SI2302 N沟道MOS管中文数据资料.pdf
Si2302DS
Vishay Siliconix
N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
SI2302是二三极管的一种,属于增强模式场效应晶体管
SI2302
主要参数:
晶体管类型 :N沟道MOSFET 最大功耗PD : 1.25W
栅极门限电压VGS : 2.5V(典型值) 漏源电压VDS :20V(极限值) 20v 漏极电流ID:2.8A
通态电阻RDS(on):0.145ohm(典型值) 栅极漏电流IGSS:±100nA 结温:55℃to+150℃
替代型号:
封装:
SOT-23(TO-236)
WT-2302 WTC2302 SMG2302 CES2302 KI2302BDS
PRODUCT
V DS (V)
20
Max Unit
V
"100nA 1
m A
TYPICAL CHARACTERISTICS a i n C u r r e n t (A )
46
8
10
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
= 3.6 A
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