二维点缺陷声子晶体中缺陷填充率对能带的影响

钟兰花;吴福根;彭程万

【期刊名称】《应用声学》

【年(卷),期】2009(028)002

【摘要】用超元胞的平面波展开法,计算了存在点缺陷的二维水/水银声子晶体的能带结构和压强分布.通过改变5×5超元胞中心圆柱体的半径析引入缺陷,发现缺陷填充率(F<,d>)小于或大于正常柱体填充率(F<,0>)一定数值时(如当F<,0>=0.35,F<,d>＜0.10或F<,d>＞0.50),都将出现缺陷态,且F<,d>对缺陷态的频率有重要影响.还比较了当F<,d>=0.03和F<,d>=0.90两种情况下缺陷态的压强分布,计算结果表明压强分布均具有局域性,F<,d>的大小对单模缺陷态的局域程度有影响,而对二重简并模无显著影响.

【总页数】7页(140-146)

【关键词】声子晶体;缺陷态;能带

【作者】钟兰花;吴福根;彭程万

【作者单位】湛江师范学院物理科学与技术学院,湛江,524048;广东工业大学实验教学部,广州,510006;湛江师范学院物理科学与技术学院,湛江,524048

【正文语种】中文

【中图分类】O4

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