EM745FU16EU-55LF中文资料(Emerging Memory)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

文档标题

512K×8位超低功耗和低电压全CMOS静态RA M 修订记录

版本号0.0 0.1

历史

初稿草案

第2'草案加入无铅部件号

草案日期

5月25日,2003

2004年2月13日,

备注

初稿

特征

??????

工艺技术:0.18微米全CMOS 组织:512K×8位

电源电压:2.7V ?3.6V

低数据防护持电压:1.5V (最小值)三态输出和TTL 兼容封装类型:32 TSOP1

概述

该EM641FV8FT 系列由EMLSI 制造先进全CMOS 工艺技术.这些家庭支持工业级温度范围和芯片级

包装系统设计用户灵活性.这些家庭还支持低数据防护持电压低数据防护持当前电池备份操作.

产品系列

功耗

产品家庭

EM641FV8FT 操作温度

工业(-40?85o

C)Vcc Range

Speed 支持(I SB1,典型值)1μA 2)

操作

(I CC1.Max)3毫安

PKG 类型

2.7V~

3.6V

551)/ 70ns

32- TSOP1

1. The parameter is meas ured with 30pF tes t load.

2. Typical values are meas ured at Vcc=

3.3V, T

=25C and not 100% tes ted.

引脚说明功能框图

Pre-charge Circuit

Row S elect

32 - TSOP 类型1 - 前进

Memory Array 2048 x 2048

I/O Circuit Column Select

N ame C S OE A 0~A 18I/O 1~I/O 8

功能

片选输入输出使能输入地址输入数据输入/输出

N ame W E Vcc Vss N C

功能

写使能输入电源地面无连接

Control Logic

2

绝对最大额定值 *

参数

任何引脚相对于VSS电压供应相对Vss电压Vcc

功耗

工作温度符号

V IN, V OU T

V C C

P D

T A

额定值

-0.2 to Vcc+0.3(Max.4.0V)

-0.2 to 4.0V

1.0

-40到85

Unit

V

V

W

o C

*强调超过"绝对最大额定值"可能会造成永久性损坏设备.功能

操作应仅限于推荐工作条件.暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能会影响其可靠性.功能说明

CS H L L L OE

X

H

L

X

WE

X

H

H

L

I/O

高阻

高阻

数据输出

数据在

Mode

取消选择

输出禁用

Read

Write

Power

支持

活性

活性

活性

注:X表示不关心. (必须是高或低状态)

3

推荐直流工作条件1)

参数

电源电压

地面

输入高电压

输入低电压1.

2.

3.

4.符号

V C C

V SS

V IH

V IL

Min

2.7

2.2

-0.23)

Typ

3.3

-

-

Max

3.6

V C C+ 0.22)

0.6

Unit

V

V

V

V

TA = -40到85o C,另有说明

过冲:V CC在情况下脉冲宽度20ns+ 2.0V

冲:-2.0 V情况下,脉冲宽度为20ns

过高和过低采样,而不是100%测试.电容1)(f =1MHz, T A=25o C)

Item

输入电容

输入/输出继电器电容

1.电容进行采样,而不是100%测试符号

C IN

C IO

测试条件

V IN=0V

V IO=0V

Min

-

-

Max

8

10

Unit

pF

pF

DC及经营特色

参数输入漏电流

输出漏电流

工作电源符号

I LI

I LO I CC I CC1

平均工作电流

I CC2

输出低电压

输出高电压

待机电流(TTL)V OL

V OH

I SB

周期时间=最小,I IO=0毫安,100%关税,

C S= V IL ,V IN=V IL或V IH

I OL= 2.1m A

I O H= -1.0m A

C S=V IH,其他输入= V IH或V IL

C SV CC-0.2V,

V IN=V SS到V CC

C S=V IH或OE = V IH或W E = V IL, V IO=V SS到V CC

I IO=0毫安,C S = V IL, V IN= V IH或V IL

周期时间=1μs,100%关税,I IO=0m A,

C S0.2V, V I N IN V CC-0.2V

测试条件Min

-1

-1

-

-

55ns

70ns

-

-

-

2.4

-

LL

LF

Typ

-

-

-

-

-

-

-

-

-

Max

1

1

3

3

25

20

0.4

-

0.3

Unit

μA

μA

mA

mA

mA

V

V

mA

其他输入= 0?V CC

待机电流(CMOS)I SB1(典型值条件:V C C=3.3V @ 25o C)

(最大条件:V CC=3.6V @ 85o C)

-11)12μA

NOTES

1.典型值是在Vcc = 3.3V,T测量A=25o C和不是100%测试.

4

AC 工作条件

测试条件(测试

负载和测试输入/输出参考)

输入脉冲电平:0.4?2.2V 输入上升和下降时间为5ns 输入和输出参考电压:1.5V

输出负载(见右):CL = 100pF 电容+ 1 TTL

30pF + 1 TTL

1.包括范围和夹具电容

2. R 1=3070?,R 2=3150?

3.V TM =2.8V

CL 1)

=V TM 3)

R 12)

CL 1)

R 22)

读周期

(V cc = 2.7至3.6V,GND = 0V,T

A

= -40o C 至+ 85o C)

参数

读周期时间地址访问时间芯片选择输出输出使能以有效输出芯片选择到低阻抗输出输出使能为低阻抗输出芯片禁用高Z 输出输出禁用高Z 输出从地址变更输出防护持

符号

t RC t AA t co t O E t LZ t OLZ t HZ t OHZ t OH

55ns Min 55---1050010

Max -555525--2020-Min 70---1050010

70ns

Max -707035--2525-

Unit

ns ns ns ns ns ns ns ns ns

写周期

(V cc = 2.7至3.6V,GND = 0V,T

A

= -40o C 至+ 85o

C)参数

写周期时间片选到写结束地址建立时间地址有效写结束把脉冲宽度写恢复时间写入输出中高Z 数据写入时间重叠从写入时间数据防护持结束写入输出低Z

符号

t W C t CW t As t AW t W P t W R t W HZ t DW t DH t OW

55ns Min 554504540002505

--Max ------20

Min 706006050003005

70ns

Max ------20

Unit

ns ns ns ns ns ns ns ns --ns ns

5

相关主题
相关文档
最新文档