MTK平台NVRAM的使用

首先明确几个概念：

1.ROM（Read Only Memory\只读存储器）：通常用来存储操作系统和内置程序，相当于MTK的Code Region，这部分的内容是写入后不允许修改的；

2.RAM（Random Access Memory\随机访问存储器）：相当于电脑内存了，特点是访问速度快，断电后数据会自动丢失，不会保存；

3.NVRAM（NonV olatileRandomAccessMemory\非易失性随机访问存储器）：指断电后仍能保持数据的一种RAM，用来存储一些需要在断电后能够保存的数据，比如我们手机的一些相关设置就需要保存在NVRAM中；

下面以给出我们ds635项目的flash memory划分，ds635使用了一片128M的flash memory和一片64M的RAM，在custom_memorydevice.h这个文件中如下几行决定了我们flash memory的分区配置：

/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// #define NAND_BOOTING_NAND_FS_BASE_ADDRESS 0x02000000 这一行确定文件系统的起始地址，这里是0x02000000，说明我们分配的Code Region是32M，剩余的96M就是文件系统区域了；

#define NAND_BOOTING_NAND_FS_SIZE 0x06000000 这一行确定文件系统的大小，0x06000000也就是96M了；

#define NAND_BOOTING_NAND_FS_FIRST_DRIVE_SECTORS 180000 这一行确定文件系统的第一个分区的大小，如果没有额外的分区，可以将这一行设为0，这里我们的设置是180000，则文件系统的第一个分区大小是90000K，这样留给用户使用的话机空间大概是87M。

/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// 这样，文件系统还剩一个9M左右的分区，这个分区保存了下面这些内容：

1.NVRAM的数据；

2.wap，eMail，Java等相应的设置；

3.上网记录，播放器播放记录等一些日志文件；

4.其他一些我们使用过程中产生的文件；

上面这些数据都是以文件的形式保存在文件系统的这个分区中的，参考下图应该可以有一个直观的了解。

DS635的flash memory划分

在MTK的平台上配置一个NVRAM项目分3个区域：

1.MT region：这个区域是系统相关NVRAM使用的，不向所有的用户开放，所以通常我们不要向这个区域添加内容；

2.MP region：这个区域是应用相关NVRAM使用的，作为用户我们通常也不要向这个区域添加内容；

3.CT region：这个区域是MTK专门给用户添加NVRAM使用的，我们添加新的NVRAM项目应尽量在这个区域；

在MTK的平台上添加一个NVRAM项目有3部分的工作要做：

1.在下面的文件中定义新的NVRAM项目的LID（Logical Data Item ID），size 和total number：

nvram_data_items.h for MT region

nvram_common_defs.h for MP region

nvram_user_defs.h for CT region

2.在下面的文件中设置新定义NVRAM项目的数据项和默认值：

nvram_data_items.c for MT region

nvram_common_config.h for MP region

nvram_user_config.h for CT region

3.在下面的文件中提供新定义NVRAM项目的版本和结构：

nvram_editor_data_item.h for MT region

common_nvram_editor_data_item.h for MP region

custom_nvram_editor_data_item.h for CT region

具体的添加过程分如下几步(以在CT region添加super key为例)：

Step1.在nvram_user_defs.h中定义新的LID：

typedef enum

{

NVRAM_EF_PHONY_LID = NVRAM_LID_CUST_BEGIN,

NVRAM_EF_NEW_VOIP_PROF_LID,

/* Don't remove this line: insert LID definition above */

…………

NVRAM_EF_SUPER_KEY_LID,

/* Add new entry in the tail without its compile option*/

NVRAM_EF_LAST_LID_CUST

} nvram_lid_cust_enum;

Step2.在nvram_user_defs.h中定义新NVRAM项的size和total：

#define NVRAM_EF_SUPER_KEY_SIZE 4

#define NVRAM_EF_SUPER_KEY_TOTAL 1

Step3.在custom_nvram_editor_data_item.h中定义新NVRAM项的V ersion：#define NVRAM_EF_SUPER_KEY_LID_VERNO "000"

Step4.在nvram_user_config.h中设置新定义NVRAM项目的默认值：

kal_uint8 const NVRAM_EF_ SUPER_KEY _DEFAULT[NVRAM_EF_SUPER_KEY_SIZE]={0x00}; Step5在nvram_user_config.h中设置新定义NVRAM项目的数据项：

{

NVRAM_EF_SUPER_KEY_LID, /* LID */

NVRAM_EF_SUPER_KEY_SIZE, /** Size **/

NVRAM_EF_SUPER_KEY_TOTAL, /** Total **/

NVRAM_NORMAL((kal_uint8*)NVRAM_EF_ZERO_DEFAULT), /** Default value **/ NVRAM_A TTR_A VERAGE, /* Attributes */

NVRAM_CA TEGORY_USER, /* Category */

"CT12", /* Prefix */

VER(NVRAM_EF_SUPER_KEY_LID), /* V erno */

"SUPER KEY\0", /* Description*/

(kal_uint8)NVRAM_INV ALID_V ALUE, /* Reserved. record ID is calculated by NVRAM */ }

做完这几步，添加新NVRAM项的工作就基本完成了，需要说明的是，上面这些NVRAM相关的信息及默认值都是随code一起保存在Code Region里的，之后机器会在之前提到的File System Region中用来保存系统数据的空间那个分区内建立NVRAM的文件，我们对NVRAM的写入、读取和修改是在这里保存记录的。个人对文档的理解有限，有不对或需要补充的地方请大家指点吧^^

-------高允沛

备注：

NVRAM，简称非易失性随机访问存储器（Non –V olatile Random Access Memory）,是指断电后仍能保持数据的一种RAM。

断电后数据仍然能保留的半导体存储器，业界统称为非易失性访问存储器，举个例子来说，身边到处可见的U盘、数码相机、可拍照手机、PDA(Personal Digital Assistant,掌上电脑)、以及其中的存储卡（如CF、SD等等），无一例外地仰仗着NVRAM技术的支持。

随着移动设备、便携式设备和无线设备的迅猛发展，NVRAM也遇到了前所未有的好时机，并迅速走俏市场。日前，在多种NVRAM中，以闪存（Flash Memory）技术最为引人注目，并占据着NVRAM市场的霸主地位。尽快现在不同于闪存技术的其他NVRAM技术已经出现，并逐渐被一些厂商重视并看好，但是近几年内，闪存仍将以其强大的优势称霸NVRAM应用市场。

移动市场和无线市场的强大需求为NVRAM带来了市场机会，同时也对NVRAM提出了更高的要求，更快的速度、更大的容量、更高的整合度以及更低的能耗始终是NVRAM 的奋斗目标。

参考文档：05_NVRAM_Customization.pdf