三极管的Pspice模型参数

三极管的Pspice模型参数
三极管的Pspice模型参数

常用晶体三极管参数

常用晶体三极管参数 2008-05-12 11:12 常用晶体三极管参数 名称封装极性耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放 100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用 60V 0.8A 0.5W 25/200NS 2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用 60V 0.6A 0.4W 26/70NS 2N3055 12 NPN 功率放大 100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放 160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用 40V 0.2A 2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁 NPN 音频功放 100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放 60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开 180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放 650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放大 100V 0.1A 1W 3DG6B 6 NPN 通用 20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通用 25V 0.02A 0.1W 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用 30V 0.02A 0.1W 150MHZ MPSA42 21E NPN 电话视频 300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频 300V 0.5A 0.625W MPSA42

OrCAD 中文入门教程——附件(三极管的Pspice模型参数和PSpice特征函数)

附件A、三极管的Pspice模型参数.Model NPN(PNP、LPNP) [model parameters] 第 1 页共9页

第 2 页共9页

附件B、PSpice Goal Function 第 3 页共9页

附件C Modeling voltage-controlled and temperature-dependent resistors Analog Behavioral Modeling (ABM) can be used to model a nonlinear resistor through use of Ohm抯 law and tables and expressions which describe resistance. Here are some examples. Voltage-controlled resistor If a Resistance vs. Voltage curve is available, a look-up table can be used in the ABM expression. This table contains (Voltage, Resistance) pairs picked from points on the curve. The voltage input is nonlinearly mapped from the voltage values in the table to the resistance values. Linear interpolation is used between table values. Let抯 say that points picked from a Resistance vs. Voltage curve are: Voltage Resistance The ABM expression for this is shown in Figure 1. 第 4 页共9页

Multisim基础使用方法详解

M u l t i s i m基础使用方 法详解 集团标准化工作小组 #Q8QGGQT-GX8G08Q8-GNQGJ8-MHHGN#

第2章 Multisim9的基本分析方法 主要内容 ?直流工作点分析(DC Operating Point Analysis ) ?交流分析(AC Analysis) ?瞬态分析(Transient Analysis) ?傅立叶分析(Fourier Analysis) ?失真分析(Distortion Analysis) ?噪声分析(Noise Analysis) ?直流扫描分析(DC Sweep Analysis) ?参数扫描分析(Parameter Sweep Analysis) 直流工作点分析 直流工作点分析也称静态工作点分析,电路的直流分析是在电路中电容开路、电感短路时,计算电路的直流工作点,即在恒定激励条件下求电路的稳态值。 在电路工作时,无论是大信号还是小信号,都必须给半导体器件以正确的偏置,以便使其工作在所需的区域,这就是直流分析要解决的问题。了解电路的直流工作点,才能进一步分析电路在交流信号作用下电路能否正常工作。求解电路的直流工作点在电路分析过程中是至关重要的。 2.1.1构造电路

为了分析电路的交流信号是否能正常放大,必须了解电路的直流工作点设置得是否合理,所以首先应对电路得直流工作点进行分析。在Multisim9工作区构造一个单管放大电路,电路中电源电压、各电阻和电容取值如图所示。 注意:图中的1,2,3,4,5等编号可以从Options---sheet properties—circuit—show all 调试出来。 执行菜单命令(仿真)Simulate/(分析)Analyses,在列出的可操作分析类型中选择DC Operating Point,则出现直流工作点分析对话框,如图A所示。直流工作点分析对话框B。 1. Output 选项 Output用于选定需要分析的节点。 左边Variables in circuit 栏内列出电路中各节点电压变量和流过电源的电流变量。右边Selected variables for 栏用于存放需要分析的节点。 具体做法是先在左边Variables in circuit 栏内中选中需要分析的变量(可以通过鼠标拖拉进行全选),再单击Add按钮,相应变量则会出现在Selected variables for 栏中。如果Selected variables for 栏中的某个变量不需要分析,则先选中它,然后点击Remove按钮,该变量将会回到左边Variables in circuit 栏中。 Options 和Summary选项表示:分析的参数设置和Summary页中排列了该分析所设置的所有参数和选项。用户通过检查可以确认这些参数的设置。 2.1.3 检查测试结果 点击B图下部Simulate按钮,测试结果如图所示。测试结果给出电路各个节点的电压值。根据这些电压的大小,可以确定该电路的静态工作点是否合理。如果不合理,可以

三极管的基础知识及参数对照表

[知识学堂] 三极管的基础知识及参数对照表双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN结。正向偏置的EB结有空 穴从发射极注入基区,其中大部分空穴能够到达集电结的边界,并在反向偏置的CB结势垒电场的效果下到达集电区,形成集电极电流IC。在共发射极晶体管电路中,发射结在基极电路中正向偏置,其电压降很小。绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于VBE很小,所以基极电流约为IB=5V/50kΩ=0.1mA。 如果晶体管的共发射极电流放大系数β=IC/IB=100,集电极电流IC=β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic,有c/ib=β,实现了双极晶体管的电流放大效果。 常用中小功率三极管参数表: 型号材料与极性Pcm( W) Icm(mA ) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >100 3DG7C SI-NPN 0.5 100 >60 >100 3DG12C SI-NPN 0.7 300 40 >300 3DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >100 3DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >100 3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150 3DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150 C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150 C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40 C9013 SI-NPN 0.625 500 40 C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150 C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100 C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620 C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1G

pspice参数扫描分析与统计分析教程文件

实验四参数扫描分析和统计分析 实验目的: 1、学习一些特定参数分析的方法,使之能够在今后的场合适用; 2、学会做蒙托卡诺这种随机抽样、统计分析的分析方法; 3、学会观测输出文件中的数据以及如何用图形表示出相应数据。 实验步骤: 1、首先确定好研究对象,即下面的差分电路: 2、进行参数扫描分析: 1)首先在原图的基础上选定一个参数扫描分析的对象,如选定R1。要先加入参数符号,可从元器件图开符号库中调出名称为PAPAM的符号,如下图:

2)加入元件后,双击它则需要给它加入一个属性,点击new: 3)在上面Property中填入R1,然后,在R1中输入1K的阻值,然后,右击该值,选择Display,在出现的Display Properties中选择“Name And Value” 4)设定好之后,把图中R1的值改为{R1},则完成的图形如下:

5)现在设置仿真参数,在时域分析的同时做参数分析,参数设置如下: 一般设置: 参数设置:“Sweep variable”中选择“Global parameter”,注意parameter中的R1不用加{} 6)点击运行之后在probe中出现:

点击OK以后出现的图形如下:(图中out1、out2都加了电压针) Time 0s0.2us0.4us0.6us0.8us 1.0us V(OUT2)V(OUT1) 2.0V 4.0V 6.0V 8.0V 该波形是呈对称的波形,随着电阻从1K至10K的变化,电压变化的越来越平缓且电压平均在逐渐减小。 3、蒙托卡诺分析 1)在上图的基础上,首先把全局参数设置的删除,把R1改成Rbreak中电阻元件: 2)对刚替换的R1符号后要设置电阻的模型参数变化,则,首先选中该元件,再执行Capture中的Edit/PSpice Model子命令,则出现下图,并设置相应的DEV、LOT参数变化模式:

multisim元件模型参数解释

m u l t i s i m元件模型参 数解释 Company Document number:WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998

电阻模型参数 R 电阻倍率因子 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数 电容模型参数 C 电容倍率因子 VC1 线性电压系数 VC2 二次电压系数 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数 电感模型参数 L 电感倍率因子 IL1 线性电流系数 IL2 二次电流系数 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数 二极管模型参数 IS 饱和电流 RS 寄生串联电阻 N 发射系数 TT 渡越时间 CJO 零偏压PN结电容 VJ PN结自建电势 M PN结剃度因子 EG 禁带宽度 XT1 IS的温度指数 FC 正偏耗尽层电容系数 BV 反向击穿电压(漆点电压) IBV 反向击穿电流(漆点电流) KF 闪烁躁声系数 AF 闪烁躁声指数 双极晶体管(三极管)IS 反向饱和电流 BF 正向电流放大系数 NF 正向电流发射系数 VAF(VA)正向欧拉电压 IKF (IK)正向漆点电流 ISE(C2) B-E漏饱和电流 NE B-E漏饱和电流

BR 反向电流放大系数 NR 反向电流发射系数 VAR(VB)正想欧拉电压 IKR 反向漆点电流 ISS NS ISC C4 B-C 漏饱和电流 NC B-C漏发射系数 RB基极体电阻 IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流 RE 发射区串联电阻 RC 集电极电阻 CJE 零偏发射结PN结电容 VJE发射结电压 MJE ME 集电结剃度因子 TF 正向渡越时间 XTF TF随偏置变化的系数 VTF TF随VBC变化的电压参数 ITF 影响TF的大电流参数 PTF 在 F=1/(2派TF)Hz时超前相移 CJC 零偏衬底结PN结电容 VJC PC 集电结内建电势 MJC MC 集电结剃度因子 XCJC Cbe 接至内部Rb的内部 TR 反向渡越时间 CJS CCS 零偏衬底结PN结电容 VJS PS 衬底结构PN结电容 MJS MS 衬底结剃度因子 XCJS XTB BF和BR的温度系数 EG 禁带宽度 XTI(PT) IS的温度效应指数 KF I/F躁声系数 AF I/F躁声指数 FC 正偏势垒电容系数 RCO VO QCO 由于参数太多,占时先编写到双极晶体管,改天在继续编写

pspice信号源全参数大全

Pspice仿真——常用信号源及一些波形产生方法首先说说可以应用与时域扫描的信号源。在Orcad Capture的原理图中可以放下这些模型,然后双击模型,就可以打开模型进行参数设置。参数被设置了以后,不一定会在原理图上显示出来的。如果想显示出来,可以在某项参数上,点击鼠标右键,然后选择di splay,就可以选择让此项以哪种方式显示出来了。 1.Vsin 这个一个正弦波信号源。 相关参数有: VOFF:直流偏置电压。这个正弦波信号,是可以带直流分量的。 VAMPL:交流幅值。是正弦电压的峰值。 FREQ:正弦波的频率。 PHASE:正弦波的起始相位。 TD:延迟时间。从时间0开始,过了TD的时间后,才有正弦波发生。 DF:阻尼系数。数值越大,正弦波幅值随时间衰减的越厉害。 2.Vexp 指数波信号源。 相关参数有: V1:起始电压。 V2:峰值电压。 TC1:电压从V1向V2变化的时间常数。 TD1:从时间0点开始到TC1阶段的时间段。 TC2:电压从V2向V1变化的时间常数。 TD2:从时间0点开始到TC2阶段的时间段。 3.Vpwl 这是折线波信号源。 这个信号源的参数很多,T1~T8,V1~V8其实就是各个时间点的电压值。一种可以设置8个点的坐标,用直线把这些坐标连起来,就是这个波形的输出了。 4.Vpwl_enh 周期性折线波信号源。

它的参数是这样的: FIRST_NPAIRS:第一转折点坐标,格式为(时间,电压)。 SECOND_NPAIRS:第二转折点坐标。 THIRD_NPAIRS:第三转折点坐标。 REPEAT_VALUE:重复次数。 5.Vsffm 单频调频波信号源 参数如下: VOFF:直流偏置电压。 VAMPL:交流幅值。正弦电压峰值。 FC:载波信号频率 MOD:调制系数 FM:被调制信号频率。 函数关系:Vo=VOFF+VAMPL×sin×(2πFC×t+MOD×sin(2πFM×t)) 6.Vpulse 脉波信号源。 这大概是我最常用到的信号源了。用它可以实现很多种周期性的信号:方波、矩形波、三角波、锯齿波等。可以用来模拟和实现上电软启动、可以用来产生PWM驱动信号或功率信号等等。 参数如下: V1:起始电压 TD:从时间零开始到V1开始跳变到V2的延迟时间。 TR:从V1跳变到V2过程所需时间。 TF:从V2跳回到V1过程所需时间。 PW:脉冲宽度,就是电压为V2的阶段的时间长度。 PER:信号周期

[VIP专享]基于Multisim的三极管放大电路仿真分析

基于Multisim的三极管放大电路仿真分析 来源:大比特半导体器件网 引言 放大电路是构成各种功能模拟电路的基本电路,能实现对模拟信号最基本的处 理--放大,因此掌握基本的放大电路的分析对电子电路的学习起着至关重要的作 用。三极管放大电路是含有半导体器件三极管的放大电路,是构成各种实用放大 电路的基础电路,是《模拟电子技术》课程中的重点内容。 在课程学习中,一再向学生强调,放大电路放大的对象是动态信号,但放大电 路能进行放大的前提是必须设置合适的静态工作点,如果静态工作点不合适,输 出的波形将会出现失真,这样的“放大”就毫无意义。什么样的静态工作点是 合适的静态工作点;电路中的参数对静态工作点及动态输出会产生怎样的影响;正常放大的输出波形与失真的输出波形有什么区别;这些问题单靠课堂上的推理 及语言描述往往很难让学生有一个直观的认识。 在课堂教学中引入Multisim仿真技术,即时地以图形、数字或曲线的形式 来显示那些难以通过语言、文字表达令人理解的现象及复杂的变化过程,有助于 学生对电子电路中的各种现象形成直观的认识,加深学生对于电子电路本质的理 解,提高课堂教学的效果。实现在有限的课堂教学中,化简单抽象为具体形象, 化枯燥乏味为生动有趣,充分调动学生的学习兴趣和自主性。 1 Multisim 10 简介 Multisim 10 是美国国家仪器公司(NI公司)推出的功能强大的电子电路仿 真设计软件,其集电路设计和功能测试于一体,为设计者提供了一个功能强大、 仪器齐全的虚拟电子工作平台,设计者可以利用大量的虚拟电子元器件和仪器仪 表,进行模拟电路、数字电路、单片机和射频电子线路的仿真和调试。 Multisim 10 的主窗口如同一个实际的电子实验台。屏幕中央区域最大的窗 口就是电路工作区,电路工作窗口两边是设计工具栏和仪器仪表栏。设计工具栏 存放着各种电子元器件,仪器仪表栏存放着各种测试仪器仪表,可从中方便地选 择所需的各种电子元器件和测试仪器仪表在电路工作区连接成实验电路,并通过 “仿真”菜单选择相应的仿真项目得到需要的仿真数据。 2 三极管放大电路的仿真分析

PSpiceAA高级分析

PSpice A/A电路高级分析功能 孙海峰这里将以RC单管放大电路为实例,进行全面的PSpice A/A电路高级仿真分析。目的是,将五个高级分析工具的具体使用方法贯穿全过程的综合应用, 一、电路原理图设计及模拟仿真分析(PSpice A/D) 1、调用PSpice-AA元件模型库 OrCAD自带的PSpice A/用于高级电路分析的元件模型库,在安装目录的Tools/Capture/Library/pspice/advanls如下图所示。 可以将上述高级分析的模型库文件全部进行加载以便调用。 2、电路原理图绘制 电路原理图的绘制方法和Capture中类似,只是调用的模型库不同而已,在上述的模型中找到设计所需的元件,加以调用,进行连线等操作即可;此外,这里还需要多设置元件的高级仿真参数,例如容差、极限等。具体步骤如下:(1)添加电路设计元器件 (2)设置高级分析元器件参数 在特殊符号“SPECTAL”库中找到“VABIABLES”,然后将之添加到原理图中,这就是高级分析的参数变量表,其中可以设置各元件的高级分析参数,具体

设置如下图所示。

(3)电路原理图设计 原理图绘制完成后,模型标称值设置与标准PSpiceA/D模型相同,所有电路参数设置完,如下图所示。 3、电路的PSpice A/D模拟仿真 创建RC单管放大器电路的PSpice A/D仿真设置,对其进行交流分析,并检查结果,交流分析仿真参数设置如下图。

交流分析结果及电路输出波形如下图所示,从图中可以看出增益、带宽均为适宜,对标称值设计业已理想。 二、灵敏度(Sensitivity)分析 1、确定电路特性参数 为进行灵敏度分析将电路特性参数(带宽、增益)细化,在交流分析结果输出时,可在显示模拟分析结果的Probe窗口中,选择菜单Trace/Evaluate Measurement子命令,在出现的Evaluate Measurement对话框中,选择电路特性函数3DB的带宽,具体设置如下图。

multisim中有关元器件参数的中英文对照

电阻模型参数 R 电阻倍率因子 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数 电容模型参数 C 电容倍率因子 VC1 线性电压系数 VC2 二次电压系数 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数 电感模型参数 L 电感倍率因子 IL1 线性电流系数 IL2 二次电流系数 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数 二极管模型参数 IS 饱和电流 RS 寄生串联电阻 N 发射系数 TT 渡越时间 CJO 零偏压PN结电容 VJ PN结自建电势 M PN结剃度因子 EG 禁带宽度 XT1 IS的温度指数 FC 正偏耗尽层电容系数 BV 反向击穿电压(漆点电压)IBV 反向击穿电流(漆点电流)KF 闪烁躁声系数 AF 闪烁躁声指数 双极晶体管(三极管) IS 传输饱和电流 EG 禁带宽度 XTI(PT)IS的温度效应指数BF 正向电流放大系数 NF 正向电流发射系数 VAF(VA)正向欧拉电压 IKF (IK)正向漆点电流 ISE(C2)B-E漏饱和电流 NE B-E漏饱和电流 BR 反向电流放大系数 NR 反向电流发射系数 VAR(VB)正想欧拉电压

IKR 反向漆点电流 ISC C4 B-C 漏饱和电流 NC B-C漏发射系数 RB 零偏压基极电阻 IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻 RC 集电极电阻 CJE 零偏发射结PN结电容 VJE PE 发射结内建电势 MJE ME 集电结剃度因子 CJC 零偏衬底结PN结电容 VJC PC 集电结内建电势 MJC MC 集电结剃度因子 XCJC Cbe 接至内部Rb的内部 CJS CCS 零偏衬底结PN结电容 VJS PS 衬底结构PN结电容 MJS MS 衬底结剃度因子 FC 正偏势垒电容系数 TF 正向渡越时间 XTF TF随偏置变化的系数 VTF TF随VBC变化的电压参数 ITF 影响TF的大电流参数 PTF 在F=1/(2派TF)Hz时超前相移TR 反向渡越时间 XTB BF和BR的温度系数 KF I/F躁声系数 AF I/F躁声指数

部分常见三极管参数大全

部分常见三极管参数大全[1] 晶体管型号反压Vbe0电流IC m功率PCM放大系数特征频率管子类型2SA1012Y 60V 5A 25W * * PNP 2SC752G 40V 0.2A 0.2W * * NPN 2SA1013R 160V 1A 0.9W * * PNP 2SA933S 50V 0.1A 0.9W * * PNP BF324 30V 0.26A 0.25W * * PNP BD941F 120V 3A 19W * * NPN BC636 45V 1A 0.8W * * PNP 2SD1480 80V 4A 25W * * NPN 2SC3271 300V 0.1A 5W * * NPN 2SC2688 300V 0.2A 10W * * NPN 2SC1875 50V 0.15A 0.4W * * NPN 2SA1175H 50V 0.1A 0.3W * * PNP 2SD1138C 150V 2A 30W * * NPN 2SB882 60V - 1.7W * * PNP 2SC2377 20V 0.015A 0.2W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IR FP G42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型

PSpiceAD基本仿真讲解

PSpice A/D数模混合仿真 孙海峰Cadence的PSpice A/D可以对电路进行各种数模混合仿真,以验证电路的各个性能指标是否符合设计要求。PSpice A/D主要功能是将Capture CIS产生的电路或文本文件(*.cir)进行处理和仿真,同时附属波形观察程序Probe对仿真结果进行观察和分析。 PSpice A/D数模仿真技术主要包括以下几类仿真: 1、直流扫描分析(DC Sweep):电路的某一个参数在一定范围内变化时,电路直流输出特性的分析和计算。 2、交流扫描分析(AC Sweep):计算电路的交流小信号线性频率响应特性,包括幅频特性和相频特性,以及输入输出阻抗。 3、噪声分析(Noise):在设定频率上,计算电路指定输出端的等效输出噪声和指定输入端的等效输入噪声电平。 4、直流偏置点分析(Bias Point):当电路中电感短路,电容断路时,电路静态工作点的计算。进行交流小信号和瞬态分析之前,系统会自动计算直流偏置点,以确定瞬态分析的初始条件和交流小信号条件下的非线性器件的线性化模型参数。 5、时域/瞬态分析(Transient):在给定激励下,电路输出的瞬态时域响应的计算,其初始状态可由用户自定义,也可是直流偏置点。 6、蒙特卡洛分析(Monte-Carlo):根据实际情况确定元件参数分布规律,然后多次重复进行指定电路特性的分析,每次分析时的元件参数都采用随机抽样方式,完成多次分析后进行统计分析,就可以得到电路特性的分散变化规律。 7、最坏情况分析(Worst):电路中元件处于极限情况时,电路输入输出特性分析,是蒙特卡洛的极限情况。

8、参数扫描分析(Parametric Sweep )电路中指定元件参数暗规律变化时,电路特性的分析计算。 9、温度分析(Temperature ):在指定温度条件下,分析电路特性。 10灵敏度分析(Sensitivity ):计算电路中元件参数变化对电路性能的影响。 以上就是PSpice A/D 所能进行的电路数模混合仿真的内容,下面就介绍具体如何使用PSpice A/D 来对电路进行数模仿真。 运用PSpice 仿真的基本流程如下图: 一、绘制仿真原理图 调用软件自带的仿真模型库(Tools/Capture/Library/PSpice )中的元件,这里的元件模型都是具有电气特征的,可以直接进行PSpice A/D 仿真。原理图绘制方法和Capture 中一样,不再赘述,绘制以下RC 单通道放大器原理图如下: 绘制仿真原理图 仿真 观察分析仿真结果 调整电路 调整仿真参数 设置仿真参数

三极管参数表

|常用三极管参数表 下表是常用三极管的一些参数以及替换型号器件型号电压电流代换型号 3DG9011 50V 2N4124 CS9011 JE9011 9011 50V LM9011 SS9011 9012 40V LM9012 9012(HH) 40V SS9012 9012LT1 40V A1298 3DG9013 40V CS9013 JE9013 & 9013 40V LM9013 9013(HH) 40V SS9013 9013LT1 40V C3265 3DG9014 50V CS9014 JE9014 9014 50V LM9014 SS9014 9014LT1 50V C1623 9015 50V LM9015 SS9015 TEC9015 50V BC557 2N3906 TEC9015A 50V BC557 2N3906 TEC9015B 50V BC557 2N3906 [

TEC9015C 50V BC557 2N3906 3DG9016 30V JE9016 9016 30V SS9016 TEC9016 40V BF240 BF254 BF594 8050 40V SS8050 8050LT1 40V KA3265 ED8050 50V BC337 SDT85501 60V 10A 3DK104C SDT85502 80V 10A 3DK104C SDT85503 100V 10A 3DK104D ~ SDT85504 140V 10A 3DK104E SDT85505 170V 10A 3DK104F SDT85506 60V 10A 3DK104C SDT85507 80V 10A 3DK104C SDT85508 100V 10A 3DK104D SDT85509 140V 10A 3DK104E ED8550 50V BC337 8550 40V LM8550 SS8550 8550LT1 40V KA3265 2SA1015 50V BC177 BC204 BC212 BC213 BC251 BC257 BC307 BC512 BC557 CG1015 CG673 ¥

Pspice仿真类型及不同电源参数

PSpice A/D将直流工作点分析、直流扫描分析、交流扫描分析和瞬态TRAN分析作为4种基本分析类型,每一种电路的模拟分析只能包括上述4种基本分析类型中的一种,但可以同时包括参数分析、蒙特卡罗分析、及温度特性分析等其他类型的分析,现对4种基本分析类型简介如下。 1. 直流扫描分析(DC Sweep) 直流扫描分析的适用范围:当电路中某一参数(可定义为自变量)在一定范围内变化时,对应自变量的每一个取值,计算出电路中的各直流偏压值(可定义为输出变量),并可以应用Probe功能观察输出变量的特性曲线。 例对图1-1所示电路作直流扫描分析 图1-1 直流扫描分析实例 (1)绘图 应用OrCAD/Capture软件绘制好的电路图如图1-2所示。 图1-1 直流扫描分析实例 (2)确定分析类型及设置分析参数 a) Simulation Setting(分析类型及参数设置对话框)的进入 ·执行菜单命令PSpice/New Simulation Profile,或点击工具按钮,屏幕上弹出New Simulation (新的仿真项目设置对话框)。如图1-3所示。 图1-2 New Simulation对话框 ·在Name文本框中键入该仿真项目的名字,点击Create按钮,即可进入Simulation Settings (分析类型及参数设置对话框),如图1-4所示。 图1-3 Simulation Settings b)仿真分析类型分析参数的设置

图1-2所示直流分压电路的仿真类型及参数设置如下(见图1-4): ·Analysis type下拉菜单选中“DC Sweep”; ·Options下拉菜单选中“Primary Sweep”; ·Sweep variable项选中“V oltage source”,并在Name栏键入“V1”; ·Sweep type项选中“Linear”,并在Start栏键入“0”、End栏键入“10”及Increment栏键入“1”。 以上各项填完之后,按确定按钮,即可完成仿真分析类型及分析参数的设置。 另外,如果要修改电路的分析类型或分析参数,可执行菜单命令PSpice/Edit Simulation Profile,或点击工具按钮,在弹出的对话框中作相应修改。 (3)电路的模拟仿真 a)PSpice A/D视窗的启动 执行菜单命令PSpice/Run,或点击工具按钮,即可启动PSpice A/D视窗执行电路的仿真模拟,并且系统可自动调用Probe模块,对模拟结果进行后处理,屏幕显示如图1-5所示。 图1-4 Probe窗口界面 b)波形的显示 ·执行Probe窗口中的菜单命令Trace/Add Trace,或点击工具按钮,屏幕上弹出Add Trace 对话框,如图1-6所示。 图1-5 Add Trace对话框 ·在Add Trace对话框的左半部列表中移动光标,点选需要显示波形的变量名,则被选中的变量名依次出现在该对话框底部的Trace Expression栏。本例选中V(A)和V(B)两个变量(见图1-26)。选择完毕,按OK按钮,Probe窗口显示图1-22所示的直流分压电路中A、B两点的电压变化波形,如图1-7所示。 图1-6 Probe窗口的波形显示

Multisim仿真应用手册_92309562

电子电路仿真应用手册 2009年6月 前言 本手册基于Multisim V7仿真环境,从最基本的仿真电路图的建立开始,结合实际的例子,对模拟和数字电路中常用的测试方法进行介绍。这些应用示例包括:常用半导体器件特性曲线的测试、放大电路静态工作点和动态参数的测试、电压传输特性的测试、波形上升时间的测试、逻辑函数的转换与化简、逻辑分析仪的使用方法等。 更高版本的Multisim仿真环境与之类似。此外,本手册侧重于测试方法的介绍,仅对主要步骤进行说明,如碰到更细节的问题,可参阅《Multisim V7教学版使用说明书》或其它帮助文档。 目录 1 Multisim主界面简介 (2) 2仿真电路图的建立 (2) 3常用半导体器件特性曲线的测试方法 (3) 3.1 晶体三极管特性曲线的测试 (3) 3.1.1 IV分析仪测试方法 (3) 3.1.2 直流扫描分析方法 (3) 3.2 结型场效应管特性曲线的测试 (4) 3.2.1 IV分析仪测试方法 (4) 3.2.2 直流扫描分析方法 (4) 3.3 二极管、稳压管伏安特性曲线的测试 (5) 4放大电路静态工作点的测试方法 (5) 4.1 虚拟仪器测试方法 (5) 4.2 静态工作点分析方法 (5) 5放大电路动态参数的测试方法 (6) 5.1 电压放大倍数的测试 (6) 5.1.1瞬态分析测试方法 (6) 5.1.2虚拟仪器测试方法 (6) 5.2 输入电阻的测试 (6) 5.3 输出电阻的测试 (7) 5.4频率响应的测试 (7) 5.4.1交流分析方法 (7) 5.4.2 波特图仪测试方法 (7) 6电压传输特性的测试方法 (8) 7上升时间的测试方法 (9) 8逻辑函数的转换与化简 (10) 8.1 逻辑函数转换为真值表 (10) 8.2 真值表转换为逻辑函数 (10) 9逻辑分析仪的使用方法 (11)

常用三极管复习过程

一、概述 s9014,s9013,s9015,s9012,s9018系列的晶体小功率三极管,把显示文字平面朝自己,从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c,s8050,8550,C2078 也是和这个一样的。用下面这个引脚图(管脚图)表示: 三极管引脚图 1:e 2:b 3:c 二、三极管管脚判断 当前,国内各种晶体三极管有很多种,管脚的排列也不相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置(下面有用万用表测量三极管的三个极的方法),或查找晶体管使用手册,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。 非9014,9013系列三极管管脚识别方法: (a)判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外

两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测管子为PNP型三极管;如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN型管如9013,9014,9018。 (b)判定三极管集电极c和发射极e。(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小一些。在阻值小的一次测量中,黑表笔所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接管脚为发射极。 三、三极管好坏判断 在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,由于元件的安装密度大,拆卸比较麻烦,所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡,去测量被测管子各引脚的电压值,来推断其工作是否正常,进而判断三极管的好坏。 如是象9013 ,9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚,黑表笔接一个极,用红笔分别接其它两极,两个极都有5K阻值时,黑表笔所接就是B极。这时用黑红两表笔分别接其它两极,用舌尖同时添(其实也可以先用舌头添湿一下手指然后用手指去摸,反正都不卫生)黑表笔所接那个极和B极,表指示阻值小的那个黑表所接就是C极。(以上所说为用指针表所测,数字表为红笔数字万用表内部的正负级是和指正表相反的。) 四、主要参数 9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据 9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80 9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-90 9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-110 9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90 8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100

PSpice仿真教程3--旁路电容对低频特性的影响(交流扫描+参数扫描)

题目:旁路电容对共射极放大电路低频特性的影响 电路如图所示,BJT为NPN型硅管,型号为2N3904,放大倍数为50,电路其他元件参数如图所示。分析旁路电容Ce对共射极放大电路低频特性的影响。 步骤如下: 1、绘制原理图如上图所示。 2、修改三极管放大倍数Bf=50; 双击交流源v1设置其属性为:ACMAG=15mv,ACPHASE=0。 3、修改c3的大小,双击c3的大小,设置value={cval}。如图所示: 4、Get New Part Param,从元件库中找到符号Param。双击Param并设置其属性 Name1=cval, Value1=50uf。如图所示:

5、设置分析类型(根据题意,需设置交流扫描分析和参数扫描分析): ①交流扫描分析: 选择Analysis→set up→AC Sweep,参数设置如下: ②参数扫描分析: 选择Analysis→set up→Parametric,参数设置如下:

6、Analysis Simulate,调用Pspice A/D对电路进行仿真计算。 计算完毕后,弹出如下对话框,表明有三项模拟结果的波形资料,点击All三个波形全显示在probe下,或只点击其中一条,在probe下只显示其中一条曲线。 点击All。得到如下结果:

v(out)/v(in) 单击ok按钮,仿真结果如下:

波形显示了电压增益的幅值随频率变化的关系,即幅频特性。同时还反映了旁路电容对电压增益的影响。最左边的是ce为200uf时的幅频特性曲线,中间的那条是ce为50uf时的幅频特性曲线,最右边的那条是ce为0.1uf时的幅频特性曲线。 问题:从仿真结果中可以看出,旁路电容越大,下限截止频率f L(越低还是越高)? 下面测量c3=50uf时的放大电路的低频截止频率。 步骤如下: 1、取消参数扫描分析。 2、Analysis→Simulate,调用Pspice A/D对电路进行仿真计算。 3、在probe下,选择Trace→ Add(添加输出波形),,弹出Add Trace对话框,在Trace Expression 中编辑v(out)/v(in)

multisim元件模型参数解释

m u l t i s i m元件模型参数 解释 The latest revision on November 22, 2020

电阻模型参数 R 电阻倍率因子TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电容模型参数 C 电容倍率因子VC1 线性电压系数VC2 二次电压系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电感模型参数 L 电感倍率因子IL1 线性电流系数IL2 二次电流系数TC1 线性温度系数

TC2 二次温度系数 二极管模型参数 IS 饱和电流 RS 寄生串联电阻 N 发射系数 TT 渡越时间 CJO 零偏压PN结电容 VJ PN结自建电势 M PN结剃度因子 EG 禁带宽度 XT1 IS的温度指数 FC 正偏耗尽层电容系数 BV 反向击穿电压(漆点电压)IBV 反向击穿电流(漆点电流)KF 闪烁躁声系数 AF 闪烁躁声指数

双极晶体管(三极管) IS 反向饱和电流 BF 正向电流放大系数 NF 正向电流发射系数 VAF(VA)正向欧拉电压IKF (IK)正向漆点电流ISE(C2) B-E漏饱和电流NE B-E漏饱和电流BR 反向电流放大系数NR 反向电流发射系数VAR(VB)正想欧拉电压 IKR 反向漆点电流 ISS NS ISC C4 B-C 漏饱和电流 NC B-C漏发射系数 RB基极体电阻IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻RC 集电极电阻 CJE 零偏发射结PN结电容 VJE发射结电压MJE ME 集电结剃度因子 TF 正向渡越时间

XTF TF随偏置变化的系数VTF TF随VBC变化的电压参数ITF 影响TF的大电流参数PTF 在 F=1/(2派TF)Hz时超前相移CJC 零偏衬底结PN结电容VJC PC 集电结内建电势MJC MC 集电结剃度因子XCJC Cbe 接至内部Rb的内部 TR 反向渡越时间 CJS CCS 零偏衬底结PN结电容 VJS PS 衬底结构PN结电容 MJS MS 衬底结剃度因子 XCJS XTB BF和BR的温度系数 EG 禁带宽度 XTI(PT) IS的温度效应指数 KF I/F躁声系数AF I/F躁声指数 FC 正偏势垒电容系数 RCO VO QCO

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