水平冷壁 CVD 生长 4H2SiC 同质外延膜的研究

水平冷壁 CVD 生长 4H2SiC 同质外延膜的研究
水平冷壁 CVD 生长 4H2SiC 同质外延膜的研究

第26卷 第5期2005年5月

半 导 体 学 报

CHIN ESE J OURNAL OF SEMICONDUCTORS

Vol.26 No.5

May ,2005

高 欣 男,1972年出生,博士研究生,主要从事碳化硅半导体材料生长和器件的研究.Email :gaoxin @https://www.360docs.net/doc/9b8118438.html,

2004206209收到,2004208218定稿

ν2005中国电子学会

水平冷壁CV D 生长4H 2SiC 同质外延膜的研究

高 欣1 孙国胜1 李晋闽1 赵万顺1 王 雷1 张永兴2 曾一平1

(1中国科学院半导体研究所材料中心,北京 100083)

(2兰州大学物理学院,兰州 730000)

摘要:采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积(L PCVD )方法在偏向〈1120〉晶向8°的n 型4H 2SiC (0001)衬底上进行了同质外延生长.在513×103Pa 的低压下,外延膜生长速率超过3μm/h.电容2电压法测试表明在非有意掺杂外延膜中净施主浓度为814×1016cm -3.Nomarski 显微镜观察表明厚外延膜的表面光滑,生长缺陷密度很低.

A FM 测试显示表面均方根粗糙度为013nm ,没有观察到宏观台阶结构.Raman 谱线清晰锐利,表现出典型的4H 2SiC 特征.在低温PL 谱中,近带边区域出现很强的自由激子峰,表明样品是高质量的.

关键词:碳化硅;化学气相沉积;原子力显微镜;Raman ;光致发光

PACC :8160C ;6855;7855

中图分类号:TN30412+3 文献标识码:A 文章编号:025324177(2005)0520936205

1 引言

碳化硅(SiC )是一种很适合制作高压功率器件的材料.SiC 很高的击穿电场(~3MV/cm )允许制造击穿电压超过10kV 的低损耗功率器件[1].低掺杂厚外延膜的生长是制造高压SiC 器件中必不可少的技术.对于高压双极型器件,少数载流子必须有足够长的寿命,这就要求杂质浓度和缺陷密度尽可能低,同时厚外延膜的表面粗糙度也应当最小化.例如,为了制造5kV 的SiC 双极型器件,要求外延膜

厚度应当大于40

μm ,掺杂浓度应低于2×1015cm -3,载流子寿命应超过1

μs.另一方面,高纯高质量的厚SiC 薄膜对于研究材料的本征特性和与缺陷相关的特性也是非常重要的.

化学气相沉积(CVD )是生长器件级质量的SiC 外延膜的最常用的方法,常用的生长室结构有水平冷壁/热壁和垂直冷壁/热壁等反应器.目前,利用CVD 生长技术,SiC 外延膜的背景掺杂浓度可以降

低到017~2×1014cm -3[2~4]的水平.尽管SiC 外延技术越来越成熟,但在保持薄膜晶体质量和均匀性的前提下,提高薄膜生长率和厚度仍然是当前SiC 外延生长所面临的巨大挑战.本文报道了使用自行

设计的水平冷壁CVD 设备,成功地在4H 2SiC (0001)衬底上外延生长高质量的厚膜的结果.

2 实验

同质外延生长是利用低压化学气相沉积(L PCVD )的方法,在水平冷壁石英反应器中完成的.所用SiC 衬底是从Cree 公司购买的单面抛光偏向〈1120〉方向8°的4H 2SiC (0001)衬底,为氮(N )掺杂n 型,掺杂浓度为5×1018cm -3.反应气体为Si H 4和C 2H 4,流量均为015sccm (C/Si =2).H 2载气通过Ag 2Pd 纯化器净化,流量为3000sccm.反应室压力为513×103Pa.外延生长的温度为1500℃.薄膜生长前,衬底在1250℃的氢气中刻蚀30min 以清除表面的氧化物.

利用Nomarski 显微镜和原子力显微镜(A FM )观察外延膜的表面形貌.外延膜的净施主浓度通过对制造在外延膜上的MOS 电容器进行C 2V 测试获得.Raman 散射谱是鉴别SiC 薄膜多型情况的一种非常有效的技术,测试是在室温下完成的,采用背散射配置,激发光源为488nm 的氩离子激光.利用PL 谱技术分析了外延膜的结晶质量和杂质含量,激发光源为325nm 的He 2Cd 激光器,功率为10mW.

第5期高 欣等: 水平冷壁CVD 生长4H 2SiC 同质外延膜的研究

3 结果和讨论

外延生长15h ,外延膜的厚度大约为50

μm ,表明生长速率超过了3

μm/h.图1是该外延膜的C 2V 特征曲线.采用MOS 结构进行C 2V 特性测试,其结构图显示在图1的插图中.由此获得净施主浓度为814×1016cm -3,比我们使用同样设备获得的更薄的

外延膜杂质浓度明显降低.这是由于沉积室中吸附在石英管器壁和石墨托上的残余氮气随着生长时间的延长而逐步耗尽,因此杂质进入外延膜的浓度也随着厚度减少了.可以推测,随着外延膜厚度的增加,由于这种“烘烤”效应,杂质浓度会进一步降低.另外一个原因是本实验中513×103Pa 的低压对氮的掺杂效率起到了抑制作用[5~7],这可能是由于在低压下氮从生长表面解吸作用增强的缘故.此外,SiC 涂覆的纯净石墨托的使用也减少了其他杂质的掺入

.

图1 4H 2SiC 外延膜C 2V 特征曲线 插图为用于测试的MOS 电容器结构图

Fig.1 C 2V characteristic of 4H 2SiC epilayer.The MOS capacitor structure is shown in the inset

对于厚外延膜的生长,应当保持较低的生长坑密度和可允许的表面粗糙度.图2(a )是外延膜的

Nomarski 显微图.在所测量的范围(110

μm ×90

μm ),并没有观察到明显的生长坑,表明外延膜表面生长缺陷密度很低.这可能是由于生长前H 2的原位刻蚀,一方面清除了衬底表面抛光残留的划痕,抑制了Si 滴在划痕处的形成[8];另一方面,刻蚀使偏晶向的4H 2SiC 表面形成了微台阶(microstep )结构[9,10],更利于4H 2SiC 的台阶流(step flow )外延生长,同时由于台阶宽度的减小,也降低了其他多型体(例如立方相SiC )在台面的二维生长几率.图2(b )是外延膜的A FM 图.结果证实,外延过程是稳定的

台阶流生长,没有观察到宏观台阶(macrostep )结构

的形成,表面光滑.扫描范围为5μm ×5μm ,相应的均方根粗糙度为013nm.这么低的粗糙度与薄的外

延膜的粗糙度相当.在SiC 的(0001)生长面,表面缺陷和台阶结构会随着外延膜厚度的增加而变得越来

越显著[2,11],然而我们所获得50

μm 厚的外延膜的表面平滑如镜面,这说明(0001)面上生长的厚外延膜并不总是粗糙的.在长时间生长过程中,生长室中会出现许多小微粒,主要来自器壁和石墨托上的沉积物的再分解,它们落在外延膜表面会形成较大的缺陷.我们发现减小生长室压力,可有效地防止反应物在器壁和石墨托上的沉积.在本实验中较低的生长压力(513×103Pa )虽然降低了外延膜的生长速率,但却阻止了微粒的产生,样品表面没有观察到由微粒引起的缺陷

.

图2 (a )4H 2SiC 外延膜的Nomarski 显微图;(b )外延膜的A FM 图.扫描范围为5μm ×5

μm Fig.2 (a )Nomarski photograph of 4H 2SiC epilayer ;(b )A FM image of 4H 2SiC epilayer.Scanning area is

5μm ×5

μm 图3给出了外延膜和衬底的Raman 散射谱.如

图3(a )所示,主要的谱峰清晰锐利,为典型的4H 2SiC 特征峰[12].实验所获得的高质量的数据也允许

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半 导 体 学 报第26卷

观察到几个更弱的4H 2SiC 特征峰,例如位于

196cm -1和204cm -1附近的折叠的横声学模(F TA (1/2));位于266cm -1附近的F TA (1)模;位于610cm -1附近的折叠的纵声学模(FLA (1)).可以看出,外延膜和衬底的折叠纵光学模(FLO (0))的强度和谱峰位置差别很大,而其他模几乎相同.图3(b )给出的是外延膜和衬底的FLO (0)局部放大图.这种差别是由于在极性半导体中,纵光学(LO )声子与自由载流子的集合激发(Plasmo n )通过它们的宏观电场耦合(LOPC )造成的.该峰随着自由电子浓度的升高,向高频处漂移,同时谱峰不对称地加宽[13].在图3(b )中,衬底的FLO (0)峰明显向高频方向漂移而且谱峰不对称地加宽,对应的自由电子浓度为5×1018cm -3.而外延膜由于很低的掺杂浓度(814×1016cm -3),因此并没有观察到FLO (0)峰漂移和不对称加宽的现象,反过来,这也说明外延膜的载流子浓度很低

.

图3 (a )4H 2Si 外延膜的室温Raman 谱;(b )4H 2SiC 外延膜的LOPC 模的局部放大图

Fig.3 (a )Raman spectra of 4H 2SiC epilayer taken at room temperature ;(b )LOPC modes with an enlarged y scale to show detail

图4是4H 2SiC 外延膜在10K 时的近带边区域

PL 谱.所观察到的谱峰主要是自由激子峰(标记为

I 系列峰)和束缚在中性氮施主上的束缚激子峰(氮

占据4H 2SiC 六角位置时对应的激子峰标记为P 系列峰,占据立方位置时标记为Q 系列峰).自由激子和束缚激子的许多可能的声子伴线的谱峰能量差很小,它们可能会由于重叠在一起而不可分辨,而相对较高的10K 的测试温度(这是我们最低的测试温度),又增加了这些谱峰重叠的可能性.这里清晰可辨的谱峰是:零声子的Q 0峰和零声子的P 0峰的声子伴线P LA ,以及自由激子声子伴线,I TA 、I LA 和I TO 峰.在310~3115eV 之间的谱峰是自由激子的双声子伴线.

图4 4H 2SiC 外延膜的低温PL 谱

Fig.4 Low temperature PL spectrum of 4H 2SiC epi 2layer

可以看到,P 0峰几乎不能辨认,而它的声子伴

线P LA 却很强.这是由于激子弱束缚在占据六角位置的氮杂质上,因此与氮杂质直接发生相互作用而复合的几率远小于有声子参与的复合.这就是P 0峰很弱而它的声子伴线很强的原因.同时也由于P 0峰对应的激子束缚能很小,在10K 的温度下大部分受到激发而消失.另一方面,占据立方位置的氮杂质对激子的束缚作用更强,这使得激子与氮杂质直接交换多余动量的几率远比需要声子参与的几率更高.这就是Q 0很强而它的声子伴线几乎观察不到的原因.低温下与自由激子相关的发光峰的出现说明4H 2SiC 材料质量较高.当杂质浓度或晶体缺陷很多

时,自由激子可以束缚到这些杂质和缺陷上,也可以通过非辐射复合.而在更高质量和纯度的样品中,自由激子被缺陷和杂质束缚的几率变得更小,从而通过辐射复合的可能性也就越大.这里观察到的自由激子峰(I LA ,I TA ,I TO )远强于Q 0峰,表明4H 2SiC 外延层是高质量的[14].其他杂质相关的PL 峰,例如B [15]、Al [16]和Ti [17]的束缚激子并没有明显地被观

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第5期高 欣等: 水平冷壁CVD生长4H2SiC同质外延膜的研究

察到,说明外延层中其他杂质的污染也很小.

4 结论

利用水平冷壁化学气相沉积技术,在4H2SiC (0001)面成功地生长了镜面光滑的厚同质外延膜.在1500℃生长温度,生长室压力为513×103Pa的条件下,生长速率大于3μm/h.外延膜厚度约为50μm,A FM测试显示样品表面均方根粗糙度为013nm;生长前H2的原位刻蚀与较低的生长室压力都有利于降低样品表面的粗糙度和缺陷密度.C2 V测试结果表明n型背景掺杂浓度很低,约为814×1016cm-3.在低温PL谱的近带边区域出现了很强的自由激子峰,说明外延膜是高质量的.在低温PL谱中也没有观察到明显的与其他杂质相关的发光峰,这说明其他杂质的污染几乎没有或很少.

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半 导 体 学 报第26卷

4H 2SiC H omoepitaxial G row th by H orizontal Cold 2W all Chemical V apor Deposition

Gao Xin 1,Sun Guosheng 1,Li Jinmin 1,Wang Lei 1,Zhao Wanshun 1,

Zhang Y ongxin 2,and Zeng Yiping 1

(1N ovel Semiconductor M aterial L aboratory ,I nstit ute of S emiconductors ,Chinese A cadem y of Sciences ,Bei j i ng 100083,China )

(2S chool of Physical Science and Technolog y ,L anz hou Universit y ,L anz hou 730000,Chi na )

Abstract :High quality and thick 4H 2SiC (0001)epilayer has been grown on 8°off 2axis 4H 2SiC (0001)substrate by a horizontal

cold 2wall chemical vapor deposition system ,which was designed and built at the author ’s group.The growth rate is over 3

μm/h at a low pressure of 513×103Pa.A low net donor concentration of 814×1016cm -3is obtained in the unintentionally doped epi 2layer by C 2V curve.A specular surface is observed by Nomarski microscopy ,indicating low density of growth defects and A FM shows a low RMS of 013nm without macrostep s.The sharp Raman lines show typical features of 4H 2SiC.In low temperature photoluminescence ,very strong f ree exciton peaks are observed ,indicating the high purity and quality of the epilayer.K ey w ords :SiC ;CVD ;A FM ;Raman ;PL PACC :8160C ;6855;7855

Article ID :025324177(2005)0520936205

Gao Xin male ,was born in 1972,PhD candidate.His works focus on SiC semiconductor material engineering and devices.Email :gaoxin @

https://www.360docs.net/doc/9b8118438.html,

Received 9J une 2004,revised manuscript received 18August 2004

ν2005Chinese Institute of Electronics

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半导体材料课程教学大纲

半导体材料课程教学大纲 一、课程说明 (一)课程名称:半导体材料 所属专业:微电子科学与工程 课程性质:专业限选 学分: 3 (二)课程简介:本课程重点介绍第一代和第二代半导体材料硅、锗、砷化镓等的制备基本原理、制备工艺和材料特性,介绍第三代半导体材料氮化镓、碳化硅及其他半导体材料的性质及制备方法。 目标与任务:使学生掌握主要半导体材料的性质以及制备方法,了解半导体材料最新发展情况、为将来从事半导体材料科学、半导体器件制备等打下基础。 (三)先修课程要求:《固体物理学》、《半导体物理学》、《热力学统计物理》; 本课程中介绍半导体材料性质方面需要《固体物理学》、《半导体物理学》中晶体结构、能带理论等章节作为基础。同时介绍材料生长方面知识时需要《热力学统计物理》中关于自由能等方面的知识。 (四)教材:杨树人《半导体材料》 主要参考书:褚君浩、张玉龙《半导体材料技术》 陆大成《金属有机化合物气相外延基础及应用》 二、课程内容与安排 第一章半导体材料概述 第一节半导体材料发展历程 第二节半导体材料分类 第三节半导体材料制备方法综述 第二章硅和锗的制备 第一节硅和锗的物理化学性质 第二节高纯硅的制备 第三节锗的富集与提纯

第三章区熔提纯 第一节分凝现象与分凝系数 第二节区熔原理 第三节锗的区熔提纯 第四章晶体生长 第一节晶体生长理论基础 第二节熔体的晶体生长 第三节硅、锗单晶生长 第五章硅、锗晶体中的杂质和缺陷 第一节硅、锗晶体中杂质的性质 第二节硅、锗晶体的掺杂 第三节硅、锗单晶的位错 第四节硅单晶中的微缺陷 第六章硅外延生长 第一节硅的气相外延生长 第二节硅外延生长的缺陷及电阻率控制 第三节硅的异质外延 第七章化合物半导体的外延生长 第一节气相外延生长(VPE) 第二节金属有机物化学气相外延生长(MOCVD) 第三节分子束外延生长(MBE) 第四节其他外延生长技术 第八章化合物半导体材料(一):第二代半导体材料 第一节 GaAs、InP等III-V族化合物半导体材料的特性第二节 GaAs单晶的制备及应用 第三节 GaAs单晶中杂质控制及掺杂 第四节 InP、GaP等的制备及应用 第九章化合物半导体材料(二):第三代半导体材料 第一节氮化物半导体材料特性及应用 第二节氮化物半导体材料的外延生长 第三节碳化硅材料的特性及应用 第十章其他半导体材料

生长抑素对上消化道出血的治疗作用机制

综 述 生长抑素对上消化道出血的治疗作用机制 陈建英 (鄱阳县中医院内科,江西鄱阳333100) [中图分类号] R573.2 [文献标识码] A [文章编号] 1672-4208(2010)19-0048-03 1973年B razeau从绵羊下丘脑提取液中分离 了一种环状14肽物质,命名为生长抑素(so m a tostati n,SST),此后有关其生理和药理作用的报道 日益增多[1]。1978年Tyden首先将生长抑素用于 治疗门脉高压症上消化道出血,有作者相继报道证 明生长抑素对于门脉高压症上消化道出血有明显 的止血作用。目前也有相关报道,说明其用于非静 脉曲张性上消化道出血的疗效[2],尤其在急性难 治性上消化道出血的控制中占一席之地[3-4]。生 长抑素及其类似物控制急性出血的疗效已得到明 确的肯定,它能有效控制出血,防止再出血,减少手 术率,并且有良好的安全性及可耐受性,无明显不 良反应。现就其对上消化道出血的治疗作用机制 作一综述。 1生长抑素及其受体 生长抑素是一种广泛分布于中枢神经系统、下 丘脑及肠、胰等内、外分泌系统,也有少量分布于甲 状腺、肾、肾上腺及前列腺等处的环形多肽。其存 在两种活性形式:14肽生长抑素(SST-14)和28 肽生长抑素(SST-28)。其中SST-14是主要生 物活性物质,由8种氨基酸构成,其抑制胰高血糖 素及促胃泌素分泌较SST-28强[5]。生长抑素及 其类似物通过与细胞膜上的生长抑素受体(SSTR) 结合而发挥作用。天然SST作用广泛,选择性差, 人工合成的生长抑素类似物(SSTA)作用单一持 久,为目前常用。现认为[6],生长抑素通过两种作 用方式对生长激素和胃肠激素及多种消化液的分 泌、胃肠运动等发挥抑制性作用:(1)通过减少细 胞内环磷酸腺苷(AM P)水平而影响激素分泌。 (2)通过细胞膜上K+传导,刺激抑制外加电压造 成Ca2+的流通。 自1992年SSTR1和SSTR2被克隆成功至今, 已确认的SSTR按其发现先后顺序可分为5种不 同的分子亚型:SSTR1~SSTR5,其中SSTR2、 SSTR3、SSTR5亚型与人工合成的生长抑素类似物 亲和力比SSTR2、SSTR4强得多。 2生长抑素与上消化道出血 上消化道出血是指自屈氏韧带以上的消化道 出血,其部位包括食管、胃、十二指肠、上段空肠、胰 管及胆道,可因炎症、粘膜撕脱、溃疡、机械性及药 物性损伤、血管源性因素、肿瘤及全身性疾病引起。 大致可分为门脉高压性上消化道出血和非门脉高 压性上消化道出血两类。前者主要系肝硬化所致 门脉高压,主要包括门脉高压引起的食管-胃底静 脉曲张破裂出血(约占上消化道出血的20%)和门 脉高压性胃病(即胃粘膜病变),后者主要指酸相 关性疾病(包括胃、十二指肠溃疡出血,Barrett食管 炎及食管溃疡出血)、急性应激性溃疡出血、消化 道肿瘤及少见的胆道出血、食管裂孔、胃-空肠吻 合术后空肠病变出血等。 2.1SST与静脉曲张性上消化道出血静脉曲张 性上消化道出血主要指由肝硬化所致门脉高压引 起的侧支循环建立和开放致食管-胃底静脉曲张。 曲张静脉变薄,易被粗糙食物所损伤,也可被反流 的胃酸所腐蚀,加之压力增高导致破裂,而发生大 出血。因而,在控制此类出血的关键是控制门脉高 压。肝硬化门脉高压形成的主要因素是门静脉阻 力增加、血流增加[7]。门静脉阻力增加为肝窦毛 细血管化、变形所致,使流出道受阻,致门静脉血管 阻力增加。血流增加可因肝脏对去甲肾上腺素等 物质的清除能力减低、交感兴奋所致心输出量增加 及扩血管物质(胰高血糖素、一氧化氮)增加使血 管对内源性缩血管递质敏感性降低,引起内脏血管 扩张充血,门静脉血流增加所致[8]。大量临床实 践发现,给肝硬化患者静脉注射生长抑素后,能选 择性减少门静脉血流,使肝血流量和引致出血的肝 窦灌注量下降,从而降低门静脉压力,而对中心静 脉压、平均动脉压、心输出量及心率均无明显影 响[7-8]。有人发现在急性胰腺炎中使用生长抑素 类似剂后,有肿瘤坏死因子接到的白介素6(I L- 6)的分泌减少,因此认为生长抑素在急性胰腺炎 中的治疗作用是由于它减少了胰腺的基础分泌,则 SSTA可以通过生长抑素抑制胰高血糖素的分泌而48 社区医学杂志 2010年 第8卷 第19期

注射用生长抑素

注射用生长抑素 【药品名称】 通用名称:注射用生长抑素 英文名称:Recombinant Human Interferon α2b Vaginal Effervescent Tablets 【成份】 主要成份为生长抑素,为人工合成的环状十四肽 【适应症】 本品主要用于:严重急性食道静脉曲张出血;严重急性胃或十二指肠溃疡出血,或并发急性糜烂性胃炎或出血性胃炎;胰腺外科手术后并发症的预防和治疗;胰、胆和肠瘘的辅助治疗;糖尿病酮症酸中毒的辅助治疗。 【用法用量】 静脉给药(静脉注射或静脉滴注)。 通过慢速冲击注射(3~5分钟)0.25mg或以每小时0.25mg的速度连续静脉滴注给药(一般是每小时每公斤体重用药量为0.0035mg)。 临使用前,每支冻干剂用1ml生理盐水溶液溶解。 对于连续静脉滴注给药,须用本品3mg配备够使用12小时的药液(溶剂可为生理盐水或5%葡萄糖注射液),输液量调节在每小时0.25mg。 1 严重急性上消化道出血包括食道静脉曲张出血的治疗:首先缓慢静脉推注0.25mg(用1ml生理盐水配制)作为负荷 【不良反应】 少数病例用药后出现恶心、眩晕、面部潮红。当注射速度超过每分钟0.05mg时,病人会发生恶心和呕吐现象。

【禁忌】 对本品过敏者禁用。 【注意事项】 1 由于本品抑制胰岛素及胰高血糖素的分泌,在治疗初期会导致血糖水平短暂的下降; 2 胰岛素依赖型糖尿病患者使用本品后,每隔3-4小时应测试1次血糖浓度,同时给药中,尽可能避免使用葡萄糖。必要的情况下应同时使用胰岛素。 3 在连续给药过程中,应不间断地注入,换药间隔最好不超过3分钟。有可能时,可通过输液泵给药。 4 本品必须在医生指导下使用。 【特殊人群用药】 儿童注意事项: 儿童使用本品的安全性资料尚未建立。 妊娠与哺乳期注意事项: 避免孕妇使用本品,除非无其它安全替代措施。 老人注意事项: 老年患者使用本品的安全性资料尚未建立。 【药物相互作用】 本品可延长环已烯巴比妥导致的睡眠时间,而且加剧戊烯四唑的作用,所以不应与这类药物或产生同样作用的药物同时使用。 由于生长抑素与其他药物的相互作用未建立,所以建议应单独给药。 【药理作用】 生长抑素是人工合成的环状十四氨基酸肽,其与天然生长抑素在化学结构和作用机理上完全

生长抑素

Page 1 of 1通用名称:生长抑素 英文名称:Somatostatin 所属类别:激素及有关药物/脑垂体激素及其有关药物 【药理】 本品是通过内分泌、外分泌、神经性分泌和特别的旁分泌发挥其自身作用的。最终的作用方式是直接提供制造激素的D-细胞和效应细胞之间的细胞间接触,这样确定了生长抑素作用的特异性。抑制胃酸和胃蛋白酶分泌的作用,至少有一部分是直接在边缘细胞和胃内主细胞处发生的。其药理作用如下:①抑制胃酸、胃泌素和胃蛋白酶的分泌。②减少内脏血流。③抑制胰、胆和小肠的分泌。④胰、肝和胃的细胞保护作用。 药动学 本品静注后半减期为1.1~3min,肝病患者静注后半减期为1.2~4.8min,慢性肾功能不全患者静注后半减期为2.6~4.9min。以75μg/h的速率静滴本品,15min内达稳态浓度1250ng/L,代谢清除率约1L/min,半减期约2.7min。本品在肝内迅速代谢,主要经尿排泄(4h后排出40%,24h后排出70%)。 【适应症】 适用于严重的急性胃溃疡出血、糜烂或出血性胃炎所致的严重急性出血、严重的急性食道静脉曲张出血、胰胆和胃肠瘘及急性胰腺炎的治疗以及胰腺术后并发症的预防。 【用法用量】 24h内连续静脉注入6mg生长抑素。注入期限5~120h(出血时)、120~140h(预防)、3~15日(瘘)。 在连续给药过程中,应不间断地注入,换药间断不能超过1min。如间断的时间长,需重新给予250μg的冲击剂量,再继续以250μg/h的注入率给药。有可能时,通过输液泵给予生长抑素,以确保顺利而稳定的输入。本品不适用于动脉出血。治疗急性胰腺炎时应尽早在症状出现后给予治疗。本品贮于2~8℃的低温条件下。 [剂型与规格]注射剂:250μg/支,3mg/支。 [商品名] Stilamin(瑞士)。 【禁用慎用】 本品不适用于动脉出血。 怀孕、产后及哺乳期禁用。 【不良反应】 有短暂的恶心、面红、腹痛、腹泻和血糖轻微变化等。 【相互作用】 在动物实验中,与环乙烯巴比妥和五唑类有相互作用。 【相关商品名】 思他宁(原名:施他宁) 益达生 res://H:\DrugRefer\DrugRefer.exe/Blank.htm 2013-5-19

生长抑素对ODDIS括约肌的影响

wcjd@https://www.360docs.net/doc/9b8118438.html, 世界华人消化杂志2009年6月18日; 17(17): 1749-1752 ISSN 1009-3079 CN 14-1260/R 文献综述 REVIEW 生长抑素对Oddi括约肌功能的影响周 婷, 陈明锴 周婷, 陈明锴, 武汉大学人民医院消化内科 湖北省武汉市 430060 作者贡献分布: 本文综述由周婷完成, 陈明锴审校. 通讯作者: 陈明锴, 430060, 湖北省武汉市, 武汉大学人民医院消化内科. kaimingchen@https://www.360docs.net/doc/9b8118438.html, 收稿日期: 2009-03-28 修回日期: 2009-05-08 接受日期: 2009-05-11 在线出版日期: 2009-06-18 Effect of somatostatin on human sphincter of Oddi motility Ting Zhou, Ming-Kai Chen Ting Zhou, Ming-Kai Chen, Department of Gastroenterol-ogy, Renmin Hospital of Wuhan University, Wuhan 430060, Hubei Province, China Correspondence to: Ming-Kai Chen, Department of Gas-troenterology, Renmin Hospital of Wuhan University, Wuhan 430060, Hubei Province, China. kaimingchen@https://www.360docs.net/doc/9b8118438.html, Received: 2009-03-28 Revised: 2009-05-08 Accepted: 2009-05-11 Published online: 2009-06-18 Abstract Native somatostatin is a gut hormone and neuropeptide, widely distributed in the nervous and gastrointestinal system, and has a broad range of biological actions. In gastrointestinal tract (GIT), somatostatin is mainly produced b y t h e d e l t a c e l l s o f t h e p a n c r e a s a n d gastrointestinal mucosal. The inhibitory effects of somatostatin on gastrointestinal motility and hormone secretion are mediated by a family of G protein-coupled receptors: the somatostatin receptors (SSTR1-5). The sphincter of Oddi (SO) located near the duodenum papillae is an anatomically and functionally distinct organ, SO motility is controlled and regulated by nerve, hormone and interstitial cells of Cajal. The effect of somatostatin on SO motility is still controversial. This article reviewed effect of somatostatin on human sphincter of oddi motility. Key Words: Somatostatin; Somatostatin receptor; Sphincter of Oddi Zhou T, Chen MK. Effect of somatostatin on human sphincter of Oddi motility. Shijie Huaren Xiaohua Zazhi 2009; 17(17): 1749-1752摘要 天然生长抑素(somatostatin, SST)是一种胃肠激素及神经肽, 主要分布于神经和消化系统中, 具有广泛的生物学效应. 消化系SST大多由胰腺和胃肠黏膜中的D细胞分泌, 能抑制胃肠运动及多种激素分泌. SST调节作用由G 蛋白偶联受体, 即生长抑素受体(somatostatin receptor, SSTR)介导. Oddi括约肌(sphincter of Oddi, SO)位于十二指肠乳头周围, 是一结构和功能相对独立的器官, 其运动主要受神经、激素、Cajal间质细胞的调节. SST对SO的作用尚存在争议, 本文就生长抑素对SO功能的影响进行综述. 关键词: 生长抑素; 生长抑素受体; Oddi括约肌 周婷, 陈明锴. 生长抑素对Oddi括约肌功能的影响. 世界华人消化杂志 2009; 17(17): 1749-1752 https://www.360docs.net/doc/9b8118438.html,/1009-3079/17/1749.asp 0 引言 生长抑素(somatostatin, SST)是一种由神经内分泌细胞、炎症细胞、免疫细胞产生的调节性多肽[1], 具有广泛的生物学效应. 目前, SST对Oddi 括约肌(sphincter of Oddi, SO)的作用尚存在争议, 其中对胰腺炎SO作用研究报道最多, 也日益受到关注. 本文就SST对正常人SO功能的影响进行综述. 1 SO的概述 SO位于胆总管、胰管与十二指肠交界处[2], 十二指肠乳头周围, 由胆总管括约肌、胰管括约肌和壶腹部括约肌构成, 为复杂肌性结构, 富含平滑肌纤维. SO可分为固有肌和十二指肠延续肌纤维2类. 固有肌有内外2层: 内层主要为纵行肌, 外层主要为环行肌, 分别围绕2管周围[3]. 人体SO长约4-6 mm[4], 一般不超过10 mm[5], 个体差异较大. SO基础压明显高于十二指肠内压. 其运动形式有紧张性收缩和自发节律性收缩. 平滑肌细胞去极化是收缩的基础, 其节律性收缩表现为叠加于基础压上的时相性收缩运 https://www.360docs.net/doc/9b8118438.html, ? ■背景资料 S S T是一种胃肠 激素及神经肽, 主 要分布在神经和 消化系统,具有 广泛的生物学效 应. 存在于胃肠道 的SST, 能通过神 经, 体液等多个途 径影响SO的运动, 但确切机制仍未 完全阐明, 其作用 还存在争议. ■同行评议者 陈积圣, 教授, 中 山大学孙逸仙纪 念医院肝胆外科

奥曲肽作用机制——摘录整理

奥曲肽(octreotid)作为一种强效的SST类似物,其作用机制一般认为通过以下两方面发挥作用。 ①直接作用: 与特异性生长抑素受体结合,经以下三个重要的信息传导途径,抑制DNA合成复制。 cAMP途径:cAMP升高会引发肿瘤细胞的增殖活动,SSTR能与腺苷酸环化酶负性结合,降低胞内cAMP 浓度; 磷酸蛋白酶途径:SSTR2与SSTR5被激活后,可上调该酶的活性,使酪氨酸激酶立即发生去磷酸化而失活,从而抑制细胞的DNA合成; Ca 途径:SSTR2与SSTR5可抑制胞外Ca 内流,胞内Ca 浓度降低,抑制细胞的增殖。 此外,最新研究还发现,somatostatin可以抗有丝分裂,导致细胞周期改变。 ②间接作用: 通过抑制肿瘤增殖所需激素、生长因子的分泌,减少其血供以及调节机体免疫活性的方式,间接阻止肿瘤生长。 通过抑制神经胶质瘤细胞分泌VEGFte、表皮生长因子(EGF)、肿瘤自分泌生长因子等多种肿瘤生长刺激因子的基因表达及提高其与相应蛋白的结合率,降低其在循环系统及肿瘤局部的浓度,阻断它们的信号传递,达到抑制肿瘤生长的目的。 肿瘤周围血管有SSTR分布,而且越靠近肿瘤的血管,SSTR表达密度越高,当Octreotide与SSTR特异性结合后,可引起肿瘤周边血管强烈收缩,并能抑制新生血管形成,从而减少肿瘤血供,导致肿瘤局部缺血坏死。 Octreotide还能刺激人体NK细胞和网状内皮细胞系统的活性,提高整个机体的免疫功能,从而抑制肿瘤细胞的生长。 VEGF是一种强烈的血管生成因子,许多肿瘤(如乳腺癌、胃癌、肾癌、结肠癌),VEGF的表达与MVD密切相关。肿瘤的微血管密度(MVD)被认为是能反映肿瘤血管生成的一个指标,它不仅与肿瘤细胞的营养和供氧有关,而且也反映肿瘤的浸润和转移能力。由于肝癌血管结构特殊,血供丰富,抑制肿瘤血管生成对治疗肝癌更具有重要意义。本研究结果表明,Octreotide对裸鼠小瘤的MVD 和VEGF均有明显的抑制作用,从而表现为对肿瘤的明显抑制。抑瘤率高达72.3%。 细胞凋亡在肿瘤的发生和生长过程中具有重要作用,Sharma等研究认为OCT通过选择性结合SSTR3亚型,诱导细胞质的酪氨酸磷酸酶SHP-1移位到胞膜!增加膜的SHP-1活性而发挥信号传递作用,激活Ca2+/Mg2+不依赖的核酸内切酶,引起DNA断裂,并激活促凋亡基因Bax和野生型P53从而诱导细胞 凋亡的发生.本实验通过流式细胞仪分析发现OCT作用72h,SGC7901细胞可发生凋亡,出现明显的 凋亡峰,并经光镜、图像分析观察到凋亡特征性的形态学改变,这均证明了OCT能直接诱导胃癌细胞凋亡。因此我们认为OCT诱导细胞凋亡是其抗肿瘤作用的重要机制之一。 生长抑素及其类似物的抗癌机制,大致可分为两条途径: ①生长抑素受体介导途径; ②非受体介导途径:如抑制促进肿瘤生长的激素及细胞因子,诱导凋亡,抑制肿瘤血管等。 肿瘤血管生成的机制及抗血管生成剂的研究已成为近来肿瘤研究的热点之一。由于肝癌血管结构特殊,血供丰富,抑制肿瘤血管生成对治疗肝癌更具有重要意义。肿瘤的微血管密度(MVD)

生长抑素说明书

【药品名称】 通用名:注射用生长抑素 英文名:Somatostatin for Injection 汉语拼音:Zhusheyong Shenzhangyisu 【成分】 本品主要成分为生长抑素,为人工合成的环状十四肽。 【性状】 本品为白色疏松块状物或粉末。 【药理毒理】 生长抑素是人工合成的环状十四氨基酸肽,其与天然生长抑素在化学结构和作用机理上完全相同。生理性生长抑素主要存在于丘脑下部和胃肠道。通过静脉注射生长抑素可抑制生长激素、甲状腺刺激激素、胰岛素和胰高血糖素的分泌,并抑制胃酸的分泌。它还影响胃肠道的吸收、动力、内脏血流和营养功能。生长抑素可抑制胃泌素和胃酸以及胃蛋白酶的分泌,从而治疗上消化道出血,可以明显减少内脏器官的血流量,而又不引起体循环动脉血压的显著变化,因而在治疗食道静脉曲张出血方面有一定的临床价值。生长抑素可减少胰腺的内分泌和外分泌,用以预防和治疗胰腺外科手术后并发症。生长抑素还可以抑制胰高血糖素的分泌,从而有效地治疗糖尿病酮症酸中毒。 【药代动力学】 健康人内源性生长抑素在血浆中的浓度很低,一般在175ng/L以下。在静脉注射给药后,生长抑素显示出非常短的血浆半衰期,依据放射性免疫测定结果,其半衰期一般大约在1.1分钟至3分钟之间;对于肝脏病人,其半衰期在1.2分钟至4.8分钟之间;对于慢性肾衰病人,其半衰期大约在2.6分钟至4.9分钟之间。以每小时75μg的速度静脉滴注生长抑素之后,在15分钟内浓度达峰为1250ng/L,代谢清除率为每分钟1L,半衰期为2.7分钟左右。静脉注射2μg的125Ⅰ甲状腺素生长抑素之后,4小时后40%经尿排出,24小时后排泄70%。生长抑素在肝脏中通过肽链内切酶和氨基肽酶裂解分子中的N-末端和环化部分,迅速在肝内代谢。 【适应症】 本品主要用于: 1.严重急性食道静脉曲张出血; 2.严重急性胃或十二指肠溃疡出血,或并发急性糜烂性胃炎或出血性胃炎; 3.胰腺外科术后并发症的预防和治疗; 4.胰、胆和肠瘘的辅助治疗; 5.糖尿病酮症酸中毒的辅助治疗。 【用法用量】 静脉给药(静脉注射或静脉滴注)。通过慢速冲击注射(3~5分钟)0.25mg或以每小时0.25mg 的速度连续滴注给药(一般是每小时每公斤体重用药量为0.0035mg)。临使用前,每支冻干剂用1ml生理盐水溶液溶解。对于连续滴注给药,须用本品3mg配备够使用12小时的药液(溶剂既可为生理盐水或5%的葡萄糖溶液),输液量调节在每小时0.25mg。

GaN外延片的主要生长方法

2008-1-14 外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,简称MOCVD)技术生长III-V族,II-VI族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。II、III族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物,如:Ga(CH3)3,In(CH3)3,Al(CH3)3,Ga(C2H5)3,Zn(C2H5)3等,它们大多数是高蒸汽压的液体或固体。用氢气或氮气作为载气,通入液体中携带出蒸汽,与V族的氢化物(如NH3,PH3,AsH3)混合,再通入反应室,在加热的衬底表面发生反应,外延生长化合物晶体薄膜。 MOCVD具有以下优点: 用来生长化合物晶体的各组份和掺杂剂都可以以气态方式通入反应室中,可以通过控制各种气体的流量来控制外延层的组分,导电类型,载流子浓度,厚度等特性。 因有抽气装置,反应室中气体流速快,对于异质外延时,反应气体切换很快,可以得到陡峭的界面。 外延发生在加热的衬底的表面上,通过监控衬底的温度可以控制反应过程。 在一定条件下,外延层的生长速度与金属有机源的供应量成正比。 MOCVD及相关设备技术发展现状: MOCVD 技术自二十世纪六十年代首先提出以来,经过七十至八十年代的发展,九十年代已经成为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术。目前已经在砷化镓、磷化铟等光电子材料生产中得到广泛应用。日本科学家Nakamura将MOCVD应用氮化镓材料制备,利用他自己研制的MOCVD设备(一种非常特殊的反应室结构),于1994年首先生产出高亮度蓝光和绿光发光二极管,1998年实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为止,MOCVD是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性能以及生产成本等主要指标来看,还没有其它方法能与之相比。 国际上MOCVD设备制造商主要有三家:德国的AIXTRON公司、美国的EMCORE公司(Veeco)、英国的Thomas Swan 公司(目前Thomas Swan公司被AIXTRON公司收购),这三家公司产品的主要区别在于反应室。 这些公司生产MOCVD设备都有较长的历史,但对氮化镓基材料而言,由于材料本身研究时间不长,对材料生长的一些物理化学过程还有待认识,因此目前对适合氮化镓基材料的MOCVD设备还在完善和发展之中。国际上这些设备商也只是1994年以后才开始生产适合氮化镓的MOCVD设备。目前生产氮化镓中最大MOCVD设备一次生长24片(AIXTRON公司产品)。国际上对氮化镓研究得最成功的单位是日本日亚公司和丰田合成,恰恰这些公司不出售氮化镓生产的 MOCVD设备。日本酸素公司生产的氮化镓-MOCVD设备性能优良,但该公司的设备只在日本出售。 MOCVD设备的发展趋势: 研制大型化的MOCVD设备。为了满足大规模生产的要求,MOCVD设备更大型化。目前一次生产24片2英寸外延片的设备已经有商品出售,以后将会生产更大规模的设备,不过这些设备一般只能生产中低档产品;研制有自己特色的专用MOCVD设备。这些设备一般只能一次生产1片2英寸外延片,但其外延片质量很高。目前高档产品主要由这些设备生产,不过这些设备一般不出售。 1)InGaAlP

半材第6章总结

第六章III-V族化合物半导体的外延生长 1、缩写解释: ①*HB:水平布里奇曼法,又叫横拉法。两温区HB法生长GaAs:低温区使As 形成高压As蒸汽,高温区使As蒸汽和Ga液反应生成GaAs溶液,然后由籽晶生成GaAs晶体。 ②*LEC(LEP):液态密封法。在高压炉内,将欲拉制的化合物材料盛于石英 坩埚中,上面覆盖一层透明而黏滞的惰性熔体,将整个化合物熔体密封起来,然后再在惰性熔体上充以一定压力的惰性气体,用此方法来抑制化合物材料的离解,用这种技术可以拉制GaAs、InP、GaP等的大直径单晶。 ③SSD:合成溶质扩散法(synthesis solute diffusion) ④VCZ:蒸汽控制直拉技术。 ⑤VGF:垂直梯度凝固法。 2、从*能带结构特点比较硅和GaAs在应用上的不同。 答:①室温下,Si的Eg=1.12ev,GaAs的Eg=1.43ev,禁带宽度大,GaAs半导体器件的工作温度范围比Si器件的工作范围要大。 ②Si是间接带隙半导体材料,不可用作发光材料,而GaAs是直接带隙 半导体材料,可作为发光材料。 ③GaAs具有双能谷能带结构,可以制作体效应微波二极管,而Si不能。 ④GaAs的电子迁移率比Si大得多,有利于提高晶体管的高频性能。 3、解释作为间接带隙材料GaP为什么能成为可见光 LED的主要材料? 答:GaP的发光机理是激子复合发光,激子是价带中的电子向导带跃迁时,由于能量不够,受到价带中的空穴的库仑力的作用而停留在禁带中形成 电子-空穴对,此为激子。由于等电子陷阱能级在k空间的扩展,在k=0 附近通过直接跃迁,电子与空穴复合,因此可以效率较高的发光。而 GaP的Eg=2.26ev,对应发光波长为550nm,所以作为间接带隙材料的CaP 能成为可见光LED的主要材料。 4、详细说明三温区横拉法中温度选择的依据。(T1=1250℃、T2=1100℃、 T3=610℃)。 答:在三温区横拉法中,采用的是三温区横拉单晶炉改变炉温分布。 ①T1=1250℃是使As蒸汽+Ga液在1250℃、P AS≈100kpa下可以生成GaAs, 满足化学计量比,生长条件是由GaAs相图得到的; ②T2=1100℃是因为在GaAs的合成与晶体生长时,在高温区将发生GaAs 熔体中的Ga与石英反应,4Ga(l)+SiO2=Si(s)+2Ga2O(g),在低温区有反 应,3Ga2O(g)+As4(g)=Ga2O3(s)+4GaAs(s)。反应1引起的Si沾污受反应2 小号Ga2O而加强,但反应2与温度有关,温度升高能减弱消耗Ga2O的 反应,从而抑制了反应1中的Si生成。T2=1100℃可以抑制低温反应的 进行从而抑制Si(s)的生成,减少了GaAs单晶中Si的沾污。(*抑制沾 污的反应机理)

外延生长技术概述

外延生长技术概述 由 LED 工作原理可知,外延材料是LED的核心部分,事实上,LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。发光二极管对外延片的技术主要有以下四条: ①禁带宽度适合。 ②可获得电导率高的P型和N型材料。 ③可获得完整性好的优质晶体。 ④发光复合几率大。 外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical VaporDeposition,简称MOCVD)技术生长III-V族,II-VI族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。II、III族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物,如:Ga(CH3)3,In(CH3)3,Al(CH3)3,Ga(C2H5)3,Zn(C2H5)3等,它们大多数是高蒸汽压的液体或固体。用氢气或氮气作为载气,通入液体中携带出蒸汽,与V族的氢化物(如NH3,PH3,AsH3)混合,再通入反应室,在加热的衬底表面发生反应,外延生长化合物晶体薄膜。 MOCVD具有以下优点: 用来生长化合物晶体的各组份和掺杂剂都可以以气态方式通入反应室中,可以通过控制各种气体的流量来控制外延层的组分,导电类型,载流子浓度,厚度等特性。 因有抽气装置,反应室中气体流速快,对于异质外延时,反应气体切换很快,可以得到陡峭的界面。 外延发生在加热的衬底的表面上,通过监控衬底的温度可以控制反应过程。 在一定条件下,外延层的生长速度与金属有机源的供应量成正比。 MOCVD及相关设备技术发展现状: MOCVD技术自二十世纪六十年代首先提出以来,经过七十至八十年代的发展,九十年代已经成为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术。目前已经在砷化镓、磷化铟等光电子材料生产中得到广泛应用。日本科学家Nakamura将MOCVD应用氮化镓材料制备,利用他自己研制的MOCVD设备(一种非常特殊的反应室结构),于1994年首先生产出高亮度蓝光和绿光发光二极管 ,1998年实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为止,MOCVD是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性能以及生产成本等主要指标来看,还没有其它方法能与之相比。 国际上MOCVD设备制造商主要有三家:德国的AIXTRON公司、美国的EMCORE公司(Veeco)、英国的ThomasSwan 公司(目前Thomas Swan公司被AIXTRON公司收购),这三家公司产品的主要区别在于反应室。 这些公司生产MOCVD设备都有较长的历史,但对氮化镓基材料而言,由于材料本身研究时间不长,对材料生长的一些物理化学过程还有待认识,因此目前对适合氮化镓基材料的MOCVD设备还在完善和发展之中。国际上这些设备商也只是1994年以后才开始生产适

生长抑素

参照说明书整理的,多是理论的东西。 1、分类 根据作用时长,生长抑素及其类似物可分为 (1)生长抑素,代表药物思他宁。静脉注射后半衰期一般在1-3分钟之间,以75μg/h静滴后,半衰期约为2(2)奥曲肽,代表药物善宁。皮下给药清除半衰期为100min,静脉注射后其消除呈双相,半衰期分别为10min (3)兰瑞肽,通常可以每二周给药一次。 (4)奥曲肽微球,代表药物善龙。通常可以每四周给药一次。 根据结构可分为: (1)生长抑素:人工合成14个氨基酸组成的环状活性多肽 (2)奥曲肽,人工合成的8肽生长抑素类似物 2、思他宁与奥曲肽不同点 (1)作用 奥曲肽作用时间相对于生长抑素长,在动物体内,奥曲肽在抑制生长激素、胰高糖素和胰岛素释放方面比生长抑生长激素和胰高糖素选择性更高。与生长抑素相比,奥曲肽对生长激素分泌的抑制比对胰岛素分泌的抑制更强,的反弹性高分泌(例如:肢端肥大症中的生长激素)。 (2)适应症 思他宁适应症为严重急性食道静脉曲张出血;严重急性胃或十二指肠溃疡出血,或并发急性糜烂性胃炎或出血性肠瘘的辅助治疗;胰腺术后并发症的预防和治疗;糖尿病酮症酸中毒的辅助治疗。 善宁适应症为1、肢端肥大症(对手术治疗或放疗失败,或不能、不愿接受手术以及放射治疗尚未生效的间歇期患控制症状并降低生长激素和胰岛素样生长因子1的水平); 2、缓解与功能性胃肠胰内分泌瘤有关的症状和体征。本品对以下肿瘤有效:具有类癌综合征表现的类癌肿瘤;VIP瘤(血管活性肠肽瘤);胰高糖素瘤;胃泌素瘤(通剂或H2受体阻断剂联用);胰岛素瘤(术前预防低血糖症和维持正常血糖);生长激素释放因子瘤3、预防胰腺手内窥镜硬化剂等特殊手段联合用于肝硬化所致的食管-胃静脉曲张出血的紧急治疗。 兰瑞肽适应症为肢端肥大症:外科手术和/或放射治疗之后生长激素分泌异常时;类癌临床症状的治疗:试验性(3)相同适应症时用法用量 治疗静脉曲张出血。思他宁建议负荷剂量250μg而后立即每小时250μg静脉点滴给药,当两次输液给药间隔大重新给予负荷剂量。通常疗程为120小时。 (可是为毛我们医院用的是6mg配成50ml,4.2ml微泵泵入,算下来是500 不对啊) 奥曲肽用法为0.025mg/h,最多治疗5天。 (4)给药方式 思他宁用法用量中只提到了静脉给药,善宁在治疗肢端肥大症和胃肠内分泌肿瘤及预防胰腺手术后并发症予以皮能通过臀部肌肉深部注射给药,而决不能静脉注射。 (5)规格 思他宁规格为250μg,750μg和3mg,善宁规格为1ml:0.1mg,善龙规格为10mg x 1 瓶;20mg x 1 瓶 二、加压素 (1)鞣酸加压素:长效尿崩停 临床应用:1、用于中枢性尿崩症的治疗 药效学:本药对肾脏有直接抗利尿作用,也能收缩周围血管,并引起肠道、胆囊及膀胱的收缩,但几乎无催产作(2)醋酸去氨加压素 药效学:本药与天然激素精氨酸加压素的结构类似。去氨加压素具有较强的抗利尿作用及较弱的加压作用,其抗用比是加压素的2000-3000倍,作用维持时间也较加压素长,此外本药的催产素活性明显减弱,仅为精氨酸加压(3)特利加压素 药效学:特利加压素为加压素的合成类似物,使用赖氨酸替代了内源性加压素肽链中第八位的精氨酸,同时在半三个甘氨酸组成的氨基酸支链。特利加压素进入体内后,其分子中的甘氨酰基被酶催化水解而缓慢转化为赖氨酸

第五章 硅的外延薄膜的生长

第五章 硅的外延薄膜的生长 外延生长工艺是一种在单晶衬底的表面上淀积一个单晶薄层(0.5~20微米)的方法。如果薄膜与衬底是同一种材料该工艺被称为同质外延,但常常就被简单地称为外延。在硅衬底上淀积硅是同质外延最重要的在技术上的应用,并且是本章的基本主题。在另一方面,如果在化学成分不同的衬底上进行淀积,则称为异质外延。这种工艺已在被称为SOS的在蓝宝石(Al2O3)上淀积硅的工艺中得到应用。外延起源于两个希腊字,意思是整理安排。 外延生长可以从气相(VPE)、液相(LPE)或固相(SPE)中获得。在硅工艺中,气相外延得到了最广泛的接受,因为它对杂质浓度有良好的控制以及能获得晶体的完整性。液相淀积在制造Ⅲ?Ⅴ族化合物外延层时得到广泛使用。正如在第九章“非晶层损伤的退火”中讲到的,固相外延可用于离子注入的非晶层的再结晶。 发展硅外延的主要动机是为了改善双极型晶体管及后来的双极型集成电路的性能。通过在重掺杂的硅衬底上生长一层轻掺杂的外延层,双极型器件得到优化:在维持低集电区电阻的同时,获得高的集电极-衬底击穿电压。低的集电区电阻提供了在中等电流时的高的器件工作速度。最近外延工艺已被用于制造先进的CMOS大规模集成电路。这些电路中,器件被做在重掺杂的衬底上的一层很薄的(3~7微米)轻掺杂的外延层中。这种结构减少了在功率增加或在遭到辐射脉冲时CMOS电路可能经受的闩锁效应。在外延层中制造器件(双极型和MOS)的其他优点还有:器件掺杂浓度的精确控制,并且这层中可以不含氧和碳。但外延工艺并不是没有缺点,包括:a)增加了工艺复杂性和硅片成本;b)在外延层中产生缺陷;c)自掺杂以及d)图形改变和冲坏。 在这一章中,我们介绍了:a)外延淀积基础;b)外延层的掺杂;c)外延膜中的缺陷;d)对大规模集成电路的外延淀积的工艺考虑;e)外延淀积设备;f)外延膜的表征;g)硅外延的选择性淀积;和h)硅的分子束外延。 外延淀积基础 这部分讨论了用于硅的气相外延的化学气相淀积(CVD)工艺的基础理论。包括了反应物和产物的通过边界层的传输以及它们在衬底上的化学反应。 Grove外延膜生长模型 外延淀积是一个化学气相淀积的过程。以下五个步骤对于所有的化学气相淀积是基本的:1)反应物被运输到衬底上;2)反应物被吸附在衬底表面上;3)在表面发生化学反应以生成薄膜和反应产物;4)反应产物从表面被放出;和5)反应产物从表面被运走。在某些情况下,在步骤1之前先进行一个气相反应以形成薄膜的前身(反应物)。 甚至直到现在,针对全部五个步骤 而发展出一个数学关系式仍是困难的。 Grove1基于一个只适用于步骤1和3(反 应物的运输和化学反应)的假设而研发 出一个模型。尽管这些假设具有局限性, 该模型还是解释了许多在外延淀积工艺 中观察到的现象。 图1是关于这个模型的本质的图解。它显示了反应气体的浓度分布和从气体的主体到正在生长的薄膜表面的流量F1(单位时间内通过单位面积的原子或分子的数量,原子/厘米2秒)。它还显示了另一个代表反应气体消耗的流量F2。用于硅外延的反应气体可以是下列气体中的任何一种:SiH4、SiHCl3、SiH2Cl2、

半导体物理学[第六章pn结]课程复习(精)

山东大学《半导体物理》期末复习知识点 第六章 pn结 6.1 理论概要与重点分析 (1)pn结是将同种半导体材料的n型和p型两部分紧密结合在一起,在交界处形成一个结,即称为pn结。为使性能优越,一般采用合金法、扩散法、外延生长法和离子注入法等,改变其掺杂性质来实现这种“紧密接触”的。pn结是重要半导体器件,如结型晶体管及其相应的集成电路的工作核心。 设两种杂质的交界面为xj,如果 杂质有一个较宽的补偿过度阶段,为缓变结,较深的扩散法一般属此种情况。(2)由于在结的两边两种载流子相差悬殊而发生扩散。n区中的电子流入p区,在结附近留下不可以移动的电离施主;同样p区中的空穴流入n区在结的附近留下不可移动的电离受主,形成一个n区为正,p区为负的电偶极层,产生由n区指向p区的自建电场,此电场的作用是阻止载流子进一步相互扩散。或者说产生了一个与扩散相反的载流子漂移,当两者达到平衡时,载流子通过结的净流动为零,达到平衡。建立起一个稳定的空间电荷区和一个稳定的自建电场。n型的一边带正电,电动势高;p型一边带负电,电势低,所产生电动势差称为pn结接触电动势差。这个电动势差对n型区的电子和p型区的空穴各自向对方,运动都形成势垒,使整个结构在结区形成能带弯曲,其弯曲的高度称为势垒高度,它恰恰补偿了原来两边半导体中费米能级的高度差,使两边达到等高的统一费米能级。山东大学《半导体物理》期末复习知识点 (3)pn结上加正向电压V(p型一端接正,n型一端接负)时,外加电压电场与内建电场的方向相反,使内建电场减弱,势垒区变窄,势垒高度由平衡时的q VD变

为q(VD-V)。两区的费米能级分开为EnF-EpF=qV这时由内建电场引起载流子的漂 移减弱,扩散相对增强。于是有一个净的扩散电流从p区通过结流入n区,这便是pn结的正向电流。随外加电压V的增加,势垒高度越来越小,载流子漂移越来越小,扩散进一步增加。因此随外加正向电压的增加,正向电流迅速增大。在pn结上加反向电压(p型一端接负,n型一端接正)时,其外加电场方向与自建电场的方向相同,使势垒由平衡时的q VD增高为q(VD+V),势垒区宽度变宽, 减少了多子的相互扩散,增加了少子的漂移。因此形成了一个由n区流向p区的净电流,称之为反向电流。但因少子的浓度低,而且只有扩散到势垒边界的少子才能被势垒区的强电场拉向另一边。所以反向电流很小,而且不随外加反向电压的增加而增加,达到饱和,因此称之为反向饱和电流。 这就定性地说明了pn结的整流效应。 (4)要推导出pn结的电流电压关系,可按下面的思路得到。 在外加偏压V下(暂时设其为正偏),pn结势垒区的自建电场减弱,使p区和n区有少子的净注入,n区的电子注入p区变成p区的少子,p区的空穴注入n区,成为n区的少子,而积累在势垒区的边界。由于内部少子浓度比边界低,因此它们会从注入的边界向各自内部扩散。在忽略掉势垒区载流子的复合、产生和小注入的条件下,解两边少数载流子的稳态扩散方程,分别求出电压为V时,在势垒边界xn和(-xp)处空穴和电子的扩散电流密度,两者相加,即得到通过pn 山东大学《半导体物理》期末复习知识点

外延生长的基本原理与应用领域

外延生长的基本原理与应用领域 外延生长的基本原理是,在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC,Si)上,气态物质In,Ga,Al,P有控制的输送到衬底 表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 MOCVD 金属有机物化学气相淀积(Metal-OrganicChemicalVaporDeposition,简称MOCVD),1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制 备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体,是 一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备,主要用于GaN(氮化镓)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色 或紫外发光二极管芯片的制造,也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。 日亚化工(株) 日亚化工是GaN系的开拓者,在LED和激光领域居世界首位。在蓝色、白色LED市场遥遥领先于其他同类企业。它以蓝色LED的开发而闻 名于全球,与此同时,它又是以荧光粉为主要产品的规模最大的精细化工厂商。它的荧光粉生产在日本国内市场占据70%的比例,在 全球则占据36%的市场份额。荧光粉除了灯具专用的以外,还有CRT专用、PDP专用、X光专用等类型,这成为日亚化工扩大LED事业的 坚实基础。除此以外,日亚化工还生产磁性材料、电池材料以及薄膜材料等精细化工制品,广泛地涉足于光的各个领域。 在该公司LED的生产当中,70%是白色LED,主要有单色芯片型和RGB三色型两大类型。此外,该公司是世界上唯一一家可以同时量产蓝

色LED和紫外线LED两种产品的厂商。以此为基础,日亚化工不断开发出新产品,特别是在SMD(表面封装)型的高能LED方面,新品层 出不穷。 2004年10月,日亚化工开发出了发光效率为50lm/W的高能白色LED。该产品成功地将之前量产产品约20lm/W的发光效率提高了2.5倍。 同月底,日亚化工开始向特定客户提供这种产品的样品,并计划在2005年夏季之前使其月产量达到100万个。新LED主要针对车载专用 前灯和照明市场。它的光亮度胜过HID光源,因此对目前占据15%车前灯市场的HID 光源(High Intensity Cischarge)构成了很大的 威胁。日亚化工计划于2006年上半年正式批量生产该产品,并计划于2007年,以与HID 同样的价格正式销售这种更明亮的产品。 以蓝色、白色LED市场的扩大为起爆剂,日亚化工的总销售额也呈现出逐年上升的势头,由1996年的290亿日元增长到2003年的1810亿 日元。这期间,荧光粉的销售额每年基本稳定在300亿日元左右。到2003年,LED相关产品的销售额已经占了总销售额的85.1%,为 1540亿日元。2003年全球LED市场约为6000亿日元,因此,日亚化工占据了约25%的全球市场份额。 目前日亚化学的紫外460nmLED,外部量子效率达到36%,白色发光效率达到60 lm/W。 丰田合成(株) 如果将LED比喻为汽车,那么可以说,日亚化工提出了车轮和发动机的概念,而丰田合成则提出了车体和轮胎的概念。1986年,受名 誉教授赤崎先生的委托,丰田合成利用自身在汽车零部件薄膜技术方面的积累,开始展开LED方面的研发工作。1987年,受科学技术振

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