晶丰 BP9022_CN_DS_Rev_1.0

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三极管在电路中的使用(超详细 有实例)

一种三极管开关电路设计 三极管除了可以当做交流信号放大器之外,也可以做为开关之用。严格说起来,三极管与一般的机械接点式开关在动作上并不完全相同,但是它却具有一些机械式开关所没有的特点。图1所示,即为三极管电子开关的基本电路图。由图可知,负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间,而位居三极管主电流的回路上。 输入电压Vin则控制三极管开关的开启(open)与闭合(closed)动作,当三极管呈开启状态时,负载电流便被阻断,反之,当三极管呈闭合状态时,电流便可以流通。详细的说,当Vin为低电压时,由于基极没有电流,因此集电极亦无电流,致使连接于集电极端的负载亦没有电流,而相当于开关的开启,此时三极管乃胜作于截止(cut off)区。 同理,当Vin为高电压时,由于有基极电流流动,因此使集电极流过更大的放大电流,因此负载回路便被导通,而相当于开关的闭合,此时三极管乃胜作于饱和区(saturatiON)。 1 三极管开关电路的分析设计 由于对硅三极管而言,其基射极接面之正向偏压值约为0.6伏特,因此欲使三极管截止,Vin必须低于0.6伏特,以使三极管的基极电流为零。通常在设计时,为了可以更确定三极管必处于截止状态起见,往往使Vin值低于0.3伏特。(838电子资源)当然输入电压愈接近零伏特便愈能保证三极管开关必处于截止状态。欲将电流传送到负载上,则三极管的集电极与射极必须短路,就像机械开关的闭合动作一样。欲如此就必须使Vin达到够高的准位,以驱动三极管使其进入饱和工作区工作,三极管呈饱和状态时,集电极电流相当大,几乎使得整个电源电压Vcc均跨在负载电阻上,如此则VcE便接近于0,而使三极管的集电极和射极几乎呈短路。在理想状况下,根据奥姆定律三极管呈饱和时,其集电极电流应该为: 因此,基极电流最少应为:

三极管输入输出特性测试(—)

电路分析实验报告 三极管输入输出特性测试(—) 一、实验摘要 通过对三极管输入回路和输出回路电压和电流的测量,得到三极管的输入特性和输出特性数据。 二、实验环境 三极管电阻电位器直流电源万用表 三、实验原理

三极管外部各极电压和电流的关系曲线,称为三极管的特性曲线,又称伏安特性曲线。它不仅能反映三极管的质量与特性,还能用来定量地估算出三极管的某些参数,是分析和设计三极管电路的重要依据。 四、实验步骤 在面包板上搭建电路 设定直流电源输入/输出电流和 5v 0.1A 0V/1V/2V 0.1A 电压 调节电位器改变分压 记录电压电流得到三极管特性曲线

五、实验数据 VCE=0V V/v 0.5 0.625 0.628 0.648 0.652 0.659 0.664 0.706 I/A 0.00337 0.04928 0.06074 0.1208 0.14025 0.17675 0.20929 0.84831 VCE=1V V/v 0.613 0.755 0.756 0.763 0.773 0.779 0.784 0.788 I/A 0.00709 0.5514 0.61795 0.6531 0.7683 0.7836 0.85145 1.14519

VCE=2V V/v 0.757 0.762 0.774 0.781 0.783 0.786 0.791 0.793 I/A 0.54868 0.58846 0.86204 0.9535 1.10292 1.55215 1.56623 2.48202 六、实验总结 在本次实验中了解到了三极管的输入特性和输出特性以及 三极管的特性曲线。但是自己数据取的不好,特性图画出来不是很好。

晶丰明源2020年三季度财务分析详细报告

晶丰明源2020年三季度财务分析详细报告 一、资产结构分析 1.资产构成基本情况 晶丰明源2020年三季度资产总额为155,991.21万元,其中流动资产为134,581.97万元,主要以交易性金融资产、应收账款、货币资金为主,分别占流动资产的38.99%、17.59%和16.75%。非流动资产为21,409.25万元,主要以商誉、无形资产、固定资产为主,分别占非流动资产的36.21%、17.54%和11.11%。 资产构成表(万元) 项目名称 2019年三季度2020年三季度 数值百分比(%) 数值百分比(%) 总资产0 - 54,809.23 100.00 流动资产0 - 52,071.03 95.00 交易性金融资产0 - 0 - 应收账款0 - 16,076.39 29.33 货币资金0 - 14,327.22 26.14 非流动资产0 - 2,738.2 5.00 商誉0 - 0 - 无形资产0 - 866.7 1.58 固定资产0 - 0 -

2.流动资产构成特点 企业持有的货币性资产数额较大,约占流动资产的55.74%,表明企业的支付能力和应变能力较强。但应当关注货币性资产的投向。 流动资产构成表(万元) 项目名称 2019年三季度2020年三季度 数值百分比(%) 数值百分比(%) 流动资产0 - 52,071.03 100.00 交易性金融资产0 - 0 - 应收账款0 - 16,076.39 30.87 货币资金0 - 14,327.22 27.51 存货0 - 11,793.56 22.65 预付款项0 - 6,184.06 11.88 3.资产的增减变化 2020年三季度总资产为155,991.21万元,与2019年三季度的 54,809.23万元相比成倍增长,增长1.85倍。

晶型转变的影响因素

影响晶型转变的因素 众所周知,结构决定性质,而对于晶体来说,当外界条件变化时,晶体结构形式发生改变,碳、硅、金属的单质、硫化锌、氧化铁、二氧化硅以及其他很多物质都具有这一现象,所以本文通过查阅文献举例说明影响晶型的一些因素,主要有温度、压力、粒度和组成。 一、温度 温度对晶型影响比较复杂,当温度升高时,晶体中的分子或某些离子团自由旋转,取得较高的对称性,而改变晶体的结构。下面举例说明: (1) BaO·Al2O3·SiO2(BAS)系微晶玻璃的主晶相为钡长石。钡长石主要的晶型有单斜钡长石(monoclinic celsian)、六方钡长石( hexa celsian)和正交钡长石(orthorhombic celsian),三者的关系如图1所示: Fig. 1 The phase transformation of celsian 由图中我们可以看到:六方钡长石膨胀系数高,为8. 0×10-6/℃,而且在300℃左右会发生其向正交钡长石的可逆转变,转变过程中伴随着3-4%的体积变化。 (2)当预热温度小于400℃时,反应所得到的产物氧化铝为非晶态的A12O3。非晶A12O3。在热力学上是一种亚稳状态,所以它有向晶态转化的趋势。当温度不够高时,非晶A12O3中的原子的运动幅度较小,同时晶化所必不可少的晶核的形成和生长都比较困难,因此非晶态向晶态的转化就不易。为研究所制备的非晶A12O3。向晶态Al2O3转变的规律,我们把在300℃时点火得到的非晶A12O3 进行了锻烧处理,结果见表2:

Fig.1 XRD Patterns of Produets kept for 1.5h at 700一900℃

深入理解三极管

晶体三极管作为一个常用器件,是构成现代电子世界的重要基石。然而,传统的教科书对其工作原理的讲述却存在有很大问题,使初学者对三极管的工作原理无法正常理解,感到别扭与迷茫。 晶体三极管原理问题的关键在于晶体三极管原理问题的关键在于::集电结为什么会反向导通?这与晶体二极管原理中强调的PN 结单向导电特性单向导电特性((反向截止反向截止))严重矛盾严重矛盾。。 三极管原理,传统讲解方法中存在的问题概括起来主要有以下三点: 1 严重割裂晶体二极管与三极管在原理上的自然联系。没有真正说明三极管集电结为何会发生反偏导通并产生Ic ?这看起来与二极管原理强调的PN 结单向导电性相矛盾。 2 不能说明放大状态下集电极电流Ic 为什么只受控于电流Ib 而与电压无关;即:Ic 与Ib 之间为什么存在着一个固定的放大倍数β关系。 3 不能说明饱和状态下,Vc 电位很弱的情况下,为什么集电结仍然会反向导通并且有反向大电流Ic 通过。 很多教科书对于这部分内容,在讲解方法上都存在有很大问题。有一些针对初、中级学者的普及性教科书,干脆采用了回避的方法,只给出结论却不讲原因。既使专业性很强的教科书,采用的讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题。这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当,致使逻辑混乱,讲解内容前后矛盾,甚至造成讲了还不如不讲的效果,使很多初学者常常产生一头雾水的感觉。 笔者根据多年的总结思考与教学实践,对于这部分内容摸索出了一个适合于自己教学的新讲解方法,并通过具体的教学实践收到了一定效果。虽然新的讲解方法也肯定会有所欠缺,但本人还是怀着与同行共同探讨的愿望不揣冒昧把它写出来,以期能通过同行朋友的批评指正来加以完善。 一、 传统讲法及问题: 传统讲法一般分三步,以NPN 型为例(以下所有讨论皆以NPN 型硅管为例),如示意图A 。“1 发射区向基区注入电子;2 电子在基区的扩散与复合;3 集电区收集由基区扩散过来的电子。”注 1 问题1:这种讲解方法在第3步中,讲解集电极电流Ic 的形成原因时,不是着重地从载流子的性质方面说明集电结的反偏导通,从而产生了Ic ,而是极不恰当地着重地强调了Vc 的高电位作用,同时又强调基区的薄。这种强调很容易使人产生误解——以为只要Vc 足够大基区足够薄,集电结就可以反向导通,PN 结的单向导电性就会失效。这是让初学者很容易产生一系列模糊认识的根源。 这正好与三极管的电流放大原理严重地矛盾这正好与三极管的电流放大原理严重地矛盾。。三极管的电流放大原理恰恰要求在放大状态下Ic 与Vc 在数量上必须无关数量上必须无关,,Ic 只能受只能受控于控于Ib 。

电源及晶丰明源IC培训教程

电源及晶丰明源IC培训教程 一、输入电压、功率因数。 1、通常输入电压分为单电压输入及全电压输入。 ①单电压是指85-132V与176-265V。 85-135V电源或灯具会销往美国、日本、台湾、加拿大、朝鲜、巴拿马、古巴、黎巴嫩、墨西哥;等地方。 其它国家输入电压都是在176-265V。 ②全电压是指85-265V。 2、功率因数(PFC) ①功率因数分为高功率因数和低功率因数两种。 高功率因数指PFC≧0.9 低功率因数指PFC在0.5左右,功率因素值越大,代表其电力利用率越高。 ②功率因数可通过功率计测出。 二、晶丰明源IC解析。 1、晶丰明源IC 主要分为、隔离电源IC、非隔离电源IC、 非隔离线性恒流IC、调光IC、低压DC—DC 。 ①隔离电源IC又分为高功率因数和低功率因数两种。 晶丰BP33X 些列为高功率因数隔离IC,BP31X BP90X 些列为低功率因数隔离IC。

p ②非隔离电源IC 也分为 高功率因数 和 低功率因数 两种。 芯片型号 输入电压 PF 功率 驱动电源特点 BP9020A 176~264VAC 0.5 3W 内置功率MOSFET ;双绕组变压器;仅10个外围元件;原边 反馈;低成本 BP9021A 100~264VAC 0.5 3W 内置功率MOSFET ;双绕组变压器;仅10个外围元件;原边 反馈;低成本 BP9022A 100~264VAC 0.5 5W 内置功率MOSFET ;双绕组变压器;仅10个外围元件;原边 反馈;低成本 BP3122 100~264VAC 0.5 5W 内置功率MOSFET ;双绕组变压器;原边反馈;低成本。 BP3123 100~264VAC 0.5 5W 内置功率MOSFET ;双绕组变压器;原边反馈;过认证。 BP3132A 100~264VAC 0.5 5W 内置功率MOSFET ;双绕组变压器;原边反馈;过认证。 BP3133A 100~264VAC 0.5 5-7W 内置功率MOSFET ;原边反馈;低成本 BP3135 100~264VAC 0.5 5-7W 内置功率MOSFET ;原边反馈;低成本 BP3115 100~264VAC 0.5 7-9W 内置功率MOSFET ;原边反馈;低成本 BP3125 100~264VAC 0.5 8-12W 内置功率MOSFET ;原边反馈;低成本 BP3116 100~264VAC 0.5 12-18W 内置功率MOSFET ;原边反馈;低成本 BP3126 100~264VAC 0.5 18-24W 内置功率MOSFET ;原边反馈;低成本 BP3135D 100~264VAC 0.5 8-12W 内置功率MOSFET ;双绕组变压器;仅10个外围元件;原边 反馈;低成本 BP3136D 100~264VAC 0.5 12-18W 内置功率MOSFET ;双绕组变压器;仅10个外围元件;原边 反馈;低成本 BP3137D 100~264VAC 0.5 内置功率MOSFET ;双绕组变压器;仅10个外围元件;原边 反馈;低成本 BP3105 100~264VAC 0.5 24-50W 原边反馈、恒流一致性好、低成本。 BP3106 100~264VAC 0.5 24-50W 原边反馈、恒流一致性好、低成本。 BP3315 100~264VAC ≧0.9 5-7W 原边反馈APFC ;内置高压功率MOSFET ; 温度控制技术确保高温工作不闪烁;过认证 BP3316D 100~264VAC ≧0.9 8-12W 原边反馈APFC ;内置高压功率MOSFET ; 温度控制技术确保高温工作不闪烁;过认证 BP3309 100~264VAC ≧0.9 12-36W 原边反馈APFC ;启动时间小于200mS ;过认证 BP3319 100~264VAC ≧0.9 12-60W 原边反馈APFC ;温度控制技术确保高温工作不闪烁;过认 证 BP3319M 100~264VAC ≧0.9 12-60W 原边反馈APFC ;温度控制技术确保高温工作不闪烁;过认 证

多晶型及其检测

多晶型及其检测 多晶型是某些化合物所具有的性能,能够以两种或多种结构不同的形式结晶。能以不同晶形存在的物质称为多晶体。不同晶形的物质具有非常不同的物理、化学或生物性能,有时在药物至食品的一系列行业中具有重要的价值。 如上所述,物质的各个多晶体形态在主要的物理性能方面各不相同,例如熔融温度、颜色、溶解性、折光指数、硬度或导电导热性。然而,不同的晶形在熔融时得到同一个液相。 多晶体为同素异形现象,例如表现为硫、碳(石墨、钻石)、磷和大量矿物和有机化合物。聚合物也会以多晶体形式出现,例如全同立构聚丙烯或聚四氟乙烯。 药物多晶体[1]具有极大的实际重要性。由于各个多晶体的溶解性和分解性能常常非常不同,所以在人体中的再吸收和生物药效率[2]也不同。因此,治疗功效取决于存在的晶形,例如亚稳晶形的活性可能是稳定晶形的两倍。 多晶型不仅对药理功效很重要,而且甚至在多晶型物质的生产(结晶和干燥条件)、加工和成型(黏性、流动性外观)的开始阶段也很重要。 各个晶形在特定温度范围内是稳定的,可用希腊字母(α、β)或罗马数字(I、II、III)表示。此外,亚稳态晶形也能存在,为了有所区别,例如表示为α'。它们向稳定形的逐渐转变需要若干个小时,有时甚至几年。实践中,将多晶体类型区分为互变形和单变形两类: y可逆的固-固转变称为互变形,见图13.1左。由低温α形态向高温β形态的α→β转变是吸热的,因而α形态的熔融焓高于β形态的熔融焓[3]。当然,α形态的熔点只有当α→β转变很慢时才能观察到; y放热的亚稳态变为稳定态的固 固转变称为单变形,因为转变只向单方向进行并不可逆转,见图13.1右。较低温度熔融的β'晶形的熔融焓通常小于较高温度熔融的稳定态β的熔融焓 [1]。熔融热之差等于单向转变焓。根据Ostwald规则,较不稳定的晶形常常在由熔体冷却时先 结晶,然后逐步转变到更稳定的形态。该过程称为Ostwald熟化。在DSC中,通过慢慢加热无定形物质(由熔体骤冷得到)至玻璃化转变温度以上,常常可得到亚稳态晶形[4]。也可从特定溶剂的溶液结晶得到亚稳态晶形。 许多化合物在由溶液结晶析出时形成具有不同物理性能的溶剂化物。如果溶剂是水,则称为水合物。如果将这种溶剂化物在气密耐压的容器内加热,则在比非溶剂化的化合物低得多的温度下熔融。不同的熔融温度与多晶型化合物类似,因而其行为常称为假多晶型[2]。 有些由拉伸的具有偶极性能的分子组成的有机化合物,在单次转变中不能达到各向同性的液体聚集态。在熔融过程以上温度出现称为中间相的特殊液相。该相为存在于晶相和各向同性液相间的液晶相。继续加热时形成各向同性的液相。还有加热时首先形成塑性晶态的类似球体的分子,继续加热时得到各向同性的熔体。

三极管当开关使用

三极管开关电路设计 一、概述 三极管除了可以当做交流信号放大器之外,也可以做为开关之用。图1所示,即为三极管电子开关的基本电路图。 图1基本的三极管开关 由图1可知,负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间,而位居三极管主电流的回路上,输入电压V in则控制三极管开关的开启(open)与闭合(closed)动作,当三极管呈开启状态时,负载电流便被阻断,反之,当三极管呈闭合状态时,电流便可以流通。详细的说,当V in为低电压时,由于基极没有电流,因此集电极亦无电流,致使连接于集电极端的负载亦没有电流,而相当于开关的开启,此时三极管工作于截止(cutoff)区;当V in为高电压时,由于有基极电流流动,因此使集电极流过更大的放大电流,因此负载回路便被导通,而相当于开关的闭合,此时三极管工作于饱和区(saturation)。 二、三极管开关电路的分析设计 由于对硅三极管而言,其基射极接面之正向偏压值约为0.6V,因此欲使三极管截止,V in必须低于0.6V,以使三极管的基极电流为零。通常在设计时,为了可以更确定三极管必处于截止状态起见,往往使V in值低于0.3V。当然输入电压愈接近0V便愈能保证三极管开关必处于截止状态。欲将电流传送到负载上,则三极管的集电极与射极必须短路,就像机械开关的闭合动作一样。欲如此就必须使V in达到够高的准位,以驱动三极管使其进入饱和工

作区工作,三极管呈饱和状态时,集电极电流相当大,几乎使得整个电源电压Vcc 均跨在负载电阻上,如此则V CE 便接近于0,而使三极管的集电极和射极几乎呈短路。在理想状况下,根据欧姆定律,三极管呈饱和时,其集电极电流应该为: LD R CC V )(C I =饱和因此,基极电流最少应为: LD R *CC V )(C I )(B I β=β=饱和饱和………………………………………………(式1)上式表出了I C 和I B 之间的基本关系,式中的β值代表三极管的直流电流增益,对某些三极管而言,其交流β值和直流β值有着很大的差异。欲使开关闭合,则其Vin 值必须够高,以送出超过或等于(式1)式所要求的最低基极电流值。由于基极回路只是一个电阻和基射极接面的串联电路,故Vin 可由下式来求解:V 6.0B R *)(B I in V +=饱和V 6.0LD R *B R *CC V in V +β=……………………………………………………(式2)一旦基极电压超过或等于(式2)式所求得的数值,三极管便导通,使全部的供应电压均跨在负载电阻上,而完成了开关的闭合动作。 为了方便讨论,本文所介绍的三极管开关均采用NPN 三极管,当然PNP 三极管亦可以被当作开关来使用,只是比较不常见罢了。 例题1 试解释出在图2的开关电路中,欲使开关闭合(三极管饱和)所须的输入电压为何,并解释出此时之负载电流与基极电流值。 图2用三极管作为灯泡开关

晶型药物常用的检测分析方法

晶型药物常用的检测分析方法 (2012-02-08 13:54:05) 物质在结晶时由于受各种因素影响,使分子内或分子间键合方式发生改变,致使分子 或原子在晶格空间排列不同,形成不同的晶体结构。同一物质具有两种或两种以上的空间排列和晶胞参数,形成多种晶型的现象称为多晶现象(polymorphism)。虽然在一定的温度和压力下,只有一种晶型在热力学上是稳定的,但由于从亚稳态转变为稳态的过程通常非常缓慢,因此许多结晶药物都存在多晶现象。固体多晶型包括构象型多晶型、构型型多晶型、色多晶型和假多晶型。 药物分子通常有不同的固体形态,包括盐类,多晶,共晶,无定形,水合物和溶剂合物;同一药物分子的不同晶型,在晶体结构,稳定性,可生产性和生物利用度等性质方面可能会有显著差异,从而直接影响药物的疗效以及可开发性。如果没有很好的评估并选择最佳的药物晶型进行研发,可能会在临床后期发生晶型的变化,从而导致药物延期上市而蒙受巨大的经济损失,如果上市后因为晶型变化而导致药物被迫撤市,损失就更为惨重。因此,药物晶型研究和药物固态研发在制药业具有举足轻重的意义。 由于药物晶型的重要性,美国药监局(FDA)和中国药监局(SFDA)在药物申报中对此提 出了明确规定,要求对药物多晶型现象进行研究并提供相应数据。正因如此,任何一个新药的研发,都要进行全面系统的多晶型筛选,找到尽可能多的晶型,然后使用各种固态方法对这些晶型进行深入研究,从而找到最适合开发的晶型;选定最佳晶型后,下一步就是开发能始终如一生产该晶型的化学工艺;最后一步是根据制剂对原料药固态性质的要求,对结晶工艺进行优化和控制,确定生产具有这些固态性质的最佳工艺参数,从而保证生产得到的晶型具有理想的物理性质,比如晶体表象,粒径分布,比表面积等。这种通过实验设计来保证质量的方法必须对药物晶型具有非常全面深刻的理解才能实现。 原研药公司对药物分子的晶型申请专利,可以延长药物的专利保护,从而使自己的产 品具有更长时间的市场独享权。而对于仿制药公司来说,为了确保仿制药和原研药在生物利用度上的等同性,也需要对原料药的晶型进行研究,以确保原料药和制剂的质量,正因为如此美国药监局在ANDA申报中也对仿制药多晶型控制有明确的指南;另外,开发出药物的 新晶型从而能够打破原研药公司对晶型的专利保护,提早将仿制药推向市场,也是近年来仿制药公司一个至关重要的策略,而且如果能找到在稳定性,生物利用度,以及生产工艺方面具有优越性的新晶型,还可以申请晶型专利保护,从而大大提升自己的市场竞争力。总之,不管是新药开发,还是仿制药生产,药物晶型研究都是必不可少的中心环节。 目前鉴别晶型主要是针对不同的晶型具有不同的理化特性及光谱学特征来进行的,现 将几种常用且特征性强、区分度高的方法介绍如下,以供参考。 1 X-射线衍射法(X-ray diffraction) X-射线衍射是研究药物晶型的主要手段,该方法可用于区别晶态和非晶态,鉴别晶体的品种,区别混合物和化合物,测定药物晶型结构,测定晶胞参数(如原子间的距离、环平面的距离、双面夹角等),还可用于不同晶型的比较。X-射线衍射法又分为粉末衍射和单晶 衍射两种,前者主要用于结晶物质的鉴别及纯度检查,后者主要用于分子量和晶体结构的测定。

三极管主要参数

特征频率f T :当f= f T时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于f T,电路将不正常工作. 工作电压/电流 用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围. h FE 电流放大倍数. V CEO 集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压. P CM 最大允许耗散功率. 封装形式 指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在电路板上实现. 晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用,在常见电路中有三种接法。为了便于比较,将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表,供大家参考。 名称共发射极电路共集电极电路(射极输出器)共基极电路 输入阻抗中(几百欧~几千欧)大(几十千欧以上)小(几欧~几十欧) 输出阻抗中(几千欧~几十千欧)小(几欧~几十欧)大(几十千欧~几百千欧) 电压放大倍数大小(小于1并接近于1)大 电流放大倍数大(几十)大(几十)小(小于1并接近于1) 功率放大倍数大(约30~40分贝)小(约10分贝)中(约15~20分贝) 频率特性高频差好好 应用多级放大器中间级低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路 三极管的三种工作状态 三极管的三种工作状态(放大、截止、饱和); 放大电路的静态、动态;直流通路、交流通路; 截止状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。一般将IB≤0的区域称为截止区, 在图中为IB=0的一条曲线的以下部分。此时IC也近似为零。由于各极电流都基本上等于零, 因而此时三极管没有放大作用。 其实IB=0时, IC并不等于零, 而是等于穿透电流ICEO。 一般硅三极管的穿透电流小于1μA, 在特性曲线上无法表示出来。锗三极管的穿透电流约几十至几百微安。 当发射结反向偏置时, 发射区不再向基区注入电子, 则三极管处于截止状态。所以, 在截止区, 三极管的两个结均处于反向偏置状态。对NPN三极管, UBE<0, UBC<0。 放大状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。此时发射结正向运用, 集电结反向运用。在曲线上是比较平坦的部分, 表示当IB一定时, IC的值基本上不随UCE而变化。在这个区域内,当基极电流发生微小的变化量ΔIB时, 相应的集电极电流将产生较大的变化量ΔIC, 此时二者的关系为 ΔIC=βΔIB 该式体现了三极管的电流放大作用。 对于NPN三极管, 工作在放大区时UBE≥0.7V, 而UBC<0。 饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。曲线靠近纵轴附近, 各条输出特性曲线的上升部分属于饱和区。在这个区域, 不同IB值的各条特性曲线几乎重叠在一起, 即当UCE较小时, 管子的集电极电流IC基本上不随基极电流IB而变化, 这种现象称为饱和。此时三极管失去了放大作用, IC=βIB或ΔIC=βΔIB关系不成立。

晶型的表征方法

药物晶型 物质在结晶时由于受各种因素影响,使分子内或分子间键合方式发生改变,致使分子或原子在晶格空间排列不同,形成不同的晶体结构。同一物质具有两种或两种以上的空间排列和晶胞参数,形成多种晶型的现象称为多晶现象(polymorphism)。虽然在一定的温度和压力下,只有一种晶型在热力学上是稳定的,但由于从亚稳态转变为稳态的过程通常非常缓慢,因此许多结晶药物都存在多晶现象。固体多晶型包括构象型多晶型、构型型多晶型、色多晶型和假多晶型。 同一药物的不同晶型在外观、溶解度、熔点、溶出度、生物有效性等方面可能会有显著不同,从而影响了药物的稳定性、生物利用度及疗效,该种现象在口服固体制剂方面表现得尤为明显。药物多晶型现象是影响药品质量与临床疗效的重要因素之一,因此对存在多晶型的药物进行研发以及审评时,应对其晶型分析予以特别的关注。目前鉴别晶型主要是针对不同的晶型具有不同的理化特性及光谱学特征来进行的,现将几种常用且特征性强、区分度高的方法介绍如下,以供参考。 1 X-射线衍射法(X-ray diffraction) X-射线衍射是研究药物晶型的主要手段,该方法可用于区别晶态和非晶态,鉴别晶体的品种,区别混合物和化合物,测定药物晶型结构,测定晶胞参数(如原子间的距离、环平面的距离、双面夹角等),还可用于不同晶型的比较。X-射线衍射法又分为粉末衍射和单晶衍射两种,前者主要用于结晶物质的鉴别及纯度检查,后者主要用于分子量和晶体结构的测定。 1.1 粉末衍射粉末衍射是研究药物多晶型的最常用的方法。粉末法研究的对象不是单晶体,而是众多取向随机的小晶体的总和。每一种晶体的粉末X-射线衍射图谱就如同人的指纹,利用该方法所测得的每一种晶体的衍射线强度和分布都有着特殊的规律,以此利用所测得的图谱,可获得出晶型变化、结晶度、晶构状态、是否有混晶等信息。该方法不必制备单晶,使得实验过程更为简便,但在应用该方法时,应注意粉末的细度,而且在制备样品时需特别注意研磨过筛时不可发生晶型的转变。 1.2 单晶衍射单晶衍射是国际上公认的确证多晶型的最可靠方法,利用该方法可获得对晶体的各晶胞参数,进而确定结晶构型和分子排列,达到对晶型的深度认知。而且该方法还可用于结晶水/溶剂的测定,以及对成盐药物碱基、酸根间成键关系的确认。然而,由于较难得到足够大小和纯度的单晶,因此该方法在实际操作中存在一定困难。 2 红外吸收光谱法 不同晶型药物分子中的某些化学键键长、键角会有所不同,致使其振动-转动跃迁能级不同,与其相应的红外光谱的某些主要特征如吸收带频

三极管基本知识全归纳

1、三极管的正偏与反偏:给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏,否则就是反偏。即当P区(阳极)电位高于N区电位时就是正偏,反之就是反偏。例如NPN型三极管,位于放大区时,Uc>Ub集电极反偏,Ub>Ue 发射极正偏。总之,当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时,则为正偏,反之为反偏。 NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。 NPN是用B—E的电流(IB)控制C—E的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即VC>VB>VE。

PNP是用E—B的电流(IB)控制E—C的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即VC发射极电压Ue,集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。放大条件:NPN管:Uc>Ub>Ue;PNP管:Ue>Ub>Uc。 (2)饱和区:发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。即饱和导通条件:NPN管:Ub>Ue,Ub>Uc,PNP型管:Ue>Ub,Uc>Ub。饱合状态的特征是:三极管的电流Ib、Ic 都很大,但管压降Uce 却很小,Uce≈0。这时三极管的c、e 极相当于短路,可看成是一个开关的闭合。饱和压降,一般在估算小功率管时,对硅管可取0.3V,对锗管取0.1V。此时的,iC几乎仅决定于Ib,而与Uce无关,表现出Ib对Ic的控制作用。 (3)截止区:发射结反偏,集电结反偏。由于两个PN 结都反偏,使三极管的电流很小,Ib≈0,Ic≈0,而管压降Uce 却很大。这时的三极管c、e 极相当于开路。可以看成是一个开关的断开。 3、三极管三种工作区的电压测量 如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态?用电压表测基极与射极间的电压Ube。 饱和状态eb有正偏压约0.65V左右,ce电压接近0V. 放大状态eb有正偏压约0.6V,ce电压大于0.6V小于电源电压. 截止状态eb电压低于0.6V,ce电压等于或接近电源.

三极管三种电路的特点

三极管三种电路的特点 1.共发射极电路特点 共射极电路又称反相放大电路,其特点为电压增益大,输出电压与输入电压反相,低频性能差,适用于低频、和多级放大电路的中间级 共发射极放大电路 共发射极的放大电路,如图2所示。 图2 共发射极放大电路 因具有电流与电压放大增益,所以广泛应用在放大器电路。其电路特性归纳如下: 输入与输出阻抗中等(Ri约1k~5k ;RO约50k)。 电流增益: 电压增益: 负号表示输出信号与输入信号反相(相位差180°)。 功率增益: 功率增益在三种接法中最大。 共发射极放大电路偏压

图4自给偏压方式 又称为基极偏压电路,最简单的偏压电路,稳定性差,容易受β值的变动影响,温度每升高10℃时,逆向饱和电流ICO增加一倍。温度每升高1℃时,基射电压VBE减少2.5mV ,β随温度升高而增加(影响最大) 。

图5带电流反馈的基极偏压方式 三极管发射极加上电流反馈电阻,特性有所改善,但还是不太稳定。 图6分压式偏置电路 此为标准低频信号放大原理图电路,其R1(下拉电阻)及R2为三极管偏压电阻,为三极管基极提供必要偏置电流,R3为负载电阻,R4为电流反馈电阻(改善特性),C3为旁路电容,C1及C3为三极管输入及输出隔直流电容(直流电受到阻碍),信号放大值则为R3/R4倍数.设计上注意: 三极管Ft值需高于信号放大值与工作频率相乘积,选择适当三极管集电极偏压、以避免大信号上下顶部失真,注意C1及C3的容量大小对低频信号(尤其是脉波)有影响.在R4并联一个C2,放大倍数就会变大。而在交流时C2将R4短路。 为什么要接入R1及R4? 因为三极管是一种对温度非常敏感的半导体器件,温度变化将导致集电极电流的明显改变。温度升高,集电极电流增大;温度降低,集电极电流减小。这将造成静态工作点的移动,有可能使输出信号产生失真。在实际电路中,要求流过R1和R2串联支路的电流远大于基极电流IB。这样温度变化引起的IB的变化,对基极电位就没有多大的影响了,就可以用R1和R2的分压来确定基极电位。采用分压偏置以后,基极电位提高,为了保证发射结压降正常,就要串入发射极电阻R4。 R4的串入有稳定工作点的作用。如果集电极电流随温度升高而增大,则发射极对地电位升高,因基极电位基本不变,故UBE减小。从输入特性曲线可知,UBE的减小基极电流将随之下降,根据三极管的电流控制原理,集电极电流将下降,反之亦然。这就在一定程度上稳定了工作点。分压偏置基本放大电路具有稳定工作点的作用,这个电路具有工作点稳定的特性。当流过R1和R2串联支路的电流远大于基极电流IB(一般大于十倍以上)时,可以用下列方法计算工作

三极管的使用方法

1.三极管工作状态的判断方法: 分析电路时,判断三极管的功能,如果能够知道该三极管三个管脚的电压和该三极管起得作用(放大还是开关),。对于NPN而言,如果Uc>Ub>Ue,该管处于放大状态,放大一定的电流,一般是在模拟电路中起了作用(此时Uce之间的电压是不确定的);如果Ub>Ue, Ub>Uc,该管处于饱和状态,c-e之间导通,其管压降为0.3-0.7V,与截止区相对立,此时该 二极管起到了开关的作用, 如图所示: 般应用在数字电路中。 3.72 12 * 饱和 3. 3 放大区截■ 止 3 区 3 区 对于PNP而言,当Ue>Ub>Uc即集电极反偏、发射极正偏,处于放大状态;当Ue>Ub 且 Uc>Ub(这时候,Uc^ Ue),即集电极和发射极都正偏,处于饱和状态。 2.三极管的使用方法: 我们经常在单片机系统中连接三极管起到开关的作用,经典电路如下图所示: 如果在单片机系统中出现三极管时,那么该三极管大多数甚至几乎全部情况下都会处于 开-关状态。因为单片机输出的都是数字量,要么是0,要么是1,不可能出现别的情况。因 此对应的三极管也要么开通,要么关断。 在上面电路中,如果按照开始时说的三极管状态的判别方法,是不行的。因为c点得工 作电压是不确定的(实际上在真正的电路中c点电压是确定的,但是从电路图中我们看不出 来)。真正的判断方法如下:当I/0引脚为高电平时,b点基极的电流是一定的,那么c点电 流也是一定的,而且是处在了三极管的饱和区,因此b点的电压为0.7v,三极管导通,贝U c 点的电压与e点压相同(比e点略大,约为0.5v,即为Uce),即OUT (输出端处于低电平)端为低电平状态。当I/0引脚为低电平时,NPN三极管断开,c-e之间不导通,那么此时 c 点(OUT)电位为高电平即VCC电压。这从而达到了用单片机引脚来控制Vcc的效果。 综上所述:当I/O为高电平,b-e之间有电压,三极管导通,c-e管压降小,OUT为低电平(Q 0.5);当I/O为低电平时,b-e之间没电压,三极管关断,c-e管压降非常大,OUT为高电平=Vcc; 上面就是NPN的使用方法。我们可以这么理解:在使用NPN时,要尽可能将e端接地,当b 端比e端至少高0.7v时,管子导通;否则管子断开。 同理,我们可以得出PNP三极管的使用电路和方法:

仿制药的晶型研究技术指导原则

仿制药的晶型研究技术指导原则

目录 I . ...............................................................................................................................................3 简介2II . .........................................................................................................3 术语定义:多晶型和多晶型III . .............................................................................................................3 药物固体多晶型一般原理A . .........................................................................................................3 药物固体多晶型的重要性B . .............................................................................................................................3 多晶型的特征C . . (3) 多晶型对原料药和制剂的影响1. .................................................3 对溶解性、溶解度、生物利用度和生物等效性的影响2. ..................................................................................................... 对药物制剂生产的影响453. ................................................................................................................. 对稳定性的影响IV . ..................................................................................................... 仿制药申请的多晶型和同一性55556789V . ..................................................................................................... 仿制药申请中对多晶型的考虑A . ......................................................................................... 评价建立多晶型质量标准的重要性B . ................................................................................................. 原料药多晶型质量标准的建立C . ..................................................................... 评价建立药物制剂中多晶型质量标准的重要性附件1 – 决策树1.......................................................................................................................................... 附件2 – 决策树2.......................................................................................................................................... 附件3 – 决策树3..........................................................................................................................................

有关“晶型”问题的药学技术审评要点(讨论稿)

有关“晶型”问题的药学技术审评要点(讨论稿) 审评二部20020606 晶型是化合物重要的理化性质之一。同一化合物可能因其制备工艺的差异(包括重结晶使用不同的溶剂),而呈不同的晶型。对于多晶型的药物,因晶型的不同,其理化性质如熔点、或溶解性、或稳定性,可能有所差异;且在不同条件下,各晶型之间可能会相互转化。这些差异可能会影响药物在体内的溶出、及其吸收,进而一定程度上影响其疗效和安全性;特别是一些难溶性的口服固体药物。在新药的技术审评过程中,对于不同类别的药物,如何制定并执行科学、客观、可行的“晶型”审评要点,是影响此类药物技术审评质量的要素之一。经过多次内部及与有关专家的讨论,现基本形成如下技术审评要点: 一、全新药物 为了了解药物的理化性质和药代动力学性质,为药物的质量标准的制订、给药途径及剂型的选择提供依据,一般要求进行有限的晶型方面的研究。主要内容如下: 1、研究不同晶型的制备方法,并提供能有效制备目的晶型的制备工艺。 2、比较各晶型间的有关理化性质的差异: ①熔点(mp):与DSC 、TG分析相结合。 ②溶解性。 ③稳定性。 ④红外吸收光谱。 ⑤粉末X—射线衍射图。 3、各晶型间的相互转化。 二、仿制已经上市的药品 为了保证药品的安全有效,对于仿制已经上市药品的品种,应该力求与被仿制品保持一致。 1、被仿制药为晶型选择性药物 ①对于有晶型选择性、且各晶型的理化性质及生物药剂学性质有差异的仿制药品,应确定与被仿制品种晶型的完全一致性(熔点、红外吸收光谱、粉末X—射线衍射图等方面与对照品或文献值进行比较)。 ②应提供能有效制备目的晶型的制备工艺。 ③应证明“晶型”在制剂过程中不会发生改变。

三极管的使用方法

1. 三极管工作状态的判断方法: 分析电路时,判断三极管的功能,如果能够知道该三极管三个管脚的电压和该三极管起得作用(放大还是开关),。对于NPN 而言,如果Uc>Ub>Ue ,该管处于放大状态,放大一定的电流,一般是在模拟电路中起了作用(此时Uce 之间的电压是不确定的);如果Ub>Ue ,Ub>Uc ,该管处于饱和状态,c-e 之间导通,其管压降为0.3-0.7V ,与截止区相对立,此时该三极管起到了开关的作用,一般应用在数字电路中。 如图所示: 对于PNP 而言,当Ue>Ub>Uc,即集电极反偏、发射极正偏,处于放大状态;当Ue>Ub 且Uc>Ub(这时候,Uc ≈Ue),即集电极和发射极都正偏,处于饱和状态。 2.三极管的使用方法: 我们经常在单片机系统中连接三极管起到开关的作用,经典电路如下图所示: ( 如果在单片机系统中出现三极管时,那么该三极管大多数甚至几乎全部情况下都会处于开-关状态。因为单片机输出的都是数字量,要么是0,要么是1,不可能出现别的情况。因此对应的三极管也要么开通,要么关断。 在上面电路中,如果按照开始时说的三极管状态的判别方法,是不行的。因为c 点得工作电压是不确定的(实际上在真正的电路中c 点电压是确定的,但是从电路图中我们看不出来)。真正的判断方法如下:当I/0引脚为高电平时,b 点基极的电流是一定的,那么c 点电流也是一定的,而且是处在了三极管的饱和区,因此b 点的电压为0.7v ,三极管导通,则c 点的电压与e 点压相同(比e 点略大,约为0.5v,即为Uce ),即OUT (输出端处于低电平)端为低电平状态。当I/0引脚为低电平时,NPN 三极管断开,c-e 之间不导通,那么此时c 点(OUT )电位为高电平即VCC 电压。这从而达到了用单片机引脚来控制Vcc 的效果。 综上所述:当I/O 为高电平,b-e 之间有电压,三极管导通,c-e 管压降小,OUT 为低电平(≈0.5);当I/O 为低电平时,b-e 之间没电压,三极管关断,c-e 管压降非常大,OUT 为高电平=Vcc ; 上面就是NPN 的使用方法。我们可以这么理解:在使用NPN 时,要尽可能将e 端接地,当b 端比e 端至少高0.7v 时,管子导通;否则管子断开。 同理,我们可以得出PNP 三极管的使用电路和方法: 放大区 12 3 截止区 3.3 3 饱和区

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