IPOSIM6-2c_(英飞凌IGBT仿真软件中文版)

379350538.xls 英飞凌IGBT模块功率仿真 V6.2c July 2008适用于三相逆变应用中的模块选型

输出电流为正弦时的平均损耗

所选模块BSM75GB120DLC

data sheet 限制:直流母线电压 Vdc [V]600600

输出电流有效值 Irms [A]100100

输出频率 f0 [Hz]5050

开关频率 fs [Hz] 60006000

最高结温 Tj [°C] 125125

壳温 Tc [°C]8080

调制比 m 1.00 1.00

负载功率因素 cos φ 1.00 1.00

建议最小门极电阻 Rg [Ω]12

模块引线电阻 RCC'+EE' [m Ω]

IGBT通态损耗 [W]121

IGBT开关损耗 [W]59S 181

二极管通态损耗 [W]08

二极管开关损耗 [W]17S 25曲线图基于 典型的 Tj=125°C时的器件数据

曲线图的意义:

蓝色（红色）实线和蓝色（红色）虚线的交点所对应的横轴数据代表了在给定工作条件下IGBT（二极管）所允许的最大相输出电流有效值。1 Hz ≤ f0 ≤ 1000 Hz 应用参数:仿真参数:

请在绿色区域内输入变频器的

规格:额定电压 600 V +-20% 480 V ≤ Vdc ≤ 720 V 输出电流为正弦时的平均损耗 6000 Hz 开关频率时BSM75GB120DLC 相输出电流有效值 [Arms]

-1 ≤ cos φ ≤ 15 x f0 ≤ fs ≤ 10000 x f0-40 °C ≤ Tj ≤ 125°C -40 °C ≤ Tc ≤ Tj 0 ≤ m ≤ 4/π平均损耗 P a v [W ]Irms ≤ sqr(2)*Inom = 106 A 050100150200250020406080100120Losses (IGBT) / W Losses (diode) / W Losses per switch (IGBT + diode) / W max. losses (IGBT) @ Tcase=80°C max. losses (diode) @ Tcase=80°C