发展中的台湾半导体封装用载板产业

发展中的台湾半导体封装用载板产业
发展中的台湾半导体封装用载板产业

全球和中国半导体产业发展历史和大事记

全球和中国半导体产业发展历史和大事记 1947年,美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管,从而开创了人类的硅文明时代。 1956年,我国提出“向科学进军”,根据国外发展电子器件的进程,提出了中国也要研究半导体科学,把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业,共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授:北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元(北京大学微电子所所长)、工程院院士许居衍(华晶集团中央研究院院长)和电子工业部总工程师俞忠钰(北方华虹设计公司董事长)。 1957年,北京电子管厂通过还原氧化锗,拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年,中国相继研制出锗点接触二极管和三极管(即晶体管)。 1958年,美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路(IC)之后,发展极为迅猛,从SSI(小规模集成电路)起步,经过MSI(中规模集成电路),发展到LSI(大规模集成电路),然后发展到现在的VLSI(超大规模集成电路)及最近的ULSI(特大规模集成电路),甚至发展到将来的GSI (甚大规模集成电路),届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。 1959年,天津拉制出硅(Si)单晶。 1960年,中科院在北京建立半导体研究所,同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所(河北半导体研究所)。 1962年,天津拉制出砷化镓单晶(GaAs),为研究制备其他化合物半导体打下了基础。 1962年,我国研究制成硅外延工艺,并开始研究采用照相制版,光刻工艺。 1963年,河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。 1964年,河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。 1965年12月,河北半导体研究所召开鉴定会,鉴定了第一批半导体管,并在国内首先鉴定了DTL型(二极管――晶体管逻辑)数字逻辑电路。1966年底,在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主,还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。 1968年,组建国营东光电工厂(878厂)、上海无线电十九厂,至1970年建成投产,形成中国IC产业中的“两霸”。 1968年,上海无线电十四厂首家制成PMOS(P型金属-氧化物半导体)电路(MOSIC)。拉开了我国发展MOS电路的序幕,并在七十年代初,永川半导体研究所(现电子第24所)、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后,又研制成CMOS电路。 七十年代初,IC价高利厚,需求巨大,引起了全国建设IC生产企业的热潮,共有四十多家集成电路工厂建成,四机部所属厂有749厂(永红器材厂)、871(天光集成电路厂)、878(东光电工厂)、4433厂(风光电工厂)和4435厂

一文看透中国半导体行业现状

一文看透中国半导体行业现状 2016-10-13 在中国近年来在半导体领域的重大投入和中国庞大市场的双重影响下,中国半导体在全球扮演的的角色日益重要。国际社会上很多观察家在把中国看成一个机会的同时,也同时顾虑到中国半导体崛起带来的威胁。但有一点可以肯定的是,近年来中国半导体玩家频频露面知名国际会议,已经制造了相当程度的全球影响力。 自从中国宣布建立千亿的投资基金,挑战全球半导体霸主的地位。业界的巨头们都在思考并谨慎防御中国的半导体野心。 考虑到中国庞大的国内市场和本土业者的技术悟性”,还有中国近几十年来所缔造的电子生产龙头地位,再加上近年来在各个领域的深入探索。你就会明白为什么中国对发展相对滞后的硅产业如此重视。 据我们预测,到2020 年,中国会消耗世界上55%的存储、逻辑和模拟芯片,然而当中只有15%是由中国自身生产的,和多年前的10%相比还是有了一定比例的提升。但是供需之间的差距仍然在日益扩大。 中国想在全球半导体产业中扮演一个重要角色,为本土生产的智能手机、平板等消费电子设备,工业设备制造更多国产的微处理器芯片、存储和传感器,能够满足本土电子产业的需求甚至还展望可以出口相关元器件。 在这种目标的指导下,中国在全国已经开发了好几个半导体产业群(图1),且在未来十年内,国家和地方政府计划额外投资7200亿人民币(1080亿美金)到半导体产业。这些投资除了满足消费和工业需求外,还会兼顾到中国在通信、安全等工业,以求减少对国际半导体的依赖。 图1 :中国半导体的全国分布图

但据我们观察,中国半导体要崛起首先面临的第一个障碍就是目前中国大部分项目都是和已存在的公司合作,追逐市场的领先者和落后者,考虑到他们的目标、技术需求和国外政府对其的限制等现状。许多的中国公司已经释放出了一种信号一一那就是想投资更多的跨国半导体公司。最近的频频示好,也让中国半导体斩获不少。 在2016年1月,贵州政府出钱和高通成立了一家专注于高端服务器芯片生产的公司华芯通,合资公司中贵州政府所占的比例为55% ;另外,清华紫光集 团也给台湾的Powertech (力成)投资了6亿美金,成为后者的第一大股东。 力成成立于1997年,是全球第五大封测服务厂,美国存储生产商金士顿为其重要股东,原持股比例约3.83%,并拥有四席董事席位,台湾东芝半导体也拥有一席,在增资后股份以及董事席次估计都会有所更动。力成在营运业务上主要 专注在存储IC封测。这次投资体现了紫光和中国大陆对存储产业的决心。 早前,紫光还想买下西部数据和美光,但受限于美国监管局,这两笔交易最后只能夭折。虽然困难重重,但展望不久的将来,中国半导体业势必会发起更多并购,让我们拭目以待。 对于国际上的半导体玩家而言,中国半导体的雄心壮志有时候会让他们望而生畏。 考虑到中国庞大的市场、雄厚的资本和追求经济增长的长久目标,这就要求这些跨国公司在中国需要制定更清晰的策略。当然,这并不是说全球半导体玩家在和中国打交道的时候缺乏影响力和议价能力。 其实参考中国以往进入新市场的表现,结果是喜忧参半的。他们的国有公司政府组织会根据竞争者的状况和市场现状采取不同的策略。考虑到中国半导体目 标和他们进入国际市场的困难重重,展望未来他们还是会持续保持和跨国公司的合作,并在此期间培育自己的企业和产业。 中国抢占市场的方式 在对中国半导体并购策略了解之前,我们先了解一下中国抢占市场的惯用方

半导体产业介绍

半导体整个生态链 主要分为:前端设计(design),后端制造(mfg)、封装测试(package),最后投向消费市场。 不同的厂商负责不同的阶段,环环相扣,最终将芯片集成到产品里,销售到用户手中。半导体厂商也分为2大类,一类是IDM (Integrated Design and Manufacture),包含设计、制造、封测全流程,如Intel、TI、Samsung这类公司;另外一类是Fabless,只负责设计,芯片加工制造、封测委托给专业的Foundry,如华为海思、展讯、高通、MTK(台湾联发科)等。 前端设计是整个芯片流程的“魂”,从承接客户需求开始,到规格、系统架构设计、方案设计,再到Coding、UT/IT/ST(软件测试UT:unit testing 单元测试IT: integration testing 集成测试ST:system testing 系统测试),提交网表(netlist或称连线表,是指用基础的逻辑门来描述数字电路连接情况的描述方式)做Floorplan,最终输出GDS(Graphics Dispaly System)交给Foundry做加工。由于不同的工艺Foundry提供的工艺lib库不同,负责前端设计的工程师要提前差不多半年,开始熟悉工艺库,尝试不同的Floorplan设计,才能输出Foundry想要的GDS。 后端制造是整个芯片流程的“本”,拿到GDS以后,像台积电,就是Foundry 厂商,开始光刻流程,一层层mask光刻,最终加工厂芯片裸Die。 封装测试是整个芯片流程的“尾”,台积电加工好的芯片是一颗颗裸Die,外面没有任何包装。从晶圆图片,就可以看到一个圆圆的金光闪闪的东西,上面横七竖八的划了很多线,切出了很多小方块,那个就是裸Die。裸Die是不能集成到手机里的,需要外面加封装,用金线把芯片和PCB板连接起来,这样芯片才能真正的工作。 台积电是目前Foundry中的老大,华为麒麟系列芯片一直与台积电合作,如麒麟950就是16nm FF+工艺第一波量产的SoC芯片。 半导体行业的公司具主要分为四类: 集成器件制造商IDM (Integrated Design and Manufacture):指不仅设计和销售微芯片,也运营自己的晶圆生产线。Intel,SAMSUNG(三星),东芝,ST(意法半导体),Infineon(英飞凌)和NXP(恩智浦半导体)。 无晶圆厂供应商Fabless:公司自己开发和销售半导体器件,但把芯片转包给独立的晶圆代工厂生产。例如:Altera(FPL),爱特(FPL),博通(网路器件),CirrusLogicCrystal(音频,视频芯片),莱迪思(FPL),英伟达(FPL),

半导体产业现状、发展路径与建议

半导体产业现状、发展路径与建议 摘要:在当前数字时代、智能时代,半导体无处不在,对科技和经济发展、社会和国家安全都有着重大意义。半导体产业属于高度资本密集+高度技术密集的大产业,经历了由美国向日本和美日向韩国、中国台湾的两次产业转移,每次转移均伴随着全球消费需求周期变化以及产业垂直精细化分工。而当前中国已成为全球最大的半导体消费国,同时也是全球消费电子制造中心,这会推动半导体产业进一步向中国移转。在已经到来的半导体行业第三次产业转移中,中国将成为最大获益者。准确把握半导体行业发展趋势,正确制定支持策略,对于半导体行业业务机遇、加强服务实体经济和科技创新的能力具有重要意义。 关键词:半导体产业;现状;发展路径;建议 1我国半导体产业的发展现状 1.1技术处于追赶期,仍有相当差距 据中国半导体行业协会统计,中国半导体呈现“设计-制造-封测”两头大中间小的格局。分领域看,国内芯片设计业增速最快,为27%,与美国等全球先进企业差距不断缩小。封测业因成本和市场地缘优势,发展相对较早,具有较强的国际竞争力。但是在制造方面,国内企业与全球先进水平还存在较大差距,难以掌握核心技术和关键元件,生产线采用的技术落后于国际先进水平至少一代,核心技术甚至要落后三代。例如,台湾地区就明令禁止向大陆相关工厂提供最尖端的生产工艺,只允许引进落后一代的技术。从芯片制造领域细分来看,目前处理器市场已有中国公司具备参与国际竞争的能力,但在存储芯片市场,国内企业几乎是一片空白。目前中国三大存储芯片企业——长江存储、合肥长鑫、福建晋华等正加紧建设存储芯片工厂,最快在2018年开始投产,不久的将来中国将成为与日韩比肩的存储芯片生产地。其中,规模最大的为紫光集团旗下的长江存储,主要采用3DNANDFlash技术;合肥长鑫、福建晋华则以DRAM存储芯片为主。 1.2中国半导体行业迎来黄金发展期 从行业趋势判断,中国半导体行业正面临前所未有的战略机遇,可谓是天时地利人和。天时,首先是摩尔定律已近极限,为后来者提供了追赶的空间。摩尔定律揭示了信息技术进步的速度,尽管这种趋势已经持续了超过半个世纪,摩尔定律仍应该被认为是观测或推测,而不是一个物理或自然法则。由于硅半导体的发展趋近物理极限,芯片性能不可能无限制翻番,其性能的提升越来越困难。当芯片发展到7纳米以后,发展速度会降低。在2013年年底之后,晶体管数量密度预计只会每三年翻一番,该定律一般预计将持续到2015年或2020年。而在向新的发展方向和领域突破时,半导体行业重新划定了新的起跑线,这为后来者提供了追赶的时机。其次,随着数字经济的发展,芯片不仅仅应用于电脑、手机,还包括云计算服务器,无人驾驶的智能汽车上,以及物联网上的芯片,芯片应用领域的迅速扩大,为后来者站稳市场脚跟创造了新的机会。地利,中国已经成为全球最大的半导体消费市场,本土化、国产化需求成倍增长。同时,中国芯片制造领域也在持续发力,经过多年自主创新和国际并购,在半导体行业积累了一定的技术和人才,在产业布局和个别环节上出现了具有一定竞争力的企业,为后续实现赶超和跨越式发展打下了良好基础。人和,中国具有稳定的政治环境和政策基础,支持半导体行业的发展已经被提升到国家战略高度,出台了明确的发展规划,在政策和资金上给予大力扶持。 1.3国家战略支持

【发展战略】我国半导体产业的现状和发展前景

五、半导体篇 ——我国半导体产业的现状和发展前景 电子信息产业已成为当今全球规模最大、发展最迅猛的产业,微电子技术是其中的核心技术之一(另一个是软件技术)。现代电子信息技术,尤其是计算机和通讯技术发展的驱动力,来自于半导体元器件的技术突破,每一代更高性能的集成电路的问世,都会驱动各个信息技术向前跃进,其战略地位与近代工业化时代钢铁工业的地位不相上下。 当前,世界半导体产业仍由美国占据绝对优势地位,日本欧洲紧随其后,韩国和我国台湾地区也在迅速发展。台湾地区半导体工业已成为世界最大的集成电路代工中心,逐步形成自己的产业体系。 我国的微电子科技和产业起步在50年代,仅比美国晚几年。计划经济时期,由于体制的缺陷和其间10年“文革”,拉大了和国际水平的差距。进入80年代,我国面对国内外微电子技术的巨大反差和国外对我技术封锁,我们没有能够在体制和政策上及时拿出有效应对措施。国有企业无法适应电子技术的快节奏进步,国家协调组织能力下降,科研体制改革缓慢,以致1980~1990年代我国自主发展半导体产业的努力未获显著效果。 “市场‘开放’后,集成电路商品从合法、不合法渠道源源涌入,集成电路所服务的终端产品,以整机或部件散装的形式,也大量流入,但人家确实考虑到微电子的战略核心性质,死死卡住生产集成电路的先进设备,不让进口,在迫使我们落后一截,缺乏竞争力的同时,又时刻瞄准我们科研与生产升级的潜力,把我们的每一次进步扼杀在萌芽状态,冲垮科技能力,从外部加剧我们生产与科研的脱节,迫使我们不得不深深依赖他们。……我们的产业环境又多多少少带有计划色彩,不能很快与国际接轨,其中特别是对微电子产业发展有重大影响的企业制度、资本市场、税收政策、科研体制等,又不适应市场经济要求,使得我们在国际竞争中缺乏活力”。1 20世纪90年代,我国半导体产业的增长速度达到30%以上,但其规模仅占世界半导体子产业的1%,仅能满足大陆半导体市场的不足10%。即使“十五”期间各地计划的项目都能如期实施,到2005年,我国半导体产业在世界上的份额,顶多占到2%~3%。自己的设计和制造水平和国际先进水平的差距很大,企业规模小、重复分散、缺乏竞争力,基本上是跨国公司全球竞争战略的附庸,自己的产业体系还没有成形。 我国半导体产业如此落后的现状,使得我国的经济、科技、国防现代化的基础“建筑在沙滩上”。在世界微电子技术迅猛发展的情况下,我国如不努力追赶,就会在国际竞争中越来越被动,对我国未来信息产业的升级和市场份额的分配,乃至对整个经济发展,都可能造成十分不利的影响。形势逼迫我国必须加快这一产业的发展。“十五”计划中,加快半导体产业的发展被放在重要地位,这是具有重大意义的。 发展中国家要追赶国际高科技产业的步伐,一般都会面临技术、资金、管理、市场的障碍。高科技的产业化是一个大规模的系统工程,需要科研和产业的紧密结合,以及各部门的有效协调,而这些都不是单个企业所能跨越得过去的。在市场机制尚未成熟到有效调动资源的情况下,高层次的组织协调和扶持是必需的。构建具有较高透明度的政策环境和市场环境。有助于鼓励高科技民营企业进入电路设计业领域,鼓励生产企业走规模化和面向国内市场自主开发的路子,形成产业群体。 1许居衍院士,2000年。

半导体产业的五大技术趋势

埃森哲:半导体产业的五大技术趋势 对于半导体公司来说,现在是最好的时机。 随着越来越多的公司发现新的方法使用一大批新兴技术——尤其是人工智能(AI)、增强现实(AR)和扩展现实(XR)以及区块链,来创造引人注目的新产品和改造他们的业务,这些新技术在各行业中的地位越来越突出。所有这些技术的核心在于驱动它们起作用的芯片上。事实上,整个科技世界比以往任何时候都更依赖于半导体行业的参与,为所有这些技术发挥其潜力提供必要的计算能力。这意味着半导体行业的巨大增长潜力。 我们的研究发现,就我们所确定的技术趋势而言,半导体行业占据着独特的位置。随着推动技术变革的芯片生产商的出现,半导体公司将看到对自身产品的巨大需求——因此,随着这些技术变得越来越普遍,它们将

推动更强劲的增长。此外,与其他行业的同行一样,半导体公司也会发现,这些趋势为它们利用技术重塑业务战略和运营开辟了新途径。 五大技术趋势 通过将自己融入整个社会,公司正在模糊商业和个人之间的界限,并为自己未来的发展开辟一条新的道路。如今,科技在我们的日常生活中根深蒂固,但它的影响范围比这更大:它正在重塑我们社会的各个部分。埃森哲今年的五大技术展望趋势,突显了技术的迅速进步,进而改善人们的工作和生活方式。 一.人工智能 人工智能的覆盖范围在整个社会都在不断扩大。事实上,在我们的研究中,90%的半导体高管认为,在未来三年内,每个人每天都会受到人工智能决定的直接影响。因此,任何想利用人工智能潜力的企业也必须承认其影响。 人工智能不同于传统软件。人工智能能够学习并做出自主决策,并不断进化。人工智能解决方案不是通过编程来采取具体行动,而是通过检查输入数据的样本和期望的结果来“学习”,然后创建一个新的算法模型,用于解决需要处理的新输入数据。 人工智能强大的力量意味着部署人工智能不再仅仅是为了完成既定任务而进行的训练。相反,公司需要“提高”它来作为企业负责任的代表和为社会作贡献成员的角色——被教导做出公正的决策并代表企业的核心价值观。他们还需要面对潜在的社会和责任问题,这将要求他们解释他们基

半导体产业链的状况分析

半导体产业链的分析 集成电路(IC)是由电晶体、二极管、电阻器、电容器等电路元件聚集在硅晶片上,形成完整的逻辑电路,用来计算、控制、判断或记忆资料等,是当今信息时代的核心技术产品。集成电路产业包括四个环节:IC设计、芯片制造、芯片封装、测试。 国际大厂多以上下游垂直整合的方式经营,而我国和台湾都是将资源集中于单一专业经营,再整合成完整的产业结构。 下面将从芯片制造(晶圆加工)、芯片封装两方面介绍目前国内外的发展情况。 一、全球IC(集成电路)产业的情况分析 1、晶圆加工 晶圆的制造是整个电子信息产业中最上游的部份,其发展的优劣,直接影响半导体工业。主要是通过涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,在硅晶片上制作电路及电子元件,如晶体管、电容、逻辑开关等。 2006年底,全球代工厂共产出8英寸硅片2270万片,产能利用率为88.7%, 个别领先厂商可能达到95%-98%。 据gartnar 的统计,全球前10大晶圆代工厂的市场占有率达91%,具体见下。而前4大晶圆代工厂的市场占有率就达80%,显示整体晶圆代工市场集中度仍高。其中,中国的中芯SMIC及华虹NEC分别列于第4位、第9位。 2006年全球前10大晶圆代工厂

晶圆代工厂可以划分为三个阵营: (1)、第一阵营只有台积电(TSMC),台积电拥有全球第一的产能,也拥有全球公认的最佳品质,因此,IC设计大厂都以台积电为代工厂首选。 (2)、第二阵营是联电(UMC)、中芯国际(SMIC)、特许(CHARTERED)

和IBM,这四家晶圆代工厂通常是IC 设计大厂的第二选择,中型设计公司的第一选择。这四家公司都有自己稳定的大客户,如下: (3)、第三阵营的厂家都有自己特别专长的领域,同时依托该地区的产业链发挥地区优势。 2、IC封装业

国内31家半导体上市公司

国内31家半导体上市公司排行 内容来源网络,由“深圳机械展(11万㎡,1100多家展商,超10万观众)”收集整理!更多cnc加工中心、车铣磨钻床、线切割、数控刀具工具、工业机器人、非标自动化、数字化无人工厂、精密测量、3D打印、激光切割、钣金冲压折弯、精密零件加工等展示,就在深圳机械展. 中国芯是科技行业近几年的高频词汇之一,代表着我国对于国内半导体发展的期许,提升和现代信息安全息息相关的半导体行业的自给率,实现芯片自主替代一直是我国近年来的目标。为实现这一目标,我国从政策到资本为半导体产业提供了一系列帮助,以期在不久的将来进入到全球半导体行业一线阵营。 半导体是许多工业整机设备的核心,普遍使用于计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等核心领域。半导体主要由四个组成部分组成:集成电路,光电器件,分立器件,传感器。半导体行业的上游为半导体支撑业,包括半导体材料和半导体设备。中游按照制造技术分为分立器件和集成电路。下游为消费电子,计算机相关产品等终端设备。 截至3月31日收盘,中国A股半导体行业上市公司市值总额为3712.3亿元,其中市值超过100亿元的公司有11家,市值超过200亿元的公司有4家,分别为三安光电、利亚德、艾派克、兆易创新,其中三安光电以652.1亿元的市值位居首。 详细排名如下: 三安光电 三安光电是目前国内成立早、规模大、品质好的全色系超高亮度发光二极管外延及芯片产业化生产基地,总部坐落于美丽的厦门,产业化基地分布在厦门、天津、芜湖、泉州等多个地区。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、化合物太阳能电池及Ⅲ

-Ⅴ族化合物半导体等的研发、生产和销售。是我国国内LED芯片市场市占高、规模大的企业,技术水平比肩国际厂商。 利亚德 利亚德是一家专业从事LED使用产品研发、设计、生产、销售和服务的高新技术企业。公司生产的LED使用产品主要包括LED全彩显示产品、系统显示产品、创意显示产品、LED 电视、LED照明产品和LED背光标识系统等六大类。 艾派克 艾派克是一家以集成电路芯片研发、设计、生产和销售为核心,以激光和喷墨打印耗材使用为基础,以打印机产业为未来的高科技企业。是全球行业内领先的打印机加密SoC 芯片设计企业,是全球通用耗材行业的龙头企业。艾派克科技的业务涵盖通用耗材芯片、打印机SoC芯片、喷墨耗材、激光耗材、针式耗材及其部件产品和材料,可提供全方位的打印耗材解决方案。 兆易创新 兆易公司成立于2005年4月,是一家专门从事存储器及相关芯片设计的集成电路设计公司,致力于各种高速和低功耗存储器的研究及开发,正在逐步建立世界级的存储器设计公司的市场地位。产品广泛地使用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及其周边、网络、电信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域。 长电科技 长电科技是主要从事研制、开发、生产销售半导体,电子原件,专用电子电气装置和销售企业自产机电产品及成套设备的公司。是中国半导体封装生产基地,国内著名的三极管制造商,集成电路封装测试龙头企业,国家重点高新技术企业。2015年成功并购同行业的新加坡星科金朋公司,合并后的长电科技在业务规模上一跃进入国际半导体封测行业的第一

中国半导体产业发展历史大事记

中国半导体产业发展历史大事记 1947年,美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管,从而开创了人类的硅文明时代。1956年,我国提出“向科学进军”,根据国外发展电子器件的进程,提出了中国也要研究半导体科学,把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业,共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授:北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。 1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元(北京大学微电子所所长)、工程院院士许居衍(华晶集团中央研究院院长)和电子工业部总工程师俞忠钰(北方华虹设计公司董事长)。 1957年,北京电子管厂通过还原氧化锗,拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年,中国相继研制出锗点接触二极管和三极管(即晶体管)。 1958年,美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路(IC)之后,发展极为迅猛,从SSI(小规模集成电路)起步,经过MSI(中规模集成电路),发展到LSI(大规模集成电路),然后发展到现在的VLSI(超大规模集成电路)及最近的ULSI(特大规模集成电路),甚至发展到将来的GSI(甚大规模集成电路),届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。 1959年,天津拉制出硅(Si)单晶。 1960年,中科院在北京建立半导体研究所,同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所(河北半导体研究所)。 1962年,天津拉制出砷化镓单晶(GaAs),为研究制备其他化合物半导体打下了基础。1962年,我国研究制成硅外延工艺,并开始研究采用照相制版,光刻工艺。 1963年,河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。 1964年,河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。 1965年12月,河北半导体研究所召开鉴定会,鉴定了第一批半导体管,并在国内首先鉴定了DTL型(二极管――晶体管逻辑)数字逻辑电路。1966年底,在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主,还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。 1968年,组建国营东光电工厂(878厂)、上海无线电十九厂,至1970年建成投产,形成中国IC产业中的“两霸”。 1968年,上海无线电十四厂首家制成PMOS(P型金属-氧化物半导体)电路(MOSIC)。拉开了我国发展MOS电路的序幕,并在七十年代初,永川半导体研究所(现电子第24所)、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后,又研制成CMOS电路。 七十年代初,IC价高利厚,需求巨大,引起了全国建设IC生产企业的热潮,共有四十多家集成电路工厂建成,四机部所属厂有749厂(永红器材厂)、871(天光集成电路厂)、878(东光电工厂)、4433厂(风光电工厂)和4435厂(韶光电工厂)等。各省市所建厂主要有:上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体(一)厂、航天部西安691厂等等。

关于中国半导体产业发展的现状分析和趋势展望

关于中国半导体产业发展的现状分析和趋势展望 摘要:步入二十一世纪的第十个年头,伴随着中国经济实体的繁荣发展,中国的半导体产业即将进入产业大发展的战略机遇期,如何把握机遇更好更快的发展半导体产业成为了未来中国经济发展的重点之一。中国半导体设计、制造、封测共同发展,结构日渐优化,产业链逐步完善,形成了相互促进共同发展的良好互动的大好局面。然而,由于各式各样的原因,半导体产业同时也面临着种种困难和挑战,如何制定科学合理的发展战略则成为了产业发展的重中之重。总之,中国半导体产业的发展充满机遇和挑战。 关键词:半导体产业科学发展产业调整战略优化 正文: 一、中国半导体产业的现状及分析 中国的半导体市场需求强劲,市场规模的增速远高于全球平均水平。不过,产业规模的扩大和市场的繁荣并不表明国内企业分得的份额更大,相反,中国的半导体市场正日益成为外资公司的乐土。国内半导体公司的发展面临强大的压力,生存环境堪忧。从两大分支上看,分立器件由于更新换代较慢、对技术和制造的要求较低、周期性也不明显,因而更适合国内企业,加上国际低端分立器件产能的转移,国内企业能够在低端市场获得优势。而从产业链环节上看,我们相对看好设计业,认为本土设计公司有突破的可能。基于政策支持、市场需求和产能转移,我们判断半导体行业在国内有很大的增长潜力。 二、长三角半导体产业的集群效应 我国尤其是长三角地区的半导体产业在国际半导体产业转移过程中获得了极好的发展机会,半导体产业初步形成了有一定规模的半导体产业集群,大大地推动了长三角地区的产业结构升级和带动了地区经济的发展。目前长三角地区已经成为我国集成电路产业的重镇,在国际半导体产业版图也占有极其重要的一席之地。但是应该认识到,长三角地区的半导体产业集群还只是如低廉的劳动力成本、地方政府提供的土地与财税优惠政策等基本生产要素驱动所形成的。这种低层次生产要素无法构成我国半导体产业的长久竞争优势,很快就会被以低成本比较优势的后起之秀所取代。长三角地区目前已经具有较好的半导体产业集群基础,国内又有极为庞大的内需市场,在国际半导体产业大转型的产业背景下,我们应转变传统靠低成本比较优势来招徕产业投资的观念,而应积极建立促进半导体产业高层次生产要素产生的机制,来提升长三角地区半导体产业集群的国际竞争力。 There was favorable opportunity for semiconductor industry development in China, esp. the Changjiang River delta, during the global industry transferring. There is semiconductor industrial cluster in this area and it improves the industry structures greatly and drives the economy development. The Changjiang River delta has been being as the most important area of China Semiconductor industry and it also is important in global semiconductor market.But we have to say that the semiconductor industrial clusters in the Changjiang River delta is initiated by generalized factors such as low labor cost, privilege policy of finance and landing provided by local governments. These generalized factors cannot be the competitive strength in long term and will be replaced soon by other area with low-cost comparison strength. The Changjiang River delta has good foundation of semiconductor industrial clusters and there is a huge marketing, so we should take proactive actions to buildup the environment and system to encourage high-level factors generating for semiconductor industry, during the transforming time of industry. Only in this way, we can promote the global competitive strength of the semiconductor industry in the Changjiang River delta. 三、南昌半导体照明成为国家半导体照明工程产业化基地

半导体行业发展趋势分析

半导体行业发展趋势分析 新型计算架构浪潮推动,中国半导体产业弯道超车机会来临

核心观点: ●2018,半导体市场供需两旺,中国市场迎弯道超车机遇 需求端新市场新应用推动行业成长:1)比特币市场的火爆带动矿机需求快速增加,ASIC 芯片矿机凭借设计简单,成本低,算力强大等优势被大量采用。国内ASIC 矿机芯片厂商比特大陆、嘉楠耘智、亿邦股份自身业绩高增长的同时,其制造与封测环节供应商订单快速增长。2)汽车电子、人工智能、物联网渐行渐近,带动行业成长。供给端国内建厂潮加剧全球半导体行业资本开支增长,上游确定性受益。 ● 1 月半导体行情冰火两重天 A 股市场:18 年1 月以来(至1 月26 日)申万半导体指数下跌9.03%,半导体板块跑输电子行业5.9 个百分点,跑输上证综指16.59 个百分点,跑 输沪深300 指数17.72 个百分点;其中制造(-5.59%)>封装(-5.64%)> 分立器件(-5.66%)>存储器(-5.85%)>设计(-7.34%)>设备(-9.57%)> 材料(-11.17%);估值大幅回落。海外市场:费城半导体指数上涨6.79%,创历史新高,首次超过2001 年最高值;矿机及人工智能带动GPU 需求量增长,英伟达作为全球GPU 龙头深度受益,1 月以来(至1 月26 日)股价上涨22.14%;设备龙头整体上涨。 ●12 月北美半导体设备销售额创历史新高,存储芯片价格平稳波动 根据WSTS 统计,11 月全球半导体销售额达376.9 亿美金,同比增长21.5%,环比增长1.6%,创历史新高。其中北美地区半导体11 月销售额87.7 亿美金,同比增长40.2%,环比增长2.6%,是全球半导体销售额增长最快区域。分版块看,12 月北美半导体设备销售额23.88 亿美金,同比增长27.7%,环比增长16.35%,创历史新高;存储芯片价格1 月以来(至1 月26 日)价格 波动。 ●投资建议 我们认为国内IC 产业进入加速发展时期,由市场到核“芯”突破这一准则不断延续,从智能手机领域起步,未来有望在人工智能、汽车电子、5G、物联网等新兴市场实现加速追赶。本月重点推荐卡位新兴应用市场,业绩快速成长的华天科技、长电科技,建议关注通富微电;同时下游资本开支扩张带给上游设备领域的投资机会,建议关注北方华创、长川科技。

中国半导体材料行业市场调研报告

2011-2015年中国半导体材料行业市场调 研及投资前景预测报告 半导体材料是指电阻率在10-3~108Ωcm,介于金属和绝缘体之间的材料。半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料,支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展。电子信息产业规模最大的是美国。近几年来,中国电子信息产品以举世瞩目的速度发展,半导体材料及应用已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志。 中国报告网发布的《2011-2015年中国半导体材料行业市场调研及投资前景预测报告》共十六章。首先介绍了半导体材料相关概述、中国半导体材料市场运行环境等,接着分析了中国半导体材料市场发展的现状,然后介绍了中国半导体材料重点区域市场运行形势。随后,报告对中国半导体材料重点企业经营状况分析,最后分析了中国半导体材料行业发展趋势与投资预测。您若想对半导体材料产业有个系统的了解或者想投资半导体材料行业,本报告是您不可或缺的重要工具。 本研究报告数据主要采用国家统计数据,海关总署,问卷调查数据,商务部采集数据等数据库。其中宏观经济数据主要来自国家统计局,部分行业统计数据主要来自国家统计局及市场调研数据,企业数据主要来自于国统计局规模企业统计数据库及证券交易所等,价格数据主要来自于各类市场监测数据库。 第一章半导体材料行业发展概述 第一节半导体材料的概述 一、半导体材料的定义 二、半导体材料的分类 三、半导体材料的特点 四、化合物半导体材料介绍 第二节半导体材料特性和制备 一、半导体材料特性和参数 二、半导体材料制备

第三节产业链结构及发展阶段分析 一、半导体材料行业的产业链结构 二、半导体材料行业发展阶段分析 三、行业所处周期分析 第二章全球半导体材料行业发展分析 第一节世界总体市场概况 一、全球半导体材料的进展分析 二、全球半导体材料市场发展现状 三、第二代半导体材料砷化镓发展概况 四、第三代半导体材料GaN发展概况 第二节世界半导体材料行业发展分析 一、2010年世界半导体材料行业发展分析 二、2011年世界半导体材料行业发展分析 三、2011年半导体材料行业国外市场竞争分析 第三节主要国家或地区半导体材料行业发展分析 一、美国半导体材料行业分析 二、日本半导体材料行业分析 三、德国半导体材料行业分析 四、法国半导体材料行业分析 五、韩国半导体材料行业分析 六、台湾半导体材料行业分析 第三章我国半导体材料行业发展分析 第一节2010年中国半导体材料行业发展状况 一、2010年半导体材料行业发展状况分析 二、2010年中国半导体材料行业发展动态 三、2010年半导体材料行业经营业绩分析 四、2010年我国半导体材料行业发展热点 第二节2011年半导体材料行业发展机遇和挑战分析一、2011年半导体材料行业发展机遇分析

半导体封装前沿技术

最新封装技术与发展 芯片制作流程 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:DIP 封装(70 年代)->SMT 工艺(80 年代LCCC/PLCC/SOP/QFP)->BGA 封装(90 年代)->面向未来的工艺(CSP/MCM) 材料方面:金属、陶瓷->陶瓷、塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装 封装技术各种类型 一.TO 晶体管外形封装 TO (Transistor Out-line)的中文意思是“晶体管外形”。这是早期的封装规格,例如TO-92,TO-92L,TO-220,TO-252 等等都是插入式封装设计。近年来表面贴装市场需求量增大,TO 封装也进展到表面贴装式封装。 TO252 和TO263 就是表面贴装封装。其中TO-252 又称之为D-PAK,TO-263 又称之为D2PAK。D-PAK 封装的MOSFET 有3 个电极,栅极(G)、漏极(D)、源极(S)。其中漏极(D)的引脚被剪断不用,而是使用背面的散热板作漏极(D),直接焊接在PCB 上,一方面用于输出大电流,一方面通过PCB 散热。所以PCB 的D-PAK 焊盘有三处,漏极(D)焊盘较大。

二.DIP 双列直插式封装 DIP(DualIn-line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片,绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式,其引脚数一般不超过100 个。封装材料有塑料和陶瓷两种。采用DIP 封装的CPU 芯片有两排引脚,使用时,需要插入到具有DIP 结构的芯片插座上。当然,也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP 封装结构形式有:多层陶瓷双列直插式DIP,单层陶瓷双列直插式DIP,引线框架式DIP (含玻璃陶瓷封接式,塑料包封结构式,陶瓷低熔玻璃封装式)等。 DIP 封装具有以下特点: 1.适合在PCB (印刷电路板)上穿孔焊接,操作方便。 2. 比TO 型封装易于对PCB 布线。 3.芯片面积与封装面积之间的比值较大,故体积也较大。以采用40 根I/O 引脚塑料双列直插式封装(PDIP)的CPU 为例,其芯片面积/封装面积=(3×3)/(15.24×50)=1:86,离1 相差很远。(PS:衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1 越好。如果封装尺寸远比芯片大,说明封装效率很低,占去了很多有效安装面积。) 用途:DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。Intel 公司早期CPU,如8086、80286 就采用这种封装形式,缓存(Cache )和早期的内存芯片也是这种封装形式。 三.QFP 方型扁平式封装 QFP(Plastic Quad Flat Pockage)技术实现的CPU 芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100 以上。基材有陶瓷、金属和塑料三种。引脚中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。 其特点是: 1.用SMT 表面安装技术在PCB 上安装布线。 2.封装外形尺寸小,寄生参数减小,适合高频应用。以0.5mm 焊区中心距、208 根I/O 引脚QFP 封装的CPU 为例,如果外形尺寸为28mm×28mm,芯片尺寸为10mm×10mm,则芯片面积/封装面积=(10×10)/(28×28)=1:7.8,由此可见QFP 封装比DIP 封装的尺寸大大减小。 3.封装CPU 操作方便、可靠性高。 QFP 的缺点是:当引脚中心距小于0.65mm 时,引脚容易弯曲。为了防止引脚变形,现已出现了几种改进的QFP 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见右图);带树脂保护环覆盖引脚前端的GQFP;在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专用夹具里就可进行测试的TPQFP 。 用途:QFP 不仅用于微处理器(Intel 公司的80386 处理器就采用塑料四边引出扁平封装),门陈列等数字逻辑LSI 电路,而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。四.SOP 小尺寸封装 SOP 器件又称为SOIC(Small Outline Integrated Circuit),是DIP 的缩小形式,引线中心距为1.27mm,材料有塑料和陶瓷两种。SOP 也叫SOL 和DFP。SOP 封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28 等等,SOP 后面的数字表示引脚数,业界往往把“P”省略,叫SO (Small Out-Line )。还派生出SOJ (J 型引脚小外形封装)、TSOP (薄小外形封装)、VSOP (甚小外形封装)、SSOP (缩小型SOP )、TSSOP (薄的缩小型SOP )及SOT (小外形晶

对半导体产业的认识

对半导体及半导体产业的认识 专业:电子科学与技术 学号:0803040127 姓名:白雪峰

对半导体及半导体产业的认识 自从1947年美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管以来,全世界便走进了半导体文明的时代。经过将近70年的发展,人们已 经将半导体产业做的非常出色,给我们日常生活带来了巨大的改变和便利。历史上的每一次半导体产业的变革与发展,都将推进人类的进步,也将促进人类的文明发展。 本文将本人对半导体及半导体产业的一些认识和见解做一下浅 显的阐述,总结一下半导体的发展历史。 首先,让我们回顾一下世界上有关半导体的发展历史。 1833年,英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情 况不同于一般金属。一般情况下,金属的电阻随温度升高而增加,但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结,在 光照下会产生一个电压,这就是后来人们熟知的光生伏特效应,这是被发现的半导体的第二个特征。 1874年,德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的 方向有关,即它的导电有方向性,在它两端加一个正向电压,它是导通的;如果把电压极性反过来,它就不导电,这就是半导体的整流效应,也是半导体所特有的第三种特性。同年,舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。 1873年,英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光 电导效应,这是半导体又一个特有的性质。 半导体的这四个效应,虽在1880年以前就先后被发现了,但半 导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结 出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。 另一方面,就在点接触电晶体发明整整一个月后,肖特基想到使用PN接触面来制作面接触半导体,在肖特基的构想中,使用半导体两边的N型层来取代点接触半导体的金属针,然后调节中间P型层的电压,就能调控电子或空穴的流动,只是一种进步很多的半导体,也成为双极型半导体,但是由于当时的技术限制,无法生产制作出来。 1951年,WESTERN ELECTRIC公司开始生产商用的锗接点的半导体。1952年4月,WESTERN ELECTRIC、RAYTHEON、RCA、GE等公司开始生产商用的双极型半导体。1954年5月,第一颗以硅做成的半 导体才友美国的TI公司开发成功。与此同时,利用气体扩散来把杂 质参入半导体的技术也由贝尔实验室与GE公司研发出来。 1958年,德州仪器的Jack Kilby展示全球第一块集成电路IC,结束了10只能采用分立晶体管的历史。NEC成立日本第一个规模量产

相关文档
最新文档