2N5876中文资料(Inchange Semiconductor)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
硅PNP功率晶体管
描述
?With TO-3封装
?Low集电极饱和电压
·补充键入2N5877 2N5878
应用
?For通用功率放大器
和交换应用
钉扎
PIN
1 2 3Base
发射器
集电极
描述
2N5875 2N5876
图1简化外形（TO-3）和符号
绝对最大额定值（Ta =℃)
符号参数
2N5875 V CBO集电极基极电压
2N5876
2N5875 V CEO集电极 - 发射极电压
2N5876
V EBO I C I CM I B P D T j T stg 发射极基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功率耗散
结温
储存温度
T C=25℃
集电极开路
开基
-80
-5
-10
-20
-4
150
200
-65~200
V
A
A
A
W
℃
℃
打开发射器
-80
-60
V
条件VALUE
-60
V
UNIT
热特性
符号
R th j-c
参数
热阻结到外壳
VALUE
1.17
UNIT
℃/W
特性
除非另有说明TJ = 25℃
符号参数
2N5875
I C=-0.2A ;I B=0
2N5876
V CEsat-1 V CEsat-2 V BEsat V BE I CBO 集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
上电压基极 - 发射
集电极截止电流
2N5875
I CEO集电极截止电流
2N5876
I CEX I EBO h FE-1 h FE-2 h FE-3 f T 集电极截止电流
发射极截止电流
DC电流增益
DC电流增益
DC电流增益
Trainsistion频率
V CE=-40V; I B=0
V CE=ratedV CE; V BE=1.5V
T C=150℃
V EB=-5V; I C=0
I C=-1A ; V CE=-4V
I C=-4A ; V CE=-4V
I C=-10A ; V CE=-4V
I C=-0.5A ; V CE=-10V;f=1MHz
35
20
4
4MHz
100
-0.5
-5.0
-1.0
mA
mA
I C=-5A;I B=-0.5A
I C=-10A;I B=-2.5A
I C=-10A;I B=-2.5A
I C=-4A ; V CE=-4V
V CB=ratedV CBO; I B=0
V CE=-30V; I B=0
-1.0mA
-80
-1.0
-3.0
-2.5
-1.5
-0.5
V
V
V
V
mA
条件MIN
-60
V
TYP.MAX UNIT
V CEO(SUS)集电极 - 发射极
维持电压
2
包装外形
图2外形尺寸（unindicated公差：±0.10mm）
3