模电总结复习资料_模拟电子技术基础

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第一章半导体二极管

一.半导体的基础知识

1. *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

2. 杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

3. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

4. PN结的伏安特性

二. 半导体二极管

*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:

若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);

若 V阳

稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章三极管及其基本放大电路

一. 三极管的结构、类型及特点

分为NPN和PNP两种。

二. 三极管的工作原理

1. 三极管的三种基本组态

2. * 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件

3. 共射电路的特性曲线

* 输出特性曲线

(饱和管压降,用U CES表示

放大区---发射结正偏,集电结反偏。

截止区---发射结反偏,集电结反偏。

三. 低频小信号等效模型(简化)

四. 基本放大电路组成及其原则

1. VT、V CC、R b、R c 、C1、C2的作用。

2.组成原则----能放大、不失真、能传输。

2. 交流通路与动态分析

*概念---交流电流流通的回路

*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用---分析信号被放大的过程。

3. 静态工作点与非线性失真

(1)截止失真

*产生原因---Q点设置过低

*失真现象---NPN管削顶,PNP管削底。

*消除方法---减小R b,提高Q。

(2)饱和失真

*产生原因---Q点设置过高

*失真现象---NPN管削底,PNP管削顶。

*消除方法---增大R b、减小R c、增大V CC 。

六. 放大电路的等效电路法

1.静态分析

(1)静态工作点的近似估算

(2)放大电路的动态分析

* 放大倍数

* 输入电阻

* 输出电阻

七.分压式稳定工作点共射

放大电路的等效电路法1.静态分析

2.动态分析

*电压放大倍数

在R e两端并一电解电容C e后

输入电阻

在R e两端并一电解电容C e后

* 输出电阻

八. 共集电极基本放大电路

1.静态分析

2.动态分析

* 电压放大倍数

* 输入电阻

* 输出电阻

3. 电路特点

* 电压放大倍数为正,且略小于1,称为射极跟随器。

* 输入电阻高,输出电阻低。

第三章放大电路的频率响应单级放大电路的频率响应

1.中频段(f L≤f≤f H)

波特图---幅频曲线是20lg A usm=常数,相频曲线是φ=-180o。2.低频段(f ≤f L)

3.高频段(f ≥f H)

4.完整的基本共射放大电路的频率特性

第四章功率放大电路

一. 功率放大电路的三种工作状态

1.甲类工作状态

导通角为360o,I CQ大,管耗大,效率低。

2.乙类工作状态

I CQ≈0,导通角为180o,效率高,失真大。

3.甲乙类工作状态

导通角为180o~360o,效率较高,失真较大。

二. 乙类功放电路的指标估算

1. 输出功率

2. 直流电源提供的平均功率

4. 管耗P c1m=0.2P om

5.效率

理想时为78.5%

三. 复合管的组成及特点

1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。

2.类型取决于第一只管子的类型。

3.β=β1·β 2

第五章集成运算放大电路

一. 集成运放电路的基本组成

1.输入级----采用差放电路,以减小零漂。

2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路,以提高放大倍数。

3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。

4.偏置电路----多采用电流源电路,为各级提供合适的静态电流。

二. 长尾差放电路的原理与特点

1静态分析

1) 计算差放电路I C

设U B≈0,则U E=-0.7V,得

2) 计算差放电路U CE

?双端输出时

?

?单端输出时(设VT1集电极接R L)

对于VT1:

对于VT2:

2. 动态分析

1)差模电压放大倍数

?双端输出

?

?单端输出时

从VT1单端输出:

从VT2单端输出:

2)差模输入电阻

3)差模输出电阻

?双端输出:

?单端输出:

三. 集成运放的电压传输特性

当u I在+U im与-U im之间,运放工作在线性区域:

四. 理想集成运放的参数及分析方法

1. 理想集成运放的参数特征

* 开环电压放大倍数A od→∞;

* 差模输入电阻R id→∞;

* 输出电阻R o→0;

* 共模抑制比K CMR→∞;

2. 理想集成运放的分析方法

1) 运放工作在线性区:

* 电路特征——引入负反馈

* 电路特点——“虚短”和“虚断”:

“虚短”---

“虚断” ---

2) 运放工作在非线性区

* 电路特征——开环或引入正反馈

* 电路特点——

输出电压的两种饱和状态:

当u+>u-时,u o=+U om

当u+

两输入端的输入电流为零:

i+=i-=0

第六章放大电路中的反馈

一.反馈概念的建立

*开环放大倍数---A

*闭环放大倍数---Af

*反馈深度---1+AF

*环路增益---AF:

1.当AF>0时,Af下降,这种反馈称为负反馈。

2.当AF=0时,表明反馈效果为零。

3.当AF<0时,Af升高,这种反馈称为正反馈。

4.当AF=-1时,Af→∞。放大器处于“自激振荡”状态。

二.反馈的形式和判断

1. 反馈的范围----本级或级间。

2. 反馈的性质----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反馈则为直流反馈,交流通路中存

在反馈则为交流反馈,交、直流通路中都存在反馈

则为交、直流反馈。

3. 反馈的取样----电压反馈:反馈量取样于输出电压;具有稳定输出电压的作用。

(输出短路时反馈消失)

电流反馈:反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。

(输出短路时反馈不消失)

4. 反馈的方式-----并联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电

流形式相叠加。R s越大反馈效果越好。

反馈信号反馈到输入端)

串联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电压

的形式相叠加。R s越小反馈效果越好。

反馈信号反馈到非输入端)

5. 反馈极性-----瞬时极性法:

(1)假定某输入信号在某瞬时的极性为正(用+表示),并设信号的频率在中频段。

(2)根据该极性,逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性(升高用 + 表示,降低用-表示)。

(3)确定反馈信号的极性。

(4)根据X i与X f的极性,确定净输入信号的大小。X id 减小为负反馈;X id增大为正反馈。

三. 反馈形式的描述方法

某反馈元件引入级间(本级)直流负反馈和交流电压(电流)串联(并联)负反馈。

四. 负反馈对放大电路性能的影响

1.提高放大倍数的稳定性

2.

3.扩展频带

4.减小非线性失真及抑制干扰和噪声

5.改变放大电路的输入、输出电阻

*串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍

*并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍

*电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍

*电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍

五. 自激振荡产生的原因和条件

1.产生自激振荡的原因

附加相移将负反馈转化为正反馈。

2.产生自激振荡的条件

若表示为幅值和相位的条件则为:

第七章信号的运算与处理

分析依据------ “虚断”和“虚短”

一.基本运算电路

1.反相比例运算电路

R2 =R1//R f

2.同相比例运算电路

R2=R1//R f

3.反相求和运算电路

R4=R1//R2//R3//R f

4. 同相求和运算电路

R1//R2//R3//R4=R f//R5

5.加减运算电路

R1//R2//R f=R3//R4//R5

二.积分和微分运算电路

1.积分运算

2.微分运算

第八章信号处理电路滤波电路的作用和分类

模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=时输出电压为。 B:u I1=3V,u I2=时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=,u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. - B. -5V C. - D. - 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号 源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模电知识总结

第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.PN结

*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模电复习总结解析

第二章 信号的运算与处理 一、分析依据 运算放大器的理想特性和工作在深度负反馈下的两个概念 ① Ri 很大,Ro 很小,A 很大 ② 虚短——在深度负反馈的条件下,运放的两输入端的电压差为零 即 u N =u P ③ 虚断——运放的两输入端不取用电流。 即 i N =i P =0 1)节点电流法 对电路中的任一节点,直接连接于该节点的所有支 路的电流之代数和恒等于零。 2)叠加原理 由两个或多个信号源所产生的响应表示为每一个信号源单独作用时所产生的响应之和。 二.基本运算电路 1.分析设计公式 1)反相比例运算电路 R 2 =R 1//R f 2)同相比例运算电路 R 2=R 1//R f 3)反相求和运算电路 R 4=R 1//R 2//R 3//R f 4)同相求和运算电路 R 1//R 2//R 3//R 4=R f //R 5 5)加减运算电路

R 1//R 2//R f =R 3 //R 4//R 5 6) 基本差动放大电路 i N v I2 +v O - R L R 3 R 4 +-A v I1 R 1i P v P v N R 2 R 1 = R 2 R 3 =R 4 R 3v O = (v I2-v I1) R 1 7)仪用放大器 R 1 + - A 1 v O v 1 R 2R 3 R 4 + -A 3 v O1 R 2 + -A 2 v 2 v O2 R 4 R 3R 4 2R 2v O =- (1+) (v 1-v 2) R 3 R 1 2.电路特点及设计注意事项 三、其他应用 1. 积分运算 2. 微分运算 3.绝对值运算电路 第三章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si 、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

模电课程总结

模电课程总结报告 一学期模电课也终将结束了,而我对模电这门课也是从无知到课程中期的担忧抗拒,到现在的所谓有所收获。对比上学期的数电,我觉得模电的难度要大一些,学习方法也有很大不同。 课程学习方法 1.上课认真听讲,虽说老师讲的内容和书上的叙述大同小异,但是从听觉和视觉两方面得 来的信息比自己看更有效,上课的互动也能加深学习印象,更重要的是模电离不开电路,单纯看课本而没有老师的讲解需要花费很长时间,有时弄不懂就糊弄过去了。课上也会有一些补充内容和习题,比如这次期中的最后一题老师也在课堂上提到过,但是很少有人注意到。 2.要有个线索,建立自己的知识树,注意前后的联系,不要脱节。比如:半导体材料的性 质,半导体构成的元件,半导体元件组成的放大电路,处理电路。前后紧密相连,环环相扣,围绕着一个核心问题:信号的放大,运算,处理,转换,产生。在学习的时候,一定要从前往后切实的掌握基本概念,理解每个参数的物理意义。 3.重点把握典型的基本电路及分析方法,掌握工作原理,结构特点,性能特点。比如典型 的差分电路,多级放大电路的基本组成,各种功率放大电路等,唯有如此,才能对它们的改进电路和类似电路做进一步的分析。 4.结合实验课和multisim仿真,这也是模电数电的一个重大区别,数电电路复杂,但是一 旦接对结果一定正确,而模电虽然电路简单,但是即使设计和电路都正确,结果还是出不来。这时就要具体分析电路,哪里可能存在误差或者自激振荡或者参数不合适,在这个过程我们对电路有了更加深入的认识。而multisim更是我们学习的好帮手,可是讲的各种特性还有电路都可以自己来仿真一遍,一方面对这些元件有个初步的认识,另一方面对参数的设置有具体的把握。 课程学习成效 1.会看:电路的识别及定性分析,首先根据电路特征判断其属于哪种电路,然后根据电路 特点判断其性能特点。 2.会选:在已知需求情况下选择电路形式,在已知功能情况下选择元器件类型,在已知性 能指标情况下选择电路参数。常结合会看来选,比如选择合适的放大电路,应根据动态静态,带负载能力输入电阻大小等来选择,选择负反馈电阻也要根据是稳压还是稳流,带负载能力,输入电阻等来选择。 3.会算:电路的定量分析,例如对于放大电路会求解静态工作点,Au,输入输出电阻,上 下限截止频率,会画出交直流等效电路;对于运算电路会求解运算关系等 4.会调:电路参数的调节和设置,主要在放着呢和实验中会根据实验现象来调节合适的参 数,比如放大电路发生失真时判断是顶部还是底部失真,是由于哪些因素引起,相应调节对应参数 5.会设计:能够根据要求设计相应功能的电路,这是一个综合的富有创新性的能力。比如 设计一个求解微分方程的电路,设计一个电压表等。 课程学习感受 我觉得模电是一门知识点杂多,但是主线清晰的学科,具有很强的工程性和实践性,对于我来说还是很有难度和挑战性的,但是迎难而上收获才会更多!

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模电知识总结

第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。 1、导体导电和本征半导体导电的区别:导体导电只有一种载流子:自由电子导电半导体 导电有两种载流子:自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现,数目相等,所带 电荷极性不同,故运动方向相反。 2、本征半导体的导电性很差,但与环境温度密切相关。 3、杂质半导体 (1) N型半导体一一掺入五价元素(2) P型半导体一一掺入三价元素 4、PN 结——P 型半导体和N 型半导体的交界面

5、PN结的单向导电性——外加电压 輕qo 0£) 00 GO e?;①乜QQ 05 ① <5 ffi ? <9 0?① Q O ? GT? G) 耗尽层' F 阿—H NS 禺〕16 P+蜡如正向电压时导逓 在交界面处两种载流子的浓度差很大;空间电荷区又称为耗尽层 反向电压超过一 定值时,就会反 向击穿,称之为 反向击穿电压

正向偏置反向偏置 6、二极管的结构、特性及主要参数 (1) P区引出的电极一一阳极;N区引出的电极一一阴极 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线 下移。二极管的特性对温度很敏感。 其中,Is为反向电流,Uon为开启电压,硅的开启电压一一0.5V,导通电压为0.6~0.8V,反向饱和电 流<0.1叭,锗的开启电压一一0.1V,导通电压为0.1~0.3V,反向饱和电流几十[A。 (2 )主要参数 1)最大整流电流I :最大正向平均电流 2)最高反向工作电流U :允许 外加的最大反向电流,通常为击穿电压U的一半 3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流,其值越小,二极管的单向导电性越好,对 温度越敏感 4)最高工作频率f :二极管工作的上限频率,超过此值二极管不能很好的体现单向导电性 7、稳压二极管 在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内) ,端电压几乎不变,表现出稳压特 性,广泛应用于稳压电源和限幅电路中。 (1) 稳压管的伏安特性 W(b| 用L2.1U意压诊的伏安埒性和裁效电路 M试疋特性Cb}时号恳竽故审.歸

模电总结复习资料

模电总结复习资料 1、半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2、特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3、本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4、两种载流子--带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5、杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6、杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7、 PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0、6~0、8V,锗材料约为0、2~0、3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8、 PN结的伏安特性二、半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0、6~0、7V,锗管0、2~0、3V。 *死区电压------硅管0、5V,锗管0、1V。 3、分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳 V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

模电总结复习资料+期末试题A及答案

第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

(完整版)模电学习心得集

个人建议:认真分析几个典型电路,主要掌握晶体管的等效模型,以及在电路中怎么等效。其他的都很容易解决了。只要会等效了,模电就是完全是电路的内容。其实一点都不可怕,开始不要太关注乱七八糟的内容,抓住主要的,次要的回过头来很容易解决。 我现在大三,自动化的。个人建议就是,不要要求每字每句都会,大概的了解那些理论,就可以。在以后的学习中,你会慢慢地发现,理解原来的知识的! 二极管的特性、晶体管的基本放大电路、集成运放的虚断虚短,稳压电路, 电路中电阻电容等器件的作用.... 笔试通常都考这些~~ 首先该明白这门课的研究对象,其实这门课可以说是电路理论的延伸。其中要运用到电路理论的分析方法,所不同的是,新增加了不少复杂的电气元器件。 说到元器件,首先接触到的便是二、三极管。不论哪种版本的教材,一开始都会介绍pn结的特性,个人觉得可以不要太在乎里面的结构,但其特性方程是一定要记得的。然后,二极管比较简单,就是一个单一的pn结,在电路中的表现在不同情况下可以用不同的模型解决(理想模型、恒压降模型、小信号模型,前两者是用于直流分析的,而最后一个是用于交流分析的)。而对于三极管,就相对来说复杂些,在此本人不想说书上有的东西,只想强调一下学习中该注意的问题: 1、对于三极管,它总共有三种工作状态,当它被放在电路中时,我们所要做的第一件事就是判断它在所给参数下的工作状态。(在模电的习题中,除非那道题是专门地考你三极管的状态,否则都是工作在放大区,因为只有这样,管子才能发挥我们想它有的效用。但在数电中,我们却是靠管子的不同状态的切换来做控制开关用的) 2、既然管子基本在放大区,那么它的直流特性就有:be结的电压为0.7V(硅管,锗管是0.2V),发射极电流约等于集电集电流并等于基极电流的β倍。通过这几个已知的关系,我们可以把管子的静态工作点算出来——所谓静态工作点就是:ce间电压,三个极分别的电流。 3、为什么我们得先算出静态工作点呢?这就要弄清直流和交流之间的关系了:在模电里,我们研究的对象都是放大电路,而其中的放大量都是交流信号,并且是比较微弱的交流信号。大家知道,三极管要工作是要一定的偏置条件的,而交流信号又小又有负值,所以我们不能直接放大交流信号,在此我们用的方法就是:给管子一个直流偏置,让它在放大区工作,然后在直流上叠加一个交流信号(也就是让电压波动,不过不是像单一的正弦波一样围绕0波动,而是围绕你加的那个直流电压波动),然后由于三极管的性质,就能产生放大的交流信号了。 4、关于分析电路:从以上的叙述,我们可以看出分析电路应该分为两部分:直流分析和交流分析。不同的分析下,电路图是不一样的,这是因为元件在不同的量下,它的特性不同。(例如电容在直流下就相当于开路,而在交流下可以近似为短路)。而三极管,在交流下就有一个等效模型,也就是把be间等效为一个电阻,ce间等效为一个受控电流源,其电流值为be间电流的贝塔倍。这样分析就可以很好的进行下去了

模电知识点归纳2(完全版).docx

第一章常用半导体器件 1 .什么是杂质半导体?有哪 2 种杂质半导体? 2 .什么是 N 型杂质半导体?在N 型半导体中,掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为 P型半导体? 3 .什么是 P 型杂质半导体?在P 型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为N 型半导体? 4 .什么是 PN 结? PN 结具有什么样的导电性能? 5 .二极管的结构?画出二极管的电路符号,二极管具有什么样的导电性能? 6 .理想二极管的特点? 7 .什么是稳压管?电路符号?正向导通,反向截止,反向击穿分别具有什么样的特点?稳 定电压 Uz 指的是什么?稳定电流Iz 和最大稳定电流分别指的什么? 8 .二极管的主要应用电路有那些?掌握二极管的开关电路,限幅电路和整流电路的分析。 (1 )二极管的开关电路, D 为理想二极管,求U AO (2 )二极管的限幅电路

D 为理想二极管时的输出波形 D 为恒压降模型时的输出波形(3 )二极管的单相半波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压)

(4 )二极管单相桥式全波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压) 如果图中四个二极管全 部反过来接,求负载上输 出电压的平均值? (5)二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波 形求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压)

(6)二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波 形求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压) 9 .什么是晶体管?它的结构和电路符号?(见教材P29 页),晶体管是一种电流控制器件, 用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么?工作在电流放大状态下的电流控 制方程是什么?

模电实验常见问题解决报告

模电实验常见问题解决报告 学号:201303080511 一学期的模电实验已经结束,本人经历了不少的艰难探索,也收获了不少的模电实践经验。因为在实验中遇到了不少的问题以及解决方法的不当,所以我的实验速度总是会受到不少的影响,但是也因此学会了不少的常见问题以及解决方法,感受颇深。故决定结合自己的短短一学期的实验经验以及其他资料的补充,制作这篇模电实验常见问题解决报告。 注意:此报告的涉及范围仅为本学期所涉及的实验及仪器(实验一、二、五、六、七) 一、万用表: 1.万用表如何检测? 答:在使用万用表时,首先检查万用表的状态,将万用表档位开关打到电阻档,把红笔和黑笔两表笔金属头搭接到一起,电阻显示为0时,证明万用表表完好,可以使用。然后将万用表档位开关旋转到需要的档位,将红、黑表笔插到万用表相应的测试插孔,并搭接到测试点进行测量。 2.电路连接正常,但是测量电压时万用表上显示数值为0 答: (1)检查交流直流按钮,如果是交流电路一定要切换到交流挡才能测量。 (2)根据预习时所估算的数值估计数据的大小,选择正确的量程,可以一个个切换寻找合适量程。 (3)另外,注意插头是否插紧,有些万用表的插头容易松动。 二、示波器: 1.接通电源后,找不到波形? 答:首先检查通道(CH1,CH2)是否开启,是否误按了接地按钮,其次再检查波形亮度设置是否太小,或者纵坐标单位太大,导致波形太大不在显示屏内。 2.波形不稳定? 答:首先选择自动触发旋钮,再者旋转触发电平旋钮,还不行就调节扫描速率旋钮,若波形抖动剧烈,并出现多个波形,把扫描速率调大,或者检查示波器测量探头的测试端和接地端是否接反。若以上方法都不行再调整示波器输入线,调整位置看看波形是否发生变化。 3. 波形幅值大小异常,与实验估算幅值不准 答: 检查示波器探头是否为10×,或者100×,保证探头衰减处在为1×! 三、函数信号发生器: 1.输出的波形严重失真? 答:注意输出波形的幅值是否过高,过高将会引起饱和失真。 2.发生器屏幕显示的输出正弦波的有效值大小不准确? 答:不准确则为机器原因,可用示波器的CH2通道与发生器相连,计算相应的峰值,调整

模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)

绪论 一.符号约定 ?大写字母、大写下标表示直流量。如:V CE、I C等。 ?小写字母、大写下标表示总量(含交、直流)。如:v CE、i B等。?小写字母、小写下标表示纯交流量。如:v ce、i b等。 ? 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如:等。 二.信号 (1)模型的转换 (2)分类 (3)频谱 二.放大电路 (1)模型

(2)增益 如何确定电路的输出电阻r o?

三.频率响应以及带宽 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:

模电课程设计心得体会范文

模电课程设计心得体会范文 【模电课程设计心得体会范文一】 时间总是过得很快,经过一周的课程设计的学习,我已经自己能制作一个高保真音频功率放大器,这其中的兴奋是无法用言语表达的。 学习模电这段时间也是我们一学期最忙的日子,不仅面临着期末考试,而且中间还有一些其他科目的实验,更为紧急的是,之前刚做完protel99的课程设计,本周必须完成模电的课程设计。任务对我们来说,显得很重。昨天刚考完复变,为了尽快完成模电的课程设计,我一天也没歇息。相关知识缺乏给学习它带来很大困难,为了尽快掌握它的用法,我照着原理图学习视频一步一步做,终于知道了如何操作。 刚开始我借来了一份高保真音频功率放大器的电路原理图,但离实际应用差距较大,有些器件很难找到,后来到网上搜索了一下相关内容,顺便到学校图书馆借相关书籍,经过不断比较与讨论,最终敲定了高保真音频功率放大器的电路原理图,并且询问了兄弟班关于元器件的参数情况。为下步实物连接打好基础。在做电路仿真时,我画好了电路原理图,修改好参数后,创建网络列表时系统总是报错,无论我怎样修改都不行,后来请教同学,他们也遇到了同样的困惑。任何事情都不可能是一帆风顺的,开始是创建网络表时出现问题,后来是没有差错但出来的仿真波形不是预计中的,这确实很难修改。输出时仿真波形总是一条直线,我弄了一晚上也找不出原因,整个人也显得焦躁不已。 接下来,开始了我们的实物焊接阶段。之前的电工实习让我简单的接触到了焊

接实物,以为会比较轻松,但实际焊接起来才发现此次与电工实习中的焊接实物有很大的不同,要自己对焊板上元件进行布置和焊接电路元件连线,增加了很大的难度。由于采用了电路板,为了使步线美观、简洁,还真是费了我们不少精力,经过不断的修改与讨论,最终结果还比较另人满意。 经过这段课程设计的日子,我发现从刚开始的matlab到现在的pspice,不管是学习哪种软件,都给我留下了很深的印象。由于没有接触,开始学得很费力,但到后来就好了。在每次的课程设计中,遇到问题,最好的办法就是问别人,因为每个人掌握情况不一样,不可能做到处处都懂,发挥群众的力量,复杂的事情就会变得很简单。这一点我深有体会,在很多时候,我遇到的困难或许别人之前就已遇到,向他们请教远比自己在那冥思苦想来得快。 虽然最终实物做出来了,但这并不是我一个人做出来的。通过这次课程设计,我明白了一个团队精神的重要性,因为从头到尾,都是大家集体出主意,来解决中间出现的各种问题。从原理图的最终敲定,到波形的仿真,到元器件的选择与购买,到最后实物的焊接与调试,这都是大家分工合作的结果,正是因为大家配合得默契,每项工作都完成得很棒,衔接得很好,才使我们很快的完成了任务。尽管现在只是初步学会了高保真音频功率放大器设计,离真正掌握还有一定距离,但学习的这段日子确实令我收益匪浅,不仅因为它发生在特别的时间,更重要的是我又多掌握了一门新的技术,收获总是令人快乐,不是吗? 【模电课程设计心得体会范文二】 在这次的模电课程设计中,我们对模电数电有了更清晰的认识。但是在一开始看见题目的时候,还是比较头疼的,不知道如何下手,但是随着慢慢的摸索,思路慢慢的出现了。这之间变化还是蛮大的,从最开始的不愿意动手到后来的因为

模电知识点归纳2(完全版)

第一章常用半导体器件 1.什么是杂质半导体?有哪2种杂质半导体? 2.什么是N型杂质半导体?在N型半导体中,掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为P型半导体? 3.什么是P型杂质半导体?在P型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为N 型半导体? 4.什么是PN结?PN结具有什么样的导电性能? 5.二极管的结构?画出二极管的电路符号,二极管具有什么样的导电性能? 6.理想二极管的特点? 7.什么是稳压管?电路符号?正向导通,反向截止,反向击穿分别具有什么样的特点?稳定电压Uz指的是什么?稳定电流Iz和最大稳定电流分别指的什么? 8.二极管的主要应用电路有那些?掌握二极管的开关电路,限幅电路和整流电路的分析。(1)二极管的开关电路,D为理想二极管,求U AO (2)二极管的限幅电路

D为理想二极管时的输出波形D为恒压降模型时的输出波形(3)二极管的单相半波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压)

(4)二极管单相桥式全波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压) 如果图中四个二极管全 部反过来接,求负载上输 出电压的平均值? (5)二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压)

(6)二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压) 9.什么是晶体管?它的结构和电路符号?(见教材P29页),晶体管是一种电流控制器件,用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么?工作在电流放大状态下的电流控制方程是什么?

模拟电路总结

32.模拟电子电路总结 ①伏安特性曲线,二极管开启电压为0.7V/0.2V,环境温度升高后,二极管正向特性曲线左移,方向特性曲线下移。 ②晶体管工作在放大区的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。 ③共射特性曲线:输入特性曲线和输出特性曲线。Uce增大时,曲线右移。 截止区、放大区、饱和区。 ④结型场效应管U GS(off)和绝缘栅型场效应管U GS(th)。 夹断区、恒流区、可变电阻区。 ⑤静态工作点设置为保证:一、放大不失真二、能够放大。 两种共射放大电路:直接耦合、阻容耦合。 放大电路分析方法:直流通路求静态工作点,交流通路求动态参数。截止失真,饱和失真。等效电路。 Re直流负反馈。晶体管单管三种接法:共射、共基、共集。 共射:既放大电流又放大电压。输入电阻居中,输出电阻较大,频带窄。多用于低频放大电路。 共基:只放大电压不放大电流。输入电阻小,电压放大和输出电阻与共射相当。频率特性最好。 共集:只放大电流不放大电压。输入电阻最大,输出电阻最小,具有电压跟随特性。用于放大电路的输入级和输出级。 场效应管;

基本共源放大电路、自给偏压电路、分压式偏置电路。 多级电路耦合方式: 直接耦合:良好的低频特性,可放大变化缓慢的信号。 阻容耦合:各级电路静态工作点独立,电路分析、设计、调试简单。有大电容的存在不利于集成化。 变压器耦合:静态工作点独立,不利于集成化,可实现阻抗变换,在功率放大中得到广泛的应用。 零点漂移和温度漂移 抑制温漂的方法:引入直流负反馈、采用温度补偿,电路中二极管。差分放大电路。 差分放大电路中共模抑制比。 互补对称输出电路。 集成运放电路的组成: 输入级:双端输入的差分放大电路,输入电阻高,差模放大倍数大,抑制共模能力强,静态电流小。 中间级:采用共射(共源)放大电路,为提高放大倍数采用复合管放大电路,以恒流源做集电极负载。 输出级:输出电压线性范围宽、输出电阻小(带负载能力强)非线性失真小。多互补对称输出电路。 集成运放频率补偿:一、滞后补偿1.简单电容补偿2.密勒效应补偿二、超前补偿 放大电路中反馈特性

模电复习总结

零点漂移 零点漂移可描述为:输入电压为零,输出电压偏离零值的变化。它又被简称为:零漂 零点漂移是怎样形成的:运算放大器均是采用直接耦合的方式,我们知道直接耦合式放大电路的各级的Q点是相互影响的,由于各级的放大作用,第一级的微弱变化,会使输出级产生很大的变化。当输入短路时(由于一些原因使输入级的Q点发生微弱变化象:温度),输出将随时间缓慢变化,这样就形成了零点漂移。 产生零漂的原因是:晶体三极管的参数受温度的影响。解决零漂最有效的措施是:采用差动电路。 BJT放大电路的零点漂移和差分放大器 2011-08-10 17:55:57| 分类:微电子电路| 标签:晶体管差分放大器|字号 大中小订阅 Xie Meng-xian. (电子科大,成都市) 在电路应用中,双极型晶体管的温度稳定性系数,主要是用来表征晶体管直流偏置电路所决定的工作点的温度稳定性。而在晶体管的直接耦合放大电路中,还会出现的一种重要的不稳定现象——零点漂移。 零点漂移是指当放大器的输入电压为零(输入端短路)时,而在输出端有无规律的、变化缓慢的电压产生的现象,这是晶体管直接耦合放大电路中存在的一个特殊问题。零点漂移不仅与偏置电路有关,而且也与其他许多因素有关。 (1)产生零点漂移的原因: 引起晶体管出现零点漂移的原因很多,例如:温度的变化对晶体管参数的影响,电源电压的波动,元器件参数变值,环境温度变化等;其中最主要的因素是温度的变化,因为晶体管是温度的敏感器件,它的参数(VBE、β、ICBO)都将会随温度而发生变化,最终导致放大电路静态工作点产生偏移。在诸多因素中,不仅温度的影响最大,而且最难控制的也是温度的变化。故有时也把零点漂移简称为温度漂移。 如果晶体管的电压放大倍数为K,输入电压的漂移为ΔVpi,则由于温度的变化(ΔT)而使得输出电压的漂移ΔVpo可近似地表示为

模拟电路考试题及答案

自测题一 一、判断题 1.因为P 型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。( F ) 2.在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( T ) 3.处于放大状态的三极管,集电极电流是多数载流子漂移所形成的。( F ) 二、单选题 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( D )。 A .外电场 B .内电场 C .掺杂 D .热激发 2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )。 A .正、反向电阻相等 B .正向电阻大,反向电阻小 ` C .反向电阻比正向电阻大很多倍 D .正、反向电阻都等于无穷大 3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将( B )。(X 轴为电压) A .右移 B .左移 C .上移 D .下移 4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将( A )。 A .增大 B .减小 C .不变 D .不确定 5.三极管β值是反映( B )能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源) A .电压控制电压 B .电流控制电流 C .电压控制电流 D .电流控制电压 6.温度升高时,三极管的β值将( A )。 A .增大 B .减少 C .不变 D .不能确定 7.下列选项中,不属三极管的参数是( B )。 > A .电流放大系数 B .最大整流电流 C .集电极最大允许电流 D .集电极最大允许耗散功率 8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=,V U 4.52=,V U 123=,则对应该管的管脚排列依次是( B ) 。 A .e, b, c B .b, e, c C .b, c, e D .c, b, e 9.晶体三极管的反向电流是由( B )运动形成的。 A .多数载流子 B .少数载流子 C .扩散 D .少数载流子和多数载流子共同 10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V 、12V 和,则此三极管是( D )。(发正偏集反偏) A .PNP 型硅管 B .PNP 型锗管 C .NPN 型锗管 D .NPN 型硅管 11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的( B )。 ¥ A .非饱和区 B .饱和区 C .截止区 D .击穿区 12.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g 与源极s 之间电压为零时( B )。 A .能够形成导电沟道 B .不能形成导电沟道 C .漏极电流不为零 D .漏极电压为零 三、填空题 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。 2.少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。 3.PN 结正偏导通,反偏截止,称为PN 结的 单向导电性 性能。 4.PN 结加正向电压时,空间电荷区将 变窄 。 5.PN 结正向偏置时,PN 结的内电场被 削弱 。 】 6.三极管最重要的特性是 电流放大作用 。 7.温度升高时,晶体管的反向饱和电流将 增大 。

集美大学模电总结复习要点

最新模电复习要点详解 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

大学期末模电复习总结

模拟电子技术基础复习要点 一、常用半导体器件 1.半导体二极管 (1)掌握二极管具有单向导电的特性。用电位的方法来判断二极管是否导通,即,哪个二极管的阳极电位最高,或哪个二极管的阴极电位最低,哪个二极管就优先导通。 (2)注意:理想二极管导通之后相当短路,截止后相当开路。 (3)掌握二极管的动态电阻小,静态电阻大的概念(直流通路恒压源,交流通路小电阻)。 交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻,用静态工作点和公式求二极管的电阻值 (4)熟悉二极管的应用(开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅)作业:1.3 2. 半导体稳压管 (1)掌握稳压管工作在反向击穿区的特点 只要不超过稳压管的最大功率,电流越大越好 (2)掌握稳压管与一电阻串联时,在电路中起的稳压作用。

(3)掌握稳压管的动态电阻小,静态电阻大的概念。 (3)熟悉稳压管的应用(稳压、限幅)作业:1.5 , 1.6 3. 晶体三极管 (1)熟悉晶体管的电流放大原理(重点掌握Ic =βIb ) (2)掌握NPN 型三极管的输出特性曲线。 晶体管有三个级,必然就有BE 间的输入,CE 间的输出,所以有两组特性曲线。 iB 和Ube 之间的关系,但是保证Uce 是一个恒定值 iC 和Uce 之间的关系,保证Ib 是一个恒定值 关于NPN 型管子:管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。主要是饱和区和截止区之间的区别 (3)掌握三极管的放大、饱和与截止条件。 (4)理解CEO CBO I I 和的定义及其对晶体管集电极电流的影响。作业:1.9,1.12 ,

共射交流放大倍数β,共基交流放大倍数α≈1 4. 场效应管 (1)能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。

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