TCC8935芯片
TCC8935芯片
TCC8935是韩国Telechips研发及生产的。
Telechips公司概述
Telechips公司始建于1999年10月，创始人为韩国三星公司的几位技术高管，Telechips它一直是一家领先的无晶圆厂半导体公司在韩国市场的主导产品，引进尖端技术。Telechips公司开发的世界上唯一的基于数字来电显示芯片在2000年发布了世界上第一个产品，一年后，实时MP3录制和播放功能。2003年，它推出了内置USB主机功能和各种编解码器和外部存储设备的支持功能。此外，在2005年被批准为世界上第一个闪存型MP3播放器支持PlaysForSure认证。次年，Telechips公司发布了如DMB移动电视接收芯片。在2007年，它推出音频处理器供应汽车公司。此外，在2008年，它首次亮相中国移动电视市场（CMMB）和明年2009年，它推出了一款便携式多媒体解决方案，支持了世界上第一个全高清（1080P）。，Telechips公司已提供其产品的基础上不断的技术创新，每个龙头企业，在广应用市场，包括有线和无线的手机，便携式MP3播放器，汽车/家用音响，手机和移动电视的范围。
TCC8935引言
对于新的，创新的用户体验通过PC，如网页浏览，全高清视频，直观的用户界面，基于位置的服务，以及下一代的社交网络应用，提出了Telechips的TCC8935多媒体应用的处理器。TCC8935内置的智能手机，功能手机，PMP，移动电视，便携式导航，设置和优化机顶盒，等等。
TCC8935集成了ARM?的Cortex-A9双微处理器，512KB统一的L2快取记忆体，硬连接VPU/GPU多媒体体验最大化，在其高峰期的水平。硬连接VPU支持1080p全高清视频编码和解码，并在GPU提供了3D图形的OpenGLES2.0和OpenVG1.1。它可以支持各种操作基地，如：Linux?，Android和Windows?CE的系统。
TCC8935是一个伟大的处理器，其中需要便于连接功能的联网设备：USB OTG和USB主机控制器将使多媒体设备和存储设备之间的数据传输。该以太网MAC控制器，提供互联网连接，符合IEEE802.3标准。
这种创新和丰富的功能集将扩大应用类别尚未低价可想而知。
TCC8935特点
类别说明
处理器
（的Cortex-A9双）*支持TrustZone
TM
安全扩展
*高速AMBA AXI总线接口
*等级缓存组织：32KBs-ICache/32KBs-DCache
*等级缓存组织：512KBs的统一高速缓存
*有关更多详细信息，请参阅ARM的Cortex-A9 MPCore的技术参考手册 - 可以从ARM的网站上下载。
记忆组织1 *内部存储器（片）
- 32KB引导ROM（EHI，NAND，USB引导，安全等） - 64KB内部SRAM（硬件共享）
*外部存储器（片）
- DDR2 DRAM：高达300MHz@1.2V的
- DDR3 DRAM：600MHz@1.2V
- 16位数据总线
视频编解码器*解压缩（解码器） - 高达30fps的全高清（1920×1080） - H.263
- MPEG-1/2
- MPEG4-ASP
- MPEG4-AVC（H.264）
- VC-1
- RV
- AVS
- MJPEG/ JPEG
- VP8
*压缩机（编码器） - 高达30fps的全高清（1920×1080） - H.263
- MPEG4-SP L5/L6
- H.264
- MJPEG/ JPEG
图形引擎*2D/3D绘图
- 包括MALI400 GPU MP2
- 请参阅从ARM获得更多详细的技术参考手册。 - 几何和像素处理
- 全OpenVG的1.1版支持
- 线条，方形，三角形，积分
- 矢量图形
- ROP3/4
- 任意旋转/缩放
- Alpha混合
- 多重纹理BITBLT
- 完整的OpenGL ES2.0，v1.x的支持
- 4X/16X FSAA
- 平/高洛德着色
- 透视正确的纹理
- 点采样/双线性/三线性过滤
- 贴图文件
- 多纹理
- DOT3凹凸贴图
- Alpha混合
- 模板缓冲（4位）
- JSR184
- 精灵点
- 2位每像素纹理压缩（FLXTC）
- 4位每像素纹理压缩（ETC）
*覆盖混合器
- 8bpp（RGB332）
- RGB（444，454，555,565，666，888）
- α-RGB（444，454，555，666，888）
- 连续YUV（444，422）
- 分居YUV（444，440，422，420，411，410） - 交错YUV（422，420）
- BITBLT（16个光栅操作）
- 3通道源Mirror/Fl ip/90°，180°，270°旋转
- 1通道目的地Mirror/Flip/90。°，180°，270°旋转
- 3通道算术操作
- 3通道的YCbCr到RGB颜色空间转换
- 覆盖和Alphablending的（2的叠加，256级alphablending的） - 颜色LUT
- 抖动
图像增强*直方图测量
- 亮度分量分析
- 多帧平均模式
- 用户定义的像素分部支持
*对比度增强
- 用户定义缩放分部
- 多帧平均模式
*去隔行
- 运动自适应和基于像素的处理 - 电影模式检测
*简单的面向边缘模式
*先进的时空模式
*降噪
- 定向平滑滤波器
- 颞递归滤波器
- 噪声估计
*锐度
- 空间高通滤波器
*德阻塞
- 空间去块滤波器
视频输入/输出*视频输出
- 2显示控制器
*一个控制器有多达4层重叠通道，而另一个具有高达3层重叠通道
*逐行或隔行数字视频输出
- 支持的功能
*覆盖/色度键控/ alpha混合
*通过伽玛校正颜色查找表
*对比度，亮度，色调功能支持。
- 支持的输出媒体
* TFT-LCD支持
* HDMI1.4输出支持高达1920x1080p
*支持LVDS输出：最高可达1280x800p
2
*复合电视输出（NTSC/ PAL）
- 双显示器支持
3
*支持的媒体类型
- CPU类型LCD：主/副共享
*视频输入
- 2个视频输入控制器
- CCIR-601/656接口
- 摄像头输入支持
- 覆盖/色度键控
- 输入图像缩放器 - 输出分辨率高达4080x4080
音频输出* I2S主从接口（2个通道） - 7.1声道
- 立体声通道
* SPDIF的发射器/接收器 - 支持5.1声道
* CD I / F
- I2S奴隶接口
网络接口*以太网MAC控制器
- IEEE802.3-2008以太网MAC
*千兆媒体独立接口（GMII）
*媒体独立接口（MII）
- IEEE 1588-2008标准的高精度网络时钟同步
- IEEE802.1 AS，D7.5版和802-1-QAV-2009音频视频（AV）交通 - IEEE802.3-AZ，节能以太网（EEE D3.2版）
- 的RGMII规格从HP/ Marvell的
- RMII规范版本1.2 RMII财团
储存介面* USB 2.0通道接口
- 1通道USB2.0设备/主机
- 1通道USB 2.0主机
* NAND闪存接口
- DDR NAND（切换，ONFI）支持 - 8位/ 16位，4 CS支持
- SCL ECC
- MLC ECC
*4/6/12/16/24/48/60位ECC
- 硬连线随机数发生器
* SD/ MMC控制器
- SD：3.0
- SDIO的：3.0
- 的eMMC：4.41
流媒体接口* TS接口
- 3通道TS串行或并行接口
外设* UART：最多6个通道
* I2C：4硕士和2个奴隶
* GPSB（通用串行总线 - 主/从） - 4频道*红外线遥控接收器
*定时器
- 4个16位定时器，PWM输出/计数器
- 2个20位定时器
- 一个32位定时器
* DMA - 9频道
* ADC
- 8通道通用12位
- 支持触摸屏
系统管理单位* PMU
- 内部电源岛，以降低静态功耗。 - 支持从外部事件唤醒。
*向量中断控制器
- 各种中断源可以由用户配置优先。* RTC掉电模式和自动唤醒
过程*45纳米CMOS
led芯片知识
LED芯片知识大了解 目录 一 LED芯片基本知识 (2) 1、LED芯片的概念 (2) 2、LED芯片的组成元素 (2) 3、LED芯片的分类 (2) 二 LED衬底材料 (4) 1、LED衬底材料的概念及作用 (4) 2、LED衬底材料的种类 (4) 三 LED外延片 (6) 1、LED外延片生长的概念 (6) 2、LED外延片衬底材料的种类 (6) 3、LED外延片的检测 (6)
一、LED芯片基本知识 1、LED芯片的概念 LED芯片是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的芯片，芯片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个芯片被环氧树脂封装起来。半导体芯片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N 结。当电流通过导线作用于这个芯片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。LED芯片为LED的主要原材料 ，LED主要依靠芯片来发光。 LED芯片是在外延片上的基础上经过下面一系列流 程，最终完成如右图的成品-芯片。 外延片→清洗→镀透明电极层透 (Indium Tin Oxide，ITO)→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→ 平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→ SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→ N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→ P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→ 芯片→成品测试。图1 外延片成品示意图 2、LED芯片的组成元素 LED芯片的元素主要为III-V族元素，主要有砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga、)铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Si)这几种元素中的若干种组成。 3、LED芯片的分类 1）按发光亮度分 A、一般亮度：R(红色GaAsP 655nm)、H ( 高红GaP 697nm )、G ( 绿色GaP 565nm )、 Y ( 黄色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等 B、高亮度：VG(较亮绿色GaP 565nm)、VY(较亮黄色 GaAsP/ GaP 585nm)、 SR(较亮红色GaA/AS 660nm)； C、超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等 D、不可见光(红外线)：R﹑SIR﹑VIR﹑HIR
LED分bin 分类基本知识
人眼對於光的顏色及亮度的解析度非常高，特別是對於顏色的差異和變化非常敏感。圖2-14所示的是人眼對顏色變化的敏感曲線。從圖中可以看出對於不同顏色波長的光人眼的敏感度是不同的。例如，對於波長為585 nm的光，當顏色變化大於1nm時，人眼就可以感覺到。而對於波長為650 nm的紅光，當顏色變化在3nm的時候，人眼才能察覺到。對於波長為465 nm的藍光和525 nm的綠光，人眼的解析度分別為～2 nm和～3nm。 在早期，由於LED主要被作用指示或顯示燈用，而且一般以單個器件出現，所以對於其波長的分選和亮度的控制要求並不高。可是隨著LED的效率和亮度的不斷提高，其應用範圍越來越廣。當LED作為陣列顯示和螢幕元件時，由於人眼對於顏色波長和亮度的敏感性，用沒有分選過的LED就產生了不均勻的現象，就而影響到人們的視覺效果。不論是波長不均勻或是光亮度的不均勻都會給人產生不舒服的感覺。這是各LED顯示器製造廠家不願看到的，也是人們無法接受的。LED的分選不可能將光學、電學特性和壽命及可靠性等所有參數都做，而是按照通常大家所關心的幾個關鍵參數進行分類分選。這些關鍵參數有：主波長、發光強度、光通量、色溫、工作電壓、反向擊穿電壓等。 LED的測試與分選是LED供應商的一項必要的工序。而且目前它是許多LED晶片廠商的產能瓶頸，也是LED晶片成本的一個重要來源。在外延片的均勻度得到控制以前，比較行之有效的方法是解決快速低成本的晶片分選問題。 （1）LED的分選方法： LED的分選有兩種方法進行：一是以晶片為基礎的測試分選，二是對封裝後的LED管子進行分選。 1）以LED管子的形式進行分選： 封裝好的LED管子可以按照波長、發光強度、發光角度以及工作電壓等分類。其結果是把LED分成很多檔次和類別，然後測試分選機會自動地根據設定把LED分裝在不同的Bin內。由於人們對於LED的要求越來越嚴，早期的分選機是32Bin後來增加到64Bin。現在已有72Bin的商用分選機。即使這樣，分Bin的數量仍然無法滿足生產和市場的需求。 LED測試分選機，是在一個特定的電流下，比如20mA，對於LED進行測試。一般還會做一個反向電壓值的測試。現在商業的測試分選機大概在40－50萬人民幣一台，其測試速度在每小時10000只左右。如果按照每月20天，每天20小時的工作時間計算，每一台分選機的產能為每月4KK。 對於LED封裝廠來說，如果他們的客戶是用在大型顯示幕上或是其它高檔應用上，他們對LED的品質就會有較高的要求。特別是在波長與亮度的一致性上的要求會很嚴格。假如LED封裝廠在採購晶片上沒有提出嚴格的要求，則這些封裝廠在做了大量的封裝後會發現，他們還是無法提供足夠多的LED給他們的客戶。因為在他們已封裝好的LED中很少的數量能滿足某一客戶的要求。當封裝廠把他們其中的一少部分提供給其中的一個客戶後，其餘大部分變成為放在倉庫裡的存貨。這種情形迫使LED封裝廠在採購LED晶片時提出嚴格的要求，特別是對波長、亮度和工作電壓的指標。比如，過去人們的波長要求是±2 nm，而現在則要求為±1 nm，甚至在某些應用上，人們已提出±0.5 nm的要求。這樣對於晶片廠就產生了巨大的壓力，因為他們在賣晶片時必須進行嚴格的分選。 2）以晶片的形式分選 相比較封裝好的LED，晶片分選的難度很大，主要的原因是LED的晶片一般都很小，從9mil—14mil（0.22 mm—0.35 mm）的尺寸。這樣小的晶片在抓放的過程中需要比較精確的機械和圖像識別系統，而測試則需要微探針才能夠完成。這使得設備的造價變得較高，而且測試速度受到限制。目前典型的晶片分選測試系統，平均每台在100萬元左右，而每小時的分選數量大約為2000個左右。這使得晶片分選測試的產能每月不到1KK。這與封裝好的LED的分選相比顯
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LED知识大全 led光谱晶片，什么是led晶片? 一、LED晶片的作用： LED晶片为LED的主要原材料，LED主要依靠晶片来发光。 二、LED晶片的组成 主要有砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Ｓi)这几种元素中的若干种组成。 三、LED晶片的分类 1、按发光亮度分： A、一般亮度：R﹑H﹑G﹑Y﹑E等 B、高亮度：VG﹑VY﹑SR等 C、超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等 D、不可见光(红外线)：R﹑SIR﹑VIR﹑HIR E、红外线接收管：PT F、光电管：PD 2、按组成元素分： A、二元晶片(磷﹑镓)：H﹑G等 B、三元晶片（磷﹑镓﹑砷）：SR﹑HR﹑UR等 C、四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟)：SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG 四、LED晶片特性表（详见下表介绍） LED晶片型号发光颜色组成元素波长（nm）晶片型号发光颜色组成元素波长（nm）SBI蓝色lnGaN/sic 430 HY超亮黄色AlGalnP 595 SBK较亮蓝色lnGaN/sic 468 SE高亮桔色GaAsP/GaP 610 DBK较亮蓝色GaunN/Gan 470 HE超亮桔色AlGalnP 620 SGL青绿色lnGaN/sic 502 UE最亮桔色AlGalnP 620 DGL较亮青绿色LnGaN/GaN 505 URF最亮红色AlGalnP 630 DGM较亮青绿色lnGaN 523 E桔色GaAsP/GaP635 PG纯绿GaP 555 R红色GAaAsP 655 SG标准绿GaP 560 SR较亮红色GaA/AS 660 G绿色GaP 565 HR超亮红色GaAlAs 660 VG较亮绿色GaP 565 UR最亮红色GaAlAs 660 UG最亮绿色AIGalnP 574 H高红GaP 697 Y黄色GaAsP/GaP585 HIR红外线GaAlAs 850
LED芯片基础知识的一些要点.doc
LED芯片基础知识的一些要点 一、l ed历史 50年前人们己经了解半导体材料可产生光线的基本知识，1962年，通用电气公司的尼克?何伦亚克（NickHolonyakJr. ） JF发出第一种实际应用的可见光发光二极管。LED是英文lightemittingdiode （发光二极管）的缩写，它的基木结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架了上，然后四周用环氧树脂密封, 即固体封装，所以能起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。 最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏屮得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国木来是采用长寿命、低光效的140 瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。经红色滤光片后，光损失90%,只剩下200流明的红光。而在新设计的灯屮，Lumileds公司采用了 18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14 k,即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。 二、L ED芯片的原理 LED （LightEmittingDiode）,发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占?主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电了。但这两种半导体连接起来的时候，它们Z间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。 三、主要芯片厂商 德国的欧司朗，美国的流明、CREE、AXT,台湾的广稼、国联（FPD）、鼎元（TK）、华汕（A0C）、汉光（HL）、艾迪森、光磊（ED）,韩国的有首尔，LI本的有口亚、东芝，大陆的有大连路美、福地、三安、杭州士兰明芯、仿U亚等它们都是大家耳熟能详的芯片供应商,下面根据产地细分下o
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设计师收藏总结LED芯片知识大全 摘要：50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,1962年,通用电气公司的尼克何伦亚克(NickHolonyakJr.)开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。 LED 芯片知识 一、LED历史50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,1962年,通用电气公司的尼克何伦亚克(NickHolonyakJr.)开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。LED是英文light emitting diode(发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料, 置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,即固体封装,所以能起到保护内部芯线的作用,所以LED的抗震性能好。最初LED用作仪器仪表的指示光源,后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用,产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例,在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源,它产生2000流明的白光。经红色滤光片后,光损失90%,只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中,Lumileds 公司采用了18个红色LED光源,包括电路损失在内,共耗电14瓦,即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。 二、LED芯片的原理：LED(LightEmittingDiode),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成, 一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。 三、LED芯片的分类： 1.MB芯片定义与特点定义：MetalBonding(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。特点：(1)采用高散热系数的材料---Si作为衬底,散热容易。ThermalConductivity GaAs:46W/m-K GaP:77W/m-K Si:125～150W/m-K Cupper:300~400W/m-k SiC:490W/m-K (2)通过金属层来接合(waferbonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收。(3)导电的Si衬底取代GaAs衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍),更适应于高驱动电流领域。(4)底部金属反射层,有利于光度的提升及散热。(5)尺寸可加大,应用于Highpower领域,eg:42milMB。 2.GB芯片定义和特点定义：GlueBonding(粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。特点：(1)透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底,其出光功率是传统AS(Absorbable structure) 芯片的2倍以上,蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。(2)芯片四面发光,具有出色的Pattern图。(3)亮度方面,其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。(4)双电极结构,其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。 3.TS芯片定义和特点定义：transparentstructure(透明衬底)芯片,该芯片属于HP的专利产品。特点: (1)芯片工艺制作复杂,远高于ASLED。(2)信赖性卓越。(3)透明的GaP衬底,不吸收光,亮度高。(4)应用广泛。 4.AS芯片定义与特点定义：Absorbablestructure(吸收衬底)芯片;经过近四十年的发展努力,台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段,各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平,差距不大。大陆芯片制造业起步较晚,其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距,在这里我们所谈
LED封装基本知识
LED封装基本知识 LED（发光二极管）封装是指发光芯片的封装，相比集成电路封装有较大不同。LED的封装不仅要求能够保护灯芯，而且还要能够透光，所以LED的封装对封装材料有特殊的要求。 封装简介 LED封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的，但却有很大的特殊性。一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而LED封装则是完成输出电信号，保护管芯正常工作，输出：可见光的功，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于LED。 自上世纪九十年代以来，LED芯片及材料制作技术的研发取得多项突破，透明衬底梯形结构、纹理表面结构、芯片倒装结构，商品化的超高亮度（1cd以上）红、橙、黄、绿、蓝的LED产品相继问市，2000年开始在低、中光通量的特殊照明中获得应用。LED的上、中游产业受到前所未有的重视，进一步推动下游的封装技术及产业发展，采用不同封装结构形式与尺寸，不同发光颜色的管芯及其双色、或三色组合方式，可生产出多种系列，品种、规格的产品。 技术原理 大功率LED封装由于结构和工艺复杂，并直接影响到LED的使用性能和寿命，特别是大功率白光LED封装更是研究热点中的热点。
LED封装的功能主要包括：1.机械保护，以提高可靠性；2.加强散热，以降低芯片结温，提高LED性能；3.光学控制，提高出光效率，优化光束分布；4.供电管理，包括交流/直流转变，以及电源控制等。 LED封装方法、材料、结构和工艺的选择主要由芯片结构、光电/机械特性、具体应用和成本等因素决定。经过40多年的发展，LED 封装先后经历了支架式（Lamp LED）、贴片式（SMD LED）、功率型LED（Power LED）等发展阶段。随着芯片功率的增大，特别是固态照明技术发展的需求，对LED封装的光学、热学、电学和机械结构等提出了新的、更高的要求。为了有效地降低封装热阻，提高出光效率，必须采用全新的技术思路来进行封装设计。 关于LED封装结构说明 LED的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯，当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。但pn结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射有相同的几率，因此，并不是管芯产生的所有光都可以释放出来，这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高LED的内、外部量子效率。常规Φ5mm型LED封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点与金丝，键合为内引线与一条管脚相连，负极通过反射杯和引线架的另一管脚相连，然后其顶部用环氧树脂包封。反射杯的作用是收集管芯侧面、界面发出的光，向期望的方向角内发射。顶部包封的环氧树脂做成一定形状，有这样几种作
led芯片基础知识
led芯片基础知识 一、led历史 50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，1962年，通用电气公司的尼克?何伦亚克（Nick HolonyakJr.）开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，即固体封装，所以能起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。 最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。经红色滤光片后，光损失90%，只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中，Lumileds公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。 二、LED芯片的原理 LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。 三、主要芯片厂商 德国的欧司朗,美国的流明、CREE、AXT，台湾的广稼、国联（FPD）、鼎元（TK）、华汕（AOC）、汉光（HL）、艾迪森、光磊（ED），韩国的有首尔，日本的有日亚、东芝，大陆的有大连路美、福地、三安、杭州士兰明芯、仿日亚等它们都是大家耳熟能详的芯片供应商，下面根据产地细分下。 台湾LED芯片厂商：晶元光电（Epistar）简称：ES、（联诠、元坤，连勇，国联），广镓光电（Huga），新世纪（Genesis Photonics），华上（Arima OptoELectronics）简称：AOC，泰谷光电（Tekcore），奇力，钜新，光宏，晶发，视创，洲磊，联胜（HPO），汉光（HL），光磊（ED），鼎元（Tyntek）简称：TK，曜富洲技TC，灿圆（FormosaEpitaxy），国通，联鼎，全新光电（VPEC）等。华兴（Ledtech Electronics）、东贝（UnityOptoTechnology）、光鼎（ParaLight Electronics）、亿光（Everlight Electronics）、佰鸿（Bright LED
LED芯片知识大解密
LED芯片知识大解密 1、led芯片的制造流程是怎样的? LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下变成金属蒸气沉积在LED照明材料表面。一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。合金化的时间和温度通常是根据LED照明材料特性与合金炉形式等因素决定。当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。 2、LED芯片制造工序中，哪些工序对其光电性能有较重要的影响? 一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。 3、LED芯片为什么要分成诸如8mil、9 mil、…，13∽22 mil，40 mil等不同尺寸?尺寸大小对LED光电性能有哪些影响? LED芯片大小根据功率可分为小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根据客户要求可分为单管级、数码级、点阵级以及装饰照明等类别。至于芯片的具体尺寸大小是根据不同芯片生产厂家的实际生产水平而定，没有具体的要求。只要工艺过关，芯片小可提高单位产出并降低成本，光电性能并不会发生根本变化。芯片的使用电流实际上与流过芯片的电流密度有关，芯片小使用电流小，芯片大使用电流大，它们的单位电流密度基本差不多。如果10mil 芯片的使用电流是20mA的话，那么40mil芯片理论上使用电流可提高16倍，即320mA。但考虑到散热是大电流下的主要问题，所以它的发光效率比小电流低。另一方面，由于面积增大，芯片的体电阻会降低，所以正向导通电压会有所下降。 4、LED大功率芯片一般指多大面积的芯片?为什么? 用于白光的LED大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右，所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。由于量子效率一般小于20?大部分电能会转换成热能，所以大功率芯片的散热很重要，要求芯片有较大的面积。 5、制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求?为什么? 普通的LED红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用GaP 、GaAs等化合物LED照明材料，一般都可以做成N型衬底。采用湿法工艺进行光刻，最后用金刚砂轮刀片切割成芯片。GaN材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底，由于蓝宝石衬底是绝缘的，所以不能作为LED
LED芯片原理分类基础知识大全_百度文库
LED芯片原理分类基础知识大全 一、LED历史 50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,1962年,通用电气公司的尼 克何伦亚克(NickHolonyakJr.开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。LED是英文light emitting diode(发光二极管的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料, 置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,即固体封装,所以能起到保护内部芯 线的作用,所以LED的抗震性能好。最初LED用作仪器仪表的指示光源,后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用,产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯 为例,在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源,它产生2000流明的白 光。经红色滤光片后,光损失90%,只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中,Lumileds 公司采用了18个红色LED光源,包括电路损失在内,共耗电14瓦,即可产生同样的光效。汽车 信号灯也是LED光源应用的重要领域。 二、LED芯片的原理 LED(LightEmittingDiode,发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架
上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成, 一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电 子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的 形式发出能量,这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。 三、LED芯片的分类 1.MB芯片定义与特点定义：MetalBonding(金属粘着芯片;该芯片属于UEC的专利产品。 特点： (1采用高散热系数的材料---Si作为衬底,散热容易。ThermalConductivity GaAs:46W/m-K GaP:77W/m-KSi:125～150W/m-K Cupper:300~400W/m-k SiC:490W/m-K (2通过金属层来接合(waferbonding磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收。 (3导电的Si衬底取代GaAs衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍,更适应于高驱动电流领域。 (4底部金属反射层,有利于光度的提升及散热。 (5尺寸可加大,应用于Highpower领域,eg:42milMB。 2.GB芯片定义和特点定义：GlueBonding(粘着结合芯片;该芯片属于UEC的专利产品。
LED芯片知识
LED芯片知识 一、LED历史 50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，1962年，通用电气公司的尼克?何伦亚克（NickHolonyakJr.）开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，即固体封装，所以能起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。 最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。经红色滤光片后，光损失90%，只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中，Lumileds 公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。 二、LED芯片的原理： LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。 三、LED芯片的分类： 1.MB芯片定义与特点 定义：Metal Bonding(金属粘着）芯片；该芯片属于UEC的专利产品。 特点： （1）采用高散热系数的材料---Si作为衬底，散热容易。 Thermal Conductivity GaAs: 46W/m-K GaP: 77W/m-K Si: 125～150W/m-K Cupper:300~400W/m-k SiC: 490W/m-K （2）通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。（3）导电的Si衬底取代GaAs衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍)，更适应于高驱动电流领域。 （4）底部金属反射层，有利于光度的提升及散热。
LED灯珠的基础知识
LED灯珠常识 什么是LED： LED是英文light emittingdiode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，加上合适的电 压就能正常发光。 LED光源的特点： 1．电压：LED使用低压电源，供电电压在1.8-3.6V之间，根据产品不同而异，所以它是一个比使用高压电源更安全的电源，特别适用于公共场所。 2．效能：消耗能量较同光效的白炽灯减少80% 3．稳定性：理论上可以点亮10万小时。 4．光衰：随着科技的进步，光衰越来越小。现在普通LED灯在一千小时以内的光衰已经可以真正控制在5%以内，即使超过一千小时以后，光衰也很小。 5．环保：无辐射，无污染，真真正正的环保材料。出口时LED产品一般免检 LED芯片的尺寸常识： 按外形分类，芯片一般分为圆片和方片。其中圆片相对较低档，性能不够稳定，我司一般不采用圆片生产的LED；方片一般以尺寸大小来衡量，比如12mil (1 mil=0.0254平方毫米)。一般来说，同一品牌的芯片，芯片尺寸越大，亮度越高。我司最常采用的LED灯珠，红光和黄光一般在9~12mil，白，蓝，绿光一般都在12~14mil，这也是市面上最常用的芯片，如果用更大的芯片，亮度虽然可以提高不少，但是芯片价格大幅度提高，这就是为什么大尺寸芯片很少有人采用的原因。 LED灯珠常识 LED的颜色常识：LED灯珠常识 LED的不同颜色是由其不同波长的芯片决定的，比如，红光芯片一般波长是620~630nm （纳米），绿光芯片一般波长是527nm,蓝光芯片的一般波长是470nm, 黄光芯片的一般波长是585nm,白光LED用的也是蓝光芯片，只是在蓝光芯片上加上适量的的荧光粉就发出白光了。 LED灯珠常识 LED的分类：LED灯珠常识 按功率大小分：可分为小功率，大功率（行业上一般把0.5W以上的灯叫做大功率灯）按外形分：可分为直插式DIP和贴片式SMD 草帽LED又可以按灯头的尺寸细分为F3（灯头的直径是3mm），F5（灯头的直径是5mm）；或按灯头的形状细分为无边，薄边，厚边，圆头；按灯头透明与否可分为透明，雾状。。。。。。。更多细分方法不尽列举，以上所列仅以我司经常采用为依据。 食人鱼LED同样可以按灯头的尺寸分为F3，F5，按灯头的形状分为圆头（即最常见的食人鱼灯），平头（这种形头很特殊，其发光角度接近180度，一般用在需要散光的场合）。 LED灯珠常识 LED灯珠常识 小功率贴片式LED按外形尺寸可以分为0805，1206，3020，3528，5050或5060（5050与5060
解析LED倒装芯片知识
360度解析LED倒装芯片知识 什么是LED倒装芯片？近年来，在芯片领域，倒装芯片技术正异军突起，特别是在大功率、户外照明的应用市场上更受欢迎。但由于发展较晚，很多人不知道什么叫LED倒装芯片，LED倒装芯片的优点是什么？今天慧聪LED屏网编辑就为你做一个简单的说明。先从LED 正装芯片为您讲解LED倒装芯片，以及LED倒装芯片的优势和普及难点。 要了解LED倒装芯片，先要了解什么是LED正装芯片 LED正装芯片是最早出现的芯片结构，也是小功率芯片中普遍使用的芯片结构。该结构，电极在上方，从上至下材料为：P-GaN，发光层，N-GaN，衬底。所以，相对倒装来说就是正装。 LED倒装芯片和症状芯片图解 为了避免正装芯片中因电极挤占发光面积从而影响发光效率，芯片研发人员设计了倒装结构，即把正装芯片倒置，使发光层激发出的光直接从电极的另一面发出(衬底最终被剥去，芯片材料是透明的)，同时，针对倒装设计出方便LED封装厂焊线的结构，从而，整个芯片称为倒装芯片(Flip Chip)，该结构在大功率芯片较多用到。
正装、倒装、垂直LED芯片结构三大流派 倒装技术并不是一个新的技术，其实很早之前就存在了。倒装技术不光用在LED行业，在其他半导体行业里也有用到。目前LED芯片封装技术已经形成几个流派，不同的技术对应不同的应用，都有其独特之处。 目前LED芯片结构主要有三种流派，最常见的是正装结构，还有垂直结构和倒装结构。正装结构由于p，n电极在LED同一侧，容易出现电流拥挤现象，而且热阻较高，而垂直结构则可以很好的解决这两个问题，可以达到很高的电流密度和均匀度。未来灯具成本的降低除了材料成本，功率做大减少LED颗数显得尤为重要，垂直结构能够很好的满足这样的需求。这也导致垂直结构通常用于大功率LED应用领域，而正装技术一般应用于中小功率LED。而倒装技术也可以细分为两类，一类是在蓝宝石芯片基础上倒装，蓝宝石衬底保留，利于散热，但是电流密度提升并不明显；另一类是倒装结构并剥离了衬底材料，可以大幅度提升电流密度。 LED倒装芯片的优点 一是没有通过蓝宝石散热，可通大电流使用；二是尺寸可以做到更小，光学更容易匹配；三是散热功能的提升，使芯片的寿命得到了提升；四是抗静电能力的提升；五是为后续封装工艺发展打下基础。 什么是LED倒装芯片 据了解，倒装芯片之所以被称为“倒装”是相对于传统的金属线键合连接方式（Wire Bonding）与植球后的工艺而言的。传统的通过金属线键合与基板连接的晶片电气面朝上，而倒装晶片的电气面朝下，相当于将前者翻转过来，故称其为“倒装芯片”。
LED知识学习资料
LED灯（Light Emitting Diode）又叫发光二极管，它是一种固态的半导体器件，可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由三部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子，中间通常是1至5个周期的量子阱。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子和空穴就会被推向量子阱，在量子阱内电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。 LED灯具有体积小、耗电低、寿命长、无毒环保等诸多优点，LED灯具从室外装饰，工程照明，逐渐发展到家用照明。 台湾、大陆、国外芯片厂名单总汇 台湾LED芯片厂商：晶元光电（Epistar）简称：ES、（联诠、元坤，连勇，国联），广镓光电（Huga），新世纪（Genesis Photonics），华上（Arima Optoelectronics）简称：AOC，泰谷光电（Tekcore），奇力，钜新，光宏，晶发，视创，洲磊，联胜（HPO），汉光（HL），光磊（ED），鼎元（Tyntek）简称：TK，曜富洲技TC，燦圆（Formosa Epitaxy），国通，联鼎，全新光电（VPEC）等。 华兴（Ledtech Electronics）、东贝（Unity Opto Technology）、光鼎（Para Light Electronics）、亿光（Everlight Electronics）、佰鸿（Bright LED Electronics）、今台（Kingbright）、菱生精密（Lingsen Precision Industries）、立基（Ligitek Electronics）、光宝（Lite-On Technology）、宏齐(HARVATEK)等。 大陆LED芯片厂商：三安光电简称（S）、上海蓝光（Epilight）简称（E）、士兰明芯（SL）、大连路美简称（LM）、迪源光电、华灿光电、南昌欣磊、上海金桥大晨、河北立德、河北汇能、深圳奥伦德、深圳世纪晶源、广州普光、扬州华夏集成、甘肃新天电公司、东莞福地电子材料、清芯光电、晶能光电、中微光电子、乾照光电、晶达光电、深圳方大，山东华光、上海蓝宝等。国外LED芯片厂商：CREE，惠普（HP），日亚化学（Nichia），丰田合成，大洋日酸，东芝、昭和电工（SDK），Lumileds，旭明（Smileds），Genelite，欧司朗（Osram），GeLcore，首尔半导体等，普瑞，韩国安萤（Epivalley）等。 1,CREE 著名LED芯片制造商，美国CREE公司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(GaN),硅(Si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(LED),近紫外激光,射频(RF)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(SiC)外延片。 2,OSRAM OSRAM是世界第二大光电半导体制造商，产品有照明，传感器，和影像处理器。公司总部位于德国，研发和制造基地在马来西亚，约有3400名员工，2004年销售额为45.9亿欧元。 OSRAM最出名的产品是LED，长度仅几个毫米，有多种颜色，低功耗，寿命长 3,NICHIA 日亚化学，著名LED芯片制造商，日本公司，成立于1956年，开发出世界第一颗蓝色LED(1993年),世界第一颗纯绿LED(1995年),在世界各地建有子公司。 4,ToyodaGosei ToyodaGosei丰田合成，总部位于日本爱知，生产汽车部件和LED，LED约占收入10%, 丰田合成与东芝所共同开发的白光LED，是采用紫外光LED与萤光体组合的方式，与一般蓝光LED与萤光体组合的方式不同。 5,Agilent 作为世界领先的LED供应商，其产品为汽车、电子信息板及交通讯号灯、工业设备、蜂窝电话及消费产品等为数众多的产品提供高效、可靠的光源。这些元件的高可靠性通常可保证在设备使用寿命期间不用再更换光源。安捷伦低成本的点阵LED显示器、品种繁多的七段码显示
LED芯片知识大全：分类,制造,参数(精)
LED 芯片知识大全：分类，制造，参数我们在买灯具的时候，经常会听说LED 芯片，那么，LED 芯片究竟是什么呢？下面就带着大家了解下。 LED 芯片也称为led 发光芯片，是led 灯的核心组件，也就是指的P-N 结。其主要功能是：把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。 半导体晶片由两部分组成，一部分是P 型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N 型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N 结。 当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P 区，在P 区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED 发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N 结的材料决定的。 分类 用途：根据用途分为大功率led 芯片、小功率led 芯片两种； 颜色：主要分为三种：红色、绿色、蓝色（制作白光的原料）； 形状：一般分为方片、圆片两种； 大小：小功率的芯片一般分为8mil 、9mil 、12mil 、14mil 等 片尺寸 大功率LED 芯片有尺寸为38*38mil，40*40mil，45*45mil等三种当然芯片尺寸是可以订制的，这只是一般常见的规格。mil 是尺寸单位，一个mil 是千分之一英寸。40mil 差不多是1毫米。38mil ，40mil ，45mil 都是1W 大功率芯片的常用尺寸规格。
理论上来说，芯片越大，能承受的电流及功率就越大。不过芯片材质及制程也是影响芯片功率大小的主要因素。例如CREE40mil 的芯片能承受1W 到3W 的功率，其他厂牌同样大小的芯片，最多能承受到2W 。 发光亮度 一般亮度：R(红色GaAsP655nm 、H(高红GaP697nm 、G(绿色GaP565nm 、Y(黄色GaAsP/GaP585nm、E(桔色GaAsP/GaP635nm等； 高亮度：VG(较亮绿色GaP565nm 、VY(较亮黄色GaAsP/GaP585nm、SR(较亮红色GaA/AS660nm； 超高亮度：UG ﹑UY ﹑UR ﹑UYS ﹑URF ﹑UE 等。 二元晶片(磷﹑镓：H ﹑G 等； 三元晶片(磷﹑镓﹑砷：SR(较亮红色GaA/AS660nm、HR(超亮红色 GaAlAs660nm 、UR(最亮红色GaAlAs660nm 等； 四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟：SRF(较亮红色AlGalnP 、HRF(超亮红色AlGalnP 、URF(最亮红色AlGalnP630nm 、VY(较亮黄色GaAsP/GaP585nm、 HY(超亮黄色AlGalnP595nm 、UY(最亮黄色AlGalnP595nm 、UYS(最亮黄色AlGalnP587nm 、UE(最亮桔色 AlGalnP620nm 、HE(超亮桔色AlGalnP620nm 、UG(最亮绿色 AIGalnP574nmLED 等。 衬底 对于制作LED 芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED 器件的要求进行选择。三种衬底材料：蓝宝石（Al2O3）、硅（Si ）、碳化硅（SiC ）。
LED芯片的发光原理与分类
LED芯片的发光原理与分类 一、LED历史 50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，1962年，通用电气公司的尼克何伦亚克（NickHolonyakJr.）开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。LED是英文light emitTIng diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，即固体封装，所以能起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。 最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。经红色滤光片后，光损失90%，只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中，Lumileds 公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。 二、LED芯片原理 LED（Light EmitTIng Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。