掺杂VO2薄膜的制备及其光电性质
万方数据
万方数据
杨子健等：棒杂ｖ０２薄捷的删静及其先电性质
阪糖对予＿泰掺杂薄膜发蹩了臻显熬改变，在３００。３３０℃照隰变筵这筠倍骥上，嚣澄霄掺豢襄榉螽电戳的焚化只有数倍。镯３中掺Ｔｉｖ０２薄膜的具体制备条件为：基底激殿为５００℃、钒靶射频功率２００Ｗ、镀靶功率５Ｗ、０２／（０２＋触）流量毖７。５％、预溅射时阉１５ｒａｉｎ、嚣积时鹣４０ｒａｉｎ。蠢魏，掺杂嚣元素爵敬鼗馨撵裹耱蜜翁薅薄膜毫疆率的变化幅度。
爨３掺嚣与未掺奄Ｖ虢薄骥豹毫驻。瀑麓黪链
＜膜厚１２５Ｉ蝴）
№．３Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ－ｔｅｍｐｅｒａｔｔｔｒｅｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅｏｆＴｔｗｄｏｐｅａｅｎｄｎｏｎ－ｄｏｐｅｄＶ０２ｍｉｎｅ
麓样寝室溢下，分粥黠３ｗ纛５Ｗ溅射磅率下繁掺杂熬ｖ０２薄貘逡褥了透射竞谱测试，缕果懿鬻４掰赤，５ｗ功率掺杂瓤静ｖ０２薄膜蹴３ｗ功率掺杂的薄膜透射率减小了４０％以上。逸熙因为Ｔｉ在ｖ侥耪燃孛起受圭凝疆嚣俸是，浓畿撼离（溅射勰察蜷夫≥，吸收作滕蠖疆，导致薄壤瓣瘫学透射攀降懿。
啊３Ｗ
＼Ｉ么～一。
甓５掣
，，√ｏ
．ｉ∥～∥“／
：｜。。
鲽４掺氍氧饱瓴薄膜妁ＩＩＶ－ＶＩＳ－１Ｖｆｌｉ透瓣礁谬
ｌ强。毒ｔ，浮－ＶＩＳ－ＮＩＲ掬椭辅畦稻ｍ∞ｓｌ＊ｅｌｍｍｏｆＴｉ．￡ｌｏｌ砖ｖ０２‰
２．４减小ｖ０２薄膜榴畿滞豫的方法
￥锄逶鬻运燕子巍激器美当孛，鬻熬裰交滞豫非喾小，徽蹬的器羚才筵艟灵敏。但怒熬警其本身黪戆蕨教王艺方嚣豹琴藏熬，裁褥豹Ｖ锡薄貘均存穰栩变潍豫的现象，镪称之为桷嶷的热滞圆
Ｆｅｂｒｕａｒｙ２００９线ｆ嘲。
减枣耱变游激变要毒嚣耱方法。蓠宠，掺杂对Ｖ０２薄膜的相变滞豫有较大的影响。多晶Ｖ０２薄膜巾的晶粒间界使黼糊转变受到影响，网而需要额外的热能去推动晶捆转交的传递，憾饿襁变越过晶弊＋这薤整餐耩变熊热漆禽线交宽。嚣蘧，可以在ｖ锡薄膜孛善ｌ入蕊囊蓑者受主杂质寒这黉孚缓鞠变滞豫区间的目的。熟次，大量实验数据表明，在石英肺基底上制备Ｖ０２薄膜难于结晶，化学组成不赫控制，未经热鲶磷的薄膜有很太的照格缺陷，薄膜密度较糸，存在魏澜不够黎密等，速瞧是产生较大襁变滞豫豹瓣西【１１．１２］。鲡蚕５新豕，燕处理嚣腊，薄膜重新结晶，原子在高温中溅激化，消除晶格缺陷使晶体趋予致密完美，薄膜激丽的晶粒变得嚣灏鞭太，生长墩糍燹基麓曼，在糊交过翟孛鑫粒黎倭楣变！站】，大大溅夺了楣变黪豫，热潦霹线对称梭也褥翻改善。
（ａ）退火精蝴避火后蘸５逡袅静魑ｖ０２薄貘表覆筵ｆ孚力鼹檄穗磐据
琢。ｓ鲥制ａｎａｌｙＢｅｓｆｏｒｓｕｄ３ｅｅ《Ｖ姨ｆｉｌｍｓ
３结论
零实验主要慕滕了妻流／射频徽投共溅射方法糍石英基瘫主镧备掺瓢、砖戆Ｖ魄薄骥，舅癸秘裁诧还覆法据比较，磁控共溅射滋积努法在掺杂薄貘魏潮备方嚣显承交了更好赘灵活毪藏可控佳。
同时也注意剃，在石英非晶衬底表面沉积Ｖ如鹣俸薄膜，其结赫憾溅难以准确控键，改善裁螽ｉ芑拳器有以下嚣个穷蕊：第一，溅射避程中盎予氧气参翻反应，鼗褪滤羲溅射，藏射过程孛。２撰痉豢幂够稳定，这就使褥薄貘表嚣戆葳疲不够均匀，嬲此可以在溅射避橙中适当增大供糍爨；第二，使鞴奄秘鹣王滓薄睇赫遴褥热瑟瑾。漆采豹王终主要羧农对掺杂工艺的避一步改善上，从豫得弼光电铸壤蹩优越ｖ０２薄膜。
（下转第１８８荑）
万方数据
砖黍：楚援囊往囔声臻蹑援耘藩嚣鳞霞谤
表１
国内外公司鬻熊产品性能对比
Ｔａｂ．１
ＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｃｏｍｏａｒｉｓｏｎｏｆｓｉｍｉｌａｒＯｒｏｃｌｕｅｔｓｉｎ
ｄｏｍｅｓｔｉｃａｎｄｆｏｒｅｉｇｎｅｏｍｐａｎｉｏｓ
童枣性能指标
生产ｖｃｃ／Ｉｃｅ
Ｓ—
厂家
墨号
ｓｖ／（Ｍ｝ｋ?△，／删ｌ
／（ｖ．ⅣＶ
ｆｄＢｃ?ＩＩＩ—ｌ
ｍ＾。１）
Ｖ。１１
０１０Ｉｄａ）
删Ｃ
Ｉ难Ｚ１５豁．Ａ１６ｓ７６—９１５５／２５
Ｏ．５一毒．５１６—１１５疑黼雕ａⅣ潞努Ｅ
粥－掰５胧ｅ．５—４，５２ｓ－１１３臻瓣
瞄嚣２－ｌ狰＋
Ｓ嚣一挠
锄６
§。５—４；５嚣一荔—１１５事：设静
Ｓ游一８４４
５／１８
１．寒一４。５
２２．５
—１１５
通过对毙，该设计邑达到阑际各大同类产品的水平。完全能够满足ＧｓＭ通信系统的使用要求，设计使用普通环氧板材，采用表面贴装工艺，成本低，人工调试量小，适合规模生产。该电路设计有很强的通用性，频率可扩展铡３０１）．２
０００
Ｍｍ的压
控振荡器，相位噪声可以满凰绝大部分通信系统设
（主蓑第１６７夏）
参考文麓：
［１］许曼，邱家穗，崔墩患，等．＝裁化钒薄膜微结构和光学
相变特性［Ｊ］．Ｊ
ｏｆ
Ｆｕ毗幽ｌｌａＩ№蝴ｉ幽，∞０７，鲳（卸１）：２１１－２１３．
［２］崔敬忠，达道安．ｍ热致变色薄膜的结构和光电特性
研究［Ｊ】．ＡＣＴＡＰｈｙＢｉｅａ
Ｓｔｎｉｅａ，１９９８，４７（３）：４５“６０．
［３］ＪＹＲＫＩ
Ｌ，ＳＡＮＩ＇ｒｌＪ
Ｈ，ＳＡＭＩ
Ｓ，蚍ａ１．Ｍｉｃｒ硼钿帅味ｄｅ删ｅｍ桶崛ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ
ＱＩ＂煽ｄｌｉｌｌ‰［Ｊ】．Ｓｅｎ∞ｍ耐
Ａｅｔ蝴；Ａ，２０∞，１４２（１）：２５嵇２５５．
［４】￥ＯＮＧ霹Ｌ，ＢＯＩｇＧｊ
Ｋ，琊攫０
ｗＬ，ｅｌ
ａ１．醚ｅ娃妇畦呦ｆ
姻强蘸交蛙卜妇矗ｌ∞ｄ
ｅｌ簿撼越∞。ｉ氇函啡涵硼掰庙避ｄｉｏｘｉｄｅ氇趣
嚣ｌｍ【嚣。ＡＰ￡，２０鹪，９２（搏）：１６２９０３．１．１６２９（ｒ３．３．
［５］事世风，宁桂玲，王舰，等．：赢化钒薄膜割备研究的最
新进展［Ｊ］．ｃｈｅ商ｃａｌｈ１．‰町ａ肭ｄ
ＥＩｌｇｉＩＩ咖Ｐ工。卵∞，
２００７，２６（６）：８１４－８１８．
［６】王利霞，李建平，何秀丽，等．纛氧化钒薄膜的低温制备
及其性能研究［Ｊ］．ＡｃＴＡｐｈ州ｃ＾ｓｉＩｄ龃，２００６，５５（６）：２８４６＿
２Ｓ５１．
【７】魁金城，鲁建韭．磁控溅射法溅镰二氧亿铤薄膜聂佳参
蠢嚣骚究【Ｊ】。Ａ１２＇Ｉ＇Ａ揪撼Ｓｉｎｉｅａ，２０∞，３２（１）：６５－６７。
【８】薮长瑭，寨嚣。二笺铑钒蘩貘裁餐及萁襁变橇瑾疆究分羲
【Ｊ】．ｖ矗御衄ｓｃｉ岛辨绷ｄ鹩硪蝴，勰ｌ，２１（６）：韬潲６。
［９】陈庆连，陈长琦，王君，等．Ｄｃ驻廒磁控溅射剩备ｖ毡薄
膜及ｘ娲分析【力．Ｊａｆ
Ｉｔｅｆｅｌ
ｔＪ“Ｗ啦ｙ
ａｆ
１锄ｈｏｌｏ盱
１８８半导体技术第３４豢第２期诗要求。参考文献：
【１］ｌｌＯｌｔＤＩｇ
ＵＬ．ＮＥＷＸｄｌｌＫＤ
Ｐ．无线应用射频微波电路设计
［Ｍ］。划光祜，张玉兴。译．北京：电子工业出版社。２００Ｉ‘：
５８７－６８７．
［２］ＩＮＤＥＲＢ，ＰＩｔＡｇＡＳｔｔＢ．微波固态电路设计（第麓版）［Ｍ】．
郑新，译．北京：电子工业出版社。２００６：３ｔ１．３５３．
【３】费笼褰，熬整伟，孙燕玲，等．微渡固态频翠滁壤谂设＿｝｝
纛鼹【鹾】。魏寒：国防工监篷藏桎，ｌ辫：１７４－２２７＋
《毅穰瑟期：２０鹪－ｌ承粥）
作者麓介：
村■（１９７３一），女，陕西蒲城入，硬士。主要从事计算机与通信科学方面的研究。
《№撼艇Ｓｅ融琳），２００５，瑟≤ｔｏ）：１２６０－１２６３。
【持ｊＡＮＧＵＳＧ，』ｋＢＢＡＳＭ，ＧＥＯＦＦＳ。曩％掣黜融ｌ糖ｄ哪侧Ｋ§哺ｅｅ《
删８ｎｄ协岫币。蛀弘ｏｐ硎∞ｉｎ
Ｖ氆撕ｍｌ娃幽ｔ嘲珥暇毗ｌｌ坤
黼蝴幽嘲［Ｊ】．ｃＩⅢｎＡｐｐｌｉｅｄｎ删∞，加喝，８（３４）．２２９－２３２．
［１１］田翳松。划金成，掌蕴东，等．二氧化钒薄膜的溅火缎分
变化殿光学特性研究［Ｊ】．ＩＪＢｗ‰ｈ咖蛐，２００５，２９（３）：
３３２－３３３。３３６．
［１２］ＳＵＮＪ
Ｙ。ｇＪＮＧＷＬ，Ｂ砌ＧＧｃ，ｅｌ越．Ｃｈｌｒ∽ｔｅ墒撕ｃｓ《
ＶＭ诚㈣ｄｉｏｘｉｄｅ盈ｍｓ
ｄｅｌｍｉｔｅｄ螃醛Ⅻ峭拄雌ｓｐｕｔｔｅｒ
蛳菇搬ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ瑚矗垮ｖ－辩通瓣琴畦【Ｊ】．鹣ｙ翻鑫：嚣。
２００８，４０３（５－９）；１３８１。１３８３。
［１３】郄境拇，李镶矧。二氧纯辘纳米粉俸秘薄貘豹剌惫授寒
【朝．ｃ槭ａｌＥｌＩｇ妇忸，２００５，４：３６－３８．
（收稿日期：２００８－０９．０２）
作者简介：
橱子ｔ（１姒一）．男．甘肃兰州人，在校研
究生，主要研究方向为嚣件妨瑗与器件掇爨；
描麓筑（１９酷一），男，出嚣运城人，教授，兰朔大学镌骤辩学等技术学腕徽墩子研究所所长。
２００９年２月
万方数据
掺杂VO2薄膜的制备及其光电性质
作者：杨子健， 杨爱国， 杨建红， 冯浩， 李冠斌， 崔敬忠， Yang Zijian， Yang Aiguo，Yang Jianhong， Feng Hao， Li Guanbin， Cui Jingzhong
作者单位：杨子健,杨爱国,杨建红,Yang Zijian,Yang Aiguo,Yang Jianhong(兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000)， 冯浩,李冠斌,崔敬忠,Feng Hao,Li Guanbin,Cui Jingzhong(兰州物
理研究所,兰州,730000)
刊名：
半导体技术
英文刊名：SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
年，卷(期)：2009,34(2)
参考文献(13条)
1.许旻;邱家稳;崔敬忠二氧化钒薄膜微结构和光学相变特性 2007(A01)
2.崔敬忠;达道安VO2热致变色薄膜的结构和光电特性研究[期刊论文]-Acta Physica Sinica 1998(03)
3.JYBKI L;SANTTU H;SAMI S Micrestructure dependent switching properties of V02 thin films 2008(01)
4.YONG W L;BONG J K;JJUNG W L Metal-insulator transition-induced electrical oscillation in vanadium dioxide thin film 2008(16)
5.丰世凤;宁桂玲;王舰二氧化钒薄膜制备研究的最新进展[期刊论文]-Chemical and Industry and Engineering Progress 2007(06)
6.王利霞;李建平;何秀丽二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究[期刊论文]-Acta Physica Sinica 2006(06)
7.刘金城;鲁建业磁控溅射法制备二氧化钒薄膜最佳参量的研究[期刊论文]-Acta Photonica Sinica 2003(01)
8.陈长琦;朱武二氧化钒薄膜制备及其相变机理研究分析[期刊论文]-Journal of Vacuum Science and Technology 2001(06)
9.陈庆连;陈长琦;王君Dc反应磁控溅射制备V02薄膜及 XPS 分析[期刊论文]-J of Hefei University of Technology(Natural Science) 2005(10)
10.ANGUS G;ABBAS M;GEOFF S Temperature dependence of optical and transport properties in VO2 with high temperature anomalies 2008(3-4)
11.田雪松;刘金成;掌蕴东二氧化钒薄膜的退火组分变化及光学特性研究[期刊论文]-laser technology 2005(03)
12.SUN J Y;JUNG W L;BYUNG G C Characteristics of vanadium dioxide films deposited by RF-magnetron sputter deposition technique using V-metal target 2008(5-9)
13.郑晓丹;李锦州二氧化钒纳米粉体和薄膜的制备技术[期刊论文]-Chemical Engineer 2005(04)
本文读者也读过(10条)
1.周影.吴志明.许向东.张一中.蒋亚东氧化钒薄膜的有机溶胶-凝胶制备及电学性能研究[期刊论文]-传感器世界2008,14(11)
2.孙健.甘朝钦.刘英.吴宗汉.Sun Jian.Gan Chaoqin.Liu Ying.Wu Zonghan VO2在V-P-Fe系CTR的相变偏移分析[期刊论文]-南京师范大学学报（工程技术版）2009,9(2)
3.李金华.袁宁一.谢太斌.但迪迪.Li Jin-Hua.Yuan Ning-Yi.Xie Tai-Bin.Dan Di-Di超高温度系数
V0.97W0.03O2多晶薄膜的制备研究[期刊论文]-物理学报2007,56(3)
4.陈宗广磁控反应溅射制备VO<,2>薄膜研究[学位论文]2005
5.丰世凤.宁桂玲.王舰.林源.FENG Shifeng.NING Guiling.WANG Jian.LIN Yuan二氧化钒薄膜制备研究的最新进展[期刊论文]-化工进展2007,26(6)
6.卢勇.林理彬.邹萍.何捷.卢铁城改变VO2薄膜光学性能的低注量电子辐照方法[期刊论文]-中国激光
2001,28(10)
7.彭红瑞.丁洁.李桂村.PENG Hong-rui.DING Jie.LI Gui-cun一维钼掺杂氧化钒纳米结构的制备及表征[期刊论文]-青岛科技大学学报（自然科学版）2010,31(3)
8.张可纳米VO<,2±x>粉体的制备和表面改性研究[学位论文]2006
9.胡永金.赵江.崔磊.滕玉永.曾祥华.HU Yong-jin.ZHAO Jiang.CUI Lei.TENG Yu-yong.ZENG Xiang-hua VO2晶体电子结构及其掺杂的第一性原理研究[期刊论文]-原子与分子物理学报2007,24(5)
10.任斌.陈卫.赖树明.黄河.REN Bin.CHEN https://www.360docs.net/doc/945742724.html,I Shu-ming.HUANG He导电聚苯胺复合膜的合成及性能分析[期刊论文]-材料科学与工程学报2006,24(5)
引用本文格式：杨子健.杨爱国.杨建红.冯浩.李冠斌.崔敬忠.Yang Zijian.Yang Aiguo.Yang Jianhong.Feng Hao. Li Guanbin.Cui Jingzhong掺杂VO2薄膜的制备及其光电性质[期刊论文]-半导体技术 2009(2)