NMOS

电子元件封装标准：TO-252

TO-252

封装外形：

TO-252

封装尺寸：

1标准技术参数

1标准技术参数我公司已认真逐项填写金属氧化物避雷器标准技术参数表（见表1）中投标人保证值，无空格，无“响应”两字代替，无改动招标人要求值。如有偏差，已填写投标人技术偏差表（见表7）。表1金属氧化物避雷器标准技术参数表表1（续）

注 1. 项目单位对表1中参数有偏差时，可在项目需求部分的项目单位技术偏差表（见表6）中给出，我公司已对表6响应。表6与表1中参数不同时，以表6给出的参数为准。 2. 参数名称栏中带*的参数为重要参数。如不能满足要求，将被视为实质性不符合招标文件要求。 3. 投标人可选择是否提供电压分布不均匀系数，若提供电压分布实测或计算结果，加速老化试验U c t可按实际不均匀系数计算，否则U c t=U c×(1+0.15H)，H为避雷器高度。 2项目需求部分

2.1 货物需求及供货范围一览表货物需求及供货范围一览表见表2。表2 货物需求及供货范围一览表 2.2 必备的备品备件、专用工具和仪器仪表供货表必备的备品备件、专用工具和仪器仪表供货表见表3。表3 必备的备品备件、专用工具和仪器仪表供货表 2.3 图纸资料提交单位经确认的图纸资料应由投标人提交投标人提交的须经确认的图纸资料及其接收单位（见表4）所列的单位。表4 投标人提交的须经确认的图纸资料及其接收单位 2.4 工程概况 2.4.1 项目名称：2011年度焦作供电公司自筹资金电网项目 2.4.2 项目单位：焦作供电公司 2.4.3 工程规模：安装150台避雷器 2.4.4 工程地址：沁阳市 2.4.5 交通、运输：汽运 2.5 使用条件使用条件表见表5。表5 使用条件

MOS管工作原理及其驱动电路

功率场效应晶体管MOSFET 技术分类：电源技术模拟设计 | 2007-06-07 来源：全网电子 1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的 MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 2.功率MOSFET的结构和工作原理功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET 主要是N沟道增强型。 2.1功率MOSFET的结构功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET 器件的耐压和耐电流能力。

IGBT驱动电路原理及保护电路

驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT.保证IGBT 的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，对IGBT驱动电路的基本要求如下： (1) 提供适当的正向和反向输出电压，使IGBT可靠的开通和关断。 (2) 提供足够大的瞬态功率或瞬时电流，使IGBT能迅速建立栅控电场而导通。 (3) 尽可能小的输入输出延迟时间，以提高工作效率。 (4) 足够高的输入输出电气隔离性能，使信号电路与栅极驱动电路绝缘。 (5) 具有灵敏的过流保护能力。第一种驱动电路EXB841/840 EXB841工作原理如图1,当EXB841的14脚和15脚有10mA的电流流过1us 以后IGBT正常开通，VCE下降至3V左右，6脚电压被钳制在8V左右，由于VS1稳压值是13V,所以不会被击穿，V3不导通，E点的电位约为20V,二极管VD,截止，不影响V4和V5正常工作。当14脚和15脚无电流流过，则V1和V2导通，V2的导通使V4截止、V5导通，IGBT栅极电荷通过V5迅速放电，引脚3电位下降至0V,是IGBT 栅一射间承受5V左右的负偏压，IGBT可靠关断，同时VCE的迅速上升使引脚6“悬空”.C2的放电使得B点电位为0V,则V S1仍然不导通，后续电路不动作，IGBT正常关断。如有过流发生，IGBT的V CE过大使得VD2截止，使得VS1击穿，V3导通，C4通过R7放电，D点电位下降，从而使IGBT的栅一射间的电压UGE降低 ,完成慢关断，实现对IGBT的保护。由EXB841实现过流保护的过程可知，EXB841判定过电流的主要依据是6脚的电压，6脚的电压不仅与VCE 有关，还和二极管VD2的导通电压Vd有关。

建筑配电设计全参数要求规范

市城市居住区供配电设施建设技术导则补充说明（讨论定稿）

前言《市城市居住区供配电设施建设技术导则（试行）》于2009年发布执行，截止2017年，该技术导则在指导我市有关居住区供配电设施建设过程中发挥了重要的作用。为满足社会经济发展对供电可靠性不断增长的需要、促进小区供配电设施与国家能源发展战略相协调, 结合贯彻配电网建设标准化、智能化的要求，根据我市经济发展以及配电网现状，本着以人为本、安全经济、实用可靠、适度超前的原则,在不违背原有技术导则的前提下，对原技术导则进行补充说明。本次补充说明的主要容是： 1、补充、更新了部分规性引用文件。 2、新增了部分术语和定义。 3、根据市地理位置及电力负荷增长的需求，对配电容量配置原则进行了调整；新增了地下车库有充电桩时的容量配置要求；新增了低压干线及分接表箱电缆截面配置原则；细化了公用变电所的供电围。 4、根据电力用户对供电可靠性的需求，新增了开关站双电源的接入，配套增加了备用电源自动投入装置。 5、根据不同小区建设规模及用电需求的不同，对原来居住区的典型供电方案进行了细化，明确了A、B等三类供电方式。 6、明确了居住区环网室、开关站、配电室的所址选择原则。 7、统一了开关站、环网室、配电室高低压柜等设备的选型原则，对高、低压电缆、

备用电源自动投入装置也进行了统一的要求。 8、新增了配电网自动化系统。 9、新增配套土建通道建设要求。

一、补充、更新的规性引用文件 GB 1094.1 电力变压器 GB/T 10228 干式变压器技术条件和要求 DL/T 404 户交流高压开关柜订货技术条件 GB/T 11022 高压开关设备和控制设备的技术要求 GB 1984 高压交流断路器 GB/T 22582 电力电容器低压功率因数补偿装置 GB 11032 交流无间隙金属氧化物避雷器 GB 16926 高压交流负荷开关熔断器组合电器 DL/T 728 气体绝缘金属封闭开关设备选用原则 GB 3906 3.6kV~40.5kV交流金属封闭开关设备和控制设备DL/T 5222 导体和电器选择设计技术规定 GB 3096声环境质量标准 GB 4208 外壳防护等级（IPB 代码） GB 311.1 高压输变电设备的绝缘配合 GB 50061 66kV 及以下架空电力线路设计规 GB 14049 额定电压10kV、35kV 架空绝缘电缆

MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用

MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用下面是我对MOS FET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。右图是这两种MOS管的符号。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。下图是MOS管的构造图，通常的原理图中都画成右图所示的样子。 (栅极保护用二极管有时不画)

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，如图所示。这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，在MOS管的驱动电路设计时再详细介绍。 2、MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS 可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。下图是瑞萨2SK3418的Vgs电压和Vds电压的关系图。可以看出小电流时，Vgs达到4V，DS间压降已经很小，可以认为导通。 3、MOS开关管损失

MOS管工作原理及其驱动电路

MOS管工作原理及其驱动电路 1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS 型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 2.功率MOSFET的结构和工作原理功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET 主要是N沟道增强型。 2.1功率MOSFET的结构功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

耳机设计的一些基本参数要求及规范

耳机设计的一些基本参数要求及测试规范一、耳机设计几个关键的尺寸：这几个关键尺寸的数据会关系到耳机佩戴的舒适性。 1、耳机头带的宽度尺寸：这个尺寸关系到头戴式耳机佩戴的贴耳性与头带夹持力，根据耳机类型的不同，具体的尺寸要求也有所不同：一般的小型的耳机（包括后带式耳机）该尺寸的要求：105~115mm，中型耳机： 115~130mm，大型耳机：140~150mm，尺寸的取数范围是头带两边与滑动臂连接的位置，此位置也是头带的最宽处； 2、耳机的头带高度尺寸：这个尺寸关系到耳机能适用不同大小头型的人的佩戴，尺寸范围是指耳机头带最顶部内侧到SP垫中心点的垂直距离，该尺寸要求也是根据不同类型的耳机有不同的具体要求：一般的小型耳机（包括后戴式耳机）：105~115mm，中型耳机：125~130mm，大型耳机：130~135mm； 3、耳壳之间的夹角尺寸：此尺寸会影响到耳机佩戴的舒适性和夹持力以及耳套的贴耳性，并会影响耳机的音质效果，这个尺寸是指两个SP垫之前形成的角度尺寸，一般头戴式耳机的夹角尺寸：50~60度，后戴式耳机尺寸； 4、滑动臂的抽拉尺寸：为了适应不同的人头高度，除了要求头带的高度还需要通过滑动的的拉伸来调节，以保障不同人佩戴的舒适度，一般滑动臂的抽拉尺寸：25~35mm 5、耳壳转动角度：有些耳机的外形决定了耳壳会有一定的转动角度，用来调节耳套的贴耳性，防止漏音。一般调节角度：5~7度。

6、咪杆转动角度：带咪耳机分为，固定咪、转动咪和隐藏式咪，转动咪的转动角度一般选择：120~125度。二、耳机设计需要注意的一些细节 1、滑动臂拉伸部分设计是应该要做成两个同心内切圆，以保证滑动臂抽拉的顺畅； 2、为了保证耳套固定的可靠性，要求SP垫的螺丝柱到边缘的距离不少于10mm；（这里指的是锁好SP垫以后再套耳套的情况） 3、SP垫的设计一定要充分保证喇叭声音能够出来，喇叭固定圈的台阶高度0.8~1.5mm。

H桥电路驱动原理(经典)

H桥电路驱动原理 2009年04月08日星期三上午 08:43 H桥电路驱动原理一、H桥驱动电路图4.12中所示为一个典型的直流电机控制电路。电路得名于“H桥驱动电路”是因为它的形状酷似字母H。4个三极管组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠（注意：图4.12及随后的两个图都只是示意图，而不是完整的电路图，其中三极管的驱动电路没有画出来）。如图所示，H桥式电机驱动电路包括4个三极管和一个电机。要使电机运转，必须导通对角线上的一对三极管。根据不同三极管对的导通情况，电流可能会从左至右或从右至左流过电机，从而控制电机的转向。图4.12 H桥驱动电路要使电机运转，必须使对角线上的一对三极管导通。例如，如图4.13所示，当Q1管和Q4管导通时，电流就从电源正极经Q1从左至右穿过电机，然后再经 Q4回到电源负极。按图中电流箭头所示，该流向的电流将驱动电机顺时针转动。当三极管Q1和Q4导通时，电流将从左至右流过电机，从而驱动电机按特定方向转动（电机周围的箭头指示为顺时针方向）。

图4.13 H桥电路驱动电机顺时针转动图4.14所示为另一对三极管Q2和Q3导通的情况，电流将从右至左流过电机。当三极管Q2和Q3导通时，电流将从右至左流过电机，从而驱动电机沿另一方向转动（电机周围的箭头表示为逆时针方向）。图4.14 H桥驱动电机逆时针转动二、使能控制和方向逻辑驱动电机时，保证H桥上两个同侧的三极管不会同时导通非常重要。如果三极管Q1和Q2同时导通，那么电流就会从正极穿过两个三极管直接回到负极。此时，电路中除了三极管外没有其他任何负载，因此电路上的电流就可能达到最大值（该电流仅受电源性能限制），甚至烧坏三极管。基于上述原因，在实际驱动电路中通常要用硬件电路方便地控制三极管的开关。图4.155 所示就是基于这种考虑的改进电路，它在基本H桥电路的基础上增加了4个与门和2个非门。4个与门同一个“使能”导通信号相接，这样，用这一个信号就能控制整个电路的开关。而2个非门通过

电磁阀驱动电路

设计文件（项目任务书）一、设计题目电磁阀驱动电路系统设计全程解决方案二、关键词和网络热点词 1．关键词电磁阀驱动光电耦合…… 2．网络热点词电动开关……….. 三、设计任务设计一个简单的电池阀驱动电路，通过按钮开关控制市场上的12V常闭电池阀打开和闭合。基本要求： 1）电路供电为24V； 2）电磁阀工作电压为12V； 3）带有光电耦合控制电路； 4）用发光二极管来区别、显示电磁阀的开关开关状态四、设计方案 1.电路设计的总体思路电磁阀驱动电路是各种气阀、油阀、水阀工作的首要条件，其作用是通过适当的电路设计，使电池阀能够按时打开或半打开，有需要控制阀以几分之几的规律打开之类的要求，应设计较精密的的驱动电路。我做的只是一个简单的驱动常闭电池阀全打开的简单驱动电路。通过光电耦合器控制三极管的导通，进而控制电磁阀的打开与闭合。电磁阀导通的同时，与之并联的LED灯也随之亮。来指示电磁阀正在工作。我们选用大功率管TIP122来控制电路的导通、截止，而且这里必须用大功率管，因为电磁阀导通时电流特别大。考虑到电磁阀断开时会有大股电流回流，这时则需要设置回流回路，防止烧坏元器件，我们这里采用大功率二极管1N4007 与电磁阀形成回流回路来消弱逆流电流的冲击。具体的电路图如下图1所示：

2、系统组成：

在设计整个电路前，我们应该先有个整体构思，建立一个整体框架，然后根据设计要求再逐步细化、设计每一个模块的具体电路，及工作原理。最后将各部分有机的连接到一起，形成一个完整的电路系统。完成项目任务。系统框图如下图2所示：图2 系统框图电磁阀驱动电路整个系统主要分两个部分：第一个部分：光电耦合器控制电路。我们都知道光电耦合器随着输入端电流的增加，其内部发光二极管的亮度也会增强，紧随着光电耦合器的输出电流就会跟着增大。光电耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接受、及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接受而产生光电流，再进一步放大后输出。这就完成了电-光-电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。而我们本电路只需要小电流，故我们加了两个10K限流电阻，产生足以驱动或打开后面的三极管的电流即可。具体电路见图3，其中J1接口外接24V正电源给系统供电。图3 开关电路原理图

焊接参数规范

焊接参数规范不同的板厚，应采用不同的焊接线能量进行焊接（焊接线能量过大会使焊缝热影响区软化以及接头冲击韧性降低，线能量过小又易导致产生冷裂纹）。输入线能量计算： Q=0.85×U×I×60/1000V 其中Q=输入线能量(KJ/mm)，U=电压(V)，I=电流(A)，V=焊接速度（m/min）。所示。焊接电流和焊接电压相匹配焊丝直径为0.8~1.2mm时，焊接电流与焊接电压的关系如图3 Q235和含碳量偏下限的Q345(16Mn)钢的过热敏感性不大，淬硬倾向亦较小，故焊接热输入一般不予限制，而含碳量偏高的Q345(16Mn)钢其淬硬倾向增加。为防止冷裂纹，焊接时，宜选用偏大一些的焊接热输入。由于Q235焊接性能良好，本规范对于Q235和Q345采用相同的焊接参数规范。 3.5. 4.1.1采用混合气体保护焊接角焊缝所推荐的工艺参数见表7（考虑到电缆电压损失和电流电压表不准的影响，电弧电压可根据焊缝成形和飞溅情况作微调）。表7 角焊推荐工艺参数

3.5. 4.1.2对接焊一般应开坡口，采用Ф1.2mm焊丝、混合气体保护焊所推荐的工艺参数见表8（考虑到电缆电压损失和电流电压表不准的影响，电弧电压可根据焊缝成形和飞溅情况作微调）。表8 不同板厚的对接焊推荐工艺表9 对接焊推荐工艺参数 3.6焊接典型接头焊接 3.6.1Q235钢及Q345钢典型接头推荐规范：对接焊：对接焊坡口如图5所示，每层不超过4mm，δ≤8的开V型坡口，焊接参数规范参见表10，

表10 6mm板开V型坡口对接焊规范表11 12mm板开X型坡口对接焊规范对接焊，δ＞10 表12 12mm板开K型坡口对接焊规范焊角＞8时，盖面层需多道焊，后道焊缝必须覆盖前道焊缝一半以上，具体层数根据焊角高决定。轴套与腹板的角焊缝成形应平缓过渡。

电机驱动电路详细经典

先给大家介绍个技术交流QQ群有什么不能搞好的可以大家交流 28858693 技术交流QQ群 H桥驱动电路原理 2008-09-05 16:11 一、H桥驱动电路图4.12中所示为一个典型的直流电机控制电路。电路得名于“H桥驱动电路”是因为它的形状酷似字母H。4个三极管组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠（注意：图4.12及随后的两个图都只是示意图，而不是完整的电路图，其中三极管的驱动电路没有画出来）。如图所示，H桥式电机驱动电路包括4个三极管和一个电机。要使电机运转，必须导通对角线上的一对三极管。根据不同三极管对的导通情况，电流可能会从左至右或从右至左流过电机，从而控制电机的转向。图4.12 H桥驱动电路要使电机运转，必须使对角线上的一对三极管导通。例如，如图4.13所示，当Q1管和Q4管导通时，电流就从电源正极经Q1从左至右穿过电机，然后再经 Q4回到电源负极。按图中电流箭头所示，该流向的电流将驱动电机顺时针转动。当三极管Q1和Q4导通时，电流将从左至右流过电机，从而驱动电机按特定方向转动（电机周围的箭头指示为顺时针方向）。

设备规范及主要参数

设备规范及主要参数 4.1设备规范设备名称：工业蒸汽供汽联箱型式：卧式设计参数： 1.5Mpa,400℃ 安装位置：厂区0m，露天数量：1台 4.2主要技术数据几何容积：?610mm，长约5.2米接口数量及型式：7个法兰接口，配供反法兰，配两只安全阀介质：蒸汽工作压力： 1.5Mpa 设计温度：400℃ 材质：Q345R 备注：工业蒸汽供汽联箱要配供1套固定支架、1套滑动支架和1套疏水装置，自动疏水阀采用电动真空阀，接口型式和位置以设计院要求为准。设备必须采用球形封头，不得采用平板封头。工业蒸汽供汽联箱接口尺寸及设备外形如下图：

疏水装置型式如下图：

4.3技术要求 4.3.1 投标方所提供的产品均应为通过试验的定型产品，并符合国家有关技术条件的规定。 4.3.2 设备的制造和加工应符合国家相关标准及行业标准,严格按压力容器有关标准生产、制造。 4.3.3 设备所使用材料的化学成分、机械性能及噪音、振动均应符合有关国家标准或部颁标准的规定。 4.3.4工业蒸汽供汽联箱应配装两只安全阀、自动疏水阀、手动疏水阀和放水阀并进行压力试验4.3.5 设备的出厂试验应按国家标准技术条件中规定的比例进行出厂试验，试验方法应符合有关规定。 4.3.6 设备外涂漆应符合压力容器涂漆技术条件的要求。 4.3.7 设备应采用球形（椭球形）封头，不得采用平板封头。 4.3.8 设备所供阀门和设备接口均应配供反法兰和相关连接附件. 4.3.9 设备一个支架为固定支架，另一个支架为滑动支架。 4.3.10投标方应保证所供设备及其附件的使用寿命为30年。 4.3.11 设备外形接口及支架形式安排生产前，应由设计院确认方可投料生产，但并不因此减少投标方对设备设计和制造质量的责任。 4.3.12 管道接口位置与设计院配合，按设计院的要求进行设置。 4.4仪表和控制要求（I&C） 4.4.1投标方提供工业蒸汽供汽联箱上的仪表及其连接件。提供就地压力表和温度计，并提供1个热电阻温度管座和压力变送器接口，热电阻和压力变送器由招标方另行采购。 4.4.2 就地压力表接口为25mm，表盘尺寸为Φ150。压力表配仪表管和一次门及附件。 4.4.3就地温度计应采用可抽芯的双金属温度计（万向型），表盘尺寸Φ150。温度计必须带套管。留有M27x2内螺纹热电阻温度管座，管座高度为70mm。 5.质量保证及考核试验 5.1 质量保证 5.1.1 投标方应满足本技术规范书所提出的技术要求。 5.1.2 投标方应向招标方保证所提供的设备是技术先进、成熟可靠且经国家鉴定合格的全新产品。并附有质量证明书，不得采用国家已公布的淘汰产品。在图纸设计和材料选择方面应准确无误，加工工艺无任何缺陷和差错。技术文件及图纸要清晰、正确、完整，能满足设备安装、启、停及正常运行和维护的要求。 5.1.3 投标方应具备有效方法，全面协调并负责其承包和委托分包出去的所有项目的质量和服务，均应符合本标书的要求。 5.1.5 招标方有权派代表到投标方制造工厂和分包及外购件工厂检查制造过程，检查按合同交付的货物质量，检验按合同交付的元件、组件及使用材料是否符合标准及其它合同上规定的要求，并

LED驱动电路原理

1-LED手电筒驱动电路原理市场上出现一种廉价的LED手电筒，这种手电前端为5～8个高亮度发光管，使用1～2节电池。由于使用超高亮度发光管的原因，发光效率很高，工作电流比较小，实测使用一节五号电池5头电筒，电流只有1 00 mA左右。非常省电。如果使用大容量充电电池，可以连续使用十几个小时，笔者就买了一个。从前端拆开后，根据实物绘制了电路图，如图1所示。图1 LED手电驱动电路原理图工作原理：接通电源后，VT1因R1接负极，而c1两端电压不能突变。VT1(b)极电位低于e极，VT1导通，VT2(b)极有电流流入，VT2也导通，电流从电源正极经L、VT2(c)极到e极，流回电源负极，电源对L充电，L储存能量，L上的自感电动势为左正右负。经c1的反馈作用，VT1基极电位比发射极电位更低，VT1进入深度饱和状态，同时VT2也进入深度饱和状态，即Ib>Ic/β(β为放大倍数)。随着电源对c1的充电，C1两端电压逐渐升高，即VTI(b)极电位逐渐上升，Ib1逐渐减小，当Ib1<=Ic1/β时，VT1退出饱和区，VT2也退出饱和区，对L的充电电流减小。此时．L上的自感电动势变为左负右正，经c1反馈作用。VT1基极电位进一步上升，VT1迅速截止，VT2也截止，L上储存的能量释放，发光管上的电源电压加到L上产生了自感电动势，达到升压的目的。此电压足以使LED发光。 2-自制高亮度白光LED灯高亮度白光LED灯(以下简称白光灯)具有光色好(与日光接近)，节能(电光转换效率远高于白炽灯，也高于荧光灯，是一种冷光源)，寿命长(寿命是荧光灯的几倍(白炽灯的几十倍),环保无污染的特点成为白炽灯和荧光灯的有力挑战者。但其不足之处是目前价格较高。目前，白光灯已发展到第二代；第一代白光灯的价格已大幅下降，Φ5白光灯的价格已降到0.25/只，拆机Φ5白光灯的价格为0.2／只，此价格已经可以接受。笔者不久前以每只0.16元的价格邮购了几十只拆机件Φ5白光灯，用它制作了几只照明灯，效新店开张件 2.75 市电220V 1.2W白光LED照明灯用一只易拉罐的球形罐底，用剪刀修圆，在上面钻出20个小孔，小孔的分布呈圆形，尽量制作得美观些，孔的大小以刚好能嵌入白光灯为度。每只白光灯的工作电压为3.0V～3.6V，4只白光灯串联组成一组，

天然大理石板材相关技术参数规范要求

材料应满足的规范要求除另有说明或得到设计单位同意外，地面铺装的物料和施工应符合本设计施工图要求及中华人民共和国有关国家标准及项目工程当地地方标准，主要依据包括： 1、规范《建筑装饰装修工程质量验收规范》（GB50210—2001）《建筑内部装修设计防火规范》（GB50222—95）天然花岗石及石板地面的实施应满足GBJ300—88 其他相关规范和规定及济南市相关行业标准 2. 执行标准 a. GB 191-2000包装储运图示标志； b. GB 9966.1-2001 天然饰面石材试验方法干燥、水饱和、冻融循环后压缩强度试验方法； c. GB 9966.2-2001 天然饰面石材试验方法弯曲强度试验方法； d. GB 9966.3-2001 天然饰面石材试验方法体积密度、真密度、真气孔率、吸水率试验方法； e. GB 9966.5-2001 天然饰面石材试验方法镜面光泽度试验方法。 f. GB 6566-2001 建筑材料放射性核素限量材料基本技术参数要求天然大理石的质量通用要求允许偏差值序号项目优等品 1 长度0～-1.0 2 厚度（不含背胶）+0.5,-1.5

允许偏差值序号项目优等品 3 平面度( 板材长度〉=800，〈1000 ) ≤0.7 4 角度（板材长度〉400）≤0.5 5 裂纹不允许缺棱（长度不超过8㎜，宽度不超过3㎜，每米长不允许6 允许个数（个））缺角（沿板材边长顺延方向，长度≤3㎜，宽度≤3 7 不允许㎜，每块板允许个数（个））色斑（面积不超过6㎝2每块板允许个数（个））不允许8 （面积不超过2㎝2不计） 9 砂眼（直径2㎜以下，每块板允许个数（个））不允许 10 镜面板材镜向光泽值≥85 11 体积密度（g/㎝3）≥2.6 12 吸水率（%）≤0. 5 13 干燥压缩强（Ｍｐａ）≥50 14 干燥（水饱和）弯曲强度（Ｍｐａ）≥7 15 耐磨度（１／㎝3）≥10 镭－226、钍－232、钾－40的放射性比活度内照 ≤1 16 射指数（IRA）镭－226、钍－232、钾－40的放射性比活度内照 ≤1.3 17 射指数(Ir)

电磁阀驱动电路(完整资料).doc

【最新整理，下载后即可编辑】设计文件（项目任务书）一、设计题目电磁阀驱动电路系统设计全程解决方案二、关键词和网络热点词 1．关键词电磁阀驱动光电耦合…… 2．网络热点词电动开关……….. 三、设计任务设计一个简单的电池阀驱动电路，通过按钮开关控制市场上的12V常闭电池阀打开和闭合。基本要求： 1）电路供电为24V； 2）电磁阀工作电压为12V； 3）带有光电耦合控制电路； 4）用发光二极管来区别、显示电磁阀的开关开关状态四、设计方案 1.电路设计的总体思路电磁阀驱动电路是各种气阀、油阀、水阀工作的首要条件，其作用是通过适当的电路设计，使电池阀能够按时打开或半打开，有需要控制阀以几分之几的规律打开之类

的要求，应设计较精密的的驱动电路。我做的只是一个简单的驱动常闭电池阀全打开的简单驱动电路。通过光电耦合器控制三极管的导通，进而控制电磁阀的打开与闭合。电磁阀导通的同时，与之并联的LED灯也随之亮。来指示电磁阀正在工作。我们选用大功率管TIP122来控制电路的导通、截止，而且这里必须用大功率管，因为电磁阀导通时电流特别大。考虑到电磁阀断开时会有大股电流回流，这时则需要设置回流回路，防止烧坏元器件，我们这里采用大功率二极管1N4007与电磁阀形成回流回路来消弱逆流电流的冲击。具体的电路图如下图1所示：

图1

2、系统组成：在设计整个电路前，我们应该先有个整体构思，建立一个整体框架，然后根据设计要求再逐步细化、设计每一个模块的具体电路，及工作原理。最后将各部分有机的连接到一起，形成一个完整的电路系统。完成项目任务。系统框图如下图2所示：图2 系统框图电磁阀驱动电路整个系统主要分两个部分：第一个部分：光电耦合器控制电路。我们都知道光电耦合器随着输入端电流的增加，其内部发光二极管的亮度也会增强，紧随着光电耦合器的输出电流就会跟着增大。光电耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接受、及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接受而产生光电流，再进一步放大后输出。这就完成了电-光-电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。而我们本电

PID参数规范

水轮机调速器的PID调节规律魏守平华中科技大学水电与数字化工程学院博导、教授 (发表在：水力发电学报 2003。4) 摘要：本文根据水轮机调节系统的特点分析了PID调节规律在水轮机调速器中的具体应用及PID参数的选择，指出现代水轮机调速器中的主导调节规律还是PID调节。关键词：水轮机电液调速器PID调节PID参数并联式结构串联式结构引言国内外水轮机数字式电液调速器均采用PID或以PID为基础的调节规律【1】。在PID 调节中，又有并联PID和串联PID（即频率微分＋缓冲式）两种基本结构。国内生产厂家均采用并联结构，近几年从国外进口的大型机组的调速器则大多采用串联结构。近年来，国内外都在进行自适应控制、模糊控制等调节规律在水轮机调节中应用的仿真研究与应用探索，取得了一些初步理论结果，但尚无采用这些调节规律的数字式电液调速器在水电站试验成功的报道。 1.水轮机调速器的调节规律 1．1水轮机调节系统的特点水轮机调节系统是一个闭环自动控制系统，除具有闭环系统固有的特征外，还具有以下特点： 1）存在水流惯性时间常数Tw，即有引水系统水锤效应，使系统成为一个非最小相位系统； 2）存在机组惯性时间常数Ta ，使调节系统有一个Ta＝（2～15）秒的惯性环节； 3）机组型式的多样性（混流式、轴流式、贯流式…）导致的特性差异，水轮机功率对于水头及导叶开度的非线性特性，机组空载、并入大网和孤立等运行工况的不同性能要求，使其成为一个复杂的非线性系统。 1．2 水轮发电机组不同运行工况对调速器的主要技术要求 GB/T 9652.1 1997 对于调速器性能和功能要求已作了明确详细的规定，水轮机调速器应满足其要求【3】。从水电站当前的运行实践看，机组不同运行工况对水轮机调速器的主

常用电机驱动电路及原理

由于本人主要是搞软件的，所以硬件方面不是很了解，但是为了更好地相互学习，仅此整理出一份总结出来，有什么错误的地方还请大家积极的指出！供大家一起参考研究！我们做的智能小车，要想出色的完成一场比赛，需要出色的控制策略！就整个智能车这个系统而言，我们的被控对象无外乎舵机和电机两个！通过对舵机的控制能够让我们的小车实时的纠正小车在赛道上的位置，完成转向！当然那些和我一样做平衡组的同学不必考虑舵机的问题！而电机是小车完成比赛的动力保障，同时平衡组的同学也需要通过对两路电机的差速控制，来控制小车的方向！所以选一个好的电机驱动电路非常必要！常用的电机驱动有两种方式：一、采用集成电机驱动芯片；二、采用MOSFET和专用栅极驱动芯片自己搭。集成主要是飞思卡尔自己生产的33886芯片，还有就是L298芯片，其中298是个很好的芯片，其内部可以看成两个H桥，可以同时驱动两路电机，而且它也是我们驱动步进电机的一个良选！由于他们的驱动电流较小（33886最大5A持续工作，298最大2A持续工作），对于我们智能车来说不足以满足，但是电子设计大赛的时候可能会用到！所以想要详细了解他们的同学可以去查找他们的数据手册！在此只是提供他们的电路图，不作详细介绍！ 33886运用电路图

下面着重介绍我们智能车可能使用的驱动电路。普遍使用的是英飞凌公司的半桥驱动芯片BTS7960搭成全桥驱动。其驱动电流约43A，而其升级产品BTS7970驱动电流能够达到70几安培！而且也有其可替代产品BTN79 70，它的驱动电流最大也能达七十几安！其内部结构基本相同如下：每片芯片的内部有两个MOS管，当IN输入高电平时上边的MOS管导通，常称为高边MOS管，当IN输入低电平时，下边的MOS管导通，常称为低边MOS 管；当INH为高电平时使能整个芯片，芯片工作；当INH为低电平时，芯片不工作。其典型运用电路图如下图所示： EN1和EN2一般使用时我们直接接高电平，使整个电路始终处于工作状态！

桩基规范参数总结

钻孔桩施工一些重要参数一、钻孔桩钻孔允许偏差和检验方法二、钻孔桩护筒应符合下列规定： 1、钢筋混凝土护筒可在水深不大的钻孔中使用，筒壁厚度一般为 8~10cm. 2、护筒内径应适当大于设计桩径，具体数值应根据采用的钻机类型确定。 3、护筒顶面宜高出施工水位或地下水位2m，并高出施工地面 0.5m，其高度尚应满足孔内泥浆面高度的要求。 4、在岸滩上护筒埋置深度：黏性土、粉土不宜小于1m，砂类土不宜小于2m，当表层土松软时，宜将护筒埋置在较坚硬密室的土层中至少0.5m；埋置时应在护筒四周回填黏土并分层夯实；可用锤击、加压或振动等方法下沉护筒。 5、在水中筑岛上的护筒，宜埋入河床面以下1m左右。在水中平台上设置护筒，可根据施工最高水位、流速、冲刷及地质条件等因素确定埋深，有冲刷影响的河床，护筒底宜进入一般冲刷线以

下不小于1.0m；在水中平台上下沉护筒，应有导向设备控制护筒位置。 6、护筒顶面中心与设计桩位允许偏差不得大于5cm，倾斜度不得大于1%。三、钻孔桩泥浆护壁应符合下列规定： 1、在砂类土、碎石类土或黏土夹层中钻孔时，应制备泥浆护壁；在黏性土中钻孔当塑性指数大于15，浮渣能力能满足施工要求时，可利用孔内原土造浆护壁；冲击钻机钻孔，可将黏土加工后投入孔中，利用钻头冲击造浆。 2、泥浆性能指标应符合下列规定：比重：正循环旋转钻机、冲击钻使用实心钻头时，孔底泥浆比重不宜大于：黏土、粉土 1.3；反循环旋转钻机入孔泥浆比重可为 1.05-1.15. 黏度：入孔泥浆黏度，一般地层为16-22s；松散易坍地层为19-28s。含砂率：新制泥浆不大于4%。胶体率：不小于95% Ph值：应大于6.5. 四、钢筋应符合下列规定： 1、焊接接头在受弯构件的受拉区不得大于50%，轴心受拉构件不得大于25%。 2、机械连接接头的受弯构件不应大于50%，轴心受拉构件不得大于25%。

回流焊工艺参数管理规范

回流焊工艺调试管理规程拟制日期审核日期批准日期

修订记录

目录 1 目的 (4) 2 适用范围 (4) 3 定义----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------4 4 职责---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------4 5 内容 (4) 5.1 回流炉回流曲线，红胶固化曲线工艺窗口定义------------------------------------------------------------------------------------4 5.2回流炉程序命名规则 (6) 5.3回流炉程序制作及优化 (6) 5.4回流炉程序的使用 (7) 5.5 回流炉温度的测试-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------8 5.6回流曲线的保存 (8) 6 注意事项 (8) 7 参考文档 (9) 8 补充说明 (9) 附回流炉标准程序参数设置表： (9)

MOS管工作原理及其驱动电路

功率场效应晶体管 MOSFET 1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的 MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 2.功率MOSFET的结构和工作原理功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET 主要是N沟道增强型。 2.1功率MOSFET的结构功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET 器件的耐压和耐电流能力。

H桥驱动电路原理

H桥驱动电路图1中所示为一个典型的直流电机控制电路。电路得名于“H桥驱动电路”是因为它的形状酷似字母H。4个三极管组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠（注意：图4.12及随后的两个图都只是示意图，而不是完整的电路图，其中三极管的驱动电路没有画出来）。如图所示，H桥式电机驱动电路包括4个三极管和一个电机。要使电机运转，必须导通对角线上的一对三极管。根据不同三极管对的导通情况，电流可能会从左至右或从右至左流过电机，从而控制电机的转向。图1 H桥驱动电路要使电机运转，必须使对角线上的一对三极管导通。例如，如图2所示，当Q1管和Q4管导通时，电流就从电源正极经Q1从左至右穿过电机，然后再经Q4回到电源负极。按图中电流箭头所示，该流向的电流将驱动电机顺时针转动。当三极管Q1和Q4导通时，电

流将从左至右流过电机，从而驱动电机按特定方向转动（电机周围的箭头指示为顺时针方向）。图2 H桥电路驱动电机顺时针转动图3所示为另一对三极管Q2和Q3导通的情况，电流将从右至左流过电机。当三极管Q2和Q3导通时，电流将从右至左流过电机，从而驱动电机沿另一方向转动（电机周围的箭头表示为逆时针方向）。图3 H桥驱动电机逆时针转动二、使能控制和方向逻辑

驱动电机时，保证H桥上两个同侧的三极管不会同时导通非常重要。如果三极管Q1和Q2同时导通，那么电流就会从正极穿过两个三极管直接回到负极。此时，电路中除了三极管外没有其他任何负载，因此电路上的电流就可能达到最大值（该电流仅受电源性能限制），甚至烧坏三极管。基于上述原因，在实际驱动电路中通常要用硬件电路方便地控制三极管的开关。图4 所示就是基于这种考虑的改进电路，它在基本H桥电路的基础上增加了4个与门和2个非门。4个与门同一个“使能”导通信号相接，这样，用这一个信号就能控制整个电路的开关。而2个非门通过提供一种方向输人，可以保证任何时候在H桥的同侧腿上都只有一个三极管能导通。（与本节前面的示意图一样，图4所示也不是一个完整的电路图，特别是图中与门和三极管直接连接是不能正常工作的。）图4 具有使能控制和方向逻辑的H桥电路采用以上方法，电机的运转就只需要用三个信号控制：两个方向信号和一个使能信号。如果DIR－L信号为0，DIR－R信号为1，