物理化学第5章课后答案傅献彩_第五版

物理化学第5章课后答案傅献彩_第五版
物理化学第5章课后答案傅献彩_第五版

第五章相平衡

统计学第五章课后题及答案解析

第五章 一、单项选择题 1.抽样推断的目的在于() A.对样本进行全面调查 B.了解样本的基本情况 C.了解总体的基本情况 D.推断总体指标 2.在重复抽样条件下纯随机抽样的平均误差取决于() A.样本单位数 B.总体方差 C.抽样比例 D.样本单位数和总体方差 3.根据重复抽样的资料,一年级优秀生比重为10%,二年级为20%,若抽样人数相等时,优秀生比重的抽样误差() A.一年级较大 B.二年级较大 C.误差相同 D.无法判断 4.用重复抽样的抽样平均误差公式计算不重复抽样的抽样平均误差结果将()A.高估误差 B.低估误差 C.恰好相等 D.高估或低估 5.在其他条件不变的情况下,如果允许误差缩小为原来的1/2,则样本容量()A.扩大到原来的2倍 B.扩大到原来的4倍 C.缩小到原来的1/4 D.缩小到原来的1/2 6.当总体单位不很多且差异较小时宜采用() A.整群抽样 B.纯随机抽样 C.分层抽样 D.等距抽样 7.在分层抽样中影响抽样平均误差的方差是() A.层间方差 B.层内方差 C.总方差 D.允许误差 二、多项选择题 1.抽样推断的特点有() A.建立在随机抽样原则基础上 B.深入研究复杂的专门问题 C.用样本指标来推断总体指标 D.抽样误差可以事先计算 E.抽样误差可以事先控制 2.影响抽样误差的因素有() A.样本容量的大小 B.是有限总体还是无限总体 C.总体单位的标志变动度 D.抽样方法 E.抽样组织方式 3.抽样方法根据取样的方式不同分为() A.重复抽样 B.等距抽样 C.整群抽样 D.分层抽样 E.不重复抽样 4.抽样推断的优良标准是() A.无偏性 B.同质性 C.一致性 D.随机性 E.有效性 5.影响必要样本容量的主要因素有() A.总体方差的大小 B.抽样方法

汇编第五章课后题答案

1.从屏幕上输入小写字母,转化为大写字母输出 (解法1) DATA SEGMENT MESSAGE DB "ENTER A STRING:",0AH,0DH,'$' MAXLENGTH DB 50,?,50 DUP(?) ;每次最多可以输入49个字符DATA ENDS CODE SEGMENT ASSUME DS:DATA,CS:CODE START: MOV AX,DATA MOV DS,AX LEA DX,MESSAGE ;输出ENTER A STRING MOV AH,09H INT 21H LEA DX,MAXLENGTH ;输入字符串 MOV AH,0AH ;键盘输入到缓冲区,DS:DX=缓冲区首址 INT 21H ;(DS:DX)=缓冲区最大字符数,(DS:DX+1)=实际输入的字符数 MOV AH,02H ;输出回车换行 MOV DL,0AH INT 21H MOV AH,02H MOV DL,0DH INT 21H

MOV CL,MAXLENGTH+1;把字符的实际长度放入寄存器CL MOV CH,0 MOV BH,02H LEA SI,MAXLENGTH+2;取字符串的基地址放入SI XUN: MOV AL,[SI] CMP AL,'Z' JBE S1 ;小于等于'Z'转移 JMP S3 S1:CMP AL,'A' JAE DA ;大于等于'A'转移 JMP OUTPUT DA:ADD AL,20H JMP OUTPUT S3:CMP AL,'z' ;小于等于小Z转移 JBE S4 S4:CMP AL,'a' ;大于等于小a转移 JAE XIAO JMP OUTPUT XIAO: SUB AL,32 JMP OUTPUT OUTPUT: MOV DL,AL MOV AH,02H ;显示输出 INT 21H

第5章习题参考答案

第5章习题参考答案 1.请在括号内填入适当答案。在CPU中: (1)保存当前正在执行的指令的寄存器是(IR ); (2)保存当前正在执行的指令地址的寄存器是(AR ) (3)算术逻辑运算结果通常放在(DR )和(通用寄存器)。2.参见图5.15的数据通路。画出存数指令“STO Rl,(R2)”的指令周期流程图,其含义是将寄存器Rl的内容传送至(R2)为地址的主存单元中。标出各微操作信号序列。 解: STO R1, (R2)的指令流程图及为操作信号序列如下:

STO R1, (R2) R/W=R DR O, G, IR i R2O, G, AR i R1O, G, DR i R/W=W 3.参见图5.15的数据通路,画出取数指令“LAD (R3),R0”的指令周期流程图,其含义是将(R3)为地址主存单元的内容取至寄存器R2中,标出各微操作控制信号序列。 解: LAD R3, (R0)的指令流程图及为操作信号序列如下:

PC O , G, AR i R/W=R DR O , G, IR i R 3O , G, AR i DR O , G, R 0i R/W=R LAD (R3), R0 4.假设主脉冲源频率为10MHz ,要求产生5个等间隔的节拍脉冲,试画出时序产生器的逻辑图。 解:

5.如果在一个CPU 周期中要产生3个节拍脉冲;T l =200ns ,T 2=400ns ,T 3=200ns ,试画出时序产生器逻辑图。 解:取节拍脉冲T l 、T 2、T 3的宽度为时钟周期或者是时钟周期的倍数即可。所以取时钟源提供的时钟周期为200ns ,即,其频率为5MHz.;由于要输出3个节拍脉冲信号,而T 3的宽度为2个时钟周期,也就是一个节拍电位的时间是4个时钟周期,所以除了C 4外,还需要3个触发器——C l 、C 2、C 3;并令 211C C T *=;321C C T *=;313C C T =,由此可画出逻辑电路图如下:

微型计算机原理第2版西安电子科技大学出版社第五章汇编语言程序设计课后习题答案

第五章汇编语言程序设计 1、画图说明下列语句所分配的存储器空间及初始化的数据值。 (1) BYTE_V AR DB ‘BYTE’,12,-12H,3 DUP(0,7, 2 DUP(1,2),7) (2) WORD_V AR DW 5 DUP(0,1,2),7,-5,’BY’,’TE’,256H 答:(1)(2) BYTE_V AR WORD_V AR 2、假设程序中的数据定义如下: P ARTNO DW ? P NAME DB 16 DUP(?) C OUNT D D ?

P LENTH EQU $- PARTNO 问:PLENTH的值为多少?他表示什么意义? 答:PLENTH的值为22,它表示当前已分配单元空间。 3、有符号定义语句如下: B UF DB 1,2,3,’123’ E BU F DB 0 L EQU EBUF-BUF 问:L的值是多少? 答:L的值为6; 4、假设成序中的数据定义如下: LNAME DB 30 DUP(?) A DDRESS D B 30 DUP(?) C ITY DB 15 DUP(?) C ODE_LIST DB 1,7,8,3,2 (1)用一条MOV指令将LNAME的偏移地址存入BX。 (2)用一条指令将CODE_LIST的头两个字节的内容放入SI。 (3)写一条伪指令定义符使CODE_LENGTH的值等于CODE_LIST域的实 际长度。 答:(1) MOV BX,OFFSET LNAME (2) MOV SI,WORD PTR CODE_LIST (3) CODE_LENGTH EQU $- CODE_LIST 5、对于下面的数据定义,试说明三条MOV语句指令的执行结果。 T ABLEA DW 10 DUP(?) T ABLEB DB 10 DUP(?) T ABLEC DB ‘1234’ 答: M OV AX,LENGTH TABLEA ;(AX)=000AH M OV BL,LENGTH TABLEB ;(BL)=0AH M OV CL,LENGTH TABLEC ;(CL)=01H 6、对于下面的数据定义,各条MOV指令单独执行后,有关寄存器的内容是什么? P LDB DB ? T ABLEA DW 20 DUP(?) T ABLEB DB ‘ABCD’;答:

第五章微机原理课后习题参考答案

习题五 一. 思考题 ⒈半导体存储器主要分为哪几类?简述它们的用途和区别。 答:按照存取方式分,半导体存储器主要分为随机存取存储器RAM(包括静态RAM和动态RAM)和只读存储器ROM(包括掩膜只读存储器,可编程只读存储器,可擦除只读存储器和电可擦除只读存储器)。 RAM在程序执行过程中,能够通过指令随机地对其中每个存储单元进行读\写操作。一般来说,RAM中存储的信息在断电后会丢失,是一种易失性存储器;但目前也有一些RAM 芯片,由于内部带有电池,断电后信息不会丢失,具有非易失性。RAM的用途主要是用来存放原始数据,中间结果或程序,与CPU或外部设备交换信息。 而ROM在微机系统运行过程中,只能对其进行读操作,不能随机地进行写操作。断电后ROM中的信息不会消失,具有非易失性。ROM通常用来存放相对固定不变的程序、汉字字型库、字符及图形符号等。 根据制造工艺的不同,随机读写存储器RAM主要有双极型和MOS型两类。双极型存储器具有存取速度快、集成度较低、功耗较大、成本较高等特点,适用于对速度要求较高的高速缓冲存储器;MOS型存储器具有集成度高、功耗低、价格便宜等特点,适用于内存储器。 ⒉存储芯片结构由哪几部分组成?简述各部分的主要功能。 答:存储芯片通常由存储体、地址寄存器、地址译码器、数据寄存器、读\写驱动电路及控制电路等部分组成。 存储体是存储器芯片的核心,它由多个基本存储单元组成,每个基本存储单元可存储一位二进制信息,具有0和1两种状态。每个存储单元有一个唯一的地址,供CPU访问。 地址寄存器用来存放CPU访问的存储单元地址,该地址经地址译码器译码后选中芯片内某个指定的存储单元。通常在微机中,访问地址由地址锁存器提供,存储单元地址由地址锁存器输出后,经地址总线送到存储器芯片内直接进行译码。 地址译码器的作用就是用来接收CPU送来的地址信号并对它进行存储芯片内部的“译码”,选择与此地址相对应的存储单元,以便对该单元进行读\写操作。 读\写控制电路产生并提供片选和读\写控制逻辑信号,用来完成对被选中单元中各数据位的读\写操作。

第5章习题习题参考答案

第五章习题参考答案 5.1 题5.1的图所示的是三相四线制电路,电源线电压l U =380V 。三个电阻性负载接成星形,其电阻为1R =11Ω,2R =3R =22Ω。 (1)试求负载相电压、相电流及中性线电流,并作出它们的相量图;(2)如无中性线,求负载相电压及中性点电压;(3)如无中性线,当L1相短路时求各相电压和电流,并作出它们的相量图;(4)如无中性线,当L3相断路时求另外两相的电压和电流;(5)在(3),(4)中如有中性线,则又如何? 1 L 2 L 3 L N 题5.1的图 解: ○1各相负载两端电压都等于电源相电压,其值为:V V U U l P 2203 380 3===。各负载相电流分别为: ()()A I I I I I I A R U I A R U I A R U I N P P P 1030cos 30cos 30sin 30sin 10,10,202 2321323 32211=?-?++?-?-= ====== 相量图如图(b )所示。 ○ 2因为三相电源对称,而三相负载不对称时,由于无中性线,将使电源和负载中点之间的电位差不为零,而产生中性点位移。 设 V U U ?∠=01 1& ()()() V V U U U V V U U U V V U U U V V R R R R U R U R U U N N N N N N N N ?∠=?∠-?∠=-=?-∠=?∠-?-∠=-=?∠=?∠-?∠=-=?∠=++? ∠+?-∠+?∠=++++=1312520551202201312520551202200165055022005522 1 2211112212022022120220110220111''''3'32'21 '1 3213322 11&&&&&&&&&&&&&

第五章部分习题答案

第五章部分习题答案 1.试编写一个汇编语言程序,要求对键盘输入的小写字母用大写字母显示出来。 答:程序段如下: BEGIN: MOV AH, 1 ;从键盘输入一个字符的DOS调用 INT 21H CMP AL, …a? ;输入字符<…a?吗? JB STOP CMP AL, …z? ;输入字符>…z?吗? JA STOP SUB AL, 20H ;转换为大写字母,用AND AL, 1101 1111B也可 MOV DL, AL ;显示一个字符的DOS调用 MOV AH, 2 INT 21H JMP BEGIN STOP: RET 2.编写程序,从键盘接收一个小写字母,然后找出它的前导字符和后续字符,再按顺序显示这三个字符。 答:程序段如下: BEGIN: MOV AH, 1 ;从键盘输入一个字符的DOS调用 INT 21H CMP AL, …a? ;输入字符<…a?吗? JB STOP CMP AL, …z? ;输入字符>…z?吗? JA STOP DEC AL ;得到前导字符 MOV DL, AL ;准备显示三个字符 MOV CX, 3 DISPLAY: MOV AH, 2 ;显示一个字符的DOS调用 INT 21H INC DL LOOP DISPLAY STOP: RET 4.试编写一程序,要求比较两个字符串STRING1和STRING2所含字符是否完全相同,若相同则显示…MATCH?,若不相同则显示…NO MATCH?。 答:程序如下: DSEG SEGMENT STRING1 DB …I am a student.? STRING2 DB …I am a student!? YES DB …MATCH?,0DH, 0AH, …$? NO DB …NO MATCH?, 0DH, 0AH, …$? DSEG ENDS ;-------------------------------------------------------------------------- CSEG SEGMENT MAIN PROC FAR ASSUME CS: CSEG, DS: DSEG, ES: DSEG

第五章练习题参考答案完整版

第五章练习题参考答案 1、下面表是一张关于短期生产函数),(K L f Q 的产量表: (1) 在表1中填空 (2) 根据(1)。在一张坐标图上作出TPL 曲线,在另一张坐标图上作出APL 曲线和MPL 曲线。 (3) 根据(1),并假定劳动的价格ω=200,完成下面的相应的短期成本表2。 (4) 根据表2,在一张坐标图上作出TVC 曲线,在另一张坐标图上作出AVC 曲线和MC 曲线。 (5) 根据(2)和(4),说明短期生产曲线和短期成本曲线之间的关系。 解:(1)短期生产的产量表(表1) (2) (3)短期生产的成本表(表2)

(4)边际产量和边际成本的关系,边际MC和边际产量MPL两者的变动方向是相反的。 总产量和总成本之间也存在着对应关系:当总产量TPL下凸时,总成本TC曲线和总可变成本TVC是下凹的;当总产量曲线存在一个拐点时, 总成本TC曲线和总可变成本TVC也各存在一个拐点。平均可变成本和平均产量两者的变动方向是相反的。MC曲线和AVC曲线的交点与MPL曲线和APL曲线的交点是对应的。 2、下图是一张某厂商的LAC曲线和LMC曲线图。请分别在Q1和Q2的产量上画出代表最优生产规模的SAC曲线和SMC曲线。 解:在产量Q1和Q2上,代表最优生产规模的SAC曲线和SMC曲线是SAC1和SAC2以及SMC1和SMC2。 SAC1和SAC2分别相切于LAC的A和B,SMC1和SMC2则分别相交于LMC的A1和

B 1。 3、假定某企业的短期成本函数是TC(Q)=Q 3 -5Q 2 +15Q+66: (1) 指出该短期成本函数中的可变成本部分和不变成本部分; (2) 写出下列相应的函数:TVC(Q) AC(Q) AVC(Q) AFC(Q)和MC(Q)。 解(1)可变成本部分: Q 3 -5Q 2 +15Q 不可变成本部分:66 (2)TVC(Q)= Q 3 -5Q 2 +15Q AC(Q)=Q 2 -5Q+15+66/Q AVC(Q)= Q 2-5Q+15 AFC(Q)=66/Q MC(Q)= 3Q 2-10Q+15 4、已知某企业的短期总成本函数是STC(Q)=0.04 Q 3 -0.8Q 2 +10Q+5,求最小的平均可变成本值。 解: TVC(Q)=0.04Q 3 -0.8Q 2 +10Q AVC(Q)= 0.04Q 2 -0.8Q+10 令08.008.0=-='Q C AV 得Q=10 又因为008.0>=''C AV

1632位微机原理、汇编语言及接口技术第五章课后习题答案-

1632位微机原理、汇编语言及接口技术第五章课后习题答案-

习题 5.2 在半导体存储器中, RAM 指的是 随机存取存储器 ,他可读可写,但断电后信息一般会丢失 ; 而 ROM 指的是 只读存储器 , 正常工作时只能从中读取信息, 但断电后信息不会丢失。以EPROM 芯片 2764为例, 其存储容量为 8K ×8位, 共有 8 条数据线和 13 条 地址线。用它组成 64KB 的 ROM 存储区共需 8 片 2764芯片。 习题 5.7 什么是存储器连接中的 “ 位扩充 ” 和 “ 地址扩充 ” ? 欲组成 32KB 的 RAM 存储区,在采用容量 1K ×4位的静态 RAM 芯片或容量16K ×1位的静态 RAM 芯片的情况下,各需要多少芯片? 在位方向和地址方向上各要进行什么样的扩充?请画出采用 2114芯片时的连接示意图。解答: ?位扩充—— 存储器芯片数据位数小于主机数据线数时,利用多个存储器芯片在数据 “ 位 ” 方向的扩充; ?地址扩充 (字扩充——当一个存储器芯片不能满足系统存储容量时, 利用多个存储器芯片在 “ 地址 ” 方向的扩充 ?组成 32KB 存储空间,用 SRAM 2114(1K ×4需要 64个芯片; ?组成 32KB 存储空间,用 DRAM 4116(16K ×1需要 16个芯片; ?它们都需要进行位扩充和地址扩充

习题 5.8 ?存储芯片为什么要设置片选信号? ?它与系统地址总线有哪些连接方式? ?采用何种连接方式可避免地址重复? ?采用哪些连接方式可节省用于译码的硬件? 解答: ?片选信号说明该存储器芯片是否被选中正常工作, 设置它可以比较方便地实现多个存储器芯片组成大容量的存储空间 ?存储器片选信号通常与 CPU 地址总线的高位地址线相关联,可以采用“ 全译码 ” 、 “ 部分译码 ” 、 “ 线选译码 ” 方式 ?采用全译码方式可以避免地址重复 ?采用部分或线选译码可以节省译码硬件

第5章课后习题参考答案

第五章组合逻辑电路 1.写出如图所示电路的输出信号逻辑表达式,并说明其功能。 (a)(b) 解:(a)Y1ABC(判奇功能:1的个数为奇数时输出为1) Y2AB(AB)CABACBC(多数通过功能:输出与输入多数一致)(b)Y1(AB)A(AB)BABAB(同或功能:相同为1,否则为0)2.分析如图所示电路的逻辑功能 (a)(b)(c) 解:(a)Y 1ABAB(判奇电路:1的个数为奇数时输出为1) 0011 (b)Y2(((AA)A)A)(判奇电路:1的个数为奇数时输出为1) 0123 YAM 00 (c)Y 1 A M 1 (M=0时,源码输出;M=1时,反码输出) YAM 23 3.用与非门设计实现下列功能的组合逻辑电路。(1)实现4变量一致电路。 (2)四变量的多数表决电路 解:(1) 1)定变量列真值表:

ABCDYABCDY 0000110000 0001010010 0010010100 0011010110 010******* 010******* 0110011100 0111011111 2)列函数表达式:YABCDABC D ABCDABCD 3)用与非门组电路 (2)输入变量A、B、C、D,有3个或3个以上为1时输出为1,输人为其他状态时输出为0。 1)列真值表2)些表达式 3)用与非门组电路 4.有一水箱由大、小两台水泵ML和Ms供水,如图所示。水箱中设置了3个水位检测元

件A、B、C,如图(a)所示。水面低于检测元件时,检测元件给出高电平;水面高于检测元件时,检测元件给出低电平。现要求当水位超过C点时水泵停止工作;水位低于C点而高于B点时Ms单独工作;水位低于B点而高于A点时ML单独工作;水位低于A点时 ML和Ms同时工作。试用门电路设计一个控制两台水泵的逻辑电路,要求电路尽量简单。 解:(1)根据要求列真值表(b) (b)(a) (2)真值表中×对应的输入项为约束项,利用卡诺图化简(c)(d) (c)(d) (e) 得:MABC s MB L (ML、M S的1状态表示工作,0状态表示停止) (3)画逻辑图(e)

物理化学第五版(傅献彩)课后习题答案

第九章可逆电池的电动势及其应用 L写出下列电池中各电极的反应和电池反应* (I)PtI ?( P fh) I HCKa)ICb (Ao2)IPtJ ⑵Pt∣?(?1)∣H+?H+)ll ?+(α?÷)∣?(s)F ¢3)AgCS)I AgKS)Ir Ca I) |! CΓ(αcl-) !AgClCs) I AgCs) t (4)Pb(s) SPbSO. (S) I SOrs喊-)IleV+ (‰2+ ) !Cu(s)l ⑸PrIHF 5? ) I N a OHC C) ∣ HgCX S)∣ Hg⑴丰 (6)Ptl H2(p ti2)∣H 十(aq) ∣S?O?(s)∣ Sb(S)( (7)Pt∣F√+U1),Fe2+?) H Ag+ωA r+) IAg(S)J (5)Na(Hg) (?fti)∣ N才(业十))1 OH- (Om- ) I HgO(S) J Hg(I). 解:⑴负极已@屯)一*2HtaH十>+滋— 正极α(∕>α2)÷2e-—2CΓ) 电池反应?( P Hf)÷Cl3)≡≡2HCKaq). (2)负极H2<∕>H3*2H+G H+)÷2e^ 正扱 2Ag+CΛAS÷)÷2e~-2A e(S) 电池反应 HI P H2 ) + 2?+¢^+ )—2AgCs)+2H+C AH÷}. (3)负极Ag(s)÷I-(αc )— AgKs) +e- 正极 AgCKS)+ e-→A ft(s)+Cr Ca Q-) 电池反应AgCKS)+ Γ(如亠)一AgKS)+ CΓ(απ-)4 (4)负极 Pb(s)+SOJ- (dsoj- )—>PbS(Λ (s)÷2^ 正极 Cu2^," (acu?+ )+2e-—CU(S) 电池反应 Pb(s) ÷Cu3+ GI c?+ ) + SC?^ Cαst?- )=PbSCΛ (s)+Cu∞. (5)负极H2C^R P÷2□H'C?IH- )—→2H s O(D + 2e- ' 正极 HgCXS)+ H2O(I)÷2e~—20H" + 6H÷>÷6e^— 2Sb(s) +3H2Od) 电池反应3H√ P H2) ÷S?C? (S)—2Sb(S) ÷3H s O(I)i (C负扱 Fp (直)一 F尹 3)十L 正极 Ag- (d j?+ ) + e-'― Ag(S) 电池反应 Fe2+ (fl≡) + Ag+(α?r+I=F旷(÷ Ag(s)r 住)负扱 2N?(Hg)(flβπι)-→2Na+ (?泌)+ 2HgU)÷2e~ 正极 HgCxS) ÷H2OCD+ Se^—HgCl)+ 2OH^ <αO H- > 电池反应 2Na(Hg)Cd,m) + HgOCS)÷H20

旅游专业《旅游概论》第五章练习题有答案汇编

第五章旅游市场 第一节旅游市场的概念 一、填空题 1、市场是一个商品经济的范畴,凡是存在和的地方,就有市场 2、旅游市场的形成是一个过程,它是社会经济发展到一定程度,旅游活动、的产物 3、旅游市场是市场和市场的总和 二、名词解释 1、市场 2、旅游市场 三、单项选择题 1、旅游市场的基本矛盾是() A旅游者与旅游经营者之间的矛盾 B旅游产品的需求与供给之间的矛盾 C食、住、行、游、购、娱各部门之间的矛盾 D旅游资源与旅游客源之间的矛盾 2、()是旅游市场形成的首要条件 A旅游者 B旅游资源 C旅游供给 D旅游需求 3、第二次世界大战以后,欧美经济发达国家一直占据着世界旅游市场的主导地位,国际旅游者及其支出的()左右产生并流向这一地区 A60% B70% C80% D90% 四、多项选择题

1、在原始社会后期,市场形成的基础条件是() A人类意识的发展 B生活水平的提高 C剩余产品的出现 D交换行为的发生 2、旅游供给市场从形成到成熟,必须经过()不同层次的实践过程 A适应需求 B刺激需求 C引导需求 D创造需求 五、判断正误 1、()在世界旅游市场中,某些大型的旅游产品的提供者能够从根本上满足所有旅游客源的需求,解决所有旅游产品的供求矛盾。 2、()旅游市场形成与经济兴衰是同步的 3、()旅游客源市场的分布格局与国家经济发展水平和国民人均收入水平是不一致的 4、( )在世界旅游市场中,无论是国内旅游还是国际旅游,也无论是旅游人次还是旅游收入,都主要取决于旅游距离的远近,远距离旅游占绝对优势,其流动量最大 六、问答题 1、简述旅游者的流动规律 2、第二次世界大战以后,欧美经济发达国家一直占据着世界旅游市场的主导地位,其中,美国、德国、法国、西班牙、英国、奥地利等发达国家一直保持着旅游强国的地位。就我国而言,一些经济强省和直辖市往往也是旅游业发达的地区,比如广东省、北京市、上海市、江苏省、浙江省等。联系我国旅游业发展的实际情况并结合所学知识,谈一谈旅游者的流动量和流向集中在经济发达国家和地区的主要原因。 3、旅游市场形成的条件?

大学物理化学下册(第五版傅献彩)知识点分析归纳 (1)

第八章电解质溶液

第九章 1.可逆电极有哪些主要类型?每种类型试举一例,并写出该电极的还原反应。对于气体电极和氧化还原电极在书写电极表示式时应注意什么问题? 答:可逆电极有三种类型: (1)金属气体电极如Zn(s)|Zn2+ (m) Zn2+(m) +2e- = Zn(s) (2)金属难溶盐和金属难溶氧化物电极如Ag(s)|AgCl(s)|Cl-(m), AgCl(s)+ e- = Ag(s)+Cl-(m) (3)氧化还原电极如:Pt|Fe3+(m1),Fe2+(m2) Fe3+(m1) +e- = Fe2+(m2) 对于气体电极和氧化还原电极,在书写时要标明电极反应所依附的惰性金属。 2.什么叫电池的电动势?用伏特表侧得的电池的端电压与电池的电动势是否相同?为何在测电动势时要用对消法? 答:正、负两端的电势差叫电动势。不同。当把伏特计与电池接通后,必须有适量的电流通过才能使伏特计显示,这样电池中发生化学反应,溶液浓度发生改变,同时电池有内阻,也会有电压降,所以只能在没有电流通过的情况下才能测量电池的电动势。 3.为什么Weslon标准电池的负极采用含有Cd的质量分数约为0.04~0.12的Cd一Hg齐时,标准电池都有稳定的电动势值?试用Cd一Hg的二元相图说明。标准电池的电动势会随温度而变化吗? 答:在Cd一Hg的二元相图上,Cd的质量分数约为0.04~0.12的Cd一Hg齐落在与Cd一Hg固溶体的两相平衡区,在一定温度下Cd一Hg齐的活度有定值。因为标准电池的电动势在定温下只与Cd一Hg齐的活度有关,所以电动势也有定值,但电动势会随温度而改变。 4.用书面表示电池时有哪些通用符号?为什么电极电势有正、有负?用实验能测到负的电动势吗? 答:用“|”表示不同界面,用“||”表示盐桥。电极电势有正有负是相对于标准氢电极而言的。 不能测到负电势。5.电极电势是否就是电极表面与电解质溶液之间的电势差?单个电极的电势能否测

第5章课后习题答案及讲解

5-1 设二进制符号序列为110010001110,试以矩形脉冲为例,分别画出相应的单极性码波形、双极性码波形、单极性归零码波形、双极性归零码波形、二进制差分码波形及八电平码波形。 解: 1 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 单极性码: 双极性码: 单极性归零码: 双极性归零码: 二进制差分码: 八电平码: 5-7 已知信息代码为1,求相应的AMI码、HDB3码、PST码及双相码。 解:信息代码:1 AMI码:+1000000000-1+1 HDB3码:+1000+V-B00+V0-1+1 PST码:+0-+-+-+-++- 双相码:10

5-8 已知信息代码为10011,试确定相应的AMI码及HDB3码,并分别画出它们的波形图。 解: 1 0 1 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 1 1 AMI码:+1 0 -1 0 0 0 0 0 +1 –1 0 0 0 0 +1 -1 HDB3码:+1 0 -1 0 0 0 –V 0 +1 –1 +B 0 0 +V –1 +1 5-9 某基带传输系统接收滤波器输出信号的基本脉冲为如图P5-5所示的三角形脉冲: (1)求该基带传输系统的传输函数H(ω); (2)假设信道的传输函数C(ω)=1,发送滤波器和接收滤波器具有相同的传输函数,即G T(ω)=G R(ω),试求这时G T(ω)或G R(ω)的表示式。 P5-5 解:(1)H(ω)=∫∞ -∞ h(t)e-jωt dt

=∫0Ts/2(2/T s)te-jωt dt +∫Ts Ts/22(1-t/T s)e-jωt dt =2∫Ts Ts/2 e-jωt dt+2/T s∫ Ts/2 t e-jωt dt-2/T s ∫Ts Ts/2 t e-jωt dt =- 2 e-jωt/(jω)︱Ts Ts/2+2/T s [-t/(jω)+1/ω2] e-jωt︱ Ts/2 -2/T s [-t/(jω)+1/ω2] e-jωt︱Ts Ts/2 =2 e-jωTs/2(2- e-jωTs/2- e-jωTs/2)/(ω2T s) =4 e-jωTs/2[1-cos(ωT s/2)]/(ω2T s) =8 e-jωTs/2sin2(ωT s/4)/(ω2T s) =2/T s·Sa2(ωT s/4) e-jωTs/2(2)∵H(ω)=G T(ω)C(ω)G R(ω) C(ω)=1, G T(ω)=G R(ω) ∴G T(ω)=G R(ω)=√2/T s·Sa(ωT s/4) e-jωTs/4 5-11 设基带传输系统的发送滤波器、信道及接收滤波器组成总特性为H(ω),若要求以2/T s波特的速率进行数据传输,试检验图P5-7各种H(ω)满足消除抽样点上的码间干扰的条件否? s s s s (a) (b)

最新曼昆《经济学原理》第6版 微观经济学分册 第5章 课后习题答案P113-P115汇编

第五章弹性及其应用 复习题 1.给需求价格弹性和需求收入弹性下定义。 答:需求价格弹性,是指一种物品需求量对其价格变动反应程度的衡量;需求收入弹性,是指一种物品需求量对消费者收入变动反应程度的衡量。 2.列出并解释本章中所谈论的决定需求价格弹性的四个因素。 答:需求的价格弹性取决于许多形成个人欲望的经济、社会和心理因素。通常,需求价格弹性主要由以下几个因素决定:(1)相似替代品的可获得性。有相似替代品的物品往往富有需求弹性,因为消费者从这种物品转向其他物品较为容易。(2)必需品与奢侈品。必需品倾向于需求缺乏弹性,奢侈品倾向于需求富有弹性。(3)市场的定义。范围小的市场的需求弹性往大于范围大的市场,因为范围小的市场上的物品更容易找到相近的替代品。(4)时间框架。物品往往随着时间变长而需求更富有弹性,因为在长期中人们有充分的时间来改变自己的消费嗜好和消费结构。 4.如果弹性大于1,需求是富有弹性还是缺乏弹性?如果弹性等于零,需求是完全有弹性还是完全无弹性? 答:弹性大于1,需求富有弹性。弹性等于零,需求完全无弹性。 5.在一个供求图上标明均衡价格、均衡数量和生产者得到的总收益。 答:如图,供给与需求曲线的交点是均衡点,均衡点所对应的价格P是均衡价格,所对应的数量Q是均衡数量。P·Q,即阴影部分是生产者得到的总收益。 6.如果需求是富有弹性的,价格上升会如何改变总收益?解释原因。 答:如果需求是富有弹性的,价格上升会使总收益减少。因为需求富有弹性,价格上升引起需求量减少的如此之多,以至于大到抵消价格上涨所带来的收益,即需求量下降的比例大于价格上升的比例。 7.如果一种物品需求收入弹性小于零,我们把这种物品称为什么? 答:需求收入弹性小于零的物品,我们称为低档物品。 8.如何计算供给的价格弹性?供给价格弹性衡量什么? 答:供给价格弹性=供给量变动的百分比/价格变动百分比。它是衡量供给量对其价格变动的反应程度。 9.毕加索油画的供给价格弹性是多大? 答:毕加索油画的供给价格弹性为零。因为不管油画价格怎样变动,画商们不可能再生产出这种油画,只能提供一个固定的数量。 10供给价格弹性在短期中更大,还是在长期中更大?为什么? 答:长期供给弹性大。因为在短期中,企业不能轻易改变他们的生产规模来增加或减少

思修第五章课后思考题参考答案

思修第五章课后思考题参考答案

思修第5章课后思考题参考答案 ※公共生活 一般而言,公共生活是相对于私人生活而言的。在公共生活中,一个人的行为,必定与他人发生直接或间接的联系,具有鲜明的开放性和透明性,对他人和社会的影响更为直接和广泛。人类社会的公共生活是逐步形成和发展起来的。 ※公共秩序 由一定规则维系的人们公共生活的一种有序化状态。主要包括工作秩序、教学秩序、营业秩序、交通秩序、娱乐秩序、网络秩序等。※社会公德 社会公德是指在社会交往和公共生活中公民应该遵循的道德准则。 ※1.当代社会公共生活有哪些特点? 一般而言,公共生活是相对于私人生活而言的,两者既相互区别,又相互联系。私人生活往往以家庭内部活动和个人活动为主要领域,具有一定的封闭性和隐秘性。在公共生活中,一个人的行为,必定与他人发生直接或间接的联系,具有鲜明的开放性和透明性,对他人和社会的影响更为直接和广泛。人类社会的公共生活是逐步形成和发展起来的。 当代社会公共生活的特征主要表现在以下几个方面: 活动范围的广泛性。经济社会的发展,使公共生活的场所和领域不断扩展,从传统的公交车、影剧院、图书馆、公园、集体宿舍等,

到新兴的证券交易所、人才市场,网络技术使人们的公共生活进一步扩展到虚拟世界。人们在足不出户的情况下,可以通过电话、网络等现代通讯工具介入社会公共生活。 交往对象的复杂性。在很长的历史时期内,人们往往是在“熟人社会”中活动,交往圈子很小;当今社会的公共生活领域,则更像一个“陌生人社会”。人们在公共生活中的交往对象并不仅限于熟识的人,而是进入公共场所的任何人。科学技术的迅猛发展和社会分工的日益细化,使人们更多地在陌生的公共环境中与陌生人打交道。 活动方式的多样性。当代社会的发展使人们的生活方式发生了新的变化,也极大地丰富了人们公共生活的内容和方式。商场购物、歌厅娱乐、广场漫步、公园休闲、图书馆学习、体育馆健身、互联网冲浪等,人们可以根据自身的需要及年龄、兴趣、职业、经济条件等因素,选择和变换参与公共生活的具体方式。公共场所的增加和公共设施的完善,也为丰富人们公共生活的内容和方式提供了良好的条件。※2。如何维护公共生活秩序? 人类维护公共生活秩序的手段最初是自发形成的,随着经济社会的不断进步,公共秩序日益重要和复杂化,人类便愈加自觉地采用各种手段去维护公共生活秩序。道德和法律逐渐成为建立和维护社会秩序主要的两种力量。 公共生活中的道德和法律所追求的目标是一致的,都是通过规范人们的行为来维护公共生活中的良好秩序,实现社会稳定和经济发展。虽然道德和法律发挥作用的方式有所不同,但是二者又互为补充、

第五章习题及答案讲解学习

第五章习题及答案

第五章设备管理 1.试说明设备控制器的组成。 答:由设备控制器与处理机的接口,设备控制器与设备的接口与I/O逻辑组成。 2.为了实现CPU与设备控制器间的通信,设备控制器应具备哪些功能? 答:接收和识别命令;数据交换;标识和报告设备状态;地址识别;数据缓冲;差错控制。 3.什么是字节多路通道?什么是数组选择通道和数组多路通道? 答:(1)字节多路通道。按字节交叉方式工作的通道。通常含有许多非分配型子通道,数量从几十到数百个,每个子通道连接一台I/O 设备,控制其I/O 操作。子通道按时间片轮转方式共享主通道。 (2)数组选择通道。按数组方式传送数据,传输速率很高,每次只允许一个设备数据。 (3)数组多路通道。将数组选择通道传输速率高和字节多路通道的各子通道分时并行操作的优点结合而成。含有多个非分配型子通道,具有很高的数据传输率和通道利用率。 4.如何解决因通道不足而产生的瓶颈问题? 答:解决问题的有效方法是增加设备到主机间的通路而不增加通道,把一个设备连到多个控制器上,控制器又连到多个通道上,这种多通路方式解决了“瓶颈”问题,提高了系统可靠性,个别通道或控制器的故障不会使设备和存储器之间没有通路。 5.试对VESA 及PCI两种总线进行比较。 答:VESA总线的设计思想是以低价占领市场。总线带宽32位,最高传输速率 132Mb/s。广泛用于486微机。缺点是能连接的设备数仅为2~4 台,控制器中无缓冲,难于适应处理器速度的提高,不支持Pentium机。

PCI总线在CPU和外设间插入了复杂的管理层,协调数据传输和提供一致接口。管理层中配有数据缓冲,放大了线路的驱动能力,最多支持10种外设,支持高时钟频率的CPU 运行,最大传输速率132Mb/s。可连接ISA、EISA 等传统总线,又支持Pentium的64位系统,是基于奔腾等新一代微处理器而发展的总线。 6.试说明推动I/O控制发展的主要因素是什么? 答:推动I/O 控制发展的主要动力在于尽量减少主机对I/O 控制的干预,把主机从繁杂的I/O控制事务中解脱出来,用更多的时间和精力去完成其数据处理任务。同时,中断机制在计算机系统中的引入、DMA 控制器的出现和通道研制的成功使I/O 控制的发展具备了技术支持和成为可能。 7.有哪几种I/O控制方式?各适用于何种场合? 答:共有四种I/O 控制方式。 (1)程序I/O 方式:早期计算机无中断机构,处理机对I/O设备的控制采用程序I/O方式或称忙等的方式。 (2)中断驱动I/O 控制方式:适用于有中断机构的计算机系统中。 (3)直接存储器访问(DMA)I/O 控制方式:适用于具有DMA控制器的计算机系统中。 (4)I/O 通道控制方式:具有通道程序的计算机系统中。 8.试说明DMA 的工作流程。 答:以从磁盘读入数据为例,说明DMA的工作流程。当CPU要从磁盘读入数据块时,先向磁盘控制器发送一条读命令。该命令被送到命令寄存器CR中。同时还发送本次要读入数据的内存起始目标地址,送入内存地址寄存器MAR;本次要读数据的字节数送入数据计数器DC,将磁盘中的源地址直接送DMA控制器的I/O 控制逻辑上。然后启动DMA 控制器传送数据,以后CPU 便处理其它任务。整个数据传送过程由DMA控制器控制。下图为DMA方式的工作流程图。

汇编语言 廖建明编 课后习题第五章习题答案

5.1 顺序分支循环 5.2 (AX)=5400H (BL)=06H (DX)=2106H 5.3 D 5.4 C 5.5 B 5.6 D 5.7 C 5.8 0FFH 0 5.9 C 5.10 略 5.11 B 5.12 A 5.13 23H 01H 56H 04H 00H 5.14 将BUF里的小写字母转换成大写字母 5.15 略 5.16 (1)完成85274AH与938765H的加法功能 (2)不能。INC对CF无影响,而ADD有影响 (3)MOV SI,OFFSET DA TA1 (4)置CF为零。若CF初始为1,则在第一次执行ADC指令时会产生不正确的结果。5.17(编程题为参考答案,下同) DA TA SEGMENT DA TA1 DB ? DA TA2 DB ? DA TA ENDS CODE SEGMENT ASSUME CS:CODE,DS:DA TA BEGIN:MOV AX,DA TA MOV DS,AX MOV DX,DA TA1;高位送DX MOV AX,DA TA2;低位送AX SHL AX,1; RCL DX,1; MOV AH,4CH INT 21H CODE ENDS END BEGIN 5.18 DA TA SEGMENT DA TAS DB ‘PLEAST INPUT:’,0DH,0AH, ‘$’ DA TA ENDS CODE SEGMENT ASSUME CS:CODE,DS:DA TA BEGIN: MOV AX,DA TA MOV DS,AX

MOV AH,9H INT 21H ;输出“PLEASE INPUT:” MOV AH,1 INT 21H ;用户输入 MOV DL,AL SUB DL,20H MOV AH,2 INT 21H ;显示输出 MOV AH,4CH INT 21H CODE ENDS END BEGIN 5.19 DA TA SEGMENT ARRAY DB 20 DUP(?);原数列 PLUS DB 20 DUP(0);存放正数 NEGA DB 20 DUP(0);存放负数 PLUS_N DB 0;指示正数个数 NEGA_N DB 0;指示负数个数 TIME DB 20 DA TA ENDS CODE SEGMENT ASSUME CS:CODE,DS:DA TA BEGIN: MOV AX,DA TA MOV DS,AX LEA SI,ARRAY LEA BX,PLUS LEA DI,NEGA MOV CX,TIME CLC;以上为初始化 LOOP1: MOV AL,[SI] CMP AL,0 INC SI JA DAYU JB XIAO LOOP LOOP1;等于零处理 JMP SHOW DAYU: MOV [BX],AL;大于零的处理 INC BX INC PLUS_N LOOP LOOP1 JMP SHOW XIAOYU:MOV [DI],AL;小于零的处理 INC DI

物理化学傅献彩下册第五版课后习题答案

物理化学傅献彩下册第五版课后习题答案 第九章可逆电池的电动势及其应用 1.写出下列电池申各电极的反应和电池反应. ⑴Pt] H2(如)| HCKa) ICfc 伽)1 Ph ⑵Pt I H(P H2) I H十(亦)|| Ag+g )iAg(s)( (3)Ag(s) | AgKs) I r (m> I Cl^ Cflo- )! AgCUQI Ag(ah (4)Pb(s) |PbSO4(s>ISOJ- ) || Crf+(心+)|Cu? ⑸Ft IH,〔见)| NaOH(^) \ HgO(s) | HgtD ;(€)Pt|Hj(^)|H+(aq)|SbiQ t(s)|Sb(s)v (7}Pi|Fe3+(ai)t Fe z+(G2)|| Ag+也屮} | A飢小(8)Na(Hg)(a^)|Na^(^+)l| 0^(^- 解:d)负极H’(p吗)—2H+Sf )+2h 正极Ct (pcu > + 2e~ —2Cr ) 电池反应Hi(卫%}+CU如—2HCl(aq). H3(M I2)一2H+(a H+ )十2厂正极2Ag^ (心>+2e_—2Ag(s) 电池反应 H;( pH2)+ 2A fi*(o^)—2Ag(5)+2H+(fl H* 1 (3〉负极Ag(s)+P (ar )― Agl(s)+e- 正极Afi€l(s) + ^― A H QI+CI—(他-)

电池反应AgCKB)+ r< ar >—Agl(s)+ cr (财- (4)负极Fb(Q + SOT a错- )一-PbS(^— *2H f CKD+2e" ' jE极HgOC S) + H£0(D + 3e-― 2OH-(a tyH-) + Hg(l> 电池反应出(他^+HgO?—Hg⑴+ HtCKB (6)负极3H r(^ )― 6H+〔耐+ )+6丁 正扱Sb s Oi(s) + 6H+(a H* ) + 6e_—^2Sb(s)+3H20( 1) 电池反应3Hj( p li?)O(s)—2Sb(s) +30( 1). ― 2Na+) + 2Hg(L)+2e' 正极HgO(3) + H i O(D+Z< 一Hg(D+2OH- ) 电池反应2Na( Hg)(a….) + HgO( s) + H a0(D—2Na+ (a^+ )-h20H~ - J + 3Hg(D. 2+试将下述化学反应设卄成电池. (1)AgCKs)—Ag l(QA.+ ) + Cl-(aa~ )t (2)AgCl(s) + r—t(s)+2Cr(=^H+@n+)+OH- (aw-)申 ⑻ MQ +扣? + H$O(D—Mg(0H)t } Cr (jacr)I AgCl<3)| Ag | Ag(s) (5)Pt|Ht|H+(oH+ >ia(?>|Pt (s) | r Car) II Cl (如r > | Ct (g) | Pt 3.从就和WeMon电池的电动勢与温度的关系式.试求在Z98.15 K.当电池可逆地产生2 mol电子的电荷秋时■电池反应的氏44砒,和已知谏关系为 E/V-L018 45-4. 05X10^(77K-298L 15)f 5X 10_f (T/K-293.15)1 H;由E的芜蔡式求岀(需)/冉求出观15 K时 E的值. 伺为;dG? = —=EF;氏Hm=ArGt+T ?'久*

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