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半导体物理基本概念-2014年

半导体物理基本概念: 离子晶体, 共价晶体, 晶胞, 肖脱基缺陷，费仑克尔缺陷，施(受)主杂质, 施(受)主电离能, 直(简)接复合, 复合率, 量子态密度, 状态密度, 有效状态密度, 绝缘体(半导体\导体)能带特点, 深(浅)杂质能级, 费米能级, 平衡态, 非平衡态, 载流子漂移运动，空穴，陷阱, 陷阱中心, 扩散系数, 扩散长度, 散射几率,电离杂质散射，迁移率, 复合中心，直接复合，间接复合, 简并半导体, 非简并半导体, 爱因斯坦关系离子晶体：正负离子交替排列在晶格格点上，靠离子键结合成。共价晶体：由共价键结合而成的晶体叫共价晶体。 (补充：晶体的分类（按原子结合力的性质分）离子晶体：正负离子交替排列在晶格格点上，靠离子键结合成。原子晶体：晶格格点上交替排列的是原子，依靠共价键结合而成。分子晶体：占据晶格中格点位置的是分子，依靠范德瓦耳斯力结合而成。金属晶体：晶格格点上排列着失去价电子的离子实，依靠金属键结合而成。) 晶胞：反映布拉菲点阵对称性的前提下，构成布拉菲点阵的平行六面体。除顶点上外，内部和表面也可以包含格点。肖脱基缺陷:晶体结构中的一种因原子或离子离开原来所在的格点位置而形成的空位式的点缺陷费仑克尔缺陷:指晶体结构中由于原先占据一个格点的原子（或离子）离开格点位置，成为间隙原子（或离子），并在其原先占据的格点处留下一个空位，这样的空位-间隙对就称为弗仑克尔缺陷施主杂质：杂质在硅、锗等半导体中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心。施主电离能：多余的一个价电子脱离施主杂质而成为自由电子所需要的能量。受主杂质：杂质在硅，锗等半导体中能接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心。受主电离能：使空穴挣脱受主杂质成为导电空穴所需要的能量。直接复合：电子在导带和价带之间直接跃迁而产生复合间接复合：电子和空穴通过禁带的能级进行复合载流子复合率：单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数。量子态密度：k空间单位体积内具有的量子态数目。状态密度：能量E附近单位能量间隔内的量子态数。有效状态密度：绝缘体能带特点：价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带，且禁带宽度较大。半导体能带特点：价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带，但禁带宽度相对较小。导体能带特点: 深杂质能级：若杂质提供的施主能级距离导带底较远；或提供的受主能能级距离价带顶较远，这种能级称为深能级，对应的杂质称为深能级杂质。浅杂质能级：通常情况下，半导体中些施主能级距离导带底较近；或受主能能级距离价带顶较近。这种能级称为浅能级，对应的杂质称为浅能级杂质。

高级财务会计习题答案

高级财务会计习题答案 Prepared on 22 November 2020

其他业务收入（投资性房地产收益） 80 000 B公司的会计处理换入设备的入账价值=300 000+300 000×17%+49 000=400 000元换出资产应确认的损益=300 000-280 000=20 000元借：投资性房地产 400 000 贷：主营业务收入 300 000 应交税金——增值税（销项） 51 000 银行存款 49 000 借：主营业务成本 280 000 贷：库存商品 280 000 2、2007年9月，X公司生产经营出现现金短缺，为扭转财务困境，遂决定将其正在建造的一幢办公楼及购买的办公设备与Y公司的一项专利技术及其对Z公司的一项长期股权投资进行交换。截止交换日，X公司办公楼的建设成本为900 000元。办公设备的账面价值为600 000元，公允价值为620 000元；Y公司的专利技术的账面价值为400 000元，长期股前投资的账面价值为600 000元。由于正在建造的办公楼的完工程度难以合理确定，Y公司的专利技术为新开发的前沿技术，Z公司是非上市公司，因而X公司在建的办公楼、Y公司的专利技术和对Z公司的长期股权投资这三项资产的公允价值均不能可靠计量。Y公司另支付X公司300 000元补价。假设该资产交换不涉及相关税费。要求：分别编制X公司和Y公司与该资产交换相关的会计分录。 X公司的会计处理：因为公允价值均不能可靠计量，所以采用账面价值计量换入资产。

化工热力学答案课后总习题答案详解

化工热力学答案_课后总习题答案详解第二章习题解答一、问答题： 2-1为什么要研究流体的pVT 关系？【参考答案】：流体p-V-T 关系是化工热力学的基石，是化工过程开发和设计、安全操作和科学研究必不可少的基础数据。（1）流体的PVT 关系可以直接用于设计。（2）利用可测的热力学性质（T ，P ，V 等）计算不可测的热力学性质（H ，S ，G ，等）。只要有了p-V-T 关系加上理想气体的id p C ，可以解决化工热力学的大多数问题。 2-2在p -V 图上指出超临界萃取技术所处的区域，以及该区域的特征；同时指出其它重要的点、线、面以及它们的特征。【参考答案】：1）超临界流体区的特征是：T >T c 、p >p c 。 2）临界点C 的数学特征： 3）饱和液相线是不同压力下产生第一个气泡的那个点的连线； 4）饱和汽相线是不同压力下产生第一个液滴点（或露点）那个点的连线。 5）过冷液体区的特征：给定压力下液体的温度低于该压力下的泡点温度。 6）过热蒸气区的特征：给定压力下蒸气的温度高于该压力下的露点温度。 7）汽液共存区：在此区域温度压力保持不变，只有体积在变化。 2-3 要满足什么条件，气体才能液化？【参考答案】：气体只有在低于T c 条件下才能被液化。 2-4 不同气体在相同温度压力下，偏离理想气体的程度是否相同？你认为哪些是决定偏离理想气体程度的最本质因素？【参考答案】：不同。真实气体偏离理想气体程度不仅与T 、p 有关，而且与每个气体的临界特性有 ()() () () 点在点在C V P C V P T T 00 2 2 ==?? ?

关，即最本质的因素是对比温度、对比压力以及偏心因子r T ，r P 和ω。 2-5 偏心因子的概念是什么？为什么要提出这个概念？它可以直接测量吗？【参考答案】：偏心因子ω为两个分子间的相互作用力偏离分子中心之间的作用力的程度。其物理意义为：一般流体与球形非极性简单流体（氩，氪、氙）在形状和极性方面的偏心度。为了提高计算复杂分子压缩因子的准确度。偏心因子不可以直接测量。偏心因子ω的定义为：000.1)p lg(7.0T s r r --==ω ， ω由测定的对比温度为0.7时的对比饱和压力的数据计算而得，并不能直接测量。 2-6 什么是状态方程的普遍化方法？普遍化方法有哪些类型？【参考答案】：所谓状态方程的普遍化方法是指方程中不含有物性常数a ，b ，而是以对比参数作为独立变量；普遍化状态方程可用于任何流体、任意条件下的PVT 性质的计算。普遍化方法有两种类型：（1）以压缩因子的多项式表示的普遍化关系式 (普遍化压缩因子图法)；（2）以两项virial 方程表示的普遍化第二virial 系数关系式(普遍化virial 系数法) 2-7简述三参数对应状态原理与两参数对应状态原理的区别。【参考答案】：三参数对应状态原理与两参数对应状态原理的区别在于为了提高对比态原理的精度，引入了第三参数如偏心因子ω。三参数对应态原理为：在相同的 r T 和r p 下，具有相同ω值的所有流体具有相同的压缩因子Z ，因此它们偏离理想气体的程度相同，即),P ,T (f Z r r ω=。而两参数对应状态原理为：在相同对比温度r T 、对比压力 r p 下，不同气体的对比摩尔体积r V （或压缩因子z ）是近似相等的，即(,) r r Z T P =。三参数对应状态原理比两参数对应状态原理精度高得多。 2-8总结纯气体和纯液体pVT 计算的异同。【参考答案】：由于范德华方程（vdW 方程）最大突破在于能同时计算汽、液两相性质，因此，理论上讲，采用基于vdW 方程的立方型状态方程能同时将纯气体和纯液体的性质计算出来（最小值是饱和液体摩尔体积、最大值是饱和气体摩尔体积），但事实上计算的纯气体性质误差较小，而纯液体的误差较大。因此，液体的p-V-T 关系往往采用专门计算液体体积的公式计算，如修正Rackett 方程，它与立方型状态方程相比，既简单精度又高。 2-9如何理解混合规则？为什么要提出这个概念？有哪些类型的混合规则？【参考答案】：对于混合气体，只要把混合物看成一个虚拟的纯物质，算出虚拟的特征参数，如Tr ，

半导体制造基本概念

半导体制造基本概念晶圆（Wafer）晶圆（Wafer）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分长，重76.6公斤的8?? 硅晶棒，约需2天半时间长成。经研磨、??光、切片后，即成半导体之原料晶圆片。光学显影光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到光阻下面的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、曝光和显影等程序。小尺寸之显像分辨率，更在IC 制程的进步上，扮演着最关键的角色。由于光学上的需要，此段制程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此区为黄光区。干式蚀刻技术在半导体的制程中，蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。干式蚀刻（又称为电浆蚀刻）是目前最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应。电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。首先，电浆会将蚀刻气体分子分解，产生能够快速蚀去材料的高活性分子。此外，电浆也会把这些化学成份离子化，使其带有电荷。晶圆系置于带负电的阴极之上，因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时，会以垂直角度撞击到晶圆表面。芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻，而后者也是干式蚀刻的重要角色。基本上，随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同，蚀刻由下列两种模式单独或混会进行：

1. 电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后，将与某特定成份之表面材质起化学反应而使之气化。如此即可将表面材质移出晶圆表面，并透过抽气动作将其排出。 2. 电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键，进而将晶圆表面材质分子一个个的打击或溅击（sputtering）出来。化学气相沉积技术化学气相沉积是制造微电子组件时，被用来沉积出某种薄膜(film)的技术，所沉积出的薄膜可能是介电材料(绝缘体)(dielectrics)、导体、或半导体。在进行化学气相沉积制程时，包含有被沉积材料之原子的气体，会被导入受到严密控制的制程反应室内。当这些原子在受热的昌圆表面上起化学反应时，会在晶圆表面产生一层固态薄膜。而此一化学反应通常必须使用单一或多种能量源(例如热能或无线电频率功率)。 CVD制程产生的薄膜厚度从低于0.5微米到数微米都有，不过最重要的是其厚度都必须足够均匀。较为常见的CVD薄膜包括有： ■二气化硅（通常直接称为氧化层） ■氮化硅 ■多晶硅 ■耐火金属与这类金属之其硅化物可作为半导体组件绝缘体的二氧化硅薄膜与电浆氮化物介电层（plasmas nitride dielectrics）是目前CVD技术最广泛的应用。这类薄膜材料可以在芯片内部构成三种主要的介质薄膜：内层介电层（ILD）、内金属介电层（IMD）、以及保护层。此外、金层化学气相沉积（包括钨、铝、氮化钛、以及其它金属等）也是一种热门的CVD应用。物理气相沉积技术如其名称所示，物理气相沉积（Physical Vapor Deposition）主要是一种物理制程而非化学制程。此技术一般使用氩等钝气，藉由在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后，可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来的材质（通常为铝、钛或其合金）如雪片般沉积在晶圆表面。制程反应室内部的高温与高真空环境，可使这些金属原子结成晶粒，再透过微影图案化（patterned）与蚀刻，来得到半导体组件所要的导电电路。解离金属电浆（IMP）物理气相沉积技术

财务会计理论答案

1、请解释为什么在非理想环境下,当计算期望现值时,无须进行估计?请解释为什么在非理想环境下，必须在相关和可靠之间进行权衡？在你的答案中，请定义这两个术语。 P25—8 在非理想环境下，确定一整套的自然事件及其相关的现金流是非常困难的，因为有那么多的事件会发生，他们将影响未来事件的实现并导致相应的现金流。即使能够确定一整套合理的事件组合，仍然会存在困难，因为可观察的事件发生的概率我们也无法获得。这些概率必须要进行客观的估计，但是这些就会产生偏差的可靠性问题和准确度缺失问题。此外，并不一定能给出一个固定的利率。虽然期望现值仍然可以计算，但是它是一个估计值，因为现金流，概率和利率都是估计的。 P25—10 相关信息是给投资者提供关于一家企业未来经济预期的信息。更具体的讲，相关信息是帮助投资者来估计一项资产的未来现金收入或者是一项债务的未来现金支出，可靠信息是精确和无偏的信息。当条件为不理想环境时，相关信息就要求估计可能的自然事件及其概率，这些估计在以后回顾起来可能就是不正确的，因此就会成为前期准备中的偏差，因此相关信息就好像是不可靠的。反过来，可靠信息，例如资本资产的历史成本或者是债务的票面价值，就会失去了相关性，因为它没有包含对未来收入或者支出的预测。在资产的获得或者带息债务产生的时候，历史成本可能是具有一些相关性的，但是资产的价格和利率是时刻变化的，因此，通常情况下可靠的信息蕴含了较少的企业未来经济预期的信息，因为没有预测未来的收入和支出。因此，一个想保留更多相关性的会计就需要处理更多更大量的自然事件组合以及与之相关的概率。然而，这意味着将会较少的可靠性。因此，关于会计信息的这两个属性必须进行权衡，因为他们是此消彼长的关系。 2、解释财务报表的信息观，它依赖于会计的历史成本基础吗？ P95—1 信息观认为财务报告是向投资者传达有用信息一种途径，然后，投资就需要决定是否使用这一信息来形成他们自己对未来盈利能力和股票收益的后验概率。信息观与会计的历史成本基础是一致的，但是不依赖于它。基于理论和经验的证据表明历史成本基础的财务报告向投资者提供了有用的信息。但是，没有特别的理由来解释为什么这些信息必须由历史成本基础来提供。RRA（储备确认会计）信息不是历史成本基础的，也不是说明事项和管理层讨论分析（MD&A）的大多数信息。这个信息的本质，就像上面提到的一样，是指投资者在形成他们自己对未来业绩的估计的时候，是被假设成不仅仅使用会计信息，还会使用其它的相关信息，而会计是不会为他们做这些的。披露的特别形式并不重要，重要的仅仅是信息被公开。因此，在有附加信息来补充财务报告的时候，信息观可以用于证明以历史成本作为财务报告的基础是合适的。进而根据有效市场理论就可以保证，通常，投资者是能够合适地理解这一信息。 3、为什么决策有用性建议，在恰当的财务报表中包含更多的价值相关信息，而有效资本市场理论暗示，报表附注以及其他披露方式同样有效？当会计人员采用计量观时会对相关性、可靠性以及财务报表信息的决策有用性产生什么影响？

《化工热力学》详细课后习题答案陈新志

2 习题第1章绪言一、是否题 1. 孤立体系的热力学能和熵都是一定值。( 错。和，如一体积等于2V 的绝热刚性容器，被一理想的隔板一分为二，左侧状态是T ，P 的理想气体，右侧是T 温度的真空。当隔板抽去后，由于Q ＝W ＝0，，，，故体系将在T ，2V ，0.5P 状态下达到平衡，，，） 2. 封闭体系的体积为一常数。（错） 3. 封闭体系中有两个相。在尚未达到平衡时，两个相都是均相敞开体系；达到平衡时，则两个相都等价于均相封闭体系。（对） 4. 理想气体的焓和热容仅是温度的函数。（对） 5. 理想气体的熵和吉氏函数仅是温度的函数。（错。还与压力或摩尔体积有关。） 6. 要确定物质在单相区的状态需要指定两个强度性质，但是状态方程 P=P (T ，V )的自变量中只有一个强度性质，所以，这与相律有矛盾。（错。V 也是强度性质） 7. 封闭体系的1mol 气体进行了某一过程，其体积总是变化着的，但是初态和终态的体积相等，初态和终态的温度分别为T 1和T 2，则该过程的；同样，对于初、终态压力相等的过程有。（对。状态函数的变化仅决定于初、终态与途径无关。） 8. 描述封闭体系中理想气体绝热可逆途径的方程是（其中），而一位学生认为这是状态函数间的关系，与途径无关，所以不需要可逆的条件。(错。) 9. 自变量与独立变量是一致的，从属变量与函数是一致的。（错。有时可能不一致） 10. 自变量与独立变量是不可能相同的。（错。有时可以一致）三、填空题 1. 状态函数的特点是：状态函数的变化与途径无关，仅决定于初、终态。 2. 单相区的纯物质和定组成混合物的自由度数目分别是 2 和 2 。 3. 封闭体系中，温度是T 的1mol 理想气体从(P ，V )等温可逆地膨胀到(P ，V )，则所做的功为 i i f f (以V 表示)或 (以P 表示)。 4. 封闭体系中的1mol 理想气体(已知 )，按下列途径由T 1、P 1和V 1可逆地变化至P ，则

半导体物理学基本概念汇总

半导体物理学基本概念有效质量-----载流子在晶体中的表观质量，它体现了周期场对电子运动的影响。其物理意义：1）有效质量的大小仍然是惯性大小的量度；2）有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递，因此可正可负。空穴-----是一种准粒子，代表半导体近满带（价带）中的少量空态，相当于具有正的电子电荷和正的有效质量的粒子，描述了近满带中大量电子的运动行为。回旋共振----半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动，此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场，当交变磁场的频率等于电子的回旋频率时，发生强烈的共振吸收现象，称为回旋共振。施主-----在半导体中起施予电子作用的杂质。受主-----在半导体中起接受电子作用的杂质。杂质电离能-----使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。 n-型半导体------以电子为主要载流子的半导体。 p-型半导体------以空穴为主要载流子的半导体。浅能级杂质------杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶，即杂质电离能很低的杂质。浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。深能级杂质-------杂质能级位于半导体禁带中远离导带底（施主）或价带顶（受主），即杂质电离能很大的杂质。深能级杂质对半导体导电性质影响较小，但对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用。位于半导体禁带中央能级附近的深能级杂质是有效的复合中心。杂质补偿-----在半导体中同时存在施主和受主杂质时，存在杂质补偿现象，即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级，实际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓度，即两者之差。

化工热力学复习题(附答案)

化工热力学复习题一、选择题 1. T 温度下的纯物质，当压力低于该温度下的饱和蒸汽压时，则气体的状态为（ C ） A. 饱和蒸汽超临界流体过热蒸汽 2. 纯物质的第二virial 系数B （ A ） A 仅是T 的函数 B 是T 和P 的函数 C 是T 和V 的函数 D 是任何两强度性质的函数 3. 设Z 为x ，y 的连续函数，，根据欧拉连锁式，有（ B ） A. 1x y z Z Z x x y y ?????????=- ? ? ?????????? B. 1y x Z Z x y x y Z ?????????=- ? ? ?????????? C. 1y x Z Z x y x y Z ?????????= ? ? ?????????? D. 1y Z x Z y y x x Z ?????????=- ? ? ?????????? 4. 关于偏离函数M R ，理想性质M *，下列公式正确的是（ C ） " A. *R M M M =+ B. *2R M M M =- C. *R M M M =- D. *R M M M =+ 5. 下面的说法中不正确的是 ( B ) （A ）纯物质无偏摩尔量。（B ）任何偏摩尔性质都是T ，P 的函数。（C ）偏摩尔性质是强度性质。（D ）强度性质无偏摩尔量。 6. 关于逸度的下列说法中不正确的是 ( D ) （A ）逸度可称为“校正压力” 。（B ）逸度可称为“有效压力” 。（C ）逸度表达了真实气体对理想气体的偏差。（D ）逸度可代替压力，使真实气体的状态方程变为fv=nRT 。（E ）逸度就是物质从系统中逃逸趋势的量度。 7. 二元溶液，T, P 一定时,Gibbs —Duhem 方程的正确形式是 ( C ). a. X 1dlnγ1/dX 1+ X 2dlnγ2/dX 2 = 0 b. X 1dlnγ1/dX 2+ X 2 dlnγ2/dX 1 = 0 ` c. X 1dlnγ1/dX 1+ X 2dlnγ2/dX 1 = 0 d. X 1dlnγ1/dX 1– X 2 dlnγ2/dX 1 = 0 8. 关于化学势的下列说法中不正确的是( A ) A. 系统的偏摩尔量就是化学势 B. 化学势是系统的强度性质 C. 系统中的任一物质都有化学势 D. 化学势大小决定物质迁移的方向 9．关于活度和活度系数的下列说法中不正确的是 ( E ) （A ）活度是相对逸度，校正浓度,有效浓度；(B) 理想溶液活度等于其浓度。（C ）活度系数表示实际溶液与理想溶液的偏差。（D ）任何纯物质的活度均为1。（E ）r i 是G E /RT 的偏摩尔量。 10．等温等压下，在A 和B 组成的均相体系中，若A 的偏摩尔体积随浓度的改变而增加，则B 的偏摩尔体积将（B ） A. 增加 B. 减小 C. 不变 D. 不一定 " 11．下列各式中，化学位的定义式是 ( A ) 12．混合物中组分i 的逸度的完整定义式是（ A ）。 A. d G ___i =RTdln f ^i , 0lim →p [f ^i /(Y i P)]=1 B. d G ___i =RTdln f ^i , 0lim →p [f ^ i /P]=1 C. dG i =RTdln f ^i , 0lim →p f i =1 ； D. d G ___i =RTdln f ^i , 0lim →p f ^ i =1 j j j j n nS T i i n T P i i n nS nV i i n nS P i i n nU d n nA c n nG b n nH a ,,,,,,,,])([.])([.])([.])([.??≡??≡??≡??≡μμμμ

第一章半导体基础知识(精)

第一章半导体基础知识〖本章主要内容〗本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。〖本章学时分配〗本章分为4讲，每讲2学时。第一讲常用半导体器件一、主要内容 1、半导体及其导电性能根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-3～10-9 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力具有可控性；这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。 2、本征半导体的结构及其导电性能本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”，它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。 3、半导体的本征激发与复合现象当导体处于热力学温度0 K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数相等。 4、半导体的导电机理自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，因此，在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流。由于电子带负电，而电子的运动与空穴的运动方向相反，因此认为空穴带正电。

高级财务会计习题答案

《高级财务会计》习题答案第一章非货币资产交换 1、2007年5月，A公司以其一直用于出租的一幢房屋换入B公司生产的办公家具准备作为办公设备使用，B公司则换入的房屋继续出租。交换前A公司对该房屋采用成本模式进行后续计量，该房屋的原始成本为500 000元，累计已提折旧180 000元，公允价值为400 000元，没有计提减值准备；B公司换入房屋后继续采用成本模式进行计量。B公司办公家具账面价值为280 000元，公允价值与计税价格均为300 000元，适用的增值税税率为17%，B公司另外支付A公司49 000元的补价。假设交换不涉及其他的相关税费。要求：分别编制A公司和B公司与该资产交换相关的会计分录。 A公司的会计处理： 49 000/400 000=12.25%，所以交换属于非货币资产交换。换入设备的入账价值=400 000-（300 000×17%）-49 000=300 000元换出资产应确认的损益=400 000-320 000=80 000元借：固定资产清理320 000 累计折旧180 000 贷：投资性房地产500 000 借：固定资产——办公设备300 000 银行存款49 000 应交税金—增值税（进项）51 000 贷：固定资产清理320 000 其他业务收入（投资性房地产收益）80 000 B公司的会计处理换入设备的入账价值=300 000+300 000×17%+49 000=400 000元换出资产应确认的损益=300 000-280 000=20 000元借：投资性房地产400 000 贷：主营业务收入300 000 应交税金——增值税（销项）51 000 银行存款49 000 借：主营业务成本280 000 贷：库存商品280 000 2、2007年9月，X公司生产经营出现现金短缺，为扭转财务困境，遂决定将其正在建造的一幢办公楼及购买的办公设备与Y公司的一项专利技术及其对Z公司的一项长期股权投资进行交换。截止交换日，X公司办公楼的建设成本为900 000元。办公设备的账面价值为600 000元，公允价值为620 000元；Y公司的专利技术的账面价值为400 000元，长期股前投资的账面价值为600 000元。由于正在建造的办公楼的完工程度难以合理确定，Y公

化工热力学习题集(附标准答案)

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模拟题一一．单项选择题（每题1分，共20分）本大题解答（用A 或B 或C 或D ）请填入下表： 1. T 温度下的纯物质，当压力低于该温度下的饱和蒸汽压时，则气体的状态为（C ） A. 饱和蒸汽 B. 超临界流体 C. 过热蒸汽 2. T 温度下的过冷纯液体的压力P （ A ） A. >()T P s B. <()T P s C. =()T P s 3. T 温度下的过热纯蒸汽的压力P （ B ） A. >()T P s B. <()T P s C. =()T P s 4. 纯物质的第二virial 系数B （ A ） A 仅是T 的函数 B 是T 和P 的函数 C 是T 和V 的函数 D 是任何两强度性质的函数 5. 能表达流体在临界点的P-V 等温线的正确趋势的virial 方程，必须至少用到（） A. 第三virial 系数 B. 第二virial 系数 C. 无穷项 D. 只需要理想气体方程 6. 液化石油气的主要成分是（ A ） A. 丙烷、丁烷和少量的戊烷 B. 甲烷、乙烷 C. 正己烷 7. 立方型状态方程计算V 时如果出现三个根，则最大的根表示（ B ） A. 饱和液摩尔体积 B. 饱和汽摩尔体积 C. 无物理意义 8. 偏心因子的定义式（ A ） A. 0.7lg()1 s r Tr P ω==-- B. 0.8lg()1 s r Tr P ω==-- C. 1.0lg()s r Tr P ω==- 9. 设Z 为x ，y 的连续函数，，根据欧拉连锁式，有（ B ） A. 1x y z Z Z x x y y ???? ?????=- ? ? ?????????? B. 1y x Z Z x y x y Z ????????? =- ? ? ?????????? C. 1y x Z Z x y x y Z ????????? = ? ? ?????????? D. 1y Z x Z y y x x Z ????????? =- ? ? ?????????? 10. 关于偏离函数M R ，理想性质M *，下列公式正确的是（ C ） A. *R M M M =+ B. *2R M M M =- C. *R M M M =- D. *R M M M =+ 11. 下面的说法中不正确的是 ( B ) （A ）纯物质无偏摩尔量。（B ）任何偏摩尔性质都是T ，P 的函数。（C ）偏摩尔性质是强度性质。（D ）强度性质无偏摩尔量。 12. 关于逸度的下列说法中不正确的是 ( D ) （A ）逸度可称为“校正压力” 。（B ）逸度可称为“有效压力” 。（C ）逸度表达了真实气体对理想气体的偏差。（D ）逸度可代替压力，使真实气体的状态方程变为fv=nRT 。（E ）逸度就是物质从系统中逃逸趋势的量度。题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案

高级财务会计课后习题答案

高级财务会计期末考试试题一、名词解释(每题3分，共9分) 1．少数股东权益 2．现行汇率法 3．应追索资产二、单项选择题(从下列每小题的四个选项中，选出一个正确的，请将正确答案的序号填在括号内，每小题2分。共20分) 1．购买企业在确定所承担的负债的公允价值时，一般应按( )确定。 A．可变现净值B．账面价值 C．重置成本D．现行市价 2．在连续编制合并会计报表的情况下，上期抵销内部应收账款额计提的坏账准备对本期的影响时，应编制的抵销分录为( )。 A．借：坏账准备B．借：坏账准备贷：管理费用贷：期初未分配利润 C．借：期初未分配利润D．借：管理费用贷：坏账准备贷：坏账准备 3. 在连续编制合并会计报表的情况下，上期已抵销的内部购进存货包含的未实现内部销售利润，在本期应当进行的抵销处理为( )。

A. 借：期初未分配利润B．借：期初未分配利润贷：主营业务成本贷：存货 C．借：主营业务收入D．借：主营业务收入贷：主营业务成本贷：存货 4．在货币项目与非货币项目法下，按历史汇率折算的会计报表项目是( )。 A. 存货B．应收账款 C. 长期借款D．货币资金 5．在时态法下，按照历史汇率折算的会计报表项目是( )。 A．按市价计价的存货 B．按成本计价的长期投资 C．应收账款 D．按市价计价的长期投资 6．期货投资企业根据期货经纪公司的结算单据，对已实现的平仓盈利应编制的会计分录是( )。 A. 借：期货保证金B．借：长期股权投资贷：期货损益贷：期货损益 C．借：应收席位费D．借：期货保证金贷：期货损益贷：财务费用 7．企业在期货交易所取得会员资格，所交纳的会员资格费应作为( )。 A．管理费用B．长期股权投资 C．期货损益D．会员资格费 8．下列体现财务资本保全的会计计量模式是( )。 A．历史成本／名义货币单位 B．历史成本／不变购买力货币单位

《化工热力学》第三版课后习题答案

化工热力学课后答案第1章绪言一、是否题 1. 封闭体系的体积为一常数。（错） 2. 封闭体系中有两个相βα, 。在尚未达到平衡时，βα,两个相都是均相敞开体系；达到平衡时，则βα,两个相都等价于均相封闭体系。（对） 3. 理想气体的焓和热容仅是温度的函数。（对） 4. 理想气体的熵和吉氏函数仅是温度的函数。（错。还与压力或摩尔体积有关。） 5. 封闭体系的1mol 气体进行了某一过程，其体积总是变化着的，但是初态和终态的体积相等，初态和终态的温度分别为T 1和T 2，则该过程的? =2 1 T T V dT C U ?；同样，对于初、终态压力相等的过程有? =2 1 T T P dT C H ?。（对。状态函数的变化仅决定于初、终态与途径无关。）二、填空题 1. 状态函数的特点是：状态函数的变化与途径无关，仅决定于初、终态。 2. 封闭体系中，温度是T 的1mol 理想气体从(P i ，V i )等温可逆地膨胀到(P f ，V f )，则所做的功为() f i rev V V RT W ln =(以V 表示)或() i f rev P P RT W ln = (以P 表示)。 3. 封闭体系中的1mol 理想气体(已知ig P C )，按下列途径由T 1、P 1和V 1可逆地变化至P 2，则 A 等容过程的 W = 0 ，Q =() 1121T P P R C ig P ??? ? ??--， U =( )11 2 1T P P R C ig P ??? ? ? ?--，H = 112 1T P P C ig P ??? ? ??-。 B 等温过程的 W =21ln P P RT -，Q =2 1ln P P RT ，U = 0 ，H = 0 。 C 绝热过程的 W =( ) ???? ????? ? -???? ??--112 11ig P C R ig P P P R V P R C ，Q = 0 ，U = ( ) ??????????-???? ??-11211ig P C R ig P P P R V P R C ，H =1121T P P C ig P C R ig P ??????????-???? ??。

高级财务会计习题与答案解析版

企业合并作业一、单项选择题 1、企业合并是指将两个或两个以上单独的企业合并形成一个（）的交易或事项。 A．法人 B、股份有限公司 C.报告主体 D、企业集团 2、下列各项中，（）不属于企业合并购买法的特点。 A、被并企业的资产、负债应按购买日公允价值确认 B、应确认合并商誉 C、被并企业的留存利润全数成为合并后企业的留存利润 D、被并企业的留存利润不予确认 3、A公司于2003年2月1日与B公司签订协议：约定3000万购买B公司的60％股权。下列哪个日期确定为合并日。（a）2003年3月1日企业合并协议已获股东大会通过；（b）2003年2月15日企业合并事项需要经过国家有关部门实质性审批的，已取得有关主管部门的批准；（c）2003年4月1日参与合并各方已办理了必要的财产交接手续，B公司的董事会成员进行了重组，A公司支付合并价款的初始部分1000万元；（d）2003年5月1日A公司支付了合并价款的第2部分另一个1000万元；（e）2003年6月1日A公司支付了第3笔1000万元，至此合并款项付清。 4、关于企业合并中发生的相关费用，下列说法不正确的是（）。 A、与发行债券或承担其他债务相关的手续费，计入发行债务的初始计量金额 B、与发行权益性证券相关的费用，抵减发行收入 C、在同一控制企业合并中发生的直接相关费用计入管理费用 D、在非同一控制企业合并中发生的直接相关费用计入合并成本 5、产生合并报表问题的合并方式是（）。Ａ、创立合并Ｂ、吸收合并Ｃ、取得控制股权Ｄ、以上都是二、多项选择题 1、企业合并按照法律形式划分,可以分为( ) 。 A、吸收合并 B、控股合并 C、横向合并 D、混合合并 E、新设合并 2、企业合并按照所涉及的行业划分,可以分为( ) 。 A、吸收合并 B、纵向合并 C、横向合并 D、混合合并 E、创立合并 3、控股合并的主要特点是（）。 A、被并企业不丧失法人地位 B、用较少的投资控制较多的资产 C、取得股份比较容易、手续比较简单 D、子公司债权人对母公司的资产没有要求权 E、合并后只有一个法律主体 4、购买法和权益结合法在处理合并事项过程中的主要差异在于( ) 。 A、是否产生新的计价基础 B、是否确认购买成本和购买商誉 C、合并费用的处理 D、合并前收益及留存收益的处理 E、适用条件不同 5、下列关于商誉的说法正确的是（） A、在控股合并中，在母公司账上单独确认 B、在控股合并中，在子公司账上单独确认

半导体物理学基本概念

半导体物理学基本概念 1.离子晶体:由正负离子或正负离子集团按一定比例组成的晶体称作离子晶体。离子晶体中, 正负离子或离子集团在空间排列上具有交替相间的结构特征。离子间的相互作用以库仑静电作用为主导。 2.共价晶体:主要由共价键结合而成的晶体。共价晶体中共价键的方向性与饱与性规定了共价晶体中原子间结合的方向性与配位数。由于共价键非常稳定,所以一般来说,共价晶体的结构很稳定,具有很高的硬度与熔点。由于所有的价电子都参与成键,不能自由移动,因而共价晶体通常不导电。 3.晶胞:晶格中最小的空间单位。一般为晶格中对称性最高、体积最小的某种平行六面体。 4.弗仑克耳缺陷(肖特基缺陷):在一定温度下,晶格原子不仅在平衡位置附近做振动运动,而且一部分原子会获得足够的能量,克服周围原子对它的束缚,挤入晶格原子间的间隙,形成间隙原子,原来的位置便成为空位。这时间隙原子与空位就是成对出现的,称为弗仑克耳缺陷。若只在晶体内形成空位而无间隙原子时,称为肖特基缺陷。 5.施主(受主)杂质及施主(受主)电离能:V族杂质在硅、锗中电离时,能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心,称它们为施主杂质或n型杂质。使多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需的能量称为杂质电离能,用△表示。 Ⅲ族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴,并形成负电中心,称它们为受主杂质或p型杂质。使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需的能量称为受主杂质电离能, 用Δ、 6.直接(间接)复合:电子在导带与价带之间的直接跃迁,引起电子与空穴的直接复合。电子与空穴通过禁带的能级(复合中心)进行复合。根据复合过程发生的位置,又可以把它区分为体内复合与表面复合。 7.复合率:n与p分别表示电子浓度与空穴浓度。单位体积内,每一个电子在单位时间内都有一定概率与空穴复合,这个概率显然与空穴浓度成正比,可以用rp表示,那么复合率R就有如下的形式:R=rnp ,比例系数r 称为电子--空穴复合概率。 8.量子态密度:单位k空间中的量子态数,称为k空间的量子态密度。 9.状态密度:在能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数,g(E)=、 10.有效状态密度:把导带中所有量子态都集中在导带底(把价带中所有量子态都集中在价带顶)、 11.绝缘体(导体、半导体)能带特点:绝缘体的禁带宽度很大,激发电子需要很大能量,在通常温度下,能激发到导带去的电子很少,所以导电性很差。半导体禁带宽度比较小,数量级在1eV左右,在通常温度下已有不少电子被激发到导带中去,所以具有一定的导电能力。半导体在热力学温度为零时,满带(价带)被价电子占满,在外电场作用下并不导电。当温度升高或有光照时,导带的电子与价带的空穴均参与导电。导体原子中的价电子占据的能带就是部分占满的,在外电场作用下,电子可从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去,形成了电流,起导电作用。 12.深(浅)杂质能级:非Ⅲ、Ⅴ族杂质在硅、锗的禁带中产生施主能级距离导带底较远,它们产生的受主能级距离价带顶也较远,通常称这种能级位深能级。相应的杂质称为神能级杂

精编【财务会计】高级财务会计习题答案完整版

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第一章 1. （1）此项租赁属于经营租赁。因为此项租赁未满足融资租赁的任何一项标准。（2）甲公司有关会计分录： ①2008年1月1日借：长期待摊费用80 贷：银行存款80 ②2008年12月31日借：管理费用100（200÷2＝100）贷：长期待摊费用40 银行存款60 ③2009年12月31日借：管理费用100 贷：长期待摊费用40 银行存款60 （3）乙公司有关会计分录： ①2008年1月1日，借：银行存款80 贷：应收账款80 ②2008年、2009年12月31日，借：银行存款60 应收账款40 贷：租赁收入100（200/2＝100）

（1）此项租赁属于经营租赁。因为此项租赁未满足融资租赁的任何一项标准。（2）甲公司有关会计分录： ①2008年1月1日借：长期待摊费用80 贷：银行存款80 ②2008年12月31日借：管理费用60 (120÷2＝60) 贷：长期待摊费用40 银行存款20 ③2009年12月31日借：管理费用60 贷：长期待摊费用40 银行存款20 （3）乙公司有关会计分录： ①2008年1月1日借：银行存款80 贷：应收账款80 ②2008年12月31日借：银行存款20 应收账款40 贷：租赁收入60 （120÷2＝60） ③2009年12月31日借：银行存款20 应收账款40

3. (1)改良工程领用原材料借：在建工程421.2 贷：原材料360 应交税费――应交增值税(进项税额转出) 61.20 (2)辅助生产车间为改良工程提供劳务借：在建工程38.40 贷：生产成本――辅助生产成本38.40 (3)计提工程人员职工薪酬借：在建工程820.8 贷：应付职工薪酬820.8 (4)改良工程达到预定可使用状态交付使用借：长期待摊费用1280.4 贷：在建工程1280.4 (5)2009年度摊销长期待摊费用会计因生产线预计尚可能使用年限为6年，剩余租赁期为5年，因此，应按剩余租赁期5年摊销。借：制造费用256.08 （1280.4÷5）贷：长期待摊费用256.08 4. 1.2007 年12 月1 日 2.2008 年1 月1 日 3.2007 年12 月1 日