光电综合试验报告

实验一光敏电阻特性实验

实验原理:

光敏电阻又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示。由于半导体在光照的作用下,电导率的变化只限于表面薄层,因此将掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘体表面就制成了光敏电阻，不同材料制成的光敏电阻具有不同的光谱特性。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。

实验所需部件:

稳压电源、光敏电阻、负载电阻（选配单元）、电压表、

各种光源、遮光罩、激光器、光照度计（由用户选配）

实验步骤:

1、测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻

观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩

盖,用万用表测得的电阻值为暗电阻

R暗,移开遮光罩，在环境光照下测得的光敏电阻的

阻值为亮电阻，暗电阻与亮电阻之差为光电阻，光

电阻越大，则灵敏度越高。

在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻，

试作性能比较分析。

2、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流

按照图(3)接线，电源可从+2~+8V间选用，分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮则暗电流L暗=V暗/R L,亮电流L亮=V亮/R L，亮电流与暗电流之差称为光电流，光电流越大则灵敏度越高。

分别测出两种光敏电阻的亮电流，并做性能比较。

3、光敏电阻的光谱特性：图（2）几种光敏电阻的光谱特性

用不同的材料制成的光敏电阻有着不

同的光谱特性，见图（2）光敏电阻的

光谱特性曲线。当不同波长的入射光照

到光敏电阻的光敏面上，光敏电阻就有

不同的灵敏度。

按照图(3)接线,电源电压可采用直流稳

压电源的负电源。用高亮度LED（红、

黄、绿、蓝、白）作为光源，其工作电

源可选用直流稳压电源的正电源。发光

管的接线可参照图（15）。限流电阻用

选配单元上的1K~100K档电位器，首

先应置电位器阻值为最大，打开电源后缓慢调小阻值，使发光管逐步发光并至最亮，当发光管达到最高亮度时不应再减小限流电阻阻值,确定限流电阻阻值后不再改变。依次将各发光管接入光电器件模板上的发光管插座，（各种光源的发光亮度可用照度计测得并可调节发光管电路使之光照度一致）。发光管与光敏电阻顶端可用附件中的黑色软管连接。分别测出光敏电阻在各种光源照射下的光电流，再用激光教鞭、固体激光器作为光源，测得光电流，将测得的数据记入下表，据此作出两种光电阻大致的光谱特性曲线：

4.伏安特性:

光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系。

按照图(3)分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V、12V时的光电流，并尝试高照射光源的光强，测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表

光敏电阻与其他半导体器件一样,性能受温度影响较大.随着温度的升高电阻值增大,灵敏度下降。请按图(3)测试电路，分别测出常温下和加温(可用电烙铁靠近加温或用电吹风加温，电烙铁切不可直接接触器件)后的伏安特性曲线。

6.光敏电阻的光电特性：

在一定的电压作用下，光敏电阻的光电流与照射光通量的关系为光电特性见图（4）所

示。图（4）光敏电阻的光电特性图（3）的实验电路电源可选用+12V稳压电源，适当串入一选配单元上的可变电阻，阻值在10K左右。发光LED接直流稳压电源的2~10V电压档，调节电路使发光管刚好发光，将发光管与光敏电阻顶端相连接，盖上遮光罩，测得光电流____，然后依次将发光管工作电压提高为4V，6V，8V，10V，用照度计依次测得光强，并测得光电流。将所

改变光敏电阻上入射光的光通量，观察光电流的变化。

注意事项:

实验时请注意不要超过光电阻的最大耗散功率P MAX, P MAX=LV。光源照射时灯胆及灯杯温度均很高，请勿用手触摸，以免烫伤。实验时各种不同波长的光源的获取也可以采用在仪器上的光源灯泡前加装各色滤色片的办法，同时也须考虑到环境光照的影响。

实验二光敏管的应用-----光控电路

实验目的:

了解光敏管在控制电路中的具体应用。

实验所需部件:

光敏二极管或光敏三极管、光控电路、光源、电压表、

电阻器、三极管

实验步骤:

1.图(10)为一常用的由光敏管组成的光控电路，其原理

与前述光敏电阻光控电路相似，电路接线时须注意

光敏管的极性。接通电源后调节控制电路,使其在自

然光下负载发光管不亮。

2.分别用白纸\带色的纸\书本和遮光罩改变光敏管的

光照，观察控制电路的亮灯情况。

实验三光纤传感器--------位移测试

1实验原理:

光纤传感器可以分为两大类: 一类是功能型（传感型）传感器; 另一类是非功能型（传光型）传感器。非功能型传感器是利用其它敏感元件感受被测量的变化, 光纤仅作为信息的传输介质，常采用单模光纤。光纤在其中仅起导光作用，光照在光纤型敏感元件上受被测量调制。

本实验仪中所用的为传光型光纤传感器,光纤在传感器中起到光的传输作用，因此是属于非功能性的光纤传感器。光纤传感器的两支多模光纤分别为光源发射及接收光强之用，其工作原理如图(22)所示。

光纤传感器工作特性曲线如图

(23)所示。一般都选用线性范围较好

的前坡为测试区域。

2实验所需部件:

光纤、光电变换器、放大稳幅电路、

近红外发射及检测电路（光纤变换电

路内）、反射物（电机叶面）、电压表.

3实验步骤:

1.将光纤、光电变换块与光纤

变换电路相连接,注意同一

实验室如有多台光电传感器

实验仪,由于光电变换块中

的光电元件特性存在不一致,

则光纤变换电路中的发射\

接收放大电路的参数也不一

致，故请做实验之前将光纤\

光电变换块和实验仪对应编

号,不要混用,以免影响正常

实验。

2.光纤探头安装于位移平台的

支架上用紧定螺丝固定,电机叶片对准光纤探头,注意保持两端面的平行。

3.尽量降低室内光照,移动位移平台使光纤探头紧贴反射面，此时变换电路输出

电压V o应约等于零。

4.旋动螺旋测微仪带动位移平台使光纤端面离开反射叶片，每旋转一圈(0.5毫

米)记录V o值,并将记录结果填入表格,作出距离X与电压值mv的关系曲线。

从测试结果可以看出,光纤位移传感器工作特性曲线如图(23)所示分为前坡Ⅰ和后坡Ⅱ。前坡Ⅰ范围较小，线性较好。后坡工作范围大但线性较差。因此平时用光纤位移传感器测试位移时一般采用前坡特性范围。根据实验结果试找出本实验仪的最佳工作点。（光纤端面距被测目标的距离）

4 实验数据

由实验数据可得：

结论：前坡Ⅰ范围较小，线性较好。后坡工作范围大但线性较差。

思考题：

如何利用光纤传感器位移测试的原理，设计一个光纤传感器压力测试单元？（提示：压力致使物体产生形变）。

答：用干涉仪的两面镜子分别是位于一端的薄膜内表面和位于另一端的光纤尖端。所以施加的压力P引起了薄膜的偏移,而此偏移又直接转换成了FP干涉仪空腔长度的变化。

实验四红外光传感器----热释电红外传感器性能

一实验原理:

热释电红外传感器的具体结构和内

部电路如图(26)所示，其耐性好，灵

敏度高。主要由滤光片、PZT热电元

件、结型场效应管FET及电阻、二极

管组成.。其中滤光片的光谱特性决定

了热释电传感器的工作范围。本仪器

所用的滤光片对5μm以下的光具有

高反射率，而对于从人体发出的红外

热源则有高穿透性，传感器接收到红

外能量信号后就有电压信号输出。

二实验所需部件:

热释电红外传感器、慢速电机、热释电处理电路单元、电加热器、电压表

三实验步骤:

1.将菲涅尔透镜装在热释电红外传感器探头上,探头方向对准慢速电机支座下

透孔前的热源方向,按图标符号将传感器接入处理电路，接好发光二极管。开启电源,待电路输出稳定后开启热源,同时将慢速电机叶片拨开不使其挡住热源透射孔。

2.随着热源温度缓慢上升,观察热释电红外传感器的V o端输出电压变化情况。

可以看出传感器并不因为热源温度上升而有所反应。

3.开启慢速电机,调节转速旋钮,使电机叶片转速尽量慢,不断地将透热孔开启—

—遮挡。此时用电压表或示波器观察输出电压端V o就会发现输出电压也随之变化。当达到告警电压时,则发光管闪亮。

4.逐步提高电机转速,当电机转速加快,叶片断续热源的频率增高到一定程度时,

传感器又会出现无反应的情况，请分析这是什么原因造成的？(可结合热释电红外传感器工作电路原理分析)

四实验结论

电机叶片转动时，二极管灯亮。

1随着转速的速度提高，灯闪的频率也在升高。

2当转速达到一定的程度时，灯不亮。

3叶片从上往下转速度慢。叶片从下往上转速度快。

注意事项：

慢速电机的叶片因为是不平衡形式，加之电机功率较小，所以开始转动时可能需要用手拨动一下。

实验五光电位置敏感器件-----PSD传感器

一实验原理:

PSD(position sensitive detector)

是一种新型的横向光电效应器件,

当入射光点照在器件光敏面上时,

激发光生载流子而产生电流I，光

生电流的大小与光点的大小无关,

只和光点在器件上的位置有关系。

当光点位于器件中点(原点)时,光

生电流I1=I2，根据这一原理,将

PSD器件两极电流I1、I2变换成

电压信号后再进行运算即可知道

光点的位置。PSD器件工作原理

见图(27)

二实验所需器件:

PSD基座(器件已装在基座上)、固体激光器、反射体、PSD处理电路单元、电压表

三实验步骤:

1.通过基座上端圆形观察孔观察PSD器件及在基座上的安装位置,连接好PSD

器件与处理电路,开启仪器电源,输出端V o接电压表,此时因无光源照射,PSD 前聚焦透镜也无因光照射而形成的光点照射在PSD器件上,V o输出的为环境光的噪声电压,试用一块遮光片将观察圆孔盖上,观察光噪声对输出电压的变化。

2.将激光器插头插入“激光电源”插口，激光器安装在基座圆孔中并固定。注意

激光束照射到反射面上时的情况，光束应与反射面垂直。旋转激光器角度，调节激光光点，（必要时也可调节PSD前的透镜）使光点尽可能集中在器件上。

3.仔细调节位移平台，用电压表观察输出电压VO的变化，当输出为零时，再

分别测两路信号电压输出端VO1、VO2的电压值，此时两个信号电压应是基本一致的。

4.从原点开始，位移平台分别向前和向后位移10mm,因为PSD器件对光点位置

的变化非常敏感，故每次螺旋测微仪旋转5格（1/10mm）,并将位移值（mm）与输出电压值（V0）记录列表，作出V/X曲线，求出灵敏度S，S＝△V/△

注意事项：

实验中所用的固体激光器光点可调节，实验时请注意光束不要直接照射眼睛，否则有可能对视力造成不可恢复的损伤。每一支激光器的光点和光强都略有差异，所以对同一PSD器件，光源不同时光生电流的大小也是不一样的。实验时背景光的影响也不可忽视，尤其是采用日光灯照明时，或是仪器周围有物体移动造成光线反射发生变化时，都会造成PSD光生电流改变，致使单元V0输出端电压产生跳变，这不是仪器的毛病。如实验时电压信号输出较小，则可调节一下激光器照射角度，使输出达到最大。

电气检测技术试验报告

本科生实验报告实验课程电气测试技术学院名称核技术与自动化工程学院专业名称电气工程及其自动化学生姓名刘恒学生学号50504 指导教师王洪辉实验地点逸夫楼6C801 实验成绩二O—四年十二月填写说明 1、适用于本科生所有的实验报告（印制实验报告册除外）； 2、专业填写为专业全称，有专业方向的用小括号标明； 3、格式要求： ①用 A4 纸双面打印（封面双面打印）或在 A4 大小纸上用蓝黑色水笔书写。 ②打印排版：正文用宋体小四号，倍行距，页边距采取默认形式（上下，左右，页眉1.5cm,页脚1.75cm）。字符间距为默认值（缩放100%间距：标准）；页码用小五号字底端居中。 ③具体要求：题目（二号黑体居中）；摘要（“摘要”二字用小二号黑体居中，隔行书写摘要的文字部分，小 4 号宋体）；关键词（隔行顶格书写“关键词”三字，提炼 3-5 个关键词，用分号隔开，小 4 号黑体）；正文部分采用三级标题；第1章XX （小二号黑体居中，段前行） XXXXX小三号黑体XXXXX（段前、段后行） 1.1.1 小四号黑体（段前、段后行）参考文献（黑体小二号居中，段前行），参考文献用五号宋体，参照《参考文献著录规则

（ GB/T 7714－2005）》。

实验一金属箔式应变片性能一单臂电桥（910 型 998B 型） 1.1实验目的（1）了解金属箔式应变片，单臂单桥的工作原理和工作情况。（2）观察了解箔式应变片的结构及粘贴方式；（3）测试应变梁变形的应变输出；（4）熟悉传感器常用参数的计算方法。实验原理本实验说明箔式应变片及单臂单桥的工作原理和工作情况。应变片是最常用的测力传感元件。当用应变片测试时，应变片要牢固地粘贴在测试体表面，当测件受力发生形变，应变片的敏感栅随同变形，其电阻也随之发生相应的变化，通过测量电路，转换成电信号输出显示。电桥电路是最常用的非电量电测电路中的一种，当电桥平衡时，桥路对臂电阻乘积 R1、R2 R3 R4中，电阻的相对变化率分别为 2迟；用四个应变片组成二个差对工作，且 R R1=R2=R3=R4=R, R 仆 R 。由此可知，单臂、半桥、全桥电路的灵敏度依次增大。所需单元及部件：直流稳压电源、差动放大器、双平衡梁、测微头、一片应变片、 F/V 表、主、副电源。旋转初始位置：直流稳压电源打到 2V 档，F/V 表打到2V 档，差动放大增益最大。实验步骤了解所需单元、部件在试验仪上的所在位置，观察梁上的应变片，应变片为棕色衬底箔式结构小方薄片。上下二片梁的外表面各贴二片受力应变片和一片补偿应变片，测微头在双平行梁前面的支座上，可以上、下、前、后、左、右调节。将差动放大器调零：用连线将差动放大器的正（+）、负（-）、地短接。将差动放大器的输出端与F/V 表的输入插口 Vi 相连；开启主、副电源；调节差动放大器的增益到最大位置，然后调整差动放大器的调零旋钮使 F/V 表显示为零，关闭主、副电源。相等，电桥输出为零，在桥臂四个电阻 R1/R1、差动状态工作，则有

照度实验报告

照度实验报告一、背景作业场所的合理采光与照明，对生产中的效率、卫生和安全都有重要的意义。它是工作场所设计中的重要项目，无论是天然采光还是人工照明，其主要目的都是给人们的生活和生产提供必需的视觉条件。适当的照度设计应遵循工效学的原则，使照度设置达到保证物体的轮廓立体视觉，有利于辨认物体的高低，深浅，前后远近及相对位置，有利于眼睛的辨色能力，有利于大视野，降低疲劳、减少错误和工伤事故的发生。提高照度值可以提高识别速度和主体视觉，从而提高工作效率和准确度。但照度值提高到使人产生眩光时，会降低工作效率。此外，利用照明设计对人的情绪的影响，根据场所功能的需求，可使光环境对人产生兴奋或抑制的作用。在绿色照明理念的指导下，人工照明应考虑节能和环保的要求。二、实验目的正确熟悉和使用照度计，采集光环境数据，并通过分析数据来判断光环境的照度是否合理，假如不合理则提出合理的改善措施。三、实验场所上海海洋大学图书馆二楼大厅自习室（室外）四、实验要求 1、照度采集 2、对自习室的照度情况进行分析 3、分析光照度合理性，并提出改善措施五、分析 1、主观分析（1）、主观评价调查数据（2）、主观评价结果分析 a、计算每个项目的评分s(n): s(n)= 式中，s（n）为第n个项目的评分 p（m）为第m个状态的分值，其中，p（1）=0，p（2）=10，p（3）=50，p（4）=100， v （n,m）为第n个评价项目的第m个状态所得的票数。所以： s(1)= s(2)= s(3)= s(4)= s(5)= s(6)= =16.4 =10.8 =12.4 =12.6 =12.4 =12.6 s(7)= s(8)= s(9)= s(10)= b、计算总的光环境指数 s s= =9.2 =8.2 =9.4 =10 式中，w（n）为第n个评价项目权值，设其权值均为1 所以: s=11.4 为了便于分析和确定评价结果,本方法将光环境质量按光环境的指数范围分为四个质量等级,其质量等级的划分及其含意如下表所示: 因为10<11.4<=50所以根据上表的结论，本实验的光环境质量等级为3，含义是：问题较大 2、客观分析（照度数据采集及分析）（1）、照度采集现场在进行照度值测量的时间点上我们选择了一个晴朗的下午2点~3点之间，光照十分充足，因为时间和条件的限制就没有对阴天和晚上进行测量和分析。图书馆二楼自习室现场

硅光电池特性测试实验报告

硅光电池特性测试实验报告系别：电子信息工程系班级：光电08305班组长：祝李组员：贺义贵、何江武、占志武实验时间：2010年4月2日指导老师：王凌波 2010.4.6

目录一、实验目的二、实验内容三、实验仪器四、实验原理五、注意事项六、实验步骤七、实验数据及分析八、总结

一、实验目的 1、学习掌握硅光电池的工作原理 2、学习掌握硅光电池的基本特性 3、掌握硅光电池基本特性测试方法 4、了解硅光电池的基本应用二、实验内容 1、硅光电池短路电路测试实验 2、硅光电池开路电压测试实验 3、硅光电池光电特性测试实验 4、硅光电池伏安特性测试实验 5、硅光电池负载特性测试实验 6、硅光电池时间响应测试实验 7、硅光电池光谱特性测试实验设计实验1：硅光电池光控开关电路设计实验设计实验2：简易光照度计设计实验三、实验仪器 1、硅光电池综合实验仪 1个 2、光通路组件 1只 3、光照度计 1台 4、2#迭插头对（红色，50cm） 10根 5、2#迭插头对（黑色，50cm） 10根 6、三相电源线 1根 7、实验指导书 1本 8、20M 示波器 1台四、实验原理 1、硅光电池的基本结构目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。零偏反偏正偏图 2-1. 半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区图2-1是半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区，当P型和N型半导体材料结合

自动检测技术

自动检测技术实验一应变片的粘贴工艺实验一、实验目的：熟悉掌握应变片的粘贴工艺及要求。二、应变片的粘贴工艺及要求：应变片的粘贴工艺及质量直接影响着测量的精度与成败，因此必须按照粘贴工艺规程粘贴应变片，一般步骤为： 1、应变片的检查 (1）外观检查用放大镜(或投影仪)进行外观检查。凡是金属丝栅不紊乱、布置均匀。引线牢固，底基胶层均匀者可以认为合格。 (2)阻值分选用精密电桥测量应变片的阻值，一般不超过应变片名义阻值的±0.5％时，认为其合格。但要根据实测电阻值分组包装使用。在同一组中，各片之间的实测电阻值偏差最好不超过±0.1Ω。当相差为±0.5Ω时上，电阻应变仪就不易平衡了。 2、粘贴表面的清理(即试件清理) 一般对贴片表面的要求为： (1)完全去掉表面的氧化皮及污垢。通常采用手提电动砂轮，钢刷、砂布等打磨。测点表面最好用0＃或1＃砂布打磨到▽6即可，也不易太光滑。打磨表面为应变片基底面积的2～3倍 (2)用划针在测点表面轻画贴片位置的坐标线。 (3)用丙酮（或无水乙醇、甲苯）和脱脂棉清洗。直到没有脏物为止，晾干后即可开始粘贴应变片。 3、贴片的具体步骤

一般按使用粘贴剂所要求的工艺进行。但应注意以下几点： (以使用KH一502粘贴剂为例) (1) 粘片前粘片的工具要准备齐全。 (2) 首先在应变片如背面和清理好的试件表面上都涂上—层很薄的粘贴剂、然后将应变片按试验要求的方位贴于试件上。 (3) 贴上后，在片上盖上—层玻璃纸。一手提住引线，用另一只手的大拇指轻轻滚压(主要用垂直压力，不要有推力)。把多余的胶水与气泡挤出。 (4) 贴片完毕后，应变片应该整齐、干净，位置准确，胶层均匀。 4、应变片的干燥处理：在贴片完成后，应根据所用粘贴剂的干燥固化条件，进行干燥处理。对KH一502粘贴剂。一般可在干燥的空气中自然干燥，也可用热烘干燥，如用红外线灯烤，电吹风吹等。 5、粘贴质量的检查：对应变片粘贴质量应检查如下项目： (1)应变片粘贴位置是否准确； (2)胶水是否均匀。有无气泡与漏贴部分，尽量给以补救。尤其注意将两端贴牢。 (3)用万用表检查应变片是否断路或短路。 (4)用高阻计或万用表欧姆高阻挡，(如MF—10型的10K档)检查应变片与试件间的绝缘电阻。对于一般的测量，绝缘电阻≥50～100兆欧即可。 6、导线的连接与固定：对经过检查合格的应变片，即可焊接导线并使之固定。导线是应变片与测量仪器连接的桥梁，起着传输应变信号的作用。因此，应选择合适的导线。一般为了保护应变片，往往应在应变片与导线之间设有接线

检测技术实验报告

《检测技术实验》实验报告实验名称：第一次实验（一、三、五）院（系）：自动化专业：自动化姓名：XXXXXX学号： XXXXXXXX 实验室：实验组别：同组人员：实验时间：年月日评定成绩：审阅教师：

实验一金属箔式应变片――单臂电桥性能实验一、实验目的：了解金属箔式应变片的应变效应，单臂电桥工作原理和性能。二、实验仪器：应变传感器实验模块、托盘、砝码、数显电压表、±15V、±4V电源、万用表、导线等。三、实验原理：电阻丝在外力作用下发生机械变形时，其电阻值发生变化，这就是电阻应变效应，描述电阻应变效应的关系式为：ΔR/R=Kε，式中ΔR/R为电阻丝电阻相对变化，K为应变灵敏系数，ε=Δl/l为电阻丝长度相对变化。金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺制成的应变敏感组件，如图1-1所示，四个金属箔应变片分别贴在弹性体的上下两侧，弹性体受到压力发生形变，上面的应变片随弹性体形变被拉伸，对应为模块面板上的R1、R3，下面的应变片随弹性体形变被压缩，对应为模块面板上的R2、R4。图2-1 应变式传感器安装示意图图2-2 应变传感器实验模板、接线示意图图2-3 单臂电桥工作原理

通过这些应变片转换被测部位受力状态变化、电桥的作用完成电阻到电压的比例变化，如图1-2所示R5、R6、R7为固定电阻，与应变片一起构成一个单臂电桥，其输出电压 E为电桥电源电压，式1-1表明单臂电桥输出为非线性，非线性误差为四、实验内容与步骤 1、图1-1应变传感器上的各应变片已分别接到应变传感器模块左上方的R1、R 2、R 3、 R4上，可用万用表测量判别，R1=R2=R3=R4=350Ω。 2、从主控台接入±15V电源，检查无误后，合上主控台电源开关，将差动放大器的输入端Ui短接，输出端Uo2接数显电压表（选择2V档），调节电位器Rw4，使电压表显示为0V。Rw4的位置确定后不能改动。关闭主控台电源。 3、将应变式传感器的其中一个应变电阻（如R1）接入电桥与R5、R6、R7构成一个单臂直流电桥，见图1-2，接好电桥调零电位器Rw1，直流电源±4V（从主控台接入），电桥输出接到差动放大器的输入端Ui，检查接线无误后，合上主控台电源开关，调节Rw1,使电压表显示为零。 4、在应变传感器托盘上放置一只砝码，调节Rw3，改变差动放大器的增益，使数显电压表显示2mV，读取数显表数值，保持Rw3不变，依次增加砝码和读取相应的数显表值，直到200g砝码加完，计下实验结果，填入下表1-1，关闭电源。五、实验数据处理：利用matlab拟合出的曲线如下：

逸出功的测定实验报告

光电效应测普朗克常数在近代物理学中，光电效应在证实光的量子性方面有着重要的地位。1905 年爱因斯坦在普朗克量子假说的基础上圆满地解释了光电效应，约十年后密立根以精确的光电效应实验证实了爱因斯坦的光电效应方程，并测定了普朗克常数。而今光电效应已经广泛地应用于各科技领域，利用光电效应制成的光电器件（如：光电管、光电池、光电倍增管等）已成为生产和科研中不可缺少的器件。【实验目的】 1. 测定光电效应的基本特性曲线，加深对光的量子性的理解； 2. 学习验证爱因斯坦光电方程的实验方法，并测定普朗克常数。【实验仪器】 ZKY—GD1光电效应测试仪、汞灯及电源、滤色片（五个）、光阑（两个）、光电管、测试仪（含光电管和微电流放大器）图1 实验仪器实物图【实验原理】 1.光电效应与爱因斯坦方程用合适频率的光照射在某些金属表面上时，会有电子从金属表面逸出，这种现象叫做光电效应，从金属表面逸出的电子叫光电子。为了解释光电效应现象，爱因斯坦提出了“光量子”的概念，认为对于频率为的光波，每个光子的能量为

式中，为普朗克常数，它的公认值是=6.626。按照爱因斯坦的理论，光电效应的实质是当光子和电子相碰撞时，光子把全部能量传递给电子，电子所获得的能量，一部分用来克服金属表面对它的约束，其余的能量则成为该光电子逸出金属表面后的动能。爱因斯坦提出了著名的光电方程：（1）式中，为入射光的频率，为电子的质量，为光电子逸出金属表面的初速度，为被光线照射的金属材料的逸出功，为从金属逸出的光电子的最大初动能。由（1）式可见，入射到金属表面的光频率越高，逸出的电子动能必然也越大，所以即使阴极不加电压也会有光电子落入阳极而形成光电流，甚至阳极电位比阴极电位低时也会有光电子落到阳极，直至阳极电位低于某一数值时，所有光电子都不能到达阳极，光电流才为零。这个相对于阴极为负值的阳极电位被称为光电效应的截止电压。显然，有（2）代入（1）式，即有（3）由上式可知，若光电子能量，则不能产生光电子。产生光电效应的最低频率是，通常称为光电效应的截止频率。不同材料有不同的逸出功，因

光电探测技术实验报告

光电探测技术实验报告班级：08050341X 学号：28 姓名：宫鑫

实验一光敏电阻特性实验实验原理: 光敏电阻又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示。由于半导体在光照的作用下,电导率的变化只限于表面薄层,因此将掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘体表面就制成了光敏电阻，不同材料制成的光敏电阻具有不同的光谱特性。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。实验所需部件: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻（选配单元）、电压表、各种光源、遮光罩、激光器、光照度计（由用户选配）实验步骤: 1、测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩盖,用万用表测得的电阻值为暗电阻 R暗,移开遮光罩，在环境光照下测得的光敏电阻的阻值为亮电阻，暗电阻与亮电阻之差为光电阻，光电阻越大，则灵敏度越高。在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻，试作性能比较分析。 2、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流按照图(3)接线，电源可从+2~+8V间选用，分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮则暗电流L暗=V暗/R L,亮电流L亮=V亮/R L，亮电流与暗电流之差称为光电流，光电流越大则灵敏度越高。分别测出两种光敏电阻的亮电流，并做性能比较。图（2）几种光敏电阻的光谱特性 3、伏安特性: 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系。按照图(3)分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V、12V时的光电流，并尝试高照射光源的光强，测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表格并作出V/I曲线。注意事项: 实验时请注意不要超过光电阻的最大耗散功率P MAX, P MAX=LV。光源照射时灯胆及灯杯温度均很高，请勿用手触摸，以免烫伤。实验时各种不同波长的光源的获取也可以采用在仪器上的光源灯泡前加装各色滤色片的办法，同时也须考虑到环境光照的影响。

自动检测技术的实验报告

自动检测技术实验报告实验一金属箔式应变片性能实验 ——单臂、半桥、全桥电路性能比较一、实验目的： 1．观察了解箔式应变片的结构及粘贴方式。 2．测试应变梁形变的应变输出。 3．比较各种桥路的性能（灵敏度）。二、实验原理：应变片是最常用的测力传感元件，当用应变片测试时，应变片要牢固地粘贴在测试体表面，当测件受力发生形变, 应变片的敏感栅随同变形，其电阻值也随之发生相应的变化。通过测量电路，转换成电信号输出显示。电桥电路是最常见的非电量电测电路中的一种，当电桥平衡时，桥路对臂电阻乘积相等，电桥输出为零，在桥臂四个电阻R 1、R 2、R 3、R 4中，电阻的相对变化率分别为44332211 R R R R R R R R ????、、、，当使用一个应变片时， ∑? = R R ；当二个应变片组成差动状态工作，则有 ∑?= R R R 2；用四个应变片组成二个差动对工作，且 ∑?= ====R R R R R R R R 4,4321。根据戴维南定理可以得出测试电桥的输出电压近似等于1/4 ? E ?ΣR ，电桥灵敏度R R V K u //?=，于是对应于单臂、半桥、全桥的电压灵敏度分别为1/4E 、1/2E 和E 。由此可知，当E 和电阻相对变化一定时，电桥及电压灵敏度与各桥臂阻值的大小无关，单臂、半桥、全桥电路的灵敏度依次增大。

U-X关系曲线图三、实验所需部件：直流稳压电源（V 4 档）、电桥、差动放大器、金属箔式应变片、测微头、电压表。四、实验接线图：图（1）五、实验步骤： 1、调零。开启仪器电源，差动放大器增益置100倍（顺时针方向旋到底），“+，-”输入端用实验线对地短路。输出端接数字电压表，用“调零”电位器调整差动放大器输出电压为零，然后拔掉实验线。调零后电位器位置不要变化。如需使用毫伏表，则将毫伏表输入端对地短路，调整“调零”电位器，使指针居“零”位。拔掉短路线，指针有偏转是有源指针式电压表输入端悬空时的正常情况。调零后关闭仪器电源。 2、按图（1）将实验部件用实验线连接成测试桥路，单臂桥路中R 2、R 3、R 4和W D 为电桥中的固定电阻和直流调平衡电位器，R 1为应变片（可任选上、下梁中的一片工作片）。直流激励电源为±4V ；半桥桥路中R 1和R 2为箔式应变片，R 3、R 4仍为固定电阻；全桥桥路中R 1、R 2、R 3、R 4全部使用箔式应变片。在接半桥、全桥桥路时应特别注意其应变片的受力方向，一定要接成差动形式。 3、调节测微头，使悬臂梁处于基本水平状态。 4、确认接线无误后开启仪器电源，并预热数分钟。 5、调整电桥电位器W D ，使测试系统输出为零。 6、旋动测微头，带动悬臂梁分别作向上和向下的运动，以水平状态下输出电压为零，向上和向下移动各5mm ，测微头每移动0.5mm 记录一个差动放大器输出电压值，并列表。根据表中所测数据计算灵敏度S ，S = △V ／△X ，并在一个坐标图上做出V-X 关系曲线。比较三种桥路的灵敏度，并作出定性的结论。六、实验数据分析：实验所得数据如下表所示：位移mm 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 电压V （单臂） -0.006 -0.011 -0.016 -0.030 -0.038 -0.043 -0.050 -0.060 -0.069 -0.076 电压V （半桥） -0.015 -0.030 -0.044 -0.060 -0.072 -0.090 -0.102 -0.118 -0.136 -0.152 电压V （全桥） -0.029 -0.063 -0.093 -0.118 -0.150 -0.182 -0.213 -0.247 -0.282 -0.310 位移mm -0.5 -1.0 -1.5 -2.0 -2.5 -3.0 -3.5 -4.0 -4.5 -5.0 电压V （单臂） 0.014 0.019 0.026 0.033 0.045 0.052 0.060 0.066 0.076 0.085 电压V （半臂） 0.019 0.034 0.050 0.065 0.080 0.102 0.120 0.138 0.155 0.175 电压V （全桥） 0.033 0.066 0.098 0.136 0.170 0.198 0.230 0.261 0.293 0.325 根据表中所测数据，在一个坐标图上做出V-X 关系曲线图，如下图： v W D +4V -4V R 3 R 2 R 1 R 4

化工产品分析检测技术实验报告_图文.

前言仪器分析是一种科学实验的手段,利用它可以获取所需要的信息,仪器分析实验的目的是通过实验教学,包括严格的基本操作训练,实验方案设计,实验数据处理,谱图解析,实验结果的表述及问题分析,掌握仪器的原理、结构、各主要部件的功能及操作技能,了解各种仪器分析技术在科学研究领域的应用,培养理论联系实际、利用掌握的知识解决问题的能力,培养良好的科学作风和独立从事科学实践能力。在这门课程的学习中,我们了解了原子吸收光谱法、紫外可见分光光度法、红外光谱法、气相色谱法、高效液相色谱法、离子色谱法等仪器分析的方法。其中,我们重点学习了离子色谱法和原子吸收光谱法,并进行了实验操作,下面介绍一下原子吸收光谱法和离子色谱法测浓度。二、原子吸收光谱法 1.原子吸收光谱法概述: 光谱仪器的产生原子吸收光谱作为一种实用的分析方法是从1955年开始的。这一年澳大利亚的瓦尔什(A.Walsh发表了他的著名论文“原子吸收光谱在化学分析中的应用”奠定了原子吸收光谱法的基础。50年代末和60年代初, Hilger, Varian Techtron及Perkin-Elmer公司先后推出了原子吸收光谱商品仪器,发展了瓦尔西的设计思想。到了60年代中期,原子吸收光谱开始进入迅速发展的时期。电热原子吸收光谱仪器的产生1959年,苏联里沃夫发表了电热原子化技术的第一篇论文。电热原子吸收光谱法的绝对灵敏度可达到10-10g,使原子吸收光谱法向前发展了一步。原子吸收分析仪器的发展随着原子吸收技术的发展,推动了原子吸收仪器的不断更新和发展,而其它科学技术进步,为原子吸收仪器的不断更新和发展提供了技术和物质基础。近年来,使用连续光源和中阶梯光栅,结合使用光导摄象管、二极管阵列多元素分析检测器,设计出了微机控制的原子吸收分光光度计,为解决多元素同时测定开辟了新的前景。微机控制的原子吸收光谱系统简化了仪器结构,提高了仪器的自动化程度,改善了测定准确度,使原子吸收光谱法的面貌发生了重大的变化。

光电检测实验报告(2)硅光电池

光电检测实验报告实验名称：硅光电池特性测试实验实验者：实验班级：实验时间：指导老师：宋老师

一：实验目的 1、学习掌握硅光电池的工作原理 2、学习掌握硅光电池的基本特性 3、掌握硅光电池基本特性测试方法 4、了解硅光电池的基本应用二、实验内容 1、硅光电池短路电路测试实验 2、硅光电池开路电压测试实验 3、硅光电池光电特性测试实验 4、硅光电池负载特性测试实验 5、硅光电池光谱特性测试实验三、实验仪器 1、硅光电池综合实验仪 1个 2、光通路组件 1只 3、光照度计 1台 4、2#迭插头对（红色，50cm） 10根 5、2#迭插头对（黑色，50cm） 10根 6、三相电源线 1根 7、实验指导书 1本 8、20M 示波器 1台

四、实验步骤 1、硅光电池短路电流特性测试：（1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。（2）“光照度调节”调到最小，连接好光照度计，直流电源调至最小，打开照度计，此时照度计的读数应为0。（3）“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”，将拨位开关S1拨上，S2，S3，S4，S5，S6，S7均拨下。（4）按图2-11所示的电路连接电路图（5）记录下此时的电流表读数I即为硅光电池短路电流。图2-11 硅光电池短路电流特性测试 2、硅光电池开路电压特性测试（1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元J4

与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。（2）“光照度调节”调到最小，连接好光照度计，直流电源调至最小，打开照度计，此时照度计的读数应为0。（3）“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”，将拨位开关S1拨上，S2，S3，S4，S5，S6，S7均拨下。（4）按图2-12所示的电路连接电路图（5）记录下此时电压表的读数u即为硅光电池开路电压。图2-12 硅光电池开路电压特性测试 3、硅光电池伏安特性测试（1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。（2）“光照度调节”调到最小，连接好光照度计，直流电源调至最小，打开照度计，此时照度计的读数应为0。（3）“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”，将拨位开关S1拨上，S2，S3，S4，S5，S6，S7均拨下。（4）电压表档位调节至2V档，电流表档位调至200uA档，将“光照度调节”旋钮逆时针调节至最小值位置。

RFID通讯技术实验报告

· RFID通讯技术试验专业: 物流工程班级: 物流1201 学生: 学号: 指导教师:

一.前言射频识别（RFID）是一种无线通信技术，可以通过无线电讯号识别特定目标并读写相关数据，而无需识别系统与特定目标之间建立机械或者光学接触。无线电的信号是通过调成无线电频率的电磁场，把数据从附着在物品上的标签上传送出去，以自动辨识与追踪该物品。某些标签在识别时从识别器发出的电磁场中就可以得到能量，并不需要电池；也有标签本身拥有电源，并可以主动发出无线电波（调成无线电频率的电磁场）。标签包含了电子存储的信息，数米之都可以识别。与条形码不同的是，射频标签不需要处在识别器视线之，也可以嵌入被追踪物体之。许多行业都运用了射频识别技术。将标签附着在一辆正在生产中的汽车，厂方便可以追踪此车在生产线上的进度。仓库可以追踪药品的所在。射频标签也可以附于牲畜与宠物上，方便对牲畜与宠物的积极识别（积极识别意思是防止数只牲畜使用同一个身份）。射频识别的身份识别卡可以使员工得以进入锁住的建筑部分，汽车上的射频应答器也可以用来征收收费路段与停车场的费用。某些射频标签附在衣物、个人财物上，甚至于植入人体之。由于这项技术可能会在未经本人许可的情况下读取个人信息，这项技术也会有侵犯个人隐私忧患。二．实验目的 1. 了解RFID相关知识，了解RFID模块读写IC卡数据的原理与方法（电子钱包试验）；

2. 模拟企业生产线上的物料跟踪情况，掌握RFID的应用（企业物流采集跟踪系统演示）。三．实验原理 1. 利用RFID模块完成自动识别、读取IC卡信息，实现RFID电子钱包的功能，给IC卡充值、扣款（电子钱包试验）； 2．利用4个RFID模块代替4个工位，并与软件系统绑定（添加，删除），由IC卡模拟物料的移动，并对物料在生产线上所经过的工位的记录进行查询，而且可以对物料的当前工位定位。四．实验设备《仓库状态数据检测开发系统》试验箱、IC卡、、锂电池、ZigBee通讯模块、RFID阅读器，ID卡、条码扫描器。五．实验过程 5.1电子钱包试验（1）先用电源线将试验箱连上电源，打开电源开关，然后打开Contex-A8电源开关，如图1所示。

现代检测技术实验报告

实验一金属箔式应变片单臂电桥性能实验一、实验目的了解金属箔式应变片的应变效应，掌握单臂电桥工作原理和性能。二、实验内容将应变式传感器的其中一个应变片接入电桥作为一个桥臂，构成直流电桥，利用应变式传感器实现重量的测量。三、实验所用仪表及设备应变式传感器实验模板、应变式传感器、砝码（每只约20g）、数显表、±15V电源数、±4V电源、数字万用表。四、实验步骤 1、根据图1-1，应变式传感器已装于应变传感器模板上。传感器中各应变片已接入模板左上方的R1、R 2、R 3、R4标志端。加热丝也接于模板上，可用万用表进行测量判别，R1=R2=R3=R4=350Ω，加热丝阻值约为50Ω左右。图1-1 应变片传感器安装示意图 2、实验模板差动放大器调零，方法为：（1）接入模板电源±15V，检查无误后，合上主控台电源开关，将实验模板增益调节电位器Rw3顺时针调节到大致中间位置；（2）将差放的正、负输入端与地短接，V o1输出端与数显电压表输入端Vi相连，调节实验模板上调零电位器RW4，使数显表显示为零(数显表的切换开关打到2V档)，完毕后关闭主控台电源。 3、参考图1-2接入传感器，将应变式传感器的其中一个应变片R1接入电桥作为一个桥臂，它与R5、R6、R7接成直流电桥(R5、R6、R7在模块内已连接好)，检查接线无误后，合上主控台电源开关，用数字万用表测量主控台到应变式传感器模块上的±5V、±15V电压值是否稳定？若电压波动值大于10mV，应反复拔插相应的电源连接线，直至电压稳定，不再波动为止，然后粗调节Rw1，再细调RW4使数显表显示为零。 4、在传感器托盘上放置1只砝码，读取数显表显示值，依次增加砝码并读取相应的数显表数值，记下实验结果填入表1-1。

光电探测实验报告

光电探测技术实验报告班级：10050341 学号：05 姓名：解娴

实验一光敏电阻特性实验一、实验目的 1.了解一些常见的光敏电阻的器件的类型； 2.了解光敏电阻的基本特性； 3.测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流，并作出V/A曲线。二、实验原理伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别。这种差别是当增加电压时，光敏电阻的光电流没有饱和现象，因此，它的灵敏度正比于外加电压。光敏电阻与外光电效应光电元件不同，具有非线性的光照特性。各种光敏电阻的非线性程度都是各不相同的。大多数场合证明，各种光敏电阻均存在着分析关系。这一关系为式中，K为比例系数；是永远小于1的分数。光电流的增长落后于光通量的增长，即当光通量增加时，光敏电阻的积分灵敏度下降。这样的光照特性，使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问题时不能利用光敏电阻。光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的。目前已有就像真空光电管—样，它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样。光敏电阻的积分灵敏度非常大，最近研究出的硒—鎘光敏电阻达到12A／lm，这比普通锑、铯真空光电管的灵敏度高120，000倍。

三、实验步骤 1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流按照图1接线，电源可从+2V～+8V间选用，分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮。则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL，亮电流与暗电流之差称为光电流，光电流越大则灵敏度越高。 2、伏安特性光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性。按照图1接线，分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V时的光电流，并尝试高照度光源的光强，测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表格并做出V/I曲线。图1光敏电阻的测量电路偏压2V4V6V8V10V12V 光电阻I 四、实验数据实验数据记录如下：光电流： E/V246810 U/V0.090.210.320.430.56 I/uA1427.54255.270.5 暗电流：0.5uA 实验数据处理：

光电检测实验报告

光电检测试验报告专业：应用物理学姓名：叶长军学号：10801030125 指导教师：王颖实验时间：2011.4 重庆理工大学光电信息学院

实验一光敏电阻特性实验实验原理: 利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器叫光敏电阻。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。内光电效应发生时，光敏电阻电导率的改变量为： p n p e n e σμμ?=???+??? ，e 为电荷电量，p ?为空穴浓度的改变量，n ?为电子浓度的改变量，μ表示迁移率。当两端加上电压U 后，光电流为：ph A I U d σ=??? 式中A 为与电流垂直的表面，d 为电极间的间距。在一定的光照度下，σ?为恒定的值，因而光电流和电压成线性关系。光敏电阻的伏安特性如图1-2所示，不同的光照度可以得到不同的伏安特性，表明电阻值随光照度发生变化。光照度不变的情况下，电压越高，光电流也越大，光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值。图1-2光敏电阻的伏安特性曲线图1-3 光敏电阻的光照特性曲线实验仪器: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻（选配单元）、电压表、各种光源、遮光罩、激光器、光照度计（做光照特性测试，由用户自备或选配）实验步骤: 1. 测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩盖,用万用表欧姆档测得的电阻值为暗电阻R 暗,移开遮光罩，在环境光照下测得的光敏电阻的阻值为亮电阻R 亮，暗电阻与亮电阻之差为光电阻，光电阻越大，则灵敏度越高。在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻，试作性能比较分析。 2. 光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流按照图1-5接线，分别在暗光及有光源照射下测出输出电压暗和U 亮，电流L 暗=U 暗/R,亮电流L 亮=U 亮/R ，亮电流与暗电流之差称为光电流，光电流越大则灵敏度越高。 3. 光敏电阻的伏安特性测试按照上图接线，电源可从直流稳压电源+2~+12V 间选用，每次在一定的光照条件下，测出当加在光敏电阻上电压为 +2V ；+4V ；+6V ；+8V ；+10V ；+12V 时电阻R 两端的电压U R ，

一般检查实验报告

竭诚为您提供优质文档/双击可除一般检查实验报告篇一：检测技术实验报告《检测技术实验》实验名称：院（系）：姓名：实验室：同组人员：评定成绩：实验报告第一次实验（一、三、五）自动化专业：自动化xxxxxx 学号：xxxxxxxx实验组别：实验时间：年月日审阅教师：实验一金属箔式应变片――单臂电桥性能实验一、实验目的：了解金属箔式应变片的应变效应，单臂电桥工作原理和性能。二、实验仪器：应变传感器实验模块、托盘、砝码、数显电压表、±15V、±4V电源、万用表、导线等。三、实验原理：电阻丝在外力作用下发生机械变形时，其电阻值发生变化，这就是电阻应变效应，描述电阻应变效应的关系式为：ΔR/R=Kε，

式中ΔR/R为电阻丝电阻相对变化，K为应变灵敏系数，ε=Δl/l为电阻丝长度相对变化。金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺制成的应变敏感组件，如图1-1所示，四个金属箔应变片分别贴在弹性体的上下两侧，弹性体受到压力发生形变，上面的应变片随弹性体形变被拉伸，对应为模块面板上的R1、R3，下面的应变片随弹性体形变被压缩，对应为模块面板上的R2、R4。图2-1应变式传感器安装示意图图2-2应变传感器实验模板、接线示意图图2-3单臂电桥工作原理通过这些应变片转换被测部位受力状态变化、电桥的作用完成电阻到电压的比例变化，如图1-2所示R5、R6、R7为固定电阻，与应变片一起构成一个单臂电桥，其输出电压e为电桥电源电压，式1-1表明单臂电桥输出为非线性，非线性误差为四、实验内容与步骤 1、图1-1应变传感器上的各应变片已分别接到应变传感器模块左上方的R1、R 2、R 3、 R4上，可用万用表测量判别，R1=R2=R3=R4=350Ω。 2、从主控台接入±15V电源，检查无误后，合上主控台电源开关，将差动放大器的输入端ui短接，输出端uo2接数显电压表（选择2V档），

软件测试实验报告心得

竭诚为您提供优质文档/双击可除软件测试实验报告心得篇一：软件测试实验报告软件测试实验报告万继王（20XX1081147）任课教师：贾春花班级：20XX级计科（1）班实验目的：计算机在生活中的普遍，计算机已经成为我们生活中不可缺少的部分，计算机已经被广泛的应用到各个领域，网络技术的飞速发展，互联网已经成为了人们发布与获取信息的重要途径之一，在我们的生活中已经离不开计算机，离不开网络，计算机给人们的生活带来方便的同时也需要开发相应的管理系统和软件，所以，这就需要我们进行软件测试，软件测试是使用人工或者自动手段来运行或测定某个系统的过程，检验它是否满足规定的需求或者弄清预期结果与实际结果之间的差别。软件测试作为保证软件质量、提高软件可靠性的重要手段，在软件开发中起着不可替代的作用。其关

键与核心是测试数据生成。软件测试的实质是根据软件开发各阶段的规格说明和程序的内部结构精心选取一批测试数据，形成测试用例，并用这些测试用例去驱动被测程序，观察程序的执行结果，验证所得结果与预期结果是否一致，然后做相应的调整。此次实验是为了检验我们是否掌握本学期所学的《软件质量保证与测试》这门课程的基础知识，并查找出被测试软件的不足或缺陷，及时做出相应的调整，也让我们掌握一定的黑盒测试和白盒测试的相应内容。还有就是在于总结测试阶段的测试以及分析测试结果，描述系统是否符合需求（或达到xxx功能目标)，同时，了解软件测试概念，了解软件测试的主要内容，了解手动测试自动测试，初步掌握测试软件并能够进行简单运用。了解软件测试在当前计算机行业中的相关地位,了解为了成为软件测试工程师所需要掌握的技能。实验内容：软件测试前景：随着软件产业的发展，软件产品的质量控制与质量管理正逐渐成为软件企业生存与发展的核心。软件测试是指：使用人工或者自动手段来运行或测试某个系统的过程,其目的在于检验它是否满足规定的需求或弄清预期结果与实际结果之间的差别。软件测试的内容：1.确定软件生存周期中的一个给定阶

传感器检测技术实验报告

《传感器与检测技术》实验报告姓名：学号：院系：仪器科学与工程学院专业：测控技术与仪器实验室：机械楼5楼同组人员：评定成绩：审阅教师：

传感器第一次实验实验一金属箔式应变片——单臂电桥性能实验一、实验目的了解金属箔式应变片的应变效应及单臂电桥工作原理和性能。二、基本原理电阻丝在外力作用下发生机械形变时，其电阻值发生变化，这就是电阻应变效应。金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺制成的应变敏感元件，通过它反映被测部位受力状态的变化。电桥的作用是完成电阻到电压的比例变化，电桥的输出电压反映了相应的受力状态。单臂电桥输出电压 1/4o U EK ε=，其中K 为应变灵敏系数，/L L ε=?为电阻丝长度相对变化。三、实验器材主机箱、应变传感器实验模板、托盘、砝码、万用表、导线等。四、实验步骤 1. 根据接线示意图安装接线。 2. 放大器输出调零。 3. 电桥调零。 4. 应变片单臂电桥实验。

由matlab 拟合结果得到，其相关系数为0.9998，拟合度很好，说明输出电压与应变计上的质量是线性关系，且实验结果比较准确。系统灵敏度S = ΔU ΔW =0.0535V/Kg (即直线斜率)，非线性误差= Δm yFS = 0.08 10.7 ×100%= 0.75% 五、思考题单臂电桥工作时，作为桥臂电阻的应变片应选用：（1）正（受拉）应变片；（2）负（受压）应变片；（3）正、负应变片均可以。答：（1）负（受压）应变片；因为应变片受压，所以应该选则（2）负（受压）应变片。实验三金属箔式应变片——全桥性能实验一、实验目的了解全桥测量电路的优点二、基本原理全桥测量电路中，将受力方向相同的两应变片接入电桥对边，相反的应变片接入电桥邻边。当应变片初始阻值R1=R2=R3=R4、其变化值1234R R R R ?=?=?=?时，其桥路输出电压 3o U EK ε=。其输出灵敏度比半桥又提高了一倍，非线性误差和温度误差都得到了改善。三、实验器材主机箱、应变传感器实验模板、托盘、砝码、万用表、导线等。四、实验步骤 1.根据接线示意图安装接线。 050 100150200 x y

光电探测实验报告

* * 光电探测技术实验报告

* * 班级：10050341 学号：05 姓名：解娴实验一光敏电阻特性实验一、实验目的 1.了解一些常见的光敏电阻的器件的类型； 2.了解光敏电阻的基本特性； 3.测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流，并作出V/A曲线。

二、实验原理伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别。这种差别是当增加电压时，光敏电阻的光电流没有饱和现象，因此，它的灵敏度正比于外加电压。光敏电阻与外光电效应光电元件不同，具有非线性的光照特性。各种光敏电阻的非线性程度都是各不相同的。大多数场合证明，各种光敏电阻均存在着分析关系。这一关系为 I kα =Φ Φ 式中，K为比例系数；是永远小于1的分数。光电流的增长落后于光通量的增长，即当光通量增加时，光敏电阻的积分灵敏度下降。这样的光照特性，使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问题时不能利用光敏电阻。光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的。目前已有就像真空光电管—样，它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样。光敏电阻的积分灵敏度非常大，最近研究出的硒—鎘光敏电阻达到12A／lm，这比普通锑、铯真空光电管的灵敏度高120，000倍。三、实验步骤 1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流按照图1接线，电源可从+2V～+8V间选用，分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮。则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL，亮电流与暗电流之差称为光电流，光电流越大则灵敏度越高。 2、伏安特性光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性。按照图1

光电实验报告.

长春理工大学光电信息综合实验一实验总结名：赵儒桐学号：S1******* 专业：信息与通信工程学院：电子信息工程2016年5月20号

实验一：光电基础知识实验 1、实验目的通过实验使学生对光源，光源分光原理，光的不同波长等基本概念有具体认识。 2、实验原理本实验我们分别用了普通光源和激光光源两种。普通光源光谱为连续光谱，激光光源是半导体激光器。在实验中我们利用分光三棱镜可以得到红橙黄绿青蓝紫等多种波长的光辐射。激光光源发射出来的是波长为630 纳米的红色光。 3、实验分析为了找到光谱需要调节棱镜，不同的面对准光源找出光谱，棱镜的不同面对准光源产生的光谱清晰度不同，想要清晰的光谱就需要通过调节棱镜获得。实验二：光敏电阻实验 1、实验目的了解光敏电阻的光照特性，光谱特性和伏安特性等基本特性。 2、实验原理在光线的作用下，电子吸收光子的能量从键和状态过渡到自由状态，引起电导率的变化，这种现象称为光电导效应。光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照越强，器件自身的电阻越小。光敏电阻无极性，其工作特性与入射光光强，波长和外加电压有关。 3、实验结果

当光敏电阻的工作电压（Vcc ）为+5V 时，通过实验我们看出来改变光照度的值，光源的电流值是发生变化的。光照度增加电流值也是增加的。测得实验数据如表2-1 : 光敏电阻光照特性实验数据光照度（Lx ） 20 40 60 80 100 120 140 160 180 电流mA 0.37 0.52 0.68 0.78 0.88 1.00 1.07 1.18 1.24 表2-1光敏电阻光照特性实验数据得到的光敏电阻光照特性实验曲线: 光敏电阻伏安特性实验数据型号：G5528 电压（U ） 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 照度（Lx ） 50 电流（mA 0 0.05 0 .11 0. 17 0.2 4 0.29 0.35 0 1.42 0. 48 0.5 4 0.6 100 电流（mA 0 0.09 0 .19 0. 28 0.3 3 0.48 0.58 0 .67 0. 77 0.8 7 0.95 150 电流（mA 0.12 0 .24 0. 37 0.4 9 0.62 0.74 0.87 0. 98 1.1 2 1.19 通过实验我们看出光敏电阻的光电流值随外加电压的增大而增大，在光照强度增大的情况下流过光敏电阻的电流值也是增大的，得到数据如表2-2。光敏电阻光照特性实验曲线图2.1