模电知识点

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2

学习指导

2.1集成电路运算放大器

集成运算放大器的内部组成单元

运算放大器的电路模型

2.2理想运算放大器

2.3基本线性运放电路

同相放大器

反相放大器

2.4 同相输入和反相输入放大电路的其他应用

求差电路

仪用放大器

求和放大器

积分电路和微分电路

归纳与推广

2.1 集成电路运算放大器

1、集成运算放大器的内部组成单元

集成电路运算放大器是一种电子器件,它是采用一定制造工艺将大量半导体三极管、电阻、电容等元件及它们之间的连线制作在同一小块单晶硅的芯片上,并具有一定功能的电子电路。它的种类很多,电路也不一致,但在电路结构上有共同之处。图1表示集成电路运算放大器的内部结构框图。输入级由差分放大电路组成,利用它的电路对称性可提高整个电路的性能;中间放大级的主要作用是提高电压增益,它可由一级或多级放大电路组成;输出级的电压增益为1,但能为负载提供一定的功率,电路由正负双电源供电。电路有两个输入端P和N,一个输出端O,三端的电压分别用v p、v N和v O表示。P、N两端分别称为同相输入端和反相输入端,即当P端加入电压信号v p时,在O端得到的输出电压v O与v p同相;而当在N端加入电压信号v N时,在O 端得到的输出电压v O与v N反相。运算放大器的代表符号如图2所示。

图1

图2

2、运算放大器的电路模型

将运算放大器看作一个简化的具有端口特性的标准器件,可以用一个包含输入端口、输出端口和供电电源的电路模型来代表,如图1所示。开环电压增益A VO的值很高,通常可达106甚至更高,输入电阻r i值较大,通常为106Ω或更高。输出电阻r O值较小,通常为100Ω或更低。运算放大器的电压传输特性如图2所示。特性的ab段几乎是一条垂直线,这是因为它的斜率A VO的值很大的缘故,所跨越的范围称为线性区。上下两

条水平线分别表示正、负饱和极限值,为非线性区,又称限幅区。

图1

图2

2.2 理想运算放大器

由于运放的开环增益很大,输入电阻很大,输出电阻很小,这就启发人们去建立一个近似理想运放的模型,这个模型可归纳如下:

1. v o的饱和极限值等于运放的电源电压V+和V-

2. 运放的开环电压增益很高,若(v P-v N)>0 则v O= +V om=V+

若(v P-v N)<0 则v O= –V om=V-

3. 若V-< v O

4. 输入电阻r i的阻值很高,使i P≈0、i N≈0

5. 输出电阻很小,r o≈0

将上述近似理想的运放的性能参数理想化,便可得到如图所示的理想运放的电路模型,其中有:

r i≈∞,r o≈0,A v o→∞,v o=A v o(v p-v N)

2.3基本线性运放电路

2.3.1同相放大器

1.基本电路

电路如图1所示,输入信号v i加在同相输入端上,所以称为同相放大器。

图1

2. 负反馈的基本概念

反馈是将放大电路输出量,通过某种方式回送到输入回路的过程。理想运放输出与输入的关系为v o=A vo (v p-v n),引入反馈后v n 0,v p(v i)不变→(v p-v n)↓→v o↓,使输出减小了,增益A v=v o/v i下降了,这时的反馈称为负反馈。

3. 虚假短路

图1电路中输出通过负反馈的作用,使v n 自动地跟踪v p ,即v p ≈v n ,或v p -v n ≈0。这种现象称为虚假短路,简称虚短;由于运放的输入电阻r i 很大,所以运放两输入端之间的电流有:i p =-i n = (v p -v n ) / r i ≈0,这种现象称为虚断。

由运放引入负反馈而得到的虚短和虚断两个重要概念是分析由运放组成的各种线性应用电路的利器,必须熟练掌握。 4. 几项技术指标的近似计算 (1)电压增益A v

在图1电路中,根据虚短和虚断的概念有 v p ≈v n , i p =-i n =0,所以

o 2

11n p i v v v v ?+=

==R R R

1

21

2

1i

o 1R R R R R A +

=+=

=

v v v

上式可作为公式直接使用。 (2)输入电阻R i

由输入电阻的定义i

i i

i v R =

,根据虚短和虚断的概念,有v p ≈v n , i p =-i n =0,所

以∞

→=i

i i

i v R

(3)输出电阻R o →0 5. 电压跟随器

在图1电路中,令R 1→∞,R 2=0,则得图2所示的电路。根据虚短的概念有v o = v n ≈v p ,所以1i

o ≈=v v v

A ,此式可作为公式直接使用。由于输出电压与输入电压大小相

等、相位相同,因此该电路称为电压跟随器。虽然此电路电压增益为1,但其输入电阻R i →∞, 输出电阻R O =0,故在电路中常作为阻抗变换器或缓冲器来使用。

图2

2.3.2 反相放大电路 1. 基本电路

电路如图所示,输入信号v i 加在反相输入端上,所以称为反相放大器。

2. 几项技术指标的近似计算 (1)电压增益Av

根据虚短和虚断的概念有v n ≈ v p =0,i i =0,所以i 1=i 2 即

i n

n o

1

2

R R --=

v v v v

(2)输入电阻R i

11

i i i

i i /R R i R ==

=

v v v

(3)输出电阻 R o →0

2.4 同相输入和反相输入放大电路的其他应用

2.4.1 求差电路

下图所示电路是用来实现两个电压v i1、v i2相减的求差电路,又称差分放大电路。从结构上看,它是反相输入和同相输入相结合的放大电路。在理想运放条件下,根据虚短、虚断和N 、P 点的KCL 得:

p

n v v =4

o

n 1

n

i1R v v R v v -=

-3

p 2

p

i20R v R v v -=

-i1

1

4i23

23

1

4

1o v R R v R R R R R R v -

++=))(

(

4

31

2

R

R R R =

,则4

o i2i11

()R

v v v R =

-

若继续有41R R =,则o i2i1v v v =-,从放大器角度看,增益为

o 4d i2i1

1

v v R A v v R =

=-。该电路也称为差分电路或减法电路。

2.4.2 仪用放大器

仪用放大器电路如图所示。由图可知,它是由运放A 1、A 2按同相输入接法组成第一级差分放大电路,运放A 3组成第二级差分放大电路。在第一级电路中,v 1和v 2分别加到A 1和A 2的同相端,R 1和两个R 2组成反馈网络,引入了负反馈,两运放A 1、A 2的两输入端形成虚短和虚断,因而有v R 1= v 1–v 2,且1341

21

2R v v v R R R -=

+

故得

21

2341121

1

22(1)()

R R R R v v v v v R R +-=

=+

-

所以442o 34123

3

1

2()(1)()R R R v v v v v R R R =-

-=-

+

-

于是电路的电压增益为

O 4212

3

1

2(1)R R A R R =

=-

+

-v v v v

在仪用放大器中,通常R 2、R 3、R 4为给定值,R 1用可变电阻代替,调节R 1的值,即可改变电压增益。目前,这种仪用放大器已有多种型号的单片集成电路产品,在测量系统中应用很广。 2.4.3 求和放大器

如果要将两个电压v i1、v i2相加,可以利用下图求和电路来实现。这个电路接成反相输入的放大电路,根据虚短、虚断的概念,利用v n ≈v p =0,i 1+ i 2= i 3

n o i1n i2n 1

2

3

---v v v v v v R R R +=

33o i1i 2

1

2

-R R v v v R R =+

若R 1=R 2=R 3,则o i1i2-v v v =+,在输出端再接一级反相电路,则可消去负号,实现完全符合常规的算术加法。另外此电路可以扩展到多个输入电压相加,该电路也称为加法电路

2.4.4 积分电路和微分电路 1.积分电路

积分是一种常见的数学运算,这里讨论的是模拟积分。电路如图所示,利用虚短和虚断的概念有v N ≈v p =0,i i =0,,因此有i 1=i 2=i ,电容器被充电,其充电电流为i 2,设电容器C 的初始电压为零,则?

?

=

=

-t R

C

t i C

d 1d 1I 2O N v v v

?-

=t RC

d 1I

O v v

上式表明,输出电压为输入电压对时间的积分,负号表示v O 与v I 在相位上是相反的。

2. 微分电路

将图 2.4.4所示电路中的电阻和电容元件对换位置,并选取比较小的时间常数RC ,便得到图2.4.5所示的微分电路。这个电路同样存在虚地,v N ≈v p =0和i i =0,i 1=i 。

设电容器C 的初始电压为零,当信号电压v I 接入后,便有

I 1d d C

t

=v i

I 1d d R R C

t

=N O v v -v =i

t

RC

d d I O v v -=

上式表明,输出电压v O 正比于输入电压v I 对时间的微分,负号表示它们的相位相反。微分电路的应用是很广泛的,在线性系统中,除了可作微分运算外,在数字电路中,常用作波形变换。 归纳与推广

以上分析了求和、求差、积分、微分等运算电路。在这些电路中是图2.4.6中的Z 1和Z 2用简单的R 、C 元件代替组成的。一般说来,它们可以是R 、L 、C 元件的串联或并联组合。应用拉氏变换,输出电压为

2

1()()()

()

O

I

Z S V S V S Z S =- 这是反相运算电路的一般数学表达式。改变Z 1(S )和Z 2(S )的形式,即可实现各种

不同的数学运算。

数电和模电知识点

模电复习资料 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

模电知识要点总结_期末复习用_较全面[适合考前时间充分的全面复习]

模电知识要点总结_期末复习用_较全面【适合考前时间充分的全面复习】 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V 阳

模电知识总结

第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.PN结

*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模电数电复习题(已整理)

第1章常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压 U D=0.7V。 图T1.3 解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。 右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。

五、电路如图T1.5所示,V CC=15V,=100,U BE=0.7V。 试问: (1)R b=50k时,U o=? (2)若T临界饱和,则R b=? 解:(1)26 BB BE B b V U I A R μ - ==, 2.6 C B I I mA β ==, 2 O CC C c U V I R V =-=。图T1.5 (2)∵ 2.86 CC BE CS c V U I mA R - ==,/28.6 BS CS I I A βμ == ∴45.5 BB BE b BS V U R k I - ==Ω 习题 1.2电路如图P1.2所示,已知10sin i u tω =(V),试画出i u与o u的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解: i u与o u的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压 U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图 P1.3 解:波形如解图Pl.3所示。 第2章 基本放大电路 2.7电路如图P2.7所示,晶体管的β=80 ,' 100bb r =Ω。分别计算 L R =∞ 和3L R k =Ω时的 Q 点、u A 、i R 和o R 。 图P2.6 图P2.7

模电知识点归纳2(完全版).

第一章常用半导体器件 1. 什么是杂质半导体?有哪 2种杂质半导体? 2. 什么是 N 型杂质半导体?在 N 型半导体中, 掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为 P 型半导体? 3. 什么是 P 型杂质半导体?在 P 型半导体中, 掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为 N 型半导体? 4. 什么是 PN 结? PN 结具有什么样的导电性能? 5. 二极管的结构?画出二极管的电路符号,二极管具有什么样的导电性能? 6. 理想二极管的特点? 7. 什么是稳压管?电路符号?正向导通, 反向截止, 反向击穿分别具有什么样的特点?稳定电压 Uz 指的是什么?稳定电流 Iz 和最大稳定电流分别指的什么? 8. 二极管的主要应用电路有那些?掌握二极管的开关电路,限幅电路和整流电路的分析。 (1二极管的开关电路, D 为理想二极管,求 U AO

(2二极管的限幅电路

D 为理想二极管时的输出波形 D 为恒压降模型时的输出波形 (3二极管的单相半波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压 (4二极管单相桥式全波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压

如果图中四个二极管全 部反过来接, 求负载上 输出电压的平均值? (5二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波形

求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压 (6二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波形

求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压 9. 什么是晶体管?它的结构和电路符号? (见教材 P29页 , 晶体管是一种电流控制器件, 用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么?工作在电流放大状态下的电流控制方程是什么? 10.晶体管有哪三种工作状态?如果已知β=50, I CS =3mA, U CES =0.3V 则以下晶体管分别工作在什么状态? I C 为多大? 第二章基本放大电路 1. 利用晶体管的电流放大作用, 可以组成哪三种基本放大电路?如何判断放大电路的接法

模电判断100题

1. ()现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。 答案:错. 两级接在一起,第二级就是第一级的负载,加了负载,放大倍数就会减小 2.()阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,它只能放大交流信号。答案:对.阻容耦合,中间有隔直电容,只能传递交流,不能传递直流.所以能放大交流,但Q独立。 3.()放大电路的输出电阻越小,称为放大电路的带负载能力越强。 答案:对 4. ()只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。 答案:错 5. ()在环境温度升高时,二极管的正向压降将减小。 答案:对。在环境温度升高1度,二极管的正向压降将减小2-2.5mV 6. ()只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。 答案:错 7. ()放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。 答案:对 8. ()因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。 答案:错。半导体是不带电的,无论是N还是P。多子是电子的,会相应的有正离子存在,整个半导体是中性。 9. ()图中电路能放大正弦信 号。 答案:不能。画交流通路。Vbb把Ui短路了。 10. 图2为图1放大电路的交流等效电路。 答案:错,多Re 11.放大电路的级数越多,引入的负反馈越强,电路的放大倍数也就越稳定。答案:错。因为放大倍数稳定决定于1+AF。 12.若放大电路的放大倍数为负倍数,则引入的反馈一定是负反馈。 答案:错。负反馈与放大倍数正负无关,比如同相比例电路。放大倍数是正,反馈是负。 13.运算电路中一般均引入负反馈。

答案:对。 14.若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电流基本不变。 答案:错。因为没说引入的是什么(电压或电流)负反馈。该是电流负反馈。15.负反馈放大电路的放大倍数一定比组成它的基本放大电路的放大倍数小。 答案:对。负反馈,净输入减小。所以输出会减小,,输出比原始输入肯定减小。输出/原始输入。 16.在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。 答案:错。 17.反馈量仅仅决定于输出量。 答案:对。因为正向传输远远大于直接 传输,直接传输忽略了。输出是由输入 和反馈决定。 18.理想集成运算放大器两输入端之间电压接近于零,因而称为“虚断”。 答案:错。虚短。 19.既然电压负反馈稳定输出电压,那么必然稳定输出电流。 答案:错。 20.()只要在放大电路中引入反馈,就一定能使其性能得到改善。 答案:错.负反馈才可以. 21.电路引入了正反馈,就能产生正弦波振荡。 答案:错.AF≥1才行.正反馈只是一方面 22.集成运放在开环时工作在线性区。 答案:错。开环或正反馈,非线性。 23.在RC桥式正弦波振荡电路中,若RC串并联选频网络中的电阻均为R,电容均为C,则其振荡频率f0=1/RC。 答案:错。f0=1/2πRC 24.单限比较器比滞回比较器灵敏度高,而滞回比较器比单限比较器抗干扰能力强。 答案:对。 25. 电压比较器中的集成运放满足虚短路和虚断路的特点。 答案:错。虚短和虚断,是线性的特点。电压比较器的运放是工在非线性,所以只满足虚断。 26.在单相桥式整流电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半。 答案:对。桥式是0.9,坏一个管子成了0.45。 27.线性稳压电源中的调整管工作在线性区。 答案:对。

模电知识点归纳2(完全版).docx

第一章常用半导体器件 1 .什么是杂质半导体?有哪 2 种杂质半导体? 2 .什么是 N 型杂质半导体?在N 型半导体中,掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为 P型半导体? 3 .什么是 P 型杂质半导体?在P 型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为N 型半导体? 4 .什么是 PN 结? PN 结具有什么样的导电性能? 5 .二极管的结构?画出二极管的电路符号,二极管具有什么样的导电性能? 6 .理想二极管的特点? 7 .什么是稳压管?电路符号?正向导通,反向截止,反向击穿分别具有什么样的特点?稳 定电压 Uz 指的是什么?稳定电流Iz 和最大稳定电流分别指的什么? 8 .二极管的主要应用电路有那些?掌握二极管的开关电路,限幅电路和整流电路的分析。 (1 )二极管的开关电路, D 为理想二极管,求U AO (2 )二极管的限幅电路

D 为理想二极管时的输出波形 D 为恒压降模型时的输出波形(3 )二极管的单相半波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压)

(4 )二极管单相桥式全波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压) 如果图中四个二极管全 部反过来接,求负载上输 出电压的平均值? (5)二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波 形求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压)

(6)二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波 形求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压) 9 .什么是晶体管?它的结构和电路符号?(见教材P29 页),晶体管是一种电流控制器件, 用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么?工作在电流放大状态下的电流控 制方程是什么?

模电100个知识点

模电100个知识点总结 1.在常温下,硅二极管得门槛电压约为,导通后在较大电流下得正向压降约为0、7V;锗二极管得门槛电压约为 向压降约为_0、2_V。 2、二极管得正向电阻 3、PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层 4、二极管最主要得电特性就是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术与数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化得电压或电流信号下工作得电子电路及其技术,称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时,PN 性。 7、硅二极管导通后,其管压降就是恒定得,且不随电流而改变,典型值为 0、7 伏;其门坎电压V th 约为 0、5 伏。 8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子得扩散运动形成。 N型半导体得多子为自由电子、本征半导 、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体与电子(N) 它得两个主要参数就是反映正向、在常温下,硅二极管得开启电压约为 0、5 V 压降约为 0、7 V。 13、频率响应就是指在输入正弦信号得情况下,输出随频率连续变化得稳态响应。 15、N型半导体中得多数载流子就是电子,少数载流子就是空穴。 16、按一个周期内一只三极管得导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙 管得β增加,则I BQ 增大,I CQ 增大,U CEQ 减小。 19,饱与,放大。集成运算放大器就是一种采用 20V a = 1、2V, V b = 0、5V, V c = 3、6V, 试问该三极管就是硅管管(材料), NPN 型得三极管,该管得集电极就是a、b、c中得 C 。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级得对数增益分别为60dB与20dB, 则该放大电路总得对数增益为 80 dB,总得电压放大倍数为 10000 。 22、三极管实现放大作用得外部条件就是:发射结正偏、集电结反偏。 某放大电路中得三极管,测得管脚电压V a = -1V,V b =-3、2V, V c =-3、9V, 这

模电知识总结

第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。 1、导体导电和本征半导体导电的区别:导体导电只有一种载流子:自由电子导电半导体 导电有两种载流子:自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现,数目相等,所带 电荷极性不同,故运动方向相反。 2、本征半导体的导电性很差,但与环境温度密切相关。 3、杂质半导体 (1) N型半导体一一掺入五价元素(2) P型半导体一一掺入三价元素 4、PN 结——P 型半导体和N 型半导体的交界面

5、PN结的单向导电性——外加电压 輕qo 0£) 00 GO e?;①乜QQ 05 ① <5 ffi ? <9 0?① Q O ? GT? G) 耗尽层' F 阿—H NS 禺〕16 P+蜡如正向电压时导逓 在交界面处两种载流子的浓度差很大;空间电荷区又称为耗尽层 反向电压超过一 定值时,就会反 向击穿,称之为 反向击穿电压

正向偏置反向偏置 6、二极管的结构、特性及主要参数 (1) P区引出的电极一一阳极;N区引出的电极一一阴极 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线 下移。二极管的特性对温度很敏感。 其中,Is为反向电流,Uon为开启电压,硅的开启电压一一0.5V,导通电压为0.6~0.8V,反向饱和电 流<0.1叭,锗的开启电压一一0.1V,导通电压为0.1~0.3V,反向饱和电流几十[A。 (2 )主要参数 1)最大整流电流I :最大正向平均电流 2)最高反向工作电流U :允许 外加的最大反向电流,通常为击穿电压U的一半 3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流,其值越小,二极管的单向导电性越好,对 温度越敏感 4)最高工作频率f :二极管工作的上限频率,超过此值二极管不能很好的体现单向导电性 7、稳压二极管 在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内) ,端电压几乎不变,表现出稳压特 性,广泛应用于稳压电源和限幅电路中。 (1) 稳压管的伏安特性 W(b| 用L2.1U意压诊的伏安埒性和裁效电路 M试疋特性Cb}时号恳竽故审.歸

模电数电复习题(已整理)

第1章 常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。 试问: (1)R b =50k Ω时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =? 解:(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =, 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5

(2)∵ 2.86 CC BE CS c V U I mA R - ==,/28.6 BS CS I I A βμ == ∴45.5 BB BE b BS V U R k I - ==Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示,已知 10sin i u tω =(V),试画出 i u与 o u的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解: i u与 o u的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ω sin 5 =(V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出 i u 与 o u的波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解:波形如解图Pl.3所示。

集美大学模电总结复习要点

最新模电复习要点详解 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.PN结 *PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 *PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8.PN结的伏安特性 二.半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2)等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模电100个知识点

模电100个知识点总结 1 ?在常温下,硅二极管的门槛电压约为_,导通后在较大电流下的正向压降约为锗二极管的门槛电压约为,导通后在较大电流下的正向压降约为。 2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性°PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻o 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连 续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技 术。 6PN结反向偏置时,PN结的内电场_增强°PN具有 ________ 具有单向导电 ____ 特性。 7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为 伏;其门坎电压V th约为________ 伏o 8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为 _空穴_、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为—电子一空穴对二。 10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(巳半导体和电子(N)半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性 的_最大整流电流___ 和反映反向特性的_反向击穿电压_。 12、在常温下,硅二极管的开启电压约为二V,导通后在较大电流下的正向压降约为_V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响 应_。 15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、_乙类、甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路 _电容,影响高频信号放大的是结电容。 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的B增加,贝U I BQ 增大,I CQ 增大,U C E Q减小。 19、三极管的三个工作区域是—截止饱和,放大。集成运算放大器是一种采用—直接|_耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压W =,V b = , V c =,试问该三极管是硅管管(材料),NPN 型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的 C 。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB,则该 放大电路总的对数增益为80 dB ,总的电压放大倍数为10000 。 22、三极管实现放大作用的外部条件是:发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管,测得管脚电压V a = -1V,V b =, V==,这是_____________ 管(硅、锗),NPN 型,集电极管脚是 a 。

数电模电超有用知识点,值得拥有

《数字电子技术》重要知识点汇总 一、主要知识点总结和要求 1.数制、编码其及转换:要求:能熟练在10进制、2进制、8进制、16进制、8421BCD 、格雷码之间进行相互转换。 举例1:(37.25)10= ( )2= ( )16= ( )8421BCD 解:(37.25)10= ( 100101.01 )2= ( 25.4 )16= ( 00110111.00100101 )8421BCD 2.逻辑门电路: (1)基本概念 1)数字电路中晶体管作为开关使用时,是指它的工作状态处于饱和状态和截止状态。 2)TTL 门电路典型高电平为3.6 V ,典型低电平为0.3 V 。 3)OC 门和OD 门具有线与功能。 4)三态门电路的特点、逻辑功能和应用。高阻态、高电平、低电平。 5)门电路参数:噪声容限V NH 或V NL 、扇出系数N o 、平均传输时间t pd 。 要求:掌握八种逻辑门电路的逻辑功能;掌握OC 门和OD 门,三态门电路的逻辑功能;能根据输入信号画出各种逻辑门电路的输出波形。 举例2:画出下列电路的输出波形。 解:由逻辑图写出表达式为:C B A C B A Y ++=+=,则输出Y 见上。 3.基本逻辑运算的特点: 与 运 算:见零为零,全1为1;或 运 算:见1为1,全零为零; 与非运算:见零为1,全1为零;或非运算:见1为零,全零为1; 异或运算:相异为1,相同为零;同或运算:相同为1,相异为零; 非 运 算:零 变 1, 1 变 零; 要求:熟练应用上述逻辑运算。 4. 数字电路逻辑功能的几种表示方法及相互转换。 ①真值表(组合逻辑电路)或状态转换真值表(时序逻辑电路):是由变量的所有可能取值组合及其对应的函数值所构成的表格。 ②逻辑表达式:是由逻辑变量和与、或、非3种运算符连接起来所构成的式子。 ③卡诺图:是由表示变量的所有可能取值组合的小方格所构成的图形。

模电知识点归纳2(完全版)

第一章常用半导体器件 1.什么是杂质半导体?有哪2种杂质半导体? 2.什么是N型杂质半导体?在N型半导体中,掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为P型半导体? 3.什么是P型杂质半导体?在P型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为N 型半导体? 4.什么是PN结?PN结具有什么样的导电性能? 5.二极管的结构?画出二极管的电路符号,二极管具有什么样的导电性能? 6.理想二极管的特点? 7.什么是稳压管?电路符号?正向导通,反向截止,反向击穿分别具有什么样的特点?稳定电压Uz指的是什么?稳定电流Iz和最大稳定电流分别指的什么? 8.二极管的主要应用电路有那些?掌握二极管的开关电路,限幅电路和整流电路的分析。(1)二极管的开关电路,D为理想二极管,求U AO (2)二极管的限幅电路

D为理想二极管时的输出波形D为恒压降模型时的输出波形(3)二极管的单相半波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压)

(4)二极管单相桥式全波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压) 如果图中四个二极管全 部反过来接,求负载上输 出电压的平均值? (5)二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压)

(6)二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压) 9.什么是晶体管?它的结构和电路符号?(见教材P29页),晶体管是一种电流控制器件,用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么?工作在电流放大状态下的电流控制方程是什么?

模电知识点总结

第一章绪论 1.掌握放大电路的主要性能指标:输入电阻,输出电阻,增益,频率响应,非线性失真 2.根据增益,放大电路有那些分类:电压放大,电流放大,互阻放大,互导放大 第二章预算放大器 1.集成运放适合于放大差模信号 2.判断集成运放2个输入端虚短虚断如:在运算电路中,集成运放的反相输入端是否均 为虚地。 3.运放组成的运算电路一般均引入负反馈 4.当集成运放工作在非线性区时,输出电压不是高电平,就是低电平。 5.根据输入输出表达式判断电路种类 同相:两输入端电压大小接近相等,相位相等。 反相:虚地。 第三章二极管及其基本电路 1.二极管最主要的特征:单向导电性 2.半导体二极管按其结构的不同,分为面接触型和点接触型 3.面接触型用于整流。点接触型用于高频电路和数字电路 4.杂质半导体中少数载流子浓度只与温度有关 5.掺杂半导体中多数载流子主要来源于掺杂 6.在常温下硅二极管的开启电压为0.5伏,锗二极管的开启电压为0.1伏 7.硅二极管管压降0.7伏,锗二极管管压降0.2伏 8.PN结的电容效应是势垒电容,扩散电容 9.PN结加电压时,空间电荷区的变化情况 正向电压:外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱内电场,扩散加剧 反向电压:外电场使空间电荷区变宽,加强内电场,阻止扩散运动进行 10.当PN结处于正向偏置时,扩散电容大.当PN结反向偏置时,势垒电容大 11.稳压二极管稳压时,工作在反向击穿区.发光二极管发光时,工作在正向导通区 12.稳压管称为齐纳二极管 13.光电二极管是将光信号转换为电信号的器件,它在PN结反向偏置状态下运行,反向电压 下进行,反向电流随光照强度的增加而上升 14.如何用万用表测量二极管的阴阳极和判断二极管的质量优劣?用万用表的欧姆档测量二 极管的电阻,记录下数值,然后交换表笔在测量一次,记录下来.两个结果,应一大一小,读数小的那次,黑表笔接的是阳极,红表笔接的是阴极.这个读数相差越多,二极管的质量越好. 当两个读数都趋于无穷大时,二极管断路.当两个读数都趋于零时,二极管短路 第四章双极结型三极管及放大电路 1.半导体三极管又称双极结型三极管,简称BJT是放大器的核心器件 2.采用微变等效电路求放大电路在小信号运用时,动态特性参数 3.晶体三极管可以工作在: 放大区,发射结正偏,集电极反偏 饱和区,发射结集电极正偏 截止区,发射结集电极反偏 4.NPN,PNP,硅锗管的判断 5.工作在放大区的三极管,若当I b 以12A μ增大到22A μ时,I c 从1mA变为2mA,β约 为100

模电基础知识

模拟电路基础 复习资料 一、填空题 1.在P 型半导体中,多数载流子是( 空隙 ),而少数载流子是( 自由电子 )。 2.在N 型半导体中,多数载流子是( 电子 ),而少数载流子是( 空隙 )。 3.当PN 结反向偏置时,电源的正极应接( N )区,电源的负极应接( P )区。 4.当PN 结正向偏置时,电源的正极应接( P )区,电源的负极应接( N )区。 4.1、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为 本征半导体 ,当掺入五价微量元素便形成 N 型半导体 ,其电子为 多数载流子,空穴为 少数载流子 。当掺入三价微量元素便形成 P 型半导体 ,其 空穴为多子 ,而 电子为少子 。 4.2、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的,而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。 4.3、二极管有一个PN 结,它具有单向导电性,它的主要特性有:掺杂性、热敏性、光敏性。可作开关、整流、限幅等用途。硅二极管的死区电压约为0.5V ,导通压降约为0.7V ,锗二极管的死区电压约为0.1V 、导通压降约为0.2V 。 5、三极管具有三个区:放大区、截止区、饱和区,所以三极管工作有三种状态:工作状态、饱和状态、截止状态,作放大用时,应工作在放大状态,作开关用时,应工作在截止、饱和状态。 5.1、三极管具有二个结:即发射结和集电结。饱和时:两个结都应正偏;截止时:两个结都应反偏。 放大时:发射结应( 正向 )偏置,集电结应( 反向 )偏置。 5.2、三极管放大电路主要有三种组态,分别是: 共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。共射放大电路无电压放大作用,但可放大电流。共基极放大电路具有电压放大作用,没有倒相作用。且共基接法的输入电阻比共射接法低. 5.3、共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器,其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。 5.4单管共射放大电路中,1.交直流并存,2.有电压放大作用,3.有倒相作用。 5.5微变等效电路法适用条件:微小交流工作信号、 三极管工作在线性区。 5.6图解法优点: 1. 即能分析静态, 也能分析动态工作情况;2. 直观 形象;3. 适合分析工作在大信号状态下的放大电路。缺点: 1. 特性曲线存在误差;2. 作图麻烦,易带来误差; 3. 无法分析复杂电路和高频小工作信号。 5.7微变等效电路法 优点:1.简单方便;2.适用于分析任何基本工作在线性范围的简单或复杂的电路。 缺点:1.只能解决交流分量的计算问题; 2. 不能分析非线性失真;3. 不能分析最大输出幅度 。 6.根据理论分析,PN 结的伏安特性为)1(-=T U U S e I I ,其中S I 被称为( 反向饱和 ) 电流,在室温下T U 约等于( 26mV )。 7.BJT 管的集电极、基极和发射极分别与JFET 的三个电极( 漏极 )、( 栅极 )和( 源极 )与之对应。 7.1.场效应管是电压控制元件,三极管是电流控制元件。 场效应管输入电阻非常高,三极管输入电阻较小。场效应管噪声小,受外界温度及辐射的影响小, 存在零温度系数工作点。场效应管的制造工艺简单, 便于集成。存放时,栅极与源极应短接在一起。 焊接时,烙铁外壳应接地。 7.2共漏极放大电路又称源极输出器或源极跟随器。 7.3多级放大电路的耦合方式:阻容耦合,优点:各级 Q 点相互独立,便于分析、设计和调试。缺点: 不易放大低频信号无法集成。直接耦合,优点:可放大交流和直流信号;便于集成。缺点: 各级Q 点相互影响;零点漂移较严重。变压器耦合,优点:有阻抗变换作用,各级静态工作点互不影响。缺点:不能放大直流及缓慢变化信号; 笨重;不易集成。

模电100个知识点学习资料

模电100个知识点

模电100个知识点总结 1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为,导通后在较大电流下的正向压 降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻 3。PN结外加正向电压时,扩散电 流大于漂移电流,耗尽层 4 极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连 续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技 术。 6、PN结反向偏置时,PN 特性。 7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为 0.7 伏;其门坎电压V th约为 0.5 伏。 8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形 成。 N型半导体的多子为自由电子、本征半 、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子 ,它的两个主要参数是反映正向特 、在常温下,硅二极管的开启电压约为 0.5 V 压降约为 0.7 V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响 应。 15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、 极管的β增加,则I BQ增大,I CQ增大,U CEQ减小。 19,饱和,放大。集成运算放大 器是一种采用 20V a = 1.2V, V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是硅管管(材料), NPN 型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的 C 。

21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB,总的电压放大倍数为 10000 。 22、三极管实现放大作用的外部条件是:发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管,测得管脚电压V a = -1V,V b =-3.2V, V c =-3.9V, 这是硅管(硅、锗), NPN 型,集电极管脚是 a 。 出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 4 kΩ。 26、为了保证三极管工作在放大区,要求: ①发射结正向偏置,集电结反向偏置。②对于NPN型三极管,应使V BC<0 。 27、放大器级间耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和变压器 30 V O 和V I 的波 形,则V O和V I的相位差为 1800;当为共集电极电路时,则V O和V I的相位差为 0 。 压与输入电压反相,可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用共集组态。 35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻大,热稳定性好 36、影响放大电路通频带下限频率f L 的是隔直电容和极间电容。37、三极管工作在放大区时,它的发射结保持正向偏置,集电结保持反向偏置。 38、场效应管有共源、共栅、共漏三种组态。 39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。 40、场效应管从结构上分成结型FET 和 MOSFET 两大类型,它属于电压控制型器件。

模电数电复习题(已整理)汇编

第1章 常用半导体器件自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。 试问: (1)R b =50k Ω时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =? 解:(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =, 2.6C B I I mA β==,

2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =, /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解:波形如解图Pl.3所示。

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