2013年中国科学院大学半导体物理考研真题考研试题硕士研究生入学考试试题
最新中国海洋大学考研试题
中国海洋大学考研试 题
2010年全国硕士研究生入学考试水产学科基础综合考试科目 参考答案及评分标准 科目代码： 416 科目名称：普通动物学与普通 生态学 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 一、选择题（单选，每题1分，共15分） 1 2 3 4 5 6 7 8 C D C A A B A B 9 10 11 12 13 14 15 A B D B A B B 二、填空题（每空0.5分，共15分） 1. 大颚、第2颚足、第1游泳足 2. 鳃、书鳃、书肺、气管 3. 单沟系、双沟系、复沟系 4. 光合营养(植物性营养)、自养渗透营养 (腐生性营养)、吞噬营养 5. （真）体腔、体腔、筛板
6. 用进废退、获得性遗传 7. 渐新马、中新马、上新马 8. 骨鳞、楯鳞、硬鳞 9. 颈椎腰椎 10. 10、12 11. 端细胞法（裂体腔法）、体腔囊法（肠体腔法） 三、名词解释（每题2分，共10分） 1.胞饮：原生动物；质膜吸附液体环境中的大分子化合物或离子；质膜凹陷，形成管道、液泡，多泡小体，吸收。 2.原肾：扁形动物等低等后生动物的排泄器官，由外胚层陷入形成，通常由焰细胞（焰茎球）、许多具分支的原肾管和原肾孔组成。主要功能是调节渗透压和排泄。 3.直接发育：初生个体与成体形态及生活方式相似，不需变态即可发育为成体。 4.停滞进化：一个物种在很长时间内没有进化或无分支进化。如北美的负鼠等。 5.囊鳃类：圆口动物呼吸系统由于具有独特的鳃囊，又称囊鳃类。 四、简答题（每小题5分，共25分） 1. 中胚层首见于那一门类动物？简述中胚层出现在动物进化过程中的意义。
半导体物理考研总结
1.布喇格定律（相长干涉）：点阵周期性导致布喇格定律。 2.晶体性质的周期性：电子数密度n(r)是r的周期性函数，存在 3.2πp/a被称为晶体的倒易点阵中或傅立叶空间中的一个点，倒易点中垂线做直线可得布里渊区。 3.倒易点阵： 4.衍射条件：当散射波矢等于一个倒易点阵矢量G时，散射振幅 达到最大 波矢为k的电子波的布喇格衍射条件是： 一维情况（布里渊区边界满足布拉格）简化为： 当电子波矢为±π/a时，描述电子的波函数不 再是行波，而是驻波（反复布喇格反射的结果） 5.布里渊区： 6.布里渊区的体积应等于倒易点阵初基晶胞的体积。 7.简单立方点阵的倒易点阵，仍是一个简立方点阵，点阵常数为2π/a，第一布里渊区是个以原点为体心，边长为2π/a的立方体。 体心立方点阵的倒易点阵是个面心立方点阵，第一布里渊区是正菱形十二面体。面心立方点阵的倒易点阵是个体心立方点阵，第一布里渊区是截角八面体。 8.能隙（禁带）的起因：晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。（边界处布拉格反射形成驻波，造成能量差）
9.第一布里渊区内允许的波矢总数=晶体中的初基晶胞数N －每个初基晶胞恰好给每个能带贡献一个独立的k值； －直接推广到三维情况考虑到同一能量下电子可以有两个相反的自旋取向，于是每个能带中存在2N个独立轨道。 －若每个初基晶胞中含有一个一价原子，那么能带可被电子填满一半； －若每个原子能贡献两个价电子，那么能带刚好填满；初基晶胞中若含有两个一价原子，能带也刚好填满。 绝缘体：至一个全满，其余全满或空（初基晶胞内的价电子数目为偶数,能带不 交叠）2N. 金属：半空半满 半导体或半金属：一个或两个能带是几乎空着或几乎充满以外，其余全满 （半金属能带交叠） 10.自由电子： 11.半导体的E-k关系： 导带底：E(k)>E(0)，电子有效质量为正值； 价带顶：E(k) （一）报考条件: 根据文件规定，中国海洋大学硕士研究生，本次考试选拔对象，应符合以下条件： 1.在校期间政治思想表现优秀，遵守校纪校规，文明礼貌，未受到任何处分。 2.学历要求：本科(或专科毕业两年)，无重考，无重修记录，身心健康。 3.平时必修课程和限选课程学习成绩优秀和综合素质好。 4.以综合考试成绩为录取依据，首先按各专业实考人数划定分数资格线，再按成绩从高到低择优录取。 5.综合考试成绩将在录取前公示7天，录取过程中，如果有排名在录取名额内的考生自愿放弃，在名额外的学生按顺序递补。 （二）报考事项： 历年真题QQ在线咨询：363、916、816张老师。学校各相关学院成立工作小组，确定工作中的相关原则政策和办法研究重大事项；负责本学院考试工作的组织宣传事项和实施工作；完成报考成绩的统计及综合排名汇总材料并上报填表。 1.各学院要先完成报考专业的成绩进行排名，根据名单确定考生的具体范围。 2.符合上述条件的参加综合考试，根据报考专业并提交书面申请材料审核。 3.工作领导小组审核汇总名单后，将公示7天，期满后不再提示。 4.各相关专业按照考试科目的顺序依次进行。 5.考试成绩以书面通知形式发到学生本人。 （三）考试流程: 1.参加初试并获得复试资格的考生，应在复试前填写相关表格，按规定时间提供自身研究潜能的材料，攻读研究生阶段的研究计划、科研成果等。 2.报考考生的资格审查由领导小组进行审查，对考生料进行审阅符合报考条件的考生统计填表。 3.我校采取笔试、口试或两者相兼的方式进行差额复试，以进一步安排加强进行考察学生的专业基础、综合分析能力、解决实际问题的能力和各种应用能力等。具体比例由学校根据本学科、专业特点及生源状况安排。 （四）复习方略： 1.注重课本很多考生会安排各种各样的资料，其实关键要能保证你进行的系统性。因此整个阶段应该以教材为主，以精读的方式对教材重点章节相关要点，对课本有一个纲领性的认识。对课后题必须要掌握，很多知识点题都出自课后。加强相关科目关联性进行统筹考核安排。较为系统的了解都要以记忆为基础一定要做到对书的大体框架有全面的把握，把整个原理的前后概念贯穿起来。 2、在复习充分的情况下做完后对照答案进行对比，充分了解自己的差距。接下来才是最重要的，要根据专业课的真题都会出什么题型，总结其考察重点是什么是哪一章节。在熟悉这些之后呢，一定要必须的题目都整理出来行理解背诵。为什么要这样做呢，因为通常前几年出现的题目会出现，根据政策方向考核对照问题的深度和广度，结合自己的知识结构知识存量，正确的安排答题技巧针对有限的知识来最好地回答。专业课的难度绝不亚于英语,往往在侧重点上、宣传上策 考研已落下帷幕考研虽然已经结束好长时间，而它对于我来说，就像是昨天刚发生一样，清晰且深刻。 回首考研的这段经历，我收获了很多，也成长了许多。 开始基础复习的时候，是在网上找了一下教程视频，然后跟着教材进行学习，先是对基础知识进行了了解，在5月-7月的时候在基础上加深了理解，对于第二轮的复习，自己还根据课本讲义画了知识构架图，是自己更能一目了然的掌握知识点。 8月以后一直到临近考试的状态，开始认真的刷真题，并且对那些自己不熟悉的知识点反复的加深印象，这也是一个自我提升的过程。 考研一路走来，真的很辛苦，考研帮里学长学姐们分享的宝贵经验不仅能让我打起精神背水一战，还使我的复习有条不紊地进行。 初试成绩出来的这两天，酝酿了一下，我也想为将要参加下一届考研的的学弟学妹们写一篇文章，希望你们从复习的开始就运筹帷幄，明年的这个时候旗开得胜。 文章字数很多，大家有时间可以阅读，文末有真题和资料下载分享，谢谢大家。 中国海洋大学生物学的初试科目为: (101)思想政治理论 (201)英语一 (612)生物化学A (835)基础生物学 参考书目为： 1.《生物化学》王镜岩、朱圣庚、许长法高等教育出版社 2.《细胞生物学》翟中和高等教育出版社 3.《陈增阅普通生物学》(第三版) 吴相钰高等教育出版社 先综合说一下英语的复习建议吧。 如何做阅读？ 做阅读题的时候我建议大家先看题干，了解一下这篇文章大致讲什么内容，然后对应题干去阅读文章，在阅读文章的过程中可以把你做出答题选择的依据标注出来，便于核对答案时看看自己的思路是否正确，毕竟重要的不是这道题你最后的答案正确与否，而是你答题的思路正确与否。 此外，每次做完阅读题也要稍微归纳一下错误选项的出题陷阱，到底是因果互换、主观臆断还是过分推断等，渐渐地你拿到一道阅读题就会条件反射出出题人的出题思路，这也有助于你检验自己选择的答案的合理性。 对于真题上的每一篇阅读，我做完核对答案后都重新精读了一遍，把不认识的单词进行标注通过查阅字典和手机弄懂消化，然后对每一篇阅读进行口头翻译，这样一来不仅加深了自己对阅读这一块的理解，也提升了自己的翻译能力。对于阅读理解B有些年份考查排序，有些年份考查小标题，还有些年份考查将抽出的句子还原，解答这类题型主要突破点是找出相关性和提示词，就拿排序来说，段落与段落之间、句子与句子之间很多时候都有包括转折、递进、因果等相关性，文章中也往往会给出一些表示这些关系的提示词，这些地方就是你答题的突破点，具体细节大家认真阅读真题的解析都可以看到。 翻译这一块，考查的不仅是大家的词汇量还有一些语法知识，翻译要联系句 半导体物理刘恩科考研 复习总结 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN 1.半导体中的电子状态 金刚石与共价键（硅锗IV族）：两套面心立方点阵沿对角线平移1/4套构而成 闪锌矿与混合键（砷化镓III-V族）：具有离子性，面心立方+两个不同原子 纤锌矿结构：六方对称结构（AB堆积） 晶体结构：原子周期性排列（点阵+基元） 共有化运动：原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原于转移到相邻的原子上去，电子可以 在整个晶体中运动。 能带的形成：组成晶体的大量原子的相同轨道的电子被共有化后，受势场力作用，把同一个能级分裂为相互之间具有微小差异的极其细致的能 级，这些能级数目巨大，而且堆积在一个一定宽度的能量范围 内，可以认为是连续的。 能隙（禁带）的起因：晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。 （边界处布拉格反射形成驻波，电子集聚不同区域，造成能量差） 自由电子与 半导体的 E-K图： 自由电子模型： 半导体模型： 导带底：E(k)>E(0)，电子有效质量为正值； 价带顶：E(k) 波矢为k的电子波的布喇格衍射条件： 一维情况（布里渊区边界满足布拉格）： 第一布里渊区内允许的波矢总数=晶体中的初基晶胞数N －每个初基晶胞恰好给每个能带贡献一个独立的k值； －直接推广到三维情况考虑到同一能量下电子可以有两个相反的自旋取 向，于是每个能带中存在2N个独立轨道。 －若每个初基晶胞中含有一个一价原子，那么能带可被电子填满一半； －若每个原子能贡献两个价电子，那么能带刚好填满；初基晶胞中若含有两个一价原子，能带也刚好填满。 杂质电离：电子脱离杂质原子的的束缚成为导电电子的过程。脱离束缚所需要的能力成为杂质电离能。 杂质能级：1）替位式杂质（3、5族元素，5族元素释放电子，正电中心，称施 主杂质；3族元素接收电子，负电中心，受主杂 质。） 2）间隙式杂质（杂质原子小） 杂质能带是虚线，分离的。 浅能级杂质电离能： 施主杂质电离能 中国海洋大学213年考研复试分数线 单位名称专业代 码 专业名称 学位 类别 复试资 格线 1 海洋环境学院70601 气象学学术290 1 海洋环境学院7060 2 大气物理学与大气环境学术国家线1 海洋环境学院70701 物理海洋学学术332 1 海洋环境学院0707Z1 应用海洋学学术335 1 海洋环境学院0707Z 2 海洋资源与权益综合管理学术国家线 2 信息科学与工程学院70205 凝聚态物理学术295 2 信息科学与工程学院70206 声学学术国家线2 信息科学与工程学院70207 光学学术301 2 信息科学与工程学院70501 自然地理学学术国家线2 信息科学与工程学院7050 3 地图学与地理信息系统学术316 2 信息科学与工程学院0707Z3 海洋探测技术学术国家线 2 信息科学与工程学院80300 光学工程学术296 2 信息科学与工程学院81001 通信与信息系统学术335 2 信息科学与工程学院81002 信号与信息处理学术339 2 信息科学与工程学院81201 计算机系统结构学术国家线2 信息科学与工程学院81202 计算机软件与理论学术国家线2 信息科学与工程学院8120 3 计算机应用技术学术308 2 信息科学与工程学院0812Z1 保密科学与技术学术国家线2 信息科学与工程学院81602 摄影测量与遥感学术国家线2 信息科学与工程学院83500 软件工程学术国家线2 信息科学与工程学院85202 光学工程专业国家线2 信息科学与工程学院85208 电子与通信工程专业339 2 信息科学与工程学院85211 计算机技术专业313 2 信息科学与工程学院85212 软件工程专业国家线2 信息科学与工程学院85215 测绘工程专业303 2 信息科学与工程学院95112 农业信息化专业320 3 化学化工学院70301 无机化学学术307 3 化学化工学院70302 分析化学学术33 4 3 化学化工学院70303 有机化学学术323 3 化学化工学院7030 5 高分子化学与物理学术国家线3 化学化工学院70702 海洋化学学术325 3 化学化工学院0707Z 6 海洋化学工程与技术学术国家线3 化学化工学院81701 化学工程学术323 3 化学化工学院81702 化学工艺学术国家线3 化学化工学院81703 生物化工学术国家线3 化学化工学院8170 4 应用化学学术308 西安电子科技大学2018考研大纲：半导体 物理与器件物 出国留学考研网为大家提供西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础，更多考研资讯请关注我们网站的更新! 西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础 “半导体物理与器件物理”(801) 一、 总体要求 “半导体物理与器件物理”(801)由半导体物理、半导体器件物理二部分组成，半导体物理占60%(90分)、器件物理占40%(60分)。 “半导体物理”要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律。重点掌握半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识、基本概念及相关理论，掌握半导体中载流子浓度计算、电阻(导)率计算以及运用连续性方程解决载流子浓度随时间或位置的变化及其分布规律等。 “器件物理”要求学生掌握MOSFET器件物理的基本理 论和基本的分析方法，使学生具备基本的器件分析、求解、应用能力。要求掌握MOS基本结构和电容电压特性;MESFET器件的基本工作原理;MOSFET器件的频率特性;MOSFET器件中的非理想效应;MOSFET器件按比例缩小理论;阈值电压的影响因素;MOSFET的击穿特性;掌握器件特性的基本分析方法。 “半导体物理与器件物理”(801)研究生入学考试是所学知识的总结性考试，考试水平应达到或超过本科专业相应的课程要求水平。 二、 各部分复习要点 ●“半导体物理”部分各章复习要点 (一)半导体中的电子状态 1.复习内容 半导体晶体结构与化学键性质，半导体中电子状态与能带，电子的运动与有效质量，空穴，回旋共振，元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。 2.具体要求 半导体中的电子状态和能带 半导体中电子的运动和有效质量 本征半导体的导电机构 历年华东师范大学906半导体物理考研真题答案资料一、考试解读： part 1 学院专业考试概况： ①学院专业分析：含学院基本概况、考研专业课科目:906半导体物理的考试情况； ②科目对应专业历年录取统计表：含华东师范大学信息科学技术学院电子工程系相关专业的历年录取人数与分数线情况； ③历年考研真题特点：含华东师范大学考研专业课906半导体物理各部分的命题规律及出题风格。 part 2 历年题型分析及对应解题技巧： 根据华东师范大学906半导体物理考试科目的考试题型（名词解释题、简答题、论述题等），分析对应各类型题目的具体解题技巧，帮助考生提高针对性，提升答题效率，充分把握关键得分点。 part 3 2018真题分析： 最新真题是华东师范大学考研中最为珍贵的参考资料，针对最新一年的华东师大考研真题试卷展开深入剖析，帮助考生有的放矢，把握真题所考察的最新动向与考试侧重点，以便做好更具针对性的复习准备工作。 part 4 2019考试展望： 根据上述相关知识点及真题试卷的针对性分析，提高2019考生的备考与应试前瞻性，令考生心中有数，直抵华东师范大学考研的核心要旨。 part 5 华东师范大学考试大纲： ①复习教材罗列（官方指定或重点推荐+拓展书目）：不放过任何一个课内、课外知识点。 ②官方指定或重点教材的大纲解读：官方没有考试大纲，高分学长学姐为你详细梳理。 ③拓展书目说明及复习策略：专业课高分，需要的不仅是参透指定教材的基本功，还应加强课外延展与提升。 part 6 专业课高分备考策略： ①考研前期的准备； ②复习备考期间的准备与注意事项； ③考场注意事项。 part 7 章节考点分布表： 罗列华东师范大学906半导体物理的专业课试卷中，近年试卷考点分布的具体情况，方便考生知晓华东师大考研专业课试卷的侧重点与知识点分布，有助于考生更具针对性地复习、强化，快准狠地把握高分阵地。 二、华东师范大学历年考研真题与答案： 汇编华东师大考研专业课考试科目的2010-2016、2018年考研真题试卷，并配备2010-2016、2018年考研真题答案详解。本部分包括了（解题思路、答案详解）两方面内容。首先对每一道真题的解答思路进行引导，分析真题的结构、考察方向、考察目的，向考生传授解答过程中宏观的思维方式；其次对真题的答案进行详细解答，方便考生检查自身的掌握情况及不足之处，并借此巩固记忆加深理解，培养应试技巧与解题能力。 2018年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 2016年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 2015年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 2014年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 大工《半导体物理》考研重点 第一章、半导体中的电子状态 ●了解半导体的三种常见晶体结构即金刚石型、闪锌矿和纤锌矿型结构；以及 两种化合键形式即共价键和离子键在不同结构中的特点。 ●了解电子的共有化运动； ●理解能带不同形式导带、价带、禁带的形成；导体、半导体、绝缘体的能带 与导电性能的差异； ●掌握本征激发的概念。 ●理解半导体中电子的平均速度和加速度； ●掌握半导体有效质量的概念、意义和计算。 ●理解本征半导体的导电机构； ●掌握半导体空穴的概念及其特点。 ●理解典型半导体材料锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。 重要术语： 1.允带 2.电子的有效质量 3.禁带 4.本征半导体 5.本征激发 6.空穴 7.空穴的有效质量 知识点： 学完本章后，学生应具备以下能力： 1.对单晶中的允带和禁带的概念进行定性的讨论。 2.讨论硅中能带的分裂。 3.根据K-k关系曲线论述有效质量的定义，并讨论它对于晶体中粒子运动的 意义。 4.本征半导体与本征激发的概念。 5.讨论空穴的概念。 6.定性地讨论金属、绝缘体和半导体在能带方面的差异。 第二章、半导体中的杂质和缺陷能级 ●掌握锗、硅晶体中的浅能级形成原因，多子和少子的概念； ●了解浅能级杂质电离能的计算； ●了解杂质补偿作用及其产生的原因；。 ●了解锗、硅晶体中深能级杂质的特点和作用； ●理解错误!未找到引用源。-错误!未找到引用源。族化合物中的杂质能级 的形成及特点； ●了解等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质的概念； ●了解缺陷（主要是两类点缺陷弗仑克耳缺陷和肖脱基缺陷）、位错（一种 线缺陷）施主或受主能级的形成。 重要术语 1.受主原子 2.载流子电荷 3.补偿半导体 4.完全电离 5.施主原子 6.非本征半导体 7.束缚态 知识点： 学完本章后，学生应具备如下能力： 1.描述半导体内掺人施主与受主杂质后的影响。 2.理解完全电离的概念。 中国海洋大学2018年《958专业基础综合B》考研大纲 一、考试性质 专业基础综合B是制药工程专业硕士研究生入学初试考试的专业基础课程。 二、考察目标 有机化学部分要求考生掌握各类有机化合物的命名、物理性质和制备方法；掌握各类有机化合物的结构特征、典型反应和反应性质；掌握典型有机反应历程和取代基效应；掌握各种异构现象，重要反应中的立体化学；熟练运用有机化学基本理论知识进行有机化合物的反合成分析及设计合理合成路线；初步掌握有机化学的光谱波谱学理论，能够通过多种光谱波谱学技术鉴定简单有机化合物的结构，熟悉各类有机化合物的鉴别和一般分离纯化方法。 生物化学部分具体考察考生对生物化学理论、实验原理和应用的掌握与运用，为国家培养具有良好职业道德和职业素养、具有较强分析问题与解决问题能力的高层次、应用型、复合型的药学专业人才。 本考试旨在三个层次上测试考生对生物化学理论知识、生物化学研究方法和应用等知识掌握的程度和运用能力。三个层次的基本要求分别为： 1、熟悉记忆：生物化学的理论知识和实验方法； 2、分析判断：用生物化学的基本理论来分析判断某一具体观点和问题； 3、综合运用：运用所学的生物化学知识来综合分析具体实践问题。 三、考试形式 本部分考试为闭卷考试，试卷由试题和答题纸组成，所有题目的答案必须写在答题纸相应的位置上。总分为150分，含《有机化学》和《生物化学》各75分，考试时间为3小时。 有机化学试卷结构：名词解释15%，选择20%，填空17%，简答30%，合成18%。 生物化学试卷结构：试卷结构为：判断20%，选择20%填空20%，名词解释16-20%，计算和问答20-24% 四、考试内容 有机化学部分 1、掌握有机化学的基本概念（有机化合物命名、有机化合物分类、结构式、离子键和共价键、共价键理论、有机酸碱理论等）；掌握立体化学的基本概念（构象、相对构型、绝对构型、对映异构现象、对映异构体和非对映异构体、手性碳、手性分子、旋光性和有机化合物的比旋光、手性碳原子及其构型、外消旋体和内消旋体、立体结构的表达法等）。 2、掌握各类有机化合物（烷烃、卤代烃、有机金属化合物、烯烃、炔烃、共轭双烯烃、芳烃、醇和醚、酚和醌、羰基化合物、羧酸和取代羧酸、羧酸衍生物、杂环化合物、糖类等）的化学结构及制备方法和基本化学反应性和类型（如马氏/反马氏加成、消除反应、Friedel-Crafts反应、羟醛缩合、Mannich反应、Wittig反应、Darzen反应、Michael加成、Robinson关环、Diels-Alder反应、周环反应等）。 3、掌握电子效应、立体效应、中间体、重排、SN1和SN2、E1和E2等典型化学反应理论，能够进行有机化合物官能团间互换及目标产物的合成路线设计，能够写出主要反应产物、反应条件以及反应机理。 4、初步掌握有机化学的光谱波谱学理论（UV、IR、MS、NMR等），掌握简单有机化合物的波谱学特征， 半导体物理 绪 论 一、什么是半导体 导体 半导体 绝缘体 电导率ρ <10- 9 3 10~10- 9 10> cm ?Ω 此外，半导体还有以下重要特性 1、 温度可以显著改变半导体导电能力 例如：纯硅（Si ） 若温度从 30C 变为C 20时，ρ增大一倍 2、 微量杂质含量可以显著改变半导体导电能力 例如：若有100万硅掺入1个杂质（P . Be ）此时纯度99.9999% ，室温（C 27 300K ）时，电阻率由214000Ω降至0.2Ω 3、 光照可以明显改变半导体的导电能力 例如：淀积在绝缘体基片上（衬底）上的硫化镉（CdS ）薄膜，无光照时电阻（暗电阻）约为几十欧姆，光照时电阻约为几十千欧姆。 另外，磁场、电场等外界因素也可显著改变半导体的导电能力。 综上： ● 半导体是一类性质可受光、热、磁、电，微量杂质等作用而改变其性质的材料。 二、课程内容 本课程主要解决外界光、热、磁、电，微量杂质等因素如何影响半导体性质的微观机制。 预备知识——化学键的性质及其相应的具体结构 晶体：常用半导体材料Si Ge GaAs 等都是晶体 固体 非晶体：非晶硅（太阳能电池主要材料） 晶体的基本性质：固定外形、固定熔点、更重要的是组成晶体的原子（离子）在较大范围里（6 10-m ）按一定方式规则排列——称为长程有序。 单晶：主要分子、原子、离子延一种规则摆列贯穿始终。 多晶：由子晶粒杂乱无章的排列而成。 非晶体：没有固定外形、固定熔点、内部结构不存在长程有序，仅在较小范围（几个原子距）存在结构有 序——短程有序。 §1 化学键和晶体结构 1、 原子的负电性 化学键的形成取决于原子对其核外电子的束缚力强弱。 电离能：失去一个价电子所需的能量。 亲和能：最外层得到一个价电子成为负离子释放的能量。(ⅡA 族和氧除外) 原子负电性=（亲和能+电离能）18.0? （Li 定义为1） ● 负电性反映了两个原子之间键合时最外层得失电子的难易程度。 ● 价电子向负电性大的原子转移 ⅠA 到ⅦA ，负电性增大，非金属性增强 中国海洋大学考研复试心得 闲着无事，就稍微写些关于海大食品今年复试的情况，希望对学弟学妹们有点帮助，本人成绩挺一般的，所以大家都好好努力吧，付出了就会有回报的。海大今年是4月2号到3号复试，4号体检，2号面试，3号下午笔试，与以往有点不同，以前都是先笔试再面试，然后今年复试的时候，面试是占了50%，专业课笔试30%，英语面试10%，实验操作10%，可想而知，面试灰常重要哦，看了下今年的复试结果名单，也有好多都是逆袭的，从最后一名跑到前几名去，所以排名靠后的复试好好准备完全有可能成功滴。下面就说下各个面试环节吧！ 今年的复试真题有好多都是跟13年重复的，一共7道简答题，2个小时，其实这个时间足够了，我们当初还当心考2个小时会不会考填空啥的，因为大家都只是背大题而已。记得下午笔试，中午吃饭的时候还和小伙伴们一起讨论问题，小伙伴们都说到抗氧化剂的作用机理，当时我说这么难背我不背，觉得应该不考，结果试卷一发下来，第一道题就是这个，当时自己真是无语死了，不过还好背了题库里面比较简单的介绍，下面来说一下14年的复试真题吧！ 2014复试真题回忆版 1.抗氧化剂的作用机理以及介绍一下5种gb2007-2011里的抗氧化剂。 2.如何减少水分活度？水分活度与食品质量的关系（13） 3.简述美拉德反应及其对食品质量与安全的影响（13） 4.什么是滞后现象以及滞后现象产生的原因 5.有毒重金属的毒性的影响因素和中毒机理的（13） 6.碳水化合物的存在状态及利用途径（13） 7.蛋白质变性的意义和途径 后面括号标了13的表示13年也是考的这个题，复试的话笔试大家差不多都是背下题库，不用太担心！ 实验操作：我们是8个人进去，然后自己抽签，里面有分光光度计的使用和酸碱滴定这2个实验，本人抽的是酸碱滴定，一进去的话首先有一张实验报告，根据上面的要求来做，记得在面试的前一天还和小伙伴们讨论实验的东东步骤啥的，可是自己真正进去后就有点凌乱了，给的试剂有2mol/L的盐酸还有甲基红指示剂，首先按照要求需要将盐酸配成L的浓度，之后就是称取碳酸钠到，一开始称取的时候手一直在抖，哈哈，还是有点紧张的，一不小心就称量了几克去了，所以就重新称量过，将称取的碳酸钠放到烧瓶中用水溶解，之后滴2滴甲基红指示剂进行滴定，反正我滴定的时候挺悲剧的，那个旋钮好难转，所以滴的好慢，到后面2只手一起用上还是不行，一直到时间结束也没滴定好，可能是里面的凡士林差不多木有了，所以滴定的时候很不方便，不过后来出来后问大家，其实大家都差不多，好多都是没做完的，老师也最主要是看你操作的规范。 英语面试：首先一进去先抽关于食品专业英语的文献吧，然后向老师说早上好以及自己的名字，这里是用英语说的哦，之后老师会叫你读你所抽到的题，读完之后有一点时间让你思考酝酿一下再翻译出来，反正我翻译的挺烂的，自己都不知道在说啥，然后自己也在那里 第一章半导体中电子的状态 名词解释： 直接带隙半导体 间接带隙半导体 格波 有效质量 空穴 布里渊区 重空穴、轻空穴 k空间等能面 解答题： 用能带理论定性地说明导体、半导体和绝缘体的导电性。 分别画出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点。 第二章半导体中杂质和缺陷能级 名词解释： 施主杂质 受主杂质 深能级杂质 杂质电离能 解答题： 简述杂质在半导体中的作用。 分别论述深能级和浅能级杂质对半导体的影响。 第三章半导体中载流子的统计分布 名词解释： 非简并半导体 简并半导体 本征半导体 状态密度 解答题： 有一n型半导体施主和受主杂质掺杂浓度分别为n6和w4，在温度高于数十k时，已知本征费米能级为Ei，玻尔兹曼常数为h，本征载流子浓度为n，试确定：1. 半导体的费米能级EF；2. 热平衡载流子浓度n0和p0. 第四章半导体的导电性 名词解释： 载流子散射 解答题： 简述半导体中载流子的主要散射机构。 画出本征半导体和杂质半导体电阻率随温度变化的曲线，并解释其变化规律。 耿氏振荡的机理。 第五章非平衡载流子 名词解释： 准费米能级 少子寿命 小注入条件 高度补偿半导体 直接复合与间接复合 复合中心 陷阱中心 解答题： 在一维情况下，以p型非均匀掺杂半导体为例，推出（空穴的）爱因斯坦关系式。 连续性方程。 第六章p-n结 名词解释： p-n结 解答题： 画出p-n结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述p-n结势垒区形成的物理过程。 画出理想p-n结合硅p-n结的电流电压曲线，并根据曲线的差异简述p-n结电流电压曲线偏离理想p-n结主要因素。 第七章金属和半导体的接触 名词解释： 半导体功函数 欧姆接触 表面势 解答题： 什么是良好的欧姆接触，实现欧姆接触的基 第七章 一、基本概念 1.半导体功函数: 半导体的费米能级E F 与真空中静止电子的能量E 0的能量之差。 金属功函数：金属的费米能级E F 与真空中静止电子的能量E 0的能量之差 2.电子亲和能: 要使半导体导带底的电子逸出体外所需的最小能量。 3. 金属-半导体功函数差o: (E F )s-(E F )m=Wm-Ws 4. 半导体与金属平衡接触平衡电势差: q W W V s m D -= 5.半导体表面空间电荷区 : 由于半导体中自由电荷密度的限制，正电荷分布在表面相当厚的一层表面层内，即空间电荷区。表面空间电荷区=阻挡层=势垒层 6.电子阻挡层：金属功函数大于N 型半导体功函数（Wm>Ws ）的MS 接触中，电子从半导体表面逸出到金属，分布在金属表层，金属表面带负电。半导体表面出现电离施主，分布在一定厚度表面层内，半导体表面带正电。电场从半导体指向金属。取半导体内电位为参考，从半导体内到表面，能带向上弯曲，即形成表面势垒，在势垒区，空间电荷主要有带正电的施主离子组成，电子浓度比体内小得多，因此是是一个高阻区域，称为阻挡层。 【电子从功函数小的地方流向功函数大的地方】 7.电子反阻挡层：金属功函数小于N 型半导体功函数（Wm 中国海洋大学04年硕士研究生入学考试试题 环境工程学 一、填空题（每空0.6分，共6分） 1. 垃圾焚烧过程的控制参数三T是指_______、________、_________。 2. 固体废物的三成分分析是指________、_______、_______。 3. 我国生活垃圾焚烧烟气排放标准中的污染控制项目可分为____、____、______、___ 二、概念题（每题2分，共6分） 1.固体废物 2.高位热值 3.Dioxin 4.卫生填埋 https://www.360docs.net/doc/5b18560937.html,posting 6.溶解固体 7.化学需氧量 8.自由沉淀 9.混合系数 10.污泥负荷 三、问答题（共66分） 1.生活污水的特征及主要含有的污染物（4分） 2.水体自净的过程（6分） 3.城市污水二级处理的工艺流程并说明各单元的作用（6分） 4.理想沉淀池的假设条件（6分） 5.沉淀池的分区及其作用（8分） 6.简述水的混凝机理（8分） 7.剩余污泥常用的处理处置方法及其工作原理（8分） 8.影响活性污泥生长的因素及影响作用（8分） 9.画图显示垃圾卫生填埋场的基本结构。（3分） 10.请解释我国固体废物污染控制三化原则的含义。（4分） 11.说明固体废物堆肥处理的过程控制（5分） 三、综合论述题（共52分） 1.给出活性污泥法的6种运行方式，说明特点并画出流程图（18分） 2.给出有机污水厌氧处理的4种工艺，画出工艺图并说明特征（12分） 3.请提出您对焚烧和热解技术应用到城市垃圾处理的看法。（10分） 4.论述垃圾卫生填埋场渗滤液产生特点与控制渗滤液产生和迁移的工程措施。（12分） 四、计算题（6分） 某城镇拟建一二级污水处理厂，采用完全混合曝气池。设计污水流量为15，000mg/d，经初次沉淀后BOD5浓度为140mg/L,要求二沉池出水BOD5浓度小于5mg/L。根据实验研究，得到产率系数为0.6kg/kg，内源衰减系数为0.06d-1。设计污泥龄为5天，曝气池混合液MLSS为3000mg/L,二沉池排泥浓度为10，000mg/L。确定曝气池体积、每天剩余污泥排放量和污泥回流比。 环境工程学 一、概念题（每题2分，共20分） 1.鼓风曝气 2.气浮法 3.完全生化需氧量 4.污泥指数 5.污泥含水率 半导体物理刘恩科考研复 习总结 Prepared on 24 November 2020 1.半导体中的电子状态 金刚石与共价键（硅锗IV族）：两套面心立方点阵沿对角线平移1/4套构而成闪锌矿与混合键（砷化镓III-V族）：具有离子性，面心立方+两个不同原子 纤锌矿结构：六方对称结构（AB堆积） 晶体结构：原子周期性排列（点阵+基元） 共有化运动：原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原于转移到相邻的原子上去，电子可以 在整个晶体中运动。 能带的形成：组成晶体的大量原子的相同轨道的电子被共有化后，受势场力作用，把同一个能级分裂为相互之间具有微小差异的极其细致的能 级，这些能级数目巨大，而且堆积在一个一定宽度的能量范围 内，可以认为是连续的。 能隙（禁带）的起因：晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。 （边界处布 拉格 反射 形成 驻 波，电子集聚不同区域，造成能量差）自由电子与 半导体的 E-K图： 自由电子模型： 半导体模型： 导带底：E(k)>E(0)，电子有效质量为正值； 价带顶：E(k) 中国海洋大学研究生院文件 研院字〔2018〕56号 关于印发《中国海洋大学修（制）订 学术学位研究生培养方案的意见》的通知 各有关单位： 《中国海洋大学修（制）订学术学位研究生培养方案的意见》业经学校研究通过，现印发给你们，请遵照执行。 特此通知。 附件：1.中国海洋大学修（制）订学术学位研究生培养方案的意见 2.***一级学科研究生培养方案（模板） 研究生院 2018年5月10日 附件1 中国海洋大学修（制）订学术学位研究生 培养方案的意见 为进一步规范和加强研究生培养工作，全面提升研究生培养质量，现对学术型博士、硕士研究生培养方案修（制）订提出如下意见。 一、指导思想 坚持立德树人根本任务，以服务需求、提高质量为主线，遵循研究生教育规律，加强课程学习和科学研究的有机结合，创新培养模式，突出创新精神和个性化培养，突出研究方法和科学思维养成，突出科教结合和产教结合，为提高国家创新力和国际竞争力培养高素质人才。 二、基本原则 本次培养方案修订原则上应按照一级学科进行。各学科可大胆吸收、借鉴国内外先进的研究生培养经验和管理模式，科学系统论证。博士授权一级学科应在对硕士—博士不同培养阶段准确定位的基础上，统筹安排、科学衔接课程设置、教学内容与培养环节，体现贯通式培养。建立“培养目标-学位授予标准-课程和培养环节”对应关系，明确课程和培养环节在研究生培养过程中的作用，努力提高培养目标的达成度。鼓励学科和学院间师资和实验室资源的共享；鼓励多学科交叉培养，拓宽研究生学术视野，激发创新思维。 三、主要内容及相关要求 为清晰脉络、强调关联、提高效率、易于操作，本次培养方案修订以表格形式呈现。表格内容及要求如下： （一）学科概况 包括学科内涵、基本情况、发展方向等（200字内）。 （二）培养目标 培养目标是后续部分的指导性内容，应具有学科特色并兼顾学科定位与发展趋势（200字内）。 （三）研究方向 各研究方向应拥有相对稳定的研究领域、学术带头人以及结构较为合理的学术梯队，有较好的科研基础和成果，能开设本研究方向的必要课程，有充足的研究经费和相应的设施条件。 （四）基本修业年限 建议学术型硕士研究生基本修业年限为3 年，学术型博士研究生基本修业年限为4 年，硕博连读研究生基本修业年限为6年。对提前完成培养计划，科研成果及学位论文符合学位申请条件的研究生，经过规定审批程序可提前答辩、毕业并申请学位。具体标准由各学科制定。 （五）课程体系 各学科需建立科学、系统的课程体系，提高选课灵活性，减少课程冗余度，课程总量应合理控制，确保少而精。博士学位授权一级学科应按硕—博贯通制设置课程体系。 研究生的课程分为公共课、基础课、专业课、其他课程和补修课程。 1.公共课 为全校开设的公共外语、思想政治理论等学位课程。博士研究生外语课程根据学科要求设置。 中国海洋大学学位评定委员会 中国海洋大学关于研究生相关学术成果及外语水平要求的规定 (2006年2月修订) 学位[2006]1号为保证研究生培养和学位授予质量，规范研究生学位论文相关成果及外国语水平要求，结合我校实际情况制定本规定。凡在本校攻读学位的研究生，在学制规定的修业年限内完成培养计划各环节，修满规定学分，通过论文答辩并符合学籍管理规定，向校学位评定委员会申请学位时，其相关学术成果及外语水平需达到如下要求。 第一条申请博士学位的研究生应取得如下研究成果： 1．理、工、农、医各学科的博士研究生，至少应以第一作者在《中国海洋大学认定的重要核心学术期刊》学术刊物上正式发表2篇以上(包括2篇)学术论文，其中至少1篇被SCI或EI检索系统收录。从事应用研究的应至少在《中国海洋大学认定的重要核心学术期刊》学术刊物上正式发表1篇以上(包括1篇)学术论文，但必须同时提供1项(包括1项)以上获得国家授权的职务发明专利或获国家注册版权的计算机软件或经省部级以上奖励（或鉴定通过）的成果，足以说明其学位论文成果水平。在职务发明专利、计算机软件、鉴定或验收成果中，研究生应为第一完成人员。 2、人文社会科学的博士研究生应以第一作者在《中国海洋大学认定的重要核心学术期刊》正式发表2篇以上（包括2篇）学术论文，或以第一作者出版1部专著，或出版2部参编专著（每部执笔5万字以上）。为鼓励科学研究为社会和地方经济建设服务，若博士学位论文成果被政府采纳（需提供市厅级以上政府采纳证明）并在《中国海洋大学认定的重要核心学术期刊》正式发表1篇学术论文，视为成果合格。 第二条申请硕士学位的研究生应取得如下研究成果： 申请者应以第一作者在有CN国内统一刊号或ISSN国际标准刊号的学术刊物正式发表1篇以上(包括1篇)学术论文，或提供1项获得国家授权的职务发明专利，或获国家注册版权的计算机软件或经市厅级以上奖励（或鉴定通过）的成果，或出版1部参编专著（每部执笔3万字以上），其中研究生应为完成人员的前三位。 在全国性学会主办的国内学术会议、国际学术会议编辑的正式出版（有国际或国内统一书号）的论文集（不含论文摘要集），以及境外一般学术刊物上发表的学术论文视为公开发表。 第三条申请者提交成果的几点说明： 1.发表学术论文及其它研究成果第一署名单位应为中国海洋大学。 2.若发表文章或其它研究成果第一作者为申请者的指导教师，第二作者研究生可视为第一作者。 3.发表文章或研究成果内容应与申请学位学科专业相关。 中国海洋大学2018年《614专业基础综合A》考研大纲 一、考试性质 专业基础综合A是药学学科学术型硕士研究生入学初试考试的专业基础课程。 二、考察目标 有机化学部分要求考生掌握各类有机化合物的命名、物理性质和制备方法；掌握各类有机化合物的结构特征、典型反应和反应性质；掌握典型有机反应历程和取代基效应；掌握各种异构现象，重要反应中的立体化学；熟练运用有机化学基本理论知识进行有机化合物的反合成分析及设计合理合成路线；初步掌握有机化学的光谱波谱学理论，能够通过多种光谱波谱学技术鉴定简单有机化合物的结构，熟悉各类有机化合物的鉴别和一般分离纯化方法。 生物化学部分具体考察考生对生物化学理论、实验原理和应用的掌握与运用，为国家培养具有良好职业道德和职业素养、具有较强分析问题与解决问题能力的高层次、应用型、复合型的药学专业人才。 本考试旨在三个层次上测试考生对生物化学理论知识、生物化学研究方法和应用等知识掌握的程度和运用能力。三个层次的基本要求分别为： 1、熟悉记忆：生物化学的理论知识和实验方法； 2、分析判断：用生物化学的基本理论来分析判断某一具体观点和问题； 3、综合运用：运用所学的生物化学知识来综合分析具体实践问题。 三、考试形式 本考试为闭卷考试，满分为300分，含《有机化学》部分和生物化学部分各150分，考试时间为3小时。 有机化学试卷结构为：名词解释15%，选择20%，填空17%，简答30%，合成18%。 生物化学试卷结构为：判断20%，选择20%填空20%，名词解释16-20%，计算和问答20-24%。 四、考试内容 《有机化学》部分 1、掌握有机化学的基本概念（有机化合物命名、有机化合物分类、结构式、离子键和共价键、共价键理论、有机酸碱理论等）；掌握立体化学的基本概念（构象、相对构型、绝对构型、对映异构现象、对映异构体和非对映异构体、手性碳、手性分子、旋光性和有机化合物的比旋光、手性碳原子及其构型、外消旋体和内消旋体、立体结构的表达法等）。 2、掌握各类有机化合物（烷烃、卤代烃、有机金属化合物、烯烃、炔烃、共轭双烯烃、芳烃、醇和醚、酚和醌、羰基化合物、羧酸和取代羧酸、羧酸衍生物、杂环化合物、糖类等）的化学结构及制备方法和基本化学反应性和类型（如马氏/反马氏加成、消除反应、Friedel-Crafts反应、羟醛缩合、Mannich反应、Wittig反应、Darzen反应、Michael加成、Robinson关环、Diels-Alder反应、周环反应等）。 3、掌握电子效应、立体效应、中间体、重排、SN1和SN2、E1和E2等典型化学反应理论，能够进行有机化合物官能团间互换及目标产物的合成路线设计，能够写出主要反应产物、反应条件以及反应机理。 4、初步掌握有机化学的光谱波谱学理论（UV、IR、MS、NMR等），掌握简单有机化合物的波谱学特征，2016年中国海洋大学考研参考书目
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