Silicon photonics application in optical communication systems
工业硅工艺流程资料讲解
.1项目主要建设内容 主要建设内容为：建设生产厂房8000平方米，供水系统、环保系统等配套设施用房10000平方米，厂区道路及停车场等4800平方米，厂区绿化3400平方米。购置和制作生产所需的冶炼炉、精炼炉、除尘系统等生产设备326台（套），监测、化验及其他设备9台套。 1.2.2产品规模 年产高纯工业硅5万吨，其中：1101级高纯工业硅4万吨，3N级高纯工业硅6000吨， 4N 级高纯工业硅4000吨。 1.2.3生产方案 1、产品方案 目前，国内外工业硅市场1101级以下（不包括1101级）产品基本处于供大于求的状况，且短时期内不会有很大变化。结合全油焦生产工艺产品产出比例，本项目产品方案为：年产高纯工业硅5万吨，其中：1101级高纯工业硅4万吨，3N级高纯工业硅6000吨， 4N级高纯工业硅4000吨。 2、技术方案 1）国内外现状和技术发展趋势 冶金级工业硅由于生产技术简单，全世界生产企业众多，产量较大，供需基本保持平衡，且耗能高、附加值低，属国家限制类行业。目前国外有工业硅生产厂家30多家，主要集中在美国、巴西和挪威三国，占世界生产能力的65%，最大生产厂家主要有挪威的埃肯、巴西的莱阿沙、美国的全球冶金，电炉变压器容量大多在10000KVA—60000KVA，通用炉型为3000 0KVA，小于10000KVA的电炉基本停用。其发展趋势是矿热炉大容量化，由敞开式的固定炉体向旋转、封闭炉体发展，自焙电极的应用、炉气净化处理、新型还原剂的开发与应用、炉外精炼技术的发展和应用、生产过程中的计算机管理和控制。其特点是电炉容量大、劳动生产率高、单位产品投资少、有利于机械化、自动化生产和控制环境污染。我国工业硅生产起步于上世纪的50年代，目前仍在生产的厂家约有300多家，电炉400多台，产能约为90—120万吨/年，产量约为70—90万吨。且大部分分布在福建和云、贵、川等小水电资源丰富的地区，受季节性影响较大。其突出特点是电炉容量小、台数多，厂家多而分散，操作机械化水平低、劳动生产率低，产品质量不稳，化学级工业硅产量低（不到产量的1/8），且能源消耗、原材料消耗和生产成本偏高（行业内称为“三高”）。从电炉变压器容量看，我国以3200Kva至6300kVA的电炉为主要炉型，2006年国内已建成的10000kVA工业硅电炉仅有
天地伟业网络视频服务器故障快速排查手册
天地伟业网络视频服务器故障快速排查手册 首先感谢您选用天地伟业网络视频产品，在使用之前，请详细阅读网络视频服务器使用说明书，熟悉产品使用方法，如果遇到问题可以按照以下方法进行故障排查。 为保证系统得正常运行，我们必须保证机器达到如下要求： 说明： 现场机器最好达到建议PC的配置，并安装相应硬件最新的驱动，此配置能满足16画面显示的要求，配置越高机器运行越流畅。 1.故障现象: IP搜索器搜索不到服务器 排查步骤： 1．确认网络视频服务器是否正常上电，主机网卡及驱动是否正常，网线是否做的没问题，网络拓扑连接是否通畅； 2．直接用交叉网线直接连接主机和网络视频服务器，如仍不通，给服务器复位再测试； 3．如有备件主机和网络视频服务器都做可更换测试； 4．如仍有问题请与我们联系； 2. 故障现象: IP搜索器能够正常搜索到服务器，但是IE不能正常连接视频 排查步骤： 1．确认主机IP地址和网络视频服务器地址设置在同一网段内，如不在同一网段改为同一网段； 注意：如在不同网段必须保证此两个网段做了路由； 2．确认IE的版本，建议安装IE6.0； 3．确认正常安装显卡驱动和DirectX，建议安装最新的显卡驱动和DirectX； 4．确认开启ActiveX相关插件； 5．暂时关闭杀毒软件自带防火墙测试；如是XP系统，暂时关闭系统自带防火墙； 6．删除之前曾经连接时下载的控件，重新连接测试； 7．更换主机测试； 8．如仍然有问题，请与我们联系； 3. 故障现象: 如果IE连接视频正常，但是软件连接视频不正常 排查步骤： 1．确认软件版本是否正确；如果版本不正确，重新安装正确的版本软件； 2．确认软件中“服务器编辑信息”的“IP地址”和“服务器类型”的正确；在局域望网建议采用“主码流+UDP”方式，广域网建议采用“副码流+TCP”方式； 3．确认在软件的主界面连接了视频； 4．重启软件连接；
工业硅冶炼操作工艺
工业硅冶炼操作工艺 西安宏信矿热炉有限公司
一、工业硅生产工艺流程图
二、工业硅生产安全管理制度 工业硅生产是铁合金生产中最为精细的一种产业，要求每个操作人员必须经过严格培训，掌握生产个环节的重点和工艺要素，作到心中有数。只有这样才能将生产管理规范化、精细化，生产出高品级的工业硅。 1、冶炼工技术操作职责 ?保证高温冶炼，尽量减少热损失，使SiC的形成和破坏保持相对平衡。 ?炉料混合均匀后加入炉内。 ?正常冶炼的操作程序是沉料—攒热料—加新料—焖扎盖。 ?要垂直于电极加料，不要切线加料。料落点距电极100mm左右，不允许抛散炉料。 ?炉料形状和分布要合理，集中加料后，使料面呈馒头形状，料面要高于炉口200—300mm。 ?每班接时要捣炉，捣出的黏料捣碎后推到炉心。 ?沉料、捣炉时动作要块，不要碰撞电极、铜瓦和水套。 ?根据炉料融化情况加料，尽量做到加料量、用料量和出硅量相适应。 ?保持合理的料层结构，捣松的炉料就地下沉，不要大翻炉膛。 ?使用铁质工具沉料、捣炉时，动作要块，避免融化铁铲和捣炉棒。 ⑴木块等碳质还原剂在加料平台上可单独堆放，沉料结束或处理炉况时先加木块于电极根部凹坑处，然后加混合料盖住。 ⑵ 仔细观察仪表，协调其他人员用计算机控制电极的压放，使三根电极平衡运行。 ⑶ 随时了解电炉电流、电压的变化情况，给予适当的调整。
2、出炉工技术操作职责 ①正常情况下，每班出3—4炉，尽量大流量、快出硅。 ②出炉前先将炉眼、流槽清理干净，准备好出炉工具和材料。 ③用烧穿器前，要先将钢钎清除炉嘴外的结渣硅，使炉眼保持φ150mm左右的喇叭口形状，然后用烧穿器烧开炉眼。能用钢钎捅开时不用烧穿器。 ④当流量小时，要用木棒捅炉眼、拉渣，用烧穿器协助出硅。 ⑤堵炉眼前炉眼四周和内部渣滓扒净，用烧穿器修理炉眼至通畅光滑，然后堵眼，深度超过或达到炉墙厚度。 ⑥堵眼时如果炉气压力过大无法堵塞，要停电堵眼。 ⑦出炉口和硅包附近要保持干燥，禁止积水，防止跑眼爆炸。 ⑧精练产品要按方案进行，不可随意改变供气量、精练时间、造渣剂的比例等。精练时注意安全，防止硅液飞溅、过大氧气回火等事故发生。 ⑨浇注前要修补好锭模，放好挡渣棒，锭模底部可适当放适量合格硅粒，或涂脱模剂，保护锭模。 ⑩浇注时，硅包倾倒至硅液快要流出时，稍停片刻，使硅渣稳定，再使硅液从包嘴慢慢流入缓冲槽。 ⑴工业硅锭冷却到乌红时，用专用吊具从锭模中吊出，转移到冷却间。严禁用水急冷。 3、电工技术操作职责 ①持证上岗，遵守供用电制度，要求与变电站和生产指挥紧密配合。 ②电工作到四会：会原理、会检修、会接线、会操作
EasyDecoder视频解码管理软件V3.0T-用户使用说明.
EasyDecoder视频解码管理软件 用户使用说明
目录 目录 (2) 1.系统说明 (5) 1.1概要 (5) 1.2功能简介与特点 (5) 1.3硬件配置 (5) 1.4软件平台与运行环境 (5) 1.5术语 (5) 1.6阅读指导 (6) 2.系统安装 (6) 2.1安装软件 (6) 3.系统主界面 (7) 4.系统运行操作 (7) 4.1进入系统／退出系统 (7) 进入系统 (8) 退出系统 (8) 4.2系统初始化 (8) 4.2.1服务器设置 (9) 4.2.1.1添加服务器 (9) 4.2.1.2智能添加服务器 (10) 4.2.1.3删除服务器 (11) 4.2.1.4修改服务器 (12) 4.2.1.5批量修改服务器 (14) 4.2.1.6反选功能 (14) 4.2.1.7检索服务器 (14) 4.2.1.8修改通道信息 (15) 4.2.2监控点管理 (15)
4.2.3解码器设置 (16) 4.2.3.1手动添加 (16) 4.2.3.2智能添加 (17) 4.2.3.3删除解码器 (17) 4.2.3.4修改解码器名称 (17) 4.2.3.5连接解码器 (18) 4.2.3.6断开解码器 (18) 4.2.3.7解码器设置 (18) 4.2.3.7.1网络设置 (19) 4.2.3.7.2DNS设置 (19) 4.2.3.7.3解码器参数设置 (20) 4.2.3.7.3.1485设置 (20) 4.2.3.7.3.2协议设置 (21) 4.2.3.7.4LOGO设置 (21) 4.2.3.7.5报警设置 (21) 4.2.4联机切换设置 (22) 4.2.4.1添加切换序列 (22) 4.2.4.2删除切换序列 (23) 4.2.4.3连接监控点 (23) 4.2.4.4停止预览 (24) 4.2.4.5打开/关闭音频 (24) 4.2.4.6开始/关闭对讲 (24) 4.2.4.7设备控制 (25) 4.2.4.8开始/停止切换 (26) 4.2.4.9显示模式设置 (26) 4.2.4.10其他 (26) 4.2.4.10.1切换不在线跳过显示 (26)
多晶硅生产工艺流程定稿版
多晶硅生产工艺流程 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】
多晶硅生产工艺流程(简介) -------------------------来自于网络收集 多晶硅生产工艺流程,多晶硅最主要的工艺包括，三氯氢硅合成、四氯化硅的热氢化（有的采用氯氢化），精馏，还原，尾气回收，还有一些小的主项，制氢、氯化氢合成、废气废液的处理、硅棒的整理等等。 主要反应包括：Si+HCl---SiHCl3+H2（三氯氢硅合成）;SiCl4+H2---SiHCl3+HCl（热氢化）;SiHCl3+H2---SiCl4+HCl+Si（还原）多晶硅是由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来，由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。改良西门子法是目前主流的生产方法，采用此方法生产的多晶硅约占多晶硅全球总产量的85％。但这种提炼技术的核心工艺仅仅掌握在美、德、日等7家主要硅料厂商手中。这些公司的产品占全球多晶硅总产量的90%，它们形成的企业联盟实行技术封锁，严禁技术转让。短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。 西门子改良法生产工艺如下： 这种方法的优点是节能降耗显着、成本低、质量好、采用综合利用技术，对环境不产生污染，具有明显的竞争优势。改良西门子工艺法生产多晶硅所用设备主要有：氯化氢合成炉，三氯氢硅沸腾床加压合成炉，三氯氢硅水解凝胶处理系统，三氯氢硅粗馏、精馏塔提纯系统，硅芯炉，节电还原炉，磷检炉，硅棒切断机，腐蚀、清洗、干燥、包装系统装置，还原尾气干法回收装置；其他包括分析、检测仪器，控制仪表，热能转换站，压缩空气站，循环水站，变配电站，净化厂房等。 （1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅， 其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑
晶体硅的生产过程
一、单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。 单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。 单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。 由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）单晶硅材料应用最广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片，因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch－up的能力。 单晶硅也称硅单晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。单晶硅已渗透到国民经济和国防科技中各个领域，当今全球超过2000亿美元的电子通信半导体市场中95%以上的半导体器件及99%以上的集成电路用硅。 二、硅片直径越大，技术要求越高，越有市场前景，价值也就越高。 日本、美国和德国是主要的硅材料生产国。中国硅材料工业与日本同时起步，但总体而言，生产技术水平仍然相对较低，而且大部分为2.5、3、4、5英寸硅锭和小直径硅片。中国消耗的大部分集成电路及其硅片仍然依赖进口。但我国科技人员正迎头赶上，于1998年成功地制造出了12英寸单晶硅，标志着我国单晶硅生产进入了新的发展时期。 目前，全世界单晶硅的产能为1万吨/年，年消耗量约为6000吨～7000吨。未来几年中，
数字化公检法系统软件便携式标准版V7.1T_用户操作说明书(天地伟业)
数字化公检法系统软件便携 式标准版 用户操作说明书 V7.1
目录 1.审讯中心服务器系统设置说明 (1) 1.1服务器设置 (1) 1.2审讯室设置 (2) 1.3压缩预览参数设置 (3) 1.4用户管理： (4) 1.5设备管理 (8) 1.6日志及文件 (10) 1.7系统安全管理 (10) 2.审讯中心服务器使用操作说明 (11) 2.1登录 (13) 2.2视频显示区 (14) 2.3在线信息显示区 (16) 2.4功能使用 (16) 3.审讯中心服务器各种温湿度叠加器的设置和使用 (19) 3.1温湿度叠加设置方法 (19) 3.2TC-W8667测试软件 (20) 3.3TC-W8901DC (22) 3.4YL-S018SR (23) 3.5TC-H307P (31) 4.审讯终端软件操作使用说明 (33) 4.1登录主机 (33) 4.2添加案件 (34) 4.3审讯功能 (37) 4.4笔录管理 (41) 4.5案卷查询 (43) 4.6资料回放 (43) 5.数字化公检法系统软件便携式标准版安装部分 (44) 5.1卸载旧压缩卡驱程 (44) 5.2开始安装 (44) 5.3安装加密狗驱动 (45) 5.4安装专用数据库 (46) 6.故障查找与排除 (47)
1 感谢您选用我公司数字化公检法系统软件便携式标准版产品。 数字化公检法系统软件便携式标准版是根据最高检颁布的《人民检察院讯问职务犯罪嫌疑人实行全程同步录音录像系统建设规范》文件要求。通过加强计算机技术、图像数字化技术和信息技术的应用，实现司法系统对审讯室的标准化建设，利用现有的网络对审讯的讯问和询问过程进行有效的监督和管理，实现同步录音录像，提高侦查办案、协查办案的效率，加强办案、取证过程的真实性和有效性。 1. 审讯中心服务器系统设置说明 在使用数字化公检法系统软件便携式标准版前需要先初始化系统数据和配置参数，包括服务器设置、审讯室设置、指挥终端设置、压缩预览参数、用户管理、设备管理、日志文件、系统安全管理和短信设备管理。系统设置初始化后可以投入使用，进行审讯录像、电子笔录、远程指挥等操作。 在桌面上点击 图标，显示“系统设置--用户登录”界面，输入正确的用户名密码（系统默认用户名admin ，密码1111），登录系统设置软件。 1.1 服务器设置 系统设置的第一页为【服务器设置】，如下图：
双极型晶体管参数符号及其意义
双极型晶体管参数符号及其意义 Cc---集电极电容 Ccb---集电极与基极间电容 Cce---发射极接地输出电容 Ci---输入电容 Cib---共基极输入电容 Cie---共发射极输入电容 Cies---共发射极短路输入电容 Cieo---共发射极开路输入电容 Cn---中和电容（外电路参数） Co---输出电容 Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容 Coe---共发射极输出电容 Coeo---共发射极开路输出电容 Cre---共发射极反馈电容 Cic---集电结势垒电容 CL---负载电容（外电路参数） Cp---并联电容（外电路参数） BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压 BVceo---基极开路，CE结击穿电压 BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压 BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压 BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压 D---占空比 fT---特征频率 fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
hFE---共发射极静态电流放大系数 hIE---共发射极静态输入阻抗 hOE---共发射极静态输出电导 h RE---共发射极静态电压反馈系数 hie---共发射极小信号短路输入阻抗 hre---共发射极小信号开路电压反馈系数 hfe---共发射极小信号短路电压放大系数 hoe---共发射极小信号开路输出导纳 IB---基极直流电流或交流电流的平均值 Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值 IE---发射极直流电流或交流电流的平均值 Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流 Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流 Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。 IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值 ICMP---集电极最大允许脉冲电流 ISB---二次击穿电流 IAGC---正向自动控制电流 Pc---集电极耗散功率 PCM---集电极最大允许耗散功率 Pi---输入功率 Po---输出功率 Posc---振荡功率 Pn---噪声功率 Ptot---总耗散功率
天地伟业键盘说明书-5810网络键盘安装使用手册上课讲义
网络键盘安装使用手册
目录 第一章键盘简介 (1) 1.1 功能特点 (1) 1.2 产品外观 (1) 1.3 技术指标 (1) 第二章键盘安装 (2) 2.1 放置 (2) 2.2 接口 (2) 2.3 安装 (2) 第三章键盘设置 (3) 3.1 设置 (3) 3.2 键盘开机 (3) 3.3 键盘登录 (3) 3.4 设置键盘 (4) 3.4.1网络管理 (4) 3.4.2用户管理 (4) 3.4.3 密码管理 (5) 3.4.4 设备管理 (5) 3.4.5 硬件设置 (5) 3.4.6 锁定设置 (5) 3.4.7 硬件检测 (6) 3.4.8摇杆校准 (6) 第四章矩阵控制 (8) 4.1 登录矩阵 (8) 4.2 矩阵操作界面 (8) 4.3 切换操作 (9) 4.4前端控制 (10) 4.5报警控制 (10) 4.6宏操作 (10) 4.7 越权控制 (10) 4.8 码分配器设置 (10) 4.9 锁定 (11) 4.10 列表 (11) 第五章网络升级 (12)
第一章键盘简介网络键盘配合智能网络矩阵使用，功能丰富、操作简单。 1.1 功能特点 ●中文编程操作界面 ●中文硅胶按键 ●大屏幕液晶屏幕 ●详细的矩阵及前端信息 ●以太网通讯 ●二维变速摇杆 ●使用简捷方便 1.2 产品外观 1.3 技术指标 工作温度：-10℃～50℃ 工作湿度：<90% 工作电压：DC12V 功耗：4W 以太网接口：10BaseT UDP（局域网） 外形尺寸（mm）：300×160×43（长×宽×高）
第二章键盘安装 2.1 放置 键盘采用工学设计，水平放置控制台面即可。 2.2 接口 网络键盘背部有两个接口：一个为电源接口，外接DC12V电源给键盘供电；另一个为RJ45网络接口，连接智能网络矩阵。 2.3 安装 标准版本的网络键盘硬件只支持控制智能网络矩阵(控制其它监控设备需要在标准版本的硬件基础上稍作调整)，所以标准版网络键盘只能将当前设备选择为矩阵。用网线将矩阵接到键盘的网络接口，接上电源，即完成了键盘和矩阵的物理连接。 注：由于智能网络矩阵内置交换机单元，所以网络键盘连接智能网络矩阵采用直通线序的标准网线。
工业硅
我国工业硅产业如何改变无序状况 一、业内有关人士提出以产业升级为主要途径 1、工业硅生产从无到有，经过50多年的发展，我国现已成为产能、产量和出口量均居世界首位的工业硅生产大国。但多年来中国工业硅生产和出口基本处于盲目发展和无序竞争状态，企业生产和产品出口的效益欠佳。业内人士认为，在国家不断加强和改善宏观调控的情况下，工业硅应逐步实现产业升级，改变这种无序的状态。 2、工业硅产业发展现状 中国的工业硅生产始于1957年。上世纪50年代末到70年代末，工业硅生产主要是国内自产自用。1980年，工业硅开始出口，90年代末年出口量达到20万吨以上，2007年出口量增加到近70万吨。现在我国工业硅的产能产量和出口量已均居世界首位，出口的国家和地区数近60个，年出口量已相当于发达国家总消费量的一半以上。 虽然我国是世界工业硅生产大国和出口大国，却不是工业硅出口强国。多年来，工业硅生产和出口的效益一直欠佳。上世纪90年初以来，工业硅出口的价格经常比国际市场正常价低20％～30％。2007年下半年以来，特别是2008年初以来，我国工业硅出口价格有相当幅度的提高。2007年我国工业硅出口全年的平均离岸价是1381美元／吨，今年1月至5月的平均离岸价上涨到2001美元／吨。但与此同时，国际市场工业硅价格也在迅速上涨，同期美国和欧盟的工业硅现货价也从2200美元／吨左右上涨到3500美元／吨左右。 二、盲目扩张导致困局 我国工业硅出口长期价格偏低的原因，除美国、欧盟等长期对我国工业硅出口实行反倾销之外，也与我国工业硅项目的盲目扩张，低水平重复建设和相互压价的无序竞争有关。 2004年以来，在国家不断加强宏观调控下，工业硅项目低水平重复建设的势头受到一定遏制，落后生产能力开始被淘汰，节能环保意识有所增强。但在取得这些初步成效的同时，长期盲目扩张积累的问题仍很突出，整个硅业要真正遏制盲目扩张的势头，消除无序竞争，还有很多工作要做。 进入2008年以来，国家从1月1日起对出口工业硅开征10％的出口关税，年初南方地区遭遇的罕见低温雨雪冰冻灾害和5月汶川特大地震灾害，使这些地区相当数量的工业硅企业遭受不同程度的破坏，生产和贸易均受到影响。 业内人士认为，工业硅产业长期的低水平重复建设和无序竞争，不
EasyView V4.0T使用说明书
天地伟业EASYVIEW V4.0T网络视频监控 软件使用手册 2010年3月
目录 目录 (2) 一、系统需求 (4) 1.1 安装需求 (4) 1.2 运行需求 (5) 二、EASYVIEW视频监控管理软件安装手册 (5) 2.1 软件安装 (5) 三、EASYVIEW视频监控管理软件使用手册 (5) 3. 1搜索器的使用说明 (6) 3.1.1 搜索设置IP地址 (6) 3.1.2 网络设备的搜索 (6) 3.1.3计算机网络设置 (7) 3.1.4 H系列服务器设备搜索 (7) 3. 2 视频浏览模块使用说明 (7) 3.2.1 监控软件EasyView登录系统 (7) 3.2.2 选取、退出软件功能模块 (8) 3.2.3 视频浏览模块使用说明 (9) 3.2.4系统功能模块使用说明 (11) 3.2.4.1 系统设置功能说明 (11) 3.2.4.1.1【设备管理】操作说明 (11) 3.2.4.1.2【用户管理】操作说明 (19) 3.2.4.1.3【用户权限管理】操作说明 (20) 3.2.4.1.4【图像设置】操作说明 (21) 3.2.4.1.5【报警设置】操作说明 (24) 3.2.4.1.6【报警联动】操作说明 (28) 3.2.4.1.7【视频遮挡设置】操作说明 (32) 3.2.4.1.8【日志管理】操作说明 (33) 3.2.4.1.9【切换设置】操作说明 (35) 3.2.4.1.10【域名注册信息设置】操作说明 (36) 3.2.4.2 抓怕浏览功能说明 (37) 3.2.4.3电子地图功能说明 (38) 3.2.5云镜控制模块使用说明 (39) 3.2.6 监控点列表模块使用说明 (40)
天地伟业卫士系列网络摄像机硬件用户手册
天地伟业卫士系列网络摄像机 用户手册 V1.0
重要声明 一、感谢您选用由天津天地伟业数码科技有限公司出品的卫士系列网络摄像机产品。使 用本产品之前，请认真阅读本使用手册。在您开始使用此产品时，天地伟业数码科技有限公司将认为您已经阅读过本产品使用手册。 二、本手册所涵盖的内容均参考此使用手册编写时最新的消息，当涉及的内容发生改变 时，恕不另行通知。 侵犯版权警告 一、卫士系列网络摄像机产品的使用方式不得触犯或侵害国际与国内之法律和法规。一 旦因使用不当而发生触犯或侵犯国际和国家法律及法规的行为，天地伟业数码科技有限公司将不为此负担任何民事和刑事责任。 二、请注意，即使摄录的视频仅供个人使用，在某些情况下使用该摄像机复制表演、展 览或商业资产的图像，仍有可能侵犯版权或其他法律权益。
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多晶硅生产工艺流程及相关问题(附西门子法生产工艺)
多晶硅工程分析（附改良西门子法） 这种方法的优点是节能降耗显著、成本低、质量好、采用综合利用技术，对环境不产生污染，具有明显的竞争优势。改良西门子工艺法生产多晶硅所用设备主要有：氯化氢合成炉，三氯氢硅沸腾床加压合成炉，三氯氢硅水解凝胶处理系统，三氯氢硅粗馏、精馏塔提纯系统，硅芯炉，节电还原炉，磷检炉，硅棒切断机，腐蚀、清洗、干燥、包装系统装置，还原尾气干法回收装置；其他包括分析、检测仪器，控制仪表，热能转换站，压缩空气站，循环水站，变配电站，净化厂房等。 （1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅， 其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑ （2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3)。 其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑ 反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物 (Н2,НСl,SiНСl3,SiCl4,Si)。 （3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解:过滤硅粉，冷凝SiНС13,SiC14，而气态Н2,НС1返回到反应中或排放到大气中。然后分解冷凝物SiНСl3,SiCl4，净化三氯氢硅（多级精馏）。 （4）净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在 H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。 其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl。 多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。 这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应，并生成多晶硅。剩余部分同Н2,НСl,SiНС13,SiC l4从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。
双极结型晶体管
第三章 3–1．（a ）画出PNP 晶体管在平衡时以及在正向有源工作模式下的能带图。 （b ）画出晶体管的示意图并表示出所有的电流成分，写出各级电流表达式。 （c ）画出发射区、基区、集电区少子分布示意图。 3–2．考虑一个N P N 硅晶体管，具有这样一些参数：m x B μ2=，在均匀掺杂基区 2 3 16 01.0,1,10 5cm A s cm N n a ==?=-μτ。若集电结被反向偏置，mA I nE 1=，计算 在发射结基区一边的过量电子密度、发射结电压以及基区输运因子。 3–3． 在3–2的晶体管中，假设发射极的掺杂浓度为31810-cm ，m x E μ2=，ns pE 10=τ ， 发射结空间电荷区中，s μτ1.00=。计算在mA I nE 1=时的发射效率和FE h 。 3–4． 一NPN 晶体管具有以下规格：发射区面积=1平方密耳，基区面积=10平方密耳，发 射区宽度= m μ2，基区宽度= m μ1，发射区薄层电阻为/ 2Ω / 200Ω集电极电阻率=0.3.cm Ω，发射区空穴寿命=ns 1，基区电子寿命=100ns ， 假设发射极的复合电流为常数并等于A μ1。还假设为突变结和均匀掺杂。计算A I E μ10=、mA mA mA A 100101100、、、μ以及A 1时的FE h 。用半对数坐标画出曲线。中间电流范围的控制因素是什么？ 3-5．（a ）根据式（3-19）或式（3-20），证明对于任意的 n B L x 值公式（3-41）和（3-43） 变成E dE PE n B n a n i x N D L x L N D qAn a + -=)(coth [ 2 11] n B n a i n L x h L N n qAD a a csc 2 2112= = ])(coth [ 2 22PC dC PC n B n a n i L N D L x L N D qAn a + -= （b ）证明，若n B L x <<1,（a ）中的表达式约化为（3－41）和（3－43）。 3–6．证明在有源区晶体管发射极电流–电压特性可用下式表示R F E E I I αα-≈ 10T E V V e /+ 2τE i W qAn T E V V e /其中0 E I 为集电极开路时发射结反向饱和电流。提
工业硅25000可研报告
金属硅生产工艺流程方案(V1.0) 连城华富硅业有限公司 2009年7月
资料版本：V1.0 日期：2009年7月 密级：?公开资料?内部资料?保密资料?绝密资料 状态：?初稿?讨论稿?发布 版权声明 连城华富硅业有限公司@2009 2009年版权所有，保留一切权利 非经本公司书面许可，任何单位和个人不得擅自摘抄、复制本文的部分或全部，并不得以任何形式传播。 Copyright@2008 by Liancheng huafu Silicon Industry Co.,Ltd. All Right Reserved. No part of this document may be reproduced or transmitted in any form or by any means without prior written consent of Liancheng huafu Silicon Industry Co.,Ltd
文档控制记录 修改记录 日期作者版本修改记录 2009-7-1 潘锦池 1.0 正式文稿 审阅 姓名时间职位 李肇基2008-9-1 中国科学院院士（中国著名半导体专家）章宏睿2008-9-1 东南大学电子材料研究室主任 东南大学太阳能光伏研究所所长 分发 拷贝No. 姓名分发时间单位 1 2009--7 连城华富
12500kV A工业硅矿热炉 可行性分析报告 1.前言 工业硅（又称结晶硅、金属硅）是现代工业生产中重要材料之一，工业硅的用途十分广泛，可应用于电子、炼钢、光学、机械、汽车制造、化工、冶金、医药、国防等领域，被誉为“工业味精”。工业硅在制取铝合金方面的用量，约占总量的50%以上。铝硅合金的耐热、耐磨性好、热膨胀系数小，广泛用于汽车制造业、航空工业、电器工业和船舶制造等方面。工业硅可以作为非铁基合金的添加剂，也用作要求严格的硅钢的合金剂，是炼钢、非铁基合金冶炼必不可少的脱氧剂。在炼钢工业中，每生产一吨钢大约消耗五公斤工业硅。化学级工业硅是国家鼓励发展的集成电路所需的现代高明技术多晶硅、单晶硅的原料。工业硅经多工序加工成电路、电子原件必不可少的原材料，日本把钢铁、铝和半导体硅统成为三大金属材料。工业硅在化学工业中，用于生产有机化合物如硅油、硅橡胶、建筑物防腐剂、白炭黑、馐用薄膜涂料、高档家具涂料的添加剂、装饰漆添加剂、一般工业涂料添加剂等。工业硅还用作某些金属的还原剂，用于制造新型陶瓷合金等。 目前工业硅的应用，还在不断地开发新领域，如制造太阳能电池、制造氮化硅合成光纤等。太阳能目前已经成为最受关注的绿色能源产业。美国、欧洲、日本都制定了大力促进本国太阳能发展的政策，我国也于2005年3月份通过了《可再生能源法》。这些措施极大地促进了太阳能电池产业的发展。据统计，从1998～2007年，国际太阳能光伏电池的市场一直保持高速增长，甚至是呈井喷的态势，年平均增长速度达到30%，预计到2010年后，
天地伟业电子监考学校端调试与培训手册
天地伟业电子监考学校端调试与培训手册 天津天地伟业数码科技有限公司 2010年5月
目录 第1章安装及网络规划 (3) 1.1 设备清单 (3) 1.2 网络规划 (3) 1.3 域名规划 (4) 1.4 网络规划 (4) 1.4.1 关键设备在网络中的部署 (4) 1.4.2 端口映射 (5) 第2章学校端电子监考设备配置与调试 (6) 2.1 SIP服务器参数配置 (6) 2.1.1 修改操作系统登录密码 (6) 2.1.2 SIP服务自动登录设置 (7) 2.1.3 登录“巡考系统数据管理” (8) 2.1.4 系统设置 (9) 2.2 流媒体服务器参数配置 (16) 2.2.1 通道信息配置 (16) 2.2.2 网络配置 (16) 2.2.3 扩展配置 (17) 2.3 SIP服务器镜像备份 (18) 2.4 数字画面分割器配置 (19) 第3章巡查系统基础培训 (20) 3.1 流媒体服务器 (20) 3.2 三合一服务器 (20) 3.3 巡查客户端使用 (20) 3.3.1 登录 (20) 3.4 数字画面分割客户端使用.......................................... 错误!未定义书签。
第1章安装及网络规划 1.1 设备清单 本调试手册以一个有64个教室的学校为例，每个教室1路视频图像；学校是，天津市南开区南开中学。 三合一服务器1台；名称为：nkzxsip 流媒体服务器4台；名称为：lmt1，lmt2，lmt3，lmt4 客户端3个；名称为：nkzxuser1，nkzxuser2 ，nkzxuser3 VGA矩阵1台；名称为：nkzxvga 1.2网络规划 三合一服务器1台； IP为：nkzxsip-192.168.0.10 流媒体服务器4台； IP为：lmt1-192.168.0.11 lmt2-192.168.0.12， lmt3-192.168.0.13， lmt4-192.168.0.14 客户端3个； IP为：nkzxuser1-192.168.0.15， nkzxuser2-192.168.0.16 ， nkzxuser3-192.168.0.17 VGA矩阵1台； IP为：nkzxvga-192.168.0.18 请按以上举例的IP地址进行分配。并设置好子网掩码和网关。
天地伟业网络综合管理平台V6.9T(Build 0912)使用说明书
网络综合管理平台系统 使用说明书 V1.0
目录 第一章操作界面及基本操作介绍 (3) 1.1软件安装 (3) 1.2 进入／退出系统 (4) 1.2.1 进入系统 (4) 1.2.2退出系统 (5) 1.3 主界面及基本操作 (6) 1.3.1 视频显示与视频切换 (7) 1.3.2 视频区快捷菜单 (8) 1.3.3视频参数设置 (8) 1.3.4 云镜头控制台 (9) 1.3.5 灯光电源雨刷 (9) 1.3.6 快球/解码器控制 (9) 1.3.7 音频对讲 (10) 1.3.8 远程设置 (11) 1.3.9抓拍 (11) 1.3.10 抓拍图片浏览 (11) 1.3.11 录像 (11) 1.3.12 设置 (11) 1.3.13 回放器 (12) 1.3.14电子地图 (12) 1.3.15 日志管理 (12) 第二章参数设置操作指南 (15) 2.1系统设置 (15) 2.1.1电子地图设置 (15) 2.1.2设置报警联动视频显示窗口 (15) 2.2主机设置 (16) 2.3通道设置 (17) 2.3.1通道设置 (17) 2.3.2 时间表设置 (18) 2.4监视器设置 (18) 2.4.1 监视器输出设置 (18) 2.4.2 监视器输入设置 (20) 2.5权限设置 (21) 2.6 其他设置 (22) 2.6.1 网络开发包设置 (22) 2.6.2 添加存储服务器 (22) 2.6.3 短消息通知服务 (22) 2.6.4启用报警转发服务器通知报警 (23) 第三章电子地图设置操作指南 (24) 3.1添加 (24) 3.2设置 (26) 3.3背景 (26) 3.4模板 (26)
12500kvA工业硅炉设计方案
设计方案项目名称：l2500kV A工业硅炉 制作方：----------------------- 2009年7月6日
公司简介 --------------------是专业从事工业电炉、冶金设备、环保设备的开发、设计、销售、安装、调试、技术转让和铁合金工艺服务的高科技企业。是一家专门从事冶金和化学工业电炉设备节能新技术、新产品开发及制造的综合型企业。 公司采用先进的管理模式，是“以科技求发展，以质量求生存，以信誉求效益”宗旨和“团结进取、诚信敬业”的企业精神，为客户提供先进和高质量的产品，不断研究开发新一代冶金电炉和环保产品，全心全意地服务于冶金和化工企业。 公司拥有一批知识层次高、业务精通、经验丰富的工程技术人员和管理人才；尊重科学、尊重人才，注重引进国际先进技术的消化吸收和科技成果的转化以及售前、售后服务；为用户提供高效可靠、节能降耗的设备。 我公司的产品被国内很多家大中型企业采用，同时出口到美国、越南、刚果、哈萨克斯坦等国。以其先进的技术水平、精良的制造质量和完善的售后服务，创造了良好的经济效益和社会效益，受到用户的好评和信赖。 12500kVA工业硅炉是我公司吸收了国外设备的经验，结合我国同类产品厂家的冶炼工艺具体情况推出的新型矿热炉，是我国矿热炉的优化产品，在国内处于领先水平。 我公司的优势：
1、我公司多年来从事矿热炉、短网技术的研制、开发出同相逆并联的短网，修正平面布置短网，倒三角形短网，由于其具有短网阻抗低、三相不平衡系数低、功率因数高、节电效果显著。 2、通过对大电流母线附近钢构感应发热的深入研究，证明了铁合金电耗高，是因为有相当一部份电能转变为钢构的发热，根据这个理论，对旧炉型进行新设计，从而创造出新型矿热炉。 3、我们认真吸取了国外先进矿热炉的经验，将许多适合我国的经验移植在我们的新型矿热炉上，从而使我公司在矿热炉设计、制造、安装、调试上具有相当的优势。 我公司愿以一流的技术，完善的服务，为您提供高质量的产品。
单极型晶体管与双极型晶体管
单极型晶体管与双极型晶体管 单极型晶体管与双极型晶体管2011-10-3012:22 —、单极型晶体管 单极型晶体管也称场效应管，简称FET(FieldEffectTra nsistor) 。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子(多数载流子)参与导电，故称为单极型晶体管。 特点： 输入电阻高，可达107~1015Q，绝缘栅型场效应管(IGFET)可高达1015Q 噪声低，热稳定性好，工艺简单，易集成，器件特性便于控制，功耗小，体积小，成本低。 根据材料的不同可分为结型场效应管 JFET(Ju nctio nFieldEffectTra nsistor) 和绝缘栅型场效应管 IGFET(InsulatedGateFET)。 二、双极型晶体管 双极型晶体管也称晶体三极管，它是一种电流控制型器件，由输入电流控制输出电流，其本身具有电流放大作用。它工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程，故称为双极型三极管。 特点： 三极管可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。它具有结构牢固、寿命长、体积小、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。 根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(Si)与锗管(Ge)。 硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小，且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。锗三极管的增益大，频率响应好，尤其适用于低压线路。
场效应管与双极型三极管的比较： 1、普通三极管参与导电的，既有多数载流子，又有少数载流子，故称为双极型三极管；而在场效应管中只是多子参与导电，故又称为单极型三极管。因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数很小。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。 2、三极管是电流控制器件，通过控制基极电流到达控制输出电流的目的。因此，基极总有一定的电流，故三极管的输人电阻较低；场效应管是电压控制器件，其输出电流决定于栅源极之间的电压，栅极基本上不取电流，因此，它的输入电阻很高，可达109T014Q。高输入电阻是场效应管的突出优点。 3、场效应管的漏极和源极可以互换，耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正可负， 灵活性比三极管强。但要注意，分立的场效应管，有时已经将衬底和源极在管内短接，源极和漏极就不能互换使用了。 4、场效应管和三极管都可以用于放大或作可控开关。但场效应管还可以作 为压控电阻使用，可以在微电流、低电压条件下工作，具有功耗低，热稳定性好，容易解决散热问题，工作电源电压范围宽等优点，且制作工艺简单，易于集成化生产，因此在目前的大规模、超大规模集成电路中，MOS管占主要地位 5、M OS管具有很低的级间反馈电容，一般为5-10pF，而三极管的集电结电容一般为20pF左右。 6场效应管组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数。 7、由于MOS观的栅源极之间的绝缘层很薄，极间电容很小，而栅源极之间电阻又很大，带电物体靠近栅极时，栅极上感应少量电荷产生很高的电压，就很难放掉，以至于栅源极之间的绝缘层击穿，造成永久性损坏。因此管子存放 时，应使栅极与源极短接，避免栅极悬空。尤其是焊接MOS管时，电烙铁外壳 要良好接地。