Mott-Schottky and Charge-Transport Analysis of Nanoporous Titanium Dioxide Films in Air

【完整版】2020-2025年中国半导体封测行业市场发展战略研究报告

（二零一二年十二月） 2020-2025年中国半导体封测行业市场发展战略研究报告可落地执行的实战解决方案让每个人都能成为战略专家管理专家行业专家 ……

报告目录第一章企业市场发展战略研究概述 (6) 第一节研究报告简介 (6) 第二节研究原则与方法 (6) 一、研究原则 (6) 二、研究方法 (7) 第三节企业市场发展战略的作用、特征及与企业的关系 (9) 一、企业市场发展战略的作用 (9) 二、市场发展战略的特征 (10) 三、市场发展战略与企业战略的关系 (11) 第四节研究企业市场发展战略的重要性及意义 (12) 一、重要性 (12) 二、研究意义 (12) 第二章市场调研：2019-2020年中国半导体封测行业市场深度调研 (13) 第一节半导体封测概述 (13) 第二节半导体封测产业基本情况 (14) 一、半导体封测基本概念 (14) 二、半导体封测产业发展趋势 (15) （一）传统封装 (16) （二）先进封装 (18) 三先进封装，后摩尔定律时代的重要选择 (22) （一）摩尔定律艰难前行，封装技术有望接力 (23) （二）IC封测技术发展路径 (24) （三）我国先进封测现状 (25) 第三节2019-2020年中国半导体封测行业发展情况分析 (26) 一、低迷之后，5G、AI驱动新一轮景气度提升 (26) 二、封测环节——半导体行业重要通道 (28) 三、半导体封测景气回升，先进封装需求旺盛 (29) （一）新应用需求快速增长，半导体行业迎来景气度回升 (29) （二）摩尔定律接近极限，先进封装需求旺盛 (34) （三）我国晶圆厂建设迎来高峰，带动封测直接需求 (37) （四）半导体代工企业产能利用率提升，封测产业迎来新的成长周期 (39) 第四节半导体产业向大陆转移，国内封测一马当先 (44) 一、半导体行业全球转移路径 (44) 二、国内IC行业几大环节比较 (46) （一）国内IC设计类行业发展现状 (47) （二）国内IC制造类行业发展现状 (49) （三）国内IC封测类行业发展现状 (50) 第五节2019-2020年我国半导体封测行业竞争格局分析 (51) 一、全球封测市场规模及竞争格局 (51) 二、我国封测市场规模及竞争格局 (56) 第六节重点企业分析 (58)

外阴白色病变考试试题

外阴白色病变考试试题一、A1型题（本大题11小题．每题1.0分，共11.0分。每一道考试题下面有A、 B、C、D、E五个备选答案。请从中选择一个最佳答案，并在答题卡上将相应题号的相应字母所属的方框涂黑。）第1题外阴硬化性苔癣的早期病理改变是 A 表层细胞过度角化 B 表层细胞增生 C 真皮乳头层水肿 D 毛囊角质栓塞 E 底层细胞增生【正确答案】：C 【本题分数】：1.0分第2题女，50岁。因外阴瘙痒而就医，组织病理为增生型，营养不良，下列治疗中哪项是正确的 A 因有恶变趋向，应及早手术治疗 B 全身治疗 C 补充多量维生素 D 活检有非典型增生时手术治疗 E 全身+局部治疗【正确答案】：D 【本题分数】：1.0分第3题关于外阴瘙痒下列哪项是正确的 A 外阴瘙痒是外阴癌的早期表现 B 外阴瘙痒最常见的原因是蛲虫病

C 外阴瘙痒严重时用肥皂液清洗会有所好转 D 外阴瘙痒经治疗无效应作单纯性外阴切除术 E 外阴瘙痒不是一种疾病而是多种疾病可引起的一种症状【正确答案】：E 【本题分数】：1.0分第4题女，37岁。外阴奇痒，分泌物不多。妇检：两侧小阴唇增厚，外阴粘膜不红，阴道畅，皱襞正常，无异常分泌物，宫颈柱状，光滑，I°肥大，子宫前位，常大，双附件(-)，为确诊应选用 A 外阴活检 B 阴道分泌物涂片 C 宫颈涂片(CG D 阴道镜 E 盆腔B超【正确答案】：A 【本题分数】：1.0分第5题属于癌前病变的外阴白色病变是 A 增生型营养不良 B 硬化苔癣型营养不良 C 混合型营养不良 D 营养不良伴有上皮不典型增生 E 白癜风【正确答案】：D 【本题分数】：1.0分第6题

精神分裂症的病因及发病机理

精神分裂症的病因及发病机理精神分裂症病因：尚未明，近百年来的研究结果也仅发现一些可能的致病因素。（一）生物学因素1．遗传遗传因素是精神分裂症最可能的一种素质因素。国内家系调查资料表明：精神分裂症患者亲属中的患病率比一般居民高6.2倍，血缘关系愈近，患病率也愈高。双生子研究表明：遗传信息几乎相同的单卵双生子的同病率远较遗传信息不完全相同的双卵双生子为高，综合近年来11项研究资料：单卵双生子同病率（56.7%），是双卵双生子同病率（12.7%）的4.5倍，是一般人口患难与共病率的35-60倍。说明遗传因素在本病发生中具有重要作用，寄养子研究也证明遗传因素是本症发病的主要因素，而环境因素的重要性较小。以往的研究证明疾病并不按类型进行遗传，目前认为多基因遗传方式的可能性最大，也有人认为是常染色体单基因遗传或多源性遗传。Shields发现病情愈轻，病因愈复杂，愈属多源性遗传。高发家系的前瞻性研究与分子遗传的研究相结合，可能阐明一些问题。国内有报道用人类原癌基因Ha-ras-1为探针，对精神病患者基因组进行限止性片段长度多态性的分析，结果提示11号染色体上可能存在着精神分裂症与双相情感性精神病有关的DNA序列。2．性格特征：约40%患者的病前性格具有孤僻、冷淡、敏感、多疑、富于幻想等特征，即内向

型性格。3．其它：精神分裂症发病与年龄有一定关系，多发生于青壮年，约1/2患者于20～30岁发病。发病年龄与临床类型有关，偏执型发病较晚，有资料提示偏执型平均发病年龄为35岁，其它型为23岁。80年代国内12地区调查资料：女性总患病率（7.07%。）与时点患病率（5.91%。）明显高于男性（4.33%。与3.68%。）。Kretschmer在描述性格与精神分裂症关系时指出：61%患者为瘦长型和运动家型，12.8%为肥胖型，11.3%发育不良型。在躯体疾病或分娩之后发生精神分裂症是很常见的现象，可能是心理性生理性应激的非特异性影响。部分患者在脑外伤后或感染性疾病后发病；有报告在精神分裂症患者的脑脊液中发现病毒性物质；月经期内病情加重等躯体因素都可能是诱发因素，但在精神分裂症发病机理中的价值有待进一步证实。（二）心理社会因素1．环境因素①家庭中父母的性格，言行、举止和教育方式（如放纵、溺爱、过严）等都会影响子女的心身健康或导致个性偏离常态。②家庭成员间的关系及其精神交流的紊乱。③生活不安定、居住拥挤、职业不固定、人际关系不良、噪音干扰、环境污染等均对发病有一定作用。农村精神分裂症发病率明显低于城市。2．心理因素一般认为生活事件可发诱发精神分裂症。诸如失学、失恋、学习紧张、家庭纠纷、夫妻不和、意处事故等均对发病有一定影响，但这些事件的性质均无特殊性。因此，心理因素也仅属诱发因

半导体器件物理试题库

半导体器件试题库常用单位：在室温（T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为 n i = 1.5×1010/cm 3 电荷的电量q= 1.6×10-19C μn =1350 2cm /V s ? μp =500 2 cm /V s ? ε0=8.854×10-12 F/m 一、半导体物理基础部分（一）名词解释题杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。晶向：晶面：（二）填空题 1．根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为、多晶和三种。 2．根据杂质原子在半导体晶格中所处位置，可分为杂质和杂质两种。 3．点缺陷主要分为、和反肖特基缺陷。 4．线缺陷，也称位错，包括、两种。 5．根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向弯曲，获得空穴时，能带向弯曲。 6．能向半导体基体提供电子的杂质称为杂质；能向半导体基体提供空穴的杂质称为杂质。 7．对于N 型半导体，根据导带低E C 和E F 的相对位置，半导体可分为、弱简并和三种。 8．载流子产生定向运动形成电流的两大动力是、。

9．在Si-SiO 2系统中，存在、固定电荷、和辐射电离缺陷4种基本形式的电荷或能态。 10．对于N 型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向移动；对于P 型半导体，当温度升高时，费米能级向移动。（三）简答题 1．什么是有效质量，引入有效质量的意义何在？有效质量与惯性质量的区别是什么？ 2．说明元素半导体Si 、Ge 中主要掺杂杂质及其作用？ 3．说明费米分布函数和玻耳兹曼分布函数的实用范围？ 4．什么是杂质的补偿，补偿的意义是什么？（四）问答题 1．说明为什么不同的半导体材料制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度各不相同？要获得在较高温度下能够正常工作的半导体器件的主要途径是什么？（五）计算题 1．金刚石结构晶胞的晶格常数为a ，计算晶面（100）、（110）的面间距和原子面密度。 2．掺有单一施主杂质的N 型半导体Si ，已知室温下其施主能级D E 与费米能级F E 之差为 1.5B k T ，而测出该样品的电子浓度为 2.0×1016cm -3，由此计算：（a ）该样品的离化杂质浓度是多少？（b ）该样品的少子浓度是多少？（c ）未离化杂质浓度是多少？（d ）施主杂质浓度是多少？ 3．室温下的Si ，实验测得430 4.510 cm n -=?，153510 cm D N -=?，（a ）该半导体是N 型还是P 型的？（b ）分别求出其多子浓度和少子浓度。（c ）样品的电导率是多少？（d ）计算该样品以本征费米能级i E 为参考的费米能级位置。 4．室温下硅的有效态密度1932.810 cm c N -=?，1931.110 cm v N -=?，0.026 eV B k T =，禁带宽度 1.12 eV g E =，如果忽略禁带宽度随温度的变化

外阴疾病

外阴疾病外阴：阴道口外边的外露部分肛门、阴道口及尿道邻近，经常受阴道分泌物及尿液的浸渍，容易发炎。常见病症：外因瘙痒、外阴炎、外阴白色病变、外因溃疡、外阴癌外阴疾病外阴：阴道口外边的外露部分肛门、阴道口及尿道邻近，经常受阴道分泌物及尿液的浸渍，容易发炎。常见病症：外因瘙痒、外阴炎、外阴白色病变、外因溃疡、外阴癌外因瘙痒外阴瘙痒是妇科疾病中很常见的一种症状，外阴是特别敏感的部位，妇科多种病变及外来刺激均可引起瘙痒，使人寝食难安、坐卧不宁。外阴瘙痒多发生于阴蒂、小阴唇，也可波及大阴唇、会阴和肛周病因：1.慢性局部刺激，外阴、阴道、宫颈炎症的异常分泌物的刺激； 2.外阴不清洁及紧身化纤内裤、卫生巾等致通透不良； 3.外阴寄生虫病，如阴虱、蛲虫、疥疮等； 4.各种外阴皮肤病和外阴肿瘤等； 5.全身性疾病的外阴局部症状，如糖尿病、尿毒症、维生素缺乏等。症状：外因皮肤瘙痒、烧灼感和疼痛瘙痒部位多生与阴帝、小阴唇、也可波及大阴、会阴、甚至肛周围危害：(1)性外阴部瘙痒严重时，不但使人坐卧不宁，影响工作、学习、生活和睡眠。 (2)由于女性外阴瘙痒，会影响夫妻生活，所以极有导致夫妻感情不和，严重的甚至造成感情破裂，婚姻走向终点。 (3)诱发生殖器感染，盆腔炎、肾周炎、性交痛等，日久不愈还可导致多种疾病同时发生，疾病的危害严重的会危害女性健康，甚至还会造成女性不孕等严重后果。 (4)女性外阴瘙痒严重时，不易根治，易反复，引发早产、胎儿感染畸形等，造成终身遗憾。治疗1.外阴涂药

使用有止痒作用的洗剂、膏霜等，如炉甘石洗剂、苯海拉明软膏、皮质醇类软膏等。 2.局部封闭或穴位注药如皮质醇激素、维生素B12、非那根等。 3.针对病因治疗。 4.预防1. 注意经期卫生，勤清洗。 2.不要冲洗阴道，因为阴道有自清的功能，如果刻意冲洗反而不利 3.忌乱用、烂用药物，忌抓搔及局部摩擦。 4.忌酒及辛辣食物，不吃海鲜等及易引起过敏的药物 6 .久治不愈者应作血糖检查。少吃糖类可避免常常感染霉菌，如少吃淀粉类、糖类以及刺激性的食物(例如酒、辛辣物、油炸类)，多吃蔬菜水果类，水份要充足。 5、不穿紧身兜裆裤，内裤更须宽松、透气，并以棉制品为宜。 6.就医检查是否有霉菌或滴虫，如有应及时治疗，而不要自己应用“止痒水”治疗。 8.保持外阴清洁干燥，尤其在经期、孕期、产褥期，每天用女性护理液清洗外阴更换内裤。 9.不穿化纤内裤、紧身裤，着棉织内衣裤。局部坐浴时注意溶液浓度、温度及时间、注意事项。 10.外阴瘙痒者应勤剪指甲、勤洗手，不要搔抓皮肤，以防破溃感染从而继发细菌性感染。 11.上完厕所请记得由前往后擦，因为肛门可能会带来不少细菌，所以如厕后请不要由肛门擦到阴部，才能减少感染的机会。 12.内裤要和其他的衣物分开洗，最好暴晒，可以减少细菌的滋生。如果患有霉菌性阴道炎的话，最好内裤都有热水煮外阴溃疡外阴溃疡是发生于外阴部的皮肤黏膜发炎、溃烂、缺损。病灶多发生于小阴唇和大阴唇内侧，其次为前庭黏膜及阴道口周围。病程有急性及慢性。大小阴唇、阴道口周围、阴蒂等处（外阴疾病发展中出现的一个过程，不是一个独立的疾病，有急性和慢性）急性外阴溃疡：非特异性外阴炎病情较轻，多在搔抓之后出现一般比较表浅，但疼痛比较厉害慢性外阴溃疡：持续时间较长，或者反复发作癌症引起的溃疡，与结核性溃疡很难鉴别，需做确诊

半导体封测行业发展趋势分析

半导体封测：走向世界舞台，前十占据三家 1 半导体封测发展历程：并购开打国际市场封测其实包括封装和测试两个步骤，在现在生产中，由于产业规划基本合并在一起。所以封装测试就成为整个集成电路生产环节中最后一个过程。封测整体门槛较低，需要一定资金形成规模效应，对成本较为敏感，需要长期验证建立客户关系，是集成电路产业链中最容易突破的一环，但也是最重要的环节。因为是产品质量最后一关，若没有良好的封测，产品PPM(百万颗失效率)过高，导致客户退回或者赔偿是完全得不偿失的。图表5一般芯片成本构成 5%

我国封测行业规模继续保持快速增长，近两年增速放缓。根据中国半导体协会数据，2019年我国半导体封测市场达2350亿元，同比增长7.10%。2012年我国封测市场销售额为1036亿元，七年以来我国半导体封测市场年复合增速为12.4%，增速保持较高水平。随着5G应用、AI、IoT等新型领域发展，我国封测行业仍然有望保持高增长。图表6 我国封测行业年销售额及增速 2019年全球封测业前十市占率超过80%，市场主要被中国台湾、中国大陆、美国占据。中国台湾日月光公司(不含矽品精密)营收达380亿元，居全球半导体封测行业第一名，市场占有率达20.0%。美国安靠、中国长电科技分居二、三位，分别占14.6%、 11.3%。前十大封测厂商中，包含三家中国大陆公司，分别为长电科技、通富微电、华天科技。

图表7 2019年全球封测前十 2 安靠美国14.6% 3 长电科技中国大陆11.3% 4 矽品精密中国台湾10.5% 5 力成科技中国台湾8.0% 6 通富微电中国大陆 4.4% 7 华天科技中国大陆 4.4% 8 京元电子中国台湾 3.1% 9 联合科技新加坡 2.6% 10 颀邦中国台湾 2.55% 前十大合计81.2% 长电科技在2015年获得大基金支持后，发起对星科金朋的收购，获得了在韩国、新加坡的多个工厂以及全部先进技术，成为世界第三大封装企业。在最近4年研发拥有自主知识产权的Fan-out eWLB、WLCSP、Bump、PoP、fcBGA、SiP、PA等封装技术，以及引线框封装。长电科技近年受惠于SiP、eWLB、TSV、3D封装技术等皆具备世界级实力的先进封装技术，客户认可度和粘性得到较大提高。通富微电收购AMD苏州和AMD槟城两家工厂后，继续承接了AMD封测订单，具备了对高端CPU、GPU、APU以及游戏主机处理器等芯片进行封装和测试的技术实力，获得了大量海外客户。华天科技引入产业基金为公司未来发展提供重要的资金保障，对华天西安加大研发投入，优化产品结构，提高市场竞争力和行业地位等方面都起到积极促进作用。并于2018年收购世界知名的马来西亚半导体封测供应商Unisem。Unisem公司主要客户以国际IC设计公司为主，包括Broadcom、Qorvo、Skyworks等公司，其中近六成收入来自欧美地区。 3.2.2 半导体封测展望：十四五政策支持先进封装技术突破半导体封测从20世纪80年代至今，封装技术不断进步，经历了插装式封测、表面贴片封装、面积阵列式封测和先进封装。芯片封装技术分为传统封装和先进封装。传统封装和先进封装的主要区别在于有无外延引脚。传统封装分为三个时期，第一时期是20世纪80年代以前的插孔式封装，主要类型有SIP、DIP、LGA、PGA等；第二时期是20世纪80年代中期的表面贴片封装，主要类型有PLCC、SOP、PQFP等，相较于上一时期，表面贴片封装技术的引线更细、更短，封装密度较大；第三时期是20世纪90年代的面积阵列时代，主要封装技术有BGA、PQFN、MCM以及封装标准芯片级封装（CSP），相较与前两个时期，完成从直型引脚、L型引脚、J型引脚到无引脚的转变，封装空间更小，芯片小型化趋势愈发明显。目前正处于第三时期，主流封装技术还是BGA等，部分先进厂商为了满足新的芯片需求，研发出先进封装技术，例如芯片倒装、WLP、TSV、SiP等先进封装技术。

【合肥工业大学】【半导体器件物理】试卷含答案剖析

《半导体器件物理》试卷（二）标准答案及评分细则一、填空（共24分，每空2分） 1、PN结电击穿的产生机构两种；答案：雪崩击穿、隧道击穿或齐纳击穿。 2、双极型晶体管中重掺杂发射区目的；答案：发射区重掺杂会导致禁带变窄及俄歇复合，这将影响电流传输，目的为提高发射效率，以获取高的电流增益。 3、晶体管特征频率定义； β时答案：随着工作频率f的上升，晶体管共射极电流放大系数β下降为1 =所对应的频率 f，称作特征频率。 T 4、P沟道耗尽型MOSFET阈值电压符号；答案：0 V。 > T 5、MOS管饱和区漏极电流不饱和原因；答案：沟道长度调制效应和漏沟静电反馈效应。 6、BV CEO含义；答案：基极开路时发射极与集电极之间的击穿电压。 7、MOSFET短沟道效应种类；答案：短窄沟道效应、迁移率调制效应、漏场感应势垒下降效应。 8、扩散电容与过渡区电容区别。答案：扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。二、简述（共20分，每小题5分） 1、内建电场；答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区，而在N区的施主正离子中心固定不动，出现净的正电荷，同样P区的受主负离子中心也固定不动，出现净的负电荷，于是就会产生空间电荷区。在空间电荷区内，电子和空穴又会发生漂移运动，它的方向正好与各自扩散运动的方向相反，在无外界干扰的情况下，最后将达到动态平衡，至此形成内建电场，方向由N区指向P区。 2、发射极电流集边效应；答案：在大电流下，基极的串联电阻上产生一个大的压降，使得发射极由边缘到中心的电场减小，从而电流密度从中心到边缘逐步增大，出现了发射极电流在靠近基区的边缘逐渐增大，此现象称为发射极电流集边效应，或基区

外阴白色病变的症状表现有哪些

外阴白色病变的症状表现有哪些外阴白色病变是慢性外阴的营养不良。属于营养不良的一种。而这也有分为好几个类型，混合型、增生型和硬化苔藓型等等都是外阴白色病变的类型。外阴奇痒为主要症状，搔痒时间从发病到治疗有2～3月之内，也有达20 年之久，搔痒剧烈程度不分季节与昼夜，如伴有滴虫性或霉菌性阴道炎，分泌物会更多，局部烧灼感，刺痛与搔痒所致的皮肤粘膜破损或感染有关，局部有不同程度的皮肤粘膜色素减退，常有水肿，皲裂及散在的表浅溃疡。一、增生型营养不良一般发生在30～60岁的妇女，主要症状为外阴奇痒难忍，抓伤后疼痛加剧，病变范围不一，主要波及大阴唇，阴唇间沟，阴蒂包皮和后联合处，多呈对称性，病变皮肤增厚似皮革，隆起有皱襞，或有鳞屑，湿疹样改变，表面颜色多暗红或粉红，夹杂有界限清晰的白色斑块，一般无萎缩或粘连。二、硬化苔藓型营养不良可见于任何年龄，多见于40岁左右妇女，主要症状为病变区发痒，但一般远较增生型病变为轻，晚期出现性交困难，病变累及外阴皮肤，粘膜和肛周围皮肤，除皮肤或粘膜变白，变薄，干燥易皲裂外，并失去弹性，阴蒂多萎缩，且与包皮粘连，小阴唇平坦消失，晚期皮肤菲薄皱缩似卷烟纸，阴道口挛缩狭窄，仅容指尖。幼女患此病多在小便或大便后感外阴及肛周不适，外阴及肛周区出现锁孔状珠黄色花斑样或白色病损，一般至青春期时，病变多自行消失。三、混合型营养不良主要表现为菲薄的外阴发白区的邻近部位，或在其范围内伴有局灶性皮肤增厚或隆起。四、增生型或混合型伴上皮非典型增生一般认为在增生型及混合型病变中，仅5、10例可出现非典型增生，且此非典型增生仅限于增生的上皮细胞部分。非典型增生多无特殊临床表现，局部组织活体组织检查为唯一的诊断方法。但如外阴局部出现溃疡。或界限清楚的白色隆起时，在该处活检发现非典型增生，其癌变的可能性较大。

精神分裂症的发病原因是什么

精神分裂症的发病原因是什么精神分裂症是一种精神病，对于我们的影响是很大的，如果不幸患上就要及时做好治疗，不然后果会很严重，无法进行正常的工作和生活，是一件很尴尬的事情。因此为了避免患上这样的疾病，我们就要做好预防，今天我们就请广州协佳的专家张可斌来介绍一下精神分裂症的发病原因。精神分裂症是严重影响人们身体健康的一种疾病，这种疾病会让我们整体看起来不正常，会出现胡言乱语的情况，甚至还会出现幻想幻听，可见精神分裂症这种病的危害程度。 (1)精神刺激：人的心理与社会因素密切相关，个人与社会环境不相适应，就产生了精神刺激，精神刺激导致大脑功能紊乱，出现精神障碍。不管是令人愉快的良性刺激，还是使人痛苦的恶性刺激，超过一定的限度都会对人的心理造成影响。 (2)遗传因素：精神病中如精神分裂症、情感性精神障碍，家族中精神病的患病率明显高于一般普通人群，而且血缘关系愈近，发病机会愈高。此外，精神发育迟滞、癫痫性精神障碍的遗传性在发病因素中也占相当的比重。这也是精神病的病因之一。 (3)自身：在同样的环境中，承受同样的精神刺激，那些心理素质差、对精神刺激耐受力低的人易发病。通常情况下，性格内向、心胸狭窄、过分自尊的人，不与人交往、孤僻懒散的人受挫折后容易出现精神异常。 (4)躯体因素：感染、中毒、颅脑外伤、肿瘤、内分泌、代谢及营养障碍等均可导致精神障碍，。但应注意，精神障碍伴有的躯体因素，并不完全与精神症状直接相关，有些是由躯体因素直接引起的，有些则是以躯体因素只作为一种诱因而存在。孕期感染。如果在怀孕期间，孕妇感染了某种病毒，病毒也传染给了胎儿的话，那么，胎儿出生长大后患上精神分裂症的可能性是极其的大。所以怀孕中的女性朋友要注意卫生，尽量不要接触病毒源。上述就是关于精神分裂症的发病原因，想必大家都已经知道了吧。患上精神分裂症之后，大家也不必过于伤心，现在我国的医疗水平是足以让大家快速恢复过来的，所以说一定要保持良好的情绪。

09级半导体器件物理A卷答案

一、选择题：（含多项选择，共30分，每空1分，错选、漏选、多选均不得分） 1．半导体硅材料的晶格结构是（ A ） A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿 2．下列固体中，禁带宽度Eg 最大的是（ C ）Ａ金属Ｂ半导体Ｃ绝缘体 3．硅单晶中的层错属于（ C ）Ａ点缺陷Ｂ线缺陷Ｃ面缺陷 4．施主杂质电离后向半导体提供（ B ），受主杂质电离后向半导体提供（ A ），本征激发后向半导体提供（ A B ）。 A 空穴 B 电子 5．砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ A ） A 直接复合 B 间接复合 C 俄歇复合 6．衡量电子填充能级水平的是（ B ）Ａ施主能级Ｂ费米能级Ｃ受主能级 D 缺陷能级 7．载流子的迁移率是描述载流子( A )的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子( B )的一个物理量。 A 在电场作用下的运动快慢 B 在浓度梯度作用下的运动快慢 8．室温下，半导体Si 中掺硼的浓度为1014cm －3，同时掺有浓度为1.1×1015cm － 3的磷，则电子浓度约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级（ G ）；将该半导体升温至570K ，则多子浓度约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级（ I ）。（已知：室温下，ni ≈1.5×1010cm － 3，570K 时，ni ≈2×1017cm － 3） A 1014cm －3 B 1015cm －3 C 1.1×1015cm － 3 D 2.25×105cm －3 E 1.2×1015cm －3 F 2×1017cm － 3 G 高于Ei H 低于Ei I 等于Ei 9．载流子的扩散运动产生（ C ）电流，漂移运动产生（ A ）电流。 A 漂移 B 隧道 C 扩散 10．下列器件属于多子器件的是（ B D ）Ａ稳压二极管Ｂ肖特基二极管Ｃ发光二极管 D 隧道二极管 11．平衡状态下半导体中载流子浓度n 0p 0=n i 2，载流子的产生率等于复合率，而当np

外阴白色病变的检查诊断方法是什么

外阴白色病变的检查诊断方法是什么外阴奇痒是外阴白色病变的主要症状，搔痒时间从发病到治疗有2～3月之内，也有达20年之久，搔痒剧烈程度不分季节与昼夜。专家提示，一旦发现自己有类似于外阴白色病变的这种，应立即到医院进行确诊。早期的诊断及治疗对我们早日恢复健康并且尤为重要。外阴白色病变的检查：多点活检送病理检查，确定病变性质，排除早期癌变，活检应在有皲裂，溃疡，隆起，硬结或粗糙处进行，为做到取材适当，可先用1%甲苯胺蓝(toluidine blue)涂病变区，待白干后，再用1%醋酸液擦洗脱色，凡不脱色区表示该处有裸核存在，提示在该处活检，发现非典型增生或甚至癌变的可能性较大，如局部破损区太广，应先治疗数日，待皮损大部愈合后，再选择活检部位以提高诊断准确率。外阴白色病变的诊断： 1、症状判断：外阴白斑一般根据症状就可以判断，比如，外阴局部粘膜发白，瘙痒、粗糙、脱屑等现象的出现，都会诊断为外阴白斑，当然，外阴白斑有很多的类型，如果外阴白斑属于增生型，也就是说局部的皮肤粘膜增厚了，弹性变差了，而且也出现了相应的溃疡等不适症状。这是主要的外阴白斑的诊断方法。 2、细胞活检：有时外阴白斑的诊断需要进一步的做细胞活检，观察有没有癌细胞，以便于确诊。活检病理检查确定病变性质，排除早期癌变。活检应在有皲裂溃疡、隆起、硬结或粗糙处进行为做到取材适当，外阴白斑的诊断方法可先用1%甲苯胺蓝涂病变区，待白干后再用1%醋酸液擦洗脱色。凡不脱色区表示该处有裸核存在，提示在该处活检发现非典型增生或甚至癌变的可能性较大。如局部破损区太广，应先治疗数日待皮损大部愈合后，再选择活检部位以提高诊断准确率。 3、病理诊断依据：除了解疾病的主要临床症状外，还应对疾病的发病机理有一定的认识，因为导致外阴白斑皮肤瘙痒及色素的减退或脱色的疾病有很多种，不只是外阴白斑一种，它们的表现虽有些不同，但用肉眼不易区别开来，所以当遇到外阴有病损不典型或慢性皲裂、局限性增厚、溃破等症状的患者时，必须依靠活组织病理检查确诊。

精神分裂症的病因是什么

精神分裂症的病因是什么精神分裂症是一种精神方面的疾病，青壮年发生的概率高，一般在16～40岁间，没有正常器官的疾病出现，为一种功能性精神病。精神分裂症大部分的患者是由于在日常的生活和工作当中受到的压力过大，而患者没有一个良好的疏导的方式所导致。患者在出现该情况不仅影响本人的正常社会生活，且对家庭和社会也造成很严重的影响。精神分裂症常见的致病因素： 1、环境因素：工作环境比如经济水平低低收入人群、无职业的人群中，精神分裂症的患病率明显高于经济水平高的职业人群的患病率。还有实际的生活环境生活中的不如意不开心也会诱发该病。 2、心理因素：生活工作中的不开心不满意，导致情绪上的失控，心里长期受到压抑没有办法和没有正确的途径去发泄，如恋爱失败，婚姻破裂，学习、工作中不愉快都会成为本病的原因。 3、遗传因素：家族中长辈或者亲属中曾经有过这样的病人，后代会出现精神分裂症的机会比正常人要高。 4、精神影响：人的心里与社会要各个方面都有着不可缺少的联系，对社会环境不适应，自己无法融入到社会中去，自己与社会环境不相

适应，精神和心情就会受到一定的影响，大脑控制着人的精神世界，有可能促发精神分裂症。 5、身体方面：细菌感染、出现中毒情况、大脑外伤、肿瘤、身体的代谢及营养不良等均可能导致使精神分裂症，身体受到外界环境的影响受到一定程度的伤害，心里受到打击，无法承受伤害造成的痛苦，可能会出现精神的问题。对于精神分裂症一定要配合治疗，接受全面正确的治疗，最好的疗法就是中医疗法加心理疗法。早发现并及时治疗并且科学合理的治疗，不要相信迷信，要去正规的医院接受合理的治疗，接受正确的治疗按照医生的要求对症下药，配合医生和家人，给病人创造一个良好的治疗环境，对于该病的康复和痊愈会起到意想不到的效果。

《半导体物理学》期末考试试卷(A卷)-往届

赣南师范学院 2010–2011学年第一学期期末考试试卷（A 卷）开课学院：物电学院课程名称：半导体物理学考试形式：闭卷，所需时间：120分钟注意事项：1、教师出题时请勿超出边界虚线； 2、学生答题前将密封线外的内容填写清楚，答题不得超出密封线； 3、答题请用蓝、黑钢笔或圆珠笔。一、填空题（共30分，每空1分） 1、半导体中有电子和空穴两种载流子，而金属中只有电子一种载流子。 2、杂质原子进入材料体内有很多情况，常见的有两种，它们是替代式杂质和间隙式杂质。 1、 3、根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵从费米统计率，对于能量为E 的一个量子态，被一个电子占据的概率为()f E ，表达式为， ()f E 称为电子的费米分布函数，它是描写在热平衡状态下，电子在允许的量子态上如何分布的一个统计分布函数。当0F E E k T ->>时，费米分布函数转化为 ()B f E ，表达式为，()B f E 称为电子的玻尔兹曼分布函数。在 0F E E k T ->>时，量子态被电子占据的概率很小，这正是玻尔兹曼分布函数适用的范围。费米统计率与玻尔兹曼统计率的主要差别在于前者受泡利不相容原理的限制，而在0F E E k T ->>的条件下，该原理失去作用，因而两种统计的结果变成一样了。 4、在一定温度下，当没有光照时，一块n 型半导体中，电子为多数载流子，空穴是少数载流子，电子和空穴的浓度分别为0n 和0p ，则0n 和0p 的关系为大于，当用g h E ν>>（该半导体禁带宽度）的光照射该半导体时，光子就能把价带电子激发到导带上去，此时会产生电子空穴对，使导带比平衡时多出一部分电子n ，价带比平衡时多出一部分空穴p ，n 和p 的关系为，这时把非平衡电子称为非平衡多数载流子，而把非平衡空穴称为非平衡少数载流子。在一般小注入情况下，在半导体材料中，非平衡多数载流子带来的影响可忽略，原因是注入的非平衡多数载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小得多，而非平衡少数载流子却往往起着重要作用，原因是 2、注入的非平衡少数载流子浓度比平衡时的少数载流子浓度大得多。 5、非平衡载流子的复合，就复合的微观机构讲，大致可分为两种，直接复合和间接复合，直接复合是指电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的直接复合，间接复合是指电子和空穴通过禁带的能级（复合中心）进行复合。载流子在复合时，一定要释放出多余的能量，放出能量的方法有三种，分别为、、 3、发射光子发射声子将能量给予其它载流子，增加它们的动能。 6、在外加电场和光照作用下，使均匀掺杂的半导体中存在平衡载流子和非平衡载流子，由于半导体表面非平衡载流子浓度比内部高，从而非平衡载流子在半导体中作运动，从而形成电流，另外，由于外加电场的作用，半导体中的所有载流子会作运动，从而形成电流。二、选择题（共10分，每题2分） 1、本征半导体是指的半导体。 A 、不含杂质和缺陷 B 、电子密度与空穴密度相等 C 、电阻率最高 D 、电子密度与本征载流子密度相等 2、在Si 材料中掺入P ，则引入的杂质能级 A 、在禁带中线处 B 、靠近导带底 C 、靠近价带顶 D 、以上都不是 3、以下说法不正确的是 A 、价带电子激发成为导带电子的过程，称为本征激发。 B 、本征激发后，形成了导带电子和价带空穴，在外电场作用下，它们都将参与导电。 C 、电子可以从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态，并向晶格释放能量。 D 、处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热载流子。 4、以下说法不正确的是

半导体封测主流技术及发展方向分析

半导体封测主流技术及发展方向分析近几年，中国半导体产业继续维持高速增长态势，增长率超过了20％；IC设计、封测、晶圆制造以及功率器件是为4大推动主力。其中，封测行业在过去十多年中，因成本比较高，主要靠量推动发展，并是过去我国半导体产业4大推动力中产值最高的一块。不过，近两年来，我国的IC设计行业获得了巨大发展，2018年其产业营收已经超过了2500亿人民币规模，超过了封测产业的产值，未来还将继续高速发展。由此，封测行业也将继续成长，以匹配正在高速发展的IC设计行业发展需求。从行业发展历程来看，包括封测行业在内的半导体产业主要由几类代表性产品所驱动。在上世纪80年代中期，由计算机主机和台式电脑推动发展；这一时期，笔记本电脑的发展势头也开始慢慢展现。而到了上世纪90年代中期，笔记本电脑就成为了整个半导体产业的驱动主力。待进入千禧之年，以手机为代表的移动通讯产品开始引领半导体产业的高速成长。在2010年之后，集各种功能于一体的智能手机取代了上一代产品并高速成长，并成为当下半导体产业发展的驱动代表。封测行业正是伴随这些时代的产品升级而获得了巨大发展。下一个驱动半导体产业继续繁荣的代表产品又是什么呢？目前主流观点认为，数据运算时代将会成为当下的驱动主力，这是因为在端对端的应用中，如手机平台、汽车平台、智能制造、智能家居等，将会构建边缘云计算的庞大网络，形成端应用，这就需要庞大的大数据运算能力，离不开5G、AI、云计算等技术的支撑。面对新的产业变化，封测行业该如何应对？需要哪些新的技术来匹配发展？云端应用需要非常宽的带宽，我们知道，摩尔定律及先进制程一直在推动半导体行业的发展，封装行业也需要新的技术来支持新的封装需求，如高性能2.5D/3D封装技术、晶圆级封装技术、高密度SiP系统级封装技术、高速5G 通讯技术以及内存封装技术等，这些将会成为接下来封装行业跟进产业潮流的主流技术及方向。2.5D/3D先进封装集成目前，需要从FcBGA等平台上提供最大的封装尺寸，从传

半导体器件工艺与物理期末必考题材料汇总

半导体期末复习补充材料一、名词解释１、准费米能级费米能级和统计分布函数都是指的热平衡状态，而当半导体的平衡态遭到破坏而存在非平衡载流子时，可以认为分就导带和价带中的电子来讲，它们各自处于平衡态，而导带和价带之间处于不平衡态，因而费米能级和统计分布函数对导带和价带各自仍然是适用的，可以分别引入导带费米能级和价带费米能级，它们都是局部的能级，称为“准费米能级”，分别用E F n、E F p表示。２、直接复合、间接复合直接复合—电子在导带和价带之间直接跃迁而引起电子和空穴的直接复合。间接复合—电子和空穴通过禁带中的能级（复合中心）进行复合。３、扩散电容 PN结正向偏压时，有空穴从P区注入N区。当正向偏压增加时，由P区注入到N区的空穴增加，注入的空穴一部分扩散走了，一部分则增加了N区的空穴积累，增加了载流子的浓度梯度。在外加电压变化时，N扩散区内积累的非平衡空穴也增加，与它保持电中性的电子也相应增加。这种由于扩散区积累的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称为P-N结的扩散电容。用CD表示。 4、雪崩击穿随着PN外加反向电压不断增大，空间电荷区的电场不断增强，当超过某临界值时，载流子受电场加速获得很高的动能，与晶格点阵原子发生碰撞使之电离，产生新的电子—空穴对，再被电场加速，再产生更多的电子—空穴对，载流子数目在空间电荷区发生倍增，犹如雪崩一般，反向电流迅速增大，这种现象称之为雪崩击穿。 1、PN结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种，它们之间的主要区别在于扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。 2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压V T产生影响，具体地，对于短沟道器件对V T的影响为下降，对于窄沟道器件对V T的影响为上升。 3、在NPN型BJT中其集电极电流I C受V BE电压控制，其基极电流I B受V BE 电压控制。 4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是寄生参数小，响应速度快等。 5、PN结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等等几种，其中发生雪崩击穿的条件为V B>6E g/q。 6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。二、简答题 1、发射区重掺杂效应及其原因。答：发射区掺杂浓度过重时会引起发射区重掺杂效应，即过分加重发射区掺杂不但不能提高注入效率γ，反而会使其下降。原因：发射区禁带宽度变窄和俄歇复合效应增强

2020年半导体封测装备行业分析

2020年半导体封测装备行业分析一、行业发展情况 (2) 二、影响行业发展的因素 (3) 1、半导体产业重心转移带来巨大机遇 (3) 2、国家政策大力支持 (3) 3、全球封装设备呈寡头垄断格局 (4) 4、先进封装设备国产化率略高于传统封装产线 (4) 三、行业上下游之间的关系 (5) 1、与上游关联性 (5) 2、与下游关联性 (5) 四、行业竞争情况 (5) 1、行业竞争格局 (5) 2、行业进入壁垒 (6) （1）技术水平要求高，需要持续的生产实践积累 (6) （2）资本需求大 (7) （3）人才要求高 (7) （4）客户对品牌及企业严格的认证制度 (7) 3、主要企业 (8)

一、行业发展情况根据SEMI2018年报告数据，全球封装设备约为42亿美元。另外根据2018年VLSI数据，半导体设备中，晶圆代工厂设备采购额约占80%，检测设备约占8%，封装设备约占7%，硅片厂设备等其他约占5%。假设该占比较稳定，结合SEMI 最新数据，2019年全球半导体制造设备销售额达到598亿美元，此前预计2020年全球半导体设备销售额将达到608亿美元，据此计算出2019、2020 年全球封装设备市场空间约为41.86、42.56亿美元。结合二者全球封装装备市场空间在40-42亿美元。国际上ASM Pacific、K&S、Besi、Disco等封装设备厂商的收入体量在50-100 亿元，其中K&S在线焊设备方面全球领先，球焊机市场率64%，Besi、ASM Pacific垄断装片机市场，Disco则垄断全球2/3以上的划片机和减薄机市场，表明全球封装设备的竞争格局也和制程设备、测试设备一样，行业高度集中。国内装片机主要被ASM Pacific、Besi、日本FASFORD和富士机械垄断，艾科瑞斯实现国产化突破；倒片机也被ASM Pacific、Besi 垄断，中电科实现倒片机国产化突破；线焊设备主要来自美国K&S、ASM Pacific、日本新川等外资品牌，暂无国产品牌进入主流封测厂；划片切割/研磨设备则主要被DISCO、东京精密等垄断，中电科实现减薄设备国产化突破；塑封系统/塑封机也主要被TOWA、ASM Pacific、APIC YAMADA垄断。