌的产品，外观模具设计基本是一模一样的，这就是ODM生产的效果。当下最典型的案例如清华同方S20、新蓝S21以及戴尔1200，三款笔记本可以说是一模一样，因为均出自于仁宝的模具，即都由仁宝ODM生产。

当然，如果某笔记本品牌看上了ODM的某个产品模具的话，也可以一次性买断这款模具的所有技术设计产权，这样就可以保证市场上不会出现另一个品牌的同一个模具产品了。

笔记本代工的诞生与意义

我们知道，笔记本电脑不像台式机不像DIY，尽管一定程度上我们可以把它看成是一种集约紧凑型的整机电脑，但笔记本是一个内部结构极其复杂的整合体，同时波及到众多的学科领域，包括工艺设计、电子科学、材料科学、能量化工、机械工程、物理学、环保学、甚至是人体构造学等等。笔记本电脑正是这些多方面的学科通过严密的有机结合所组成的一个整体。

而从最简单的组件构成来看，我们知道台式机或DIY兼容机的各个部件都可以由不同的厂商提供，用户选择搭配后组装在一起。但目前的笔记本电脑无法做到这样，尽管笔记本DIY一直以来就有盛行，不久前新天下更是力推DIY笔记本，但这种DIY 仅仅是建立在准系统的基础上，根本无法实现真正意义的DIY。再看笔记本，首先是缺少既定的工业标准，另外受外形和体积等因素制约，无法制定类似ATX这样的主板限制规范，主板的形状不同，自然导致了“机箱”模具的不同，所以就无法具备兼容机一样的广泛组装性。再加上前面所说的笔记本电脑的多学科超精密程度要远高于台式PC，这并不是简单组装就可以稳定运行

的。这样一来就为广泛采用代工模式埋下了先决条件。

代工厂的这个模具可以打上任何品牌厂商的LOGO

笔记本领域并不像MP3、手机那样容易进入，MP3、手机等产品由于造价成本较低，随便一个地下工厂也许也能造出一款不错的成型产品出来，但笔记本电脑可不行。一条先进的笔记本生产线至少需要上亿元为计量单位，并非所有厂商都有这样的实力去架设和运营。他们要的只是进入这个市场，且有利润可赚。找人代工是最快捷的方式，除了采购资金、市场宣传等以外，几乎零投入的好处让笔记本厂商深深爱上代工模式，甚至渐渐形成了依赖。但也有一些实力雄厚的厂商始终坚持自主研发生产，通过全程生产监督规划以保证产品的品质，如富士通、三星等。。

当然我们不能说通过代工生产的笔记本产品的品质质量会比自主生产的差，这些经过代工授权的厂商都是有非常严格的质量认证体系的，目前全球有超过93%的笔记本电脑均出自于我国台湾的代工厂之手。这些代工厂商拥有着非常庞大的生产规模和相当强劲的技术研发实力，完全不比某些品牌的研发实力差，因此在质量上足以让人放心。当然，不同的代工厂之间的技术实力和规模也有差距，所生产出来的产品在成本和质量上也会有所偏差。

全球笔记本代工市场现状

目前，中国台湾地区已经成为全球笔记本电脑的代工重地，已经几乎垄断了整个笔记本代工行业。据不完全统计，美国笔记本电脑超过75%由台商代工制造，全球则有超过80%的笔记本电脑均源自于台湾。而且品牌覆盖面相当广，几乎囊括了当今市场上所有的国内外知名品牌，如戴尔、惠普、东芝、索尼、富士通、苹果、联想、方正、华硕、宏碁、神舟、新蓝、海尔等等等等，几乎均来自中国台湾的代工生产。

2007年各大笔记本代工厂出货比重

目前排名前10位的代工厂分别是广达、仁宝、纬创、英业达、和硕、精英、大众、华宇、神基、蓝天，其中的前5大厂商大约占了出货总量90%以上的份额。除了这十大代工厂以外，其次还有微星、夏新、顶星等仍在接受小量遗露的代工业务。

所谓家家都有一本难念的经，事实上目前全球的电子电脑代工产业早已进入“微利时代”，一线厂商为了争抢品牌电脑厂商的订单而大打价格战，利润率降到4%以下；二线厂商更往往因为达不到经济规模量而陷入生存的困境。与此同时，代工产业也逃不过“大者恒大”的规律，不少代工厂在近年来纷纷被淘汰出局，典型的如伦飞以及三星等韩国厂商；其它的厂商为了不被挤出门外，采用了并购等方式令自己更为强大，如此一来另一些代工企业自然逃不过被吞并的噩运，如华宇被纬创力收购、志合被精英收购等等。

谁是本本的“亲生母亲”？十大代工厂商介绍

了解了什么叫代工和代工市场现状，以及代工在笔记本行业中存在的重要意义以后，我们再来具体看一下各大代工厂商的情况，以及目前全球数十个笔记本品牌厂商与这些代工厂商之间的关系：

NO.1 广达

点击进入：广达官方网站

广达的全球据点

广达（Quanta）成立于1988年，是全球最大的IT产品代工厂商之一，包揽了所有OEM与ODM代工业务，据不完全统计目前全球有至少1/3的笔记本电脑均出自于广达之手，是名副其实的“幕后英雄”。广达所代工的产品种类包括有笔记本电脑、液晶显示器与LCD PC、手机、PDA、服务器、储存媒体等信息产品，其中主要以笔记本电脑为主。事实上广达也是全球最大的笔记本代工厂，与戴尔、惠普、联想、神舟、苹果等国内外知名品牌建立了长期的合作关系。

据悉，在2007年制定08年战略时，广达就着力挑战代工4000万台大关，其中惠普有1000万台以上订单量，苹果也超过800万台，苹果MacBook Air也正是广达出品。另外我们非常熟悉的OLPC（One Laptop Per Child）电脑也是由广达一手研发生产。

广达2008新模具

NO.2 仁宝

点击进入：仁宝官方网站

仁宝提供的ODM笔记本模具，其中包括了最新的迅驰2机型

电路图参数

机子我早已上传好多次了，是放电老师的双混后级，主变EE42 1。30*4 。。。。3+3 次级0。64 。。。90 10 0。9 的线 4T 《为给后级的驱动板稳压供电》后级高压电容82U 500V，硅用1225 电感用EE42用1。2绕上95T，是刚好绕满，关断电容用5U风扇电容以前做这个电路有直通现象，现已找到解决的办法了。主要是后级的电源不再从电池那里取了。而是从主变压器那里取16V下来然后稳压处理等。再经过个继电器，《目的是想让高压电容先充好电。》这个思路很成功，多谢兄弟们的指点。放电机器：按电路图更改： RW2不要，R*不要，R18不要，RW3不要，R20=0欧（短路它），R19=22K，C17=5UF，R25=100K，做成不要调节，就可以电罗非了，关断电感可调整一下。但现在夏天罗非的活动能力增大，是会难电一点。 1/直通：主电高压经水阻向关断电容充电（电容越大越没法充满），这是主要因素，有二种原因，一前级功率不足，二水阻太高，如前级功率不足会造成主电压下跌，电容充电时间延长，此时硅已导通，电容的能量没法和关断电感组成LC振荡周期产生最大能量的反电压旁路于硅的A/K二端。如水阻太高，串联水阻的电流对电容充电没法达到关断能量，硅导通电流大于LC旁路所产生的反压的导通电流，这些情况只给提高主高压或减小关断电容的容量，增加电感量来减少损耗，提升关断能量。 2/功率：EE42配二对170N06有足够的指标达到600W，但变压器用1*4（0.7*4=2.8*7=20A),只有400W左右的功率,后级配用5UF电容明显不匹配,想法把初级线截面积增大到5平方才能有效,还有前级驱动的死区不宜过大,会造成尖峰电压干扰其它电路.（死区电阻是限制最大占空比（5/7脚之间的电阻），因为已经限制了就叫死区，但1-2脚之间的电压比较或改变9脚电压都可以在最大占空比之内改变，8脚可以改变启动时区内改变占空比，是在特别电路中采用。在推挽电路中常规是47%左右，但下降到43%以下，因变压器的漏感在死区的时间内产生储能磁场无法（适）放，而产生反向电动势（尖峰电压）与下一个反向半波叠加经变压器能量转移造成损耗。还有一路损耗在于振铃造成开关管的直接损耗，但占空比无级变化可改变输出有效值电压的变化（输出稳压的应用），但应用时在输出串入电感隔离尖峰的小脉冲。）制作中注意事项，频率高只能用小关断电容，水阻低就要增大关断电容，频率低要增大电感，功率小要增大电感，减小电容，功率大可增大电感，增大电容，等等。。。硅电路最好用灯泡试机，用二只或三只200W串联，因为冷阻时能关断热阻时也能关断才算合格，走不到二个极端不算合格。大海一号：以前有的那些问题，还没有出现，控罗非，还是很不错的，使用倍为720V，电感用205T 25*25，电容5U，那条里鱼从草里窜出来，罗非转几下就能定鱼了，从电的效果来说跟1500W有可圈可点。注。原图的R*改为10K。加大前级后，从电感那听到的声音会比以前的强劲，200W，电池够时，720V倍压档可以点闪爆它。下水4平方还是比较热的。

英特尔i3_i5_i7处理器型号及参数总览表+CPU型号大全

英特尔i3/i5/i7处理器型号及参数总览表请仔细看完本文，看完后你将会对笔记本芯片有一定了解，买笔记本才不会被JS坑骗。 ~~Kiong 前言：随着英特尔全新32nm移动处理器的推出，英特尔移动处理器大军的规模进一步膨胀。粗略地计算一下，现在市场上可以买到的Core i、酷睿2、奔腾双核、赛扬双核、凌动处理器几大家族的成员已经超过了80款，即使是经常关注笔记本技术的达人，也很难记住每一款处理器的技术规格。名词解释前端总线：是指CPU与北桥芯片之间的数据传输总线，人们常常以MHz表示的速度来描述总线频率。总线的种类很多，前端总线的英文名字是Fr Bus，通常用FSB表示。睿频：英特尔睿频加速技术。是英特尔酷睿i7/i5 处理器的独有特性。也是英特尔新宣布的一项技术。英特尔官方技术解释如下：当启动一个运行程序后，处理器会自动加速到合适的频率，而原来的运行速度会提升10%~20% 以保证程运行；应对复杂应用时，处理器可自动提高运行主频以提速，轻松进行对性能要求更高的多任务处理；当进行工作任务切换时，如果存和硬盘在进行主要的工作，处理器会立刻处于节电状态。这样既保证了能源的有效利用，又使程序速度大幅提升。三级缓存（L3）：目前只有酷睿I系列才有，之前的都是L2（二级缓存）。是为读取二级缓存后未命中的数据设计的—种缓存，在拥有三级缓存的CPU 有约5%的数据需要从内存中调用，这进一步提高了CPU的效率。制程：制程越小越好。越来越高的工艺制程可以提高芯片的集成度，增加晶体管的数量，扩展新的功能。同时随着晶体管尺寸的缩小，每颗的单位成本也有所降低。此外，更高的工艺制程可以帮助降低CPU的功耗，另外，降低CPU的成本以前扩大CPU产能也是新工艺制的积极影响。 TDP：TDP的英文全称是“Thermal Design Power”，中文直译是“散热设计功耗”。主要是提供给计算机系统厂商，散热片/风扇厂商，以及商等等进行系统设计时使用的。一般TDP主要应用于CPU，CPU TDP值对应系列CPU 的最终版本在满负荷(CPU 利用率为100%的理能会达到的最高散热热量，散热器必须保证在处理器TDP最大的时候，处理器的温度仍然在设计范围之内。注意：由于CPU的核心电压与核心电流时刻都处于变化之中，这样CPU的实际功耗（其值：功率P＝电流A×电压V）也会不断变化TDP值并不等同于CPU的实际功耗，更没有算术关系。

Intel(英特尔)、AMD(超微)所有CPU型号大全

Intel（英特尔）、AMD(超微)所有CPU型号大全英特尔的处理器有以下品牌： ?英特尔? 酷睿? 处理器 ?英特尔? 奔腾? 处理器 ?英特尔? 赛扬? 处理器 ?英特尔? 凌动? 处理器 ?英特尔? 至强? 和安腾? 处理器英特尔? 酷睿? i7-975 处理器至尊版世界上性能最强的台式机处理器。1 借助英特尔? 酷睿? i7 处理器 975 至尊版的智能化表现，释放台式机计算潜能，轻松应对复杂的多线程游戏和应用。英特尔? 酷睿? i7 处理器至尊版用世界上最快的处理器征服极致游戏世界：英特尔? 酷睿? i7 处理器至尊版。1 更快速的智能多核技术，满足您的各类需求，带来难以想象的突破性游戏体验。英特尔? 酷睿? i7 处理器智能多核技术速度更快，能够自动为最需要的应用提供处理能力。借助该技术，新的英特尔? 酷睿? i7 处理器将能为您带来惊人的突破性计算性能。这是全球最好的台式机处理家族。英特尔? 酷睿? i5 处理器智能特性，能够根据任务需求进行加速。英特尔? 酷睿? i5 处理器是一款出色的解决方案，适用于多媒体多任务处理环境。英特尔? 酷睿?2 至尊处理器适用于超级计算。享受英特尔最新双核及四核技术带来的革命性性能水准，获得逼真的高清晰度体验和多任务响应能力。英特尔? 酷睿?2 至尊处理器适用于超级计算。享受英特尔最新双核及四核技术带来的革命性性能水准，获得逼真的高清晰度体验和多任务响应能力。英特尔? 酷睿?2 四核处理器多媒体发烧友们将迎来一次疯狂的体验。借助英特尔? 酷睿?2 四核

处理器，为台式机带来强大的四核性能。它是高度线程化娱乐应用和高效多任务处理的理想引擎。英特尔? 酷睿?2 双核处理器至尊威力，铸就优异性能。凭借能效优化的双核技术和优异的能源使用效率，英特尔? 酷睿?2 双核处理器可以出色地运行要求最苛刻的应用程序。英特尔? 奔腾? 处理器英特尔? 奔腾? 处理器可提供超强的台式机性能、更低的能耗以及更出色的日常计算多任务处理能力。英特尔? 赛扬? 处理器基于英特尔? 赛扬? 处理器的台式机平台可为您提供超凡的计算体验，以及源自英特尔的出色品质和可靠性。 -------------------------------------------------------------------- 在同一处理器等级或家族内，编号越高表示特性越多，包括：高速缓存、时钟速度、前端总线、英特尔? 快速通道互联、新指令或其它英特尔技术1。拥有较高编号的处理器可能某一特性较强，而另一特性较弱。一、英特尔? 酷睿? 处理器英特尔? 酷睿? i7 品牌的处理器号由 i7 标识符加三字数字序列组成。

实验一逻辑门电路的基本参数及逻辑功能测试

实验一逻辑门电路的基本参数及逻辑功能测试一、实验目的 1、了解TTL与非门各参数的意义。 2、掌握TTL与非门的主要参数的测试方法。 3、掌握基本逻辑门的功能及验证方法。 4、学习TTL基本门电路的实际应用。 5、了解CMOS基本门电路的功能。 6、掌握逻辑门多余输入端的处理方法。二、实验仪器三、实验原理 (一) 逻辑门电路的基本参数用万用表鉴别门电路质量的方法：利用门的逻辑功能判断，根据有关资料掌握电路组件管脚排列，尤其是电源的两个脚。按资料规定的电源电压值接好（5V±10%）。在对TTL与非门判断时，输入端全悬空，即全 “1”，则输出端用万用表测应为以下，即逻辑“0”。若将其中一输入端接地，输出端应在左右（逻辑“1”），此门为合格门。按国家标准的数据手册所示电参数进行测试：现以手册中 74LS20二-4输入与非门电参数规范为例，说明参数规范值和测试条件。 TTL与非门的主要参数空载导通电源电流I CCL （或对应的空载导通功耗P ON ）与非门处于不同的工作状态，电源提供的电流是不同的。I CCL 是指输入端全部悬空（相当于输入全1），与非门处于导通状态，

输出端空载时，电源提供的电流。将空载导通电源电流I CCL 乘以电源电压就得到空载导通功耗P ON ，即 P ON = I CCL ×V CC 。测试条件：输入端悬空，输出空载，V CC =5V。通常对典型与非门要求P ON ＜50mW，其典型值为三十几毫瓦。 2、空载截止电源电流I CCh （或对应的空载截止功耗P OFF ） I CCh 是指输入端接低电平，输出端开路时电源提供的电流。空载截止功耗POFF为空载截止电源电流I CCH 与电源电压之积，即 P OFF = I CCh ×V CC 。注意该片的另外一个门的输入也要接地。测试条件： V CC =5V，V in =0，空载。对典型与非门要求P OFF ＜25mW。通常人们希望器件的功耗越小越好，速度越快越好，但往往速度高的门电路功耗也较大。 3、输出高电平V OH 输出高电平是指与非门有一个以上输入端接地或接低电平的输出电平。空载时，输出高电平必须大于标准高电压（V SH =）；接有拉电流负载时，输出高电平将下降。 4、输出低电平V OL 输出低电平是指与非门所有输入端接高电平时的输出电平。空载时，输出低电平必须低于标准低电压（VSL=）；接有灌电流负载时，输出低电平将上升。 5、低电平输入电流I IS （I IL ） I IS 是指输入端接地输出端空载时，由被测输入端流出的电流值，又称低电平输入短路电流，它是与非门的一个重要参数，因为入端电流就是前级门电路的负载电流，其大小直接影响前级电路带动的负载个数，因此，希望I IS 小些。

Intel处理器型号命名详解

Intel处理器型号命名详解　凭借着妇孺皆知的品牌效应和随处可见的广告宣传，Intel的CPU在国内拥有数量极其庞大的用户群。但是由于产品线频繁更新，别说是普通消费者，就连一些泡在卖场的商家都被其种类繁多的产品型号搅得一头雾水。下面笔者就将对这些CPU的型号命名进行讲解，以帮助读者选择自己钟意的产品。 Intel CPU产品介绍从大的命名规则来看，Intel的CPU产品主要分为Pentium奔腾系列和Celeron赛扬系列处理器。而从架构上区分，目前市面上的Intel CPU产品既有最常见的Socket 478架构，也有老一代的Socket 370架构，还有极少量的Socket 423架构。 (Intel的Pentium 4和Celeron处理器) 一、早期的Socket 370架构：这是Intel的早期产品，当前二手市场上能见到的有Coppermine铜矿核心的Pentium Ⅲ和Celeron Ⅱ，以及Tualatin图拉丁核心的Celeron Ⅲ。虽然看起来稍显过时，但其实这里面也有着性价比较高的产品。例如Tualatin图拉丁核心的Celeron Ⅲ，因为拥有 32KB的一级缓存和256KB的二级缓存，所以性能与同频的Pentium Ⅲ都有得一拼。并且由于采用了0.13微米制程，所以Tualatin图拉丁赛扬的超频潜力也不错。不过由于Intel的市场策略，Socket 370架构现已被彻底抛弃，基于该架构的主板和CPU产品也因此失去了任何升级潜力。所以这些CPU只适合老用户升级使用，并不推荐新装机的用户购买。二、过渡型Socket 423架构：这主要见于Intel第一批推出的Willamette核心Pentium 4产品。但它只不过是昙花一现，上市不久便立即被Socket 478架构所取代。其相应的处理器和主板产品也迅速被品牌机等市场消化，现在市场上已经几乎见不到它们了。所以如果您在逛市场时见到这样的CPU，估计都是不知道从哪翻出的仓底货或是二手产品，笔者奉劝大家尽量少碰为妙。三、主流的Socket 478架构：这是当前Intel的主流产品，产品线中既包括有高端的Pentium 4处理器，也包括了低端的Celeron处理器。可就是同属Socket 478架构的Intel处理器，也有许多不同类型。这就是我们下面将要讲述的内容。 "ABCDE"含义释疑我们知道，Intel的不少Pentium 4处理器在频率后面还带有一个字母后缀，不同的字母也代表了不同的含义。 "A"的含义： Pentium 4处理器有Willamette、Northwood和Prescott三种不同核心。其中Willamette核心属于最早期的产品，采用0.18微米工艺制造。因为它发热较大、频率提升困难，而且二级缓存只有256KB，所以性能颇不理想。于是Intel很快用Northwood核心取代了它的位置。Northwood核心Pentium 4采用0.13微米制程，主频有了很大的飞跃，二级缓存容量也翻了一番达到了512KB。为了与频率相同但只有256KB二级缓存的Pentium 4产品区别，Intel在其型号后面加了一个大写字母"A"，例如"P4 1.8A"，代表产品拥有 512KB二级缓存。这些产品均只有400MHz的前端总线(Front Side Bus，简称FSB)。"B"的含义：同样频率的产品，在更高的外频下可具备更高的前端总线，因此性能也更高。为此Intel在提升CPU频率的同时，也在不断提高产品的前端总线。于是从可以支持533MHz FSB的845E等主板上市开始，市场上又出现了533MHz FSB的Pentium 4处理器。为了与主频相同但是只有400MHz FSB的Pentium 4产品区别开来，Intel又给它们加上了字母"B"作为后缀，例如"P4 2.4B"。 "C"的含义：

Intel移动CPU型号全解析

Intel移动CPU型号全解析 2008-09-28 13:03 奔腾双核与赛扬双核有何区别？酷睿2 T5000和T8000差别在哪？最新的P系列处理器又有何特点？如果你还没有弄清楚这些问题，那么当你去电脑城选购笔记本时，可就要当心了，因为你很难从大多数商家那里得到准确的答案——他们要么自己也没弄清楚、要么就是在故意欺骗。无论是哪种情况，最终蒙受损失的都会是消费者。为了避免这些情况的发生，我们需要对主流移动处理器的规格有所了解。在本文中，我们将会为您重点介绍现在主流的英特尔移动处理器的家族成员，以及它们之间的性能水平差异。在目前的中低端市场中，搭配奔腾双核或赛扬双核的笔记本随处可见，它们同样采用了代号为Merom的酷睿微架构，但是在前端总线和二级缓存方面有不同程度的精简，因此在相同主频的情况下，性能会有所降低。和奔腾双核相比，赛扬双核有着相同的前端总线，但二级缓存缩减了一半——当然，它的价格也更低一些，适合那些预算有限、仅需简单日常应用的消费者。需要说明的是，处理器的综合性能是由内核架构、核心频率、二级缓存和前端总线共同决定的，因此较高的核心频率可以在一定程度上弥补二级缓存的不足。选购笔记本之前，最好先对处理器有所了解随着迅驰2平台的发布，新一代的奔腾双核与赛扬双核也随之登场，比如奔

腾双核T3200和赛扬双核T1600。它们同样基于Merom架构，主频和老款产品相同甚至更低，但却有着更高的前端总线和二级缓存。从我们的测试情况来看，它们在综合性能方面并没有太大提升，仅仅是普通的新老更替而已。不过另外有消息称，英特尔将于今年四季度推出基于45纳米Penryn架构的奔腾双核T4200处理器，届时它无疑将拉开新老奔腾双核之间的差距，同时蚕食更多中端市场，加快老款酷睿2处理器的退市速度。在关注度最高的主流市场中，酷睿2双核T5000家族无疑是最让人迷惑的型号。从06年8月到现在，它们已经在市场中征战了两年多的时间，凭借足够好的性能和适中的价位从而获得许多消费者的青睐。当然，在这两年中它们也经历了数次更替，在核心频率、前端总线和封装接口等方面都有了一些变化，整体性能也有些许提升。在今年1月之前，中高端移动处理器市场原本是由酷睿2双核T7000家族一手掌控的，不过在新一代45纳米移动处理器(T8000和T9000)发布之后，T7000就让出了高端市场，逐渐沦为和T5000定位相似的主流型号，现在T7000中的部分成员已经基本消失，另一部分则在改名后加入了T5000家族。对英特尔而言，这是为了清理库存的无奈之举；而消费者则因此受益，花同样的钱买到了更好的产品。

影响运放电路的误差的几个主要参数

影响运放电路的误差的几个主要参数(KCMR,VIO,Iib,Iio等) 1.共模抑制比KCMR为有限值的情况集成运放的共模抑制比为有限值时，以下图为例讨论。 VP=Vi VN=Vo 共模输入电压为：差摸输入电压为：运算放大器的总输出电压为：vo=A VD v ID+A VC v IC

闭环电压增益为：可以看出，Avd和Kcmr越大，Avf越接近理想情况下的值，误差越小。 2.输入失调电压V IO 一个理想的运放，当输入电压为0时，输出电压也应为0。但实际上它的差分输入级很难做到完全对称。通常在输入电压为0时，存在一定的输出电压。解释一：在室温25℃及标准电源电压下，输入电压为0时，为使输出电压为0，在输入端加的补偿电压叫做失调电压。解释二：输入电压为0时，输出电压Vo折合到输入端的电压的负值，即V IO=- V O|VI=0/A VO 输入失调电压反映了电路的对称程度，其值一般为±1~10mV

3.输入偏置电流I IB BJT集成运放的两个输入端是差分对管的基极，因此两个输入端总需要一定的输入电流I BN和I BP。输入偏置电流是指集成运放输出电压为0时，两个输入端静态电流的平均值。输入偏置电流的大小，在电路外接电阻确定之后，主要取决于运放差分输入级BJT的性能，当它的β值太小时，将引起偏置电流增加。偏置电流越小，由于信号源内阻变化引起的输出电压变化也越小。其值一般为10nA~1uA。 4.输入失调电流I IO 在BJT集成电路运放中，当输出电压为0时，流入放大器两输入端的静态基极电流之差，即I IO=|I BP-I BN| 由于信号源内阻的存在，I IO会引起一个输入电压，破坏放大器的平衡，使放大器输出电压不为0。它反映了输入级差分对管的不对称度，一般约为1nA~0.1uA。 5.输入失调电压VIO、输入失调电流IIO不为0时，运算电路的输出端将产生误差电压。设实际的等效电路如下图大三角符号，小三角符号内为理想运放，根据VIO和IIO的定义画出。

电源基础知识(电源的基本参数)

四、电源的基本参数 1电压 2输入电压就是市电电压。国内电压是220V，但电网电压并不是时刻稳定在220V，而是有一定的波动。采用被动PFC 的电源，可以适应的电网电压一般是在180~264V 之间，当电压突然降低到180V 以下时，电源会出现重新启动的现象；电压偏高，则会导致电源保险烧毁。第15 页部分电源可以承受电压的缓慢下降，甚至电压缓降到180V 以下时，也可以正常工作，但此时电源的负载能力也将下降，难以达到额定功率的输出。采用了主动PFC 电路的电源，适应电压可以扩大到90~264V，在此区间均可正常使用。需要指出的是，不是所有主动PFC 电源，都是宽电压设计。 4.1.2 输出电压就是电源输出给电脑使用的直流电压。 ATX 电源输出的直流电压有+5V、+12V、-12V 、+5VSB、+3.3V。同样，电源所输出的直流电压也会有一定的波动。我们允许输出电压有一定的波动，但不能超过INTEL 所界定的范围，正电压允许在基准值上下5%之内波动，而负电压允许在上下10%之内波动，如+5V 的正常范围是4.75~5.25V，而-12V 的正常范围是-10.8~-13.2V 。要求电源在空载、轻载、典型负载与满载状态下，各路输出电压均在允许范围内。当超过此范围，电脑运行就有可能出现问题。检测电源的输出电压需要使用万用表等设备，软件检测的结果往往并不精确。电源输出电压的稳定性，是电源的一个重要指标，但绝不是判断一款电源优劣的唯一指标。电源性能指标非常繁多，电压的稳定性只是其中一项。只要电源输出在合理的范围内，对电脑配件都不会造成负面影响，这时电压的波动范围在1%和5%的意义是一样的，过分地关注波动的大小是不必要的。但波动的相对大小，侧面反映了电源的负载能力，波动率相对越小的电源，其实际的最大输出功率可能越大，毕竟，输出电压超出规定范围时的输出功率是没有益处的。相对来说，电压偏高比电压偏低更具有危险性，电压偏低至多引起电脑工作的不正常，而电压偏高则可能烧毁硬件。一

英特尔全线处理器型号及参数总览表

英特尔i3/i5/i7+全线处理器型号及参数总览表前言：随着英特尔全新32nm移动处理器的推出，英特尔移动处理器大军的规模进一步膨胀。粗略地计算一下，现在市场上可以买到的Core i、酷睿2、奔腾双核、赛扬双核、凌动处理器几大家族的成员已经超过了80款，即使是经常关注笔记本技术的达人，也很难记住每一款处理器的技术规格。正是由于英特尔移动处理器的混乱，JS们才拥有了可趁之机，肆无忌惮的欺瞒消费者，经常以处理器的某项参数来忽悠消费者，让我们为本不需要的功能，或者被夸大的技术所买单。下面是特尔主流移动处理器的技术参数，避免在选购笔记本时被JS商家忽悠，亲爱的网友们，你可要睁大眼睛看了。。。。。 *************************名词解释 ************************************ 前端总线：是指CPU与北桥芯片之间的数据传输总线，人们常常以MHz表示的速度来描述总线频率。总线的种类很多，前端总线的英文名字是Front Side Bus，通常用FSB表示。睿频：英特尔睿频加速技术。是英特尔酷睿 i7/i5 处理器的独有特性。也是英特尔新宣布的一项技术。英特尔官方技术解释如下：当启动一个运行程序后，处理器会自动加速到合适的频率，而原来的运行速度会提升 10%~20% 以保证程序流畅运行；应对复杂应用时，处理器可自动提高运行主频以提速，轻松进行对性能要求更高的多任务处理；当进行工作任务切换时，如果只有内存和硬盘在进行主要的工作，处理器会立刻处于节电状态。这样既保证了能源的有效利用，又使程序速度大幅提升。三级缓存（L3）：目前只有酷睿I系列才有，之前的都是L2（二级缓存）。是为读取二级缓存后

Intel_CPU型号规格大全

产品型号主频插槽核心前端总线外频制程 L2/L3缓存核数工作电压 Intel 赛扬II 800 800MHz Socket370 Coppermine 100MHz 0.18微米 128KB/-- 单核 1.70V Intel 赛扬II 850 850MHz Socket370 Coppermine 100MHz 0.18微米 128KB/-- 单核1.70V Intel 赛扬II 900 900MHz Socket370 Coppermine 100MHz 0.18微米 128KB/-- 单核1.50V Intel 赛扬II 1G 1GHz Socket370 Coppermine 100MHz 0.18微米 128KB/-- 单核 1.50V Intel 赛扬II 1.1G 1.1GHz Socket370 Coppermine 100MHz 0.18微米 256KB/-- 单核1.50V Intel 赛扬II 1.2G 1.2GHz Socket370 Coppermine 100MHz 0.13微米 256KB/-- 单核1.50V Intel 赛扬II 1.3G 1.3GHz Socket370 Coppermine 100MHz 0.13微米 256KB/-- 单核1.50V Intel 赛扬III 1.1G 1.1GHz Socket370 Tualatin 100MHz 100MHz 0.13微米 256KB/-- 单核 1.475V Intel 赛扬III 1.2G 1.2GHz Socket370 Tualatin 100MHz 100MHz 0.13微米 256KB/-- 单核 1.475V Intel 赛扬III 1.3G 1.3GHz Socket370 Tualatin 100MHz 100MHz 0.13微米 256KB/-- 单核 1.45V Intel 赛扬III 1.4G 1.4GHz Socket370 Tualatin 100MHz 100MHz 0.13微米 256KB/-- 单核 1.45V Intel 赛扬4 1.7G 1.7GHz Socket478 Willamette 400MHz 100MHz 0.18微米 128KB/-- 单核 1.7V Intel 赛扬4 1.8G 1.8GHz Socket478 Willamette 400MHz 100MHz 0.18微米 128KB/-- 单核 1.7V Intel 赛扬4 2.0G 2.0GHz Socket478 Northwood 400MHz 100MHz 0.13微米 128KB/-- 单核 1.525V Intel 赛扬4 2.2G 2.2GHz Socket478 Northwood 400MHz 100MHz 0.13微米 128KB/-- 单核 1.525V Intel 赛扬4 2.4G 2.4GHz Socket478 Northwood 400MHz 100MHz 0.13微米 128KB/-- 单核 1.525V Intel 赛扬4 2.5G 2.5GHz Socket478 Northwood 400MHz 100MHz 0.13微米 128KB/-- 单核 1.525V Intel 赛扬4 2.6G 2.6GHz Socket478 Northwood 400MHz 100MHz 0.13微米 128KB/-- 单核 1.5V Intel Celeron D 310 2.13GHz Socket478 Prescott 533MHz 133MHz 0.09微米 256KB/-- 单核 1.4V Intel Celeron D 315 2.26GHz Socket478 Prescott 533MHz 133MHz 0.09微米 256KB/-- 单核 1.4V Intel Celeron D 320 2.40GHz Socket478 Prescott 533MHz 133MHz 0.09微米 256KB/-- 单核 1.4V

Cpu型号大全及其参数

Cpu大￥1280Intel Xeon E3-1230 v2 CPU频率：3.3GHz CPU核心：四核心八线程接口类型：LGA 1155 制程工艺：22纳米二级缓存：1MB 三级缓存：8MB 核心类型：Ivy Bridge 工作功率：69W 新品Intel 酷睿i5 3210M CPU频率：2.5GHz CPU核心：双核四线程制程工艺：22纳米三级缓存：3MB 核心类型：Ivy Bridge CPU说明：Intel Core i5-3210... 睿频加速频率：3.1 ￥761Intel 酷睿i3 3220 CPU频率：3.3GHz CPU核心：双核四线程接口类型：LGA1155 制程工艺：22纳米二级缓存：256KB 三级缓存：3MB 核心类型：Ivy Bridge

工作功率：45W ￥1979Intel 酷睿i7-3770 CPU频率：3.4GHz CPU核心：四核接口类型：LGA 1155 制程工艺：22纳米三级缓存：8MB 工作功率：77W CPU说明：Intel Core i7-3770... 睿频加速频率：3.9 ￥1239Intel 酷睿i5 3470(散) CPU频率：3.2GHz CPU核心：四核接口类型：LGA 1155 制程工艺：22纳米三级缓存：6MB 核心类型：ivy bridge 工作功率：77W 加入对比￥1239Intel 酷睿i5 3470(盒) CPU频率：3.2GHz CPU核心：四核接口类型：LGA 1155 制程工艺：22纳米三级缓存：6MB 核心类型：ivy bridge 工作功率：77W CPU说明：Intel 酷睿i5 3470 ..

史上最全手机cpu处理器详解

手机处理器详解智能手机CPU成了各大厂商，争夺和宣传的焦点．但很多人对手机CPU的厂商和具体产品不是很了解．那么让我们来简单介绍一下这些厂商和他们产品系列以及现在他们目前最炙手可热的产品。目前CPU在国际上比较大的有高通、英伟达、三星、倒们仪器．当然还有台湾的MTK 以及中国”芯”华为海思．所以我们今天的主角就是他们啦！ 1.高通（Qualcomm ) 高通是目前智能手机普遍采用的芯片厂商之一，高通CPU的特点是性能表现出色，多媒体解析能力强，能根据不同定位的手机，推出为经济型、多煤体型、增强型和融合型四种不同的芯片．高通几乎统治了安卓的半壁江山和WP的几乎全部领土．目前，高通已将旗下的手机处理器统一规划为Snapdragon （骁龙）品牌，根据处理器性能和功能定位的不同，又将其由低到高分为S1 、S2 、S3 、S4 四个类别．其中S1针对大众市场的智能手机产品．也就是我们所熟知的千元内智能手机；S2针对高性能的智能手机和平板电脑：S3 在S2的基础上又对多任务以及游戏方面有更大提升；S4 是高通目前最高端，同时性能也最强的处理器系列，其中的双核以及四核产品主要针对下一代的终端产品，包括WindowS8平板等．高通Snapdragon S1 : 65nm 制程面向低端智能终端高通Snapdragon S1处理器主要是针又士对大众市场的智能手机．高通Snapdragon S1采用65nm 制程，最高配置1GHz 主频和Adreno 200 图形处理器．在这里要说明的是，X为2 时代表只支持WCDMA制式，X 为6时代表同时支持CDMA 和WCDMA 制式，这一规则同样适用于高通Snapdragon其它系列．高通SnaPdragonS2 : 45nm 制程工艺改进/高端标配由于工艺制程的原因，在发热最和待机时间上，高通第一代处理器并不让人满意，所以高通随后推出了第二代处理器，面向高性能的智能手机和平板电脑的Snapdragon S2 处理器．高通SnaPdragon S3 ：异步双核、功耗降低台北国际电脑展上正式推出了其第三代Snapdragon手机芯片产品，新款产品采用双核设计，一个处理器上集成两个运算核心，在处理任务的时不仅具备更强的运算能力，同时在功耗上，也要比单核心低，计算能力得到很大提高，最高1.5GHz 的主频也为其吸引了众多关注．高通SnapdragonS4 ：全新架构和工艺面向下代智能终端代号为Krait（环蛇）的Snapdragon 第四代移动处理器一SnapdragonS4代表的是高通下一代终端的处理器，采用28nm 制程工艺．具备单、双或四核心等多种型号，最高主频可达2.5GHz ，较当前基于ARM 的CPU 内核全面性能提高150 % ，并将功耗降低65% . 代表产品：APQ8064（骁龙S4 PRO）【小米手机2 采用此款处理器】 APQ8064隶属于高通晓龙S4 pro 系列，采用28nm 工艺制造，集成最新的Adreno 320 GPU ，整合四个Krait 架构CPU 核心，每核主频最高达1.5GH/1.7GHz ．它是全球首款采用28nm 制程的四核移动处理器，同时也是高通首款四核心处理器．APQ8064采用的Krait CPU 微架构是高通公司基于ARMv7-A 指令集自主设计的新型高性能架构，采用异步对称式多核处理技术（aSMp ) ，较高通第一代Scorpion CPU 微架构在性能上提升60%以上，功耗降低65 % . Krait 的设计采用了使用新电路技术的定制设计流程以提高性能，降低功耗．Krait 的电源效率也带来了更佳的热曲线，使Krait 多处理器系统与竞争解决方案相比，能够以峰值性能运行更长时间。在指令集方面，Krait 兼容CortexA-15 系列相应的 ARM 指令如VFP3/V4 和NEONAdy SIMD,而且在性能上Krait 也和Mobil版的CortexA-15 接近．所以

常用集成电路及主要参数

1 附录四、常用集成电路及主要参数 4.1 常用集成电路的引线端子识别及使用注意事项 4.1.1 集成电路引出端的识别使用集成电路前，必须认真查对和识别集成电路的引线端，确认电源、地、输入、输出及控制端的引线号，以免因错接损坏元器件。贴片封装(A、B)型，如附图4.1-1所示，识别时，将文字符号正放，定位销向左，然后，从左下角起，按逆时针方向依次为1、2、3……。扁形和双列直插型集成电路：如附图 4.1-2(b)所示，识别时，将文字符号标记正放，由顶部俯视，其面上有一个缺口或小圆点，附图4.1-1贴片型，有时两者都有，这是“1”号引线端的标记，如将该标记置于左边，然后，从左下角起，按逆时针方向依次为1、2、3……。一般圆型和集成电路：如附图4.1-2(a)所示，识别时，面向引出端，从定位销顺时针依次为1、2、3……。圆形多用于模拟集成电路。 (a) 园形外型（b）扁平双列直插型附图4.1-2 集成电路外引线的识别 4.1.2 数字集成电路的使用数字集成电路按内部组成的元器件的不同又分为：TTL电路和CMOS电路。不论哪一种集成电路，使用时，首先应查阅手册，识别集成电路的外引线端排列图，然后按照功能表使用芯片，尤其是牛规模的集成电路，应注意使能端的使用，时序电路还应注意“同步”和“异步”功能等。使用集成路时应注意以下方面的问题。 1、TTL电路（1）电源 ①只允许工作在5V±10％的范围内。若电源电压超过5.5V或低于4.5V，将使器件损坏或导致器件工作的逻辑功能不正常。 ②为防止动态尖峰电流造成的干扰，常在电源和地之间接人滤波电容。消除高频干扰的滤波电容取0.01～0.1PF，消除低频干扰取10—50／uF ③不要将“电源”和“地”颠倒，例如将741S00插反，缺口或小圆点置于右面，则电源的引线端与“地”引线端恰好颠倒，若不注意，这种情况极易发生，将造成元器件的损坏。 ④TTL电路的工作电流较大，例如中规模集成TTL电路需要几十毫安的工作电流，因此使用干电池长期工作，既不经济，也不可靠。（2）输出端 ①不允许直接接地或接电源，否则将使器件损坏。 ②图腾柱输出的TTL门电路的输出端不能“线与”使用，OC门的输出端可以

intel cpu型号大全

intel cpu型号大全 2009年12月24日星期四 15:12 intel cpu型号大全按照处理器支持的平台来分，Intel处理器可分为台式机处理器、笔记本电脑处理器以及工作站/服务器处理器三大类；下面我们将根据这一分类为大家详细介绍不同处理器名称的含义与规格。由于Intel产品线跨度很长，不少过往产品已经完全或基本被市场淘汰（比如奔腾III和赛扬II），为了方便起见，我们的介绍也主要围绕P4推出后Intel发布的处理器产品展开。台式机处理器 Pentium 4（P4）第一款P4处理器是Intel在2000年11月21日发布的P4 1.5GHz处理器，从那以后到现在近四年的时间里，P4处理器随着规格的不断变化已经发展成了具有近10种不同规格的处理器家族。在这里面，“P4 XXGHz”是最简单的P4 处理器型号。这其中，早期的P4处理器采用了Willamette核心和Socket 423封装，具256KB二级缓存以及400MHz前端总线。之后由于接口类型的改变，又出现了采用illamette核心和Socket478封装的 P4产品。而目前我们所说的“P4”一般是指采用了Northwood核心、具有400MHz前端总线以及512KB二级缓存、基于Socket 478封装的P4处理器。虽然规格上不一样，不过这些处理器的名称都采用了“P4 XXGHz”的命名方式，比如P4 1.5GHz、P4 1.8GHz、P4 2.4GHz。 Pentium 4 A（P4 A）有了P4作为型号基准，那么P4 A就不难理解了。在基于Willamette核心的P4处理器推出后不久，Intel为了提升处理器性能，发布了采用Northwood 核心、具有 400MHz前端总线以及512KB二级缓存的新一代P4。由于这两种处理器在部分频率上发生了重叠，为了便于消费者辨识，Intel就在出现重叠的、基于Northwood核心的 P4处理器后面增加一个大写字母“A”以示区别，于是就诞生了P4 1.8A GHz、P4 2.0A GHz这样的处理器产品。需要提醒大家的是，在这些新P4当中未与早期P4发生频率重叠的产品依旧沿用“P4”的名称，比如P4 2.4GHz。 Pentium 4 B（P4 B）在Northwood核心全面推广以后，Intel决定再次对P4处理器进行改进，推出了基于Northwood核心、采用533MHz前端总线、具有512KB二级缓存的 P4处理器。尽管这些处理器在核心架构与二级缓存容量上都与P4 A相同，但由于前端总线被提升到了533MHz，性能也得到了提升。为了与主频相同的P4 A处理器区分开来，Intel又在处理器名称后面增加了字母“B”，未出现频率重叠

Intel至强E系列CPU参数

I n t e l至强E系列C P U 参数 This model paper was revised by the Standardization Office on December 10, 2020

I n t e l X e o n E系列服务器处理器一、IntelXeonE系列CPU命名规则首先，IntelE3，E5，E7代表了3个不同档次的至强CPU，这种命名方式类似桌面上的Corei3，i5，i7，分别对应好、更好、最好。其次，以E3-1220为例，E3-1220中的这个"1"，也就是连字符后的第一个数字，它代表处理器最多支持的并行路数，有1、2、4、8四种规格，分别代表了单路、双路、四路和八路。因此，E3-1220这款CPU就是一款单路的CPU，只能用于对应的单路的服务器主板上面。再如E5-2400系列，E5-2600系列，相比于E3-1200系列来讲，E5代表了更高档次，更好性能，而连字符后的第一个数字为"2"，这里的2也代表了是双路的CPU，只能用于对应的双路芯片组的主板。紧接着，我们来看连字符后的第二个数字，它代表处理器封装接口形式，一共有2，4，6，8四种规格，分别是2对应SocketH2(LGA1155)、4对应SocketB2(LGA1356)、6对应SocketR(LGA2011)、8对应SocketLS(LGA1567)。我们现在举例的这款E3-1220至强CPU，连字符后的第二个数字是"2"，2对应SocketH2(LGA1155)，也就是说，这个CPU封装是SocketLGA1155的。然后，连字符后第三和第四位代表编号序列，一般是数字越大产品性能越高，价格也更贵。接下来，紧跟第四位数字后的"L"代表是低功耗版，留空的话就代表是标准版。连字符后面最后的数字代表修订版本，比如v2、v3、v4等等二、产品家族 InterXeonE3-1200产品家族 InterXeonE5-1600产品家族 InterXeonE5-2400产品家族 InterXeonE5-2600产品家族 InterXeonE5-4600产品家族 InterXeonE7-2800产品家族 InterXeonE7-4800产品家族 InterXeonE7-8800产品家族

晶振的主要参数及其对电路的影响

Crystal First Failure FL RR DLD2 RLD2 SPDB C0 C0/C1 C1 L ppm Ohms Ohms Ohms dB pF fF mH High Limit 20.0 80.0 8.0 80.0 -2.0 7.0 Low Limit -20.0 1.0 1 PASS 3.45 50.57 2.24 54.39 -4.66 3.83 3,744.84 1.0 2 10.75 2 PASS -5.84 32.05 4.18 36.30 -6.96 3.86 4,113.29 0.94 11.70 3 Fail DLD2 High 0.44 73.86 27.81 108.17 -3.59 3.74 3,613.27 1.03 10.63 4 Fail SPDB High -8.97 33.67 2.06 37.55 -0.44 3.92 5,538.01 0.71 15.54 5 PASS -1.27 40.11 1.65 42.75 -7.8 6 3.89 3,955.09 0.98 11.17 6 PASS -6.74 30.12 4.38 34.23 -9.58 3.81 3,608.85 1.06 10.42 7 PASS -3.52 41.97 1.52 42.86 -6.95 3.85 4,670.19 0.82 13.35 8 PASS 1.13 38.34 2.07 40.46 -4.15 3.88 5,017.95 0.77 14.23 9 PASS -7.01 21.31 0.73 21.80 -9.89 3.83 3,018.17 1.27 8.67 10 Fail DLD2 High -3.62 24.75 52.36 78.55 -10.30 3.86 2,943.39 1.31 8.37 晶振的等效电器模型 C0 ，是指以水晶为介质，由两个电极形成的电容。也称为石英谐振器的并联电容，它相当于以石英片为介质、以两电极为极板的平板电容器的电容量和支架电容、引线电容的总和。几~几十pF。 R1 等效石英片产生机械形变时材料的能耗；几百欧 C1 反映其材料的刚性,10^(-3)~ 10^(-4)pF L1 大体反映石英片的质量.mH~H