4. EB-PVD process and thermal properties of hafnia-based thermal barrier coating

4. EB-PVD process and thermal properties of hafnia-based thermal barrier coating
4. EB-PVD process and thermal properties of hafnia-based thermal barrier coating

EB-PVD process and thermal properties of hafnia-based

thermal barrier coating

Kazuhide Matsumoto *,Yoshiyasu Itoh,Tsuneji Kameda

Metals and Ceramics Technology R&D Department,Power and Industrial Systems R&D Center Power Systems and Services Company,

Toshiba Corporation,Tsurumi,Yokohama,Japan

Received 8November 2002;revised 18December 2002;accepted 20January 2003

Abstract

Thermal barrier coatings (TBCs)are being developed for the key technology of gas turbine and diesel engine applications.In general,8mass%Y 2O 3–ZrO 2(8YSZ)coating materials are used as the top coating of TBCs.The development of hafnia-based TBC was started in order to realize the high reliability and durability in comparison with 8YSZ,and the 7.5mass%Y 2O 3–HfO 2(7.5YSH)was selected for coating material.By the investigation of electron-beam physical vapor deposition (EB-PVD)process using 7.5YSH ceramic ingot,7.5YSH top coating with about 200m m thickness could be formed.The microstructure of the 7.5YSH coated at coating temperature of 8508C showed columnars of laminated thin crystals.On the other hand,the structure of the 7.5YSH coated at coating temperature of 9508C showed solid columnars.From the result of sintering behavior obtained by heating test of 7.5YSH coating,it was recognized that the thermal durability of 7.5YSH coating was improved up to about 1008C in comparison with 8YSZ coating.This tendency was con?rmed by the experimental result of the thermal expansion characteristics of sintered 7.5YSH and 8YSZ.q 2003Elsevier Science Ltd.All rights reserved.

Keywords:Hafnia;Zirconia;Thermal barrier coating;Electron-beam physical vapor deposition;Sintering;Columnar structure

1.Introduction

The world-wide energy saving and reduction of global warming effect gas (CO 2)are required very strongly.In order to comply with the requirements,the effort to develop the high ef?ciency gas turbine has been made and therefore,the improvements of gas turbine blade material,cooling technology and thermal barrier coating (TBC)on the blades have been carried out continuously.

Generally,

TBC is a two layer’s system which incorpor-ates about 250m m thickness layer of ceramic top coating to the outer surface of the substrate about

150m m thickness underlying of metallic bond coating.The metallic bond coating performs two functions:(1)to provide oxidation resistance and (2)to adhere the ceramic to the super alloy substrate physically and chemically.In general,the bond coating materials are MCrAlYs (M:Ni and/or Co)and top coating materials are partially stabilized zirconia (PSZ).The thermal conductivity of PSZ coating is about 2W/mK and lower than that of supper alloys.

Ceramic top coatings are made by several methods,such as sputtering,plasma spraying,vapor deposition and electron beam-physical vapor deposition (EB-PVD).The plasma spraying is well-known process and used widely.The coating structure made by plasma spraying is the porous lamination of spraying powders.The EB-PVD process is an advanced method of ceramic deposition [1].In the EB-PVD process,the electron beam is directed onto the surface of ceramic ingot contained within a crucible.The ceramic ingot is heated,melted,and then vaporized.The substrates are positioned above the molten ingot in the crucible in order to receive the ceramic vapor.The coating structure made by EB-PVD process typically consists of individual,free-standing ceramic columnars,which are essentially separated from adjacent columnars,but are tightly bonded to the bond coating surface.This structure compensates the difference of thermal expansion between ceramic and substrate.In general,the 7–8mass%yittria partially stabilized zirconia (YSZ)top coating materials are used and show totally excellent properties.However,TBC has a tendency to spall under thermal cycling,corrosion and erosion from ambient conditions corresponding to the extremely high operating conditions in

1468-6996/03/$-see front matter q 2003Elsevier Science Ltd.All rights reserved.doi:10.1016/S1468-6996(03)00009-3

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https://www.360docs.net/doc/6117744337.html,/locate/stam

*Corresponding author.Tel.:t81-45-510-6671;fax:t81-45-500-2542.E-mail address:kazuhide.matsumoto@toshiba.co.jp (K.Matsumoto).

the hot section of a gas turbine [2].It is well known that the sintering of YSZ coating occurs above the surface temperature about 12008C.

In order to improve the thermal durability in comparison with the YSZ coating,we have been investigated hafnia (HfO 2)as a coating material,which has high melting point of 29008C and low thermal conductivity of 1.5W/mK shown in Fig.1.Hafnia has a very similar crystalline structure and phase transformation behavior as zirconia (ZrO 2).Hafnia and hafnia-based ceramics were totally reviewed in comparison with zirconia by Wang [3]and the phase diagram for hafnia (HfO 2)–yttria (Y 2O 3)system was studied by Stubican [4].The mechanical properties of hafnia-based ceramics were investigated by many https://www.360docs.net/doc/6117744337.html,ly,Young’s modulus of 8mass%yttria partially stabilized hafnia were reported by Scheide [5].

In this work,we newly developed the hafnia-based TBC.The 7.5mass%Y 2O 3–HfO 2(7.5YSH)was selected for the coating material and the EB-PVD process was adopted,because this process was able to control the nano-level microstructures such as pores and crystalline size.The coating durability was discussed based on experimental observations of the sintering behavior of 7.5YSH coating and the thermal expansion property of 7.5YSH sintered ceramic in comparison with 8mass%Y 2O 3–ZrO 2(8YSZ).

2.Experimental procedures

2.1.Preparation of 7.5YSH ingot for EB-PVD

In the EB-PVD process,it is required that the ceramic

ingot for EB-PVD does not crack by the electron beam irradiation.The YSZ ingot for EB-PVD contains generally apparent porosity of 25–50%and realize the stable vaporization from molten pool of ingot without cracking by the electron beam irradiation.This property is also

needed for hafnia ingot.In this work,the 7.5mass%Y 2O 3–HfO 2(7.5YSH)was selected for hafnia-based coating material because of the crystal structure stabilization by adding Y 2O 3.In order to form 7.5YSH ingot applicable for EB-PVD,trial manufactures and investigations of ingot were repeated.The 7.5YSH ingot was sintered as to have appropriate porosity after mixing of hafnia and yttria powders and then,thermal shock characteristic of ingot was investigated by the electron beam irradiation.2.2.EB-PVD coating of 7.5YSH

The SUS304stainless steel was chosen for the substrate material for EB-PVD.The TBC system was two layers with MCrAlY bond coating and ceramic top coating.At ?rst,the oxidation characteristics of thermal sprayed MCrAlYs were investigated by heating test at 9008C in air and NiCoCrAlY was selected because of the excellent oxidation behavior as a bond coating.The composition of NiCoCrAlY spraying powder is 21.54mass%Co,16.91mass%Cr,12.4mass%Al,0.66mass%Y and balance Ni.

The NiCoCrAlY bond coating was formed on the substrate by low pressure plasma spraying at spraying distance of 400mm,powder supply of 60g/min,plasma current of 1500A,plasma voltage of 40V,Ar supply of 90l/min,He supply of 25l/min and pressure of 4.7kPa.After forming the NiCoCrAlY bond coating,the substrates were cut as size of 20£20£5mm 3.

The 7.5YSH top coating was formed on the bond-coated substrates by EB-PVD.The coating apparatus is shown in Fig.2.It had inner heaters enable to control the coating temperature.The target material of top coating was 7.5YSH ingot of 35mm in diameter and 30mm in length.The 7.5YSH ingot was evaporated by an electron beam irradiation in vacuum and the vapor was condensed onto bond-coated substrates.We investigated the top coating conditions of EB-PVD process about electron beam current,

Fig.1.Melting point and thermal conductivity of various sintered oxide ceramics,hafnia (HfO2)has higher melting point of 29008C and low thermal conductivity of about 1.5W/mK in comparison with 8mass%yttria stabilized zirconia.

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coating temperature,coating time and coating thickness.

The coating temperature of850and9508C were tested in

this experiment.In order to maintain the stoichiometric

oxygen composition of HfO2coating during the EB-PVD

process,some oxygen was bled into the chamber.

After forming the7.5YSZ top coating,the microstruc-

tures of7.5YSH coating surface were observed by FE-SEM.

2.3.Sintering behavior for EB-PVD coating of7.5YSH

In order to investigate the sintering behavior of7.5YSH

coating,high temperature heating tests and thermal expan-

sion measurement were carried out.The substrate material

for heating test was alumina ceramics with size of

20£20£5mm3.The7.5YSH coating was formed on

Fig.3.Vertical sectional microstructure of7.5YSH coating by EB-PVD consists of many columnar with a diameter of about4m m perpendicular to the substrate.

Fig.4.The surface observation of7.5YSH coating formed at8508C of coating temperature.The structure has columnar of laminated thin triangle crystals.

the alumina substrate by EB-PVD,the 8YSZ coating was

also formed for comparison.Heating test in the electric furnace was carried out for 100h in air at 1300and 14008C,After heating tests,coating surface micro-structure was observed using FE-SEM.

For the thermal expansion measurement,sintered 7.5YSH and sintered 8YSZ samples were prepared.The sample size was 5£5£20mm 3.The thermal expansion were measured by using differential expansion method at a heating rate of 58C/min from 100to 15008C and 60min holding at 15008C,and then at a cooling rate of 58C/min from 1500to 1008C.

3.Experimental results

The 7.5YSH ingot applicable for EB-PVD was developed.This ingot had the apparent porosity of about 50%and did not crack by electron beam irradiation.The EB-PVD coating was tried using 7.5YSH ingot for the ?rst time,and the coating fundamental conditions were cleared.The electron beam current ingot was from 400to 900mA to be able to melt and vaporize 7.5YSH ceramics.This electron beam current was the same for 8YSZ ceramics ingot.The 7.5YSH top coating with a thickness of about 200m m could be formed during 1.5–2h.Fig.3shows the vertical sectional microstructure of 7.5YSH.It was observed that the columnar with a diameter of about 4m m grown perpendicular to the substrate.

The coating temperature was the most important parameter for the coating microstructure.The EB-PVD coating had the columnar microstructure,however,the morphology change largely by the difference of coating temperature.Figs.4and 5show surface observation results of 7.5YSH coating formed at coating temperature of 850and 9508C.It was clearly recognized that the morphologies of the columnar were different.

The structure of the sample coated at 8508C was columnar of laminated thin triangle crystals.On the other

hand,the structure of the sample coated at 9508C was solid columnar structure.

In order to compare with 8YSZ,the surface microstruc-tures of 8YSZ samples coated at 640and 8508C are shown in Fig.6.This ?gure is quoted from the previous work [6].The microstructure of 8YSZ coated at 6408C was also columnar of laminated thin triangle crystals and that coated at 8508C was large columnar structure with a diameter of about 3m m.The crystal orientation of the 8YSZ layer at 6408C was k 111l and that of the 8YSZ layer at 8508C was k 200l and k 002l .The crystal orientation difference by the coating temperature was thought to be related to the difference of crystalline growth energy.

As the 7.5YSH microstructure showed the similar tendency compared with 8YSZ,the mechanism of crystal growth was considered as same as 8YSZ.However,the coating temperature with large columnar for the 7.5YSH was about 1008C higher than that of 8YSZ.

Fig.5.The surface observation of 7.5YSH coating formed at 9508C of coating temperature.The structure has columnar structure.

Fig.6.The surface observation of 8YSZ coated at 640and 8508C.The structure coated at 6408C has columnar of laminated thin triangle crystals,and that coated at 8508C has large columnar structure with a diameter of about 3m m.(a)8YSZ coating at 6408C;(b)8YSZ coating at 8508C.

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4.Discussion of sintering behavior

Fig.7shows surface observation of 8YSZ and 7.5YSH coatings before and after heating test.Before heating test,the

columnar edge showed sharp morphology for both samples.The columnars of 8YSZ coating became round and joined between neighboring columnars after 13008C heating test,that is,the sintering of 8YSZ coating was progressed at 13008C.After heating test at 14008C,recrystallization of 8YSZ coating was occurred.On the other hand,the columnar edge of 7.5YSH coating became slightly round,that is,the sintering of 7.5YSH coating was started at 13008C.After heating test at 14008C,the columnars of 7.5YSH coating joined between neighboring columnars and the sintering of 7.5YSH coating was progressed.

This tendency was corresponded with the result of the thermal expansion measurement.Fig.8shows the thermal expansion property of sintered 7.5YSH as a function of temperature in comparison with sintered 8YSZ and plasma sprayed 8YSZ.The thermal expansion of sintered 7.5YSH increased linearly up to 14008C and sintering shrinkage was started at 15008C.On the other hand,the thermal expansion of sintered 8YSZ increases up to 13008C and sintering shrinkage was started at 14008C.At 15008C,the thermal expansion of

Fig.7.The surface observation of 8YSZ and 7.5YSH coating before and after heating tests.The thermal resistance of 7.5YSH coating is improved up to about 1008C in comparison with 8YSZ coating.

Fig.8.The thermal expansion of sintered 7.5YSH increases linearly to 14008C and sintering shrinkage starts at 15008C,sintering shrinkage of sintered 8YSZ starts at 14008C and that of plasma sprayed 8YSZ starts at 12008C.

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sintered 8YSZ was decreased largely.For the plasma sprayed 8YSZ,the sintering shrinkage was started at 12008C.

From these results of short time heating tests and thermal expansion measurement,it is considered that thermal durability of 7.5YSH coating is improved up to about 1008C in comparison with 8YSZ coating.

This improvement increases applying temperature of TBC and it is anticipated that turbine inlet gas temperature raises furthermore.

Fig.9shows the thermal expansion coef?cient of sintered 7.5YSH as a function of temperature in comparison with that of the sintered 8YSZ.The thermal expansion coef?cient of sintered 7.5YSH was 6.7–9.2£10268C 21and that of 8YSZ was 7.7–9.6£10268C 21at the temperature range from 100to 14008C.Ohnysty and Rose showed that the average linear thermal expansion coef?cient of 10mass%Y 2O 3–HfO 2ceramics was 6.33£10268C 21and that of 15mass%Y 2O 3–HfO 2ceramics was 6.27£10268C 21at temperature range of 25–25008C [7].

Wang reviewed about thermal expansion coef?cient of HfO 2and ZrO 2,and explained that the average thermal expansion coef?cient of HfO 2ceramics was slightly lower than that of ZrO 2[3].In this experiment,the thermal expansion coef?cient of sintered 7.5YSH is also slightly lower than that of sintered 8YSZ between 100and 14008C.This property was undesirable from the thermal expansion coef?cient difference between the metal substrate and top coat.However,it was considered that the thermal stress was relaxed by segmented columnar structure.

5.Conclusions

We newly developed the hafnia-based TBC.7.5mass%Y 2O 3–HfO 2(7.5YSH)was selected for coating material,and the 7.5YSH ingot applicable for EB-PVD was

developed.This ingot had the low density about 50%and was not cracked by electron beam irradiation.According to the investigation of the EB-PVD process using developed 7.5YSH ingot,it was cleared that the appropriate electron beam current was from 400to 900mA for melting and vaporizing the ingot.The 7.5YSH coating with about 200m m thickness could be obtained for 1.5–2h.The microstructure of the 7.5YSH coated at coating temperature of 8508C was columnars of laminated thin triangle crystals.The microstructure of the 7.5YSH coated at coating temperature of 9508C was solid columnars.These similar coating microstructures observed for 8YSZ,but the coating temperature for forming the microstructure of solid columnars of 7.5YSH was about 1008C higher than that of 8YSZ.From the result of sintering behavior obtained by heating tests at 1300and 14008C,it was considered that the thermal durability for the 7.5YSH coating was improved up to about 1008C in comparison with the 8YSZ coating.

Acknowledgements

This work was performed as a part of the Nanostructure Coating Project carried out by the New Energy and Industrial Technology Development Organization.

References

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Fig.9.The thermal expansion coef?cient of sintered 7.5YSH is slightly lower than that of sintered 8YSZ between 100and 14008C.

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结构方程sem模型案例分析

结构方程SEM模型案例分析 什么是SEM模型? 结构方程模型(Structural equation modeling, SEM)是一种融合了因素分析和路径分析的多元统计技术。它的强势在于对多变量间交互关系的定量研究。在近三十年内,SEM大量的应用于社会科学及行为科学的领域里,并在近几年开始逐渐应用于市场研究中. 顾客满意度就是顾客认为产品或服务是否达到或超过他的预期的一种感受。结构方程模型(SEM)就是对顾客满意度的研究采用的模型方法之一。其目的在于探索事物间的因果关系,并将这种关系用因果模型、路径图等形式加以表述。如下图: 图: SEM模型的基本框架 在模型中包括两类变量:一类为观测变量,是可以通过访谈或其他方式调查得到的,用长方形表示;一类为结构变量,是无法直接观察的变量,又称为潜变量,用椭圆形表示。 各变量之间均存在一定的关系,这种关系是可以计算的。计算出来的值就叫参数,参数值的大小,意味着该指标对满意度的影响的大小,都是直接决定顾客购买与否的重要因素。如果能科学地测算出参数值,就可以找出影响顾客满意度的关键绩效因素,引导企业进行完善或者改进,达到快速提升顾客满意度的目的。 SEM的主要优势 第一,它可以立体、多层次的展现驱动力分析。这种多层次的因果关系更加符合真实的人类思维形式,而这是传统回归分析无法做到的。SEM根据不同属性的抽象程度将属性分成多层进行分析。 第二,SEM分析可以将无法直接测量的属性纳入分析,比方说消费者忠诚度。这样就可以将数据分析的范围加大,尤其适合一些比较抽象的归纳性的属性。 第三,SEM分析可以将各属性之间的因果关系量化,使它们能在同一个层面进行对比,同时也可以使用同一个模型对各细分市场或各竞争对手进行比较。

电子技术基础1.4(半导体器件)

场效应管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,它的输出电流决定于输入电压的大小,基本上不需要信号源提供电流,所以输入电阻高,且温度稳定性好。 绝缘栅型场效应管 MOS管增强型NMOS管耗尽型NMOS管增强型PMOS管耗尽型PMOS管 1.4 绝缘栅场效应管(IGFET)

1. G 栅极D 漏极 S 源极B 衬极 SiO 2 P 型硅衬底耗尽层 N + N + 栅极和其它电极之间是绝缘的,故称绝缘栅场效应管。 MOS Metal oxide semiconductor 1.4.1 N 沟道增强型绝缘栅场效应管(NMOS)电路符号 D G S

G D S B P N + N + 2. 工作原理 (1) U GS 对导电沟道的控制作用(U DS =0V) 当U GS ≥U GS(th)时,出现N 型导电沟道。 耗尽层 开启电压:U GS(th) U GS N 型沟道 U GS 值越大沟道电阻越小。

G D S B P N + N + (2) U DS 对导电沟道的影响(U GS >U GS(th)) U GS U DD R D U DS 值小,U GD >U GS(th),沟道倾斜不明显,沟道电阻近似不变,I D 随U DS 线性增加。 I D U GD =U GS -U DS 当U DS 值增加使得U GD =U GS(th),沟道出现预夹断。U DS =U GS -U GS(th) 随着U DS 增加,U GD

1 234 U GS V 2 4 6I D /mA 3. 特性曲线 输出特性曲线:I D =f (U DS ) U GS =常数 转移特性曲线:I D =f (U GS ) U DS =常数 U GS =5V 6V 4V 3V 2V U DS =10V 恒流区 U GS(th) U DS /V 5 10 151 234 I D /mA 可变电阻区 截止区 U GD =U GS(th) 2 GS D DO GS(th)1U I I U ?? =- ? ??? I DO 是U GS =2U GS(th)时的I D 值 I DO U GD >U GS(th) U GD

结构方程模型案例

结构方程模型(Structural Equation Modeling,SEM) 20世纪——主流统计方法技术:因素分析回归分析 20世纪70年代:结构方程模型时代正式来临 结构方程模型是一门基于统计分析技术的研究方法学,它主要用于解决社会科学研究中的多变量问题,用来处理复杂的多变量研究数据的探究与分析。在社会科学及经济、市场、管理等研究领域,有时需处理多个原因、多个结果的关系,或者会碰到不可直接观测的变量(即潜变量),这些都是传统的统计方法不能很好解决的问题。SEM能够对抽象的概念进行估计与检定,而且能够同时进行潜在变量的估计与复杂自变量/因变量预测模型的参数估计。 结构方程模型是一种非常通用的、主要的线形统计建模技术,广泛应用于心理学、经济学、社会学、行为科学等领域的研究。实际上,它是计量经济学、计量社会学与计量心理学等领域的统计分析方法的综合。多元回归、因子分析和通径分析等方法都只是结构方程模型中的一种特例。 结构方程模型是利用联立方程组求解,它没有很严格的假定限制条件,同时允许自变量和因变量存在测量误差。在许多科学领域的研究中,有些变量并不能直接测量。实际上,这些变量基本上是人们为了理解和研究某类目的而建立的假设概念,对于它们并不存在直接测量的操作方法。人们可以找到一些可观察的变量作为这些潜在变量的“标识”,然而这些潜在变量的观察标识总是包含了大量的测量误差。在统计分析中,即使是对那些可以测量的变量,也总是不断受到测量误差问题的侵扰。自变量测量误差的发生会导致常规回归模型参数估计产生偏差。虽然传统的因子分析允许对潜在变量设立多元标识,也可处理测量误差,但是,它不能分析因子之间的关系。只有结构方程模型即能够使研究人员在分析中处理测量误差,又可分析潜在变量之间的结构关系。 简单而言,与传统的回归分析不同,结构方程分析能同时处理多个因变量,并可比较及评价不同的理论模型。与传统的探索性因子分析不同,在结构方程模型中,我们可以提出一个特定的因子结构,并检验它是否吻合数据。通过结构方程多组分析,我们可以了解不同组别内各变量的关系是否保持不变,各因子的均值是否有显著差异。” 目前,已经有多种软件可以处理SEM,包括:LISREL,AMOS, EQS, Mplus. 结构方程模型包括测量方程(LV和MV之间关系的方程,外部关系)和结构方程(LV之间关系的方程,内部关系),以ACSI模型为例,具体形式如下:

半导体照明技术作业答案

某光源发出波长为460nm 的单色光,辐射功率为100W ,用Y 值表示其光通量,计算其色度坐标X 、Y 、Z 、x 、y 。 解:由教材表1-3查得460nm 单色光的三色视觉值分别为0.2908X =,0.0600Y =, 1.6692Z =,则对100W P =,有 4356831000.2908 1.98610lm 6831000.0600 4.09810lm 683100 1.6692 1.14010lm m m m X K PX Y K PY Z K PZ ==××=×==××=×==××=× 以及 )()0.144 0.030x X X Y Z y Y X Y Z =++==++=

1. GaP绿色LED的发光机理是什么,当氮掺杂浓度增加时,光谱有什么变化,为什么?GaP红色LED的发光机理是什么,发光峰值波长是多少? 答:GaP绿色LED的发光机理是在GaP间接跃迁型半导体中掺入等电子陷阱杂质N,代替P原子的N原子可以俘获电子,又靠该电子的电荷俘获空穴,形成束缚激子,激子复合发光。当氮掺杂浓度增加时,总光通量增加,主波长向长波移动,这是因为此时有大量的氮对形成新的等电子陷阱,氮对束缚激子发光峰增加,且向长波移动。 GaP红色LED的发光机理是在GaP晶体中掺入ZnO对等电子陷阱,其发光峰值波长为700nm的红光。 2. 液相外延生长的原理是什么?一般分为哪两种方法,这两种方法的区别在哪里? 答:液相外延生长过程的基础是在液体溶剂中溶质的溶解度随温度降低而减少,而且冷却与单晶相接触的初始饱和溶液时能够引起外延沉积,在衬底上生长一个薄的外延层。 液相外延生长一般分为降温法和温度梯度法两种。降温法的瞬态生长中,溶液与衬底组成的体系在均处于同一温度,并一同降温(在衬底与溶液接触时的时间和温度上,以及接触后是继续降温还是保持温度上,不同的技术有不同的处理)。而温度梯度法则是当体系达到稳定状态后,整个体系的温度再不改变,而是在溶液表面和溶液-衬底界面间建立稳定的温度梯度和浓度梯度。 3. 为何AlGaInP材料不能使用通常的气相外延和液相外延技术来制造? 答:在尝试用液相外延生长AlGaInP时,由于AlP和InP的热力学稳定性的不同,液相外延的组分控制十分困难。而当使用氢化物或氯化物气相外延时,会形成稳定的AlCl化合物,会在气相外延时阻碍含Al磷化物的成功生长。因此AlGaInP 材料不能使用通常的气相外延和液相外延技术来制造。

LED半导体照明的发展与应用

LED半导体照明的发展与应用 者按:半导体技术在上个世纪下半叶引发的一场微电子革命,催生了微电子工业和高科技IT产业,改变了整个世界的面貌。今天,化合物半导体技术的迅猛发展和不断突破,正孕育着一场新的革命——照明革命。新一代照明光源半导体LED,以传统光源所没有的优点引发了照明产业技术和应用的革命。半导体LED固态光源替代传统照明光源是大势所趋。1、LED半导体照明的机遇 (1)全球性的能源短缺和环境污染在经济高速发展的中国表现得尤为突出,节能和环保是中国实现社会经济可持续发展所急需解决的问题。作为能源消耗大户的照明领域,必须寻找可以替代传统光源的新一代节能环保的绿色光源。 (2)半导体LED是当今世界上最有可能替代传统光源的新一代光源。 其具有如下优点: ①高效低耗,节能环保; ②低压驱动,响应速度快安全性高; ③固体化封装,耐振动,体积小,便于装配组合; ④可见光区内颜色全系列化,色温、色纯、显色性、光指向性良好,便于照明应用组合; ⑤直流驱动,无频闪,用于照明有利于保护人眼视力; ⑥使用寿命长。 (3)现阶段LED的发光效率偏低和光通量成本偏高是制约其大规模进入照明领域的两大瓶颈。目前LED的应用领域主要集中在信号指示、智能显示、汽车灯具、景观照明和特殊照明领域等。但是,化合物半导体技术的迅猛发展和关键技术的即将突破,使今天成为大力发展半导体照明产业的最佳时机。2003年我国人均GDP首次突破1000美元大关,经济实力得到了进一步的增强,市场上已经初步具备了接受较高光通量成本(初始成本)光

源的能力。在未来的10~20年内,用半导体LED作为光源的固态照明灯,将逐渐取代传统的照明灯。 (4)各国政府予以高度重视,相继推出半导体照明计划,已形成世界性的半导体照明技术合围突破的态势。 ①美国:“下一代照明计划”时间是2000~2010年投资5亿美元。美国半导体照明发展蓝图如表1所示; ②日本:“21世纪的照明计划”,将耗费60亿日元推行半导体照明目标是在2006年用白光LED替代50%的传统照明; ③欧盟:“彩虹计划”已在2000年7月启动通过欧共体的资助推广应用白光LED照明; ④中国:2003年6月17日,由科技部牵头成立了跨部门、跨地区、跨行业的“国家半导体照明工程协调领导小组”。从协调领导小组成立之日到2005年年底之前,将是半导体照明工程项目的紧急启动期。从2006年的“十一五”开始,国家将把半导体照明工程作为一个重大项目进行推动; (5)我国 的半导体LED产业链经过多年的发展已相对完善,具备了一定的发展基础。同时,我国又是照明灯具产业的大国,只要政府和业界协调整合好,发展半导体LED照明产业是大有可为的; 2LED的发展历程(如图1所示) 2.1LED技术突破的历程

半导体照明技术及其应用

《半导体照明技术及其应用》课程教学大纲 (秋季) 一、课程名称:半导体照明技术及其应用Semiconductor Lighting Technology and Applications 二、课程编码: 三、学时与学分:32/2 四、先修课程: 微积分、大学物理、固体物理、半导体物理、微电子器件与IC设计 五、课程教学目标: 半导体照明是指用全固态发光器件LED作为光源的照明,具有高效、节能、环保、寿命长、易维护等显著特点,是近年来全球最具发展前景的高新技术领域之一,是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一场照明光源的革命。本课程注重理论的系统性﹑结构的科学性和内容的实用性,在重点讲解发光二极管的材料、机理及其制造技术后,详细介绍器件的光电参数测试方法,器件的可靠性分析、驱动和控制方法,以及各种半导体照明的应用技术,使学生学完本课程以后,能对半导体照明有深入而全面的理解。 六﹑适用学科专业:电子科学与技术 七、基本教学内容与学时安排: 绪论(1学时) 半导体照明简介、学习本课程的目的及要求 第一章光视觉颜色(2学时) 1光的本质 2光的产生和传播 3人眼的光谱灵敏度 4光度学及其测量 5作为光学系统的人眼 6视觉的特征与功能 7颜色的性质 8国际照明委员会色度学系统 9色度学及其测量 第二章光源(1学时) 1太阳 2月亮和行星 3人工光源的发明与发展 4白炽灯 5卤钨灯 6荧光灯 7低压钠灯

8高压放电灯 9无电极放电灯 10发光二极管 11照明的经济核算 第三章半导体发光材料晶体导论(2学时) 1晶体结构 2能带结构 3半导体晶体材料的电学性质 4半导体发光材料的条件 第四章半导体的激发与发光(1学时) 1PN结及其特性 2注入载流子的复合 3辐射与非辐射复合之间的竞争 4异质结构和量子阱 第五章半导体发光材料体系(2学时) 1砷化镓 2磷化镓 3磷砷化镓 4镓铝砷 5铝镓铟磷 6铟镓氮 第六章半导体照明光源的发展和特征参量(1学时)1发光二极管的发展 2发光二极管材料生长方法 3高亮度发光二极管芯片结构 4照明用LED的特征参数和要求 第七章磷砷化镓、磷化镓、镓铝砷材料生长(3学时)1磷砷化镓氢化物气相外延生长(HVPE) 2氢化物外延体系的热力学分析 3液相外延原理 4磷化镓的液相外延 5镓铝砷的液相外延 第八章铝镓铟磷发光二极管(2学时) 1AlGaInP金属有机物化学气相沉积通论 2外延材料的规模生产问题 3电流扩展 4电流阻挡结构 5光的取出 6芯片制造技术

结构方程模型案例汇总-共18页

结构方程模型( Structural Equation ,SEM) Modeling 20 世纪——主流统计方法技术:因素分析回归分析 20 世纪70 年代:结构方程模型时代正式来临结构方程模型是一门基于统计分析技术的研究方法学,它主要用于解决社会科学研究中的多变量问题,用来处理复杂的多变量研究数据的探究与分析。在社会科学及经济、市场、管理等研究领域,有时需处理多个原因、多个结果的关系,或者会碰到不可直接观测的变量(即潜变量),这些都是传统的统计方法不能很好解决的问题。SEM能够对抽象的概念进行估计与检定,而且能够同时进行潜在变量的估计与复杂自变量/ 因变量预测模型的参数估计。 结构方程模型是一种非常通用的、主要的线形统计建模技术,广泛应用于心理学、经济学、社会学、行为科学等领域的研究。实际上,它是计量经济学、计量社会学与计量心理学等领域的统计分析方法的综合。多元回归、因子分析和通径分析等方法都只是结构方程模型中的一种特例。 结构方程模型是利用联立方程组求解,它没有很严格的假定限制条件,同时允许自变量和因变量存在测量误差。在许多科学领域的研究中,有些变量并不能直接测量。实际上,这些变量基本上是人们为了理解和研究某类目的而建立的假设概念,对于它们并不存在直接测量的操作方法。人们可以找到一些可观察的变量作为这些潜在变量的“标识”,然而这些潜在变量的观察标识总是包含了大量的测量误差。在统计分析中,即使是对那些可以测量的变量,也总是不断受到测量误差问题的侵扰。自变量测量误差的发生会导致常规回归模型参数估计产生偏差。虽然传统的因子分析允许对潜在变量设立多元标识,也可处理测量误差,但是,它不能分析因子之间的关系。只有结构方程模型即能够使研究人员在分析中处理测量误差,又可分析潜在变量之间的结构关系。 简单而言,与传统的回归分析不同,结构方程分析能同时处理多个因变量,并可比较及评价不同的理论模型。与传统的探索性因子分析不同,在结构方程模型中,我们可以提出一个特定的因子结构,并检验它是否吻合数据。通过结构方程多组分析,我们可以了解不同组别内各变量的关系是否保持不变,各因子的均值是否有显著差异。” 目前,已经有多种软件可以处理SEM,包括:LISREL,AMOS, EQS, Mplus. 结构方程模型包括测量方程(LV和MV之间关系的方程,外部关系)和结构方程

模拟电子技术基础-第1章 常用半导体器件题解

第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 ( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R G S 大的特点。( ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零,则其输入电阻会明显变小。( ) 解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。 A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S -T U U I (3)稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 (5)U G S =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C

三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V, U O6≈-2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Z mi n=5mA。求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 图T1.4 解:U O1=6V,U O2=5V。

电子技术各章知识点

电子技术复习 CH14半导体器件 1.本征半导体、N型半导体、P半导体的基本概念;PN的单 向导电特性;温度和参杂浓度对多子和少子的影响。 2.二极管的基本参数(死区电压、导通电压)及相关应用, 学会判断二极管在电路中的工作状态(导通、截止)。掌握含二极管电路的分析方法。 3.了解稳压管的工作原理,基本稳压管稳压电路的分析。(两 稳压管串联、并联) 4.半导体三极管工作状态的特点(放大、饱和、截止)。 5.半导体三极管的管脚的判定 CH15基本放大电路 1.放大电路(共射)的分析方法(直流通路法、微变等效电 路法) 2.静态工作点稳定电路(分压式偏置电路)的结构、特点和分 析方法(静态、动态) 3.射极输出器的特点,电路分析。 4.差分放大电路的输入信号(共模、差模、比较),共模抑制 比的概念(理想共模抑制比=?) CH16集成运算放大器 1.运放的理想化条件 2.运放在线性区和非线性区的分析方法

3. 运放线性应用电路的分析(比例运算[同相(电压跟随器)、反相(反相器)]、反相加法运算、减法运算) CH17电子电路中的反馈 1. 反馈的基本概念 2. 负反馈类型的判断方法(会判断正、负反馈;电压、电流反馈;串联、并联反馈) 3. 负反馈对放大器性能的影响(影响类别?闭环放大倍数? AF A A f += 1) 4. 自激振荡起振的条件、振荡建立条件、稳振条件? 5. 典型RC 两种类型电路的电路分析。 CH18直流稳压电源 1. 直流稳压电源的组成及各部分的作用 u 1- + 2. 单相半波、全波(桥式整流)电路的构成和工作原理,二极管的选择依据(计算,见例题和作业题),桥式的输出波形受二极管的影响

半导体照明技术学习考试资料

1. GaP绿色LED的发光机理是什么,当氮掺杂浓度增加时,光谱有什么变化,为什么?GaP红色LED的发光机理是什么,发光峰值波长是多少?答:GaP绿色LED的发光机理是在GaP间接跃迁型半导体中掺入等电子陷阱杂质N,代替P原子的N原子可以俘获电子,又靠该电子的电荷俘获空穴,形成束缚激子,激子复合发光。当氮掺杂浓度增加时,总光通量增加,主波长向长波移动,这是因为此时有大量的氮对形成新的等电子陷阱,氮对束缚激子发光峰增加,且向长波移动。 GaP红色LED的发光机理是在GaP晶体中掺入ZnO对等电子陷阱,其发光峰值波长为700nm的红光。 2. 液相外延生长的原理是什么?一般分为哪两种方法,这两种方法 的区别在哪里? 答:液相外延生长过程的基础是在液体溶剂中溶质的溶解度随温度 降低而减少,而且冷却与单晶相接触的初始饱和溶液时能够引起外 延沉积,在衬底上生长一个薄的外延层。 液相外延生长一般分为降温法和温度梯度法两种。降温法的瞬态生 长中,溶液与衬底组成的体系在均处于同一温度,并一同降温(在 衬底与溶液接触时的时间和温度上,以及接触后是继续降温还是保 持温度上,不同的技术有不同的处理)。而温度梯度法则是当体系 达到稳定状态后,整个体系的温度再不改变,而是在溶液表面和溶 液-衬底界面间建立稳定的温度梯度和浓度梯度。 3. 为何AlGaInP材料不能使用通常的气相外延和液相外延技术来制造?答:在尝试用液相外延生长AlGaInP时,由于AlP和InP的热力学稳定性的不同,液相外延的组分控制很困难。而当使用氢化物或氯化物气相外延时,会形成稳定的AlCl化合物,会在气相外延时阻碍含Al磷化物的成功生长。故AlGaInP材料不能用通常的气相外延和液相外延技术来制造。 4. 对三基色体系的白光LED,列出基色光源的三个最佳峰值波长。对荧光转换的白光LED和多芯片的白光LED,这三基色用什么方法来实现?答:三基色体系的白光LED,基色光源的三个最佳峰值波长分别为450nm、540nm和610nm。对荧光转换的白光LED,是用部分被吸收的AlInGaN 芯片的蓝光和适当的绿光和橙红光两种荧光粉来实现。对多芯片白光LED,是用峰值波长600nm附近的AlGaInP基LED,以及峰值波长450nm 和540nm的AlInGaN LED组成。 5. 简要说明LED封装技术发展三个阶段的时间范围、典型LED及其驱动电流、器件应用领域。 答:LED封装技术发展的3个阶段分别为: (1)1962~1989年期间,典型的LED为?3和?5的LED,驱动电流一般小于等于20mA,主要用做信号指示和显示。 (2)1990~1999年,发展了大光通量LED食人鱼和Snap,驱动电流在50~150mA,主要用于大型信号指示,如汽车信号灯、景观照明。 (3)2000年至今,研发和生产了功率型LED,电流≥350mA,开始用于照明,并开始了更大光通量输出的组件的研制和生产。 6. 画出透明衬底的AlGaInP LED的结构示意图,简要说明其芯片制造流程。 答:结构示意图如下图所示。 此LED结构用的是MOCVD生长在GaAs上的双异质结(AlxGa1-x)0.5In0.5P,并在结构上方VPE生长一个小于50μm厚的GaP 窗层。在外延生长后,用通常的化学腐蚀技术移除GaAs吸收衬底,使双异质结结构的N型层暴露,再通过升高温度和加压,将晶片黏结到200~250μm厚的N型GaP衬底上。1. 画出典型的具有GaP窗层和吸收衬底的双异质结AlGaInP LED的结构示意图,简述为什么需要使用电流扩展窗层。 答:结构示意图如下图所示。 为了使LED芯片获得高效的发光,电流扩展是主要关键之一,如 上图的结构,器件的上方覆盖了圆形的金属顶,电流从芯片的顶部 接触通过P型层流下到达结区,在结区发光。但是假如P型层的电 阻太高,电流将扩展很少,而仅仅限在金属之下,光仅仅发生在电极 之下,而且被芯片内部吸收。有效的最好性能的AlGaInP LED是在 通常的双异质结顶部再生长一个厚的P型窗层,而不用AlGaInP材 料。这个电流扩展窗层与AlGaInP相比,具有高的薄层电导率,而 且对发射光是透明的,可以达到很好的电流扩展效果。 4.LED作为城市景观照明中的首选光源的优点:①色彩丰富纯度高、节能②响应时间短,瞬时达到全光输出,可深度调光③体积小、方向 性强④直流低压驱动,简化系统设计,降低电路成本⑤寿命长,工作 安全可靠,维护费用大大降低。景观常用LED灯具有护栏灯、树灯 5. LED的电学性能特点:LED是单向导电器件。LED是个具有PN结结构的半导体器件,具有势垒电势,所以就有导通阈值电压。LED的电流—电压特性是非线性的。LED的正向压降与PN结结温的温度系数为负。流过LED的电流和LED的光通量的比值也是非线性的。 6. 电源驱动方案:(1)低电压驱动。是指用低于LED正向导通压降的电压驱动LED,如一节普通干电池、镍镉电池供电的低功耗照明器件,LED 手电、头灯、应急灯、路障灯、节能台灯等,采用电荷泵式升压变换器(2)过渡电压驱动。是指给LED供电的电源电压值在LED正向压降附近变动。如一节锂电池或两节串联的铅酸蓄电池,电池充满时在4V以上,快用完时在3V以下,应用有矿灯等,是反极性电荷泵式变换器(3)高压驱动。是指给LED供电的电压值高于LED的正向压降,如6V.12V.24V蓄电池,应用有太阳能草坪灯、太阳能庭院灯等,变换器电路是串联开关降压电路。(4)市电驱动。是对半导体照明应用最具有价值的供电方式,中小功率LED采用隔离式单端反激变换器,大功率用桥式变换电路。 7.可靠性试验指:产品在规定的条件下、在规定的时间内完成规定的功能的能力。产品在设计、应用过程中,不断经受自身及外界气候环境及机械环境的影响,而仍需要能够正常工作,这就需要以试验设备对其进行验证,按试验目的可分为筛选试验、例行试验、鉴定验收试验;按照试验项目可分为环境试验和寿命试验。 8. (1)平均寿命:指一批电子器件产品寿命的平均值(2)可靠寿命:指一批电子器件产品的可靠度下降到时,所经历的工作时间(3)中位寿命:指产品的可靠度降为50%时的寿命(4)特征寿命:指产品的可靠度降为1/e时的寿命(5)LED的寿命:通常用“半衰期”即器件的光输出下降到起始值50%时的时间作为LED的寿命。 用B50和L70来表示功率LED的寿命。L70(B50)表示功率LED比起初始值来,平均流明值下降到维持70%(50%)的时间。 9. 画出器件失效率随时间变化的曲线,说明曲线的各个阶段及其失 效原因。 答:曲线如图分为三个阶段: 第一个阶段称为早期失效或 老化阶段,失效率较高,随工作时间的延长而迅速下降。造成早期 失效的原因大多属生产型缺陷,由产品本身存在的缺陷所致。 第二个阶段为有效寿命阶段,又称随机失效阶段,失效率很低且 很稳定,近似为常数,器件失效往往带有偶然性。 第三个阶段称耗损失效阶段,失效率明显上升,大部分器件相继出现 失效,耗损失效都由于老化、磨损和疲劳等原因使器件性能恶化所致。 10. 伏安特性指流过PN结的电流随电压变化的特性,应将正、反向均包括在内。(1)反向击穿电压Vb:表示器件反向耐压高低的参数,通常是指一定漏电流下器件两端的反向电压值(2)反向电流Ir:给定反向电压下流过器件的反向电流值(3)正向电压Vf:指定正向电流下器件两端的正向电压值。作用:标志着结的体电阻及欧姆接触串联电阻的高低,可在一定程度上反应电极制作的好坏 12. 热管是依靠自身内部工质液相和气体二相变化来实现传热的导热元件,它是由高纯度的无氧铜管及铜丝网或铜粉烧结物组成,内充液体为工作介质。当受热端将工作液相蒸发成气相,气流经过中空管道流到冷却端,冷却后将工作流体凝结成液相,冷凝液借助于铜丝网或铜粉烧结物的毛细组织吸回受热端,完成吸热-放热循环,可在一定温差下将热量传导出。具有重量轻、结构简单、热传输量大、耐用寿命长、导热能力强等优点。回路热管比单管热管效率更高且不受位置影响。

最新★结构方程模型要点资料

★结构方程模型要点 一、结构方程模型的模型构成 1、变量 观测变量:能够观测到的变量(路径图中以长方形表示) 潜在变量:难以直接观测到的抽象概念,由观测变量推估出来的变量(路径图中以椭圆形表示) 内生变量:模型总会受到任何一个其他变量影响的变量(因变量;路径图会受 外生变量:模型中不受任何其他变量影响但影响其他变量的变量(自变量;路 中介变量:当内生变量同时做因变量和自变量时,表示该变量不仅被其他变量影响,还可能对其他变量产生影响。 内生潜在变量:潜变量作为内生变量 内生观测变量:内生潜在变量的观测变量 外生潜在变量:潜变量作为外生变量 外生观测变量:外生潜在变量的观测变量 中介潜变量:潜变量作为中介变量 中介观测变量:中介潜在变量的观测变量 2、参数(“未知”和“估计”) 潜在变量自身:总体的平均数或方差 变量之间关系:因素载荷,路径系数,协方差 参数类型:自由参数、固定参数 自由参数:参数大小必须通过统计程序加以估计 固定参数:模型拟合过程中无须估计 (1)为潜在变量设定的测量尺度 ①将潜在变量下的各观测变量的残差项方差设置为1 ②将潜在变量下的各观测变量的因子负荷固定为1 (2)为提高模型识别度人为设定 限定参数:多样本间比较(半自由参数) 3、路径图 (1)含义:路径分析的最有用的一个工具,用图形形式表示变量之间的各种线性关系,包括直接的和间接的关系。 (2)常用记号: ①矩形框表示观测变量 ②圆或椭圆表示潜在变量 ③小的圆或椭圆,或无任何框,表示方程或测量的误差 单向箭头指向指标或观测变量,表示测量误差 单向箭头指向因子或潜在变量,表示内生变量未能被外生潜在变量解释的部分,是方程的误差 ④单向箭头连接的两个变量表示假定有因果关系,箭头由原因(外生)变量指向结果(内生)变量

半导体器件(附答案)

第一章、半导体器件(附答案) 一、选择题 1.PN 结加正向电压时,空间电荷区将 ________ A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.设二极管的端电压为 u ,则二极管的电流方程是 ________ A. B. C. 3.稳压管的稳压是其工作在 ________ A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿区 4.V U GS 0=时,能够工作在恒流区的场效应管有 ________ A. 结型场效应管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管 5.对PN 结增加反向电压时,参与导电的是 ________ A. 多数载流子 B. 少数载流子 C. 既有多数载流子又有少数载流子 6.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____ A. 增加 B. 减少 C. 不变 7.用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻,两次测量 结果 ______ A. 相同 B. 第一次测量植比第二次大 C. 第一次测量植比第二次小 8.面接触型二极管适用于 ____ A. 高频检波电路 B. 工频整流电路 | 9.下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是: ____ A. 2CZ11 B. 2CP10 C. 2CW11 10.当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。若其他参数不变,当温度上 升到40℃,则D U 的大小将 ____ A. 等于 B. 大于 C. 小于 11.当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来,可组成的稳压值有 _____ A. 两种 B. 三种 C. 四种 12.在图中,稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ,且工作在稳压状态,由此可知输 出电压O U 为 _____ A. 6V B. 7V C. 0V D. 1V

使用AMOS解释结构方程模型

AMOS输出解读 惠顿研究 惠顿数据文件在各种结构方程模型中被当作经典案例,包括AMOS 和LISREL。本文以惠顿的社会疏离感追踪研究为例详细解释AMOS的输出结果。AMOS同样能处理与时间有关的自相关回归。 惠顿研究涉及三个潜变量,每个潜变量由两个观测变量确定。67疏离感由67无力感(在1967年无力感量表上的得分)和67无价值感(在1967年无价值感量表上的得分)确定。71疏离感的处理方式相同,使用1971年对应的两个量表的得分。第三个潜变量,SES(社会经济地位)是由教育(上学年数)和SEI(邓肯的社会经济指数)确定。 解读步骤 1.导入数据。 AMOS在文件ex06-a.amw中提供惠顿数据文件。使用File/Open,选择这个文件。在图形模式中,文件显示如下。虽然这里是预定义模式,图形模式允许你给变量添加椭圆,方形,箭头等元素建立新模型

2.模型识别。 潜变量的方差和与它关联的回归系数取决于变量的测量单位,但刚开始谁知道呢。比如说要估计误差的回归系数同时也估计误差的方差,就好像说“我买了10块钱的黄瓜,然后你就推测有几根黄瓜,每根黄瓜多少钱”,这是不可能实现的,因为没有足够的信息。如何告诉你“我买了10块钱的黄瓜,有5根”,你便可以推出每根黄瓜2块钱。对潜变量,必须给它们指定一个数值,要么是与潜变量有关的回归系数,要么是它的方差。对误差项的处理也是一样。一旦做完这些处理,其它系数在模型中就可以被估计。在这里我们把与误差项关联的路径设为1,再从潜变量指向观测变量的路径中选一条把它设为1。这样就给每个潜变量设置了测量尺度,如果没有这个测量尺度,模型是不确定的。有了这些约束,模型就可以识别了。 注释:设置的数值可以是1,也可以是其它数,这些数对回归系数没有影响,但对误差有影响,在标准化的情况下,误差项的路径系数平方等于它的测量方差。 3.解释模型。 模型设置完毕后,在图形模式中点击工具栏中计算估计按钮 运行分析。点击浏览文本按钮。输出如下。蓝色字体用于注解,不是AMOS输出的一部分。 Title Example6,Model A:Exploratory analysis Stability of alienation, mediated by ses.Correlations,standard deviations and means from Wheaton et al.(1977). 以上是标题,全是英文,自己翻译去吧,没有什么价值,一堆垃圾。 Notes for Group(Group number1) The model is recursive. Sample size=932

AMOS结构方程模型修正经典案例

AMOS结构方程模型修正经典案例 第一节模型设定结构方程模型分析过程可以分为模型构建、模型运算、模型修正以及模型解 释四个步骤。下面以一个研究实例作为说明,使用 Amos7 软件1进行计算,阐述在实际应用中结构方程模型的构建、运算、修正与模型解释过程。 一、模型构建的思路 本案例在著名的美国顾客满意度指数模型(ASCI)的基础上,提出了一个新的模型,并以此构建潜变量并建立模型结构。根据构建的理论模型,通过设计问卷对某超市顾客购物服务满意度调查得到实际数据,然后利用对缺失值进行处理后的数据2进行分析,并对文中提出的模型进行拟合、修正和解释。 二、潜变量和可测变量的设定 本文在继承 ASCI 模型核心概念的基础上,对模型作了一些改进,在模型中 增加超市形象。它包括顾客对超市总体形象及与其他超市相比的知名度。它与顾客期望,感知价格和顾客满意有关,设计的模型见表7-1。 模型中共包含七个因素 (潜变量 ):超市形象、质量期望、质量感知、感知价值、顾客满意、顾客抱怨、顾客忠诚,其中前四个要素是前提变量,后三个因素 是结果变量,前提变量综合决定并影响着结果变量(Eugene W. Anderson & Claes Fornell,2000;殷荣伍, 2000)。 表 7-1设计的结构路径图和基本路径假设 设计的结构路径图基本路径假设 超市形象 顾客抱怨质量期望 感知价值 顾客满意 质量感知 顾客忠诚超市形象对质量期望有路径影响 质量期望对质量感知有路径影响 质量感知对感知价格有路径影响 质量期望对感知价格有路径影响 感知价格对顾客满意有路径影响 顾客满意对顾客忠诚有路径影响 超市形象对顾客满意有路径影响 超市形象对顾客忠诚有路径影响 2.1 、顾客满意模型中各因素的具体范畴 1本案例是在Amos7 中完成的。 2见 spss数据文件“处理后的数据 .sav”。

半导体照明技术的发展与趋势文献报告

电子技术查新训练文献综述报告 题目半导体照明技术的发展现状及趋势 学号 班级 学生 指导教师 2012 年

半导体照明技术的发展现状及趋势 摘要:随着半导体照明技术的进步,对于半导体照明技术有了更高的要求。本文主要介绍了半导体照明技术的定义概念背景发展以及趋势进行了详细的报告。使得更多的人对半导体照明技术有一个系统的认知。 关键词:半导体技术评价标准照明技术LED Semiconductor lighting technology development present situation and trends Abstract:Along with the progress of the semiconductor lighting technology, for semiconductor lighting technology have higher requirements. This paper mainly introduces the definition of semiconductor lighting technology background and development concept trend for the detailed report. Make more people to the semiconductor lighting technology is a cognitive system Key Words:Semiconductor technology evaluation standard LED lighting technology 1 引言 半导体照明亦称固态照明,是指用固态发光器件作为光源的照明,包括发光二极管(LED)和有机发光二极管(OLED),具有耗电量少、寿命长、色彩丰富、耐震动、可控性强等特点。 90年代以来,半导体照明技术不断突破,应用领域日益扩展。在指示、显示领域的技术基本成熟,并广泛应用;在医疗、农业等特殊领域的技术方兴未艾。近几年,半导体照明产业发展迅速,国外及我国台湾地区在不同领域具有较强优势。随着我国产业结构调整、发展方式转变进程的加快,半导体照明节能产业作为节能减排的重要措施迎来了新的发展机遇期。LED(LightingEmittingDiode)即发光二极管,是一种半导体固体发光器件。它是利用固体半导体芯片作为发光材料,在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射,直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的光。LED照明产品就是利用LED作为光源制造出来的照明器具。

结构方程模型估计案例

结构方程模型估计案例 Prepared on 22 November 2020

应用案例1 第一节模型设定 结构方程模型分析过程可以分为模型构建、模型运算、模型修正以及模型解释四个步骤。下面以一个研究实例作为说明,使用Amos7软件2进行计算,阐述在实际应用中结构方程模型的构建、运算、修正与模型解释过程。 一、模型构建的思路 本案例在着名的美国顾客满意度指数模型(ASCI)的基础上,提出了一个新的模型,并以此构建潜变量并建立模型结构。根据构建的理论模型,通过设计问卷对某超市顾客购物服务满意度调查得到实际数据,然后利用对缺失值进行处理后的数据3进行分析,并对文中提出的模型进行拟合、修正和解释。 二、潜变量和可测变量的设定 本文在继承ASCI模型核心概念的基础上,对模型作了一些改进,在模型中增加超市形象。它包括顾客对超市总体形象及与其他超市相比的知名度。它与顾客期望,感知价格和顾客满意有关,设计的模型见表7-1。 模型中共包含七个因素(潜变量):超市形象、质量期望、质量感知、感知价值、顾客满意、顾客抱怨、顾客忠诚,其中前四个要素是前提变量,后三个因素是结果变量,前提变量综合决定并影响着结果变量(Eugene W. Anderson & Claes Fornell,2000;殷荣伍,2000)。 表7-1 设计的结构路径图和基本路径假设 、顾客满意模型中各因素的具体范畴 参考前面模型的总体构建情况、国外研究理论和其他行业实证结论,以及小范围甄别调查的结果,模型中各要素需要观测的具体范畴,见表7-2。 表7-2 模型变量对应表 1关于该案例的操作也可结合书上第七章的相关内容来看。 2本案例是在Amos7中完成的。 3见spss数据文件“处理后的数据.sav”。

结构方程Amos操作Word案例

超市形象质量期望 质量感知感知价值顾客满意 顾客抱怨 顾客忠诚 应用案例1 第一节模型设定 结构方程模型分析过程可以分为模型构建、模型运算、模型修正以及模型解释四个步骤。下面以一个研究实例作为说明,使用Amos7软件2进行计算,阐述在实际应用中结构方程模型的构建、运算、修正与模型解释过程。 一、模型构建的思路 本案例在著名的美国顾客满意度指数模型(ASCI)的基础上,提出了一个新的模型,并以此构建潜变量并建立模型结构。根据构建的理论模型,通过设计问卷对某超市顾客购物服务满意度调查得到实际数据,然后利用对缺失值进行处理后的数据3进行分析,并对文中提出的模型进行拟合、修正和解释。 二、潜变量和可测变量的设定 本文在继承ASCI模型核心概念的基础上,对模型作了一些改进,在模型中增加超市形象。它包括顾客对超市总体形象及与其他超市相比的知名度。它与顾客期望,感知价格和顾客满意有关,设计的模型见表7-1。 模型中共包含七个因素(潜变量):超市形象、质量期望、质量感知、感知价值、顾客满意、顾客抱怨、顾客忠诚,其中前四个要素是前提变量,后三个因素是结果变量,前提变量综合决定并影响着结果变量(Eugene W. Anderson & Claes Fornell,2000;殷荣伍,2000)。 表7-1 设计的结构路径图和基本路径假设 设计的结构路径图基本路径假设 超市形象对质量期望有路径影响 质量期望对质量感知有路径影响 质量感知对感知价格有路径影响 质量期望对感知价格有路径影响 感知价格对顾客满意有路径影响 顾客满意对顾客忠诚有路径影响 超市形象对顾客满意有路径影响 超市形象对顾客忠诚有路径影响 2.1、顾客满意模型中各因素的具体范畴 参考前面模型的总体构建情况、国外研究理论和其他行业实证结论,以及小范围甄别调查的结果,模型中各要素需要观测的具体范畴,见表7-2。 1关于该案例的操作也可结合书上第七章的相关内容来看。 2本案例是在Amos7中完成的。 3见spss数据文件“处理后的数据.sav”。