振铃吸收电路用普通整流二极管比快恢复二极管好

振铃吸收电路用普通整流二极管比快恢复二极管好
振铃吸收电路用普通整流二极管比快恢复二极管好

实验证明振铃吸收电路用普通整流二极管比快恢复二极管好

作者:狐说笆道

实验工具和部分材料(两个不同厂家的18w LED驱动、18w LED灯板、ISDS205B示波器及其它辅助材料)如图

实验过程:

1、分别测量两个LED驱动的振铃吸收电路中电容上的电压波形

1号驱动的振铃吸收电路由RS1M快恢复二极管、1000v1000p瓷片电容和200k贴片电阻组成,下图是1号驱动的振铃吸收电路和示波器接入方法(示波器的地线接整流滤波后的正极,探头接吸收电路的中间;如果示波器的地线接电源负极,则测得的电压增加300多v,测量精度也下降不少)

测得电压波形如下

IC内的场管截断前,电容上的电压高于电源电压约99v,当场管截断时,振铃电压会将1000pF电容充电到约142v,也就是电容上的电压上升约43v,但该电压在波峰后的192ns时间内下降约33v到约109v,然后间歇期放电到约99v,迎接下一个振铃波峰的到来。电容上电压快速下降的原因肯定是快速放电,而快速放电只能通过快恢复二极管RS1M,也就是说,虽然是快恢复二极管,但也存在反应时间(查资料得RS1M的最大恢复时间为0.5μs),在本次测量中,是在192ns时间内,二极管PN结内的载流子尚未消失,所以可以反向导电,将波峰

时给电容充的电释放约3/4,因为此时的释放,初级是回路的一部分,此时初级回路加反向电流,其感应是增大了次级正向电流,所以这3/4是被电路回收利用了的,另外的1/4在间歇期释放,这部分是损耗。这个驱动电路的工作频率约63kHz,周期约16μs,振铃脉冲占不到1μs,也就是在约15μs的时间,1000pF 电容放电约9.5v,在平均电压约104v下,200k电阻可以将1000pF电容放电104v/200k*15μs/1000pF=7.8v,实测是下降约10v,相差的约2v可考虑为快恢复二极管的结电容影响以及测量误差。从这几个数值也可以求出振铃吸收电路中电阻消耗的功率,电阻上的平均电压为104v,消耗功率P=104*104/200000=0.054w,电容上另有约0.012w的功率通过PN结电容释放,这部分主要在开关管上损耗。

2号驱动的振铃吸收电路是普通整流二极管M7、1000v 1000p瓷片电容和150k贴片电阻组成,吸收电路电容上的电压波形如下

2号驱动的频率约48kHz,周期约21μs,可见由于周期更长,电阻更小,电容上的电压下降更多,约15v,同时,由于第一个振铃波峰过去后,振铃波谷时电容上电压下降较多,出现了较为明显的第二个振铃波峰。

2、拆除振铃吸收电路的电阻

以前见过有的电路上的振铃吸收电路只有二极管和电容,也见过某厂家在网上宣称他们的振铃吸收电路无损耗但没公开电路,怀疑是不是就是不用电阻,为了试试能不能完全依靠二极管恢复期间的反向电流来对电容进行放电,把电路中的电阻拆除测试,发现电容的电压被充得很高,几乎没有波动,而IC的输出

端振铃电压高达184v,波形如下

3、将振铃吸收电路的电阻增大

将1号驱动的200k电阻换成510k,测得振铃吸收电路电容上的电压波形如下,可见电容上的电压提高不少,振铃电压也提高约6v,振铃前后的电压差也减小约4v,可见振铃吸收电路的效果减小,损耗也减小

将2号驱动的150k电阻换成510k,振铃吸收电路电容上的电压波形如下。换电阻前,振铃脉冲最高电压约112v,但捕捉到的112v脉冲极少,捕捉到的高值以111v为主,换电阻后,振铃脉冲最高电压仍为112v,捕捉到的112v脉冲较多,也就是说,把150k电阻换成510k后,振铃电压提高大约1v,而振铃前的电压由约68v(最低67v)提高到了约76v,电压差由约15v下降到约6v。可见,适当增大电阻后,振铃波峰并没有明显上升,但损耗明显下降。第二个振铃波峰明显减小,但仍明显,应该可以将电阻再适当增大。

4、更换1号驱动振铃吸收电路的二极管

将1号驱动振铃吸收电路的快恢复二极管RS1M换成普通整流二极管1N4007(参数同M7),振铃峰值约140v,比原电路下降近2v,振铃前后的电压差约5v,比原来减少一半,也就是损耗下降约一半。在平均电压约99v下,510k 电阻可以将1000pF电容放电99v/510k*15μs/1000pF=2.9v,消耗功率为99v*99v/510kΩ=0.019w,实测是下降约5.2v,应该是二极管PN结电容放电的结果,损耗约0.015w。

实际设计中,电阻的选择应使振铃脉冲前后电容的电压尽量接近次级工作时开关管的漏极(或集电极)电压,若振铃前的电压较低,则应增大电阻以减小损耗,若电压较高,应减小电阻以降低电压,降低脉冲电压。

本次实验可以得到三个结论:1、振铃吸收电路是不能省略电阻的;2、普通整流二极管用于振铃吸收电路效果比快恢复二极管好;3、适当增大振铃吸收电路的电阻可以在不明显影响振铃吸收的前提下减小损耗。

快恢复二极管

快恢复二极管 快恢复二极管 快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN 结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。 通常,5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装,20A 以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装,5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。 采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管,有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴

1.性能特点 1)反向恢复时间 反向恢复时间tr的定义是:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流,IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流,通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压,因此正向电流迅速降低,在t=t1时刻,I=0。然后整流器件上流过反向电流IR,并且IR逐渐增大;在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM 值。此后受正向电压的作用,反向电流逐渐减小,并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。 2)快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。

整流二极管的作用及其整流电路

整流二极管的作用及其整流电路 整流二极管的作用及其整流电路 一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。 P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。 若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,。 整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。 二极管整流电路 一、半波整流电路 图5-1、是一种最简单的整流电路。它由电源变压器B 、整流二极管D 和负载电阻Rfz ,组成。变压器把市电电压(多为220伏)变换为所需要的交变电压e2,D 再把交流电变换为脉动直流电。 下面从图5-2的波形图上看着二极管是怎样整流的。

变压器砍级电压e2,是一个方向和大小都随时间变化的正弦波电压,它的波形如图5-2(a)所示。在0~K时间内,e2为正半周即变压器上端为正下端为负。此时二极管承受正向电压面导通,e2通过它加在负载电阻Rfz上,在π~2π时间内,e2为负半周,变压器次级下端为正,上端为负。这时D承受反向电压,不导通,Rfz,上无电压。在π~2π时间内,重复0~π时间的过程,而在3π~4π时间内,又重复π~2π时间的过程…这样反复下去,交流电的负半周就被"削"掉了,只有正半周通过Rfz,在Rfz上获得了一个单一右向(上正下负)的电压,如图5-2(b)所示,达到了整流的目的,但是,负载电压Usc。以及负载电流的大小还随时间而变化,因此,通常称它为脉动直流。 这种除去半周、留下半周的整流方法,叫半波整流。不难看出,半波整说是以"牺牲"一半交流为代价而换取整流效果的,电流利用率很低(计算表明,整流得出的半波电压在整个周期内的平均值,即负载上的直流电压 Usc =0.45e2 )因此常用在高电压、小电流的场合,而在一般无线电装置中很少采用。 二、全波整流电路(单向桥式整流电路) 如果把整流电路的结构作一些调整,可以得到一种能充分利用电能的全波整流电路。图5-3 是全波整流电路的电原理图。

超快恢复二极管SFR08S60T2

8A、600V 快速恢复二极管 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 材料 包装 SFR08S60T2 TO-220-2L SFR08S60T2 无铅料管SFR08S60F2 TO-220F-2L SFR08S60F2 无铅料管SFR08S60D TO-252-2L SFR08S60D 无铅料管SFR08S60DTR TO-252-2L SFR08S60D 无铅编带

极限参数 参数名称符号参数范围单位 反向重复峰值电压V RRM 700 V 正向平均整流电流I F(AV) 8.0 A 正向峰值浪涌电流@8.3ms I FSM 120 A 工作结温范围T J -50~+150 °C 贮存温度范围T stg -50~+150 °C 热阻特性 参数名称符号参数范围单位 芯片对管壳热阻R θJC 2.0 °C/W 电气特性参数 参数符号最小值典型值最大值单位 最大正向电压 I F=8.0Amps,T C=25°C V F-- 1.95 2.2 V 最大反向漏电流 在直流工作电压下,T C=25°C I R-- -- 10.0 μA 最大反向恢复时间 I F=0.5 Amp,I R=1.0Amp,I REC=0.25Amp t rr-- -- 35 ns

典型特性曲线

封装外形图 15.80±0.30 0.20

封装外形图(续) 声明: ?士兰保留说明书的更改权,恕不另行通知!客户在下单前应获取最新版本资料,并验证相关信息是否完整和最新。 ?任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能,买方有责任在使用Silan产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施,以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生! ?产品提升永无止境,我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品!

RS1G快速恢复二极管规格书

(RS1A~RS1M) SMA A Fast Recovery rectifiers Major Ratings and Characteristics I F(AV) 1.0 A V RRM50 V to 1000 V I FSM30 A t rr150nS, 250nS, 500nS V F 1.3 V T j max.150 °C Features ●Low profile package ●Ideal for automated placement ●Glass passivated chip junction ●Fast switching for high efficiency ●High forward surage capability ●High temperatrue soldering: 260℃/10 seconds at terminals ●Component in accordance to RoHS 2002/95/1 and WEEE 2002/96/EC Mechanical Date ●Case: JEDEC DO-214AC molded plastic over glass passivated chip ●Terminals: Solder plated, solderable per J-STD-002B and JESD22-B102D ●Polarity: Laser band denotes cathode end Maximum Ratings & Thermal Characteristics & Electrical Characteristics (TA = 25 °C unless otherwise noted) Symbol(RS1A)(RS1B)(RS1D)(RS1G)(RS1J)(RS1K)(RS1M)UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage V RRM501002004006008001000V Maximum RMS voltage V RMS3570140280420560700V Maximum DC blocking voltage V DC501002004006008001000V Maximum average forward rectified current I F(AV)1A Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load I FSM30A Maximum instantaneous forwad voltage at 1.0V F 1.3V Maximum DC reverse current T A = 25 ℃at Rated DC blocking voltage T A = 125℃I R 5.0μA 50μA Maximum reverse recovery time at I F = 0.5 A , I R = 1.0 A , I rr = 0.25 A t rr150250500nS Typical junction capacitance at 4.0 V ,1MHz C J118pF Thermal resistance from junction to ambient RθJA75℃/ W Operating junction and storage temperature range T J,T STG–55 to +150 ℃- 1 - https://www.360docs.net/doc/702232387.html,

整流管与快恢复二极管区别

整流电路由于频率很低,故只对耐压有要求,只要耐压能满足,肯定是可以代用的,且快恢复二极管也有用于整流的情况,就是在开关电源次级整流部份,由于频率较高,只能使用快恢复二极管整流,否则由于二极管损耗太大会造成电源整体效率降低,严重时会烧毁二极管。另外快恢复二极管的价格较整流二极管贵很多,耐压越高越贵,所以一般是不会拿快恢复二代管使用的。当然,如果你手头上只有快恢复二极管而没有一般整流管时,想怎么用就怎么用,只要耐压足够即可。 提问者评价 首先谢谢你的回答!!! 是的,没有刚好合适耐压的整流二极管。所有用快恢复代替的 肖特基二极管和快恢复二极管的区别 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒~! 前者的优点还有低功耗,大电流,超高速~!电气特性当然都是二极管阿~! 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管:反向耐压值较低40V-50V,通态压降0.3-0.6V,小于10nS 的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

《晶体二极管及二极管整流电路》试题

《晶体二极管及二极管整流电路》试题 一、判断题(每空2分,共36分) 1 1. N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。() 2. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。() 3. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。() 4. 二极管是线性器件。() 5. 二极管处于导通状态,呈现很大的电阻,在电路中相当于开关的断开特性。() 6. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。() 7. PN结的单向导电性,就是PN结正向偏置时截止,反向偏置时导通。() 8. 二极管两端加反向电压时,反向电流不随反向电压变化而变化,这时二极管的状态为截止。() 9. 二极管只要工作在反向击穿区,就一定会被击穿损坏。() 10. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。() 11. 所谓理想二极管,就是当其正向偏置时,结电阻为零,等效成开关闭合;当其反向偏置时,结电阻为无穷大,等效成开关断开。() 12. 使用稳压管时应阳极接高电位,阴极接低电位。 13. 稳压二极管如果反向电流超过允许范围,二极管将会发生热击穿,所以,与其配合的电阻往往起到限流的作用。() 14. 整流电路由二极管组成,利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。() 15. 用两只二极管就可实现单相全波整流,而单相桥式整流电路却用了四只二极管,这样做虽然多用了两只二极管,但降低了二极管承受的反向电压。() 16. 在电容滤波整流电路中,滤波电容可以随意选择( ) 17. 在电容滤波整流电路中,电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。() 18.电容滤波器中电容器容量越小滤波效果越好。() 二、单选题(每空2分,共32分) 1. 本征半导体是()。 A. 掺杂半导体 B. 纯净半导体 C. P型半导体 D. N型半导体

常用二极管型号及参数大全

常用二极管型号及参数大全

1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0

DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200~1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02~13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02~13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02~13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02~13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15

常用二极管型号及参数大全

1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200~1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02~13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02~13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02~13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02~13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02~13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs (1)快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD

肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别

肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别 肖特基二极管的基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V 左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管(Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 肖特基二极管(Schottky Diodes):肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降(0.3V至0.6V);另外它是多子参与导电,这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管,以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。 肖特基势垒二极管SBD(Schottky Barrier Diode,简称肖特基二极管)是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V 左右,而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 1.结构原理 综上所述,肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属,大幅度降低成本,还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子(电子)输送电荷,在势垒外侧无过剩少数载流子的积累,因此,不存在电荷储存问题(Qrr→0),使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns 以内。但它的反向耐压值较低,一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点,能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率。 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4—1.0V)、反向恢复时间很短(0-10纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。

经验整流电路简单的计算公式

整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。 整流电路分类: 单向、三相与多项整流电路; 还可分为半波、全波、桥式整流电路; 又可分为可控与不可控;当全部或部分整流元件为可控硅(晶闸管)时称可控整流电路 (一)不可控整流电路 1、单向二极管半波整流电路 半波整说是以"牺牲"一半交流为代价而换取整流效果的,电流利用率很低;因此常用在高电压、小电流的场合,而在一般无线电装置中很少采用。 输出直流电压U=0.45U2 流过二极管平均电流I=U/RL=0.45U2/RL 二极管截止承受的最大反向电压是Um反=1.4U2 2、单向二极管全波整流电路 因此称为全波整流,全波整流不仅利用了正半周,而且还巧妙地利用了负半周,从而大大地提高了整流效率(Usc=0.9e2,比半波整流时大一倍) 另外,这种电路中,每只整流二极管承受的最大反向电压,是变压器次级电压最大值的两倍,因此需用能承受较高电压的二极管。 输出直流电压U=0.9U2

流过二极管平均电流只是负载平均电流的一半,即流过负载的电流I=0.9U2/RL流过二极管电流I=0.45U2/RL 二极管截止时承受2.8U2的反向电压 因此选择二极管参数的依据与半波整流电路相比有所不同,由于交流正负两个半周均有电流流过负载,因此变压器的利用率比半波整流高。 二极管全波整流的另一种形式即桥式整流电路,是目前小功率整 流电路最常用的整流电路。 3、二极管全波整流的结论都适用于桥式整流电路,不同点仅是每个二 极管承受的反向电压比全波整流小了一半。 桥式电路中每只二极管承受的反向电压等于变压器次级电压的最大值,比全波整洗电路小一半! U=0.9U2 流过负载电流I=0.9U2/RL 流过二极管电流I=0.45U2/RL 二极管截止承受反向电压U=1.4U2 另外,在高电压或大电流的情况下,如果手头没有承受高电压或整定大电滤的整流元件,可以把二极管串联或并联起来使用。 图5-7 示出了二极管并联的情况:两只二极管并联、每只分担电路总电流的一半,三只二极管并联,每只分担电路总电流的三分之一。总之,有几只二极管并联,"流经每只二极管的电流就等于总电流的几分之一。但是,在实际并联运用时",由于各二极管特性不完全一致,不能均分所通过的电流,会使有的管子困负担过重而烧毁。因此需在每只二极管上串联一只阻值相同的小电阻器,使各并联二极管流过的电流接近一致。这种均流电阻R 一般选用零点几欧至几十欧的电阻器。电流越大,R应选得越小。

(完整版)整流二极管

整流二极管 整流二极管是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件,整流二极管具有明显的单向导电性,是一种大面积的功率器件,结电容大,工作频率较低,一般在几十千赫兹,反向电压从25V到3000V. 硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好,通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造,这种器件结面积大,能通过较大电流(通常可以达到数千安),但工作频率不高,一般在几十千赫兹以下,整流二极管主要用于各种低频整流电路。 整流二极管的常用参数 (1)最大平均整流电流IF:指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值,并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。 (2)最高反向工作电压VR:指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值,则反向电流(IR)剧增,二极管的单向导电性被破坏,从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V,1N4007的VR为1OOOV (3)最大反向电流IR:它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流,此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小,表明二极管质量越好。 (4)击穿电压VR:指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时,则指给定反向漏电流条件下的电压值。 (5)最高工作频率fm:它是二极管在正常情况下的最高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。 (6)反向恢复时间tre:指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。 (7)零偏压电容CO:指二极管两端电压为零时,扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是,由于制造工艺的限制,即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围,若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化,例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA,而在100°C时IR则变为小于500uA。 整流二极管的选用 整流二极管一般为平面型硅二极管,用于各种电源整流电路中。 选用整流二极管时,主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如,1N

快恢复二极管选型

快恢复二极管参数 型号品牌电流电压时间极性参考售价IN5817 GJ 1A 20V 10ns 0.40 IN5819 GJ 1A 40V 10ns 0.50 IN5819 MOT 1A 40V 10ns 1.00 IN5822 MOT 3A 40V 10ns 1.80 21D-06 FUI 3A 60V 10ns 1.20 SBR360 GI 3A 60V 10ns 0.80 C81-004 FUI 3A 40V 10ns 1.20 8TQ080 IR 8A 80V 10ns 单管 3.50 MBR1045 MOT 10A 45V 10ns 单管 1.50 MBR1545CT MOT 15A 45V 10ns 双管 3.00 MBR1654 MOT 16A 45V 10ns 双管 3.50 16CTQ100 IR 16A 100V 10ns 双管 5.50 MBR2035CT MOT 20A 35V 10ns 双管 4.00 MBR2045CT MOT 20A 45V 10ns 双管 4.00 MBR2060CT MOT 20A 60V 10ns 双管 6.50 MBR20100CT IR 20A 100V 10ns 双管7.50 025CTQ045 IR 25A 45V 10ns 双管 4.80 30CTQ045 IR 30A 45V 10ns 双管 6.00 C85-009* FUI 20A 90V 10ns 双管 2.50 D83-004* FUI 30A 40V 10ns 双管 4.80 D83-009* FUI 30A 90V 10ns 双管47.00 MBR4060* IR 40A 60V 10ns 双管 3.50 MBR30045 MOT 300A 45V 10ns 35.00 MUR120 MOT 1A 200V 35ns 1.80 MUR160 MOT 1A 600V 35ns 1.80 MUR180 MOT 1A 800V 35ns 2.80 MUR460 MOT 4A 600V 35ns 2.50 BYV95 PHI 1.5A 1000V 250ns 1.20 BYV27-50 PHI 2A 55V 25ns 0.60 BYV927-100 PHI 2A 100V 25ns 0.80 BYV927-300 PHI 2A 300V 25ns 1.20 BYW76 PHI 3A 1000V 200ns 1.20 BYT56G PHI 3A 600V 100ns 1.20 BYT56M PHI 3A 1000V 100ns 1.50 BYV26C PHI 1A 600V 30ns 0.60 BYV26E PHI 1A 1000V 30ns 0.90 FR607 GI 6A 1000V 200ns 1.80 MUR8100 MOT 8A 1000V 35ns 单管 4.50 HFA15TB60 IR 15A 600V 35ns 单管 3.50

二极管及整流电路练习题

二极管及整流电路练习题 一、填空 1、纯净的半导体称为,它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少 量的价元素,可形成P型半导体,又称型半导体,其中多数载流子为, 少数载流子为。 2、在本征半导体中掺入价元素,可形成N型半导体,其中多数载流子 为,少数载流子为,它的导电能力比本征半导体。 3、如图,这是材料的二极管的____ 曲线,在正向电压超过 V 后,二极管开始导通,这个电压称为 电压。正常导通后,此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V时, V 即称为电压。其中 稳压管一般工作在区。 4、二极管的伏安特性指和 _____后,二极管导通。正常导通后,二极管的正向压降很小,硅管约为 V, 为 V。 5、二极管的重要特性是,具体指:给二极管加电压,二极管 导通;给二极管加电压,二极管截止。 6、PN结的单向导电性指,当反向电压增大到 时,反向电流会急剧增大,这种现象称。 7、二极管的主要参数有 ________、_________和,二极管的主要 特性是。 8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻值都较 小,则表明二极管内部;若两次测得的阻值都较大,则表明二极管内部。 两次测的阻值相差越大,则说明二极管的性能越好。 9、整流是指_______________________________________,整流电路分可为: 和电路。将交流电转换成较稳定的直流电,一般要经过以下过程: ___________ →____________ →____________ →____________ 10、有一直流负载R L=9Ω,需要直流电压V L=45V,现有2CP21(I FM=3000mA,V RM=100V) 和2CP33B(I FM=500mA, V RM=50V) 两种型号的二极管,若采用桥式整流电路,应选用 型二极管只。 11、稳压二极管的稳压特性指,动态电阻r Z越大,说明稳 压性能越。 12、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成分滤去, 获得比较的直流电,通常接在电路的后面。它一般分为、 和三类。 13、有一锗二极管正反向电阻均接近于零,表明该二极管已_______ ,又有一硅二

肖特基二极管与快恢复二极管区别

肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 (他们恢复时间都是很快的): 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)(此处为什么不提是什么材料?),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--0.5V)(用这个方法可以判断出该器件)、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒~! 前者的优点还有低功耗,大电流,超高速~!电气特性当然都是二极管阿~! 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管:反向耐压值较低40V-50V,通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 想问一下,为何会有反向恢复时间

各类整流电路图及工作原理

桥式整流电路图及工作原理介绍 桥式整流电路如图1所示,图(a)、(b)、(c)是桥式整流电路的三种不同画法。由电源变压器、四只整流二极管D1~4 和负载电阻RL组成。四只整流二极管接成电桥形式,故称桥式整流。 图1 桥式整流电路图 桥式整流电路的工作原理 如图2所示。

在u2的正半周,D1、D3导通,D2、D4截止,电流由TR次级上端经D1→ RL →D3回到TR 次级下端,在负载RL上得到一半波整流电压。 在u2的负半周,D1、D3截止,D2、D4导通,电流由Tr次级的下端经D2→ RL →D4 回到Tr次级上端,在负载RL 上得到另一半波整流电压。 这样就在负载RL上得到一个与全波整流相同的电压波形,其电流的计算与全波整流相同,即 UL = 0.9U2 IL = 0.9U2/RL 流过每个二极管的平均电流为 ID = IL/2 = 0.45 U2/RL 每个二极管所承受的最高反向电压为 什么叫硅桥,什么叫桥堆 目前,小功率桥式整流电路的四只整流二极管,被接成桥路后封装成一个整流器件,称"硅桥"或"桥堆",使用方便,整流电路也常简化为图Z图1(c)的形式。桥式整流电路克服了全波整流电路要求变压器次级有中心抽头和二极管承受反压大的缺点,但多用了两只二极管。在半导体器件发展快,成本较低的今天,此缺点并不突出,因而桥式整流电路在实际中应用较为广泛。 二极管整流电路原理与分析 半波整流 二极管半波整流电路实际上利用了二极管的单向导电特性。

当输入电压处于交流电压的正半周时,二极管导通,输出电压v o=v i-v d。当输入电压处于交 流电压的负半周时,二极管截止,输出电压v o=0。半波整流电路输入和输出电压的波形如图所 示。 二极管半波整流电路 对于使用直流电源的电动机等功率型的电气设备,半波整流输出的脉动电压就足够了。但对于电子电路,这种电压则不能直接作为半导体器件的电源,还必须经过平滑(滤波)处理。平滑处理电路实际上就是在半波整流的输出端接一个电容,在交流电压正半周时,交流电源在通过二极管向负载提供电源的同时对电容充电,在交流电压负半周时,电容通过负载电阻放电。 电容输出的二极管半波整流电路仿真演示 通过上述分析可以得到半波整流电路的基本特点如下: (1)半波整流输出的是一个直流脉动电压。 (2)半波整流电路的交流利用率为50%。 (3)电容输出半波整流电路中,二极管承担最大反向电压为2倍交流峰值电压(电容输出 时电压叠加)。 (3)实际电路中,半波整流电路二极管和电容的选择必须满足负载对电流的要求。

快恢复二极管参数

快恢复二极管参数大全 IN5817 GJ 1A 20V 10ns 0.40 IN5819 GJ 1A 40V 10ns 0.50 IN5819 MOT 1A 40V 10ns 1.00 IN5822 MOT 3A 40V 10ns 1.80 21D-06 FUI 3A 60V 10ns 1.20 SBR360 GI 3A 60V 10ns 0.80 C81-004 FUI 3A 40V 10ns 1.20 8TQ080 IR 8A 80V 10ns 单管3.50 MBR1045 MOT 10A 45V 10ns 单管1.50 MBR1545CT MOT 15A 45V 10ns 双管3.00 MBR1654 MOT 16A 45V 10ns 双管3.50 16CTQ100 IR 16A 100V 10ns 双管5.50 MBR2035CT MOT 20A 35V 10ns 双管4.00 MBR2045CT MOT 20A 45V 10ns 双管4.00 MBR2060CT MOT 20A 60V 10ns 双管6.50 MBR20100CT IR 20A 100V 10ns 双管7.50 025CTQ045 IR 25A 45V 10ns 双管4.80 30CTQ045 IR 30A 45V 10ns 双管6.00 C85-009* FUI 20A 90V 10ns 双管2.50 D83-004* FUI 30A 40V 10ns 双管4.80 D83-009* FUI 30A 90V 10ns 双管47.00 MBR4060* IR 40A 60V 10ns 双管3.50 MBR30045 MOT 300A 45V 10ns 35.00 MUR120 MOT 1A 200V 35ns 1.80 MUR160 MOT 1A 600V 35ns 1.80 MUR180 MOT 1A 800V 35ns 2.80 MUR460 MOT 4A 600V 35ns 2.50 BYV95 PHI 1.5A 1000V 250ns 1.20 BYV27-50 PHI 2A 55V 25ns 0.60 BYV927-100 PHI 2A 100V 25ns 0.80 BYV927-300 PHI 2A 300V 25ns 1.20 BYW76 PHI 3A 1000V 200ns 1.20 BYT56G PHI 3A 600V 100ns 1.20 BYT56M PHI 3A 1000V 100ns 1.50 BYV26C PHI 1A 600V 30ns 0.60

常用二极管型号参数大全

For personal use only in study and research; not for commercial use 1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200~1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02~13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02~13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02~13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02~13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02~13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs (1)快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41

相关文档
最新文档